JPH07262081A - デ−タ変換装置 - Google Patents

デ−タ変換装置

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JPH07262081A
JPH07262081A JP7002197A JP219795A JPH07262081A JP H07262081 A JPH07262081 A JP H07262081A JP 7002197 A JP7002197 A JP 7002197A JP 219795 A JP219795 A JP 219795A JP H07262081 A JPH07262081 A JP H07262081A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 多数のルックアップテ−ブルを利用してデ−
タを変換するデ−タ変換装置を提供する。 【構成】 少なくとも2つ以上のルックアップテ−ブル
を順次に参照して、入力デ−タおよびルックアップテ−
プ別に選択された変換レベルに対応する変換された出力
デ−タを発生するデ−タ変換装置において、デ−タ変換
モ−ドの数に対応する少なくとも2つ以上のルックアッ
プテ−ブルをブロック単位で貯蔵し、前記各ブロックは
当該変換モ−ドで規定された変換レベルの数に対応する
多数のサブルックアップテ−ブルを含む1つのメモリ素
子と、入力デ−タとメモリ素子から読み出された出力デ
−タとのうちで選択されたデ−タと、各変換モ−ドで選
択された変換レベルデ−タによって前記メモリ素子をア
クセスするためのアドレスを発生し、前記メモリ素子に
貯蔵されたルックアップテ−ブルの数に対応する回数ほ
ど反復的に前記アドレスを発生するアドレス発生手段と
を含む。 【効果】 これにより、メモリ素子の体積を最小化して
デ−タ変換装置の小型化が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像デ−タ,音声デ−
タなどのような入力デ−タを使用者の要求に応じて変換
するデ−タ変換装置に係り、特に入力デ−タに対応する
変換用のデ−タからなる多数のルックアップテ−ブル
(LOOK-UP-TABLE ;以下LUTという)を利用してデ−
タを変換するデ−タ変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】カラ−プリンタ−,ファクシミリなどの
ような画像出力装置がLUTを利用して、明るさ,コン
トラスト,チルトなどに対する画質補償を遂行する場
合、画像出力装置は各補償モ−ドに応じて規定される画
質補償のためのLUTを別のメモリ素子に貯蔵して利用
せねばならない。例えば、3種類の補償モ−ドで画質補
償を遂行せねばならない場合には、3種類のLUTを貯
蔵する3つのメモリ素子が必要である。
【0003】図1は従来のカラ−プリンタ−においてL
UTを利用したデ−タ変換装置のブロック図である。第
1,第2および第3ROM(12,14,16)は、変
換モ−ド別のLUTデ−タを貯蔵するメモリ素子であ
り、第1,第2および第3ラッチ(11,13,15)
は、各ラッチに入力されるデ−タをクロック信号に応じ
て出力されるようにラッチし、第1および第2ディレイ
17,18は、各ROM出力端に連結されたラッチ1
3,15を制御するための遅延されたクロック信号を発
生する。
【0004】入力デ−タ101が周期的に入力される
と、入力デ−タ101は第1ラッチ11にラッチされ
る。第1ラッチ11は、クロック信号110に応じてラ
ッチされたデ−タを第1ROM12に出力し、出力デ−
タ102は第1ROM12の下位アドレスとなる。第1
条件デ−タ107は、第1ROM12に貯蔵されたLU
Tに対する変換レベルを決定するデ−タであり、第1R
OM12の上位アドレスとなる。すなわち、第1ROM
12をアクセスするためのアドレスは、下位アドレスで
ある第1ラッチ11の出力デ−タ102および上位アド
レスである第1条件デ−タ107からなり、第1ROM
12から出力されるデ−タ103は、入力デ−タ101
および第1条件デ−タ107に応じて第1LUTにより
変換されたデ−タである。
【0005】第1ディレイ17はクロック信号110を
第1ROM12による入出力間の遅延時間ほど遅延さ
せ、遅延されたクロック信号111を発生して第2ラッ
チ13に出力する。第1ROM12の出力に連結された
第2ラッチ13は、ラッチされた第1ROM12からの
出力デ−タ103を遅延されたクロック信号111によ
り第2ROM14に出力する。第2ROM14をアクセ
スするためのアドレスは、下位アドレスである第2ラッ
チ13の出力デ−タ104および上位アドレスである第
2条件デ−タ108からなり、第2ROM14から出力
されるデ−タ105は、第1LUTによって1次に変換
されたデ−タ104および第2条件デ−タ108に応じ
て第2LUTによって2次に変換されたデ−タである。
【0006】前述したような過程で第2ディレイ18,
第3ラッチ15および第3ROM16が動作して、2次
に変換されたデ−タ106および第3条件デ−タ109
に応じて第3ROM16の第3LUTにより3次に変換
されたデ−タ113が最終的に出力される。第1,第2
および第3条件デ−タ107,108,109とROM
12,14,16に貯蔵されたLUTとの関係を説明す
れば、次の通りである。第1条件デ−タ107は、第1
LUTの変換モ−ドに対する変換レベルを決定する条件
デ−タであり、通常使用者により外部から与えられるデ
−タである。例えば、入力デ−タが8ビットからなる画
像デ−タであり、第1ROM12に貯蔵された第1LU
Tは、画像の明るさのレベルを調整するためのLUTで
あり、その明るさのレベルは4段階に調整できる場合、
入力デ−タの種類は28 、すなわち0から255までの
256個であり、第1LUTはレベル段階別に256バ
イト(256×8ビット)のデ−タからなり、第1条件
デ−タは4段階を示すために、2ビットデ−タからな
る。
【0007】図2(A)ないし(C)は従来のデ−タ変
換装置に使用されたROMのデ−タ貯蔵形態を示したも
のである。各LUTは各変換モ−ドで4レベルに調整す
ることができ、各ROMのメモリ容量は4つの領域に分
割され、レベルによる変換デ−タが各分割された領域に
貯蔵される。前述したように、従来の技術によるデ−タ
変換装置は、必要なLUT数と同一のROM素子を互い
に直列に連結し、各ROMに貯蔵されたLUTデ−タを
順次に読み出すことにより、デ−タ変換を遂行する。一
般に、ROM周辺制御回路に含まれる多くの素子は、エ
−シック(ASIC)などにより1つにチップに小型化
できるが、LUTを貯蔵するROMは必要に応じて、そ
の内容の変更を考慮して、エ−シックの内部に含まれな
い。
【0008】よって、変換モ−ドの種類によるLUT数
に対応して、それぞれ別のメモリ素子を具備しなければ
ならないために、装置の小型化が制限され、要求される
ハ−ドウェア量とコストとが増加する問題点があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多数
のLUTを1つのメモリ素子に貯蔵して、デ−タを変換
することができるデ−タ変換装置を提供することであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるデ−タ変換装置は、少なくとも2つ以
上のルックアップテ−ブルを順次に参照して、入力デ−
タおよびルックアップテ−プ別に選択された変換レベル
に対応する変換された出力デ−タを発生するデ−タ変換
装置において、デ−タ変換モ−ドの数に対応する少なく
とも2つ以上のルックアップテ−ブルをブロック単位で
貯蔵し、前記各ブロックは当該変換モ−ドで規定された
変換レベルの数に対応する多数のサブルックアップテ−
ブルを含む1つのメモリ素子と、入力デ−タとメモリ素
子から読み出された出力デ−タとのうちで選択されたデ
−タと、各変換モ−ドでの変換レベルを選択するデ−タ
によって前記メモリ素子をアクセスするためのアドレス
を発生し、前記メモリ素子に貯蔵されたルックアップテ
−ブルの数に対応する回数ほど反復的に前記アドレスを
発生するアドレス発生手段とを含むことを特徴とする。
【0011】
【作用】多数のLUTを1つのメモリ素子に貯蔵し、こ
れを利用したデ−タ変換装置を提供することにより、メ
モリ素子の体積を最小化してデ−タ変換装置の小型化を
実現する。
【0012】
【実施例】以下、添付した図面に基づいて本発明の実施
例を詳細に説明する。図3は本発明によるデ−タ変換装
置に適用されるメモリ素子のデ−タ貯蔵形態を示したも
のである。メモリ素子の全体メモリ容量は、変換モ−ド
の種類に応じて要求されるLUTの数に対応するブロッ
クに分割され、各分割されたブロックのメモリ容量は、
当該LUTの変換レベルの数に対応する小ブロックに分
割される。変換のためのデ−タは、当該変換モ−ドおよ
び変換レベルに応じて、分割されたブロックおよび小ブ
ロックに貯蔵される。
【0013】本実施例は、入力デ−タが8ビットからな
る画像デ−タであり、各LUTは画質調整のための変換
モ−ド(例えば、明るさ,コントラストなど)により規
定され、変換レベルは各変換モ−ドで画質を4段階に調
整できる場合である。無論、本発明の適用において、入
力デ−タのビット数、変換モ−ドの種類又は変換レベル
の数などが本実施例と異なると、それによりメモリ素子
のブロックおよび小ブロックのメモリ容量を適切に分割
できる。そして、各LUTが占めるべきメモリ容量が相
異なる場合には、各LUTに対するメモリブロックを互
いに同じ容量に分割したり、又はメモリ容量の効率的な
使用を図るために、可変的に分割することができる。後
者の場合には、メモリ容量の可変的な構成により追加さ
れるデ−タアドレッシングなどの問題を考慮しなければ
ならない。
【0014】また、メモリ素子に貯蔵されるLUTデ−
タは、画質補償のためのデ−タだけでなく、音質補償の
ためのデ−タおよび温度補償のためのデ−タなど、本発
明が適用される機器に応じて必要な、様々な変換デ−タ
を含む。図4は本発明によるデ−タ変換装置のブロック
図である。デ−タ変換装置は、図3に示した形態であ
り、複数のLUTを貯蔵するROM49,変換モ−ドに
応じて順次にLUTを選択するための第1アドレス45
3を発生する第1アドレス発生部45,変換レベルに応
じて第1アドレス453により選択されたLUT内の小
ブロックを選択するための第2アドレス433を発生す
る第2アドレス発生部43,第1および第2アドレス4
53,433によって選択された小ブロック内の変換デ
−タを選択するための第3アドレス413を発生する第
3アドレス発生部41,そしてROM49に入力される
第1,第2および第3アドレス453,533,413
の同期を合わせるための同期信号473を発生する同期
制御部47とからなる。
【0015】クロック信号451は、1つの入力デ−タ
411が入力された際からROM49に貯蔵された全て
のLUTによってデ−タ変換され最終的に変換されたデ
−タが出力されるまでの時間と同一の周期を有するパル
ス信号である。クロック信号451は、入力デ−タ41
1と同期されており、第1アドレス発生部45および同
期制御部47に入力され、ROM49をアクセスするア
ドレス455,433,413の同期を合わせる。
【0016】第1アドレス発生部45は、クロック信号
451を入力してROM49に貯蔵されたLUTを順次
に選択するための第1アドレス453を発生する。第2
アドレス発生部43は、各LUT毎に定められた変換レ
ベルを決定する条件デ−タ431に応じて、第1アドレ
ス453によって選択されたLUT内で小ブロックを選
択するための第2アドレス433を発生する。そして、
第3アドレス発生部41は、入力デ−タ411および帰
還された出力デ−タ493を入力して、選択された小ブ
ロック内で変換デ−タを選択するための第3アドレス4
13を発生する。すなわち、第1LUTによりデ−タを
変換する際には入力デ−タ411が、その他の場合には
帰還された出力デ−タ493が第3アドレス413とし
て発生する。よって、ROM49のデ−タをアクセスす
るためのアドレスは、第1,第2および第3アドレス4
53,433,413の順に上位アドレスとなる。
【0017】図5は図4に示したデ−タ変換装置の詳細
なブロック図である。本実施例は、ROM59に3つの
LUTが貯蔵された場合である。第1アドレス発生部5
1は、入力されるクロック信号561の1周期の間4つ
のパルスを発生するカウンタ551からなり、発生した
信号550は、ROM59,第2マックス(MUX)531
およびデコ−ダ515に出力される。
【0018】第2アドレス発生部53は、カウンタ55
1から入力されるパルス信号550に応じて3つの条件
デ−タ541,542,543のうちで1つのデ−タを
選択して出力(545)する3ツ1マックス(3 to 1
MUX)からなる第2マックス531、及び第2マックス
531から出力されたデ−タ545をラッチし、ラッチ
されたデ−タを同期信号570に応じてROM59に出
力する第2ラッチ532からなる。
【0019】第3アドレス発生部51は、カウンタ55
1から入力されるパルス信号550に応じて第1マック
ス511を制御するための信号525を発生するデコ−
ダ515,入力デ−タ521および帰還された出力デ−
タ590が入力され、デコ−ダ515から発生した制御
信号525に応じて2つの入力信号521,590のう
ちで1つの信号を選択して出力(523)する2ツ1マ
ックス(2 to 1 MUX)からなる第1マックス511、
及び第1マックス511から出力されたデ−タ523を
ラッチし、ラッチされたデ−タを同期信号570に応じ
てROM59に出力する第1ラッチ513からなる。
【0020】同期制御部57は、クロック信号561を
ROM59のデ−タアクセスタイムによって定められる
遅延時間ほど遅延して出力する第1,第2および第3デ
ィレイ571,572,573および、クロック信号5
61と遅延された信号582,583,584とを論理
ORして同期信号570を発生するOR回路575から
なる。発生した同期信号570は、第2アドレス発生部
53の第2ラッチ532と第3アドレス発生部51の第
1ラッチ513とに入力される。
【0021】図6は図5に示したデ−タ変換装置の動作
を説明するためのタイミング図であり、図5に示した参
照記号と関連して、タイミング順序に応じてその動作を
順次に説明する。図6(A)はクロック信号561、図
6(B)は入力デ−タ信号521、図6(C)は同期信
号570、図6(D)はカウンタ551から出力される
第1アドレス信号550、図6(E)は第1ラッチ51
3から出力される第3アドレス信号510、図6(F)
は第2ラッチ532から出力される第2アドレス信号5
30、図6(G)は第1ディレイ571の出力信号58
2、図6(H)は第2ディレイ572の出力信号58
3、そして図6(I)は第3ディレイ573の出力信号
584の波形図である。
【0022】同期信号570は、クロック信号561の
入力に応じてクロック信号561およびクロック信号5
61より所定時間ほどずつ遅延された第1,第2および
第3遅延信号582,583,584を論理ORして生
成され、入力デ−タ信号521の1周期の間に4つのパ
ルスが発生して、ROM59に入力されるアドレスの同
期を一致させるために用いられる。
【0023】同期信号570の1周期での動作は次の通
りである。カウンタ551は、クロック信号によりRO
M59の第1LUTをアクセスするための第1アドレス
信号550を出力する。第2マックス531は、第1L
UTの変換レベルに対する第1条件デ−タ541を選択
して第2ラッチ532に出力し、ラッチされたデ−タ
は、ROM59をアクセスするための第2アドレス信号
530として出力される。デコ−ダ515は、第1マッ
クス511にして入力デ−タ521を選択せしめるよう
にするための制御信号を発生し、第1マックス511
は、デコ−ダ515の制御信号に応じて入力デ−タ52
1を選択して第1ラッチ513に出力し、ラッチされた
デ−タはROM59をアクセスするための第3アドレス
信号510として出力される。よって、第1,第2およ
び第3アドレス信号550,530,510によりRO
M59の第1LUTのデ−タをアクセスして、入力デ−
タ521は第1LUTによって変換され、変換された第
1変換デ−タ590は第1マックス511に帰還・入力
される。
【0024】同期信号の第2周期での動作は次の通りで
ある。カウンタ551は、クロック信号によりROM5
9の第2LUTをアクセスするための第1アドレス信号
550を出力する。第2マックス531は、第2LUT
の変換レベルに対する第2条件デ−タ542を選択して
第2ラッチ532に出力し、ラッチされたデ−タはRO
M59をアクセスするための第2アドレス信号530と
して出力される。デコ−ダ515は、第1マックス51
1にして帰還された第1変換デ−タ590を選択せしめ
るための制御信号を発生し、第1マックス511はデコ
−ダ515の制御信号により帰還された第1変換デ−タ
590を選択して第1ラッチ513に出力し、ラッチさ
れたデ−タはROM59をアクセスするための第3アド
レス信号510として出力される。したがって、第1,
第2および第3アドレス信号550,530,510に
よりROM59の第2LUTのデ−タをアクセスして、
帰還された第1変換デ−タは第2LUTによって変換さ
れ、変換された第2変換デ−タは第1マックス511に
再び帰還・入力される。
【0025】同期信号の第3周期での動作は、同期信号
の第2周期での動作と同様であり、第1,第2および第
3アドレス信号550,530,510によりROM5
9の第3LUTのデ−タをアクセスして、帰還された第
2変換デ−タは第3LUTにより変換され、変換された
第3変換デ−タは第1マックス511に再び帰還・入力
される。
【0026】同期信号の第4周期で、第1マックス51
1は帰還された第3変換デ−タ590を選択して第1ラ
ッチ513に出力し、ラッチされたデ−タは最終変換さ
れたデ−タとして出力(510)される。本実施例によ
ると、クロック信号の1周期の間に入力デ−タが全ての
LUTにより順次に変換され最終出力デ−タが発生す
る。よって、デ−タ変換のためのLUTの種類が増える
と、出力デ−タを帰還させて全てのLUTを通じてデ−
タを変換しなければならないために、クロックの周期が
ROMの遅延時間に比例して増加する。しかしながら、
このような問題点は、使用するROMのアクセスタイム
を減らすことにより解決され得る。
【0027】
【発明の効果】前述したように、本発明によると、多数
のLUTを1つのメモリ素子に貯蔵し、これを利用した
デ−タ変換装置を提供することにより、メモリ素子の体
積を最小化してデ−タ変換装置の小型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のデ−タ変換装置のブロック図である。
【図2】図1に関連したROMのデ−タ構成図である。
【図3】本発明によるROMのデ−タ構成図である。
【図4】本発明によるデ−タ変換装置のブロック図であ
る。
【図5】図4に示したデ−タ変換装置の詳細なブロック
図である。
【図6】図5に示したデ−タ変換装置の動作を説明する
ためのタイミング図である。
【符号の説明】
41 第3アドレス発生器 43 第2アドレス発生器 45 第1アドレス発生器 47 同期制御部 49 ROM 59 ROM 511 第1マックス 513 第1ラッチ 515 デコ−ダ 531 第2マックス 532 第2ラッチ 551 カウンタ 571 第1ディレイ 572 第2ディレイ 573 第3ディレイ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも2つ以上のルックアップテ−
    ブルを順次に参照して、入力デ−タおよびルックアップ
    テ−プ別に選択された変換レベルに対応する変換された
    出力デ−タを発生するデ−タ変換装置において、 デ−タ変換モ−ドの数に対応する少なくとも2つ以上の
    ルックアップテ−ブルをブロック単位で貯蔵し、前記各
    ブロックは当該変換モ−ドで規定された変換レベルの数
    に対応する多数のサブルックアップテ−ブルを含む1つ
    のメモリ素子と、 入力デ−タとメモリ素子から読み出された出力デ−タと
    のうちで選択されたデ−タと、 各変換モ−ドで選択された変換レベルデ−タによって前
    記メモリ素子をアクセスするためのアドレスを発生し、
    前記メモリ素子に貯蔵されたルックアップテ−ブルの数
    に対応する回数ほど反復的に前記アドレスを発生するア
    ドレス発生手段とを含むことを特徴とするデ−タ変換装
    置。
  2. 【請求項2】 前記アドレス発生手段は、 前記メモリ素子に貯蔵されたルックアップテ−ブルを順
    次に選択するための第1アドレスを発生する第1アドレ
    ス発生手段と、 前記選択されたルックアップテ−ブルに該当する変換モ
    −ドでの変換レベルに対応するサブルックアップテ−ブ
    ルを選択するための第2アドレスを発生する第2アドレ
    ス発生手段と、 入力デ−タおよびメモリ素子から読み出された出力デ−
    タが入力され、前記入力デ−タが第1変換モ−ドにより
    変換される際には入力デ−タに対応する変換デ−タを、
    そして第1変換モ−ド以外の変換モ−ドにより変換され
    る際には前記メモリ素子から読み出された出力デ−タに
    対応する変換デ−タを選択するための第3アドレスを発
    生する第3アドレス発生手段と、 前記発生した第1,第2および第3アドレスの同期を合
    わせて、前記メモリ素子のデ−タをアクセスするための
    同期信号を発生する同期信号発生手段とを含むことを特
    徴とする請求項1項記載のデ−タ変換装置。
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