JPH07283225A - バンプ電極を有する回路基板 - Google Patents
バンプ電極を有する回路基板Info
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- JPH07283225A JPH07283225A JP6069188A JP6918894A JPH07283225A JP H07283225 A JPH07283225 A JP H07283225A JP 6069188 A JP6069188 A JP 6069188A JP 6918894 A JP6918894 A JP 6918894A JP H07283225 A JPH07283225 A JP H07283225A
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- copper
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バリヤメタルとしてチタン膜を用いその上に
銅メッキ層を形成したバンプ電極構造において、その接
合強度および耐久強度を共に良好にする。 【構成】 回路基板１上に被接続電極をなすアルミ電極
３を形成し、その上に開口部を有する絶縁膜４を形成す
る。その上にバリヤメタルとしてのチタン膜５を形成す
るとともに、第１、第２の銅メッキ層７、８、半田９を
順次形成する。第１の銅メッキ層７をポリエチレングリ
コール系の光沢剤を含んで形成することによりチタン膜
５との間での接合強度を良好にし、第２の銅メッキ層８
をそのような光沢剤を実質的に含まないものを用いて形
成することにより半田９との耐久強度を良好にする。
銅メッキ層を形成したバンプ電極構造において、その接
合強度および耐久強度を共に良好にする。 【構成】 回路基板１上に被接続電極をなすアルミ電極
３を形成し、その上に開口部を有する絶縁膜４を形成す
る。その上にバリヤメタルとしてのチタン膜５を形成す
るとともに、第１、第２の銅メッキ層７、８、半田９を
順次形成する。第１の銅メッキ層７をポリエチレングリ
コール系の光沢剤を含んで形成することによりチタン膜
５との間での接合強度を良好にし、第２の銅メッキ層８
をそのような光沢剤を実質的に含まないものを用いて形
成することにより半田９との耐久強度を良好にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バンプ電極を有する回
路基板に関し、フリップチップＩＣ等に適用されるもの
である。
路基板に関し、フリップチップＩＣ等に適用されるもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置として、回路基板上
に形成された被接続電極上にバリヤメタルおよび銅メッ
キ層を形成し、その上に半田を形成してバンプ電極を構
成するようにしたものが種々提案されている。ここで、
上記バリヤメタルとしては、Ｃｒ膜又は下層Ｃｒ上層Ｃ
ｕの２層膜が用いられている。
に形成された被接続電極上にバリヤメタルおよび銅メッ
キ層を形成し、その上に半田を形成してバンプ電極を構
成するようにしたものが種々提案されている。ここで、
上記バリヤメタルとしては、Ｃｒ膜又は下層Ｃｒ上層Ｃ
ｕの２層膜が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなバンプ電極構造では、バンプ電極に各種の外力や内
部応力が加わるために、バンプ電極の接合強度を十分に
確保する必要があり、この点上記Ｃｒ等のバリヤメタル
では不十分である。そこで、本件出願人は、バリヤメタ
ルとしてチタン膜を用い、接合強度を高めるようにした
ものを提案した（特願平５─８８８２２号）。
うなバンプ電極構造では、バンプ電極に各種の外力や内
部応力が加わるために、バンプ電極の接合強度を十分に
確保する必要があり、この点上記Ｃｒ等のバリヤメタル
では不十分である。そこで、本件出願人は、バリヤメタ
ルとしてチタン膜を用い、接合強度を高めるようにした
ものを提案した（特願平５─８８８２２号）。
【０００４】しかしながら、通常、上記銅メッキ層は、
均一な皮膜を形成するために、銅メッキ液に光沢剤が添
加されており、この光沢剤の量が少ないと銅メッキ後の
熱処理（アニール）でバリヤメタルのチタンが水素化物
を形成してしまい、接合強度が低下してしまうという問
題がある。一方、その光沢剤の量が多いと、水素化物の
形成を防止できるものの半田と銅で形成されるＣｕ−Ｓ
ｎ合金の強度が低下するため、耐久強度が低下してしま
うという問題がある。
均一な皮膜を形成するために、銅メッキ液に光沢剤が添
加されており、この光沢剤の量が少ないと銅メッキ後の
熱処理（アニール）でバリヤメタルのチタンが水素化物
を形成してしまい、接合強度が低下してしまうという問
題がある。一方、その光沢剤の量が多いと、水素化物の
形成を防止できるものの半田と銅で形成されるＣｕ−Ｓ
ｎ合金の強度が低下するため、耐久強度が低下してしま
うという問題がある。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、バリヤメタルとしてチタン膜を用いるとともにその
上に銅メッキを施して形成されたバンプ電極構造におい
て、その接合強度および耐久強度を共に良好にすること
を目的とする。
で、バリヤメタルとしてチタン膜を用いるとともにその
上に銅メッキを施して形成されたバンプ電極構造におい
て、その接合強度および耐久強度を共に良好にすること
を目的とする。
【０００６】
【課題を達成するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、請求項１に記載の発明においては、回路基
板上に形成された被接続電極と、前記被接続電極上に形
成されたチタン膜からなるバリヤメタルと、このバリヤ
メタル上に形成されるバンプ電極とを備え、前記バンプ
電極は、前記バリヤメタル上に形成される銅メッキ層
と、該銅メッキ層の上に形成される半田とを有するもの
であって、さらに前記銅メッキ層を、前記バリヤメタル
の上に形成され光沢剤を含む第１の銅メッキ層と、前記
半田に接して形成され前記光沢剤を実質的に含まない第
２の銅メッキ層とから構成したことを特徴としている。
成するため、請求項１に記載の発明においては、回路基
板上に形成された被接続電極と、前記被接続電極上に形
成されたチタン膜からなるバリヤメタルと、このバリヤ
メタル上に形成されるバンプ電極とを備え、前記バンプ
電極は、前記バリヤメタル上に形成される銅メッキ層
と、該銅メッキ層の上に形成される半田とを有するもの
であって、さらに前記銅メッキ層を、前記バリヤメタル
の上に形成され光沢剤を含む第１の銅メッキ層と、前記
半田に接して形成され前記光沢剤を実質的に含まない第
２の銅メッキ層とから構成したことを特徴としている。
【０００７】請求項２に記載の発明においては、回路基
板上に形成された被接続電極と、前記被接続電極の上面
中央部を露出する開口を有し前記被接続電極の開口部以
外を被覆する絶縁膜と、前記開口の全周辺における前記
絶縁膜上及び前記開口上に形成されるチタン膜からなる
バリヤメタルと、前記バリヤメタル上に形成されるバン
プ電極とを備え、前記バンプ電極は、前記バリヤメタル
上に形成される銅メッキ層と、該銅メッキ層の上に形成
される半田とを有するものであって、さらに前記銅メッ
キ層を、前記バリヤメタルの上に形成され光沢剤を含む
第１の銅メッキ層と、前記半田に接して形成され前記光
沢剤を実質的に含まない第２の銅メッキ層とから構成し
たことを特徴としている。
板上に形成された被接続電極と、前記被接続電極の上面
中央部を露出する開口を有し前記被接続電極の開口部以
外を被覆する絶縁膜と、前記開口の全周辺における前記
絶縁膜上及び前記開口上に形成されるチタン膜からなる
バリヤメタルと、前記バリヤメタル上に形成されるバン
プ電極とを備え、前記バンプ電極は、前記バリヤメタル
上に形成される銅メッキ層と、該銅メッキ層の上に形成
される半田とを有するものであって、さらに前記銅メッ
キ層を、前記バリヤメタルの上に形成され光沢剤を含む
第１の銅メッキ層と、前記半田に接して形成され前記光
沢剤を実質的に含まない第２の銅メッキ層とから構成し
たことを特徴としている。
【０００８】請求項３に記載の発明においては、請求項
１又は２に記載の発明において、前記第１の銅メッキ層
が、前記光沢剤を７０ml/l以上含み、かつその膜厚が７
μｍ以上であることを特徴としている。
１又は２に記載の発明において、前記第１の銅メッキ層
が、前記光沢剤を７０ml/l以上含み、かつその膜厚が７
μｍ以上であることを特徴としている。
【０００９】
【発明の作用効果】請求項１及び２に記載の発明によれ
ば、バリヤメタルの上に光沢剤を含む第１の銅メッキ層
を形成しているから、銅メッキ後の熱処理でバリヤメタ
ルのチタンが水素化物を形成するのを防ぎことができ、
従って接合強度を良好にすることができ、またその第１
の銅メッキ層と半田との間に、光沢剤を実質的に含まな
い第２の銅メッキ層を設けているから、銅とスズによる
合金の劣化を防ぎ、耐久強度を良好にすることができる
という優れた効果がある。
ば、バリヤメタルの上に光沢剤を含む第１の銅メッキ層
を形成しているから、銅メッキ後の熱処理でバリヤメタ
ルのチタンが水素化物を形成するのを防ぎことができ、
従って接合強度を良好にすることができ、またその第１
の銅メッキ層と半田との間に、光沢剤を実質的に含まな
い第２の銅メッキ層を設けているから、銅とスズによる
合金の劣化を防ぎ、耐久強度を良好にすることができる
という優れた効果がある。
【００１０】さらに、請求項２に記載の発明によれば、
チタン膜が絶縁膜の開口を覆って形成されるため、その
両者の接触面積を大きくして密着性を高め、接合強度を
向上させることができるという効果を奏する。さらに、
請求項３に記載の発明によれば、第１の銅メッキ層を、
光沢剤を７０ml/l以上含み、かつその膜厚が７μｍ以上
のものとしているから、熱処理時のチタンの水素脆弱化
を防ぐ適正な量にて接合強度の維持を図ることができる
という効果を奏する。
チタン膜が絶縁膜の開口を覆って形成されるため、その
両者の接触面積を大きくして密着性を高め、接合強度を
向上させることができるという効果を奏する。さらに、
請求項３に記載の発明によれば、第１の銅メッキ層を、
光沢剤を７０ml/l以上含み、かつその膜厚が７μｍ以上
のものとしているから、熱処理時のチタンの水素脆弱化
を防ぐ適正な量にて接合強度の維持を図ることができる
という効果を奏する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明
する。図１は、その一実施例を示すバンプ電極部分の断
面図である。１はシリコン基板よりなる回路基板であ
り、２はシリコン基板１の上に形成されるＳｉＯ2 ，Ｂ
ＰＳＧ等の酸化膜（絶縁膜）である。３は被接続電極と
してのアルミ電極であり、膜厚は約１μｍであり、１〜
２％のＳｉを含有している。４は保護絶縁膜であり、厚
さは約１．６μｍのＳｉＮ膜である。この絶縁膜４は、
アルミ電極３の上面中央部を露出する開口を有してお
り、アルミ電極３の開口部以外を被覆している。
する。図１は、その一実施例を示すバンプ電極部分の断
面図である。１はシリコン基板よりなる回路基板であ
り、２はシリコン基板１の上に形成されるＳｉＯ2 ，Ｂ
ＰＳＧ等の酸化膜（絶縁膜）である。３は被接続電極と
してのアルミ電極であり、膜厚は約１μｍであり、１〜
２％のＳｉを含有している。４は保護絶縁膜であり、厚
さは約１．６μｍのＳｉＮ膜である。この絶縁膜４は、
アルミ電極３の上面中央部を露出する開口を有してお
り、アルミ電極３の開口部以外を被覆している。
【００１２】５はバリヤメタルを構成するチタン膜で、
厚さ約３０００Åのものであり、絶縁膜４の開口上およ
びその全周辺における絶縁膜４上に形成されている。な
お、チタン膜５は、純チタン、チタンナイトライド、チ
タンを主成分とするチタン合金等のチタン系の材料を用
いた膜を意味する。６はチタン膜５上に蒸着法により形
成された銅膜である。この銅膜６は、チタン膜５と後述
する銅メッキ層との密着性を良好にするために設けられ
ている。
厚さ約３０００Åのものであり、絶縁膜４の開口上およ
びその全周辺における絶縁膜４上に形成されている。な
お、チタン膜５は、純チタン、チタンナイトライド、チ
タンを主成分とするチタン合金等のチタン系の材料を用
いた膜を意味する。６はチタン膜５上に蒸着法により形
成された銅膜である。この銅膜６は、チタン膜５と後述
する銅メッキ層との密着性を良好にするために設けられ
ている。
【００１３】７、８はそれぞれ銅メッキ層であり、第１
の銅メッキ層７はポリエチレングリコール系の光沢剤を
１００ml/l以上含むものであり、第２の銅メッキ層８は
そのような光沢剤を含まないものである。第２の銅メッ
キ層８の上には半田９が形成されおり、半田９および第
１、第２の銅メッキ層７、８にてバンプ電極を構成して
いる。
の銅メッキ層７はポリエチレングリコール系の光沢剤を
１００ml/l以上含むものであり、第２の銅メッキ層８は
そのような光沢剤を含まないものである。第２の銅メッ
キ層８の上には半田９が形成されおり、半田９および第
１、第２の銅メッキ層７、８にてバンプ電極を構成して
いる。
【００１４】なお、第１の銅メッキ層７の最大厚さ部分
の厚さは７μｍ程度、第２の銅メッキ層８の最大部分の
厚さは２８μｍ程度であり、第１、第２の銅メッキ層
７、８及び半田９の合計の高さは約１３０μｍである。
また、第１の銅メッキ層７の根元部の直径Ａは１４０μ
ｍ、最大径Ｂは１８０μｍである。また、チタン膜５と
ＳｉＮ膜４との密着性がよいため、その両者の接触面積
を大きくすべくチタン膜５の直径をＳｉＮ膜４の開口部
の直径よりも大きくしてある。
の厚さは７μｍ程度、第２の銅メッキ層８の最大部分の
厚さは２８μｍ程度であり、第１、第２の銅メッキ層
７、８及び半田９の合計の高さは約１３０μｍである。
また、第１の銅メッキ層７の根元部の直径Ａは１４０μ
ｍ、最大径Ｂは１８０μｍである。また、チタン膜５と
ＳｉＮ膜４との密着性がよいため、その両者の接触面積
を大きくすべくチタン膜５の直径をＳｉＮ膜４の開口部
の直径よりも大きくしてある。
【００１５】次に、上記バンプ電極構造の製造方法につ
いて説明する。まず、ＳｉＮ膜４をシリコン基板１上に
形成するとともに、開口部を形成し、その上にチタン膜
５及び銅膜６を全面に真空蒸着する（図２（ａ））。な
お、図中においては、チタン膜５及び銅膜６を一つの膜
として示してある。その後、ホト工程としてレジストを
塗布し、パターンニングして開口部を形成する（図２
（ｂ））。
いて説明する。まず、ＳｉＮ膜４をシリコン基板１上に
形成するとともに、開口部を形成し、その上にチタン膜
５及び銅膜６を全面に真空蒸着する（図２（ａ））。な
お、図中においては、チタン膜５及び銅膜６を一つの膜
として示してある。その後、ホト工程としてレジストを
塗布し、パターンニングして開口部を形成する（図２
（ｂ））。
【００１６】この後、従来のものにおいては、その開口
部に一回の工程にて銅メッキを施ようにしていたのであ
るが、本発明に係る本実施例においては、図２（ｃ），
（ｄ）に示すように、銅メッキを２段階で行うようにし
ている。銅メッキの方法としては、手動処理装置を用い
たものと、自動処理装置を用いたものとがあるが、図２
（ｃ）の工程においては、手動処理装置を用い、ポリエ
チレングリコール系の光沢剤を１００ml/l以上含ませた
銅メッキ液で、２分半程メッキ処理を行う。図２（ｄ）
の工程においては、自動処理装置を用い、光沢剤を含ま
ない銅メッキ液で、５分程メッキ処理を行う。
部に一回の工程にて銅メッキを施ようにしていたのであ
るが、本発明に係る本実施例においては、図２（ｃ），
（ｄ）に示すように、銅メッキを２段階で行うようにし
ている。銅メッキの方法としては、手動処理装置を用い
たものと、自動処理装置を用いたものとがあるが、図２
（ｃ）の工程においては、手動処理装置を用い、ポリエ
チレングリコール系の光沢剤を１００ml/l以上含ませた
銅メッキ液で、２分半程メッキ処理を行う。図２（ｄ）
の工程においては、自動処理装置を用い、光沢剤を含ま
ない銅メッキ液で、５分程メッキ処理を行う。
【００１７】この後は従来の工程と同様であり、まずメ
ッキ用レジストを溶剤で剥離し、銅、チタン膜をエッチ
ングにより除去する。銅メッキ部分の硬度を安定化させ
るため、４５０°Ｃの温度でアニールする。このとき、
ＩＣ回路の特性の回復を図るため、窒素２４ l/min、水
素３ l/minの混合ガス中にてアニールする（図２
（ｅ））。
ッキ用レジストを溶剤で剥離し、銅、チタン膜をエッチ
ングにより除去する。銅メッキ部分の硬度を安定化させ
るため、４５０°Ｃの温度でアニールする。このとき、
ＩＣ回路の特性の回復を図るため、窒素２４ l/min、水
素３ l/minの混合ガス中にてアニールする（図２
（ｅ））。
【００１８】最後に、銅メッキの上に半田を印刷し、２
７０°Ｃのリフロー処理を行い、図１に示す構造のもの
を得る。次に、銅メッキ液に含ませる光沢剤の量とその
メッキ厚との関係について説明する。ポリエチレングリ
コール系である光沢剤の量が減ると、熱処理時にチタン
膜５の水素脆弱化が起こる。この水素脆弱化については
Ｘ線解析をした時のＴｉＨのピークによって表される。
表１はメッキ膜と光沢剤の量との関係を示したもので、
ＴｉＨのピークがなければ○、ＴｉＨがあれば×を示し
ている。
７０°Ｃのリフロー処理を行い、図１に示す構造のもの
を得る。次に、銅メッキ液に含ませる光沢剤の量とその
メッキ厚との関係について説明する。ポリエチレングリ
コール系である光沢剤の量が減ると、熱処理時にチタン
膜５の水素脆弱化が起こる。この水素脆弱化については
Ｘ線解析をした時のＴｉＨのピークによって表される。
表１はメッキ膜と光沢剤の量との関係を示したもので、
ＴｉＨのピークがなければ○、ＴｉＨがあれば×を示し
ている。
【００１９】
【表１】
【００２０】この表から、光沢剤７０ml/l以上、メッキ
厚７μｍ以上とするのがよいことが分かる。なお、図１
に示す実施例においては、余裕をみて第１の銅メッキ層
７に１００ml/l以上の光沢剤を含むものを用いている。
上述した図１に示す構造とすることにより、単一の銅メ
ッキの時に問題となっていたアニールでのバリヤメタル
の水素吸蔵は、光沢剤を１００ml/l以上含む第１の銅メ
ッキ層７により防ぐことができ、従って初期強度を維持
することができる。さらに、光沢剤を含む銅メッキ層と
半田が接触した時に問題となっていた銅とスズによる合
金の劣化を、光沢剤を含まない第２の銅メッキ層８を用
いることにより防ぐことができ、このことにより耐久強
度を良好に保つことができる。
厚７μｍ以上とするのがよいことが分かる。なお、図１
に示す実施例においては、余裕をみて第１の銅メッキ層
７に１００ml/l以上の光沢剤を含むものを用いている。
上述した図１に示す構造とすることにより、単一の銅メ
ッキの時に問題となっていたアニールでのバリヤメタル
の水素吸蔵は、光沢剤を１００ml/l以上含む第１の銅メ
ッキ層７により防ぐことができ、従って初期強度を維持
することができる。さらに、光沢剤を含む銅メッキ層と
半田が接触した時に問題となっていた銅とスズによる合
金の劣化を、光沢剤を含まない第２の銅メッキ層８を用
いることにより防ぐことができ、このことにより耐久強
度を良好に保つことができる。
【００２１】このような効果についてその裏付けとなる
実験結果を基に説明する。図３に初期強度の比較をした
ものを示す。比較例１は光沢剤を含まない銅メッキを一
回施したもの、比較例２は光沢剤を１００ml/l以上含む
銅メッキを一回施したものであり、それぞれ２０個づつ
試験した。光沢剤を含まない銅メッキを一回施した比較
例１においては、熱処理時にチタン膜が水素吸蔵をする
ため、初期強度が低下している。
実験結果を基に説明する。図３に初期強度の比較をした
ものを示す。比較例１は光沢剤を含まない銅メッキを一
回施したもの、比較例２は光沢剤を１００ml/l以上含む
銅メッキを一回施したものであり、それぞれ２０個づつ
試験した。光沢剤を含まない銅メッキを一回施した比較
例１においては、熱処理時にチタン膜が水素吸蔵をする
ため、初期強度が低下している。
【００２２】図４に耐久強度の比較をしたものを示す。
比較例１、２とも図３に示すものと同様のものである。
光沢剤を含む比較例２においては、銅と半田に含まれて
いるスズによりＣｕ−Ｓｎ合金が生成するため、耐久強
度が低下している。従って、図３、図４に示す実験結果
から明らかなように、本実施例のように光沢剤を含む第
１の銅メッキ層７と光沢剤を含まない第２の銅メッキ層
８の２層構造にすることにより、バンプ電極の初期強度
と耐久強度の両者を向上させることができる。
比較例１、２とも図３に示すものと同様のものである。
光沢剤を含む比較例２においては、銅と半田に含まれて
いるスズによりＣｕ−Ｓｎ合金が生成するため、耐久強
度が低下している。従って、図３、図４に示す実験結果
から明らかなように、本実施例のように光沢剤を含む第
１の銅メッキ層７と光沢剤を含まない第２の銅メッキ層
８の２層構造にすることにより、バンプ電極の初期強度
と耐久強度の両者を向上させることができる。
【００２３】なお、上記実施例においては、第２の銅メ
ッキ層８に光沢剤を含まないものについて示したが、半
田との関係で耐久強度が満足できるものであれば、何ら
かの理由で多少光沢剤を含んでいてもよい。
ッキ層８に光沢剤を含まないものについて示したが、半
田との関係で耐久強度が満足できるものであれば、何ら
かの理由で多少光沢剤を含んでいてもよい。
【図１】本発明の一実施例を示すバンプ電極構造の断面
図である。
図である。
【図２】図１に示すバンプ構造の製造方法を示す工程図
である。
である。
【図３】図１に示す実施例の初期強度を比較例と比較し
た図である。
た図である。
【図４】図１に示す実施例の耐久強度を比較例と比較し
た図である。
た図である。
１ 回路基板 ３ アルミ配線 ４ 絶縁膜 ５ チタン膜 ６ 銅膜 ７ 第１の銅メッキ層 ８ 第２の銅メッキ層 ９ 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 和夫 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 阿部 吉次 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 真山 恵次 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 回路基板上に形成された被接続電極と、 前記被接続電極上に形成されたチタン膜からなるバリヤ
メタルと、 このバリヤメタル上に形成されるバンプ電極とを備え、 前記バンプ電極は、前記バリヤメタル上に形成される銅
メッキ層と、該銅メッキ層の上に形成される半田とを有
するものであって、 さらに前記銅メッキ層を、前記バリヤメタルの上に形成
され光沢剤を含む第１の銅メッキ層と、前記半田に接し
て形成され前記光沢剤を実質的に含まない第２の銅メッ
キ層とから構成したことを特徴とするバンプ電極を有す
る回路基板。 - 【請求項２】 回路基板上に形成された被接続電極と、 前記被接続電極の上面中央部を露出する開口を有し前記
被接続電極の開口部以外を被覆する絶縁膜と、 前記開口の全周辺における前記絶縁膜上及び前記開口上
に形成されるチタン膜からなるバリヤメタルと、 前記バリヤメタル上に形成されるバンプ電極とを備え、 前記バンプ電極は、前記バリヤメタル上に形成される銅
メッキ層と、該銅メッキ層の上に形成される半田とを有
するものであって、 さらに前記銅メッキ層を、前記バリヤメタルの上に形成
され光沢剤を含む第１の銅メッキ層と、前記半田に接し
て形成され前記光沢剤を実質的に含まない第２の銅メッ
キ層とから構成したことを特徴とするバンプ電極を有す
る回路基板。 - 【請求項３】 前記第１の銅メッキ層は、前記光沢剤を
７０ml/l以上含み、かつその膜厚が７μｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載のバンプ電極を有
する回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06918894A JP3265814B2 (ja) | 1994-04-07 | 1994-04-07 | バンプ電極を有する回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06918894A JP3265814B2 (ja) | 1994-04-07 | 1994-04-07 | バンプ電極を有する回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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