JPH07263626A - 少なくとも２つのパワー半導体スイッチモジュールを有するパワー半導体モジュールおよび回路装置 - Google Patents
少なくとも２つのパワー半導体スイッチモジュールを有するパワー半導体モジュールおよび回路装置Info
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- JPH07263626A JPH07263626A JP7021421A JP2142195A JPH07263626A JP H07263626 A JPH07263626 A JP H07263626A JP 7021421 A JP7021421 A JP 7021421A JP 2142195 A JP2142195 A JP 2142195A JP H07263626 A JPH07263626 A JP H07263626A
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- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路装置およびパワー半導体モジュールを提
供する。 【構成】 前記回路装置が並列に接続された複数のパワ
ー半導体モジュールを含み、そのうちの一つだけが制御
装置に接続される。別のモジュールは、制御装置に接続
されたマスターに従属して機能し、信号バスを介してマ
スターからトリガに対して要求される信号を受ける。こ
のために、パワー半導体モジュールは、相互接続された
多数の信号接続部を有する。信号接続部は、信号に関連
して、例えばインターフェースを介して、ゲート接続部
に接続される。本発明によるパワー半導体モジュール
は、複数のモジュールが最大の性能まで制限を受けずに
並列に接続されることができる回路装置を提供する。
供する。 【構成】 前記回路装置が並列に接続された複数のパワ
ー半導体モジュールを含み、そのうちの一つだけが制御
装置に接続される。別のモジュールは、制御装置に接続
されたマスターに従属して機能し、信号バスを介してマ
スターからトリガに対して要求される信号を受ける。こ
のために、パワー半導体モジュールは、相互接続された
多数の信号接続部を有する。信号接続部は、信号に関連
して、例えばインターフェースを介して、ゲート接続部
に接続される。本発明によるパワー半導体モジュール
は、複数のモジュールが最大の性能まで制限を受けずに
並列に接続されることができる回路装置を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワーエレクトロニク
スの分野に関し、特に回路集成装置もしくはパワー半導
体モジュールに関する。
スの分野に関し、特に回路集成装置もしくはパワー半導
体モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】欧州特許 EP-A2-0 417 747号において、
既に回路集成装置もしくはパワー半導体モジュールが開
示されている。その場合において、回路集成装置は、少
なくとも２つのパワー半導体スイッチモジュールを含
み、そのモジュールは、１つのパッケージ，２つの主接
続部および２つのゲート接続部を有する。使用されるパ
ワー半導体モジュールは、関連して構成される。１つの
モジュールは、通常、論理関数ユニットを形成するため
に組み合わせることができる複数の半導体構成要素を有
する。構成要素は、例えば、整流器，逆並列のダイオー
ドもしくは全体の相モジュールを含む個々のスイッチで
ある。そのようなモジュール（サイリスタ，トランジス
タ，ＩＧＢＴ，ダイオードモジュール）は、今日では、
１，２００Ｖおよび数１００Ａの広い電力領域において
使用可能となり、主に産業用装置に用いられている。所
望の性能を得るために、あるタイプの複数の構成要素
は、原則として、一つのモジュールにおいて、並列に接
続される。従って、例えば、１５０Ａ，１，２００Ｖ用
のＩＧＢＴハーフブリッジモジュールの各々は、スイッ
チング機能につき、６つの並列に接続されたＩＧＢＴお
よび２つの並列に接続された逆並列ダイオードを含むこ
とができる。
既に回路集成装置もしくはパワー半導体モジュールが開
示されている。その場合において、回路集成装置は、少
なくとも２つのパワー半導体スイッチモジュールを含
み、そのモジュールは、１つのパッケージ，２つの主接
続部および２つのゲート接続部を有する。使用されるパ
ワー半導体モジュールは、関連して構成される。１つの
モジュールは、通常、論理関数ユニットを形成するため
に組み合わせることができる複数の半導体構成要素を有
する。構成要素は、例えば、整流器，逆並列のダイオー
ドもしくは全体の相モジュールを含む個々のスイッチで
ある。そのようなモジュール（サイリスタ，トランジス
タ，ＩＧＢＴ，ダイオードモジュール）は、今日では、
１，２００Ｖおよび数１００Ａの広い電力領域において
使用可能となり、主に産業用装置に用いられている。所
望の性能を得るために、あるタイプの複数の構成要素
は、原則として、一つのモジュールにおいて、並列に接
続される。従って、例えば、１５０Ａ，１，２００Ｖ用
のＩＧＢＴハーフブリッジモジュールの各々は、スイッ
チング機能につき、６つの並列に接続されたＩＧＢＴお
よび２つの並列に接続された逆並列ダイオードを含むこ
とができる。
【０００３】現在では、モジュールが所望のサイズで構
成することができないために、（特に、電流容量に関し
て）モジュールの性能に上限が設けられる。その困難性
は、外形寸法に応じて大きくなる信頼性の問題と、要素
が多数であれば多数であるほど、その要素を並列に接続
することが難しい点にある。更に、モジュールのサイズ
が大きくなるにつれて、優れた特徴の一つであるモジュ
ラリティが失われる。そこで、今までより大きい要素に
よってではなく、相似する要素を並列に接続することに
よって、電気的パワーが増加する。このために、なんら
制限されることなく並列にモジュールを接続すること
が、特徴として望まれる。しかし、モジュールを並列に
接続すると、制限が課される。結局のところは、モジュ
ールの電気性能が完全に同一ではないために、モジュー
ルの順方向，逆方向およびスイッチング特性が異なる。
並列接続した場合に、個々のモジュールが破壊されるま
で、それらは発振しもしくはオーバロードする。最初に
記した刊行物は、電極を特別に配置することによって、
転流回路のインダクタンスを減少して、これを防ごうと
している。
成することができないために、（特に、電流容量に関し
て）モジュールの性能に上限が設けられる。その困難性
は、外形寸法に応じて大きくなる信頼性の問題と、要素
が多数であれば多数であるほど、その要素を並列に接続
することが難しい点にある。更に、モジュールのサイズ
が大きくなるにつれて、優れた特徴の一つであるモジュ
ラリティが失われる。そこで、今までより大きい要素に
よってではなく、相似する要素を並列に接続することに
よって、電気的パワーが増加する。このために、なんら
制限されることなく並列にモジュールを接続すること
が、特徴として望まれる。しかし、モジュールを並列に
接続すると、制限が課される。結局のところは、モジュ
ールの電気性能が完全に同一ではないために、モジュー
ルの順方向，逆方向およびスイッチング特性が異なる。
並列接続した場合に、個々のモジュールが破壊されるま
で、それらは発振しもしくはオーバロードする。最初に
記した刊行物は、電極を特別に配置することによって、
転流回路のインダクタンスを減少して、これを防ごうと
している。
【０００４】しかしながら、このことは、上述のパラメ
ータの相違による問題を考慮していない。一般に、この
問題は、臨界のパラメータを考慮して、並列接続したモ
ジュールを予め選定することによって解決される。結果
として、単一のモジュールを並列回路に置き換えること
は、その応用においてほとんど不可能となる。モジュー
ルが、定格の性能まで利用されないこと（ディレーティ
ング）に、さらに可能性がある。モジュールの新しいカ
テゴリーにおいて、いわゆる集中モジュールもしくはイ
ンテリジェントモジュール（集中化されたパワーモジュ
ール，ＩＰＭ）、例えばスイッチされる要素のトリガ，
（例えば、温度超過，過剰電流，供給電圧不足等の）故
障認識用の論理およびトリガと故障信号の電気的な分離
等の付加的な機能が、モジュールに組み込まれる。その
ようなモジュールを並列に接続することが、高い電力の
ために要求されるが、かかる場合に、上述の問題に加え
て、トリガ，故障検出および故障処理等の正確に同時に
機能しない問題がある。従って、例えば、トリガ信号の
電位を用いないで送信のために用いられ且つモジュール
に組み込まれる光導波管のレシーバーの電圧供給におけ
る僅かな変化は、数１００nsecの伝搬遅延時間を生じ、
そのようなモジュールの並列接続にかなりの悪影響を及
ぼす。
ータの相違による問題を考慮していない。一般に、この
問題は、臨界のパラメータを考慮して、並列接続したモ
ジュールを予め選定することによって解決される。結果
として、単一のモジュールを並列回路に置き換えること
は、その応用においてほとんど不可能となる。モジュー
ルが、定格の性能まで利用されないこと（ディレーティ
ング）に、さらに可能性がある。モジュールの新しいカ
テゴリーにおいて、いわゆる集中モジュールもしくはイ
ンテリジェントモジュール（集中化されたパワーモジュ
ール，ＩＰＭ）、例えばスイッチされる要素のトリガ，
（例えば、温度超過，過剰電流，供給電圧不足等の）故
障認識用の論理およびトリガと故障信号の電気的な分離
等の付加的な機能が、モジュールに組み込まれる。その
ようなモジュールを並列に接続することが、高い電力の
ために要求されるが、かかる場合に、上述の問題に加え
て、トリガ，故障検出および故障処理等の正確に同時に
機能しない問題がある。従って、例えば、トリガ信号の
電位を用いないで送信のために用いられ且つモジュール
に組み込まれる光導波管のレシーバーの電圧供給におけ
る僅かな変化は、数１００nsecの伝搬遅延時間を生じ、
そのようなモジュールの並列接続にかなりの悪影響を及
ぼす。
【０００５】
【発明の概要】本発明の一つの目的は、並列接続した場
合に上記の問題を回避することが可能な新規な回路配置
およびパワー半導体モジュールを提供することである。
特に、パワー半導体モジュールは、定格性能を予め定め
且つ定格性能の最大までディレートせずに、別のモジュ
ールと接続されることが可能であることが意図される。
この目的は、独立項に関連する特徴によって、回路配置
すなわち最初に記されたタイプのモジュールにおいて達
成される。本発明の本質は、パワー半導体モジュール
が、ゲート接続部および主接続部に加えて、複数のモジ
ュールが並列に接続された時に相互接続される多数の信
号接続部を有する。加えて、ただ一つの自由に選定でき
るパワー半導体モジュールが、制御装置に接続される。
本発明による複数のモジュールが並列に接続されると、
制御装置に接続されたモジュールによって駆動される共
通の信号バスが生じる。後者のモジュールはそのために
マスターとして機能し、別のモジュールは従属制御装置
としての機能を有する。
合に上記の問題を回避することが可能な新規な回路配置
およびパワー半導体モジュールを提供することである。
特に、パワー半導体モジュールは、定格性能を予め定め
且つ定格性能の最大までディレートせずに、別のモジュ
ールと接続されることが可能であることが意図される。
この目的は、独立項に関連する特徴によって、回路配置
すなわち最初に記されたタイプのモジュールにおいて達
成される。本発明の本質は、パワー半導体モジュール
が、ゲート接続部および主接続部に加えて、複数のモジ
ュールが並列に接続された時に相互接続される多数の信
号接続部を有する。加えて、ただ一つの自由に選定でき
るパワー半導体モジュールが、制御装置に接続される。
本発明による複数のモジュールが並列に接続されると、
制御装置に接続されたモジュールによって駆動される共
通の信号バスが生じる。後者のモジュールはそのために
マスターとして機能し、別のモジュールは従属制御装置
としての機能を有する。
【０００６】好適には、ゲート接続部と制御装置の間の
接続が、特に光導波管を利用した電位を用いない方法で
生成される。さらに、モジュールは、放熱板上に取りつ
けられることができる。加えて、ゲート接続部と信号接
続部との間に、所望の信号整合（マッチング）の要因と
なるインターフェースを提供する。前記インターフェー
スは、マスターが存在する場合ないしモジュールが全て
並列に接続された場合のいずれかのみに、提供されるこ
とができる。更に、代表的な実施例は関連する従属項に
記載されている。本発明の構成の利点として、特に、本
発明による複数のモジュールが、マスターが他のモジュ
ールを支配するために、予め選定しもしくはディレート
せずに並列に接続されることができ、その結果、最初に
示された問題が除かれる。さらに、ただ一つのタイプの
モジュールが製造され、ただ一つの電位を用いない接続
が提供されればよい。このことは、ユーザの製造コスト
をかなり減少させることとなる。しかしながら、第１
に、全てのモジュールの、マスターにより支配された均
一なロードが運用寿命を増加し、第２に、異常のあるモ
ジュールが、並列接続の下では容易に取り替えられるた
めに、操業費が安くてすむ。
接続が、特に光導波管を利用した電位を用いない方法で
生成される。さらに、モジュールは、放熱板上に取りつ
けられることができる。加えて、ゲート接続部と信号接
続部との間に、所望の信号整合（マッチング）の要因と
なるインターフェースを提供する。前記インターフェー
スは、マスターが存在する場合ないしモジュールが全て
並列に接続された場合のいずれかのみに、提供されるこ
とができる。更に、代表的な実施例は関連する従属項に
記載されている。本発明の構成の利点として、特に、本
発明による複数のモジュールが、マスターが他のモジュ
ールを支配するために、予め選定しもしくはディレート
せずに並列に接続されることができ、その結果、最初に
示された問題が除かれる。さらに、ただ一つのタイプの
モジュールが製造され、ただ一つの電位を用いない接続
が提供されればよい。このことは、ユーザの製造コスト
をかなり減少させることとなる。しかしながら、第１
に、全てのモジュールの、マスターにより支配された均
一なロードが運用寿命を増加し、第２に、異常のあるモ
ジュールが、並列接続の下では容易に取り替えられるた
めに、操業費が安くてすむ。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明によるパワー半導体モジュー
ル（１）の構造を示す。これは、例えばＧＴＯ，サイリ
スタ，ＩＧＢＴもしくはダイオードモジュールのような
いかなるパワー半導体モジュールであってよい。モジュ
ール（１）は、例えば、二つの主接続部（３．１，３．
２），少なくとも一つのゲート接続部（５．１，５．
２）および多数の信号接続部（４．１−４．４）を有す
るパッケージ（２）を含む。ゲート接続部は、例えば、
モジュールから信号を伝導するための第１接続部とモジ
ュールに信号を伝導するための第２接続部を含む。ゲー
ト接続部は、特に、電圧を用いない設計であり、例え
ば、図示されていないが、光導波管（８）により制御装
置に接続されることが可能である。好適には、パワー半
導体モジュール（１）が、放熱板（６）に取り付けら
れ、例えば冷却剤（クーラント）は、放熱板（６）の中
を通って流れる。好ましい構造においては、液体接続部
（７．１，７．２）と光導波管（５．１，５．２）が、
同一の側面に配置される。本発明によると、パワー半導
体モジュール（１）が、多数の信号接続部（４．１−
４．２）を有する（図では４つ示されている）。信号接
続部は、例えば、 −スイッチをトリガするための第１パス、 −故障信号用の第２パス、 −パワー半導体モジュールをクロックするための第３パ
ス、及び −スイッチのゲート電極を接続するための第４パス、を
含んでよい。
ル（１）の構造を示す。これは、例えばＧＴＯ，サイリ
スタ，ＩＧＢＴもしくはダイオードモジュールのような
いかなるパワー半導体モジュールであってよい。モジュ
ール（１）は、例えば、二つの主接続部（３．１，３．
２），少なくとも一つのゲート接続部（５．１，５．
２）および多数の信号接続部（４．１−４．４）を有す
るパッケージ（２）を含む。ゲート接続部は、例えば、
モジュールから信号を伝導するための第１接続部とモジ
ュールに信号を伝導するための第２接続部を含む。ゲー
ト接続部は、特に、電圧を用いない設計であり、例え
ば、図示されていないが、光導波管（８）により制御装
置に接続されることが可能である。好適には、パワー半
導体モジュール（１）が、放熱板（６）に取り付けら
れ、例えば冷却剤（クーラント）は、放熱板（６）の中
を通って流れる。好ましい構造においては、液体接続部
（７．１，７．２）と光導波管（５．１，５．２）が、
同一の側面に配置される。本発明によると、パワー半導
体モジュール（１）が、多数の信号接続部（４．１−
４．２）を有する（図では４つ示されている）。信号接
続部は、例えば、 −スイッチをトリガするための第１パス、 −故障信号用の第２パス、 −パワー半導体モジュールをクロックするための第３パ
ス、及び −スイッチのゲート電極を接続するための第４パス、を
含んでよい。
【０００８】本発明による複数のモジュール（１）が並
列に接続されるならば、一つの信号バスが、例えば上記
の信号を有する結果となる。好適には、信号接続部
（４．１−４．２）は、パッケージの別の側面に配置さ
れる。さらに、パワー半導体モジュールにおいて、制御
装置から発信し且つ光導波管により送信された信号が、
信号バスに対して最適な信号に変換するインターフェー
スが組み込まれてもよい。従って、信号接続部（４．１
−４．４）は、信号に関連してゲート接続部（５．１，
５．２）に接続される。もし単に、制御装置に接続され
るモジュール（１）が、インターフェースを付加される
だけならば、その装置は特に高価なものとはならない。
もし本発明による複数のパワー半導体モジュール（１）
が並列に接続されるならば、回路装置は、−ただ一つの
自由に選定できるパワー半導体モジュール（１）がゲー
ト接続部（５．１，５．２）により制御装置に接続さ
れ、−信号に関連してゲート接続部（５．１，５．２）
に接続されることが可能な多数の信号接続部（４．１−
４．４）が、組み込まれ、信号バスを形成する、ことと
なる。
列に接続されるならば、一つの信号バスが、例えば上記
の信号を有する結果となる。好適には、信号接続部
（４．１−４．２）は、パッケージの別の側面に配置さ
れる。さらに、パワー半導体モジュールにおいて、制御
装置から発信し且つ光導波管により送信された信号が、
信号バスに対して最適な信号に変換するインターフェー
スが組み込まれてもよい。従って、信号接続部（４．１
−４．４）は、信号に関連してゲート接続部（５．１，
５．２）に接続される。もし単に、制御装置に接続され
るモジュール（１）が、インターフェースを付加される
だけならば、その装置は特に高価なものとはならない。
もし本発明による複数のパワー半導体モジュール（１）
が並列に接続されるならば、回路装置は、−ただ一つの
自由に選定できるパワー半導体モジュール（１）がゲー
ト接続部（５．１，５．２）により制御装置に接続さ
れ、−信号に関連してゲート接続部（５．１，５．２）
に接続されることが可能な多数の信号接続部（４．１−
４．４）が、組み込まれ、信号バスを形成する、ことと
なる。
【０００９】ただ一つのモジュールが制御装置に接続さ
れるため、それは別のモジュールが従属するマスターと
して機能する。この方法において、最初に示された問
題、および複数のモジュールが並列に接続される時に遭
遇される問題を回避することが可能である。全体とし
て、本発明は、並列に接続されたモジュールを含む装置
において、容易に最大電力まで使用することができるパ
ワー半導体モジュールを提供する。上述の観点から、明
らかに本発明の種々の変更および変化が可能である。そ
のために、本発明が、請求の範囲内で、本明細書中で示
された特別な実施例以外の方法で実施できることが理解
されるであろう。
れるため、それは別のモジュールが従属するマスターと
して機能する。この方法において、最初に示された問
題、および複数のモジュールが並列に接続される時に遭
遇される問題を回避することが可能である。全体とし
て、本発明は、並列に接続されたモジュールを含む装置
において、容易に最大電力まで使用することができるパ
ワー半導体モジュールを提供する。上述の観点から、明
らかに本発明の種々の変更および変化が可能である。そ
のために、本発明が、請求の範囲内で、本明細書中で示
された特別な実施例以外の方法で実施できることが理解
されるであろう。
【図１】本発明に従って、四つのパワー半導体モジュー
ルを接続した図。
ルを接続した図。
１ パワー半導体モジュール ２ パッケージ 3.1, 3.2 主接続部 4.1,−4.4 信号接続部 5.1, 5.2 ゲート接続部，光導波管の接続部 ６ 放熱板 7.1, 7.2 冷却剤の接続部 ８ 光導波管
Claims (12)
- 【請求項１】少なくとも２つのパワー半導体モジュール
を有する回路装置であって、各々が、一つのパッケー
ジ，少なくとも二つの主接続部，および制御装置に接続
可能な少なくとも一つのゲート接続部を有し、前記パワ
ー半導体モジュールがゲート接続部を介してトリガされ
且つモニターされることが可能であり、 ただ一つの自由に選定できるパワー半導体モジュールが
ゲート接続部を介して制御装置に接続され、 信号に関連してゲート接続部に接続されることが可能な
多数の信号接続部が提供され、かつパワー半導体モジュ
ールの対応する信号接続部が相互接続されることを特徴
とする回路装置。 - 【請求項２】ゲート接続部が、モジュールに送信される
信号を提供するための第一接続部およびモジュールから
送信される信号を提供するための第二接続部を含み、そ
れらの接続部が特に光導波管の接続部として設計され、
かつ光導波管を介して制御装置に接続されることが可能
であることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。 - 【請求項３】主接続部がパッケージの第一の側面に配置
され、信号接続部がパッケージの第二の側面に配置さ
れ、光導波管の接続部がパッケージの第三の側面に配置
されることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。 - 【請求項４】パッケージが放熱板上に取り付けられ、 冷却剤が放熱板の中を通り、 冷却剤注入口および排出口がパッケージの第三の側面に
与えられることを特徴とする請求項３に記載の回路装
置。 - 【請求項５】信号接続部が、特に、 パワー半導体モジュールのスイッチをトリガするための
第一パス、 パワー半導体モジュールの故障信号用の第二パス、 パワー半導体モジュールをクロックするための第三パ
ス、およびパワー半導体モジュールのスイッチの全ての
ゲート電極を接続するための第四パス、を含むことを特
徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の回路装
置。 - 【請求項６】全てのモジュールにおいて、ゲート接続部
および信号接続部の間のインターフェースが与えられる
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の
回路装置。 - 【請求項７】ゲート接続部および信号接続部の間のイン
ターフェースが、制御装置に接続されたモジュールにお
いてのみ与えられることを特徴とする請求項１ないし５
に記載の回路装置。 - 【請求項８】パワー半導体モジュールであって、 一つのパッケージ，少なくとも二つの主接続部，および
制御装置に接続可能な少なくとも一つのゲート接続部を
有し、前記パワー半導体モジュールがゲート接続部を介
してトリガされ且つモニターされることが可能であり、 多数の信号接続部が、信号に関連してゲート接続部に接
続されることができることを特徴とするパワー半導体モ
ジュール。 - 【請求項９】主接続部がパッケージの第一の側面に配置
され、信号接続部がパッケージの第二の側面に配置さ
れ、ゲート接続部がパッケージの第三の側面に配置され
ることを特徴とする請求項８に記載のパワー半導体モジ
ュール。 - 【請求項１０】パッケージが放熱板上に取り付けられ、 冷却剤が放熱板の中を通り、 冷却剤注入口および排出口がパッケージの第三の側面に
与えられることを特徴とする請求項９に記載のパワー半
導体モジュール。 - 【請求項１１】信号接続部が、特に、 パワー半導体モジュールのスイッチをトリガするための
第一パス、 パワー半導体モジュールの故障信号用の第二パス、 パワー半導体モジュールをクロックするための第三パ
ス、およびパワー半導体モジュールのスイッチの全ての
ゲート電極を接続するための第四パス、を含むことを特
徴とする請求項１０に記載のパワー半導体モジュール。 - 【請求項１２】ゲート接続部および信号接続部の間に、
インターフェースが与えられることを特徴とする請求項
１１に記載のパワー半導体モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4405443 | 1994-02-21 | ||
| DE4405443:2 | 1994-02-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263626A true JPH07263626A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=6510739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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