JPH072884A - 新規なチア(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体及びその製造方法 - Google Patents
新規なチア(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体及びその製造方法Info
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/6536—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having nitrogen and sulfur atoms with or without oxygen atoms, as the only ring hetero atoms
- C07F9/6539—Five-membered rings
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Abstract
なチア(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導
体及びその製造方法を提供する。 【構成】 下記の一般式(I) 〔式中、R1 は水素又はアミノ保護基を示し;R2 は水
素、C1 −C4 アルキル基又は−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc を示し、ここでR2 が−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc である場合には、Ra とRbは同じであるか又
は異なり、水素、C1 −C4 アルキル基又はそれらが結
合されている炭素原子と共にC3 −C7 シクロアルキル
基を形成することができる基を示し、Rc は水素又はカ
ルボキシ保護基を示し;R3 はC1 −C4 アルキル基又
はフェニル基又はそれらが結合して酸素、燐原子ととも
に5乃至6員の複素環式環を形成することができる基を
示し、QはN又はCHを示す〕で表わされるチア(ジ
ア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体及びその
製法。
Description
の製造時に、極めて有効に使用することができる下記の
一般式(I)
素、C1 −C4 アルキル基又は−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc を示し、ここでR2 が−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc である場合には、Ra とRbは同じであるか又
は異なり、水素、C1 −C4 アルキル基又はそれらが結
合されている炭素原子と共にC3 −C7 シクロアルキル
基を形成することができる基を示し、Rc は水素又はカ
ルボキシ保護基を示し;R3 はC1 −C4 アルキル基又
はフェニル基又はそれらが結合して酸素、燐原子ととも
に5乃至6員の複素環式環を形成することができる基を
示し、QはN又はCHを示す〕で表わされる新規なチア
(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体(以
下、“反応性有機酸誘導体”と称す)及びその製造方法
に関する。
ことができる方法は、従来文献や先行特許に数多く報告
されているが、例えば英国特許第1604971号、ヨ
ーロッパ特許第34760号及び米国特許第43905
34号公報に開示されているこれらの従来方法は、共通
に下記一般式(II)
じものを示す。]で表わされる有機酸を出発物質とし
て、これを反応性誘導体に転換させた後、β−ラクタム
核のアミノ基とアシル化反応させることによってβ−ラ
クタム抗生剤を製造している。
ている上記一般式(II)化合物の反応性誘導体としては、
酸塩化物、反応性エステル、反応性アミド又は混合酸無
水物等がある。
には上記一般式(II)の有機酸とクロロホスフェート誘導
体から製造することができる下記の一般式(A)
のと同じものを示す。〕で表わされる化合物が言及され
ている。
応性誘導体等が酸塩化物又は混合酸無水物である場合に
は、複雑な反応条件下で製造されるだけでなく、生成さ
れた反応性誘導体等が不安定で通常分離されないままア
シル化反応に用いられ、これにより副産物生成の主な原
因になるという問題点がある。
テルや反応性アミドは、製造時に収率が低下するだけで
なく、これらの反応性誘導体の反応性も極めて低いため
アシル化反応時に反応時間が長くなり、更に反応後生成
される1−ヒドロキシベンゾトリアゾルのようなヒドロ
キシ誘導体や2−マーカプトベンゾチア(ジア)ゾルの
ようなチオル誘導体等を容易に除去することが難しいと
いう問題点がある。
に記載の一般式(A) で表わされる化合物は、分離できな
い不安定な反応性混合酸無水物であるので、次の段階の
反応に悪影響を及ぼすという欠点がある。
述した従来の反応性誘導体が有する問題点を解決するた
めに研究を行った結果、上記一般式(II)の有機酸とクロ
ロチオホスフェート誘導体から優れた反応性と安定性と
を有する新規な反応性誘導体を極めて簡便に高収率で製
造することができることを見出し、本発明を完成するに
至った。
素、C1 −C4 アルキル基又は−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc を示し、ここでR2 が−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc である場合には、Ra とRbは同じであるか又
は異なり、水素、C1 −C4 アルキル基又はそれらが結
合されている炭素原子と共にC3 −C7 シクロアルキル
基を形成することができる基を示し、Rc は水素又はカ
ルボキシ保護基を示し;R3 はC1 −C4 アルキル基又
はフェニル基又はそれらが結合して酸素、燐原子ととも
に5乃至6員の複素環式環を形成することができる基を
示し、QはN又はCHを示す〕で表わされる新規なチア
(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体を提
供する。
素、C1 −C4 アルキル基又は−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc を示し、ここでR2 が−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc である場合には、Ra とRbは同じであるか又
は異なり、水素、C1 −C4 アルキル基又はそれらが結
合されている炭素原子と共にC3 −C7 シクロアルキル
基を形成することができる基を示し、Rc は水素又はカ
ルボキシ保護基を示し;R3 はC1 −C4 アルキル基又
はフェニル基又はそれらが結合して酸素、燐原子ととも
に5乃至6員の複素環式環を形成することができる基を
示し、QはN又はCHを示す〕で表わされる新規なチア
(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体を製
造するにあたり、下記の一般式(II)
ものを示す〕で表わされる有機酸を、下記の一般式(II
I)
表わされるクロロチオホスフェート誘導体と、塩基及び
触媒の存在下、溶媒中で反応させることを特徴とする新
規なチア(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘
導体の製造方法を提供する。
素又はトリフェニルメチルであり、R2 が水素、メチ
ル、エチル又はt−ブトキシカルボニルイソプロピルで
あり、R3 がメチル、エチル又はフェニル基であること
が望ましい。
合物には、ジエチルチオホスホリル(Z)−(2−アミ
ノチアゾル−4−イル)メトキシイミノアセテート;ジ
エチルチオホスホリル(Z)−(2−トリフェニルメチ
ルアミノチアゾル−4−イル)メトキシイミノアセテー
ト;ジエチルチオホスホリル(Z)−(2−アミノチア
ゾル−4−イル)−2−(t−ブトキシカルボニル)イ
ソプロポキシイミノアセテート;ジエチルチオホスホリ
ル(Z)−(2−アミノチアゾル−4−イル)エトキイ
ミノアセテート;ジエチルチオホスホリル(Z)−(2
−トリフェニルメチルアミノチアゾル−4−イル)エト
キシアミノアセテート;ジエチルチオホスホリル(Z)
−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾル−4−イ
ル)−2−(t−ブトキシカルボニル)イソプロポキシ
イミノアセテート;又はジエチルチオホスホリル(Z)
−(3−アミノ−1,2,4−チアジアゾル−5−イ
ル)エトキシイミノアセテート等が含まれる。
有機酸誘導体を製造する方法を反応式で表示すれば、次
の通りである。
同じものを示す。〕
である場合、そのアミノ保護基としては、アシル、置換
された又は非置換のアル(低級)アルキル基(例:ベン
ジル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、4−メ
トキシベンジル等)、ハロ−(低級)アルキル(例:ト
リクロロメチル、トリクロロエチル等)、テトラヒドロ
ピラニル、置換されたフェニルチオ、置換されたアルキ
ルリデン、置換されたアルアルキルリデン、置換された
シクロアルキルリデン等のような通常のアミノ保護基が
ある。上記アミノ保護基として適当なアシルには、脂肪
族アシル基及び芳香族や複素環を有するアシル基が含ま
れる。このようなアシル基の例としては炭素数1乃至6
個の低級アルカノイル(例:ホルミル、アセチル等)、
炭素数2乃至6個であるアルコキシカルボニル(例:メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル等)、低級アル
カンスルホニル(例:メタンスルホニル、エタンスルホ
ニル等)又はアル(低級)アルコキシカルボニル(例:
ベンジルオキシカルボニル等)等をあげることができ
る。
シアノ、ニトロ等の1乃至3個の適当な置換基を有する
ことができ、上記以外にシラン、ボロン、リン化合物と
アミノ基の反応生成物も保護基とすることができる。
Rc である場合、Rc がカルボキシル保護基である時の
適当な例としては(低級)アルキルエステル(例:メチ
ルエステル、t−ブチルエステル等)、(低級)アルケ
ニルエステル(例:ビニルエステル、アリルエステル
等)、(低級)アルコキシ(低級)アルキルエステル
(例:メトキシメチルエステル等) 、(低級)アルキル
チオ(低級)アルキルエステル(例:メチルチオメチル
エステル等)、ハロ−(低級)アルキルエステル(例:
2,2,2−トリクロロエチルエステル等)、置換され
た又は非置換のアルアルキルエステル(例:ベンジルエ
ステル、P−ニトロベンジルエステル等)又はシリルエ
ステル等がある。
性混合酸無水物を製造するにあたり、一般式(III) の使
用量は一般式(II)の有機酸に対し、0.5 乃至2.0 当量、
望ましくは 1.0乃至1.3 当量程度である。
ない反応は反応時間が長く、副反応物も生成される。反
面、適当な触媒を使用すれば副反応物が生成されず、温
和な条件でも短時間内に反応が完結できる。
3級アミン類、第4級アンモニウム又はホスホニウム化
合物等があるが、使用された一般式(II)の有機酸、触媒
の種類及び量に従って反応進行程度が異なることになる
ので最適の選択をしなければならない。第3級アミン類
の例としては、2,4−ジメチル−2,4−ジアザペン
タン、2,5−ジメチル−2,5−ジアザヘキサン、
N.N.N′.N′−テトラメチル−1,2−ジアミノ
シクロヘキサン、1,4−ジメチル−1,4−ジアザシ
クロヘキサン、2,7−ジメチル−2,7−ジアザ−4
−オクタン、1,4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕オ
クタン、2,6−ジメチル−2,6−ジアザヘプタン、
2,9−ジメチル−2,9−ジアザデカン、2,5,
8,11−テトラメチル−2,5,8,11−テトラア
ザドデカン等をあげることができる。尚、第4級アンモ
ニウム化合物の例としては、テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルアンモニウムク
ロライド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、
テトラ−n−ブチルアンモニウムアイオダイド、メチル
トリ(炭素数8乃至10の)アルキルアンモニウムクロ
ライド、メチルトリ−2−メチルフェニルアンモニウム
クロライド等をあげることができる。尚、ホスホニウム
化合物としてはテトラ−n−ブチルホスホニウムブロマ
イドを使用することが望ましい。触媒の使用量は一般式
(II)の有機酸に対し、モル比率で 0.1乃至50%程度、望
ましくは 0.5乃至5%程度が使用される。触媒を 0.1%
未満で使用する場合は触媒機能を充分に発揮せず、50%
を超えて使用する場合は反応が更に促進されず、過量使
用することで非経済的であり、反応促進と経済性を更に
考慮すると 0.5乃至5%が好ましい。
メタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、
トルエン、キシレン、アセトニトリル、エチルアセテー
ト、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド等の極性又は非極性有機溶媒を全て単独で使用する
ことができるが、反応性及び生成物の収率の最適化のた
めに二つ以上を混合して溶媒として使用することもでき
る。
及び有機塩基が全て可能であり、無機塩基の例としては
炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム及び炭酸カリウム等のようなアルカリ金属の炭酸塩や
重炭酸塩がある。尚、有機塩基の例としてはトリエチレ
ンジアミン、トリ−(n−ブチル)アミン、ジイソプロ
ピルエチルアミン、ピリジン、N,N−ジメチルアニリ
ン等の第3級アミンが使用可能であるが、ジイソプロピ
ルエチルアミン又はトリ−n−ブチルアミンが最も望ま
しく使用される。
60℃の間で選択することができるが、−15℃乃至2
5℃範囲の温度が望ましく、特に0℃乃至20℃の反応
温度においては1乃至4時間内に反応が完結され目的化
合物を温和な条件で容易に得ることができる。
(I)の反応性有機酸誘導体は、物理的、化学的性質に
特徴があり、極性又は非極性有機溶媒に対する溶解度が
非常に高く、このような溶媒に溶解した状態で酸性、塩
基性、中性の水によって水洗しても有機酸に分解されな
い優れた安定性を現す。更にβ−ラクタム核のアミノ基
とのアシル化反応では温和な条件下においても反応が容
易に進行されるだけでなく、反応後生成されるリン酸誘
導体は水層に溶解された状態で残りを容易に除去できる
ので、高純度の最終β−ラクタム抗生剤を高い収率で合
成することができる。尚、本発明による上記一般式(I)
の化合物は、必要であれば、一般式(II)の化合物のR1
にアミノ保護基を導入した後に反応させて製造もできる
が、保護基がなくても何らの制限無く製造できることは
言うまでもなく、アシル化反応段階においても保護基無
しに容易に使用することもできる。以下、本発明を実施
例を列挙して具体的に説明するが、本発明の技術的範囲
がこれらの実施例に制限されるのではない。
−4−イル)メトキシイミノアセテートの合成 (Z)−(2−アミノチアゾル−4−イル)メトキシイ
ミノアセト酸(20.1g)、トリ−n−ブチルアミン(24.10
g)及び1,4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタ
ン(0.11 g)を無水ジクロロメタン(200 ml)に懸濁さ
せた後、窒素雰囲気下で溶液を0℃乃至5℃に冷却維持
しながらジエチルクロロチオホスフェート(24.52 g )
を20分間滴下し、2時間更に攪拌した。反応完了後、
反応溶液に蒸留水(300 ml)を加え、5分間攪拌して有
機層を分離した後、5%重炭酸ナトリウム水溶液(300
ml)及び飽和食塩水(300 ml)の順で洗滌し、マグネシ
ウムスルフェートで乾燥及び濾過した後、減圧下で濃縮
する。濃縮した溶液にn−ヘキサン(400 ml)を加え固
体化させて濾過し、n−ヘキサン(100 ml)で洗滌した
後、乾燥させ、微黄色固体である標題の化合物を33.2 g
(収率 94.0 %)得た。 融点:87乃至88℃ NMR(δ,CDCl3);1.38(t, 6H),4.05(s, 3H),4.31(m, 4H),
5.49(bs, 2H), 6.87(s, 1H)
−4−イル)−2−(3級−ブトキシカルボニル)−イ
ソプロポキシイミノアセテートの合成 (Z)−(2−アミノチアゾル−4−イル)−2−(3
級−ブトキシカルボニル)イソプロポキシイミノアセト
酸(32.9 g)、トリ−n−ブチルアミン(22.25g)及び
1,4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタン(0.11
g) を無水N,N−ジメチルアセトアミド(100 ml)に
加え、この溶液を0℃乃至5℃に冷却維持しながらジエ
チルクロロチオホスフェート(22.63 g )を20分間滴
下した後2時間更に攪拌した。反応溶液にエチルアセテ
ート(300 ml)及び蒸留水(300 ml)を加え、5分間攪
拌して分離した有機層を再度5%−重炭酸ナトリウム溶
液(300 ml )及び飽和食塩水(300 ml)の順で洗滌し、
マグネシウムスルフェートで乾燥濾過させた後減圧下で
濃縮する。濃縮した溶液にシクロヘキサン(100 ml)を
加えて固体化させて濾過し、シクロヘキサン(50 ml )
で洗滌した後、乾燥させ、微白色固体である標題の化合
物を 44.26 g(収率:92%)得た。 融点;114乃至115℃ NMR(δ,CDCl3);1.39(t, bH),1.46(s, 9H),1.50(s, 6H),
4.32(m, 4H),6.74(s, 1H),6:79(bs, 2H)
−4−イル)エトキシイミノアセテートの合成 (Z)−(2−アミノチアゾル−4−イル)エトキシイ
ミノアセト酸(21.5 g)を使用して、実施例2と同様の方
法を実施し、標題の化合物を 33.04 g(収率:90%)得
た。 融点;118乃至119℃ NMR(δ,CDCl3);1.35(m, 9H),4.32(m, 6H),5.67(bs, 2
H),6.82(s, 1H)
チルアミノチアゾル−4−イル)エトキシイミノアセテ
ートの合成 (Z)−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾル−4
−イル)エトキシイミノアセト酸(45.7 g)を使用し
て、実施例1と同様の方法を実施して、標題の化合物を
57.2 g 得た。 融点;98乃至99℃ NMR(δ,CDCl3);1.35(m, 9H),4.32(m, 6H),6.62(s, 1H),
7.02(bs, 1H),7.32(m, 15H)
チルアミノチアゾル−4−イル)メトキシイミノアセテ
ートの合成 (Z)−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾル−4
−イル)メトキシイミノアセト酸(44.3 g)を使用し
て、実施例1と同様の方法を実施して、標題の化合物を
57.4 g 得た。 融点;101乃至103℃ NMR(δ,CDCl3);1.32(m, 6H),4.02(s, 3H),4.28(m, 4H),
6.62(s, 1H),7.00(bs, 1H),7.28(m,15H)
チルアミノチアゾル−4−イル)−2−(3級−ブトキ
シカルボニル)イソプロポキシイミノアセテートの合成 (Z)−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾル−4
−イル)−2−(3級−ブトキシカルボニル)イソプロ
ポキシイミノアセト酸(57.1 g)を使用して、実施例1
と同様の方法を実施して、標題の化合物を68.46 g 得
た。 融点;101乃至103℃ NMR(δ,CDCl3);1.33(t, 6H),1.41(s, 9H),1.52(s, 6H),
4.30(m, 4H),6.63(s, 1H),6.80(bs,1H) 7.25(m, 15H)
2,4−チアジアゾル−5−イル)エトキシイミノアセ
テートの合成 (Z)−(3−アミノ−1,2,4−チアジアゾル−5
−イル)エトキシイミノアセト酸(21.6 g)を使用し
て、実施例1と同様の方法を実施して、標題の化合物を
33 g得た。 融点;132乃至133℃ NMR(δ,CDCl3);1.37(m, 9H),4.36(m, 6H),6.49(bs, 2H)
Claims (13)
- 【請求項1】 下記の一般式(I) 【化1】 〔式中、R1 は水素又はアミノ保護基を示し;R2 は水
素、C1 −C4 アルキル基又は−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc を示し、ここでR2 が−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc である場合には、Ra とRbは同じであるか又
は異なり、水素、C1 −C4 アルキル基又はそれらが結
合されている炭素原子と共にC3 −C7 シクロアルキル
基を形成することができる基を示し、Rc は水素又はカ
ルボキシ保護基を示し;R3 はC1 −C4 アルキル基又
はフェニル基又はそれらが結合して酸素、燐原子ととも
に5乃至6員の複素環式環を形成することができる基を
示し、QはN又はCHを示す〕で表わされることを特徴
とする新規なチア(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフ
ェート誘導体。 - 【請求項2】 R1 は水素又はトリフェニルメチルであ
り;R2 は水素、メチル、エチル又はt−ブトキシカル
ボニルイソプロピルから成る群より選択され;R3 はメ
チル、エチル又はフェニル基から成る群より選択される
ことを特徴とする請求項1記載の誘導体。 - 【請求項3】 ジエチルチオホスホリル(Z)−(2−
アミノチアゾル−4−イル)メトキシイミノアセテー
ト;ジエチルチオホスホリル(Z)−(2−トリフェニ
ルメチルアミノチアゾル−4−イル)メトキシイミノア
セテート;ジエチルチオホスホリル(Z)−(2−アミ
ノチアゾル−4−イル)−2−(t−ブトキシカルボニ
ル)イソプロポキシイミノアセテート;ジエチルチオホ
スホリル(Z)−(2−アミノチアゾル−4−イル)エ
トキシイミノアセテート;ジエチルチオホスホリル
(Z)−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾル−4
−イル)エトキシイミノアセテート;ジエチルチオホス
ホリル(Z)−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾ
ル−4−イル)−2−(t−ブトキシカルボニル)イソ
プロポキシイミノアセテート;及びジエチルチオホスホ
リル(Z)−(3−アミノ−1,2,4−チアジアゾル
−5−イル)エトキシイミノアセテートから成る群より
選択された請求項1記載の誘導体。 - 【請求項4】 下記の一般式(I) 【化2】 〔式中、R1 は水素又はアミノ保護基を示し;R2 は水
素、C1 −C4 アルキル基又は−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc を示し、ここでR2 が−C(Ra )(Rb )C
O2 Rc である場合には、Ra とRbは同じであるか又
は異なり、水素、C1 −C4 アルキル基又はそれらが結
合されている炭素原子と共にC3 −C7 シクロアルキル
基を形成することができる基を示し、Rc は水素又はカ
ルボキシ保護基を示し;R3 はC1 −C4 アルキル基又
はフェニル基又はそれらが結合して酸素、燐原子ととも
に5乃至6員の複素環式環を形成することができる基を
示し、QはN又はCHを示す〕で表わされる新規なチア
(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘導体を製
造するにあたり、下記の一般式(II) 【化3】 〔式中のR1 、R2 及びQは上記式(I) のものと同じも
のを示す〕で表わされる有機酸を、下記の一般式(III) 【化4】 〔式中のR3 は上記式(I) のものと同じものを示す〕で
表わされるクロロチオホスフェート誘導体と、塩基及び
触媒の存在下、溶媒中で反応させることを特徴とする新
規なチア(ジア)ゾル酢酸の反応性チオホスフェート誘
導体の製造方法。 - 【請求項5】 上記溶媒はジクロロメタン、ジクロロエ
タン、クロロホルム、四塩化炭素、トルエン、キシレ
ン、アセトニトリル、エチルアセテート、ジオキサン、
テトラヒドロフラン、アセトン、N,N−ジメチルホル
ムアミド又はN,N−ジメチルアセトアミドから成る群
から選択される1種又は2種以上混合して使用すること
を特徴とする請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 上記塩基はアルカリ金属の炭酸塩、重炭
酸塩又は第3級アミン類から成る群より選択されること
を特徴とする請求項4記載の方法。 - 【請求項7】 上記第3級アミン類がトリエチルアミ
ン、トリ(n−ブチル)アミン又はジイソプロピルエチ
ルアミンから成る群より選択されることを特徴とする請
求項6記載の方法。 - 【請求項8】 上記触媒が第3級アミン類、第4級アン
モニウム又はホスホニウム化合物から成る群より選択さ
れることを特徴とする請求項4記載の方法。 - 【請求項9】 上記触媒が1,4−ジアザビシクロ
〔2,2,2〕オクタン、テトラ−n−ブチルアンモニ
ウムブロマイド又はテトラ−n−ブチルホスホニウムブ
ロマイドから成る群より選択されることを特徴とする請
求項8記載の方法。 - 【請求項10】 上記触媒の使用量が一般式(II)の有機
酸を基準にして0.1乃至50モル%であることを特徴とす
る請求項4,8又は9記載の方法。 - 【請求項11】 上記触媒の使用量が一般式(II)の有機
酸を基準にして0.5乃至5モル%であることを特徴とす
る請求項10記載の方法。 - 【請求項12】 反応温度が−40乃至60℃であることを
特徴とする請求項4記載の方法。 - 【請求項13】 反応温度が0乃至20℃であることを特
徴とする請求項12記載の方法。
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