JPH0730143A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPH0730143A JPH0730143A JP19554693A JP19554693A JPH0730143A JP H0730143 A JPH0730143 A JP H0730143A JP 19554693 A JP19554693 A JP 19554693A JP 19554693 A JP19554693 A JP 19554693A JP H0730143 A JPH0730143 A JP H0730143A
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- Japan
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光結合半導体装置の発光・受光素子間の静電
カップリングによる出力信号の変動および誤動作を低減
し、受光素子の受光電流を増加させることを目的とす
る。 【構成】 受光素子のフォトダイオード部の断面上層に
ｐ＋拡散層またはｎ＋拡散層を形成し、その拡散層を電
磁シールドとして、受光回路の中で、その電磁シールド
がグランドまたは電源電圧端子に直結する。さらに上記
拡散層を追加することによって新たに形成されたフォト
ダイオードをできるだけ並列接続することによって、フ
ォトダイオード部の受光電流を増加させる。
カップリングによる出力信号の変動および誤動作を低減
し、受光素子の受光電流を増加させることを目的とす
る。 【構成】 受光素子のフォトダイオード部の断面上層に
ｐ＋拡散層またはｎ＋拡散層を形成し、その拡散層を電
磁シールドとして、受光回路の中で、その電磁シールド
がグランドまたは電源電圧端子に直結する。さらに上記
拡散層を追加することによって新たに形成されたフォト
ダイオードをできるだけ並列接続することによって、フ
ォトダイオード部の受光電流を増加させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光結合半導体装置に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の受光素子のフォトダイオードは、
図２（ａ）のような断面構造を持ち、ｎ＋埋込層１６が
図２（ｂ）の等価回路に示すように電磁シールド６に相
当する。応用回路は図２（ｃ）のようなアクティブハイ
タイプの受光回路が構成される。この回路動作は、光を
受けないとき、トランジスタ７は抵抗ＲＢ９を通して流
れる電流がすべてベース端子に流れ、トランジスタ７の
出力電圧Ｖｏ１１は、ローレベル（約０．２Ｖ）に下が
る。受光したとき、抵抗ＲＢ９を通して流れるは、ベー
ス端子からフォトダイオード３（ＰＤ３）に流れるよう
になり、トランジスタ７の出力電圧Ｖｏ１１は、電源電
圧（Ｖｃｃ）のハイレベル（Ｖｃｃ）に上がる。このタ
イプの回路をアクティブハイタイプの回路と呼んでい
る。一方、アクティブロータイプの回路を有する受光素
子も構成されてきており、その従来例を図７および図９
に示す。
図２（ａ）のような断面構造を持ち、ｎ＋埋込層１６が
図２（ｂ）の等価回路に示すように電磁シールド６に相
当する。応用回路は図２（ｃ）のようなアクティブハイ
タイプの受光回路が構成される。この回路動作は、光を
受けないとき、トランジスタ７は抵抗ＲＢ９を通して流
れる電流がすべてベース端子に流れ、トランジスタ７の
出力電圧Ｖｏ１１は、ローレベル（約０．２Ｖ）に下が
る。受光したとき、抵抗ＲＢ９を通して流れるは、ベー
ス端子からフォトダイオード３（ＰＤ３）に流れるよう
になり、トランジスタ７の出力電圧Ｖｏ１１は、電源電
圧（Ｖｃｃ）のハイレベル（Ｖｃｃ）に上がる。このタ
イプの回路をアクティブハイタイプの回路と呼んでい
る。一方、アクティブロータイプの回路を有する受光素
子も構成されてきており、その従来例を図７および図９
に示す。
【０００３】図７に示す第２の従来例は、図７（ａ）の
ようにｎエピ１７の上にｐ＋拡散層２０を有し、フォト
ダイオード２（ＰＤ２）を形成している。そのフォトダ
イオードの等価回路は図７（ｂ）のようになり、ｐ＋拡
散層２０が電磁シールド６に相当している。応用回路は
図７（ｃ）のようなアクティブローの受光回路が構成さ
れる。また、図９に示す第３の従来例は、図９（ａ）の
ようにｎエピ１７の上にｐ＋拡散層２０およびｎ＋拡散
層２１を有し、そのｎ＋拡散層２１がｎエピ１７および
ｎ＋拡散層１９に延びて拡散された構造を有している。
これらよりカソード４とアノード５の端子間に、２つの
フォトダイオードＰＤ１とＰＤ２を形成している（例え
ば、特開昭６３ー２９４２７号公報）。フォトダイオー
ドの等価回路は図９（ｂ）に示すようになり、ｎ＋拡散
層２１が電磁シールドに相当している。応用回路は、図
８（ｃ）の回路と同様なアクティブロータイプの受光回
路が構成される。
ようにｎエピ１７の上にｐ＋拡散層２０を有し、フォト
ダイオード２（ＰＤ２）を形成している。そのフォトダ
イオードの等価回路は図７（ｂ）のようになり、ｐ＋拡
散層２０が電磁シールド６に相当している。応用回路は
図７（ｃ）のようなアクティブローの受光回路が構成さ
れる。また、図９に示す第３の従来例は、図９（ａ）の
ようにｎエピ１７の上にｐ＋拡散層２０およびｎ＋拡散
層２１を有し、そのｎ＋拡散層２１がｎエピ１７および
ｎ＋拡散層１９に延びて拡散された構造を有している。
これらよりカソード４とアノード５の端子間に、２つの
フォトダイオードＰＤ１とＰＤ２を形成している（例え
ば、特開昭６３ー２９４２７号公報）。フォトダイオー
ドの等価回路は図９（ｂ）に示すようになり、ｎ＋拡散
層２１が電磁シールドに相当している。応用回路は、図
８（ｃ）の回路と同様なアクティブロータイプの受光回
路が構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、受光素子の
フォトダイオードの構造および応用回路を改良すること
により、従来の発光・受光素子間の静電カップリングに
よる影響を低減し、さらに、フォトダイオードの構造を
改良することにより、フォトダイオードの形成部位を増
やし、光を受けたときの光電流を増加させることを目的
としている。そこで、本発明が解決しようとする課題
は、下記の２点である。 （１）従来例の図２（ｃ）および図７（ｃ）の応用回路
のように、電磁シールド６がトランジスタ７のベース端
子に接続されているため、光結合半導体装置の発光・受
光素子間に光以外の電気的ノイズが伝搬すると、電磁シ
ールド６で受信され、そのノイズが直接トランジスタ７
のベースに入力され、出力信号が変動あるいはロジック
反転しやすいという問題点があった。 （２）従来例の図２（ａ）および図７（ａ）のフォトダ
イオード断面図のように、光電流を取り出せるフォトダ
イオードがそれぞれ１個づつであるので、そのフォトダ
イオードの光電流量によって光感度が限定されるという
問題点があった。
フォトダイオードの構造および応用回路を改良すること
により、従来の発光・受光素子間の静電カップリングに
よる影響を低減し、さらに、フォトダイオードの構造を
改良することにより、フォトダイオードの形成部位を増
やし、光を受けたときの光電流を増加させることを目的
としている。そこで、本発明が解決しようとする課題
は、下記の２点である。 （１）従来例の図２（ｃ）および図７（ｃ）の応用回路
のように、電磁シールド６がトランジスタ７のベース端
子に接続されているため、光結合半導体装置の発光・受
光素子間に光以外の電気的ノイズが伝搬すると、電磁シ
ールド６で受信され、そのノイズが直接トランジスタ７
のベースに入力され、出力信号が変動あるいはロジック
反転しやすいという問題点があった。 （２）従来例の図２（ａ）および図７（ａ）のフォトダ
イオード断面図のように、光電流を取り出せるフォトダ
イオードがそれぞれ１個づつであるので、そのフォトダ
イオードの光電流量によって光感度が限定されるという
問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光素子と受
光素子とを相対向して配置する１パッケージ封止の光結
合半導体装置において、前記受光素子は光を受けて光電
流を生成するフォトダイオード有しており、前記フォト
ダイオードは、Ｐ基板上にｎ＋拡散層を埋め込み、前記
基板上にエピタキシャル層を成長させ、前記エピタキシ
ャル層にｐ＋型拡散層を有する、あるいは、前記エピタ
キシャル層にｐ＋型拡散層およびｎ＋型拡散層を備えて
いる光結合半導体装置である。
光素子とを相対向して配置する１パッケージ封止の光結
合半導体装置において、前記受光素子は光を受けて光電
流を生成するフォトダイオード有しており、前記フォト
ダイオードは、Ｐ基板上にｎ＋拡散層を埋め込み、前記
基板上にエピタキシャル層を成長させ、前記エピタキシ
ャル層にｐ＋型拡散層を有する、あるいは、前記エピタ
キシャル層にｐ＋型拡散層およびｎ＋型拡散層を備えて
いる光結合半導体装置である。
【０００６】
【作用】本発明は、電磁遮蔽可能なベース・エピ間ダイ
オードを有するもので、この光結合半導体装置の受光素
子よれば、発光・受光素子間の電気的ノイズをグランド
または電源電圧端子へ回避させる電磁シールドに相当す
るｐ＋拡散層あるいは、ｎ＋拡散層を備えている。ま
た、ｐ＋拡散層あるいは、ｎ＋拡散層を備えることで追
加形成されるｐｎ接合のフォトダイオードを、並列接続
して光電流を増加させるような受光回路を備えている。
そのため、発光・受光素子間の静電カップリングによる
影響を低減することができ、また、フォトダイオードの
形成部位を増やし、光を受けたときの光電流を増加させ
ることができるという作用をするものである。
オードを有するもので、この光結合半導体装置の受光素
子よれば、発光・受光素子間の電気的ノイズをグランド
または電源電圧端子へ回避させる電磁シールドに相当す
るｐ＋拡散層あるいは、ｎ＋拡散層を備えている。ま
た、ｐ＋拡散層あるいは、ｎ＋拡散層を備えることで追
加形成されるｐｎ接合のフォトダイオードを、並列接続
して光電流を増加させるような受光回路を備えている。
そのため、発光・受光素子間の静電カップリングによる
影響を低減することができ、また、フォトダイオードの
形成部位を増やし、光を受けたときの光電流を増加させ
ることができるという作用をするものである。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例によって、図面を参照して説
明する。
明する。
【実施例１】図１は本発明の一実施例の受光素子のフォ
トダイオード断面図と受光回路である。図１（ａ）の断
面図は、バイポーラＩＣの拡散プロセスで形成されるも
ので、従来例図２（ａ）の断面構造に比べ、ｐ＋拡散層
２０を形成し、アノード端子５を追加している。図１
（ｂ）はアノード５をグランドに接地したときの等価回
路である。このフォトダイオードを用いて受光回路を構
成すると、図１（ｃ）のようになり、電磁シールド６は
グランドに接続され、フォトダイオード２（ＰＤ２）が
追加される。
トダイオード断面図と受光回路である。図１（ａ）の断
面図は、バイポーラＩＣの拡散プロセスで形成されるも
ので、従来例図２（ａ）の断面構造に比べ、ｐ＋拡散層
２０を形成し、アノード端子５を追加している。図１
（ｂ）はアノード５をグランドに接地したときの等価回
路である。このフォトダイオードを用いて受光回路を構
成すると、図１（ｃ）のようになり、電磁シールド６は
グランドに接続され、フォトダイオード２（ＰＤ２）が
追加される。
【０００８】
【実施例２】図３は、本発明の第２の実施例のフォトダ
イオードの断面図と等価回路である。図３（ａ）の断面
図は、図１（ａ）と比べて、ｐ＋拡散層をｐ＋絶縁１８
にまで拡げて拡散させており、第１の実施例のアノード
端子５はなく、アノード端子５をグランドに電極等で配
線する必要はない。このフォトダイオードの等価回路
は、図３（ｂ）のようになり、回路構成は図１（ｂ）と
同じになり、第１の実施例と同じ受光回路を構成でき
る。
イオードの断面図と等価回路である。図３（ａ）の断面
図は、図１（ａ）と比べて、ｐ＋拡散層をｐ＋絶縁１８
にまで拡げて拡散させており、第１の実施例のアノード
端子５はなく、アノード端子５をグランドに電極等で配
線する必要はない。このフォトダイオードの等価回路
は、図３（ｂ）のようになり、回路構成は図１（ｂ）と
同じになり、第１の実施例と同じ受光回路を構成でき
る。
【０００９】
【実施例３】図４は、本発明の第３の実施例のフォトダ
イオードの断面図と等価回路図である。図４（ａ）の断
面図は、図３（ａ）と比べてｎ＋拡散層２１を形成し、
ＰＤ１カソード端子１３ＧＮＤ端子１４を追加してい
る。図４（ｂ）は、端子の１３と１４を接続したときの
等価回路図である。図４（ｃ）は図４（ｂ）の等価回路
図を簡略化した等価回路図であり、図１（ｂ）と同じ回
路構成であることがわかる。
イオードの断面図と等価回路図である。図４（ａ）の断
面図は、図３（ａ）と比べてｎ＋拡散層２１を形成し、
ＰＤ１カソード端子１３ＧＮＤ端子１４を追加してい
る。図４（ｂ）は、端子の１３と１４を接続したときの
等価回路図である。図４（ｃ）は図４（ｂ）の等価回路
図を簡略化した等価回路図であり、図１（ｂ）と同じ回
路構成であることがわかる。
【００１０】
【実施例４】図５は、本発明の第４の実施例のフォトダ
イオードの断面図と等価回路図である。図５（ａ）の断
面図は、図４（ａ）比べて、ｐ＋拡散層２０をｎエピ１
７の内側だけに拡散した場合を示し、アノード端子５を
追加している。図５（ｂ）は、端子１３、１４、１５を
接続したときの等価回路図である。図５（ｃ）は、図５
（ｂ）の等価回路図を簡略化した等価回路であり、図１
（ｂ）と同じ回路構成であることがわかる。
イオードの断面図と等価回路図である。図５（ａ）の断
面図は、図４（ａ）比べて、ｐ＋拡散層２０をｎエピ１
７の内側だけに拡散した場合を示し、アノード端子５を
追加している。図５（ｂ）は、端子１３、１４、１５を
接続したときの等価回路図である。図５（ｃ）は、図５
（ｂ）の等価回路図を簡略化した等価回路であり、図１
（ｂ）と同じ回路構成であることがわかる。
【００１１】
【実施例５】図６は、本発明の第５の実施例のフォトダ
イオードの断面図と受光回路である。図６（ａ）の断面
図は、従来例図７（ａ）の断面構造に比べ、ｎ＋拡散層
２１を追加形成し、カソード端子４の取り出し場所をｎ
＋拡散層２１から取り出すことに変更している。図６
（ｂ）は、フォトダイオードの等価回路図を示し、回路
構成は、従来例図７（ｂ）と比べ、電磁シールド６の接
続がアノード端子からカソード端子へ変更され、フォト
ダイオードが、ＰＤ２からＰＤ１に変更された。このフ
ォトダイオードを用いて受光回路を構成すると図６
（ｃ）のようになり、電磁シールド６が電源電圧端子１
０（Ｖｃｃ）に接続される。この回路構成は、アクティ
ブロータイプであり、第１の実施例図１（ｃ）のアクテ
ィブハイタイプとは異なっている。
イオードの断面図と受光回路である。図６（ａ）の断面
図は、従来例図７（ａ）の断面構造に比べ、ｎ＋拡散層
２１を追加形成し、カソード端子４の取り出し場所をｎ
＋拡散層２１から取り出すことに変更している。図６
（ｂ）は、フォトダイオードの等価回路図を示し、回路
構成は、従来例図７（ｂ）と比べ、電磁シールド６の接
続がアノード端子からカソード端子へ変更され、フォト
ダイオードが、ＰＤ２からＰＤ１に変更された。このフ
ォトダイオードを用いて受光回路を構成すると図６
（ｃ）のようになり、電磁シールド６が電源電圧端子１
０（Ｖｃｃ）に接続される。この回路構成は、アクティ
ブロータイプであり、第１の実施例図１（ｃ）のアクテ
ィブハイタイプとは異なっている。
【００１２】
【実施例６】図８は、本発明の第６の実施例のフォトダ
イオードの断面図と受光回路図である。図８（ａ）の断
面構造は、第５の実施例図６（ａ）の断面構造と同じで
あるが、ｎ＋拡散層１９からカソード端子４を取り出す
ことを追加している。図８（ｂ）は、フォトダイオード
の２つの端子４と１３を接続したときの等価回路図であ
る。このフォトダイオードを用いて受光回路を構成する
と、図８（ｃ）のようになり、電磁シールド６が、図６
（ｃ）と同様、電源電圧に接続され、フォトダイオード
（ＰＤ２）が追加される。また、図８の第６の実施例
と、図９の従来例を比較すると、図９（ａ）の断面構造
は、図８（ａ）の断面構造のうち、ｎ＋拡散層２１がｎ
エピ１７とｎ＋拡散層１９に拡がり、端子１３を除いた
構造である。しかし、これらのフォトダイオードの等価
回路、図８（ｂ）と図９（ｂ）は同等になり、図８
（ｃ）の受光回路を構成するのに用いることができる。
イオードの断面図と受光回路図である。図８（ａ）の断
面構造は、第５の実施例図６（ａ）の断面構造と同じで
あるが、ｎ＋拡散層１９からカソード端子４を取り出す
ことを追加している。図８（ｂ）は、フォトダイオード
の２つの端子４と１３を接続したときの等価回路図であ
る。このフォトダイオードを用いて受光回路を構成する
と、図８（ｃ）のようになり、電磁シールド６が、図６
（ｃ）と同様、電源電圧に接続され、フォトダイオード
（ＰＤ２）が追加される。また、図８の第６の実施例
と、図９の従来例を比較すると、図９（ａ）の断面構造
は、図８（ａ）の断面構造のうち、ｎ＋拡散層２１がｎ
エピ１７とｎ＋拡散層１９に拡がり、端子１３を除いた
構造である。しかし、これらのフォトダイオードの等価
回路、図８（ｂ）と図９（ｂ）は同等になり、図８
（ｃ）の受光回路を構成するのに用いることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、受光素子
のフォトダイオードにｐ＋拡散層またはｎ＋拡散層を追
加し、それを電磁シールドとし、受光回路の構成を電磁
シールドがグランドまたは電源電圧端子に接続されるよ
うにしたので、電磁シールドがトランジスタ７のベース
端子に接続されていた従来例に比べて、グランド端子に
接続される場合、静電カップリングによる影響は約２０
分の１に、電源電圧端子に接続される場合その影響は約
１２分の１に低減できるという効果を有する。また、本
発明は、エピ厚３．５μｍのバイポーラＩＣの拡散プロ
セスで製造した場合、フォトダイオードの受光時の光電
流の比は、ＰＤ１：ＰＤ２：ＰＤ３＝１：２：６である
ので、例えば、図２（ａ）の従来例から図１（ａ）の実
施例へ変更した場合、光電流は約１．３倍になるという
ように、フォトダイオードの形成部位を追加することに
より光電流を増加させることができるという効果を有す
る。
のフォトダイオードにｐ＋拡散層またはｎ＋拡散層を追
加し、それを電磁シールドとし、受光回路の構成を電磁
シールドがグランドまたは電源電圧端子に接続されるよ
うにしたので、電磁シールドがトランジスタ７のベース
端子に接続されていた従来例に比べて、グランド端子に
接続される場合、静電カップリングによる影響は約２０
分の１に、電源電圧端子に接続される場合その影響は約
１２分の１に低減できるという効果を有する。また、本
発明は、エピ厚３．５μｍのバイポーラＩＣの拡散プロ
セスで製造した場合、フォトダイオードの受光時の光電
流の比は、ＰＤ１：ＰＤ２：ＰＤ３＝１：２：６である
ので、例えば、図２（ａ）の従来例から図１（ａ）の実
施例へ変更した場合、光電流は約１．３倍になるという
ように、フォトダイオードの形成部位を追加することに
より光電流を増加させることができるという効果を有す
る。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の受光素子の断面
図。（ｂ）は（ａ）に示した実施例の等価回路図。
（ｃ）は（ａ）の受光素子を用いた応用回路。
図。（ｂ）は（ａ）に示した実施例の等価回路図。
（ｃ）は（ａ）の受光素子を用いた応用回路。
【図２】（ａ）は従来例における受光素子の断面図。
（ｂ）は（ａ）に示した従来例の等価回路図。（ｃ）は
（ａ）の受光素子を用いた応用回路。
（ｂ）は（ａ）に示した従来例の等価回路図。（ｃ）は
（ａ）の受光素子を用いた応用回路。
【図３】（ａ）は、本発明の第２の実施例の受光素子の
断面図。（ｂ）は、（ａ）に示した第２の実施例の等価
回路図。
断面図。（ｂ）は、（ａ）に示した第２の実施例の等価
回路図。
【図４】（ａ）は、本発明の第３の実施例の受光素子の
断面図。（ｂ）は、（ａ）に示した第３の実施例の等価
回路図。（ｃ）は（ｂ）を簡略化した等価回路図。
断面図。（ｂ）は、（ａ）に示した第３の実施例の等価
回路図。（ｃ）は（ｂ）を簡略化した等価回路図。
【図５】（ａ）は、本発明の第４の実施例の受光素子の
断面図。（ｂ）は（ａ）の等価回路図。（ｃ）は（ｂ）
を簡略化した等価回路図。
断面図。（ｂ）は（ａ）の等価回路図。（ｃ）は（ｂ）
を簡略化した等価回路図。
【図６】（ａ）は、本発明の第５の実施例の受光素子の
断面図。（ｂ）は（ａ）の等価回路図。（ｃ）は（ａ）
の受光素子を用いたアクティブロータイプの応用回路。
断面図。（ｂ）は（ａ）の等価回路図。（ｃ）は（ａ）
の受光素子を用いたアクティブロータイプの応用回路。
【図７】（ａ）は従来例における受光素子の断面図。
（ｂ）は（ａ）に示した従来例の等価回路図。（ｃ）は
（ａ）の受光素子を用いた応用回路図。
（ｂ）は（ａ）に示した従来例の等価回路図。（ｃ）は
（ａ）の受光素子を用いた応用回路図。
【図８】（ａ）は、本発明の第６の実施例の受光素子の
断面図。（ｂ）は（ａ）に示した実施例の等価回路図。
（ｃ）は（ａ）の受光素子を用いた応用回路図。
断面図。（ｂ）は（ａ）に示した実施例の等価回路図。
（ｃ）は（ａ）の受光素子を用いた応用回路図。
【図９】（ａ）は従来例における受光素子の断面図。
（ｂ）は（ａ）に示した従来例の等価回路図。（ｃ）は
（ａ）の受光素子を用いた応用回路図。
（ｂ）は（ａ）に示した従来例の等価回路図。（ｃ）は
（ａ）の受光素子を用いた応用回路図。
１．フォトダイオード１（ＰＤ１） ２．フォトダイオード２（ＰＤ２） ３．フォトダイオード３（ＰＤ３） ４．カソード ５．アノード ６．電磁シールド ７．トランジスタ ８．低抗ＲＬ ９．低抗ＲＢ １０．電源電圧（Ｖｃｃ） １１．出力電圧（Ｖｏ） １２．接地（ＧＮＤ） １３．ＰＤＬカソード端子 １４．ＧＮＤ端子 １５．Ｐ基板 １６．ｎ＋埋込 １７．ｎエピ １８．ｐ＋絶縁 １９．ｎ＋拡散 ２０．ｐ＋拡散 ２１．ｎ＋拡散（エミッタ）
Claims (2)
- 【請求項１】 発光素子と受光素子とを相対向して配置
する１パッケージ封止の光結合半導体装置において、前
記受光素子は光を受けて光電流を生成するフォトダイオ
ード有しており、前記フォトダイオードは、Ｐ基板上に
ｎ＋拡散層を埋め込み、前記基板上にエピタキシャル層
を成長させ、前記エピタキシャル層にｐ＋型拡散層を有
する、あるいは、前記エピタキシャル層にｐ＋型拡散層
およびｎ＋型拡散層を備えていることを特徴とする光結
合半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の受光素子は、フォトダイ
オードがバイポーラＩＣと一体化して成り、トランジス
タと抵抗を備えており、電極配線をつなぐことにより、
前記フォトダイオードの最上部の前記ｐ＋型拡散層ある
いは前記ｎ＋型拡散層がグランド（ＧＮＤ）あるいは電
源電圧（Ｖｃｃ）の端子に接続される受光回路を備えて
いることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554693A JPH0730143A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554693A JPH0730143A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730143A true JPH0730143A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16342903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19554693A Pending JPH0730143A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208447B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649655A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Photodetector built-in type semiconductor integrated circuit |
| JPH03203382A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH04258178A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 集積化受光装置 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP19554693A patent/JPH0730143A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649655A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Photodetector built-in type semiconductor integrated circuit |
| JPH03203382A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH04258178A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 集積化受光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208447B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver |
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