JPH04280685A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPH04280685A JPH04280685A JP3043501A JP4350191A JPH04280685A JP H04280685 A JPH04280685 A JP H04280685A JP 3043501 A JP3043501 A JP 3043501A JP 4350191 A JP4350191 A JP 4350191A JP H04280685 A JPH04280685 A JP H04280685A
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- impurity diffusion
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- junction
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＰＮ接合による
フォトダイオードを用いた赤外線受光素子を有する受光
装置に関する。
フォトダイオードを用いた赤外線受光素子を有する受光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、テレビジョン受像機やＶＴＲ等
では、遠隔制御するために、リモートコマンダに対して
受光手段としての赤外線リモートセンサが取り付けられ
ている。この赤外線リモートセンサとしては、従来から
ＰＩＮダイオードを用いたフォトディテクタが使用され
ている。そして、このＰＩＮダイオードを用いたフォト
ディテクタからなる受光部と該受光部からの出力信号を
増幅する回路及び周波数の帯域を制御する回路等からな
る信号処理回路を例えば金属製の箱に収容して電磁シー
ルドするようにしている。しかしながら、この電磁シー
ルドを目的とする上記金属製の箱は、その価格及び組立
工数が必要となり、赤外線リモートセンサの高生産性及
び低コスト化を阻害する要因となっている。
では、遠隔制御するために、リモートコマンダに対して
受光手段としての赤外線リモートセンサが取り付けられ
ている。この赤外線リモートセンサとしては、従来から
ＰＩＮダイオードを用いたフォトディテクタが使用され
ている。そして、このＰＩＮダイオードを用いたフォト
ディテクタからなる受光部と該受光部からの出力信号を
増幅する回路及び周波数の帯域を制御する回路等からな
る信号処理回路を例えば金属製の箱に収容して電磁シー
ルドするようにしている。しかしながら、この電磁シー
ルドを目的とする上記金属製の箱は、その価格及び組立
工数が必要となり、赤外線リモートセンサの高生産性及
び低コスト化を阻害する要因となっている。
【０００３】そこで、図２Ａに示すように、例えばＰ型
のシリコン基板２１上のＮ型のエピタキシャル層２２上
にＰ型の不純物拡散領域２３を形成することによって、
第１及び第２のＰＮ接合Ｊ１ 及びＪ２ によるフォト
ダイオードＰＤ１ 及びＰＤ２ を形成し、更に、シリ
コン基板２１上に信号処理回路（図示せず）を該フォト
ダイオードＰＤ１ 及びＰＤ２ と共に形成してモノリ
シック化させた赤外線リモートセンサが提案されている
。尚、この図２Ａにおいて、２４はＰ型の素子分離領域
を示す。この赤外線リモートセンサによれば、金属製の
箱を不要とすることができ、赤外線リモートセンサの高
生産性及び低コスト化を実現させることができる。
のシリコン基板２１上のＮ型のエピタキシャル層２２上
にＰ型の不純物拡散領域２３を形成することによって、
第１及び第２のＰＮ接合Ｊ１ 及びＪ２ によるフォト
ダイオードＰＤ１ 及びＰＤ２ を形成し、更に、シリ
コン基板２１上に信号処理回路（図示せず）を該フォト
ダイオードＰＤ１ 及びＰＤ２ と共に形成してモノリ
シック化させた赤外線リモートセンサが提案されている
。尚、この図２Ａにおいて、２４はＰ型の素子分離領域
を示す。この赤外線リモートセンサによれば、金属製の
箱を不要とすることができ、赤外線リモートセンサの高
生産性及び低コスト化を実現させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例に係るモノリシックタイプの赤外線リモートセンサ
においては、電場及び磁場においてノイズが発生すると
いう不都合が生じる。
来例に係るモノリシックタイプの赤外線リモートセンサ
においては、電場及び磁場においてノイズが発生すると
いう不都合が生じる。
【０００５】即ち、受光部を構成するフォトディテクタ
は、光を受ける必要性から金属のような導体による電磁
シールドができない。また、電磁シールド用としてＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ等の透明電極等を用いた場合、受光部表面と
透明電極間にキャパシタが形成され、特に上記受光部は
面積が大きいため、上記の如くキャパシタが形成される
と、応答速度が極端に遅くなるなどの不都合が生じる。 回路的に上記不都合を解消させようとしてもその回路構
成は非常に複雑であり、赤外線リモートセンサの高生産
性及び低コスト化を大きく阻害する。
は、光を受ける必要性から金属のような導体による電磁
シールドができない。また、電磁シールド用としてＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ等の透明電極等を用いた場合、受光部表面と
透明電極間にキャパシタが形成され、特に上記受光部は
面積が大きいため、上記の如くキャパシタが形成される
と、応答速度が極端に遅くなるなどの不都合が生じる。 回路的に上記不都合を解消させようとしてもその回路構
成は非常に複雑であり、赤外線リモートセンサの高生産
性及び低コスト化を大きく阻害する。
【０００６】また、受光部と信号処理回路部とを個別部
品で構成した場合は、フォトダイオードとアンプ間の配
線距離が上記モノリシックタイプよりも長くなり、ノイ
ズの影響を受け易くなる。そのため、金属製の缶でパッ
ケージしたり、フォトダイオード前面に透明導電膜を貼
り付けたりしているが、完全な電磁シールド効果は困難
であり、手間と費用がかかるという不都合がある。
品で構成した場合は、フォトダイオードとアンプ間の配
線距離が上記モノリシックタイプよりも長くなり、ノイ
ズの影響を受け易くなる。そのため、金属製の缶でパッ
ケージしたり、フォトダイオード前面に透明導電膜を貼
り付けたりしているが、完全な電磁シールド効果は困難
であり、手間と費用がかかるという不都合がある。
【０００７】そこで、従来では、図２Ａの従来例におい
て、上層のＰ型不純物拡散領域２３に基板電位、即ち接
地電位Ｖｓｓを印加して、電磁シールドするようにして
いる（信学技報、ＳＫ−２８０６４９，ＣＰＭ８９−７
０、Ｐ７〜１２、”Ｓｉ−ＯＥＩＣ：ＯＰＩＣの展開に
ついて”参照）。この従来例に係る赤外線リモートセン
サの等価回路を図２Ｂに示す。この図において、Ｔｒは
、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を出力信号に
変換するバッファ用トランジスタを示す。
て、上層のＰ型不純物拡散領域２３に基板電位、即ち接
地電位Ｖｓｓを印加して、電磁シールドするようにして
いる（信学技報、ＳＫ−２８０６４９，ＣＰＭ８９−７
０、Ｐ７〜１２、”Ｓｉ−ＯＥＩＣ：ＯＰＩＣの展開に
ついて”参照）。この従来例に係る赤外線リモートセン
サの等価回路を図２Ｂに示す。この図において、Ｔｒは
、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を出力信号に
変換するバッファ用トランジスタを示す。
【０００８】しかしながら、この構成による赤外線リモ
ートセンサにおいては、出力信号の応答性を左右するバ
ッファ用トランジスタＴｒのベースとＧＮＤ間に第１の
ＰＮ接合Ｊ１ による正規のフォトダイオードＰＤ１
と第２のＰＮ接合Ｊ２ による電磁シールド用のフォト
ダイオードＰＤ２ とが夫々接続された形となるため、
第１のＰＮ接合Ｊ１ による接合容量と第２のＰＮ接合
Ｊ２ による接合容量との合成容量（加算容量）が、こ
の受光部の容量となり、しかも、その容量値が大きくな
ることから、出力信号の応答性が悪く（遅く）なると共
に、Ｓ／Ｎが劣化し（信号到達距離が短くなる）、赤外
線受光感度を低下させるという不都合がある。
ートセンサにおいては、出力信号の応答性を左右するバ
ッファ用トランジスタＴｒのベースとＧＮＤ間に第１の
ＰＮ接合Ｊ１ による正規のフォトダイオードＰＤ１
と第２のＰＮ接合Ｊ２ による電磁シールド用のフォト
ダイオードＰＤ２ とが夫々接続された形となるため、
第１のＰＮ接合Ｊ１ による接合容量と第２のＰＮ接合
Ｊ２ による接合容量との合成容量（加算容量）が、こ
の受光部の容量となり、しかも、その容量値が大きくな
ることから、出力信号の応答性が悪く（遅く）なると共
に、Ｓ／Ｎが劣化し（信号到達距離が短くなる）、赤外
線受光感度を低下させるという不都合がある。
【０００９】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、モノリシック化され
た例えば赤外線リモートセンサに対し、フォトダイオー
ドの接合容量を増大させることなく、電磁シールドが行
え、電磁ノイズの低減及び赤外線受光感度の向上を同時
に実現させることができる受光装置を提供することにあ
る。
もので、その目的とするところは、モノリシック化され
た例えば赤外線リモートセンサに対し、フォトダイオー
ドの接合容量を増大させることなく、電磁シールドが行
え、電磁ノイズの低減及び赤外線受光感度の向上を同時
に実現させることができる受光装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光部１と、
該受光部１の信号電荷を出力信号Ｓに変換するバッファ
用トランジスタＴｒとを有する受光装置において、上記
受光部１を、第１導電型（例えばＮ型）不純物拡散領域
７及び５と第２導電型（例えばＰ型）不純物拡散領域６
及び２とが夫々交互に積層されてなる４層の不純物拡散
領域７，６，５及び２で構成し、そのうち、上層の第１
導電型不純物拡散領域７を所定の電位Ｖｃｃに固定する
と共に、その下層の第２導電型不純物拡散領域６をバッ
ファ用トランジスタＴｒのエミッタに接続して構成する
。
該受光部１の信号電荷を出力信号Ｓに変換するバッファ
用トランジスタＴｒとを有する受光装置において、上記
受光部１を、第１導電型（例えばＮ型）不純物拡散領域
７及び５と第２導電型（例えばＰ型）不純物拡散領域６
及び２とが夫々交互に積層されてなる４層の不純物拡散
領域７，６，５及び２で構成し、そのうち、上層の第１
導電型不純物拡散領域７を所定の電位Ｖｃｃに固定する
と共に、その下層の第２導電型不純物拡散領域６をバッ
ファ用トランジスタＴｒのエミッタに接続して構成する
。
【００１１】
【作用】上述の本発明の構成によれば、受光部１が、所
定電位Ｖｃｃの印加により交流的に接地状態となされた
上層の第１導電型不純物拡散領域７と接地電位Ｖｓｓが
印加される例えばシリコン基板２によってサンドウィッ
チされた形となるため、外部からの電界及び磁界による
電磁ノイズの発生を防止することができる。また、上記
不純物拡散領域７の下層に形成された第２導電型不純物
拡散領域６をバッファ用トランジスタＴｒのエミッタに
接続するようにしたので、この不純物拡散領域６に係る
ＰＮ接合Ｊ２ 及びＪ３ による接合容量Ｃ２ 及びＣ
３ は、夫々バッファ用トランジスタＴｒの電流増幅率
ｈＦＥ分の１、即ちＣ２ ／ｈＦＥ及びＣ３ ／ｈＦＥ
となり、受光部１における接合容量Ｃ１ ，Ｃ２ 及び
Ｃ３ の合成容量（加算容量）Ｃが低減化される。従っ
て、上記電磁シールド効果とも相俟って、受光部１にお
ける赤外線受光感度の向上及び電磁ノイズの抑圧を図る
ことができる。
定電位Ｖｃｃの印加により交流的に接地状態となされた
上層の第１導電型不純物拡散領域７と接地電位Ｖｓｓが
印加される例えばシリコン基板２によってサンドウィッ
チされた形となるため、外部からの電界及び磁界による
電磁ノイズの発生を防止することができる。また、上記
不純物拡散領域７の下層に形成された第２導電型不純物
拡散領域６をバッファ用トランジスタＴｒのエミッタに
接続するようにしたので、この不純物拡散領域６に係る
ＰＮ接合Ｊ２ 及びＪ３ による接合容量Ｃ２ 及びＣ
３ は、夫々バッファ用トランジスタＴｒの電流増幅率
ｈＦＥ分の１、即ちＣ２ ／ｈＦＥ及びＣ３ ／ｈＦＥ
となり、受光部１における接合容量Ｃ１ ，Ｃ２ 及び
Ｃ３ の合成容量（加算容量）Ｃが低減化される。従っ
て、上記電磁シールド効果とも相俟って、受光部１にお
ける赤外線受光感度の向上及び電磁ノイズの抑圧を図る
ことができる。
【００１２】
【実施例】以下、図１を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１Ａは、本実施例に係る受光装置の要部、
特にその受光部１を示す構成図であり、図１Ｂは、その
等価回路図である。尚、図１Ｂにおいて、Ｔｒはフォト
ダイオードに蓄積された信号電荷を電圧変換して出力端
子φｏｕｔより出力信号Ｓとして出力するバッファ用ト
ランジスタを示す。
説明する。図１Ａは、本実施例に係る受光装置の要部、
特にその受光部１を示す構成図であり、図１Ｂは、その
等価回路図である。尚、図１Ｂにおいて、Ｔｒはフォト
ダイオードに蓄積された信号電荷を電圧変換して出力端
子φｏｕｔより出力信号Ｓとして出力するバッファ用ト
ランジスタを示す。
【００１３】この受光部１は、図１Ａに示すように、例
えばＰ型のシリコン基板２あるいはウェル領域（以下の
説明においては、便宜上シリコン基板を対象に説明する
）上に形成されたＮ型のエピタキシャル層３中、Ｐ型の
素子分離領域４で囲まれたＮ型の素子形成領域５にＰ型
の不純物拡散領域６が形成され、更に該不純物拡散領域
６にＮ型の不純物拡散領域７が形成されてこれら４層の
不純物拡散領域２，５，６及び７にて構成されている。
えばＰ型のシリコン基板２あるいはウェル領域（以下の
説明においては、便宜上シリコン基板を対象に説明する
）上に形成されたＮ型のエピタキシャル層３中、Ｐ型の
素子分離領域４で囲まれたＮ型の素子形成領域５にＰ型
の不純物拡散領域６が形成され、更に該不純物拡散領域
６にＮ型の不純物拡散領域７が形成されてこれら４層の
不純物拡散領域２，５，６及び７にて構成されている。
【００１４】そして、シリコン基板２から電極８、素子
形成領域から電極９、Ｐ型の不純物拡散領域から電極１
０、Ｎ型の不純物拡散領域から電極１１を夫々透明性の
絶縁膜（保護膜）１２を介して取り出す。各電極８，９
，１０及び１１には夫々対応する端子φＡ，φＢ，φＣ
及びφＤが接続される。
形成領域から電極９、Ｐ型の不純物拡散領域から電極１
０、Ｎ型の不純物拡散領域から電極１１を夫々透明性の
絶縁膜（保護膜）１２を介して取り出す。各電極８，９
，１０及び１１には夫々対応する端子φＡ，φＢ，φＣ
及びφＤが接続される。
【００１５】この場合、シリコン基板２と素子形成領域
５との第１のＰＮ接合Ｊ１ にて第１のフォトダイオー
ドＰＤ１ が形成され、素子形成領域５とＰ型の不純物
拡散領域６との第２のＰＮ接合Ｊ２ にて第２のフォト
ダイオードＰＤ２ が形成され、Ｐ型の不純物拡散領域
６とＮ型の不純物拡散領域７との第３のＰＮ接合Ｊ３
にて第３のフォトダイオードＰＤ３ が形成される。
５との第１のＰＮ接合Ｊ１ にて第１のフォトダイオー
ドＰＤ１ が形成され、素子形成領域５とＰ型の不純物
拡散領域６との第２のＰＮ接合Ｊ２ にて第２のフォト
ダイオードＰＤ２ が形成され、Ｐ型の不純物拡散領域
６とＮ型の不純物拡散領域７との第３のＰＮ接合Ｊ３
にて第３のフォトダイオードＰＤ３ が形成される。
【００１６】また、各ＰＮ接合による接合容量は、第１
のＰＮ接合Ｊ１ による接合容量Ｃ１ が例えば１００
ｐＦ、第２のＰＮ接合Ｊ２による接合容量Ｃ２ が例え
ば２００ｐＦ、第３のＰＮ接合Ｊ３ による接合容量Ｃ
３ が例えば４００ｐＦとなる。
のＰＮ接合Ｊ１ による接合容量Ｃ１ が例えば１００
ｐＦ、第２のＰＮ接合Ｊ２による接合容量Ｃ２ が例え
ば２００ｐＦ、第３のＰＮ接合Ｊ３ による接合容量Ｃ
３ が例えば４００ｐＦとなる。
【００１７】そして、図１Ｂに示すように、端子φＡを
介してシリコン基板２が接地電位Ｖｓｓに固定されると
共に、素子形成領域５から導出する端子φＢがバッファ
用トランジスタＴｒのベースに接続され、Ｐ型の不純物
拡散領域６から導出する端子φＣがバッファ用トランジ
スタＴｒのエミッタに接続され、端子φＤを介してＮ型
の不純物拡散領域７が所定の電源電位Ｖｃｃに固定され
る。また、バッファ用トランジスタＴｒのエミッタとＧ
ＮＤ間には定電流源１３が接続される。
介してシリコン基板２が接地電位Ｖｓｓに固定されると
共に、素子形成領域５から導出する端子φＢがバッファ
用トランジスタＴｒのベースに接続され、Ｐ型の不純物
拡散領域６から導出する端子φＣがバッファ用トランジ
スタＴｒのエミッタに接続され、端子φＤを介してＮ型
の不純物拡散領域７が所定の電源電位Ｖｃｃに固定され
る。また、バッファ用トランジスタＴｒのエミッタとＧ
ＮＤ間には定電流源１３が接続される。
【００１８】このような構成により、第１のフォトダイ
オードＰＤ１ がバッファ用トランジスタＴｒのベース
とＧＮＤ間に、第２のフォトダイオードＰＤ２ がバッ
ファ用トランジスタＴｒのベースとエミッタ間に、第３
のフォトダイオードＰＤ３ が電源の（＋）極とバッフ
ァ用トランジスタＴｒのエミッタ間に夫々逆バイアス状
態で接続された形となる。従って、第１のフォトダイオ
ードＰＤ１ が、赤外線を受光することによりその受光
量に応じた信号電荷を蓄積する正規のフォトダイオード
として働き、第３のフォトダイオードＰＤ３ が電磁シ
ールド用フォトダイオードとして働く。
オードＰＤ１ がバッファ用トランジスタＴｒのベース
とＧＮＤ間に、第２のフォトダイオードＰＤ２ がバッ
ファ用トランジスタＴｒのベースとエミッタ間に、第３
のフォトダイオードＰＤ３ が電源の（＋）極とバッフ
ァ用トランジスタＴｒのエミッタ間に夫々逆バイアス状
態で接続された形となる。従って、第１のフォトダイオ
ードＰＤ１ が、赤外線を受光することによりその受光
量に応じた信号電荷を蓄積する正規のフォトダイオード
として働き、第３のフォトダイオードＰＤ３ が電磁シ
ールド用フォトダイオードとして働く。
【００１９】上述のように、本例によれば、受光部１を
、Ｎ型の不純物拡散領域７、Ｐ型の不純物拡散領域６、
Ｎ型の素子形成領域５及びＰ型のシリコン基板２による
４層の不純物拡散領域で構成し、そのうち、上層のＮ型
の不純物拡散領域７を電極１１及び端子φＤを介して所
定の電源電位Ｖｃｃに固定するようにしたので、受光部
１が、所定の電源電位Ｖｃｃにより交流的に接地状態と
なされたＮ型の不純物拡散領域７と接地電位Ｖｓｓに固
定されたシリコン基板２によってサンドウィッチされた
形となり、外部からの電界及び磁界による電磁ノイズの
発生を防止することができる。
、Ｎ型の不純物拡散領域７、Ｐ型の不純物拡散領域６、
Ｎ型の素子形成領域５及びＰ型のシリコン基板２による
４層の不純物拡散領域で構成し、そのうち、上層のＮ型
の不純物拡散領域７を電極１１及び端子φＤを介して所
定の電源電位Ｖｃｃに固定するようにしたので、受光部
１が、所定の電源電位Ｖｃｃにより交流的に接地状態と
なされたＮ型の不純物拡散領域７と接地電位Ｖｓｓに固
定されたシリコン基板２によってサンドウィッチされた
形となり、外部からの電界及び磁界による電磁ノイズの
発生を防止することができる。
【００２０】また、上記Ｎ型の不純物拡散領域７の下層
に形成されたＰ型の不純物拡散領域６を電極１０及び端
子φＣを介してバッファ用トランジスタＴｒのエミッタ
に接続するようにしたので、この不純物拡散領域６に係
るＰＮ接合による接合容量、即ち第２のＰＮ接合Ｊ２
による接合容量Ｃ２ と、第３のＰＮ接合Ｊ３ による
接合容量Ｃ３ が、夫々バッファ用トランジスタＴｒの
電流増幅率ｈＦＥ分の１、即ちＣ２ ／ｈＦＥ及びＣ３
／ｈＦＥとなり、受光部１における接合容量の合成容
量（加算容量）Ｃが低減化される。
に形成されたＰ型の不純物拡散領域６を電極１０及び端
子φＣを介してバッファ用トランジスタＴｒのエミッタ
に接続するようにしたので、この不純物拡散領域６に係
るＰＮ接合による接合容量、即ち第２のＰＮ接合Ｊ２
による接合容量Ｃ２ と、第３のＰＮ接合Ｊ３ による
接合容量Ｃ３ が、夫々バッファ用トランジスタＴｒの
電流増幅率ｈＦＥ分の１、即ちＣ２ ／ｈＦＥ及びＣ３
／ｈＦＥとなり、受光部１における接合容量の合成容
量（加算容量）Ｃが低減化される。
【００２１】ここで、図２で示す従来の構成において、
第１のＰＮ接合Ｊ１による接合容量Ｃ１ を１００ｐＦ
、第２のＰＮ接合Ｊ２ による接合容量Ｃ２ を２００
ｐＦとして、本実施例の合成容量Ｃと従来例の合成容量
Ｃとを比較すると、本実施例の場合、合成容量Ｃは、電
流増幅率ｈＦＥを１００とすると、次式から、１０６ｐ
Ｆとなる。 Ｃ＝Ｃ１ ＋（Ｃ２ ＋Ｃ３ ）／ｈＦＥ＝１００ｐＦ
＋（２００ｐＦ＋４００ｐＦ）／１００＝１００ｐＦ＋
６ｐＦ ＝１０６ｐＦ
第１のＰＮ接合Ｊ１による接合容量Ｃ１ を１００ｐＦ
、第２のＰＮ接合Ｊ２ による接合容量Ｃ２ を２００
ｐＦとして、本実施例の合成容量Ｃと従来例の合成容量
Ｃとを比較すると、本実施例の場合、合成容量Ｃは、電
流増幅率ｈＦＥを１００とすると、次式から、１０６ｐ
Ｆとなる。 Ｃ＝Ｃ１ ＋（Ｃ２ ＋Ｃ３ ）／ｈＦＥ＝１００ｐＦ
＋（２００ｐＦ＋４００ｐＦ）／１００＝１００ｐＦ＋
６ｐＦ ＝１０６ｐＦ
【００２２】一方、従来例の場合は、次式から、３００
ｐＦとなる。 Ｃ＝Ｃ１ ＋Ｃ２ ＝１００ｐＦ＋２００ｐＦ ＝３００ｐＦ
ｐＦとなる。 Ｃ＝Ｃ１ ＋Ｃ２ ＝１００ｐＦ＋２００ｐＦ ＝３００ｐＦ
【００２３】このように、本実施例の合成容量Ｃが大幅
に低減化されていることがわかる。従って、本実施例に
おける出力信号ＳのＳ／Ｎが向上し、上記電磁シールド
効果とも相俟って、受光部１における赤外線受光感度の
向上及び電磁ノイズの抑圧を図ることができる。
に低減化されていることがわかる。従って、本実施例に
おける出力信号ＳのＳ／Ｎが向上し、上記電磁シールド
効果とも相俟って、受光部１における赤外線受光感度の
向上及び電磁ノイズの抑圧を図ることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る受光装置によれば、モノリ
シック化された例えば赤外線リモートセンサに対し、フ
ォトダイオードの接合容量を増大させることなく、電磁
シールドを行うことができ、電磁ノイズの抑圧及び赤外
線受光感度の向上を同時に実現させることができる。
シック化された例えば赤外線リモートセンサに対し、フ
ォトダイオードの接合容量を増大させることなく、電磁
シールドを行うことができ、電磁ノイズの抑圧及び赤外
線受光感度の向上を同時に実現させることができる。
【図１】Ａは本実施例に係る受光装置の要部、特にその
受光部を示す構成図。Ｂはその等価回路図。
受光部を示す構成図。Ｂはその等価回路図。
【図２】Ａは従来例に係る受光装置の受光部を示す構成
図。Ｂはその等価回路図。
図。Ｂはその等価回路図。
１ 受光部
２ シリコン基板
３ エピタキシャル層
４ 素子分離領域
５ 素子形成領域
６ Ｐ型の不純物拡散領域
７ Ｎ型の不純物拡散領域
８〜１１ 電極
φＡ〜φＤ 端子
Ｔｒ バッファ用トランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 受光部と、該受光部の信号電荷を出力
信号に変換するバッファ用トランジスタとを有する受光
装置において、上記受光部が、第１導電型不純物拡散領
域と第２導電型不純物拡散領域とが夫々交互に積層され
てなる４層の不純物拡散領域で構成され、そのうち、上
層の第１導電型不純物拡散領域が所定の電位に固定され
、その下層の第２導電型不純物拡散領域が上記バッファ
用トランジスタのエミッタに接続されていることを特徴
とする受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043501A JPH04280685A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043501A JPH04280685A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280685A true JPH04280685A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12665470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043501A Pending JPH04280685A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280685A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0866503A2 (en) * | 1997-02-25 | 1998-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver comprising protection means against electromagnetic noise |
| US6118165A (en) * | 1997-03-28 | 2000-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Photodiode and optical transmitter-receiver |
| CN112186064A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-05 | 罗姆股份有限公司 | 光传感器 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3043501A patent/JPH04280685A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0866503A2 (en) * | 1997-02-25 | 1998-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver comprising protection means against electromagnetic noise |
| EP0866503A3 (en) * | 1997-02-25 | 1999-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver comprising protection means against electromagnetic noise |
| US6208447B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver |
| US6118165A (en) * | 1997-03-28 | 2000-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Photodiode and optical transmitter-receiver |
| CN112186064A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-05 | 罗姆股份有限公司 | 光传感器 |
| JP2021009916A (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-28 | ローム株式会社 | 光センサ |
| CN112186064B (zh) * | 2019-07-01 | 2023-11-21 | 罗姆股份有限公司 | 光传感器 |
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