JPH0726371A - スパッタリング用ターゲットおよび低屈折膜 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットおよび低屈折膜Info
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- JPH0726371A JPH0726371A JP19420693A JP19420693A JPH0726371A JP H0726371 A JPH0726371 A JP H0726371A JP 19420693 A JP19420693 A JP 19420693A JP 19420693 A JP19420693 A JP 19420693A JP H0726371 A JPH0726371 A JP H0726371A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｓｉを主成分とし、Ｐを含むターゲットであっ
て、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧａから選ばれる少なく
とも一種の金属のリン化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、
Ｓｎ、ＧａおよびＰから選ばれる少なくとも一種を含む
スパッタリング用ターゲットおよび該ターゲットを用い
て成膜した低屈折率膜。 【効果】酸素雰囲気中でのスパッタでも高導電率を有
し、大面積にわたり高速で安定的に低屈折率の透明薄膜
を提供できる。
て、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧａから選ばれる少なく
とも一種の金属のリン化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、
Ｓｎ、ＧａおよびＰから選ばれる少なくとも一種を含む
スパッタリング用ターゲットおよび該ターゲットを用い
て成膜した低屈折率膜。 【効果】酸素雰囲気中でのスパッタでも高導電率を有
し、大面積にわたり高速で安定的に低屈折率の透明薄膜
を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低屈折率を有する酸化
物透明薄膜をスパッタリング法で形成する場合に用いる
ターゲット材およびこのターゲット材を用いて形成した
低屈折率膜に関する。
物透明薄膜をスパッタリング法で形成する場合に用いる
ターゲット材およびこのターゲット材を用いて形成した
低屈折率膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、低屈折率を有する透明薄膜とし
て、二酸化ケイ素、フッ化マグネシウム等が知られてい
る。これらは、真空蒸着法や塗布法等で成膜できる。し
かし、これらの成膜法は、大面積の基板上への成膜は困
難であり、建築用ガラスや自動車用ガラス等の大面積の
成膜が必要なところには対応できなかった。
て、二酸化ケイ素、フッ化マグネシウム等が知られてい
る。これらは、真空蒸着法や塗布法等で成膜できる。し
かし、これらの成膜法は、大面積の基板上への成膜は困
難であり、建築用ガラスや自動車用ガラス等の大面積の
成膜が必要なところには対応できなかった。
【０００３】ところで、大面積の成膜には、直流スパッ
タリング法が最適であるが、低屈折率を有する透明薄膜
を提供する適当なターゲット材がなく、大面積の可能な
直流スパッタリング法を用いて、所望の薄膜を得ること
はできなかった。
タリング法が最適であるが、低屈折率を有する透明薄膜
を提供する適当なターゲット材がなく、大面積の可能な
直流スパッタリング法を用いて、所望の薄膜を得ること
はできなかった。
【０００４】例えば、二酸化ケイ素薄膜を直流スパッタ
リング法で成膜するには、ＰやＢをドープした導電性を
有するSiターゲットを酸素を含む雰囲気で反応スパッタ
して、二酸化ケイ素薄膜を形成する方法が考えられる
が、Ｓｉターゲットは、スパッタ中に表面が酸化されて
導電性が低下し、スパッタを安定的に持続させることが
できなかった。
リング法で成膜するには、ＰやＢをドープした導電性を
有するSiターゲットを酸素を含む雰囲気で反応スパッタ
して、二酸化ケイ素薄膜を形成する方法が考えられる
が、Ｓｉターゲットは、スパッタ中に表面が酸化されて
導電性が低下し、スパッタを安定的に持続させることが
できなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のＳｉ
ターゲットが有していた前述の欠点を解決するものであ
り、大面積成膜の可能な直流スパッタリング法で、二酸
化ケイ素を主成分とする低屈折率酸化物透明薄膜を形成
する場合に用いるターゲット材を供給することを目的と
する。
ターゲットが有していた前述の欠点を解決するものであ
り、大面積成膜の可能な直流スパッタリング法で、二酸
化ケイ素を主成分とする低屈折率酸化物透明薄膜を形成
する場合に用いるターゲット材を供給することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｓｉターゲッ
トのスパッタ中の表面酸化による低導電化の問題を解決
するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。即
ち、Ｓｉを主成分とし、Ｐを含むターゲットであって、
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧａからなる群から選ばれる
少なくとも一種の金属のリン化物および／またはＩｎ、
Ｚｎ、Ｓｎ、ＧａおよびＰからなる群から選ばれる少な
くとも一種を含むことを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲットを提供する。
トのスパッタ中の表面酸化による低導電化の問題を解決
するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。即
ち、Ｓｉを主成分とし、Ｐを含むターゲットであって、
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧａからなる群から選ばれる
少なくとも一種の金属のリン化物および／またはＩｎ、
Ｚｎ、Ｓｎ、ＧａおよびＰからなる群から選ばれる少な
くとも一種を含むことを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲットを提供する。
【０００７】本発明のターゲットにおいては、Ｓｉが７
０〜９９．９９重量％に対して、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、お
よびＧａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属
のリン化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａおよ
びＰからなる群から選ばれる少なくとも一種を合計０．
０１〜３０重量％の割合で含むことが好ましく、特に
０．０１〜１０重量％とすることが、成膜した薄膜の屈
折率が１．５以下と非常に低いという理由から望まし
い。
０〜９９．９９重量％に対して、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、お
よびＧａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属
のリン化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａおよ
びＰからなる群から選ばれる少なくとも一種を合計０．
０１〜３０重量％の割合で含むことが好ましく、特に
０．０１〜１０重量％とすることが、成膜した薄膜の屈
折率が１．５以下と非常に低いという理由から望まし
い。
【０００８】本発明のターゲットを用いて、Ａｒと酸素
の混合雰囲気中で１×１０-3〜１×１０-4Ｔｏｒｒ程度
の真空中でスパッタリングすると均一な膜を製膜でき
る。
の混合雰囲気中で１×１０-3〜１×１０-4Ｔｏｒｒ程度
の真空中でスパッタリングすると均一な膜を製膜でき
る。
【０００９】本発明のターゲットは、高い導電性を持
ち、しかもスパッタ中にターゲットの表面酸化によって
も導電性の低下が非常に少ないため、直流スパッタリン
グ法を用いて成膜でき、大面積にわたり均一な膜を高速
で成膜できる。もちろん、本発明のターゲットは、高周
波（Ｒｆ）スパッタリング装置等を用いて同様の膜を製
膜できる。
ち、しかもスパッタ中にターゲットの表面酸化によって
も導電性の低下が非常に少ないため、直流スパッタリン
グ法を用いて成膜でき、大面積にわたり均一な膜を高速
で成膜できる。もちろん、本発明のターゲットは、高周
波（Ｒｆ）スパッタリング装置等を用いて同様の膜を製
膜できる。
【００１０】本発明のターゲットは、例えば次のような
方法で作成できる。例えばＳｉ−Ｉｎ−Ｐの場合、金属
ケイ素とリン化インジウム（ＩｎＰ）の混合粉末を高温
高圧プレスする、高圧プレスする、あるいは高圧プレス
した後焼成することにより、本発明のターゲットが形成
される。
方法で作成できる。例えばＳｉ−Ｉｎ−Ｐの場合、金属
ケイ素とリン化インジウム（ＩｎＰ）の混合粉末を高温
高圧プレスする、高圧プレスする、あるいは高圧プレス
した後焼成することにより、本発明のターゲットが形成
される。
【００１１】この場合、粉末の粒径は０．０５〜４０μ
ｍが適当である。なお、前述のターゲットにＦｅ、Ａ
ｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｍｎ、Ｈを総計で３重量％以下含
んでもよく、Ｃは製膜中にＣＯ2 となって消えてしまう
ので、Ｃを２０重量％以下含んでいてもよい。
ｍが適当である。なお、前述のターゲットにＦｅ、Ａ
ｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｍｎ、Ｈを総計で３重量％以下含
んでもよく、Ｃは製膜中にＣＯ2 となって消えてしまう
ので、Ｃを２０重量％以下含んでいてもよい。
【００１２】さらに、本発明のターゲットに不純物程度
のＣｕ、Ｖ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ等を混入しても同様の効
果を示す。しかし、透明薄膜の低屈折率化という点から
は、これらの混入物が少ないほうが望ましい。
のＣｕ、Ｖ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ等を混入しても同様の効
果を示す。しかし、透明薄膜の低屈折率化という点から
は、これらの混入物が少ないほうが望ましい。
【００１３】
【作用】本発明の非酸化物ターゲットにおいて、ターゲ
ット中のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａなどは大部分ケイ素化
合物はつくらず、単独あるいはリン化物で存在し、Ｓｉ
の粒界等に偏析することによってターゲットに導電性を
もたせて直流スパッタリングを可能にしている。
ット中のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａなどは大部分ケイ素化
合物はつくらず、単独あるいはリン化物で存在し、Ｓｉ
の粒界等に偏析することによってターゲットに導電性を
もたせて直流スパッタリングを可能にしている。
【００１４】さらにこれらの金属は、酸素雰囲気中での
スパッタによって表面に存在しているうちの一部が酸化
するが、これらの酸化物は導電性を持つことが知られて
おり、表面酸化による導電性の低下を抑制するように働
くと考えられる。
スパッタによって表面に存在しているうちの一部が酸化
するが、これらの酸化物は導電性を持つことが知られて
おり、表面酸化による導電性の低下を抑制するように働
くと考えられる。
【００１５】一方、Ｐは前述のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａ
とリン化物を生成するほか、Ｓｉのなかに固溶してＳｉ
に電気電導性を付与しており、ターゲット全体の導電性
をさらに高めている。これらの相乗効果によって本発明
のスパッタターゲットは、直流スパッタに適した高導電
性を有し、アーキングを起こりにくくしていると考えら
れる。
とリン化物を生成するほか、Ｓｉのなかに固溶してＳｉ
に電気電導性を付与しており、ターゲット全体の導電性
をさらに高めている。これらの相乗効果によって本発明
のスパッタターゲットは、直流スパッタに適した高導電
性を有し、アーキングを起こりにくくしていると考えら
れる。
【００１６】
実施例１ 高純度（９９．９９％）のＳｉ粉末と高純度（９９．９
９９％）のＩｎＰ粉末をＳｉ：Ｉｎ：Ｐ＝９９．２：
０．４：０．４の組成比になるように混合し、ホットプ
レス法で１３００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で焼
成、成形したものをターゲットとして、マグネトロン直
流スパッタ装置の陰極上にセットする。研磨などの方法
で３ｍｍ厚のソーダライムガラス基板を十分に洗浄した
後、真空チャンバー内に入れ、クライオポンプで１×１
０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気する。
９９％）のＩｎＰ粉末をＳｉ：Ｉｎ：Ｐ＝９９．２：
０．４：０．４の組成比になるように混合し、ホットプ
レス法で１３００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で焼
成、成形したものをターゲットとして、マグネトロン直
流スパッタ装置の陰極上にセットする。研磨などの方法
で３ｍｍ厚のソーダライムガラス基板を十分に洗浄した
後、真空チャンバー内に入れ、クライオポンプで１×１
０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気する。
【００１７】次にＡｒとＯ2 の混合ガス（Ａｒ：Ｏ2 ＝
７０：３０）を真空チャンバーに導入し、その圧力が
５．０×１０-3Ｔｏｒｒになるように調整する。この状
態でターゲットに３Ｗ／ｃｍ2 のパワーを印加し、１０
分間プレスパッタした後、スパッタを行い酸化膜を約１
０００Å成膜した。
７０：３０）を真空チャンバーに導入し、その圧力が
５．０×１０-3Ｔｏｒｒになるように調整する。この状
態でターゲットに３Ｗ／ｃｍ2 のパワーを印加し、１０
分間プレスパッタした後、スパッタを行い酸化膜を約１
０００Å成膜した。
【００１８】実施例２ ターゲットとしてＳｉ：Ｉｎ：Ｐ＝９８：１：１の組成
比になるように混合しホットプレスによって焼結成形し
たターゲットを用いた他は、実施例１と同様に成膜し
た。
比になるように混合しホットプレスによって焼結成形し
たターゲットを用いた他は、実施例１と同様に成膜し
た。
【００１９】実施例３ ターゲットとしてＳｉ：Ｚｎ：Ｐ＝９８：１：１の組成
比になるようにＳｉとＺｎ3 Ｐ2 とＺｎＰ2 の粉末を混
合しホットプレスによって焼結成形したターゲットを用
いた他は、実施例１と同様に成膜した。
比になるようにＳｉとＺｎ3 Ｐ2 とＺｎＰ2 の粉末を混
合しホットプレスによって焼結成形したターゲットを用
いた他は、実施例１と同様に成膜した。
【００２０】実施例４ ターゲットとしてＳｉ：Ｓｎ：Ｐ＝９８：１：１の組成
比になるようにＳｉとＳｎＰの粉末を混合しホットプレ
スによって焼結成形したターゲットを用いた他は、実施
例１と同様に成膜した。
比になるようにＳｉとＳｎＰの粉末を混合しホットプレ
スによって焼結成形したターゲットを用いた他は、実施
例１と同様に成膜した。
【００２１】実施例５ ターゲットとしてＳｉ：Ｇａ：Ｐ＝９８：１：１の組成
比になるようにＳｉとＧａＰの粉末を混合しホットプレ
スによって焼結成形したターゲットを用いた他は、実施
例１と同様に成膜した。
比になるようにＳｉとＧａＰの粉末を混合しホットプレ
スによって焼結成形したターゲットを用いた他は、実施
例１と同様に成膜した。
【００２２】比較例１〜５ ターゲットとしてそれぞれＺｒメタル、Ｔｉメタル、Ｔ
ａメタル、Ｓｎメタル、Ｓｉ単結晶（Ｎ型、０．１Ω・
ｃｍ）のターゲットを用いた他は、実施例１と同様に成
膜した。
ａメタル、Ｓｎメタル、Ｓｉ単結晶（Ｎ型、０．１Ω・
ｃｍ）のターゲットを用いた他は、実施例１と同様に成
膜した。
【００２３】比較例６ ターゲットとしてＳｉ：Ｉｎ：Ｐ＝６０：３０：１０の
組成比になるようにＳｉとＩｎとＩｎＰの粉末を混合し
ホットプレスによって焼結成形したターゲットを用いた
他は、実施例１と同様に成膜した。
組成比になるようにＳｉとＩｎとＩｎＰの粉末を混合し
ホットプレスによって焼結成形したターゲットを用いた
他は、実施例１と同様に成膜した。
【００２４】表１に本発明の各種非酸化物ターゲットを
用いてＡｒとＯ2 の混合雰囲気（Ｏ2 ３０％）で反応性
直流スパッタリングを行って成膜した膜の性質と成膜性
を示す。表１には、参考のために他のターゲットを用い
て反応性直流スパッタリングによって成膜した比較例を
あわせて示す。各種ターゲットを用いて成膜した膜は、
そのターゲット中のＳｉに対するＩｎ等の構成物質の組
成比が膜中でもほぼ保たれていた。
用いてＡｒとＯ2 の混合雰囲気（Ｏ2 ３０％）で反応性
直流スパッタリングを行って成膜した膜の性質と成膜性
を示す。表１には、参考のために他のターゲットを用い
て反応性直流スパッタリングによって成膜した比較例を
あわせて示す。各種ターゲットを用いて成膜した膜は、
そのターゲット中のＳｉに対するＩｎ等の構成物質の組
成比が膜中でもほぼ保たれていた。
【００２５】表１には、成膜時のアーキング（スパー
ク）の起こりやすさを耐アーキング特性として表示し
た。即ち、ターゲット投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ2 と
し、Ａｒに対する酸素の比を３０％で成膜し、３０分経
過してもスパークがまったく起きなかった場合を◎、３
０分経過によって微少なスパークが観察された場合を
○、３０分以内に激しいスパークが生じた場合を△、５
分以内に激しいスパークが生じ、成膜不能になった場合
を×として表示した。
ク）の起こりやすさを耐アーキング特性として表示し
た。即ち、ターゲット投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ2 と
し、Ａｒに対する酸素の比を３０％で成膜し、３０分経
過してもスパークがまったく起きなかった場合を◎、３
０分経過によって微少なスパークが観察された場合を
○、３０分以内に激しいスパークが生じた場合を△、５
分以内に激しいスパークが生じ、成膜不能になった場合
を×として表示した。
【００２６】フロート法によるソーダライムガラス板を
基板として膜厚１０００Åを成膜して、評価用サンプル
とした。膜厚は成膜時にマスクにより作った段差をタリ
ステップ法で測定して求めた。
基板として膜厚１０００Åを成膜して、評価用サンプル
とした。膜厚は成膜時にマスクにより作った段差をタリ
ステップ法で測定して求めた。
【００２７】表１に示すように、本発明のターゲットを
用いて成膜した酸化物膜の屈折率は、１．４６〜１．４
９と比較例１〜４に示すようなターゲットを用いた酸化
物膜に比べ非常に小さく、いずれも１．５以下であり、
ＳｉＯ2 膜とほとんど同じ屈折率を有していた。
用いて成膜した酸化物膜の屈折率は、１．４６〜１．４
９と比較例１〜４に示すようなターゲットを用いた酸化
物膜に比べ非常に小さく、いずれも１．５以下であり、
ＳｉＯ2 膜とほとんど同じ屈折率を有していた。
【００２８】しかも本発明のターゲットを用いて成膜し
た場合、耐アーキング性はＳｉターゲットを用いた場合
（比較例５）と比較すると格段に改善され、非常に成膜
しやすかった。また比較例６に示したように、Ｓｉが７
０〜９９．９９重量％に対して、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、お
よびＧａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属
のリン化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａおよ
びＰからなる群から選ばれる少なくとも一種の合計が
０．０１〜３０重量％という範囲からはずれた場合、ア
ーキング特性は改善されることはあっても、膜の屈折率
が高くなってしまうことが判明した。
た場合、耐アーキング性はＳｉターゲットを用いた場合
（比較例５）と比較すると格段に改善され、非常に成膜
しやすかった。また比較例６に示したように、Ｓｉが７
０〜９９．９９重量％に対して、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、お
よびＧａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属
のリン化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａおよ
びＰからなる群から選ばれる少なくとも一種の合計が
０．０１〜３０重量％という範囲からはずれた場合、ア
ーキング特性は改善されることはあっても、膜の屈折率
が高くなってしまうことが判明した。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明のターゲットを用いることによ
り、低屈折率の透明薄膜を得ることができる。また、本
発明のターゲットは、酸素雰囲気中でのスパッタでも高
導電率を有し、大面積にわたり高速で安定的に低屈折率
の透明薄膜を提供できる。
り、低屈折率の透明薄膜を得ることができる。また、本
発明のターゲットは、酸素雰囲気中でのスパッタでも高
導電率を有し、大面積にわたり高速で安定的に低屈折率
の透明薄膜を提供できる。
【００３１】さらに、従来はＰをドープしたＳｉターゲ
ットに他のメタル元素を同時に均一に添加したターゲッ
トの作製は非常に困難であったが、ＩｎＰ等のリン化物
をＳｉ粉末と混合して焼結することなどによって、Ｐ以
外のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａを任意にドープした組成の
ターゲットを容易に得ることができる。
ットに他のメタル元素を同時に均一に添加したターゲッ
トの作製は非常に困難であったが、ＩｎＰ等のリン化物
をＳｉ粉末と混合して焼結することなどによって、Ｐ以
外のＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇａを任意にドープした組成の
ターゲットを容易に得ることができる。
【００３２】また、本発明の低屈折率透明膜と高屈折率
の酸化物透明膜との組み合わせにより、薄膜の光学設計
を容易にすることができる。
の酸化物透明膜との組み合わせにより、薄膜の光学設計
を容易にすることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｓｉを主成分とし、Ｐを含むターゲットで
あって、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧａからなる群から
選ばれる少なくとも一種の金属のリン化物および／また
はＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＧａおよびＰからなる群から選ば
れる少なくとも一種を含むことを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲット。 - 【請求項２】前記ターゲットにおいて、Ｓｉが７０〜９
９．９９重量％に対して、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧ
ａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属のリン
化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＧａおよびＰか
らなる群から選ばれる少なくとも一種を合計０．０１〜
３０重量％の割合で含むことを特徴とする請求項１のス
パッタリング用ターゲット。 - 【請求項３】請求項１または２のスパッタリング用ター
ゲットを用いて、酸素を含む雰囲気中で直流スパッタリ
ング法によって二酸化ケイ素を主成分とする低屈折率膜
を形成することを特徴とする低屈折率膜の形成方法。 - 【請求項４】二酸化ケイ素を主成分とする低屈折率膜で
あって、膜中の金属元素の比において、Ｓｉが７０〜９
９．９９重量％に対して、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＧ
ａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属のリン
化物および／またはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＧａおよびＰか
らなる群から選ばれる少なくとも一種を合計０．０１〜
３０重量％の割合で含むことを特徴とする低屈折率膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19420693A JPH0726371A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | スパッタリング用ターゲットおよび低屈折膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19420693A JPH0726371A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | スパッタリング用ターゲットおよび低屈折膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0726371A true JPH0726371A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=16320724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19420693A Pending JPH0726371A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | スパッタリング用ターゲットおよび低屈折膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726371A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002104898A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
| WO2005031028A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜の製造方法 |
| JP2014037631A (ja) * | 2013-09-02 | 2014-02-27 | Kanazawa Inst Of Technology | 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器 |
| WO2015159947A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP19420693A patent/JPH0726371A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002104898A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
| JP4607307B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
| WO2005031028A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜の製造方法 |
| US7998324B2 (en) | 2003-09-26 | 2011-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and process for producing si oxide film therewith |
| JP4791825B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜およびその製造方法、ディスプレイ装置 |
| JP2014037631A (ja) * | 2013-09-02 | 2014-02-27 | Kanazawa Inst Of Technology | 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器 |
| WO2015159947A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
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