JPH1131737A - 静電吸着ステージの印加電圧制御方法 - Google Patents

静電吸着ステージの印加電圧制御方法

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JPH1131737A
JPH1131737A JP20248497A JP20248497A JPH1131737A JP H1131737 A JPH1131737 A JP H1131737A JP 20248497 A JP20248497 A JP 20248497A JP 20248497 A JP20248497 A JP 20248497A JP H1131737 A JPH1131737 A JP H1131737A
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JP
Japan
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voltage
wafer
stage
electrostatic
attraction
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JP20248497A
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Takashi Shimizu
孝 清水
Hajime Sahase
肇 佐長谷
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 ウェハの裏面とステージ面の間で発生するパ
ーティクルを大幅に低減できる静電吸着ステージの印加
電圧制御方法を提供する。 【解決手段】 処理チャンバ内でウェハ12を処理する
ため、絶縁体11内に設けられた電極13に電圧を印加
してステージ面にウェハを吸着し固定する静電吸着ステ
ージに適用され、ウェハの吸着開始時に、電圧の印加の
仕方を傾きを持たせて次第に印加した。吸着電圧の立上
がり縁に傾斜を持たせたため、吸着電圧の印加を急激に
行うのを避け、強力な瞬時の吸着力で大きな摩擦力が生
じるのを防ぎ、ウェハの裏面にパーティクルが大量に付
着するのを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は静電吸着ステージの
印加電圧制御方法に関し、特に、吸着開始時の印加電圧
を立上がり縁が或る傾きで傾斜するようにした静電吸着
ステージの印加電圧制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置において、処理チャンバ
内でウェハの表面に成膜等の処理を行う場合、当該ウェ
ハは内部に設けられたウェハホルダの上に固定されるこ
とが必要である。従来、ウェハホルダ上にウェハを固定
するには、機械的な固定、真空吸着による固定、静電吸
着による固定の各方式が提案されている。
【0003】上記のうち静電吸着による固定方式では、
上記ウェハホルダに静電吸着ステージが設けられる。静
電吸着ステージはステージ母材としての絶縁体を備え、
絶縁体の表面にウェハを載置するステージ面が形成され
る。さらに絶縁体の内部には、ステージ面に接近させた
箇所に電極が埋設される。この電極には、必要とされる
時間の間、直流電圧が印加できるようにスイッチ手段を
介して直流電源が接続されている。静電吸着ステージに
よってウェハを固定するとき、スイッチ手段をオンする
ことにより、ウェハを固定する必要期間の間、直流電源
より一定電圧を吸着電圧として電極に印加する。従来の
静電吸着ステージにおける印加電圧制御方法を示す電圧
波形図を図5に示す。この図から明らかなように、ウェ
ハをステージ面に固定するため、吸着電圧(V)は、過
渡的現象を無視しても、電圧波形31の前縁32で明ら
かなように、吸着開始と同時に100%の電圧V1を印
加するようにしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】静電吸着ステージの従
来の印加電圧制御方法では、吸着開始と同時に強力な吸
着力が発生した。このため、ウェハの裏面と静電吸着ス
テージの間で比較的な大きな摩擦が瞬時に起き、これに
よりウェハの裏面に傷が発生するため、当該ウェハ裏面
にたくさんのパーティクルが付着するという問題が生じ
た。ウェハ裏面のこのようなパーティクルは、当該ウェ
ハをウェハカセットへ搬送する際に下段に存在するウェ
ハの表面にパーティクルを付着させるという問題も起こ
す。また次の工程のマスクパターンの焼き付け不良の原
因にもなる。その結果、半導体装置の製造において悪い
影響を与えるものであった。
【0005】本発明の目的は、上記の諸問題を解決する
ことにあり、ウェハの裏面とステージ面の間で発生する
パーティクルを大幅に低減できる静電吸着ステージの印
加電圧制御方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】第1の本発明
(請求項1に対応)に係る静電吸着ステージの印加電圧
制御方法は、上記目的を達成するために、処理チャンバ
内でウェハを処理するため、絶縁体内に設けられた電極
に電圧を印加してステージ面にウェハを吸着し固定する
静電吸着ステージに適用され、ウェハの吸着開始時に、
電圧の印加の仕方を傾きを持たせて次第に印加するよう
にした。
【0007】第1の発明では、ウェハホルダにウェハを
一定期間固定する場合、印加する吸着電圧の立上がり縁
に傾斜を持たせるようにしたため、高い平面度を有する
ステージ面に湾曲したウェハが固定されるときに、吸着
電圧の印加を急激に行うのを避け、吸着力がゆっくりと
加えることができ、これにより強力な瞬時の吸着力で大
きな摩擦力が生じるのを防ぐことができるので、ウェハ
の裏面に傷がつかず、パーティクルが大量に付着するの
を防止することができる。
【0008】第2の本発明(請求項2に対応)に係る静
電吸着ステージの印加電圧制御方法は、第1の発明にお
いて、静電吸着ステージは、印加電圧端子が1極タイプ
であることを特徴とする。処理対象であるウェハの前面
空間にプラズマが生じる場合には、1極タイプの電極を
備えた静電吸着ステージに対して本発明による印加電圧
制御方法を適用することができる。
【0009】第3の本発明(請求項3に対応)に係る静
電吸着ステージの印加電圧制御方法は、第1の発明にお
いて、静電吸着ステージは、印加電圧端子が2極タイプ
であることを特徴とする。上記プラズマを発生させるこ
となく、ウェハを静電吸着ステージに固定する場合に
は、当該構成が採用される。
【0010】第4の本発明(請求項4に対応)に係る静
電吸着ステージの印加電圧制御方法は、上記のいずれか
の発明において、上記電圧の上記傾きは直線的であるこ
とが好ましい。
【0011】第5の本発明(請求項5に対応)に係る静
電吸着ステージの印加電圧制御方法は、上記の各発明に
おいて、上記電圧の上記傾きは曲線形状を有し、当該曲
線形状は凸型であることを特徴とする。ウェハをステー
ジ面に迅速に固定するときには、印加電圧が可能な限り
早く所定の電圧(300〜400ボルト)に達すること
が好ましいので、印加電圧の立ち上がり縁を凸型曲線形
状とする。
【0012】第6の本発明(請求項6に対応)に係る静
電吸着ステージの印加電圧制御方法は、第4または第5
の発明において、電圧の印加時の上記傾きは自由に変え
られることを特徴とする。
【0013】第7の本発明(請求項7に対応)に係る静
電吸着ステージの印加電圧制御方法は、第1の発明にお
いて、上記の電極に逆電圧を印加してウェハをステージ
面から離脱するとき、逆電圧の前縁に傾きを持たせて次
第に印加するように構成した。ステージ面とウェハの摩
擦は、離脱時にも生じるので、離脱のために印加される
逆電圧についても、吸着電圧と同様に、前縁に傾斜を設
けることが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
【0015】図1は静電吸着ステージの第1の実施形態
の構成を示す図である。この実施形態による静電吸着ス
テージは1極タイプの電極を有し、プラズマを立てるこ
とを前提にしてウェハを固定する機能を有するものであ
る。
【0016】図1で11は上面がステージ面となった絶
縁体である。絶縁体11は円板状であり、その上にウェ
ハ12が載置されている。絶縁体11の内部には、上面
の近傍に1極タイプの電極13が埋設されている。電極
13とウェハ12の間には薄い絶縁層の領域が存在する
ことになる。電極13には切替え回路14を介して2つ
の直流電源15,16のうちのいずれかが適宜に接続可
能になっている。直流電源15は吸着用の正電圧を出力
し、かつその出力電圧を変化できる可変電源であり、直
流電源15の出力電圧値は電圧制御部17によって制御
される。この場合、電圧制御部17は、後述するごとく
直流電源15の出力電圧の立上がり部分を制御する。他
方、直流電源16は離脱用の負電圧(逆電圧)を出力す
るように構成されている。直流電源16についても可変
電源とすることができる。切替え回路14の上記の切替
え動作は、切替え指示部18からの切替え信号によって
行われる。
【0017】上記構成を有する静電吸着ステージは、半
導体製造装置の処理チャンバ内に設けられたウェハホル
ダに組み込まれる。処理チャンバで処理されるべく当該
処理チャンバ内に搬入されたウェハは、ウェハホルダの
静電吸着ステージ上に載置され、静電吸着ステージの静
電吸着力で固定される。
【0018】上記静電吸着ステージでの印加電圧制御方
法を説明する。静電吸着ステージにおいて、ウェハ12
を固定し、ウェハ処理後にウェハ12を離脱するとき、
電極13に印加される電圧の状態を図2に示す。ウェハ
12を吸着・固定するときには、切替え回路14によっ
て電極13と直流電源15を接続し、直流電源15の出
力電圧を電極13に印加する。このとき電極13に印加
される電圧波形は21である。図2の電圧波形21で明
らかなように、吸着用の電圧は、吸着開始時点t1から
一定の傾きを有する直線特性22で次第に増加し、その
後一定電圧V1(好ましくは700〜800ボルト)に
保持される。電圧波形21における前縁の立上がりにお
いて、急激に立ち上がらせるのではなく、一定の傾きで
ゆっくりと立ち上げる制御は、電圧制御部17に基づい
て直流電源15の出力電圧を調整することにより行われ
る。吸着電圧の立上がりに要する時間は好ましくは例え
ば10〜20秒程度である。吸着終了の時点t2では、
直流電源15による電圧印加を停止する。
【0019】上記の印加電圧制御方法によれば、吸着開
始時に、瞬時に大きな静電吸着力を発生させるのではな
く、静電吸着力をゆっくりと次第に増大するようにした
ため、ウェハ12の裏面とステージ面の間に大きな摩擦
力が瞬時に加わるのを避けることができ、その結果、ウ
ェハ12の裏面に傷がつくのを防止でき、ウェハ12の
裏面に付着するパーティクルを大幅に低減することがで
きた。
【0020】なお印加電圧の立上がりの直線特性22に
おける一定の傾きは、電圧制御部17の制御内容を変更
することにより自由に設定することができる。
【0021】静電吸着ステージからウェハ12を離脱す
るときには、切替え指示部18による指示に基づき切替
え回路14の接続関係を切替え、電極13と直流電源1
6を接続する。電極13に印加される直流電源16の出
力電圧は、図2における波形23である。電極13に大
きな逆電圧が印加されることにより、ステージ面上の電
荷を消すことができ、静電吸着ステージからウェハ12
を容易に取り外すことができる。
【0022】上記の実施形態では、電圧波形21の前縁
は直線的に傾くように制御されたが、電圧制御部17の
制御内容を変更することにより、図2の一点鎖線22a
に示されるように、曲線的であって、凸型の形状を有す
るように傾きを持たせることもできる。静電吸着ステー
ジの実際の固定を考慮すると、100〜200ボルトの
電圧では固定作用を十分に発揮することはできず、早め
に大きな電圧(300〜400ボルト)が印加されるこ
とが望ましい。このような観点から上記のごとき曲線的
な傾きを持たせて吸着電圧が印加される。
【0023】図3は本発明に係る静電吸着ステージの第
2の実施形態の構成を示す。この実施形態では、絶縁体
11の中に2つの電極13a,13bが設けられ、2極
タイプの静電吸着ステージを構成している。2極タイプ
の静電吸着ステージは、プラズマを立てないでウェハ1
2を固定する場合に好適な構成である。電極13a,1
3bのそれぞれには、吸着電圧が印加されるa端子およ
びb端子が設けられる。第2実施形態において、第1実
施形態で説明した要素と実質的に同じものには同じ符号
を付している。
【0024】図3の構成では、吸着および離脱の際に電
圧を印加する2つの可変直流電源15a,15bが用意
される。これらの直流電源15a,15bの出力電圧
は、電圧制御部17によって同時に制御され、かつ互い
に図4に示すように電圧が逆になるように設定されてい
る。直流電源15a,15bの各出力電圧は、切替え回
路24を経由してa端子およびb端子に印加される。切
替え回路24は2連式の切替えスイッチを備え、いずれ
のスイッチも切替え指示部18によって同時に切り替え
られる。このため、直流電圧15a,15bの出力電圧
が、a端子とb端子に接続される。
【0025】図4に印加電圧制御方法を電圧波形として
示している。上側がa端子での印加電圧の波形を示し、
下側がb端子での印加電圧の波形を示している。b端子
での電圧波形は、a端子での電圧波形の逆になってい
る。a端子での電圧波形は、図2で説明した印加電圧制
御方法と同じ電圧波形となっている。図4において、a
端子およびb端子の電圧波形には同じ符号21を付して
いる。
【0026】2極タイプの静電吸着ステージにおいて
も、電極13a,13bへの印加電圧は、図4の電圧波
形21で明らかなように、その立ち上がり部分(前縁)
を直線的(22)または凸型曲線形状(22a)となる
ように傾きを持たせるようにしている。この結果、第1
実施形態で説明した作用・効果と同じ作用・効果を発揮
させることができる。
【0027】なお前述の第2の実施形態では、絶縁体1
1の上面のステージ面からウェハ12を取り外す(離脱
させる)ときには、矩形の逆電圧23を印加するように
したが、代わりに、図4の符号25に示すごとく、吸着
電圧の場合と同様に、逆電圧23の前縁に傾斜を持たせ
るようにすることもできる。このようにすることによ
り、電極に逆電圧を印加してウェハをステージ面から離
脱するとき、逆電圧を次第に印加することができ、脱離
時のステージ面とウェハの摩擦を小さくでき、傷がつく
のを防止できる。かかる構成は、前述した1極タイプの
静電吸着ステージにおいても採用できるのは勿論であ
る。
【0028】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、静電吸着ステージでの吸着電圧の印加において吸
着電圧を一定の傾きで立ち上がるように制御したため、
強力な静電吸着力の発生を防止でき、これによりウェハ
の裏面に傷が発生するのを防止し、ウェハの裏面とステ
ージ面の間で発生するパーティクルを大幅に低減するこ
とができる。
【0029】本発明による印加電圧制御方法は、1極タ
イプの静電吸着ステージ、2極タイプの静電吸着ステー
ジのいずれにおいても適用でき、上記効果を発揮させる
ことができる。
【0030】また印加電圧の前縁に凸型曲線形状の傾き
を持たせた場合には、ウェハ固定のための所定の吸着電
圧を早く得ることができる効果が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る印加電圧制御方法が適用される静
電吸着ステージの第1の実施形態を示す図である。
【図2】第1実施形態における印加される吸着電圧の波
形を示す波形図である。
【図3】本発明に係る印加電圧制御方法が適用される静
電吸着ステージの第2の実施形態を示す図である。
【図4】第2実施形態における印加される吸着電圧の波
形を示す波形図である。
【図5】従来の印加電圧制御方法による電圧波形を示す
波形図である。
【符号の説明】
11 絶縁体 12 ウェハ 13,13a,13b 電極 14,24 切替え回路 15,15a,15b 直流電源 16 直流電源 17 電圧制御部 18 切替え指示部

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理チャンバ内でウェハを処理するた
    め、絶縁体内に設けられた電極に電圧を印加してステー
    ジ面に前記ウェハを吸着し固定する静電吸着ステージに
    おいて、前記ウェハの吸着開始時に、前記電圧を、傾き
    を持たせて次第に印加したことを特徴とする静電吸着ス
    テージの印加電圧制御方法。
  2. 【請求項2】 前記静電吸着ステージは、印加電圧端子
    が1極タイプであることを特徴とする請求項1記載の静
    電吸着ステージの印加電圧制御方法。
  3. 【請求項3】 前記静電吸着ステージは、印加電圧端子
    が2極タイプであることを特徴とする請求項1記載の静
    電吸着ステージの印加電圧制御方法。
  4. 【請求項4】 前記電圧の前記傾きは直線的であること
    を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の静電
    吸着ステージの印加電圧制御方法。
  5. 【請求項5】 前記電圧の前記傾きは曲線形状を有し、
    当該曲線形状は凸型であることを特徴とする請求項1〜
    3のいずれか1項に記載の静電吸着ステージの印加電圧
    制御方法。
  6. 【請求項6】 前記電圧の印加時の前記傾きは自由に変
    えられることを特徴とする請求項4または5記載の静電
    吸着ステージの印加電圧制御方法。
  7. 【請求項7】 前記電極に逆電圧を印加して前記ウェハ
    を前記ステージ面から離脱するとき、前記逆電圧の前縁
    に傾きを持たせて次第に印加したことを特徴とする請求
    項1記載の静電吸着ステージの印加電圧制御方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349050A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の切削方法及び切削装置
US6610180B2 (en) 2000-08-01 2003-08-26 Anelva Corporation Substrate processing device and method
JP2019120576A (ja) * 2018-01-04 2019-07-22 株式会社東芝 振動装置及び振動装置の制御方法

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