JPH07302809A - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置のパッケージの加熱に
よる亀裂の発生を防止する。 【構成】 リードフレームの素子搭載部であるアイラン
ド１１上に、半導体素子１２が銀（Ａｇ）ペースト等の
樹脂ペースト１３で固着搭載され、半導体素子１２の主
表面上に発泡性ウレタン樹脂１６が仮固着される。アイ
ランド１１、半導体素子１２、及び発泡性ウレタン樹脂
１６等は、リードフレームが上金型１７と下金型１８に
挟持されて収容される。発泡性ウレタン樹脂１６は加熱
により発泡を開始し、その発泡により半導体素子１２の
主表面と上金型１７間は、ウレタン樹脂で充填される。
その充填の後、封止樹脂１９がキャビテイ２０に注入さ
れて半導体素子１２が樹脂封止される。この封止樹脂１
９と発泡されたウレタン樹脂の界面は、樹脂封止型半導
体装置のガス導出路となる。
よる亀裂の発生を防止する。 【構成】 リードフレームの素子搭載部であるアイラン
ド１１上に、半導体素子１２が銀（Ａｇ）ペースト等の
樹脂ペースト１３で固着搭載され、半導体素子１２の主
表面上に発泡性ウレタン樹脂１６が仮固着される。アイ
ランド１１、半導体素子１２、及び発泡性ウレタン樹脂
１６等は、リードフレームが上金型１７と下金型１８に
挟持されて収容される。発泡性ウレタン樹脂１６は加熱
により発泡を開始し、その発泡により半導体素子１２の
主表面と上金型１７間は、ウレタン樹脂で充填される。
その充填の後、封止樹脂１９がキャビテイ２０に注入さ
れて半導体素子１２が樹脂封止される。この封止樹脂１
９と発泡されたウレタン樹脂の界面は、樹脂封止型半導
体装置のガス導出路となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板搭載時の加熱処理
に際し、パッケージにおける亀裂の発生を防止するガス
導出孔を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法とその
樹脂封止型半導体装置に関するものである。
に際し、パッケージにおける亀裂の発生を防止するガス
導出孔を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法とその
樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の樹脂封止型半導体装置の
一構成例を示す断面図であり、図３は、従来の他の樹脂
封止型半導体装置の構成例の断面図である。図２におい
て、素子搭載部１には半導体素子２がダイスボンディン
グされ、その半導体素子２上には、外部導出用電極３が
形成されている。外部導出用電極３は金属細線４を介し
てリード５に接続されている。これらの半導体素子２及
び金属細線４等は、封止樹脂からなるパッケージ６によ
り樹脂封止されている。素子搭載部１の裏面側、即ち半
導体素子２の搭載されていない側の下側のパッケージ６
には円柱或いは多角柱状のガス導出孔７が、設けられて
いる。このガス導出孔７の内方端部は素子搭載部１の裏
面には達しておらず、その内方端部と素子搭載部１の裏
面の間には、膜厚の薄い樹脂膜８が形成されている。図
３の半導体装置は、図２の半導体装置に対してガス導出
孔の構造が異なるものであり、他の部分は図２と同様で
ある。図３におけるガス導出孔９は内方端部が直接搭載
部１の裏面に接する構造となっている。各ガス導出孔
７，９の形成に際し、パッケージ６を成形するための成
形金型に予めガス導出孔７，９に対応した形状の突起部
をそれぞれ設けておけば、パッケージ成形と同時に容易
に形成することができる。これらの半導体装置の実装に
あたって、リード５を基板等に半田付けする際に、パッ
ケージ６が加熱されても、パッケージ６に亀裂が発生し
にくいという利点を有している。即ち、パッケージ６が
加熱された場合、吸湿した半導体素子２等から水蒸気が
発生し、多大な応力がパッケージ６に作用する。この応
力が限界を越えればパッケージ６に亀裂が発生するが、
図２の半導体装置ではある程度応力が高くなった時点で
樹脂膜８が破壊される。そのため、破壊された樹脂膜８
からガス導出孔７を経て水蒸気が抜けるので、パッケー
ジ６には極めて小さい亀裂が発生するものの、大きな亀
裂は発生しない。また、図３の半導体装置においては、
ガス導出孔９が直接素子搭載部１の裏面に接しているの
で、発生した水蒸気は半導体素子２や素子搭載部１の界
面を伝わって容易にガス導出孔９から抜ける。それ故、
図３の半導体装置は図２のよりもさらに亀裂が発生しに
くいという利点を有している。
一構成例を示す断面図であり、図３は、従来の他の樹脂
封止型半導体装置の構成例の断面図である。図２におい
て、素子搭載部１には半導体素子２がダイスボンディン
グされ、その半導体素子２上には、外部導出用電極３が
形成されている。外部導出用電極３は金属細線４を介し
てリード５に接続されている。これらの半導体素子２及
び金属細線４等は、封止樹脂からなるパッケージ６によ
り樹脂封止されている。素子搭載部１の裏面側、即ち半
導体素子２の搭載されていない側の下側のパッケージ６
には円柱或いは多角柱状のガス導出孔７が、設けられて
いる。このガス導出孔７の内方端部は素子搭載部１の裏
面には達しておらず、その内方端部と素子搭載部１の裏
面の間には、膜厚の薄い樹脂膜８が形成されている。図
３の半導体装置は、図２の半導体装置に対してガス導出
孔の構造が異なるものであり、他の部分は図２と同様で
ある。図３におけるガス導出孔９は内方端部が直接搭載
部１の裏面に接する構造となっている。各ガス導出孔
７，９の形成に際し、パッケージ６を成形するための成
形金型に予めガス導出孔７，９に対応した形状の突起部
をそれぞれ設けておけば、パッケージ成形と同時に容易
に形成することができる。これらの半導体装置の実装に
あたって、リード５を基板等に半田付けする際に、パッ
ケージ６が加熱されても、パッケージ６に亀裂が発生し
にくいという利点を有している。即ち、パッケージ６が
加熱された場合、吸湿した半導体素子２等から水蒸気が
発生し、多大な応力がパッケージ６に作用する。この応
力が限界を越えればパッケージ６に亀裂が発生するが、
図２の半導体装置ではある程度応力が高くなった時点で
樹脂膜８が破壊される。そのため、破壊された樹脂膜８
からガス導出孔７を経て水蒸気が抜けるので、パッケー
ジ６には極めて小さい亀裂が発生するものの、大きな亀
裂は発生しない。また、図３の半導体装置においては、
ガス導出孔９が直接素子搭載部１の裏面に接しているの
で、発生した水蒸気は半導体素子２や素子搭載部１の界
面を伝わって容易にガス導出孔９から抜ける。それ故、
図３の半導体装置は図２のよりもさらに亀裂が発生しに
くいという利点を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂封止型半導体装置には、次のような課題があった。
外部環境中に放置すると封止樹脂が外部環境の水分を吸
湿する。プリント基板等にパッケージ６を固着搭載する
ハーンダリフロー等の工程で、パッケージ６全体が急激
な加熱を受けると、パッケージ６内部に吸湿された水分
がガス化して高圧化する。半導体装置の大型化に伴い、
水分が各導出孔７，９に達するまでの時間が長時間化さ
れ、ガスが導出孔７，９から導出されるまで耐えられず
パッケージ６に亀裂が発生するという課題があった。特
に、半導体素子２の主表面側で吸湿された水分のガス化
は半導体素子２の剥離等を進行させ、例えば内部応力が
一点に集中してパッケージの亀裂が発生する。
樹脂封止型半導体装置には、次のような課題があった。
外部環境中に放置すると封止樹脂が外部環境の水分を吸
湿する。プリント基板等にパッケージ６を固着搭載する
ハーンダリフロー等の工程で、パッケージ６全体が急激
な加熱を受けると、パッケージ６内部に吸湿された水分
がガス化して高圧化する。半導体装置の大型化に伴い、
水分が各導出孔７，９に達するまでの時間が長時間化さ
れ、ガスが導出孔７，９から導出されるまで耐えられず
パッケージ６に亀裂が発生するという課題があった。特
に、半導体素子２の主表面側で吸湿された水分のガス化
は半導体素子２の剥離等を進行させ、例えば内部応力が
一点に集中してパッケージの亀裂が発生する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、半導体素子が素子搭載部の表側に固
定されたリードフレームを金型で挟持し、前記金型のキ
ャビティ内に封止樹脂を注入して前記半導体素子及び素
子搭載部に対する樹脂封止を行い、内部で発生するガス
を外部に放出するガス導出路を持ち且つ前記半導体素子
及び素子搭載部を被包する前記封止樹脂の固化したパッ
ケージを備えた樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封
止型半導体装置の製造方法を次のようにしている。即
ち、前記半導体素子の主表面上に加熱で発泡膨脹する発
泡性ウレタン樹脂を置き、前記リードフレームを前記金
型で挟持した状態で該金型を加熱して前記発泡性ウレタ
ン樹脂を発泡膨脹させ前記半導体素子の主表面と金型間
にウレタン樹脂を充填している。その充填の後前記封止
樹脂の注入を行って前記半導体素子の主表面上で発泡膨
脹したウレタン樹脂の上部が主表面に露出した前記パッ
ケージを成形するようにしている。第２の発明は、第１
の発明に記載の樹脂封止型半導体装置は、前記パッケー
ジの主表面に上部が露出し且つ前記半導体素子の主表面
上に配置されて発泡膨脹したウレタン樹脂部を有し、該
ウレタン樹脂部と前記固化した封止樹脂との界面が前記
ガス導出路を構成するようにしている。第３の発明は、
先端部を前記半導体素子の主表面と素子搭載部の裏にそ
れぞれ当接し且つ該先端部が該半導体素子の主表面及び
素子搭載部の裏に対する軟質部材で形成されたイジェク
タピンを設けた金型で前記リードフレームを挟持し、前
記金型のキャビティ内に封止樹脂を注入して前記半導体
素子の主表面及び素子搭載部の裏にそれぞれ開孔部を有
するパッケージを備えた樹脂封止型半導体装置を製造す
るようにしている。第４の発明は、第３の発明における
各イジェクタピンを前記金型の上部と下部から対向して
前記キャビテイ内に押し出し、前記半導体素子の主表面
と素子搭載部の裏とを挟持した状態で前記封止樹脂を注
入して前記樹脂封止を行うようにしている。第５の発明
は、前記樹脂封止型半導体装置は、前記パッケージに対
して前記半導体素子の主表面及び素子搭載部の裏に達す
る開孔部を設け、前記ガス導出路を前記開孔部で構成し
ている。第６の発明は、第１の発明に記載のリードフレ
ームのリード内方端部であるインナーリードの上に前記
パッケージから突き出す高さを有するピンを立て、前記
ピンを収納するスペースを設けた金型で前記リードフレ
ームを挟持し、前記樹脂封止を行って前記ピンに対応す
る突起部を有したパッケージを成形し、前記突起部を切
り欠くことで前記ガス導出路を成形するようにしてい
る。第７の発明は、第１の発明に記載の樹脂封止型半導
体装置を前記パッケージの主表面に上部が露出し且つ前
記リードフレームのリード内方端部のインナーリードの
上に立てられたピンを有し、前記パッケージを形成する
封止樹脂と前記ピンの界面から該パッケージの内部で発
生するガスが外部に放出される構成としている。
を解決するために、半導体素子が素子搭載部の表側に固
定されたリードフレームを金型で挟持し、前記金型のキ
ャビティ内に封止樹脂を注入して前記半導体素子及び素
子搭載部に対する樹脂封止を行い、内部で発生するガス
を外部に放出するガス導出路を持ち且つ前記半導体素子
及び素子搭載部を被包する前記封止樹脂の固化したパッ
ケージを備えた樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封
止型半導体装置の製造方法を次のようにしている。即
ち、前記半導体素子の主表面上に加熱で発泡膨脹する発
泡性ウレタン樹脂を置き、前記リードフレームを前記金
型で挟持した状態で該金型を加熱して前記発泡性ウレタ
ン樹脂を発泡膨脹させ前記半導体素子の主表面と金型間
にウレタン樹脂を充填している。その充填の後前記封止
樹脂の注入を行って前記半導体素子の主表面上で発泡膨
脹したウレタン樹脂の上部が主表面に露出した前記パッ
ケージを成形するようにしている。第２の発明は、第１
の発明に記載の樹脂封止型半導体装置は、前記パッケー
ジの主表面に上部が露出し且つ前記半導体素子の主表面
上に配置されて発泡膨脹したウレタン樹脂部を有し、該
ウレタン樹脂部と前記固化した封止樹脂との界面が前記
ガス導出路を構成するようにしている。第３の発明は、
先端部を前記半導体素子の主表面と素子搭載部の裏にそ
れぞれ当接し且つ該先端部が該半導体素子の主表面及び
素子搭載部の裏に対する軟質部材で形成されたイジェク
タピンを設けた金型で前記リードフレームを挟持し、前
記金型のキャビティ内に封止樹脂を注入して前記半導体
素子の主表面及び素子搭載部の裏にそれぞれ開孔部を有
するパッケージを備えた樹脂封止型半導体装置を製造す
るようにしている。第４の発明は、第３の発明における
各イジェクタピンを前記金型の上部と下部から対向して
前記キャビテイ内に押し出し、前記半導体素子の主表面
と素子搭載部の裏とを挟持した状態で前記封止樹脂を注
入して前記樹脂封止を行うようにしている。第５の発明
は、前記樹脂封止型半導体装置は、前記パッケージに対
して前記半導体素子の主表面及び素子搭載部の裏に達す
る開孔部を設け、前記ガス導出路を前記開孔部で構成し
ている。第６の発明は、第１の発明に記載のリードフレ
ームのリード内方端部であるインナーリードの上に前記
パッケージから突き出す高さを有するピンを立て、前記
ピンを収納するスペースを設けた金型で前記リードフレ
ームを挟持し、前記樹脂封止を行って前記ピンに対応す
る突起部を有したパッケージを成形し、前記突起部を切
り欠くことで前記ガス導出路を成形するようにしてい
る。第７の発明は、第１の発明に記載の樹脂封止型半導
体装置を前記パッケージの主表面に上部が露出し且つ前
記リードフレームのリード内方端部のインナーリードの
上に立てられたピンを有し、前記パッケージを形成する
封止樹脂と前記ピンの界面から該パッケージの内部で発
生するガスが外部に放出される構成としている。
【０００５】
【作用】第１の発明によれば、以上のように樹脂封止型
半導体装置の製造方法を構成したので、半導体素子の主
表面上に置かれた発泡性ウレタン樹脂が金型の加熱で発
泡膨脹し、半導体素子の主表面と金型間にウレタン樹脂
が充填される。ウレタン樹脂が充填された後、封止樹脂
が注入される。このとき、ウレタン樹脂の表面は発泡で
凹凸が発生しており、封止樹脂はその凹凸に食い込む。
この封止樹脂の注入が終了すると、半導体素子の主表面
上で発泡膨脹したウレタン樹脂の上部が主表面に露出し
たパッケージが成形される。第２の発明によれば、以上
のように第１の発明に記載の樹脂封止型半導体装置を構
成したので、パッケージの主表面に上部が露出しかつ半
導体素子の主表面上に配置されたウレタン樹脂を有して
いる。ウレタン樹脂とパッケージを形成する封止樹脂と
の界面からパッケージの内部で発生するガスが外部に放
出される。第３の発明によれば、以上のように樹脂封止
型半導体装置の製造方法を構成したので、各イジェクタ
ピンの先端部の軟質部材が半導体素子の主表面と素子搭
載部の裏にそれぞれ当接され、各イジェクタピンを設け
た金型でリードフレームが挟持されて樹脂注入が行われ
る。そのため、各イジェクタピンの先端部の軟質部材が
半導体素子の主表面と素子搭載部の裏に密着した状態
で、パッケージが成形され、半導体素子の主表面及び素
子搭載部の裏にそれぞれ開孔部を設けたパッケージが製
造される。第４の発明によれば、以上のように、第３の
発明における樹脂封止型半導体装置の製造方法を構成し
たので、各イジェクタピンが金型の上部と下部から対向
して前記キャビテイ内に押し出され、前記半導体素子の
主表面と素子搭載部の裏とが挟持された状態で、樹脂封
止が行われる。第５の発明によれば、以上のように樹脂
封止型半導体装置を構成したので、半導体素子の主表面
及び素子搭載部の裏に成形された開孔部からパッケージ
の内部で発生するガスが外部に放出される。第６の発明
によれば、以上のように樹脂封止型半導体装置の製造方
法を構成したので、インナーリードの上に前記パッケー
ジから突き出す高さを有するピンが立てられ、そのピン
を収納するスペースを設けた金型でリードフレームを挟
持して樹脂封止が行われる。樹脂封止の結果、ピンに対
応する突出し部を有したパッケージが成形されるが、そ
の突出し部が切り欠かれてガス導出路が成形される。第
７の発明によれば、以上のように樹脂封止型半導体装置
を構成したので、パッケージを形成する封止樹脂とイン
ナーリードの上に設置されたピンとの界面から、パッケ
ージの内部で発生するガスが外部に放出される。従っ
て、前記課題を解決できるのである。
半導体装置の製造方法を構成したので、半導体素子の主
表面上に置かれた発泡性ウレタン樹脂が金型の加熱で発
泡膨脹し、半導体素子の主表面と金型間にウレタン樹脂
が充填される。ウレタン樹脂が充填された後、封止樹脂
が注入される。このとき、ウレタン樹脂の表面は発泡で
凹凸が発生しており、封止樹脂はその凹凸に食い込む。
この封止樹脂の注入が終了すると、半導体素子の主表面
上で発泡膨脹したウレタン樹脂の上部が主表面に露出し
たパッケージが成形される。第２の発明によれば、以上
のように第１の発明に記載の樹脂封止型半導体装置を構
成したので、パッケージの主表面に上部が露出しかつ半
導体素子の主表面上に配置されたウレタン樹脂を有して
いる。ウレタン樹脂とパッケージを形成する封止樹脂と
の界面からパッケージの内部で発生するガスが外部に放
出される。第３の発明によれば、以上のように樹脂封止
型半導体装置の製造方法を構成したので、各イジェクタ
ピンの先端部の軟質部材が半導体素子の主表面と素子搭
載部の裏にそれぞれ当接され、各イジェクタピンを設け
た金型でリードフレームが挟持されて樹脂注入が行われ
る。そのため、各イジェクタピンの先端部の軟質部材が
半導体素子の主表面と素子搭載部の裏に密着した状態
で、パッケージが成形され、半導体素子の主表面及び素
子搭載部の裏にそれぞれ開孔部を設けたパッケージが製
造される。第４の発明によれば、以上のように、第３の
発明における樹脂封止型半導体装置の製造方法を構成し
たので、各イジェクタピンが金型の上部と下部から対向
して前記キャビテイ内に押し出され、前記半導体素子の
主表面と素子搭載部の裏とが挟持された状態で、樹脂封
止が行われる。第５の発明によれば、以上のように樹脂
封止型半導体装置を構成したので、半導体素子の主表面
及び素子搭載部の裏に成形された開孔部からパッケージ
の内部で発生するガスが外部に放出される。第６の発明
によれば、以上のように樹脂封止型半導体装置の製造方
法を構成したので、インナーリードの上に前記パッケー
ジから突き出す高さを有するピンが立てられ、そのピン
を収納するスペースを設けた金型でリードフレームを挟
持して樹脂封止が行われる。樹脂封止の結果、ピンに対
応する突出し部を有したパッケージが成形されるが、そ
の突出し部が切り欠かれてガス導出路が成形される。第
７の発明によれば、以上のように樹脂封止型半導体装置
を構成したので、パッケージを形成する封止樹脂とイン
ナーリードの上に設置されたピンとの界面から、パッケ
ージの内部で発生するガスが外部に放出される。従っ
て、前記課題を解決できるのである。
【０００６】
【実施例】第１の実施例 図１（ｉ）〜(iii）は、本発明の第１の実施例を示す樹
脂封止型半導体装置の製造方法を説明する図であり、樹
脂封止型半導体装置の製造過程における断面図を示して
いる。半導体装置の内部において、一般的な金属薄板を
プレスまたはエッチング等の加工技術で所定のパターン
に加工された図示しないリードフレームの素子搭載部で
あるアイランド１１上に、半導体素子１２が銀（Ａｇ）
ペースト等の樹脂ペースト１３で固着搭載される。半導
体素子１２の上部の主表面の図示しない外部導出電極
が、金属細線１４を介してリードフレームの内方端部の
インナーリード１５に接続される。このような半導体装
置の内部の半導体素子１２の主表面上に、ポッティング
またはペレット状であり加熱によって発泡する発泡性ウ
レタン樹脂１６が、図１の（ｉ）に示すように仮固着さ
れる。続いて、図１の（ii）に示すように、アイランド
１１、半導体素子１２、金属細線１４、インナーリード
１５、及び発泡する発泡性ウレタン樹脂１６は、前記リ
ードフレームが上金型１７と下金型１８に挟持されて収
容される。そして、発泡性ウレタン樹脂１６は、上金型
１７に加熱されて発泡を開始する。この発泡によって半
導体素子１２の主表面と上金型１７間は、ウレタン樹脂
で充填される。発泡性ウレタン樹脂１６が発泡膨脹した
後、エポキシ樹脂とフィラーで構成された封止樹脂１９
が、上金型１７と下金型１８との間に形成されるキャビ
テイ２０に注入されて半導体素子１２等が樹脂封止され
る。封止樹脂１９が固化した段階で、図１の(iii）のよ
うに、樹脂封止された半導体装置が上金型１７と下金型
１８から取出される。図４は、図１の製造方法で製造さ
れた樹脂封止型半導体装置の構造を示す断面図であり、
図１と共通する要素には、共通の符号が付されている。
この樹脂封止型半導体装置は、図１の(iii）で取り出さ
れた物であり、アイランド１１、半導体素子１２、金属
細線１４、インナーリード１５、発泡性ウレタン樹脂１
６、及び固化した封止樹脂１９を有し、封止樹脂１９が
パッケージを形成し、発泡性ウレタン樹脂１６がウレタ
ン部２１を形成する。ウレタン部２１の上部は、パッケ
ージの上部の主表面に露出され、ガス導出路を構成す
る。次に、図１の(iii）に示された半導体装置の耐熱性
について説明する。
脂封止型半導体装置の製造方法を説明する図であり、樹
脂封止型半導体装置の製造過程における断面図を示して
いる。半導体装置の内部において、一般的な金属薄板を
プレスまたはエッチング等の加工技術で所定のパターン
に加工された図示しないリードフレームの素子搭載部で
あるアイランド１１上に、半導体素子１２が銀（Ａｇ）
ペースト等の樹脂ペースト１３で固着搭載される。半導
体素子１２の上部の主表面の図示しない外部導出電極
が、金属細線１４を介してリードフレームの内方端部の
インナーリード１５に接続される。このような半導体装
置の内部の半導体素子１２の主表面上に、ポッティング
またはペレット状であり加熱によって発泡する発泡性ウ
レタン樹脂１６が、図１の（ｉ）に示すように仮固着さ
れる。続いて、図１の（ii）に示すように、アイランド
１１、半導体素子１２、金属細線１４、インナーリード
１５、及び発泡する発泡性ウレタン樹脂１６は、前記リ
ードフレームが上金型１７と下金型１８に挟持されて収
容される。そして、発泡性ウレタン樹脂１６は、上金型
１７に加熱されて発泡を開始する。この発泡によって半
導体素子１２の主表面と上金型１７間は、ウレタン樹脂
で充填される。発泡性ウレタン樹脂１６が発泡膨脹した
後、エポキシ樹脂とフィラーで構成された封止樹脂１９
が、上金型１７と下金型１８との間に形成されるキャビ
テイ２０に注入されて半導体素子１２等が樹脂封止され
る。封止樹脂１９が固化した段階で、図１の(iii）のよ
うに、樹脂封止された半導体装置が上金型１７と下金型
１８から取出される。図４は、図１の製造方法で製造さ
れた樹脂封止型半導体装置の構造を示す断面図であり、
図１と共通する要素には、共通の符号が付されている。
この樹脂封止型半導体装置は、図１の(iii）で取り出さ
れた物であり、アイランド１１、半導体素子１２、金属
細線１４、インナーリード１５、発泡性ウレタン樹脂１
６、及び固化した封止樹脂１９を有し、封止樹脂１９が
パッケージを形成し、発泡性ウレタン樹脂１６がウレタ
ン部２１を形成する。ウレタン部２１の上部は、パッケ
ージの上部の主表面に露出され、ガス導出路を構成す
る。次に、図１の(iii）に示された半導体装置の耐熱性
について説明する。
【０００７】パッケージである封止樹脂１９は、例えば
気温２５℃及び湿度６５％の状態下で樹脂厚が１．５ｍ
ｍで５０時間の吸湿を行うと、概ね０．１ｗｔ％程度の
吸湿をする。パッケージ内部の吸湿した水分はバルク吸
湿と界面吸湿という形で吸湿されている。パッケージは
プリント基板等に固着搭載する工程で受ける急激な熱ス
トレスを受け、パッケージ内部の温度が急上昇する。こ
れによって、パッケージ内部の吸湿水分が気化膨脹し、
また、半導体装置の各種機構材料が熱膨張を起こす。そ
のため、パッケージの内部応力が増大し、半導体素子１
２の剥離及びアイランド１１の裏側の界面剥離が進行す
る。それ故、例えば内部応力が一点に集中してパッケー
ジの亀裂が発生する。この際、本実施例で作成された半
導体装置ではウレタン部２１が、半導体素子１２の主表
面と外部間に設けられているので、その半導体素子１２
の界面に発生した吸湿水分の気化ガスが外部へ放出され
る。即ち、発泡ウレタン部２１と封止樹脂１９とは反応
していないので、それらはガスに対して密着していない
状態となり、ガスがウレタン部２１と封止樹脂１９の界
面を介して外部へ導出される。よって亀裂の発生が防止
される。なお、発泡ウレタン部２１の周囲は発泡によっ
て凹凸が形成されているので、その凹凸は封止樹脂１９
に対してアンカー効果を発揮して、ウレタン部２１がパ
ッケージから外れることはない。以上のように、本実施
例では、製造段階で先に発泡性ウレタン樹脂を発泡さ
せ、半導体素子１２の主表面と上金型１７間をウレタン
樹脂で充填しているので、封止樹脂１９のばり等による
ガス導出路の閉鎖を防ぐ。また、発泡したウレタン部２
１の周囲に封止樹脂１９を密接させて配置することがで
き、ウレタン部２１が、容易にパッケージからとれない
ような樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
半導体素子１２上の発泡ウレタン部２１は、半導体素子
１２に対する保護をすると共に、半導体素子１２の界面
の気化ガスを外部に導出する役目を果たす。そのため、
耐熱性に優れた樹脂封止型半導体装置を構成することが
できる。第２の実施例 図５（ｉ）〜(iii）は本発明の第２の実施例を示す半導
体装置の製造方法の説明図であり、樹脂封止型半導体装
置の製造過程における断面図をそれぞれ示している。な
お、図５中で図１と共通する要素には、共通の符号が付
されている。半導体装置の内部において、第１の実施例
と同様に所定のパターンに加工されたリードフレームの
素子搭載部であるアイランド１１上に、半導体素子１２
が銀（Ａｇ）ペースト等の樹脂ペースト１３で固着搭載
されている。半導体素子１２の上部の図示しない外部導
出電極が、金属細線１４を介してインナーリード１５に
接続されている。図５の（ｉ）において、アイランド１
１、半導体素子１２、金属細線１４、及びインナーリー
ド１５は、リードフレームが上金型２３と下金型２４に
挟持される形で収容される。上金型２３及び下金型２４
は、図１の上金型１７及び下金型１８とは異なり、イジ
ェクタピン２５，２６をキャビティ２７内に突き出す形
でそれぞれ設けている。イジェクタピン２５，２６は、
図５の（ｉ）のように、半導体装置の内部機構を収容し
たとき、各イジェクタピン２５，２６の先端が、半導体
素子１２の主表面とアイランド１１の裏側にそれぞれ当
接される。各イジェクタピン２５，２６の先端部には、
例えばシリコン樹脂の軟質部材がそれぞれ取り付けら
れ、これらの軟質部材は半導体素子１２の主表面におけ
る傷或いはバリ等の不具合の発生を防止するものであ
る。次に、図５の（ii）に示すように、キャビティ２７
に封止樹脂１９が加圧注入される。この注入に際し、イ
ジェクタピン２５，２６は半導体素子１２及びアイラン
ド１１を挟持した形となっているので、イジェクタピン
２５，２６は封止樹脂１９の流動時に発生するアイラン
ド１１の浮き及び流れ等を防止すると共に、、アイラン
ド１１の矯正等を行う。封止樹脂１９が固化した段階
で、樹脂封止された半導体装置が上金型２３と下金型２
４から、イジェクタピン２５，２６を用いて図５の(ii
i）のように取出される。図６は、図５の製造方法で製
造された樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、
斜視図と断面図が示されている。図４と共通する要素に
は共通の符号が付されている。
気温２５℃及び湿度６５％の状態下で樹脂厚が１．５ｍ
ｍで５０時間の吸湿を行うと、概ね０．１ｗｔ％程度の
吸湿をする。パッケージ内部の吸湿した水分はバルク吸
湿と界面吸湿という形で吸湿されている。パッケージは
プリント基板等に固着搭載する工程で受ける急激な熱ス
トレスを受け、パッケージ内部の温度が急上昇する。こ
れによって、パッケージ内部の吸湿水分が気化膨脹し、
また、半導体装置の各種機構材料が熱膨張を起こす。そ
のため、パッケージの内部応力が増大し、半導体素子１
２の剥離及びアイランド１１の裏側の界面剥離が進行す
る。それ故、例えば内部応力が一点に集中してパッケー
ジの亀裂が発生する。この際、本実施例で作成された半
導体装置ではウレタン部２１が、半導体素子１２の主表
面と外部間に設けられているので、その半導体素子１２
の界面に発生した吸湿水分の気化ガスが外部へ放出され
る。即ち、発泡ウレタン部２１と封止樹脂１９とは反応
していないので、それらはガスに対して密着していない
状態となり、ガスがウレタン部２１と封止樹脂１９の界
面を介して外部へ導出される。よって亀裂の発生が防止
される。なお、発泡ウレタン部２１の周囲は発泡によっ
て凹凸が形成されているので、その凹凸は封止樹脂１９
に対してアンカー効果を発揮して、ウレタン部２１がパ
ッケージから外れることはない。以上のように、本実施
例では、製造段階で先に発泡性ウレタン樹脂を発泡さ
せ、半導体素子１２の主表面と上金型１７間をウレタン
樹脂で充填しているので、封止樹脂１９のばり等による
ガス導出路の閉鎖を防ぐ。また、発泡したウレタン部２
１の周囲に封止樹脂１９を密接させて配置することがで
き、ウレタン部２１が、容易にパッケージからとれない
ような樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
半導体素子１２上の発泡ウレタン部２１は、半導体素子
１２に対する保護をすると共に、半導体素子１２の界面
の気化ガスを外部に導出する役目を果たす。そのため、
耐熱性に優れた樹脂封止型半導体装置を構成することが
できる。第２の実施例 図５（ｉ）〜(iii）は本発明の第２の実施例を示す半導
体装置の製造方法の説明図であり、樹脂封止型半導体装
置の製造過程における断面図をそれぞれ示している。な
お、図５中で図１と共通する要素には、共通の符号が付
されている。半導体装置の内部において、第１の実施例
と同様に所定のパターンに加工されたリードフレームの
素子搭載部であるアイランド１１上に、半導体素子１２
が銀（Ａｇ）ペースト等の樹脂ペースト１３で固着搭載
されている。半導体素子１２の上部の図示しない外部導
出電極が、金属細線１４を介してインナーリード１５に
接続されている。図５の（ｉ）において、アイランド１
１、半導体素子１２、金属細線１４、及びインナーリー
ド１５は、リードフレームが上金型２３と下金型２４に
挟持される形で収容される。上金型２３及び下金型２４
は、図１の上金型１７及び下金型１８とは異なり、イジ
ェクタピン２５，２６をキャビティ２７内に突き出す形
でそれぞれ設けている。イジェクタピン２５，２６は、
図５の（ｉ）のように、半導体装置の内部機構を収容し
たとき、各イジェクタピン２５，２６の先端が、半導体
素子１２の主表面とアイランド１１の裏側にそれぞれ当
接される。各イジェクタピン２５，２６の先端部には、
例えばシリコン樹脂の軟質部材がそれぞれ取り付けら
れ、これらの軟質部材は半導体素子１２の主表面におけ
る傷或いはバリ等の不具合の発生を防止するものであ
る。次に、図５の（ii）に示すように、キャビティ２７
に封止樹脂１９が加圧注入される。この注入に際し、イ
ジェクタピン２５，２６は半導体素子１２及びアイラン
ド１１を挟持した形となっているので、イジェクタピン
２５，２６は封止樹脂１９の流動時に発生するアイラン
ド１１の浮き及び流れ等を防止すると共に、、アイラン
ド１１の矯正等を行う。封止樹脂１９が固化した段階
で、樹脂封止された半導体装置が上金型２３と下金型２
４から、イジェクタピン２５，２６を用いて図５の(ii
i）のように取出される。図６は、図５の製造方法で製
造された樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、
斜視図と断面図が示されている。図４と共通する要素に
は共通の符号が付されている。
【０００８】この半導体装置は、図５の(iii）で金型２
３，２４から取出されたものであり、半導体素子１２上
及びアイランド１１の下側は、イジェクタピン２５，２
６によって封止樹脂１９が開孔された状態になってい
る。封止樹脂１９は半導体装置のパッケージを構成し、
この各開孔部２８，２９は、それぞれガス導出路とな
る。開孔部２８は、半導体素子１２の主表面と外部間に
設けられているので、その半導体素子１２の界面に発生
した吸湿水分の気化ガスが外部へ放出される。また、開
孔部２９は、アイランド１１の裏つまり下側と外部間に
設けられているので、アイランド１１の下側に発生した
気化ガスを外部へ放出する。そのため、パッケージがプ
リント基板等に固着搭載する工程で受ける急激な熱スト
レスに対し耐熱性を有し、亀裂が発生しない。以上のよ
うに、本実施例では、先端部が軟質部材となっているイ
ジェクタピン２５，２６を用いて開孔部２８，２９を形
成するので、半導体素子１２の主表面における傷或いは
バリ等の不具合の発生を防止しつつ、開孔部２８，２９
が形成される。また、イジェクタピン２５，２６が半導
体素子１２及びアイランド１１を挟持した形となってい
るので、封止樹脂１９の流動時に発生するアイランド１
１の浮き及び流れ等が、イジェクタピン２５，２６によ
って防止されると共に、アイランド１１の矯正等が行わ
れる。本実施例の樹脂封止型半導体装置は、上側と下側
に開孔されたガス導出路を有しているので、短時間に吸
湿水分の放出を行うことができ、パッケージの亀裂の発
生を防いでいる。第３の実施例 図７（ｉ）〜（iv）は、本発明の第３の実施例を示す樹
脂封止型半導体装置の製造方法の説明図であり、樹脂封
止型半導体装置の製造過程における断面図をそれぞれ示
している。なお、図７中で図１及び図５と共通する要素
には、共通の符号が付されている。半導体装置の内部に
おいて、所定のパターンに加工された図示しない金属の
リードフレームの素子搭載部であるアイランド１１上
に、半導体素子１２が銀（Ａｇ）ペースト等の樹脂ペー
スト１３で固着搭載されている。リードフレームの内方
端部のインナーリード１５の主表面に、切り欠き容易な
部材のカーボン、カルシウム化合物等で構成されたピン
３０が、図７の（ｉ）のように固着される。ピン３０の
固着後、半導体素子１２の上部の図示しない外部導出電
極が、金属細線１４を介してインナーリード１５に接続
される。
３，２４から取出されたものであり、半導体素子１２上
及びアイランド１１の下側は、イジェクタピン２５，２
６によって封止樹脂１９が開孔された状態になってい
る。封止樹脂１９は半導体装置のパッケージを構成し、
この各開孔部２８，２９は、それぞれガス導出路とな
る。開孔部２８は、半導体素子１２の主表面と外部間に
設けられているので、その半導体素子１２の界面に発生
した吸湿水分の気化ガスが外部へ放出される。また、開
孔部２９は、アイランド１１の裏つまり下側と外部間に
設けられているので、アイランド１１の下側に発生した
気化ガスを外部へ放出する。そのため、パッケージがプ
リント基板等に固着搭載する工程で受ける急激な熱スト
レスに対し耐熱性を有し、亀裂が発生しない。以上のよ
うに、本実施例では、先端部が軟質部材となっているイ
ジェクタピン２５，２６を用いて開孔部２８，２９を形
成するので、半導体素子１２の主表面における傷或いは
バリ等の不具合の発生を防止しつつ、開孔部２８，２９
が形成される。また、イジェクタピン２５，２６が半導
体素子１２及びアイランド１１を挟持した形となってい
るので、封止樹脂１９の流動時に発生するアイランド１
１の浮き及び流れ等が、イジェクタピン２５，２６によ
って防止されると共に、アイランド１１の矯正等が行わ
れる。本実施例の樹脂封止型半導体装置は、上側と下側
に開孔されたガス導出路を有しているので、短時間に吸
湿水分の放出を行うことができ、パッケージの亀裂の発
生を防いでいる。第３の実施例 図７（ｉ）〜（iv）は、本発明の第３の実施例を示す樹
脂封止型半導体装置の製造方法の説明図であり、樹脂封
止型半導体装置の製造過程における断面図をそれぞれ示
している。なお、図７中で図１及び図５と共通する要素
には、共通の符号が付されている。半導体装置の内部に
おいて、所定のパターンに加工された図示しない金属の
リードフレームの素子搭載部であるアイランド１１上
に、半導体素子１２が銀（Ａｇ）ペースト等の樹脂ペー
スト１３で固着搭載されている。リードフレームの内方
端部のインナーリード１５の主表面に、切り欠き容易な
部材のカーボン、カルシウム化合物等で構成されたピン
３０が、図７の（ｉ）のように固着される。ピン３０の
固着後、半導体素子１２の上部の図示しない外部導出電
極が、金属細線１４を介してインナーリード１５に接続
される。
【０００９】アイランド１１、半導体素子１２、金属細
線１４、インナーリード１５及びピン３０は、リードフ
レームが上金型３１と下金型３２に挟持される形で収容
される。上金型３１にはピン３０を収納する収納部３３
が形成され、図７の（ii）のように、ピン３０と収納部
３３の間には樹脂の流入する隙間が設けられている。上
金型３１と下金型３２間のキャビティ３４に、封止樹脂
１９が加圧注入され、封止樹脂１９が固化した段階で樹
脂封止された半導体装置が、上金型３１と下金型３２か
ら図７の(iii）のように取出される。この時点では、半
導体装置の上部に、ピン３０とそれをカバーする封止樹
脂１９からなる突起部３５が存在する。次に、上下の金
型３１，３２から取り出された半導体装置の突起部３５
が、図７の（iv）のように手作業または機械等の手段に
より、横方向から押圧されて切り欠かれる。図８は、図
７の製造工程で製造された樹脂封止型半導体装置の構造
を示す図であり、樹脂封止型半導体装置の斜視図と断面
図がしめされている。図７と共通する要素には共通の符
号が付されている。この半導体装置は、図７の（iv）で
突起部３５が除去されたものであり、封止樹脂１９が半
導体装置のパッケージとなっている。パッケージ中には
アイランド１１、半導体素子１２、金属細線１４、イン
ナーリード１５及びピン３０が収容され、ピン３０はパ
ッケージの主表面に露出されている。ピン３０と封止樹
脂１９の界面の微細な間隙は、気化ガスを外部に導出す
る機能を果たす。そのため、この半導体装置は、パッケ
ージがプリント基板等に固着搭載する工程で受ける急激
な熱ストレスに対し耐熱性を有し、パッケージに亀裂が
発生しない。以上のように、本実施例では、ピン３０を
覆うように樹脂封止して突起部３５を形成し、その後、
切り欠くことでピン３０をパッケージ表面に露出してい
る。そのため、樹脂バリによる気化ガスの導出路の閉鎖
等を起こさない確実なガス導出路を樹脂封止型半導体装
置に成形することができる。このガス導出路は、パッケ
ージの主表面に形成され、主表面側で吸湿した水分を短
時間に外部に放出することができる。なお、本発明は、
上記実施例に限定されず種々の変形が可能である。その
変形例としては、例えば次のようなものがある。
線１４、インナーリード１５及びピン３０は、リードフ
レームが上金型３１と下金型３２に挟持される形で収容
される。上金型３１にはピン３０を収納する収納部３３
が形成され、図７の（ii）のように、ピン３０と収納部
３３の間には樹脂の流入する隙間が設けられている。上
金型３１と下金型３２間のキャビティ３４に、封止樹脂
１９が加圧注入され、封止樹脂１９が固化した段階で樹
脂封止された半導体装置が、上金型３１と下金型３２か
ら図７の(iii）のように取出される。この時点では、半
導体装置の上部に、ピン３０とそれをカバーする封止樹
脂１９からなる突起部３５が存在する。次に、上下の金
型３１，３２から取り出された半導体装置の突起部３５
が、図７の（iv）のように手作業または機械等の手段に
より、横方向から押圧されて切り欠かれる。図８は、図
７の製造工程で製造された樹脂封止型半導体装置の構造
を示す図であり、樹脂封止型半導体装置の斜視図と断面
図がしめされている。図７と共通する要素には共通の符
号が付されている。この半導体装置は、図７の（iv）で
突起部３５が除去されたものであり、封止樹脂１９が半
導体装置のパッケージとなっている。パッケージ中には
アイランド１１、半導体素子１２、金属細線１４、イン
ナーリード１５及びピン３０が収容され、ピン３０はパ
ッケージの主表面に露出されている。ピン３０と封止樹
脂１９の界面の微細な間隙は、気化ガスを外部に導出す
る機能を果たす。そのため、この半導体装置は、パッケ
ージがプリント基板等に固着搭載する工程で受ける急激
な熱ストレスに対し耐熱性を有し、パッケージに亀裂が
発生しない。以上のように、本実施例では、ピン３０を
覆うように樹脂封止して突起部３５を形成し、その後、
切り欠くことでピン３０をパッケージ表面に露出してい
る。そのため、樹脂バリによる気化ガスの導出路の閉鎖
等を起こさない確実なガス導出路を樹脂封止型半導体装
置に成形することができる。このガス導出路は、パッケ
ージの主表面に形成され、主表面側で吸湿した水分を短
時間に外部に放出することができる。なお、本発明は、
上記実施例に限定されず種々の変形が可能である。その
変形例としては、例えば次のようなものがある。
【００１０】（１） 第２の実施例で用いたイジェクタ
ピン２５，２６は、先端部に軟質のシリコン樹脂が取付
けられているが、イジェクタピン２５，２６全体を軟質
部材で構成してもよい。また、軟質部材には耐熱性等が
要求されるのでシリコン樹脂等が好適であるが、例え
ば、ポリイミド等の樹脂をイジェクタピン２５，２６に
取付けてもよい。 （２） 第２の実施例では、イジェクタピン２５，２６
で樹脂封止された半導体装置を金型２３，２４から取出
すようにしているが、イジェクタピン２５，２６を開孔
部２８，２９を成形するだけのものとし、他の部分に取
出し用のイジェクタピンを複数設けて、樹脂封止を行っ
てもよい。 （３） 第３の実施例では、ピン３０によって成形され
る導出路を２個としているが、個数に制限はなく半導体
装置の大きさ等を考慮して個数は設計されるべきてあ
る。 （４） 第３の実施例において、ピン３０のインナーリ
ード１５に対する固定は、金属細線１４のインナーリー
ド１５に対する配線よりも後で行うこととしてもよい。
ピン２５，２６は、先端部に軟質のシリコン樹脂が取付
けられているが、イジェクタピン２５，２６全体を軟質
部材で構成してもよい。また、軟質部材には耐熱性等が
要求されるのでシリコン樹脂等が好適であるが、例え
ば、ポリイミド等の樹脂をイジェクタピン２５，２６に
取付けてもよい。 （２） 第２の実施例では、イジェクタピン２５，２６
で樹脂封止された半導体装置を金型２３，２４から取出
すようにしているが、イジェクタピン２５，２６を開孔
部２８，２９を成形するだけのものとし、他の部分に取
出し用のイジェクタピンを複数設けて、樹脂封止を行っ
てもよい。 （３） 第３の実施例では、ピン３０によって成形され
る導出路を２個としているが、個数に制限はなく半導体
装置の大きさ等を考慮して個数は設計されるべきてあ
る。 （４） 第３の実施例において、ピン３０のインナーリ
ード１５に対する固定は、金属細線１４のインナーリー
ド１５に対する配線よりも後で行うこととしてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、半導体素子の主表面上に置かれた発泡性ウレ
タン樹脂が金型の加熱で発泡膨脹し、半導体素子の主表
面と金型間にウレタン樹脂が充填される。そのため、半
導体素子の主表面及び金型に密着した状態のウレタン樹
脂部が形成され、封止樹脂のばり等の発生を防いでガス
導出路を確実に成形できる。また、ウレタン樹脂部が発
泡で膨脹しているので、ウレタン樹脂部の表面に凹凸が
発生しており、封止樹脂がその凹凸に食い込む。よっ
て、凹凸がアンカー効果を発揮してウレタン樹脂部の脱
落が防止され、半導体素子を保護しかつ耐熱性の優れた
樹脂封止型半導体装置を製造することができる。第２の
発明によれば、樹脂封止型半導体装置は、パッケージの
主表面に上部が露出しかつ半導体素子の主表面上に配置
されたウレタン樹脂部を有しているので、半導体素子の
主表面の界面で発生したガスが、ウレタン樹脂部とパッ
ケージを形成する封止樹脂との界面から放出され、加熱
によってパッケージに発生する亀裂を防止する。第３の
発明によれば、先端が軟質部材で形成されイジェクタピ
ンを半導体素子の主表面と素子搭載部の裏に当接して樹
脂封止の注入を行うので、イジェクタピンが、半導体素
子の主表面に密着した状態で樹脂封止が行える。そのた
め、樹脂バリ等の発生で閉鎖されないガス導出路を容易
に成形できる。第４の発明によれば、イジェクタピンが
半導体素子の主表面と素子搭載部を対、向して挟持した
状態で、封止樹脂の注入が行われるので、半導体素子の
主表面及び素子搭載部を傷つけること無くガス導出路を
成形でき、且つ封止樹脂の注入時に生じ易い素子搭載部
の流れ及び浮き等が防止できる。また、素子搭載部の矯
正も同時に行うことができる。第５の発明によれば、半
導体の主表面と素子搭載部に裏とに開孔部が設けられて
いるので、パッケージ内部で発生したガスが短時間で放
出され、パッケージの亀裂の発生が防げる。第６の発明
によれば、インナーリード上にパッケージより高いピン
を立てて樹脂封止を行った後、そのピンのパッケージよ
りも突き出た部分を切り欠くいてガス導出路を作成する
ので、樹脂バリ等の発生で閉鎖されないガス導出路を容
易に成形できる。第７の発明によれば、パッケージの表
面に上部が露出し、且つインナーリードの上に配置され
たピンを有しているので、パッケージ内部で発生したガ
スが、ピンとパッケージを構成する封止樹脂の界面から
放出される。そのため、パッケージの主表面側で発生す
るガスが短時間で放出され、パッケージの亀裂の発生を
防止できる。
によれば、半導体素子の主表面上に置かれた発泡性ウレ
タン樹脂が金型の加熱で発泡膨脹し、半導体素子の主表
面と金型間にウレタン樹脂が充填される。そのため、半
導体素子の主表面及び金型に密着した状態のウレタン樹
脂部が形成され、封止樹脂のばり等の発生を防いでガス
導出路を確実に成形できる。また、ウレタン樹脂部が発
泡で膨脹しているので、ウレタン樹脂部の表面に凹凸が
発生しており、封止樹脂がその凹凸に食い込む。よっ
て、凹凸がアンカー効果を発揮してウレタン樹脂部の脱
落が防止され、半導体素子を保護しかつ耐熱性の優れた
樹脂封止型半導体装置を製造することができる。第２の
発明によれば、樹脂封止型半導体装置は、パッケージの
主表面に上部が露出しかつ半導体素子の主表面上に配置
されたウレタン樹脂部を有しているので、半導体素子の
主表面の界面で発生したガスが、ウレタン樹脂部とパッ
ケージを形成する封止樹脂との界面から放出され、加熱
によってパッケージに発生する亀裂を防止する。第３の
発明によれば、先端が軟質部材で形成されイジェクタピ
ンを半導体素子の主表面と素子搭載部の裏に当接して樹
脂封止の注入を行うので、イジェクタピンが、半導体素
子の主表面に密着した状態で樹脂封止が行える。そのた
め、樹脂バリ等の発生で閉鎖されないガス導出路を容易
に成形できる。第４の発明によれば、イジェクタピンが
半導体素子の主表面と素子搭載部を対、向して挟持した
状態で、封止樹脂の注入が行われるので、半導体素子の
主表面及び素子搭載部を傷つけること無くガス導出路を
成形でき、且つ封止樹脂の注入時に生じ易い素子搭載部
の流れ及び浮き等が防止できる。また、素子搭載部の矯
正も同時に行うことができる。第５の発明によれば、半
導体の主表面と素子搭載部に裏とに開孔部が設けられて
いるので、パッケージ内部で発生したガスが短時間で放
出され、パッケージの亀裂の発生が防げる。第６の発明
によれば、インナーリード上にパッケージより高いピン
を立てて樹脂封止を行った後、そのピンのパッケージよ
りも突き出た部分を切り欠くいてガス導出路を作成する
ので、樹脂バリ等の発生で閉鎖されないガス導出路を容
易に成形できる。第７の発明によれば、パッケージの表
面に上部が露出し、且つインナーリードの上に配置され
たピンを有しているので、パッケージ内部で発生したガ
スが、ピンとパッケージを構成する封止樹脂の界面から
放出される。そのため、パッケージの主表面側で発生す
るガスが短時間で放出され、パッケージの亀裂の発生を
防止できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の製造方法を説明する図である。
装置の製造方法を説明する図である。
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置の一構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の他の樹脂封止型半導体装置の構成例の断
面図である。
面図である。
【図４】図１の製造方法で製造された樹脂封止型半導体
装置の構造を示す断面図てある。
装置の構造を示す断面図てある。
【図５】本発明の第２の実施例を示す半導体装置の製造
方法の説明図である。
方法の説明図である。
【図６】図５の製造方法で製造された樹脂封止型半導体
装置の構造を示す図である。
装置の構造を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の製造方法の説明図である。
装置の製造方法の説明図である。
【図８】図７の製造工程で製造された樹脂封止型半導体
装置の構造を示す図である。
装置の構造を示す図である。
１１ アイランド １２ 半導体素子 １５ インナーリード １６ 発泡性ウレタン
樹脂 １７，１８，２３，２４，３１，３２ 金型 １９ 封止樹脂 ２０，２７，３４ キャビティ ２１ ウレタン樹脂部 ２８，２９ 開孔部 ３０ ピン ３３ ピン収納部 ３５ 突起部
樹脂 １７，１８，２３，２４，３１，３２ 金型 １９ 封止樹脂 ２０，２７，３４ キャビティ ２１ ウレタン樹脂部 ２８，２９ 開孔部 ３０ ピン ３３ ピン収納部 ３５ 突起部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 23/48 Ｍ // Ｂ２９Ｃ 45/02 8823−4Ｆ (Ｃ０８Ｇ 18/00 101:00）
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子が素子搭載部の表側に固定さ
れたリードフレームを金型で挟持し、前記金型のキャビ
ティ内に封止樹脂を注入して前記半導体素子及び素子搭
載部に対する樹脂封止を行い、内部で発生するガスを外
部に放出するガス導出路を持ち且つ前記半導体素子及び
素子搭載部を被包する前記封止樹脂の固化したパッケー
ジを備えた樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子の主表面上に加熱で発泡膨脹する発泡性
ウレタン樹脂を置き、 前記リードフレームを前記金型で挟持した状態で該金型
を加熱して前記発泡性ウレタン樹脂を発泡膨脹させ前記
半導体素子の主表面と金型間にウレタン樹脂を充填し、 前記充填の後前記封止樹脂の注入を行って前記半導体素
子の主表面上で発泡膨脹したウレタン樹脂の上部が主表
面に露出した前記パッケージを成形する、 ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
は、前記パッケージの主表面に上部が露出し且つ前記半
導体素子の主表面上に配置されて発泡膨脹したウレタン
樹脂部を有し、該ウレタン樹脂部と前記固化した封止樹
脂との界面が前記ガス導出路を構成することを特徴する
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 先端部が請求項１記載の半導体素子の主
表面と素子搭載部の裏にそれぞれ当接し且つ該先端部が
該半導体素子の主表面及び素子搭載部の裏に対する軟質
部材で形成されたイジェクタピンを設けた金型で前記リ
ードフレームを挟持し、前記金型のキャビティ内に封止
樹脂を注入して前記半導体素子の主表面及び素子搭載部
の裏にそれぞれ開孔部を有するパッケージを備えた樹脂
封止型半導体装置を製造することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記各イジェクタピンを前記金型の上部
と下部から対向して前記キャビテイ内に押し出し、前記
半導体素子の主表面と素子搭載部の裏とを挟持した状態
で前記封止樹脂を注入して前記樹脂封止を行うことを特
徴とする請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
は、前記パッケージに対して前記半導体素子の主表面及
び素子搭載部の裏に達する開孔部を設け、前記ガス導出
路を前記開孔部で構成したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１記載のリードフレームのリード
内方端部であるインナーリードの上に前記パッケージか
ら突き出す高さを有するピンを立て、前記ピンを収納す
るスペースを設けた金型で前記リードフレームを挟持
し、前記樹脂封止を行って前記ピンに対応する突起部を
有したパッケージを成形し、前記突起部を切り欠くこと
で前記ガス導出路を成形することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の樹脂脂封止型半導体装置
は、前記パッケージの主表面に上部が露出し且つ前記リ
ードフレームのリード内方端部であるインナーリードの
上に立てられたピンを有し、前記パッケージを形成する
封止樹脂と前記ピンの界面から該パッケージの内部で発
生するガスが外部に放出される構成としたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092226A JPH07302809A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092226A JPH07302809A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302809A true JPH07302809A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14048531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6092226A Withdrawn JPH07302809A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302809A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009123822A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010050488A (ja) * | 2009-11-30 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010177388A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8420450B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6092226A patent/JPH07302809A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009123822A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010177388A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010050488A (ja) * | 2009-11-30 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8420450B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
| US8956921B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
| US9184065B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-11-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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