JPH0725927A - オレフィンの重合法 - Google Patents
オレフィンの重合法Info
- Publication number
- JPH0725927A JPH0725927A JP17553293A JP17553293A JPH0725927A JP H0725927 A JPH0725927 A JP H0725927A JP 17553293 A JP17553293 A JP 17553293A JP 17553293 A JP17553293 A JP 17553293A JP H0725927 A JPH0725927 A JP H0725927A
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- Japan
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- component
- general formula
- compound
- polymerization
- hydrocarbon residue
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実質的に溶媒の不存在下にオレフィンの重合
を行ったときに、高活性でしかもＭＦＲ≧５０でも高立
体規則性の重合体が製造できる。 【構成】 下記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）からなる
触媒の存在下、実質的に溶媒の不存在下にオレフィンを
重合する方法。成分（Ａ）＝成分（Ａ1 ）及び（Ａ2 ）
の接触生成物。成分（Ａ1 ）＝Ｔｉ、Ｍｇ及びハロゲン
並びにＲ1 Ｒ2 3- n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n を含有する固体、
成分（Ａ2 ）＝（ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ 4 m Ｘ4-m-n
で表わされるビニルシラン。成分（Ｂ）＝ＡｌＲ5 3 、
成分（Ｃ）＝アルモキサン。 【効果】 上記目的が達成される。
を行ったときに、高活性でしかもＭＦＲ≧５０でも高立
体規則性の重合体が製造できる。 【構成】 下記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）からなる
触媒の存在下、実質的に溶媒の不存在下にオレフィンを
重合する方法。成分（Ａ）＝成分（Ａ1 ）及び（Ａ2 ）
の接触生成物。成分（Ａ1 ）＝Ｔｉ、Ｍｇ及びハロゲン
並びにＲ1 Ｒ2 3- n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n を含有する固体、
成分（Ａ2 ）＝（ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ 4 m Ｘ4-m-n
で表わされるビニルシラン。成分（Ｂ）＝ＡｌＲ5 3 、
成分（Ｃ）＝アルモキサン。 【効果】 上記目的が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オレフィンの重合法に
関するものである。更に詳しくは、本発明は、実質的に
溶媒の不存在下に、特定の触媒を用いてオレフィンの重
合を行うと、重合時に電子供与性化合物（外部ドナー）
の存在の有無にかかわらず、高い重合活性でかつ立体規
則性の優れた重合体を製造することができる、オレフィ
ンの重合法に関するものである。
関するものである。更に詳しくは、本発明は、実質的に
溶媒の不存在下に、特定の触媒を用いてオレフィンの重
合を行うと、重合時に電子供与性化合物（外部ドナー）
の存在の有無にかかわらず、高い重合活性でかつ立体規
則性の優れた重合体を製造することができる、オレフィ
ンの重合法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン、マグネシウム、ハロゲン
および必要に応じて電子供与性化合物を含有する固定成
分と、有機アルミニウム化合物および必要に応じて電子
供与性化合物から成るオレフィン重合用触媒により、高
収率で（すなわち、触媒活性が高い）、高立体規則性を
有する重合体を製造することができることが知られてい
る。最近、ポリオレフィン重合体を成型するときには、
経済性の観点から成型サイクルの向上のため成型スピー
ドの向上が要求されている。そのためには、重合体の分
子量が小さいことが必要となるが、その分子量が小さい
ときでも従来通りの高立体規則性が必要となる。高立体
規則性のポリオレフィン重合体でないと、成形材料とし
て必要な充分な性能、例えば剛性が得られ難いからであ
る。しかしながら、従来知られている触媒では、分子量
の比較的大きい（例えば、ＭＦＲ＝１）重合体の製造の
ときは高立体規則性を有する重合体が得られるが、分子
量の小さい（例えばＭＦＲ＝５０以上）ものを製造する
条件では、高立体規則性重合体を得ることが困難な場合
が多い。特に、実質的に溶媒を用いない気相重合等にお
いては、生成重合体の立体規則性がスラリー重合等に比
較して低下する場合が多い。そこで、上記問題点を解決
するために、例えば外部ドナーとしての電子供与性化合
物を多量に使用する方法が考えられるが、その場合は、
活性の大巾低下や触媒のコスト上昇等の問題点が避け難
い。
および必要に応じて電子供与性化合物を含有する固定成
分と、有機アルミニウム化合物および必要に応じて電子
供与性化合物から成るオレフィン重合用触媒により、高
収率で（すなわち、触媒活性が高い）、高立体規則性を
有する重合体を製造することができることが知られてい
る。最近、ポリオレフィン重合体を成型するときには、
経済性の観点から成型サイクルの向上のため成型スピー
ドの向上が要求されている。そのためには、重合体の分
子量が小さいことが必要となるが、その分子量が小さい
ときでも従来通りの高立体規則性が必要となる。高立体
規則性のポリオレフィン重合体でないと、成形材料とし
て必要な充分な性能、例えば剛性が得られ難いからであ
る。しかしながら、従来知られている触媒では、分子量
の比較的大きい（例えば、ＭＦＲ＝１）重合体の製造の
ときは高立体規則性を有する重合体が得られるが、分子
量の小さい（例えばＭＦＲ＝５０以上）ものを製造する
条件では、高立体規則性重合体を得ることが困難な場合
が多い。特に、実質的に溶媒を用いない気相重合等にお
いては、生成重合体の立体規則性がスラリー重合等に比
較して低下する場合が多い。そこで、上記問題点を解決
するために、例えば外部ドナーとしての電子供与性化合
物を多量に使用する方法が考えられるが、その場合は、
活性の大巾低下や触媒のコスト上昇等の問題点が避け難
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】実質的に溶媒を用いな
いでチーグラー型触媒の存在下オレフィン重合を行った
ときに、高活性でしかも比較的重合体の分子量が小さ
い、例えばＭＦＲで５０以上の、ときでも立体規則性の
高い重合体が製造できること。
いでチーグラー型触媒の存在下オレフィン重合を行った
ときに、高活性でしかも比較的重合体の分子量が小さ
い、例えばＭＦＲで５０以上の、ときでも立体規則性の
高い重合体が製造できること。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題に解
決を与えることを目的とし、各種触媒成分について検討
を行い本発明を完成した。即ち、本発明は、下記成分
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）からなる触媒の存在下、実質
的に溶媒の不存在下にオレフィンを重合する、ことを特
徴とするものである。 成分（Ａ）：下記の成分（Ａ1 ）及び（Ａ2 ）を接触さ
せて得られる固体成分、 成分（Ａ1 ）：チタン、マグネシウムおよびハロゲンを
必須成分として含有し、かつ下記の一般式で表わされる
ケイ素化合物を実質的にその形で含有してなるオレフィ
ンの立体規則性重合用固体触媒成分、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）、 成分（Ａ2 ）：下記の一般式で表わされるビニルシラン
化合物、 一般式 （ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ4 m Ｘ4-m-n （ここで、Ｒ4 は炭化水素残基を、Ｘは水素またはハロ
ゲン原子を、ｍは０≦ｍ≦３、ｎは１≦ｎ≦２、かつ１
≦ｍ＋ｎ≦４を、それぞれ示す）、 成分（Ｂ）：下記の一般式で表わされる有機アルミニウ
ム化合物、 一般式 ＡｌＲ5 3 （ここで、Ｒ5 は水素または炭素数１〜２０の炭化水素
残基を示し、複数あるＲ 5 は同一でも異っていてもよ
い）、 成分（Ｃ）：アルモキサン。
決を与えることを目的とし、各種触媒成分について検討
を行い本発明を完成した。即ち、本発明は、下記成分
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）からなる触媒の存在下、実質
的に溶媒の不存在下にオレフィンを重合する、ことを特
徴とするものである。 成分（Ａ）：下記の成分（Ａ1 ）及び（Ａ2 ）を接触さ
せて得られる固体成分、 成分（Ａ1 ）：チタン、マグネシウムおよびハロゲンを
必須成分として含有し、かつ下記の一般式で表わされる
ケイ素化合物を実質的にその形で含有してなるオレフィ
ンの立体規則性重合用固体触媒成分、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）、 成分（Ａ2 ）：下記の一般式で表わされるビニルシラン
化合物、 一般式 （ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ4 m Ｘ4-m-n （ここで、Ｒ4 は炭化水素残基を、Ｘは水素またはハロ
ゲン原子を、ｍは０≦ｍ≦３、ｎは１≦ｎ≦２、かつ１
≦ｍ＋ｎ≦４を、それぞれ示す）、 成分（Ｂ）：下記の一般式で表わされる有機アルミニウ
ム化合物、 一般式 ＡｌＲ5 3 （ここで、Ｒ5 は水素または炭素数１〜２０の炭化水素
残基を示し、複数あるＲ 5 は同一でも異っていてもよ
い）、 成分（Ｃ）：アルモキサン。
【０００５】発明の具体的説明 本発明の方法に用いるオレフィン重合用触媒は、特定の
成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）よりなるものである。こ
こで「よりなる」ということは、成分が挙示のもの、即
ち、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）のみであるということを
意味するものではなく、合目的的な第三成分の共存を排
除しない。 成分（Ａ）：本発明に用いる成分（Ａ）は、下記の成分
（Ａ1 ）及び成分（Ａ 2 ）を接触させて得られる固体成
分である。成分（Ａ1 ） ：チタン、マグネシウムおよびハロゲンを
必須成分として含有し、かつ下記の一般式で表わされる
ケイ素化合物を実質的にその形で含有してなるオレフィ
ンの立体規則性重合用固体触媒成分、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）、 成分（Ａ2 ）：下記の一般式で表わされるビニルシラン
化合物、 一般式 （ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ4 m Ｘ4-m-n （ここで、Ｒ4 は炭化水素残基を、Ｘは水素またはハロ
ゲン原子を、ｍは０≦ｍ≦３、ｎは１≦ｎ≦２、かつ１
≦ｍ＋ｎ≦４を、それぞれ示す）。
成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）よりなるものである。こ
こで「よりなる」ということは、成分が挙示のもの、即
ち、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）のみであるということを
意味するものではなく、合目的的な第三成分の共存を排
除しない。 成分（Ａ）：本発明に用いる成分（Ａ）は、下記の成分
（Ａ1 ）及び成分（Ａ 2 ）を接触させて得られる固体成
分である。成分（Ａ1 ） ：チタン、マグネシウムおよびハロゲンを
必須成分として含有し、かつ下記の一般式で表わされる
ケイ素化合物を実質的にその形で含有してなるオレフィ
ンの立体規則性重合用固体触媒成分、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）、 成分（Ａ2 ）：下記の一般式で表わされるビニルシラン
化合物、 一般式 （ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ4 m Ｘ4-m-n （ここで、Ｒ4 は炭化水素残基を、Ｘは水素またはハロ
ゲン原子を、ｍは０≦ｍ≦３、ｎは１≦ｎ≦２、かつ１
≦ｍ＋ｎ≦４を、それぞれ示す）。
【０００６】本発明において使用される成分（Ａ1 ）の
マグネシウム源となるマグネシウム化合物としては、マ
グネシウムジハライド、ジアルコキシマグネシウム、ア
ルコキシマグネシウムハライド、マグネシウムオキシハ
ライド、ジアルキルマグネシウム、酸化マグネシウム、
水酸化マグネシウム、マグネシウムのカルボン酸塩等が
あげられる。これらの中でもマグネシウムジハライドが
好ましい。また、成分（Ａ1 ）のチタン源となるチタン
化合物は、一般式Ｔｉ（ＯＲ6 ） 4-r Ｘr （ここで、Ｒ
6 は炭化水素残基、好ましくは炭素数１〜１０程度のも
の、であり、Ｘはハロゲンを示し、ｒは０≦ｒ≦４の数
を示す。）で表わされる化合物があげられる。具体例と
しては、ＴｉＣｌ4 、ＴｉＢｒ4 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ 5 ）
Ｃｌ3 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ2 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 Ｃｌ、Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3 Ｈ7 ）Ｃｌ3 、Ｔｉ（Ｏ
−ｎＣ4 Ｈ9 ）Ｃｌ3 、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ4 Ｈ 9 ）2 Ｃｌ
2 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｂｒ3 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
（ＯＣ4 Ｈ9 ） 2 Ｃｌ、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ4 Ｈ9 ）3 Ｃ
ｌ、Ｔｉ（Ｏ−Ｃ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ4 Ｈ
9 ）2 Ｃｌ2 、Ｔｉ（ＯＣ5 Ｈ11）Ｃｌ3 、Ｔｉ（ＯＣ
6 Ｈ13）Ｃｌ3 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−ｎ
Ｃ3 Ｈ7 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ4 Ｈ 9 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−
ｉＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ6 Ｈ13）4 、Ｔｉ（Ｏ
−ｎＣ8 Ｈ17）4 、Ｔｉ〔ＯＣＨ2 ＣＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃ
4 Ｈ9 〕4 などが挙げられる。これらのチタン化合物の
中でもＴｉＣｌ4 、Ｔｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｔｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）Ｃｌ3 等が好ましい。
マグネシウム源となるマグネシウム化合物としては、マ
グネシウムジハライド、ジアルコキシマグネシウム、ア
ルコキシマグネシウムハライド、マグネシウムオキシハ
ライド、ジアルキルマグネシウム、酸化マグネシウム、
水酸化マグネシウム、マグネシウムのカルボン酸塩等が
あげられる。これらの中でもマグネシウムジハライドが
好ましい。また、成分（Ａ1 ）のチタン源となるチタン
化合物は、一般式Ｔｉ（ＯＲ6 ） 4-r Ｘr （ここで、Ｒ
6 は炭化水素残基、好ましくは炭素数１〜１０程度のも
の、であり、Ｘはハロゲンを示し、ｒは０≦ｒ≦４の数
を示す。）で表わされる化合物があげられる。具体例と
しては、ＴｉＣｌ4 、ＴｉＢｒ4 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ 5 ）
Ｃｌ3 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ2 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 Ｃｌ、Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3 Ｈ7 ）Ｃｌ3 、Ｔｉ（Ｏ
−ｎＣ4 Ｈ9 ）Ｃｌ3 、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ4 Ｈ 9 ）2 Ｃｌ
2 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｂｒ3 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
（ＯＣ4 Ｈ9 ） 2 Ｃｌ、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ4 Ｈ9 ）3 Ｃ
ｌ、Ｔｉ（Ｏ−Ｃ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ4 Ｈ
9 ）2 Ｃｌ2 、Ｔｉ（ＯＣ5 Ｈ11）Ｃｌ3 、Ｔｉ（ＯＣ
6 Ｈ13）Ｃｌ3 、Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−ｎ
Ｃ3 Ｈ7 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ4 Ｈ 9 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−
ｉＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｔｉ（Ｏ−ｎＣ6 Ｈ13）4 、Ｔｉ（Ｏ
−ｎＣ8 Ｈ17）4 、Ｔｉ〔ＯＣＨ2 ＣＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃ
4 Ｈ9 〕4 などが挙げられる。これらのチタン化合物の
中でもＴｉＣｌ4 、Ｔｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｔｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）Ｃｌ3 等が好ましい。
【０００７】成分（Ａ1 ）中に含まれるハロゲンは、上
述のマグネシウムおよび（または）チタンのハロゲン化
合物から供給されるのが普通であるが、他のハロゲン
源、たとえばアルミニウムのハロゲン化合物やケイ素の
ハロゲン化物、リンのハロゲン化物といった公知のチタ
ンのハロゲン化合物以外のハロゲン化剤から供給するこ
ともできる。触媒成分中に含まれるハロゲンは、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素またはこれらの混合物であって
もよく、特に塩素が好ましい。
述のマグネシウムおよび（または）チタンのハロゲン化
合物から供給されるのが普通であるが、他のハロゲン
源、たとえばアルミニウムのハロゲン化合物やケイ素の
ハロゲン化物、リンのハロゲン化物といった公知のチタ
ンのハロゲン化合物以外のハロゲン化剤から供給するこ
ともできる。触媒成分中に含まれるハロゲンは、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素またはこれらの混合物であって
もよく、特に塩素が好ましい。
【０００８】そして、本発明による成分（Ａ）は、特定
の一般式で表わされるケイ素化合物をも実質的にその形
で含有してなるものである。ここで、「実質的にその形
で含有してなる」ということは、成分（Ａ）をガスクロ
マトグラフィで分析すればそこに含まれているケイ素化
合物が実質的に当該一般式で示される構造のものである
ことが確認できるということを意味する。さて、本発明
で成分（Ａ）を製造するために使用されるケイ素化合物
は、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）で表わされるものである。このケ
イ素化合物は、本式の化合物の複数種の混合物であって
もよい。
の一般式で表わされるケイ素化合物をも実質的にその形
で含有してなるものである。ここで、「実質的にその形
で含有してなる」ということは、成分（Ａ）をガスクロ
マトグラフィで分析すればそこに含まれているケイ素化
合物が実質的に当該一般式で示される構造のものである
ことが確認できるということを意味する。さて、本発明
で成分（Ａ）を製造するために使用されるケイ素化合物
は、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）で表わされるものである。このケ
イ素化合物は、本式の化合物の複数種の混合物であって
もよい。
【０００９】ここで、Ｒ1 が分岐脂肪族炭化水素残基で
ある場合は、ケイ素原子に隣接する炭素原子から分岐し
ているものが好ましい。その場合の分岐基は、アルキル
基、シクロアルキル基またはアリール基（たとえば、フ
ェニル基またはメチル置換フェニル基）であることが好
ましい。さらに好ましいＲ1 は、ケイ素原子に隣接する
炭素原子、すなわちα−位炭素原子、が２級または３級
の炭素原子であるものである。とりわけ、ケイ素原子に
結合している炭素原子が３級のものが好ましい。Ｒ1 が
分岐脂肪族炭化水素残基である場合の炭素数は通常３〜
２０、好ましくは４〜１０、である。また、Ｒ1 が脂環
式炭化水素残基である場合の炭素数は通常５〜２０、好
ましくは５〜１０である。Ｒ2 は、Ｒ1 と同一もしくは
異なる炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、の分岐ま
たは直鎖状の飽和脂肪族炭化水素残基であることがふつ
うである。Ｒ3 は脂肪族炭化水素残基、好ましくは炭素
数１〜１０の脂肪族炭化水素残基、であることがふつう
である。
ある場合は、ケイ素原子に隣接する炭素原子から分岐し
ているものが好ましい。その場合の分岐基は、アルキル
基、シクロアルキル基またはアリール基（たとえば、フ
ェニル基またはメチル置換フェニル基）であることが好
ましい。さらに好ましいＲ1 は、ケイ素原子に隣接する
炭素原子、すなわちα−位炭素原子、が２級または３級
の炭素原子であるものである。とりわけ、ケイ素原子に
結合している炭素原子が３級のものが好ましい。Ｒ1 が
分岐脂肪族炭化水素残基である場合の炭素数は通常３〜
２０、好ましくは４〜１０、である。また、Ｒ1 が脂環
式炭化水素残基である場合の炭素数は通常５〜２０、好
ましくは５〜１０である。Ｒ2 は、Ｒ1 と同一もしくは
異なる炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、の分岐ま
たは直鎖状の飽和脂肪族炭化水素残基であることがふつ
うである。Ｒ3 は脂肪族炭化水素残基、好ましくは炭素
数１〜１０の脂肪族炭化水素残基、であることがふつう
である。
【００１０】本発明で使用できるケイ素化合物の具体例
は、下記の通りである。（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）
（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3 ）
2 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）
（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨＳｉ（Ｃ
Ｈ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ）2
Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ
（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2
ＣＳｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳ
ｉ（ＯＣＨ3 ）3 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
3 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＣＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、（Ｃ
Ｈ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 、（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＣＨ（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（（ＣＨ3 ）3 Ｃ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 、（Ｃ
2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、（ＣＨ
3 ）3 ＣＳｉ（Ｏ−ｔＣ4 Ｈ9 ）（ＯＣＨ3 ）2 、
は、下記の通りである。（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）
（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3 ）
2 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）
（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨＳｉ（Ｃ
Ｈ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ）2
Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ
（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2
ＣＳｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳ
ｉ（ＯＣＨ3 ）3 、（ＣＨ3 ）3 ＣＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
3 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＣＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、（Ｃ
Ｈ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 、（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＣＨ（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（（ＣＨ3 ）3 Ｃ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 、（Ｃ
2 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 ＣＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、（ＣＨ
3 ）3 ＣＳｉ（Ｏ−ｔＣ4 Ｈ9 ）（ＯＣＨ3 ）2 、
【００１１】（ｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（ｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉＣ
4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）2 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）（ＣＨ3 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）（ｉＣ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ6 Ｈ11）Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ6 Ｈ
11）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ6 Ｈ11）（ｉＣ
4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉＣ4 Ｈ9 ）（ｓｅｃ
Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉＣ4 Ｈ9 ）（ｉＣ
3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣ5 Ｈ11）2 、ＨＣ（ＣＨ3 ）2 Ｃ
（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、ＨＣ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｃ（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ＨＣ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｃ（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、
（ｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉＣ
4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）2 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）（ＣＨ3 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
2 、（Ｃ5 Ｈ9 ）（ｉＣ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ6 Ｈ11）Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ6 Ｈ
11）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ6 Ｈ11）（ｉＣ
4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉＣ4 Ｈ9 ）（ｓｅｃ
Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉＣ4 Ｈ9 ）（ｉＣ
3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣ5 Ｈ11）2 、ＨＣ（ＣＨ3 ）2 Ｃ
（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3 ）2 、ＨＣ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｃ（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ＨＣ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｃ（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、
【００１２】
【化１】
【００１３】さらに、この固体成分、成分（Ａ）、を製
造する場合に、公知の電子供与体を内部ドナーとして使
用して製造することもできる。この固体成分の製造に利
用できる電子供与体（内部ドナー）としては、アルコー
ル類、フェノール類、ケトン類、アルデヒド類、カルボ
ン酸類、有機酸または無機酸類のエステル類、エーテル
類、酸アミド類、酸無水物類のような含酸素電子供与
体、アンモニア、アミン、ニトリル、イソシアネートの
ような含窒素電子供与体などを例示することができる。
これらの電子供与体は、二種以上用いることができる。
これらの中で好ましいのは有機酸エステルおよび酸ハラ
イドであり、特に好ましいのはフタル酸エステル、酢酸
セロソルブエステルおよびフタル酸ハライドである。
造する場合に、公知の電子供与体を内部ドナーとして使
用して製造することもできる。この固体成分の製造に利
用できる電子供与体（内部ドナー）としては、アルコー
ル類、フェノール類、ケトン類、アルデヒド類、カルボ
ン酸類、有機酸または無機酸類のエステル類、エーテル
類、酸アミド類、酸無水物類のような含酸素電子供与
体、アンモニア、アミン、ニトリル、イソシアネートの
ような含窒素電子供与体などを例示することができる。
これらの電子供与体は、二種以上用いることができる。
これらの中で好ましいのは有機酸エステルおよび酸ハラ
イドであり、特に好ましいのはフタル酸エステル、酢酸
セロソルブエステルおよびフタル酸ハライドである。
【００１４】上記任意成分（イ）及び（ロ）は、１種又
は２種以上を組合せて使用することができる。これらの
任意成分を使用すると、本発明の効果はより大きくな
る。成分（Ａ1 ）製造 成分（Ａ1 ）は、成分（Ａ1 ）を構成する各成分を、又
は必要により上記任意成分を段階的にあるいは一時に相
互に接触させ、その中間および（または）最後に有機溶
媒、たとえば炭化水素またはハロ炭化水素で洗浄するこ
とによって製造することができる。その場合に、Ｔｉ、
Ｍｇおよびハロゲンを必須成分とする固体生成物を先ず
製造し、それを前記一般式のケイ素化合物と接触させる
方式（いわば二段法）によることもできるし、Ｔｉ、Ｍ
ｇおよびハロゲンを必須成分とする固体生成物をつくる
過程で既にこのケイ素化合物を存在させることによって
一挙に成分（Ａ1 ）を製造する方法（いわば一段法）に
よることも可能である。好ましい方式は前者である。上
述の成分（Ａ1 ）を構成する各成分の接触条件は、本発
明の効果が認められるかぎり任意のものでありうるが、
一般的には次の条件が好ましい。接触温度は、−５０〜
２００℃程度、好ましくは０〜１００℃、である。接触
方法としては、回転ボールミル、振動ミル、ジェットミ
ル、媒体撹拌粉砕機などによる機械的な方法、不活性希
釈剤の存在下に撹拌により接触させる方法などがあげら
れる。このとき使用する不活性希釈剤としては、脂肪族
または芳香族の炭化水素およびハロ炭化水素、ポリシロ
キサン等があげられる。
は２種以上を組合せて使用することができる。これらの
任意成分を使用すると、本発明の効果はより大きくな
る。成分（Ａ1 ）製造 成分（Ａ1 ）は、成分（Ａ1 ）を構成する各成分を、又
は必要により上記任意成分を段階的にあるいは一時に相
互に接触させ、その中間および（または）最後に有機溶
媒、たとえば炭化水素またはハロ炭化水素で洗浄するこ
とによって製造することができる。その場合に、Ｔｉ、
Ｍｇおよびハロゲンを必須成分とする固体生成物を先ず
製造し、それを前記一般式のケイ素化合物と接触させる
方式（いわば二段法）によることもできるし、Ｔｉ、Ｍ
ｇおよびハロゲンを必須成分とする固体生成物をつくる
過程で既にこのケイ素化合物を存在させることによって
一挙に成分（Ａ1 ）を製造する方法（いわば一段法）に
よることも可能である。好ましい方式は前者である。上
述の成分（Ａ1 ）を構成する各成分の接触条件は、本発
明の効果が認められるかぎり任意のものでありうるが、
一般的には次の条件が好ましい。接触温度は、−５０〜
２００℃程度、好ましくは０〜１００℃、である。接触
方法としては、回転ボールミル、振動ミル、ジェットミ
ル、媒体撹拌粉砕機などによる機械的な方法、不活性希
釈剤の存在下に撹拌により接触させる方法などがあげら
れる。このとき使用する不活性希釈剤としては、脂肪族
または芳香族の炭化水素およびハロ炭化水素、ポリシロ
キサン等があげられる。
【００１５】成分（Ａ1 ）を構成する各成分の使用量は
本発明の効果が認められるかぎり任意のものでありうる
が、一般的には次の範囲内が好ましい。チタン化合物の
使用量は、使用するマグネシウム化合物の使用量に対し
てモル比で１×１０-4〜１０００の範囲内がよく、好ま
しくは０．０１〜１０の範囲内である。ハロゲン源とし
てそのための化合物を使用する場合は、その使用量はチ
タン化合物および（または）マグネシウム化合物がハロ
ゲンを含む、含まないにかかわらず、使用するマグネシ
ウムの使用量に対してモル比で１×１０-2〜１０００の
範囲内がよく、好ましくは０．１〜１００の範囲内であ
る。ケイ素化合物の使用量は、成分（Ａ1 ）を構成する
チタン成分に対するケイ素の原子比（ケイ素／チタン）
で０．０１〜１０００、好ましくは０．１〜１００、の
範囲内である。電子供与性化合物を使用するときのその
使用量は、上記のマグネシウム化合物の使用量に対して
モル比で１×１０-3〜１０の範囲内がよく、好ましくは
０．０１〜５の範囲内である。
本発明の効果が認められるかぎり任意のものでありうる
が、一般的には次の範囲内が好ましい。チタン化合物の
使用量は、使用するマグネシウム化合物の使用量に対し
てモル比で１×１０-4〜１０００の範囲内がよく、好ま
しくは０．０１〜１０の範囲内である。ハロゲン源とし
てそのための化合物を使用する場合は、その使用量はチ
タン化合物および（または）マグネシウム化合物がハロ
ゲンを含む、含まないにかかわらず、使用するマグネシ
ウムの使用量に対してモル比で１×１０-2〜１０００の
範囲内がよく、好ましくは０．１〜１００の範囲内であ
る。ケイ素化合物の使用量は、成分（Ａ1 ）を構成する
チタン成分に対するケイ素の原子比（ケイ素／チタン）
で０．０１〜１０００、好ましくは０．１〜１００、の
範囲内である。電子供与性化合物を使用するときのその
使用量は、上記のマグネシウム化合物の使用量に対して
モル比で１×１０-3〜１０の範囲内がよく、好ましくは
０．０１〜５の範囲内である。
【００１６】成分（Ａ1 ）は、上述のチタン源、マグネ
シウム源、ハロゲン源及びケイ素化合物、ならびに必要
により電子供与体等の他成分を用いて、たとえば以下の
ような製造法により製造される。 （イ）ハロゲン化マグネシウムと必要に応じて電子供与
体とケイ素化合物とチタン含有化合物とを接触させる方
法。 （ロ）アルミナまたはマグネシアをハロゲン化リン化合
物で処理し、それにハロゲン化マグネシウム、電子供与
体、ケイ素化合物、チタンハロゲン含有化合物を接触さ
せる方法。 （ハ）ハロゲン化マグネシウムとチタンテトラアルコキ
シドおよび特定のポリマーケイ素化合物を接触させて得
られる固体成分に、チタンハロゲン化合物および（また
は）ケイ素のハロゲン化合物と、ケイ素化合物と必要に
応じて電子供与体を接触させる方法。このポリマーケイ
素化合物としては、下式で示されるものが適当である。
シウム源、ハロゲン源及びケイ素化合物、ならびに必要
により電子供与体等の他成分を用いて、たとえば以下の
ような製造法により製造される。 （イ）ハロゲン化マグネシウムと必要に応じて電子供与
体とケイ素化合物とチタン含有化合物とを接触させる方
法。 （ロ）アルミナまたはマグネシアをハロゲン化リン化合
物で処理し、それにハロゲン化マグネシウム、電子供与
体、ケイ素化合物、チタンハロゲン含有化合物を接触さ
せる方法。 （ハ）ハロゲン化マグネシウムとチタンテトラアルコキ
シドおよび特定のポリマーケイ素化合物を接触させて得
られる固体成分に、チタンハロゲン化合物および（また
は）ケイ素のハロゲン化合物と、ケイ素化合物と必要に
応じて電子供与体を接触させる方法。このポリマーケイ
素化合物としては、下式で示されるものが適当である。
【００１７】
【化２】 （ここで、Ｒ7 は炭素数１〜１０程度の炭化水素残基、
ｑはこのポリマーケイ素化合物の粘度が１〜１００セン
チストークス程度となるような重合度を示す）具体的に
は、メチルハイドロジエンポリシロキサン、エチルハイ
ドロジエンポリシロキサン、フェニルハイドロジエンポ
リシロキサン、シクロヘキシルハイドロジエンポリシロ
キサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペ
ンタシロキサン等が好ましい。
ｑはこのポリマーケイ素化合物の粘度が１〜１００セン
チストークス程度となるような重合度を示す）具体的に
は、メチルハイドロジエンポリシロキサン、エチルハイ
ドロジエンポリシロキサン、フェニルハイドロジエンポ
リシロキサン、シクロヘキシルハイドロジエンポリシロ
キサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペ
ンタシロキサン等が好ましい。
【００１８】（ニ）マグネシウム化合物をチタンテトラ
アルコキシドおよび電子供与体で溶解させて、ハロゲン
化剤またはチタンハロゲン化合物で析出させた固体成分
に、チタン化合物及びケイ素化合物を接触させる方法。 （ホ）グリニャール試薬等の有機マグネシウム化合物を
ハロゲン化剤、還元剤等と作用させた後、これに必要に
応じて電子供与体とケイ素化合物とチタン化合物とを接
触させ得る方法。 （ヘ）アルコキシマグネシウム化合物にハロゲン化剤お
よび（または）チタン化合物を電子供与体の存在もしく
は不存在下に接触させる方法。 これらの製造法の中でも（イ）、（ハ）および（ニ）が
好ましい。
アルコキシドおよび電子供与体で溶解させて、ハロゲン
化剤またはチタンハロゲン化合物で析出させた固体成分
に、チタン化合物及びケイ素化合物を接触させる方法。 （ホ）グリニャール試薬等の有機マグネシウム化合物を
ハロゲン化剤、還元剤等と作用させた後、これに必要に
応じて電子供与体とケイ素化合物とチタン化合物とを接
触させ得る方法。 （ヘ）アルコキシマグネシウム化合物にハロゲン化剤お
よび（または）チタン化合物を電子供与体の存在もしく
は不存在下に接触させる方法。 これらの製造法の中でも（イ）、（ハ）および（ニ）が
好ましい。
【００１９】成分（Ａ2 ）：本発明に用いられる成分
（Ａ2 ）のビニルシラン化合物の具体例としては、ＣＨ
2 ＝ＣＨ−ＳｉＨ3 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＨ2 （Ｃ
Ｈ3 ）、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＨ（ＣＨ3 ）2 、ＣＨ2 ＝
ＣＨ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＣｌ3 、
ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＣｌ2 （ＣＨ3 ）、ＣＨ2 ＝ＣＨ−
ＳｉＣｌ（ＣＨ3 ）Ｈ、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＣｌ（Ｃ2
Ｈ5 ）2 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、ＣＨ2
＝ＣＨ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ＣＨ2 ＝ＣＨ
−Ｓｉ（Ｃ6 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−Ｓｉ
（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ3 ）、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）
（ＣＨ3 ）2 −Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2 ）、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）2 ＳｉＣｌ2 、（ＣＨ2 ＝Ｃ
Ｈ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 等、を例示することができる。
これらのうちでは、酸素を含有しないビニルシラン、更
には、ジビニルシラン、即ちｎ＝２が０≦ｍ≦２のビニ
ルシラン化合物が好ましい。特に好ましくは、（ＣＨ2
＝ＣＨ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）2 Ｓｉ
（ＣＨ3 ）Ｃｌ、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）2 ＳｉＣｌ2 、（Ｃ
Ｈ2 ＝ＣＨ）2 Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 である。
（Ａ2 ）のビニルシラン化合物の具体例としては、ＣＨ
2 ＝ＣＨ−ＳｉＨ3 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＨ2 （Ｃ
Ｈ3 ）、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＨ（ＣＨ3 ）2 、ＣＨ2 ＝
ＣＨ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＣｌ3 、
ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＣｌ2 （ＣＨ3 ）、ＣＨ2 ＝ＣＨ−
ＳｉＣｌ（ＣＨ3 ）Ｈ、ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＳｉＣｌ（Ｃ2
Ｈ5 ）2 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、ＣＨ2
＝ＣＨ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ＣＨ2 ＝ＣＨ
−Ｓｉ（Ｃ6 Ｈ5 ）（ＣＨ3 ）2 、ＣＨ2 ＝ＣＨ−Ｓｉ
（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ3 ）、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）
（ＣＨ3 ）2 −Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2 ）、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）2 ＳｉＣｌ2 、（ＣＨ2 ＝Ｃ
Ｈ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 等、を例示することができる。
これらのうちでは、酸素を含有しないビニルシラン、更
には、ジビニルシラン、即ちｎ＝２が０≦ｍ≦２のビニ
ルシラン化合物が好ましい。特に好ましくは、（ＣＨ2
＝ＣＨ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）2 Ｓｉ
（ＣＨ3 ）Ｃｌ、（ＣＨ2 ＝ＣＨ）2 ＳｉＣｌ2 、（Ｃ
Ｈ2 ＝ＣＨ）2 Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 である。
【００２０】成分（Ａ）の製造：本発明に用いる成分
（Ａ）は、上記の成分（Ａ1 ）と成分（Ａ2 ）を接触さ
せて得られる固体成分である。成分（Ａ1 ）と成分（Ａ
2 ）の接触条件は、本発明の効果が認められるかぎり任
意のものでありうるが、一般的には、次の条件が好まし
い。接触温度は、−５０〜２００℃程度、好ましくは０
〜１００℃、である。接触方法としては、回転ボールミ
ル、振動ミル、ジェットミル、媒体撹拌粉砕機などによ
る機械的な方法、不活性希釈剤の存在下に、撹拌により
接触させる方法などがあげられる。このとき使用する不
活性希釈剤としては、脂肪族または芳香族の炭化水素お
よびハロ炭化水素、ポリシロキサン等があげられる。成
分（Ａ2 ）のビニルシラン化合物の使用量は、成分（Ａ
1 ）を構成するチタン成分に対するモル比で０．００１
〜１０００の範囲内でよく、さらに好ましくは０．０１
〜１００の範囲内である。ケイ素、アルミニウムおよび
ホウ素化合物を使用するときの使用量は、上記のマグネ
シウム化合物の使用量に対してモル比で１×１０-3〜１
００の範囲内がよく、好ましくは０．０１〜１の範囲内
である。
（Ａ）は、上記の成分（Ａ1 ）と成分（Ａ2 ）を接触さ
せて得られる固体成分である。成分（Ａ1 ）と成分（Ａ
2 ）の接触条件は、本発明の効果が認められるかぎり任
意のものでありうるが、一般的には、次の条件が好まし
い。接触温度は、−５０〜２００℃程度、好ましくは０
〜１００℃、である。接触方法としては、回転ボールミ
ル、振動ミル、ジェットミル、媒体撹拌粉砕機などによ
る機械的な方法、不活性希釈剤の存在下に、撹拌により
接触させる方法などがあげられる。このとき使用する不
活性希釈剤としては、脂肪族または芳香族の炭化水素お
よびハロ炭化水素、ポリシロキサン等があげられる。成
分（Ａ2 ）のビニルシラン化合物の使用量は、成分（Ａ
1 ）を構成するチタン成分に対するモル比で０．００１
〜１０００の範囲内でよく、さらに好ましくは０．０１
〜１００の範囲内である。ケイ素、アルミニウムおよび
ホウ素化合物を使用するときの使用量は、上記のマグネ
シウム化合物の使用量に対してモル比で１×１０-3〜１
００の範囲内がよく、好ましくは０．０１〜１の範囲内
である。
【００２１】成分（Ｂ）：下記の一般式で表わされる有
機アルミニウム化合物である。 一般式 ＡｌＲ5 3 （ここで、Ｒ5 は水素または炭素数１〜２０、好ましく
は２〜１０の炭化水素残基を示し、複数あるＲ5 は同一
でも異っていてもよい）。好ましい有機アルミニウム化
合物としては、トリアルキルアルミニウムが挙げられ
る。具体例としては、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、（Ａｌ（Ｃ2
Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ｎＣ3 Ｈ7 ）3 、Ａｌ（ｉＣ3 Ｈ7 ）
3 、Ａｌ（ｎＣ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（ｉＣ4 Ｈ9 ）3 、Ａ
ｌ（ｎＣ6 Ｈ13）3 、Ａｌ（ｎＣ8 Ｈ17）3 、Ａｌ（ｎ
Ｃ10Ｈ21）3 、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｈ、Ａｌ（ｉＣ4 Ｈ
9 ）2 Ｈ、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ3 Ｈ7 ）、Ａｌ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 （ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）、Ａｌ（Ｃ6 Ｈ13）2 Ｈ、
等があげられる。これらの中で好ましくは、Ａｌ（Ｃ2
Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ｉＣ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（ｎＣ3 Ｈ7 ）
3 、Ａｌ（ｎＣ3 Ｈ13） 3 、等である。
機アルミニウム化合物である。 一般式 ＡｌＲ5 3 （ここで、Ｒ5 は水素または炭素数１〜２０、好ましく
は２〜１０の炭化水素残基を示し、複数あるＲ5 は同一
でも異っていてもよい）。好ましい有機アルミニウム化
合物としては、トリアルキルアルミニウムが挙げられ
る。具体例としては、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、（Ａｌ（Ｃ2
Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ｎＣ3 Ｈ7 ）3 、Ａｌ（ｉＣ3 Ｈ7 ）
3 、Ａｌ（ｎＣ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（ｉＣ4 Ｈ9 ）3 、Ａ
ｌ（ｎＣ6 Ｈ13）3 、Ａｌ（ｎＣ8 Ｈ17）3 、Ａｌ（ｎ
Ｃ10Ｈ21）3 、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｈ、Ａｌ（ｉＣ4 Ｈ
9 ）2 Ｈ、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ3 Ｈ7 ）、Ａｌ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 （ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）、Ａｌ（Ｃ6 Ｈ13）2 Ｈ、
等があげられる。これらの中で好ましくは、Ａｌ（Ｃ2
Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ｉＣ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（ｎＣ3 Ｈ7 ）
3 、Ａｌ（ｎＣ3 Ｈ13） 3 、等である。
【００２２】成分（Ｃ）：成分（Ｃ）はアルモキサンで
ある。アルモキサンは一種類のトリアルキルアルミニウ
ムまたは二種類以上のトリアルキルアルミニウムと水と
の反応により得られる生成物である。具体的には一種類
のトリアルキルアルミニウムから得られるメチルアルモ
キサン、エチルアルモキサン、ブチルアルモキサン、イ
ソブチルアルモキサン等、および二種類のトリアルキル
アルミニウムと水とから得られるメチルエチルアルモキ
サン、メチルブチルアルモキサン、メチルイソブチルア
ルモキサン等が例示される。これらのアルモキサンを複
数種併用することも可能であり、トリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニ
ウム、ジメチルアルミニウムクロリド等の他のアルキル
アルミニウムと併用することも可能である。また、二種
類のアルモキサンあるいは一種類のアルモキサンと他の
有機アルミニウム化合物とを反応させることにより、変
成されたアルモキサンを用いることも可能である。これ
らの中で好ましいものは、メチルアルモキサン、イソブ
チルアルモキサン、メチルイソブチルアルモキサンおよ
びこれらのアルモキサンとトリアルキルアルミニウムの
混合物が用いられる。特に好ましいのはメチルアルモキ
サン、エチルアルモキサン、メチルイソブチルアルモキ
サン、イソブチルアルモキサンである。
ある。アルモキサンは一種類のトリアルキルアルミニウ
ムまたは二種類以上のトリアルキルアルミニウムと水と
の反応により得られる生成物である。具体的には一種類
のトリアルキルアルミニウムから得られるメチルアルモ
キサン、エチルアルモキサン、ブチルアルモキサン、イ
ソブチルアルモキサン等、および二種類のトリアルキル
アルミニウムと水とから得られるメチルエチルアルモキ
サン、メチルブチルアルモキサン、メチルイソブチルア
ルモキサン等が例示される。これらのアルモキサンを複
数種併用することも可能であり、トリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニ
ウム、ジメチルアルミニウムクロリド等の他のアルキル
アルミニウムと併用することも可能である。また、二種
類のアルモキサンあるいは一種類のアルモキサンと他の
有機アルミニウム化合物とを反応させることにより、変
成されたアルモキサンを用いることも可能である。これ
らの中で好ましいものは、メチルアルモキサン、イソブ
チルアルモキサン、メチルイソブチルアルモキサンおよ
びこれらのアルモキサンとトリアルキルアルミニウムの
混合物が用いられる。特に好ましいのはメチルアルモキ
サン、エチルアルモキサン、メチルイソブチルアルモキ
サン、イソブチルアルモキサンである。
【００２３】これらのアルモキサンは公知の様々の条件
下に調製することができる。具体的には以下の様な方法
が例示できる。 （イ）トリアルキルアルミニウムをトルエン、ベンゼ
ン、エーテル等の適当な有機溶剤を用いて直接水と反応
させる方法、（ロ）トリアルキルアルミニウムと結晶水
を有する塩水和物、例えば硫酸銅、硫酸アルミニウムの
水和物と反応させる方法、（ハ）トリアルキルアルミニ
ウムとシリカゲル等に含浸させた水分とを反応させる方
法、（ニ）トリメチルアルミニウムとトリイソブチルア
ルミニウムを混合し、トルエン、ベンゼン、エーテル等
の適当な有機溶剤を用いて直接水と反応させる方法、
（ホ）トリメチルアルミニウムと、トリイソブチルアル
ミニウムを混合し、結晶水を有する塩水和物、例えば硫
酸銅、硫酸アルミニウムの水和物、と加熱反応させる方
法、（ヘ）シリカゲル等に水分を含浸させ、トリイソブ
チルアルミニウムで処理した後、トリメチルアルミニウ
ムで追加処理する方法、（ト）メチルアルモキサンおよ
びイソブチルアルモキサンを公知の方法で合成し、これ
ら二成分を所定量混合し、加熱反応させる方法。
下に調製することができる。具体的には以下の様な方法
が例示できる。 （イ）トリアルキルアルミニウムをトルエン、ベンゼ
ン、エーテル等の適当な有機溶剤を用いて直接水と反応
させる方法、（ロ）トリアルキルアルミニウムと結晶水
を有する塩水和物、例えば硫酸銅、硫酸アルミニウムの
水和物と反応させる方法、（ハ）トリアルキルアルミニ
ウムとシリカゲル等に含浸させた水分とを反応させる方
法、（ニ）トリメチルアルミニウムとトリイソブチルア
ルミニウムを混合し、トルエン、ベンゼン、エーテル等
の適当な有機溶剤を用いて直接水と反応させる方法、
（ホ）トリメチルアルミニウムと、トリイソブチルアル
ミニウムを混合し、結晶水を有する塩水和物、例えば硫
酸銅、硫酸アルミニウムの水和物、と加熱反応させる方
法、（ヘ）シリカゲル等に水分を含浸させ、トリイソブ
チルアルミニウムで処理した後、トリメチルアルミニウ
ムで追加処理する方法、（ト）メチルアルモキサンおよ
びイソブチルアルモキサンを公知の方法で合成し、これ
ら二成分を所定量混合し、加熱反応させる方法。
【００２４】本発明に用いる成分（Ｃ）のアルモキサン
は、重合度の低いものが好ましく、具体的には重合度が
２〜１０程度のもの、さらに好ましくは重合度が２〜６
のものが好ましい。成分（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれの使
用量は、本発明の効果が認められるかぎり任意のもので
ありうるが、一般的には、次の範囲内が好ましい。成分
（Ｂ）および成分（Ｃ）の成分（Ａ）に対する使用量
は、重量比で０．１〜１０００、好ましくは、１〜１０
０、の範囲内である。また、成分（Ｂ）と成分（Ｃ）の
使用量は、成分（Ｂ）に対する成分（Ｃ）の重量比で
０．０１〜１００の範囲内でよく、特に０．１〜１０の
範囲内が好ましい。
は、重合度の低いものが好ましく、具体的には重合度が
２〜１０程度のもの、さらに好ましくは重合度が２〜６
のものが好ましい。成分（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれの使
用量は、本発明の効果が認められるかぎり任意のもので
ありうるが、一般的には、次の範囲内が好ましい。成分
（Ｂ）および成分（Ｃ）の成分（Ａ）に対する使用量
は、重量比で０．１〜１０００、好ましくは、１〜１０
０、の範囲内である。また、成分（Ｂ）と成分（Ｃ）の
使用量は、成分（Ｂ）に対する成分（Ｃ）の重量比で
０．０１〜１００の範囲内でよく、特に０．１〜１０の
範囲内が好ましい。
【００２５】重合：本発明における重合法は、実質的に
溶媒の不存在下にオレフィンを重合する方法である。重
合方法としては、連続重合、回分式重合、半回分式重
合、多段重合、等いかなる方法でもよい。重合温度とし
ては、室温から１２０℃程度、好ましくは５０℃〜１０
０℃程度である。重合圧力は常圧から５０ｋｇ／ｃｍ2
程度、である。重合熱を除去するために液状の易揮発性
炭化水素、たとえばプロパン、ブタン、イソペンタン等
を供給して重合帯域中で気化させてもよい。
溶媒の不存在下にオレフィンを重合する方法である。重
合方法としては、連続重合、回分式重合、半回分式重
合、多段重合、等いかなる方法でもよい。重合温度とし
ては、室温から１２０℃程度、好ましくは５０℃〜１０
０℃程度である。重合圧力は常圧から５０ｋｇ／ｃｍ2
程度、である。重合熱を除去するために液状の易揮発性
炭化水素、たとえばプロパン、ブタン、イソペンタン等
を供給して重合帯域中で気化させてもよい。
【００２６】オレフィン：本発明の触媒系で重合するα
−オレフィン類は、一般式Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ2 （ここでＲ
は炭素数１〜１０の炭化水素残基であり、分枝基を有し
てもよい。）で表わされるものである。具体的には、プ
ロピレン、ブテン−１、ペンテン−１、ヘキセン−１、
１，４−メチルペンテン−１などのα−オレフィン類が
ある。これらのα−オレフィンの単独重合のほかに、共
重合、たとえばプロピレンに対して３０重量％までの上
記オレフィン及び（または）エチレンとの共重合を行う
ことができる。特に好ましい共重合は、プロピレンとエ
チレンのランダム又はブロック共重合である。
−オレフィン類は、一般式Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ2 （ここでＲ
は炭素数１〜１０の炭化水素残基であり、分枝基を有し
てもよい。）で表わされるものである。具体的には、プ
ロピレン、ブテン−１、ペンテン−１、ヘキセン−１、
１，４−メチルペンテン−１などのα−オレフィン類が
ある。これらのα−オレフィンの単独重合のほかに、共
重合、たとえばプロピレンに対して３０重量％までの上
記オレフィン及び（または）エチレンとの共重合を行う
ことができる。特に好ましい共重合は、プロピレンとエ
チレンのランダム又はブロック共重合である。
【００２７】
実施例−１ 〔成分（Ａ）の製造〕充分に窒素置換したフラスコに脱
水および脱酸素したｎ−ヘプタン２００ミリリットルを
導入し、次いでＭｇＣｌ2 を０．４モル、Ｔｉ（Ｏ−ｎ
Ｃ4 Ｈ9 ）4を０．８モル導入し、９５℃で２時間反応
させた。反応終了後、４０℃に温度を下げ、次いでメチ
ルヒドロポリシロキサン（２０センチストークスのも
の）を４８ミリリットル導入し、３時間反応させた。生
成した固体成分をｎ−ヘプタンで洗浄した。ついで充分
に窒素置換したフラスコに上記と同様に精製したｎ−ヘ
プタンを５０ミリリットル導入し、上記で合成した固体
成分をＭｇ原子換算で０．２４モル導入した。ついでｎ
−ヘプタン２５ミリリットルにＳｉＣｌ4 ０．４モル
を混合して３０℃、３０分間でフラスコへ導入し、７０
℃で３時間反応させた。反応終了後、ｎ−ヘプタンで洗
浄した。次いでｎ−ヘプタン２５ミリリットルにフタル
酸クロライド０．０２４モルを混合して、７０℃、３０
分間でフラスコへ導入し、９０℃で１時間反応させた。
反応終了後、ｎ−ヘプタンで洗浄した。次いでＳｉＣｌ
4 １０ミリリットルを導入して８０℃で６時間反応さ
せた。反応終了後、ｎ−ヘプタンで充分に洗浄して成分
（Ａ）を製造するための固体成分とした。このもののチ
タン含量は、１．２４重量％であった。
水および脱酸素したｎ−ヘプタン２００ミリリットルを
導入し、次いでＭｇＣｌ2 を０．４モル、Ｔｉ（Ｏ−ｎ
Ｃ4 Ｈ9 ）4を０．８モル導入し、９５℃で２時間反応
させた。反応終了後、４０℃に温度を下げ、次いでメチ
ルヒドロポリシロキサン（２０センチストークスのも
の）を４８ミリリットル導入し、３時間反応させた。生
成した固体成分をｎ−ヘプタンで洗浄した。ついで充分
に窒素置換したフラスコに上記と同様に精製したｎ−ヘ
プタンを５０ミリリットル導入し、上記で合成した固体
成分をＭｇ原子換算で０．２４モル導入した。ついでｎ
−ヘプタン２５ミリリットルにＳｉＣｌ4 ０．４モル
を混合して３０℃、３０分間でフラスコへ導入し、７０
℃で３時間反応させた。反応終了後、ｎ−ヘプタンで洗
浄した。次いでｎ−ヘプタン２５ミリリットルにフタル
酸クロライド０．０２４モルを混合して、７０℃、３０
分間でフラスコへ導入し、９０℃で１時間反応させた。
反応終了後、ｎ−ヘプタンで洗浄した。次いでＳｉＣｌ
4 １０ミリリットルを導入して８０℃で６時間反応さ
せた。反応終了後、ｎ−ヘプタンで充分に洗浄して成分
（Ａ）を製造するための固体成分とした。このもののチ
タン含量は、１．２４重量％であった。
【００２８】充分に窒素置換したフラスコに充分に精製
したｎ−ヘプタンを５０ミリリットル導入し、次いで上
記で得た固体成分を５グラム導入し、任意成分としてジ
ビニルジメトキシシランを０．５ミリリットル、ケイ素
化合物として（ｔ−Ｂｕ）（ｎＰｒ）Ｓｉ（ＯＭｅ）2
を１．２ｍｌ、ＡｌＥｔ3 を１．７ｇそれぞれ導入し、
更にこれにジビニルベンゼン１０ｇを加え５０℃で２時
間接触させた。接触終了後、ｎ−ヘプタンで充分に洗浄
し成分（Ａ）とした。
したｎ−ヘプタンを５０ミリリットル導入し、次いで上
記で得た固体成分を５グラム導入し、任意成分としてジ
ビニルジメトキシシランを０．５ミリリットル、ケイ素
化合物として（ｔ−Ｂｕ）（ｎＰｒ）Ｓｉ（ＯＭｅ）2
を１．２ｍｌ、ＡｌＥｔ3 を１．７ｇそれぞれ導入し、
更にこれにジビニルベンゼン１０ｇを加え５０℃で２時
間接触させた。接触終了後、ｎ−ヘプタンで充分に洗浄
し成分（Ａ）とした。
【００２９】〔プロピレンの気相重合〕特開昭５７−７
３０１１号公報記載の実施例−１に開示されている気相
重合用装置を使用し装置内に充分に精製したポリプロピ
レン粉末を装入し、続いて、成分（Ｂ）としてトリエチ
ルアルミニウム５０ミリグラム、成分（Ｃ）としてテト
ラエチルアルモキサン〔Ａｌ（Ｅｔ）2 ＯＡｌ（Ｅｔ）
2 〕を１５０ミリグラム、上記で製造した成分（Ａ）を
６０ミリグラムそれぞれ導入した。次いで水素ガスを１
５００ミリリットル導入し、７５℃でプロピレンの導入
を開始し、全圧７ｋｇ／ｃｍ2 、７５℃で３時間重合を
行った。その結果、２９６グラムのポリマーが得られ、
ＭＦＲ＝９６ｇ／１０分、沸騰ヘプタン抽出試験によ
り、Ｉ．Ｉ＝９７．５ｗｔ％、ポリマー嵩比重＝０．４
１ｇ／ｃｃであった。
３０１１号公報記載の実施例−１に開示されている気相
重合用装置を使用し装置内に充分に精製したポリプロピ
レン粉末を装入し、続いて、成分（Ｂ）としてトリエチ
ルアルミニウム５０ミリグラム、成分（Ｃ）としてテト
ラエチルアルモキサン〔Ａｌ（Ｅｔ）2 ＯＡｌ（Ｅｔ）
2 〕を１５０ミリグラム、上記で製造した成分（Ａ）を
６０ミリグラムそれぞれ導入した。次いで水素ガスを１
５００ミリリットル導入し、７５℃でプロピレンの導入
を開始し、全圧７ｋｇ／ｃｍ2 、７５℃で３時間重合を
行った。その結果、２９６グラムのポリマーが得られ、
ＭＦＲ＝９６ｇ／１０分、沸騰ヘプタン抽出試験によ
り、Ｉ．Ｉ＝９７．５ｗｔ％、ポリマー嵩比重＝０．４
１ｇ／ｃｃであった。
【００３０】実施例−２ 〔成分（Ａ）の製造〕充分に窒素置換した内容積０．４
リットルのボールミルに、内径１．６ｍｍのスチール製
ボールを２３個導入し、無水ＭｇＣｌ2 を２０グラム
（ｔ−Ｂｕ）（ｎＰｒ）（Ｏｍｅ）2 を３．８ｍｌ、Ｔ
ｉＣｌ4 を１．５ｍｌをそれぞれ導入し、２０℃の雰囲
気で、４８時間粉砕した。粉砕終了後、ミルより取り出
し、成分（Ａ）のための固体成分とした。次いで充分に
精製した窒素で置換した５００ｍｌのフラスコに、充分
に精製したｎ−ヘプタンを１００ｍｌ、上記の固体成分
を５グラム、ビニルトリクロロシランを０．５ｍｌ導入
し、５０℃で２時間接触させた。接触終了後、ｎ−ヘプ
タンで充分に洗浄し、成分（Ａ）とした。これを組成分
析したところ、チタン含量＝２．１ｗｔ％、（ｔ−Ｂ
ｕ）（ｎＰｒ）Ｓｉ（ＯＭｅ）2 含量＝９．６ｗｔ％で
あった。
リットルのボールミルに、内径１．６ｍｍのスチール製
ボールを２３個導入し、無水ＭｇＣｌ2 を２０グラム
（ｔ−Ｂｕ）（ｎＰｒ）（Ｏｍｅ）2 を３．８ｍｌ、Ｔ
ｉＣｌ4 を１．５ｍｌをそれぞれ導入し、２０℃の雰囲
気で、４８時間粉砕した。粉砕終了後、ミルより取り出
し、成分（Ａ）のための固体成分とした。次いで充分に
精製した窒素で置換した５００ｍｌのフラスコに、充分
に精製したｎ−ヘプタンを１００ｍｌ、上記の固体成分
を５グラム、ビニルトリクロロシランを０．５ｍｌ導入
し、５０℃で２時間接触させた。接触終了後、ｎ−ヘプ
タンで充分に洗浄し、成分（Ａ）とした。これを組成分
析したところ、チタン含量＝２．１ｗｔ％、（ｔ−Ｂ
ｕ）（ｎＰｒ）Ｓｉ（ＯＭｅ）2 含量＝９．６ｗｔ％で
あった。
【００３１】〔プロピレンの重合〕実施例−１の重合条
件において、成分（Ａ）の使用量は４５ｍｇとし、成分
（Ｂ）としてトリイソブチルアルミニウムを２５ミリグ
ラム、成分（Ｃ）としてヘキサイソブチルアルモキサン
１７５ミリグラムを使用し、重合温度を７０℃とし、水
素ガスの導入量を１０００ミリリットルにした以外は、
実施例−１と全く同様にプロピレンの重合を行った。そ
の結果、２０６グラムのポリマーが得られ、ＭＦＲ＝３
３ｇ／１０分、Ｉ．Ｉ＝９６．３ｗｔ％、ポリマー嵩比
重＝０．４０ｇ／ｃｃであった。
件において、成分（Ａ）の使用量は４５ｍｇとし、成分
（Ｂ）としてトリイソブチルアルミニウムを２５ミリグ
ラム、成分（Ｃ）としてヘキサイソブチルアルモキサン
１７５ミリグラムを使用し、重合温度を７０℃とし、水
素ガスの導入量を１０００ミリリットルにした以外は、
実施例−１と全く同様にプロピレンの重合を行った。そ
の結果、２０６グラムのポリマーが得られ、ＭＦＲ＝３
３ｇ／１０分、Ｉ．Ｉ＝９６．３ｗｔ％、ポリマー嵩比
重＝０．４０ｇ／ｃｃであった。
【００３２】比較例−１ 実施例−１の重合条件において、成分（Ｃ）のテトラエ
チルアルモキサンを使用しなかった以外は、全く同様に
重合を行った。その結果、２５７グラムのポリマーが得
られ、ＭＦＲ＝９８ｇ／１０分、Ｉ．Ｉ＝９５．９ｗｔ
％、ポリマー嵩比重＝０．４２ｇ／ｃｃであった。
チルアルモキサンを使用しなかった以外は、全く同様に
重合を行った。その結果、２５７グラムのポリマーが得
られ、ＭＦＲ＝９８ｇ／１０分、Ｉ．Ｉ＝９５．９ｗｔ
％、ポリマー嵩比重＝０．４２ｇ／ｃｃであった。
【００３３】比較例−２ 実施例−２の重合条件において、成分（Ｃ）のイソブチ
ルアルモキサンを使用しなかった以外は、全く同様に重
合を行った。その結果、１７３グラムのポリマーが得ら
れ、ＭＦＲ＝３４ｇ／１０分、Ｉ．Ｉ＝９５．０ｗｔ
％、ポリマー嵩比重＝０．４０ｇ／ｃｃであった。
ルアルモキサンを使用しなかった以外は、全く同様に重
合を行った。その結果、１７３グラムのポリマーが得ら
れ、ＭＦＲ＝３４ｇ／１０分、Ｉ．Ｉ＝９５．０ｗｔ
％、ポリマー嵩比重＝０．４０ｇ／ｃｃであった。
【００３４】実施例３〜６ 〔成分（Ａ）の製造〕実施例−１の成分（Ａ）の製造に
おいて、使用するケイ素化合物の種類および使用量を表
１に示すように変更した以外は、実施例−１と全く同様
に成分（Ａ）の製造を行った。 〔プロピレンの重合〕実施例−１のプロピレンの重合に
おいて、上記で得られたそれぞれの成分（Ａ）を用い、
成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の使用量および種類を表１
に示す様に用いた以外は、実施例−１と全く同様の条件
で重合した。その結果を表１に示す。
おいて、使用するケイ素化合物の種類および使用量を表
１に示すように変更した以外は、実施例−１と全く同様
に成分（Ａ）の製造を行った。 〔プロピレンの重合〕実施例−１のプロピレンの重合に
おいて、上記で得られたそれぞれの成分（Ａ）を用い、
成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の使用量および種類を表１
に示す様に用いた以外は、実施例−１と全く同様の条件
で重合した。その結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】実質的に溶媒の不存在下にオレフィンの
重合を行ったときに、高活性でしかも比較的重合体の分
子量が小さい、例えばＭＦＲで５０以上の、ときでも立
体規則製の高い重合体が製造できる。
重合を行ったときに、高活性でしかも比較的重合体の分
子量が小さい、例えばＭＦＲで５０以上の、ときでも立
体規則製の高い重合体が製造できる。
【図１】図１は、チーグラー触媒に関する本発明の技術
内容の理解を助けるためのフローチャート図である。
内容の理解を助けるためのフローチャート図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）から
なる触媒の存在下、実質的に溶媒の不存在下にオレフィ
ンを重合する、オレフィンの重合法。 成分（Ａ）：下記の成分（Ａ1 ）及び（Ａ2 ）を接触さ
せて得られる固体成分、 成分（Ａ1 ）：チタン、マグネシウムおよびハロゲンを
必須成分として含有し、かつ下記の一般式で表わされる
ケイ素化合物を実質的にその形で含有してなるオレフィ
ンの立体規則性重合用固体触媒成分、 一般式 Ｒ1 Ｒ2 3-n Ｓｉ（ＯＲ3 ）n （ここで、Ｒ1 は分岐脂肪族炭化水素残基または脂環式
炭化水素残基を、Ｒ2 はＲ1 と同一もしくは異なる炭化
水素残基を、Ｒ3 は炭化水素残基を、ｎは１≦ｎ≦３の
数を、それぞれ示す）、 成分（Ａ2 ）：下記の一般式で表わされるビニルシラン
化合物、 一般式 （ＣＨ2 ＝ＣＨ）n ＳｉＲ4 m Ｘ4-m-n （ここで、Ｒ4 は炭化水素残基を、Ｘは水素またはハロ
ゲン原子を、ｍは０≦ｍ≦３、ｎは１≦ｎ≦２、かつ１
≦ｍ＋ｎ≦４を、それぞれ示す）、 成分（Ｂ）：下記の一般式で表わされる有機アルミニウ
ム化合物、 一般式 ＡｌＲ5 3 （ここで、Ｒ5 は水素または炭素数１〜２０の炭化水素
残基を示し、複数あるＲ 5 は同一でも異っていてもよ
い）、 成分（Ｃ）：アルモキサン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17553293A JP3421086B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | オレフィンの重合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17553293A JP3421086B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | オレフィンの重合法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725927A true JPH0725927A (ja) | 1995-01-27 |
| JP3421086B2 JP3421086B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=15997722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17553293A Expired - Fee Related JP3421086B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | オレフィンの重合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3421086B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001098375A1 (en) * | 2000-06-17 | 2001-12-27 | Samsung General Chemicals Co., Ltd. | A catalyst for olefin polymerization and method of olefin polymerization using the same |
| KR100431637B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-05-17 | 삼성아토피나주식회사 | 올레핀 중합방법 및 고용융장력의 수지조성물 |
| KR100612109B1 (ko) * | 2004-11-04 | 2006-08-11 | 삼성토탈 주식회사 | 진공성형성이 우수한 고탄성 폴리프로필렌 수지 조성물 |
| KR100620358B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2006-09-05 | 삼성토탈 주식회사 | 강성, 내충격성, 내열성이 우수한 올레핀의 중합방법 |
| WO2007026903A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Toho Catalyst Co., Ltd. | オレフィン類重合用固体触媒成分および触媒並びにこれを用いたオレフィン類重合体の製造方法 |
| US7858716B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-12-28 | Japan Polypropylene Corporation | Propylene-based polymer and production method therefor, propylene-based polymer composition and molded body made thereof |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP17553293A patent/JP3421086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001098375A1 (en) * | 2000-06-17 | 2001-12-27 | Samsung General Chemicals Co., Ltd. | A catalyst for olefin polymerization and method of olefin polymerization using the same |
| KR100431637B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-05-17 | 삼성아토피나주식회사 | 올레핀 중합방법 및 고용융장력의 수지조성물 |
| KR100620358B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2006-09-05 | 삼성토탈 주식회사 | 강성, 내충격성, 내열성이 우수한 올레핀의 중합방법 |
| KR100612109B1 (ko) * | 2004-11-04 | 2006-08-11 | 삼성토탈 주식회사 | 진공성형성이 우수한 고탄성 폴리프로필렌 수지 조성물 |
| WO2007026903A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Toho Catalyst Co., Ltd. | オレフィン類重合用固体触媒成分および触媒並びにこれを用いたオレフィン類重合体の製造方法 |
| JPWO2007026903A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2009-03-12 | 東邦チタニウム株式会社 | オレフィン類重合用固体触媒成分および触媒並びにこれを用いたオレフィン類重合体の製造方法 |
| US7858716B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-12-28 | Japan Polypropylene Corporation | Propylene-based polymer and production method therefor, propylene-based polymer composition and molded body made thereof |
| US8232358B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-07-31 | Japan Polypropylene Corporation | Propylene-based polymer and production method therefor, propylene-based polymer composition and molded body made thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3421086B2 (ja) | 2003-06-30 |
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