JPH07242601A - 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子、ならびに光学活性安息香酸誘導体および光学活性液晶中間体 - Google Patents
含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子、ならびに光学活性安息香酸誘導体および光学活性液晶中間体Info
- Publication number
- JPH07242601A JPH07242601A JP6035105A JP3510594A JPH07242601A JP H07242601 A JPH07242601 A JP H07242601A JP 6035105 A JP6035105 A JP 6035105A JP 3510594 A JP3510594 A JP 3510594A JP H07242601 A JPH07242601 A JP H07242601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- group
- fluorine
- alkyl group
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 214
- -1 carboxylic acid ester compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 93
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 45
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 40
- IOHPVZBSOKLVMN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylethyl)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1CCC1=CC=CC=C1 IOHPVZBSOKLVMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 48
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 39
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 116
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- STRIRAYFSBAQOJ-JGCGQSQUSA-N [(2r)-5-ethoxy-1,1,1-trifluoropentan-2-yl] 2-fluoro-4-[4-(4-octoxyphenyl)benzoyl]oxybenzoate Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(=O)OC=2C=C(F)C(C(=O)O[C@H](CCCOCC)C(F)(F)F)=CC=2)C=C1 STRIRAYFSBAQOJ-JGCGQSQUSA-N 0.000 abstract description 3
- 101150032497 CHRDL2 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 102100032766 Chordin-like protein 2 Human genes 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 72
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 16
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 15
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 14
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 6
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- NXWTWYULZRDBSA-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1F NXWTWYULZRDBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KACUNEYMEWSLMI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-decylphenyl)benzoyl]oxy-3-fluorobenzoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=C(C=C1)C2=CC=C(C=C2)C(=O)OC3=C(C=C(C=C3)C(=O)O)F KACUNEYMEWSLMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AIHBIYDMLSBHEX-SNVBAGLBSA-N [(2R)-1,1,1-trifluoro-4-methoxybutan-2-yl] 3-fluoro-4-hydroxybenzoate Chemical compound COCC[C@H](C(F)(F)F)OC(=O)C1=CC(=C(C=C1)O)F AIHBIYDMLSBHEX-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 4
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108090000604 Hydrolases Proteins 0.000 description 3
- 102000004157 Hydrolases Human genes 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- WSADNWLSNXKDRB-SCSAIBSYSA-N (2r)-1,1,1-trifluoro-4-methoxybutan-2-ol Chemical compound COCC[C@@H](O)C(F)(F)F WSADNWLSNXKDRB-SCSAIBSYSA-N 0.000 description 2
- OZOCXRGQXYXXBP-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-[2-(4-octoxyphenyl)benzoyl]oxybenzoic acid Chemical compound C(CCCCCCC)OC1=CC=C(C=C1)C=1C(=CC=CC1)C(=O)OC1=CC(=C(C(=O)O)C=C1)F OZOCXRGQXYXXBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HWQRXVRKZFDKLJ-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-phenylmethoxybenzoic acid Chemical compound C1=C(F)C(C(=O)O)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 HWQRXVRKZFDKLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUSDEKNMCOUBEE-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(F)=C1 IUSDEKNMCOUBEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOEUACGJYOALBK-UHFFFAOYSA-N 4-(4-decylphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(CCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 JOEUACGJYOALBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004367 Lipase Substances 0.000 description 2
- 102000004882 Lipase Human genes 0.000 description 2
- 108090001060 Lipase Proteins 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- HBBRPWACPOAMJO-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-fluoro-4-[2-(4-octoxyphenyl)benzoyl]oxybenzoate Chemical compound CCCCCCCCOC1=CC=C(C=C1)C2=CC=CC=C2C(=O)OC3=CC(=C(C=C3)C(=O)OCC4=CC=CC=C4)F HBBRPWACPOAMJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNOFCMBIOUDXGD-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-fluoro-4-hydroxybenzoate Chemical compound FC1=CC(O)=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 XNOFCMBIOUDXGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPZREBLZUSEFTC-UHFFFAOYSA-N benzyl 3-fluoro-4-hydroxybenzoate Chemical compound C1=C(F)C(O)=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 VPZREBLZUSEFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRDQBQHGBYLRRN-UHFFFAOYSA-N benzyl 4-[4-(4-decylphenyl)benzoyl]oxy-3-fluorobenzoate Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)OC(C1=CC(=C(C=C1)OC(=O)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)CCCCCCCCCC)F)=O RRDQBQHGBYLRRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical compound BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BVFSYZFXJYAPQJ-UHFFFAOYSA-N butyl(oxo)tin Chemical compound CCCC[Sn]=O BVFSYZFXJYAPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 2
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 235000019421 lipase Nutrition 0.000 description 2
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N methane;palladium Chemical compound C.[Pd] UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- AIXJZRJZOZKLOY-ZCFIWIBFSA-N (2r)-5-ethoxy-1,1,1-trifluoropentan-2-ol Chemical compound CCOCCC[C@@H](O)C(F)(F)F AIXJZRJZOZKLOY-ZCFIWIBFSA-N 0.000 description 1
- IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N (3S,8S,10R,13S,14S,17S)-17-isoquinolin-7-yl-N,N,10,13-tetramethyl-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydro-1H-cyclopenta[a]phenanthren-3-amine Chemical compound CN(C)[C@H]1CC[C@]2(C)C3CC[C@@]4(C)[C@@H](CC[C@@H]4c4ccc5ccncc5c4)[C@@H]3CC=C2C1 IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N 0.000 description 1
- PJWVRCBRZWEQHL-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(2-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(O)=C1C1=CC=CC=C1O PJWVRCBRZWEQHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHUUZKCUQVILTK-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylpyridin-4-amine Chemical compound CC1=NC=CC(N)=C1C YHUUZKCUQVILTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEDQAVEDALLQC-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-[4-(4-octoxyphenyl)benzoyl]oxybenzoic acid Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(=O)OC=2C=C(F)C(C(O)=O)=CC=2)C=C1 DKEDQAVEDALLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSTREUWFTAOOKS-UHFFFAOYSA-N 2-fluorobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1F NSTREUWFTAOOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMOYUTKNPLBTMT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxybenzoic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 GMOYUTKNPLBTMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POKWULIMSISXLX-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-4-phenylmethoxybenzoic acid Chemical compound FC1=CC(C(=O)O)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 POKWULIMSISXLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNBBQLUKHHSKPW-UHFFFAOYSA-N 4-(4-octoxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 YNBBQLUKHHSKPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005168 4-hydroxybenzoic acids Chemical class 0.000 description 1
- APSIWDOXMIIYKK-UHFFFAOYSA-N 6-octoxy-1-phenylnaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C(C=CC2=CC(=CC=C12)OCCCCCCCC)C(=O)O APSIWDOXMIIYKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLGYIIZVNXKTSJ-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)C(=O)OC1=CC(=C(C(=O)O)C=C1)F Chemical compound C(CCCCCCC)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)C(=O)OC1=CC(=C(C(=O)O)C=C1)F MLGYIIZVNXKTSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010059892 Cellulase Proteins 0.000 description 1
- NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N Cyclohexanecarboxylic acid Natural products OC(=O)C1CCCCC1 NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 101000968491 Pseudomonas sp. (strain 109) Triacylglycerol lipase Proteins 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- PLRICNKAPGMHRF-JGCGQSQUSA-N [(2R)-1,1,1-trifluoro-4-methoxybutan-2-yl] 4-[4-(4-decylphenyl)benzoyl]oxy-3-fluorobenzoate Chemical compound FC([C@@H](CCOC)OC(C1=CC(=C(C=C1)OC(=O)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)CCCCCCCCCC)F)=O)(F)F PLRICNKAPGMHRF-JGCGQSQUSA-N 0.000 description 1
- FOVMAVSUJLOUOT-UUWRZZSWSA-N [(2R)-5-ethoxy-1,1,1-trifluoropentan-2-yl] 4-[4-(4-decylphenyl)benzoyl]oxy-3-fluorobenzoate Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=C(C=C1)C2=CC=C(C=C2)C(=O)OC3=C(C=C(C=C3)C(=O)O[C@H](CCCOCC)C(F)(F)F)F FOVMAVSUJLOUOT-UUWRZZSWSA-N 0.000 description 1
- HJIYJLZFNBHCAN-UHFFFAOYSA-N [V].[C] Chemical compound [V].[C] HJIYJLZFNBHCAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N acetyl chloride Chemical compound CC(Cl)=O WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012346 acetyl chloride Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 230000005620 antiferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 125000005337 azoxy group Chemical group [N+]([O-])(=N*)* 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- DVECBJCOGJRVPX-UHFFFAOYSA-N butyryl chloride Chemical compound CCCC(Cl)=O DVECBJCOGJRVPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229940106157 cellulase Drugs 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- VJCWGXGMXAVKJU-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl cyclohexanecarboxylate Chemical compound C1CCCCC1C(=O)OC1CCCCC1 VJCWGXGMXAVKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N dibutyl(oxo)tin Chemical compound CCCC[Sn](=O)CCCC JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- RZWZRACFZGVKFM-UHFFFAOYSA-N propanoyl chloride Chemical compound CCC(Cl)=O RZWZRACFZGVKFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】次式で表される含フッ素カルボン酸エステル化
合物； 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素原子数６〜１６の（ハロゲン化）ア
ルキル基、Ｒ2 炭素原子数１〜１２のアルキル基、Ｘは
−Ｏ−または単結合、ｍは０または１、ｎは２または
３、ＹおよびＺは、ｍ＝０のとき（Ｙ，Ｚ）＝（Ｈ，
Ｆ）、（Ｆ，Ｈ）、（Ｈ，Ｈ）、ｍ＝１のとき（Ｙ，
Ｚ）＝（Ｈ，Ｆ）、（Ｆ，Ｈ））。前記含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物からなる液晶材料、前記化合物を含
有する液晶組成物、および前記液晶材料を含有する液晶
素子、ならびに新規な光学活性アルコールおよび光学活
性液晶中間体。 【効果】 本発明の含フッ素カルボン酸エステル化合物
は、優れた液晶特性を有する。エステル化合物の中間体
が提供できる。
合物； 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素原子数６〜１６の（ハロゲン化）ア
ルキル基、Ｒ2 炭素原子数１〜１２のアルキル基、Ｘは
−Ｏ−または単結合、ｍは０または１、ｎは２または
３、ＹおよびＺは、ｍ＝０のとき（Ｙ，Ｚ）＝（Ｈ，
Ｆ）、（Ｆ，Ｈ）、（Ｈ，Ｈ）、ｍ＝１のとき（Ｙ，
Ｚ）＝（Ｈ，Ｆ）、（Ｆ，Ｈ））。前記含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物からなる液晶材料、前記化合物を含
有する液晶組成物、および前記液晶材料を含有する液晶
素子、ならびに新規な光学活性アルコールおよび光学活
性液晶中間体。 【効果】 本発明の含フッ素カルボン酸エステル化合物
は、優れた液晶特性を有する。エステル化合物の中間体
が提供できる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、新規な含フッ素カルボン
酸エステル化合物、この化合物からなる液晶材料、この
含フッ素カルボン酸エステル化合物を含有する液晶組成
物、およびこの液晶材料を含む液晶素子、ならびに光学
活性安息香酸誘導体および光学活性液晶中間体に関する
ものである。
酸エステル化合物、この化合物からなる液晶材料、この
含フッ素カルボン酸エステル化合物を含有する液晶組成
物、およびこの液晶材料を含む液晶素子、ならびに光学
活性安息香酸誘導体および光学活性液晶中間体に関する
ものである。
【０００２】
【発明の技術的背景】現在、広汎に使用されている液晶
化合物を用いた表示デバイスは、通常はＴＮ（ツイスト
ネマチック）モードによって駆動されている。
化合物を用いた表示デバイスは、通常はＴＮ（ツイスト
ネマチック）モードによって駆動されている。
【０００３】しかしながら、この方式を採用した場合、
表示されている画像を変えるためには、素子中における
液晶化合物の分子の位置を変える必要があるために、駆
動時間が長くなり、液晶化合物の分子位置を変えるため
に必要とする電圧、すなわち消費電力も大きくなるとい
う問題点がある。
表示されている画像を変えるためには、素子中における
液晶化合物の分子の位置を変える必要があるために、駆
動時間が長くなり、液晶化合物の分子位置を変えるため
に必要とする電圧、すなわち消費電力も大きくなるとい
う問題点がある。
【０００４】強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液
晶化合物を用いたスイッチング素子は、ＴＮモードある
いはＳＴＮモードを利用したスイッチング素子とは異な
り、液晶化合物の分子の配向方向を変えるだけでスイッ
チング素子として機能させることができるため、スイッ
チング時間が非常に短縮される。さらに、強誘電性液晶
化合物あるいは反強誘電性液晶化合物のもつ自発分極
（Ｐｓ）と電界強度（Ｅ）とにより与えられるＰｓ×Ｅ
の値が液晶化合物の分子の配向方向を変えるための実効
エネルギー強度であるので、スイッチング時間が高速に
なる。強誘電性液晶化合物は、印加電界の方向によって
二つの安定状態、すなわち双安定性を、また反強誘電性
液晶化合物は三安定を持つので、スイッチングのしきい
値特性も非常に良好であり、動画用の表示デバイスなど
として用いるのに特に適している。
晶化合物を用いたスイッチング素子は、ＴＮモードある
いはＳＴＮモードを利用したスイッチング素子とは異な
り、液晶化合物の分子の配向方向を変えるだけでスイッ
チング素子として機能させることができるため、スイッ
チング時間が非常に短縮される。さらに、強誘電性液晶
化合物あるいは反強誘電性液晶化合物のもつ自発分極
（Ｐｓ）と電界強度（Ｅ）とにより与えられるＰｓ×Ｅ
の値が液晶化合物の分子の配向方向を変えるための実効
エネルギー強度であるので、スイッチング時間が高速に
なる。強誘電性液晶化合物は、印加電界の方向によって
二つの安定状態、すなわち双安定性を、また反強誘電性
液晶化合物は三安定を持つので、スイッチングのしきい
値特性も非常に良好であり、動画用の表示デバイスなど
として用いるのに特に適している。
【０００５】
【従来技術における問題点】このような強誘電性液晶化
合物あるいは反強誘電性液晶化合物を光スイッチング素
子などに使用する場合、強誘電性液晶化合物あるいは反
強誘電性液晶化合物には、たとえば動作温度範囲が常温
付近あるいはそれ以下にあること、動作温度幅が広いこ
と、スイッチング速度が大きい（速い）ことおよびスイ
ッチングしきい値電圧が適正な範囲内にあることなど多
くの特性が要求される。殊にこれらのうちでも、動作温
度範囲は強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶化
合物を実用化する際に特に重要な特性である。
合物あるいは反強誘電性液晶化合物を光スイッチング素
子などに使用する場合、強誘電性液晶化合物あるいは反
強誘電性液晶化合物には、たとえば動作温度範囲が常温
付近あるいはそれ以下にあること、動作温度幅が広いこ
と、スイッチング速度が大きい（速い）ことおよびスイ
ッチングしきい値電圧が適正な範囲内にあることなど多
くの特性が要求される。殊にこれらのうちでも、動作温
度範囲は強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶化
合物を実用化する際に特に重要な特性である。
【０００６】しかしながら、これまで知られている強誘
電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶化合物では、た
とえば、R.B.Meyer,et.al.,の論文［ジャーナル・デ・
フイジーク（J.de Phys.）36巻L-69頁、1975年］、Y.Su
zuki,et al.,の論文［リキッドクリスタルズ（liquid C
rystals）６巻 167頁、1989年］に記載されているよう
に、一般に動作温度が狭く、また動作温度範囲が広い強
誘電性液晶化合物であっても動作温度範囲が室温を含ま
ない高温度域であるなど、強誘電性液晶化合物として実
用上満足できるものは得られていない。
電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶化合物では、た
とえば、R.B.Meyer,et.al.,の論文［ジャーナル・デ・
フイジーク（J.de Phys.）36巻L-69頁、1975年］、Y.Su
zuki,et al.,の論文［リキッドクリスタルズ（liquid C
rystals）６巻 167頁、1989年］に記載されているよう
に、一般に動作温度が狭く、また動作温度範囲が広い強
誘電性液晶化合物であっても動作温度範囲が室温を含ま
ない高温度域であるなど、強誘電性液晶化合物として実
用上満足できるものは得られていない。
【０００７】このような状況のもと、特開昭６４−３１
５４号公報には、下記式（Ａ）で表される液晶化合物が
提案されている。
５４号公報には、下記式（Ａ）で表される液晶化合物が
提案されている。
【０００８】
【化７】
【０００９】（式中、Ｒ1 は炭素数６〜１２のアルコキ
シ基であり、Ｒ2 は低級アルキル基を示し、ｌは０また
は１、ｍは０または１、ｎは２または３を示す。） また、特開平５−１６３２０８号公報には、下記式
（Ｂ）で表される液晶化合物が提案されている。
シ基であり、Ｒ2 は低級アルキル基を示し、ｌは０また
は１、ｍは０または１、ｎは２または３を示す。） また、特開平５−１６３２０８号公報には、下記式
（Ｂ）で表される液晶化合物が提案されている。
【００１０】
【化８】
【００１１】（式中、Ｒ1 は炭素数１〜１２のアルキル
基であり、Ｒ2 は炭素数１〜２０のアルキル基またはア
ルコキシ基であり、ｍは４〜１２の整数である。） さらに、特開平５−１８６４０２号公報には、下記式
（Ｃ）で表される液晶化合物が提案されている。
基であり、Ｒ2 は炭素数１〜２０のアルキル基またはア
ルコキシ基であり、ｍは４〜１２の整数である。） さらに、特開平５−１８６４０２号公報には、下記式
（Ｃ）で表される液晶化合物が提案されている。
【００１２】
【化９】
【００１３】（式中、Ｒ1 は炭素数１〜２０のアルキル
基またはアルコキシ基であり、Ｒ2 は炭素数１〜１２ア
ルキル基であり、ｎは４〜１２の整数である。） しかしながら、このような液晶化合物を用いた液晶素子
でも、作動温度、スイッチング速度、消費電力、コント
ラストなどのバランスが必ずしも満足するものではなか
った。
基またはアルコキシ基であり、Ｒ2 は炭素数１〜１２ア
ルキル基であり、ｎは４〜１２の整数である。） しかしながら、このような液晶化合物を用いた液晶素子
でも、作動温度、スイッチング速度、消費電力、コント
ラストなどのバランスが必ずしも満足するものではなか
った。
【００１４】
【発明の目的】本発明は、新規な含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物、この化合物からなる液晶材料、この化合
物を含有する液晶組成物、およびこの液晶材料を含有す
る液晶素子を提供することを目的とするとともに、光学
活性安息香酸誘導体および光学活性液晶中間体を提供す
ることを目的としている。さらに詳しくは、本発明は、
作動温度が広く、スイッチング速度が高速で、消費電力
が極めて少なく、しかも安定したコントラストが得られ
る液晶素子を形成することができる新規な含フッ素カル
ボン酸エステル化合物およびこの用途を提供することを
目的とするとともに、新規な光学活性安息香酸誘導体、
前記液晶の中間体となるような光学活性液晶中間体を提
供することを目的としている。
ステル化合物、この化合物からなる液晶材料、この化合
物を含有する液晶組成物、およびこの液晶材料を含有す
る液晶素子を提供することを目的とするとともに、光学
活性安息香酸誘導体および光学活性液晶中間体を提供す
ることを目的としている。さらに詳しくは、本発明は、
作動温度が広く、スイッチング速度が高速で、消費電力
が極めて少なく、しかも安定したコントラストが得られ
る液晶素子を形成することができる新規な含フッ素カル
ボン酸エステル化合物およびこの用途を提供することを
目的とするとともに、新規な光学活性安息香酸誘導体、
前記液晶の中間体となるような光学活性液晶中間体を提
供することを目的としている。
【００１５】
【発明の概要】本発明の含フッ素カルボン酸エステル化
合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物である；
合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物である；
【００１６】
【化１０】
【００１７】（式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のア
ルキル基、炭素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基
であり、これらの基を構成する−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ
−基、または−ＣＬ2−基（ただしＬは、ハロゲン原子
である）の一部は−Ｏ−基で置換されていてもよく、ま
た前記アルキル基またはハロゲン化アルキル基は光学活
性を有していてもよく、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２の
アルキル基であり、Ｘは、−Ｏ−基または単結合であ
り、ｍは、０または１であり、ｎは、２または３であ
り、ＹおよびＺは、ｍが０のとき、それぞれ独立して水
素原子またはフッ素原子（ただし、いずれもフッ素原子
の場合を除く）であり、ｍが１のとき、Ｙが水素原子で
ありＺがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺ
が水素原子である。）。
ルキル基、炭素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基
であり、これらの基を構成する−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ
−基、または−ＣＬ2−基（ただしＬは、ハロゲン原子
である）の一部は−Ｏ−基で置換されていてもよく、ま
た前記アルキル基またはハロゲン化アルキル基は光学活
性を有していてもよく、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２の
アルキル基であり、Ｘは、−Ｏ−基または単結合であ
り、ｍは、０または１であり、ｎは、２または３であ
り、ＹおよびＺは、ｍが０のとき、それぞれ独立して水
素原子またはフッ素原子（ただし、いずれもフッ素原子
の場合を除く）であり、ｍが１のとき、Ｙが水素原子で
ありＺがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺ
が水素原子である。）。
【００１８】本発明の液晶材料は、上記式（Ｉ）で表さ
れる化合物からなることを特徴としている。本発明の液
晶組成物は、上記式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン
酸エステル化合物を含有することを特徴としている。
れる化合物からなることを特徴としている。本発明の液
晶組成物は、上記式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン
酸エステル化合物を含有することを特徴としている。
【００１９】本発明の液晶素子は、互いに対向する二枚
の基板と該基板によって構成される間隙とからなるセ
ル、および該セルの間隙に充填された液晶組成物より構
成される液晶素子であって、該液晶組成物が上記式
（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸エステル化合物と
それ以外の液晶化合物からなることを特徴としている。
の基板と該基板によって構成される間隙とからなるセ
ル、および該セルの間隙に充填された液晶組成物より構
成される液晶素子であって、該液晶組成物が上記式
（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸エステル化合物と
それ以外の液晶化合物からなることを特徴としている。
【００２０】本発明により新規な含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物が提供される。この含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物は液晶材料としての有用性が高い。従っ
て、この化合物を含有する液晶組成物、またはこの含フ
ッ素カルボン酸エステル化合物からなる液晶材料が二枚
の基板の間に充填された液晶素子は優れた液晶特性を有
している。
ステル化合物が提供される。この含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物は液晶材料としての有用性が高い。従っ
て、この化合物を含有する液晶組成物、またはこの含フ
ッ素カルボン酸エステル化合物からなる液晶材料が二枚
の基板の間に充填された液晶素子は優れた液晶特性を有
している。
【００２１】このような本発明の含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物を液晶材料として用いることにより、動作
温度範囲が広く、スイッチング速度が高速で、消費電力
がきわめて少なく、しかも安定したコントラストが得ら
れるなどの優れた特性を有する各種デバイスを得ること
ができる。
ステル化合物を液晶材料として用いることにより、動作
温度範囲が広く、スイッチング速度が高速で、消費電力
がきわめて少なく、しかも安定したコントラストが得ら
れるなどの優れた特性を有する各種デバイスを得ること
ができる。
【００２２】本発明の光学活性安息香酸エステル誘導体
は、次式（II）で表されることを特徴としている；
は、次式（II）で表されることを特徴としている；
【００２３】
【化１１】
【００２４】（式中、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のア
ルキル基であり、ｎは、２または３であり、ＹおよびＺ
は、Ｙが水素原子でありＺがフッ素原子であるか、Ｙが
フッ素原子でありＺが水素原子である。）。
ルキル基であり、ｎは、２または３であり、ＹおよびＺ
は、Ｙが水素原子でありＺがフッ素原子であるか、Ｙが
フッ素原子でありＺが水素原子である。）。
【００２５】本発明の光学活性液晶中間体は、上記式
（II）で表されることを特徴としている。
（II）で表されることを特徴としている。
【００２６】
【発明の具体的説明】以下、本発明の含フッ素カルボン
酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素
子について具体的に説明する。
酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素
子について具体的に説明する。
【００２７】まず、本発明の含フッ素カルボン酸エステ
ル化合物について説明する。本発明の含フッ素カルボン
酸エステル化合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物で
ある。
ル化合物について説明する。本発明の含フッ素カルボン
酸エステル化合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物で
ある。
【００２８】
【化１２】
【００２９】式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアル
キル基、炭素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基で
ある。ここでアルキル基またはハロゲン化アルキル基
は、直鎖状または分枝状のいずれの形態であってもよい
が、Ｒ1 が直鎖状のアルキル基またはハロゲン化アルキ
ル基である分子は、棒状構造を取り易く、優れた液晶性
を示す。
キル基、炭素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基で
ある。ここでアルキル基またはハロゲン化アルキル基
は、直鎖状または分枝状のいずれの形態であってもよい
が、Ｒ1 が直鎖状のアルキル基またはハロゲン化アルキ
ル基である分子は、棒状構造を取り易く、優れた液晶性
を示す。
【００３０】このような直鎖状のアルキル基の具体的な
例としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラ
デシル基、ヘキサデシル基およびオクタデシル基を挙げ
ることができる。
例としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラ
デシル基、ヘキサデシル基およびオクタデシル基を挙げ
ることができる。
【００３１】また、直鎖状のハロゲン化アルキル基の具
体例としては、上記アルキル基の水素原子がフッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲンで置換された基
などが挙げられる。
体例としては、上記アルキル基の水素原子がフッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲンで置換された基
などが挙げられる。
【００３２】なお、これらのアルキル基またはハロゲン
化アルキル基は光学活性を有していてもよい。さらに、
本発明では、Ｒ1 の一部を形成する−ＣＨ2−基、−Ｃ
ＨＬ−基、または−ＣＬ2−基（ただしＬは、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子である。）
であって、Ｘと直接結合していない基のうち、互いに隣
接しない−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ−基、または−ＣＬ2−
基（ただしＬは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子など
のハロゲン原子である。）の一部が−Ｏ−基で置換され
ていてもよい。たとえば、アルキル基において上記のよ
うな−ＣＨ2−基が−Ｏ−基で置換された基の具体的例
としては、2-ヘキシルオキシエチル基およびノニルオキ
シメチル基を挙げることができる。
化アルキル基は光学活性を有していてもよい。さらに、
本発明では、Ｒ1 の一部を形成する−ＣＨ2−基、−Ｃ
ＨＬ−基、または−ＣＬ2−基（ただしＬは、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子である。）
であって、Ｘと直接結合していない基のうち、互いに隣
接しない−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ−基、または−ＣＬ2−
基（ただしＬは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子など
のハロゲン原子である。）の一部が−Ｏ−基で置換され
ていてもよい。たとえば、アルキル基において上記のよ
うな−ＣＨ2−基が−Ｏ−基で置換された基の具体的例
としては、2-ヘキシルオキシエチル基およびノニルオキ
シメチル基を挙げることができる。
【００３３】Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基
であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基および
ドデシル基を挙げることができる。これらの基は、直鎖
状であっても分岐鎖を有していてもよい。
であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基および
ドデシル基を挙げることができる。これらの基は、直鎖
状であっても分岐鎖を有していてもよい。
【００３４】Ｘは、−Ｏ−基または単結合である。ｍ
は、０または１である。ｎは、２または３である。上記
式（Ｉ）で表される化合物において、ｎが、２または３
である化合物を液晶材料として使用すると、ｎが４以上
である化合物を使用した場合に比べて、チルト角が大き
くなり、同時に応答速度が向上する。
は、０または１である。ｎは、２または３である。上記
式（Ｉ）で表される化合物において、ｎが、２または３
である化合物を液晶材料として使用すると、ｎが４以上
である化合物を使用した場合に比べて、チルト角が大き
くなり、同時に応答速度が向上する。
【００３５】ＹおよびＺは、ｍが０のとき、Ｙが水素原
子でありＺがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子であ
りＺが水素原子であるか、または、Ｙが水素原子であり
Ｚが水素原子である。また、ｍが１のとき、Ｙが水素原
子でありＺがフッ素原子であるか、または、Ｙがフッ素
原子でありＺが水素原子である。
子でありＺがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子であ
りＺが水素原子であるか、または、Ｙが水素原子であり
Ｚが水素原子である。また、ｍが１のとき、Ｙが水素原
子でありＺがフッ素原子であるか、または、Ｙがフッ素
原子でありＺが水素原子である。
【００３６】上記式（Ｉ）で表される化合物において、
ＹおよびＺを、水素原子またはフッ素原子とすることに
より、この化合物を液晶材料として用いた場合に優れた
液晶特性を示す、特に、ＹおよびＺのいずれか一方をフ
ッ素原子とすることにより、この化合物を液晶材料とし
て用いると、室温付近を含む広い温度範囲で優れた液晶
特性を示す。
ＹおよびＺを、水素原子またはフッ素原子とすることに
より、この化合物を液晶材料として用いた場合に優れた
液晶特性を示す、特に、ＹおよびＺのいずれか一方をフ
ッ素原子とすることにより、この化合物を液晶材料とし
て用いると、室温付近を含む広い温度範囲で優れた液晶
特性を示す。
【００３７】上記式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン
酸エステル化合物としては、具体的には下記表１-(1)〜
表１-(6)および表２-(1)〜表２-(4)に記載した化合物を
挙げることができる。
酸エステル化合物としては、具体的には下記表１-(1)〜
表１-(6)および表２-(1)〜表２-(4)に記載した化合物を
挙げることができる。
【００３８】すなわち、上記式（Ｉ）で表される含フッ
素カルボン酸エステル化合物のうち、ｍ＝０である次式
（Ｉ-A）で表される化合物の具体的な例としては、次表
１-(1)〜表１-(4)に示す化合物を挙げることができる。
素カルボン酸エステル化合物のうち、ｍ＝０である次式
（Ｉ-A）で表される化合物の具体的な例としては、次表
１-(1)〜表１-(4)に示す化合物を挙げることができる。
【００３９】
【化１３】
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】
【表５】
【００４５】
【表６】
【００４６】また、上記式（Ｉ）で表される含フッ素カ
ルボン酸エステル化合物のうち、ｍ＝１である次式（Ｉ
-B）で表される化合物の具体的な例としては、次表２-
(1)〜表２-(4)に示す化合物を挙げることができる。
ルボン酸エステル化合物のうち、ｍ＝１である次式（Ｉ
-B）で表される化合物の具体的な例としては、次表２-
(1)〜表２-(4)に示す化合物を挙げることができる。
【００４７】
【化１４】
【００４８】
【表７】
【００４９】
【表８】
【００５０】
【表９】
【００５１】
【表１０】
【００５２】上記のような含フッ素カルボン酸エステル
化合物は、公知の合成技術を組み合わせて製造すること
ができる。たとえば、上記式（Ｉ）で表される化合物の
うち、Ｙが水素原子であり、Ｚがフッ素原子であり、ｎ
が３である含フッ素カルボン酸エステル化合物は、以下
に示す合成経路に従って合成することができる。なお、
［化１５］に示す合成経路は、前記式（Ｉ）においてｍ
が０である化合物の合成経路であり、［化１６］に示す
合成経路は、前記式（Ｉ）においてｍが１である化合物
の合成経路である。
化合物は、公知の合成技術を組み合わせて製造すること
ができる。たとえば、上記式（Ｉ）で表される化合物の
うち、Ｙが水素原子であり、Ｚがフッ素原子であり、ｎ
が３である含フッ素カルボン酸エステル化合物は、以下
に示す合成経路に従って合成することができる。なお、
［化１５］に示す合成経路は、前記式（Ｉ）においてｍ
が０である化合物の合成経路であり、［化１６］に示す
合成経路は、前記式（Ｉ）においてｍが１である化合物
の合成経路である。
【００５３】
【化１５】
【００５４】
【化１６】
【００５５】すなわち、たとえば、2-フルオロ-4-ヒド
ロキシ安息香酸（ｉ）を、酸化ジ-n-ブチルスズなどの
触媒存在下、ベンジルブロマイドと反応させて、ベンジ
ルオキシ安息香酸エステル誘導体（ii）を得る。
ロキシ安息香酸（ｉ）を、酸化ジ-n-ブチルスズなどの
触媒存在下、ベンジルブロマイドと反応させて、ベンジ
ルオキシ安息香酸エステル誘導体（ii）を得る。
【００５６】次に、前記式（Ｉ）においてｍが０である
化合物を合成する場合には、このベンジルオキシ安息香
酸エステル誘導体（ii）と、4'-アルキル-4-フェニルカ
ルボン酸または4'-アルコキシ-4-フェニルカルボン酸と
を、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンなどの有機塩基を
触媒として用い、ジシクロヘキシルカルボジイミドなど
の脱水縮合剤の存在下、塩化メチレン、クロロホルムな
どの溶媒中で反応させ、さらにパラジウム炭素などの水
素化触媒の存在下に水素と反応させることにより安息香
酸誘導体（iv）を得る。
化合物を合成する場合には、このベンジルオキシ安息香
酸エステル誘導体（ii）と、4'-アルキル-4-フェニルカ
ルボン酸または4'-アルコキシ-4-フェニルカルボン酸と
を、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンなどの有機塩基を
触媒として用い、ジシクロヘキシルカルボジイミドなど
の脱水縮合剤の存在下、塩化メチレン、クロロホルムな
どの溶媒中で反応させ、さらにパラジウム炭素などの水
素化触媒の存在下に水素と反応させることにより安息香
酸誘導体（iv）を得る。
【００５７】前記式（Ｉ）においてｍが１である化合物
を合成する場合には、このベンジルオキシ安息香酸エス
テル誘導体（ii）と、4'-アルキル-4-ビフェニルカルボ
ン酸または4'-アルコキシ-4-ビフェニルカルボン酸とを
N,N-ジメチル-4-アミノピリジンなどの有機塩基を触媒
として用い、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱
水縮合剤の存在下、塩化メチレン、クロロホルムなどの
溶媒中で反応させ、さらにパラジウム炭素などの水素化
触媒の存在下に水素と反応させることにより安息香酸誘
導体（iv’）を得る。
を合成する場合には、このベンジルオキシ安息香酸エス
テル誘導体（ii）と、4'-アルキル-4-ビフェニルカルボ
ン酸または4'-アルコキシ-4-ビフェニルカルボン酸とを
N,N-ジメチル-4-アミノピリジンなどの有機塩基を触媒
として用い、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱
水縮合剤の存在下、塩化メチレン、クロロホルムなどの
溶媒中で反応させ、さらにパラジウム炭素などの水素化
触媒の存在下に水素と反応させることにより安息香酸誘
導体（iv’）を得る。
【００５８】一方、これとは別にトリフルオロメチル基
を含むケトン（ｖ）を還元剤で還元して含フッ素アルコ
ール（vi）を得る。ここで用いられる還元剤としては、
カルボニル基をヒドロキシ基に変換できる試剤であれば
特に限定されることはなく、たとえば水素化ホウ素ナト
リウム、水素化アルミニウムリチウムなどが挙げられ
る。また、反応溶媒は、還元剤として水素化アルミニウ
ムリチウムを用いる場合には、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフランなどを用いることが好ましい。反応温度
は、特に制限されないが、室温付近で反応させることが
好ましい。さらに、含フッ素アルコール（vi）を常法に
よりエステル化しエステル化合物（vii）を得る。エス
テル化剤としては、カルボン酸塩化物が好ましく、塩化
アセチル、塩化プロピオニル、塩化ブチリルなどが挙げ
られる。次いで、エステル化合物（vii）を加水分解酵
素を用いて不斉加水分解を行う。加水分解酵素として
は、たとえば、リパーゼＰ、リパーゼＭＹ、リパーゼＯ
Ｆ、セルラーゼなどが挙げられる。加水分解酵素の使用
量は、原料のエステル化合物（vii）１ミリモル当た
り、５００〜５０００unitである。反応は、通常水中、
またはメタノール、エタノールなどの水溶性溶媒と水と
の混合溶媒中で実施される。原料のエステル化合物（vi
i）は、これらの溶媒に対して、通常１〜４０重量％、
好ましくは３〜３０重量％の割合で用いられる。反応混
合物のｐＨは、６〜８の範囲にあることが好ましく、反
応温度は１０〜４０℃程度である。
を含むケトン（ｖ）を還元剤で還元して含フッ素アルコ
ール（vi）を得る。ここで用いられる還元剤としては、
カルボニル基をヒドロキシ基に変換できる試剤であれば
特に限定されることはなく、たとえば水素化ホウ素ナト
リウム、水素化アルミニウムリチウムなどが挙げられ
る。また、反応溶媒は、還元剤として水素化アルミニウ
ムリチウムを用いる場合には、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフランなどを用いることが好ましい。反応温度
は、特に制限されないが、室温付近で反応させることが
好ましい。さらに、含フッ素アルコール（vi）を常法に
よりエステル化しエステル化合物（vii）を得る。エス
テル化剤としては、カルボン酸塩化物が好ましく、塩化
アセチル、塩化プロピオニル、塩化ブチリルなどが挙げ
られる。次いで、エステル化合物（vii）を加水分解酵
素を用いて不斉加水分解を行う。加水分解酵素として
は、たとえば、リパーゼＰ、リパーゼＭＹ、リパーゼＯ
Ｆ、セルラーゼなどが挙げられる。加水分解酵素の使用
量は、原料のエステル化合物（vii）１ミリモル当た
り、５００〜５０００unitである。反応は、通常水中、
またはメタノール、エタノールなどの水溶性溶媒と水と
の混合溶媒中で実施される。原料のエステル化合物（vi
i）は、これらの溶媒に対して、通常１〜４０重量％、
好ましくは３〜３０重量％の割合で用いられる。反応混
合物のｐＨは、６〜８の範囲にあることが好ましく、反
応温度は１０〜４０℃程度である。
【００５９】次に、安息香酸誘導体（iv）〔または（i
v’）〕と光学活性アルコール（viii）とを、脱水縮合
剤と触媒との存在下、塩化メチレン、クロロホルムなど
の溶媒中で反応させることにより、容易に一般式（Ｉ）
で表される含フッ素カルボン酸エステル化合物〔（I
a），（Ib）〕を得ることができる。ここで、脱水縮合
剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどが用
いられ、触媒としては、N,N-ジメチル-4-アミノピリジ
ンなどの有機塩基が用いられる。
v’）〕と光学活性アルコール（viii）とを、脱水縮合
剤と触媒との存在下、塩化メチレン、クロロホルムなど
の溶媒中で反応させることにより、容易に一般式（Ｉ）
で表される含フッ素カルボン酸エステル化合物〔（I
a），（Ib）〕を得ることができる。ここで、脱水縮合
剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどが用
いられ、触媒としては、N,N-ジメチル-4-アミノピリジ
ンなどの有機塩基が用いられる。
【００６０】また、Ｙが水素原子であり、Ｚがフッ素原
子であり、ｍが１であり、ｎが３である含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物は、以下に示す合成経路に従って合
成することができる。
子であり、ｍが１であり、ｎが３である含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物は、以下に示す合成経路に従って合
成することができる。
【００６１】
【化１７】
【００６２】すなわち、たとえば2-フルオロ-4-ヒドロ
キシ安息香酸（ｉ）と、臭化ベンジルとを水酸化カリウ
ムの存在下に反応させることにより、4-ベンジルオキシ
-2-フルオロ安息香酸（ix）を得る。
キシ安息香酸（ｉ）と、臭化ベンジルとを水酸化カリウ
ムの存在下に反応させることにより、4-ベンジルオキシ
-2-フルオロ安息香酸（ix）を得る。
【００６３】一方、これとは別に合成した光学活性アル
コール（viii）と、上記4-ベンジルオキシ-2-フルオロ
安息香酸（ix）とを、脱水剤と触媒との存在下に、塩化
メチレン、クロロホルムなどの溶媒中で反応させ、さら
にバラジウム炭素などの水素化触媒の存在下に水素と反
応させることにより2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸
エステル（xi）を得る。
コール（viii）と、上記4-ベンジルオキシ-2-フルオロ
安息香酸（ix）とを、脱水剤と触媒との存在下に、塩化
メチレン、クロロホルムなどの溶媒中で反応させ、さら
にバラジウム炭素などの水素化触媒の存在下に水素と反
応させることにより2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸
エステル（xi）を得る。
【００６４】次に、前記2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息
香酸エステル（xi）を、4'-アルキル-4-ビフェニルカル
ボン酸または4'-アルコキシ-4-ビフェニルカルボン酸と
を、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンなどの有機塩基を
触媒として用い、ジシクロヘキシルカルボン酸などの脱
水縮合剤の存在下、塩化メチレン、クロロホルムなどの
溶媒中で反応させることにより、容易に上記式（Ｉ）で
表される含フッ素カルボン酸エステル化合物（Ic）を得
ることができる。
香酸エステル（xi）を、4'-アルキル-4-ビフェニルカル
ボン酸または4'-アルコキシ-4-ビフェニルカルボン酸と
を、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンなどの有機塩基を
触媒として用い、ジシクロヘキシルカルボン酸などの脱
水縮合剤の存在下、塩化メチレン、クロロホルムなどの
溶媒中で反応させることにより、容易に上記式（Ｉ）で
表される含フッ素カルボン酸エステル化合物（Ic）を得
ることができる。
【００６５】以上、上記式（Ｉ）においてｎが３である
含フッ素カルボン酸エステル化合物の合成方法について
説明したが、式（Ｉ）においてｎが２である含フッ素カ
ルボン酸エステル化合物もｎが２である化合物（viii）
を使用すれば上記と同様にして合成することができる。
含フッ素カルボン酸エステル化合物の合成方法について
説明したが、式（Ｉ）においてｎが２である含フッ素カ
ルボン酸エステル化合物もｎが２である化合物（viii）
を使用すれば上記と同様にして合成することができる。
【００６６】なお、上記方法は、本発明の含フッ素カル
ボン酸エステル化合物の製造方法の一例であり、本発明
の含フッ素カルボン酸エステル化合物は、この製造方法
によって限定されるものではない。
ボン酸エステル化合物の製造方法の一例であり、本発明
の含フッ素カルボン酸エステル化合物は、この製造方法
によって限定されるものではない。
【００６７】本発明の含フッ素カルボン酸エステル化合
物のうち、次式で表される4-(4'-オクチルオキシ-4-ビ
フェニルカルボニルオキシ）-2-フルオロ-安息香酸
(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエステル
〔例示化合物（１９８）〕の 1Ｈ−ＮＭＲのチャートを
図１に示す。
物のうち、次式で表される4-(4'-オクチルオキシ-4-ビ
フェニルカルボニルオキシ）-2-フルオロ-安息香酸
(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエステル
〔例示化合物（１９８）〕の 1Ｈ−ＮＭＲのチャートを
図１に示す。
【００６８】
【化１８】
【００６９】なお、上記式中において１〜13の番号は、
水素原子を示し、この番号は図１におけるピークに付し
た番号と対応している。また、本発明の含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物のうち、次式で表される4-(4'-デシ
ル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フルオロ-安息
香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエ
ステル〔例示化合物（７８）〕の 1Ｈ−ＮＭＲのチャー
トを図２に示す。
水素原子を示し、この番号は図１におけるピークに付し
た番号と対応している。また、本発明の含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物のうち、次式で表される4-(4'-デシ
ル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フルオロ-安息
香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエ
ステル〔例示化合物（７８）〕の 1Ｈ−ＮＭＲのチャー
トを図２に示す。
【００７０】
【化１９】
【００７１】なお、上記式中において１〜13の番号は、
水素原子を示し、この番号は図２におけるピークに付し
た番号と対応している。上記のような式（Ｉ）で表され
る含フッ素カルボン酸エステル化合物は、たとえば液晶
材料として使用することができる。
水素原子を示し、この番号は図２におけるピークに付し
た番号と対応している。上記のような式（Ｉ）で表され
る含フッ素カルボン酸エステル化合物は、たとえば液晶
材料として使用することができる。
【００７２】特に光学活性を有する含フッ素カルボン酸
エステル化合物は、強誘電性液晶化合物または反強誘電
性液晶化合物として使用することができる。本発明の液
晶材料中には、室温付近を含む広い温度範囲で、スメク
チック相を呈する化合物が多く、液晶材料としての有用
性が高い。
エステル化合物は、強誘電性液晶化合物または反強誘電
性液晶化合物として使用することができる。本発明の液
晶材料中には、室温付近を含む広い温度範囲で、スメク
チック相を呈する化合物が多く、液晶材料としての有用
性が高い。
【００７３】従来、液晶化合物を単独で使用した場合
に、上記のように室温付近を含む広い温度範囲でスメク
ッチク相を呈する液晶材料はほとんど知られていない。
そして、本発明の液晶材料は、スメクチック相を示す温
度範囲が広いだけでなく、このような液晶材料が充填さ
れている液晶素子、たとえば光スイッチング素子は、高
速応答性にも優れており、また安定したコントラストが
得られる。
に、上記のように室温付近を含む広い温度範囲でスメク
ッチク相を呈する液晶材料はほとんど知られていない。
そして、本発明の液晶材料は、スメクチック相を示す温
度範囲が広いだけでなく、このような液晶材料が充填さ
れている液晶素子、たとえば光スイッチング素子は、高
速応答性にも優れており、また安定したコントラストが
得られる。
【００７４】本発明の液晶材料は単独で使用することも
できるが、他の液晶材料と混合して液晶組成物として使
用することもできる。たとえば、本発明の液晶材料は、
強誘電性液晶組成物もしくは反強誘電性液晶組成物の主
剤、または他のスメクチック相を呈する化合物を主剤と
する液晶組成物の助剤として使用することができる。す
なわち、本発明の含フッ素カルボン酸エステル化合物の
うち、スメクチック相を呈する化合物は、液晶組成物の
主剤として、あるいは他の液晶材料を主剤とする液晶組
成物の助剤として使用することができ、またスメクチッ
ク相を示さない化合物は、他の液晶材料を主剤とする液
晶組成物の助剤として使用することができる。
できるが、他の液晶材料と混合して液晶組成物として使
用することもできる。たとえば、本発明の液晶材料は、
強誘電性液晶組成物もしくは反強誘電性液晶組成物の主
剤、または他のスメクチック相を呈する化合物を主剤と
する液晶組成物の助剤として使用することができる。す
なわち、本発明の含フッ素カルボン酸エステル化合物の
うち、スメクチック相を呈する化合物は、液晶組成物の
主剤として、あるいは他の液晶材料を主剤とする液晶組
成物の助剤として使用することができ、またスメクチッ
ク相を示さない化合物は、他の液晶材料を主剤とする液
晶組成物の助剤として使用することができる。
【００７５】本発明において式（Ｉ）で表される含フッ
素カルボン酸エステル化合物とともに使用することがで
きる液晶化合物の例としては、（＋）-4'-（2"-メチル
ブチルオキシ)フェニル-6-オクチルオキシナフタレン-2
-カルボン酸エステル、4'-デシルオキシフェニル-6-
（（＋）-2"-メチルブチルオキシ）ナフタレン-2-カル
ボン酸エステル、
素カルボン酸エステル化合物とともに使用することがで
きる液晶化合物の例としては、（＋）-4'-（2"-メチル
ブチルオキシ)フェニル-6-オクチルオキシナフタレン-2
-カルボン酸エステル、4'-デシルオキシフェニル-6-
（（＋）-2"-メチルブチルオキシ）ナフタレン-2-カル
ボン酸エステル、
【００７６】
【化２０】
【００７７】のような液晶化合物の他、
【００７８】
【化２１】
【００７９】あるいは
【００８０】
【化２２】
【００８１】のような環状構造を有するとともに光学活
性を有する化合物を挙げることができる。さらに、
性を有する化合物を挙げることができる。さらに、
【００８２】
【化２３】
【００８３】のようなシッフ塩基系液晶化合物、
【００８４】
【化２４】
【００８５】のようなアゾキシ系液晶化合物、
【００８６】
【化２５】
【００８７】のような安息香酸エステル系液晶化合物、
【００８８】
【化２６】
【００８９】のようなシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル系液晶化合物、
ル系液晶化合物、
【００９０】
【化２７】
【００９１】のようなフェニル系液晶化合物、
【００９２】
【化２８】
【００９３】のようなターフェノール系液晶化合物、
【００９４】
【化２９】
【００９５】のようなシクロヘキシル系液晶化合物、お
よび
よび
【００９６】
【化３０】
【００９７】のようなピリミジン系液晶化合物を挙げる
ことができる。特に式（Ｉ）で表される化合物と共に使
用できる液晶化合物のうちで好ましい例としては、
ことができる。特に式（Ｉ）で表される化合物と共に使
用できる液晶化合物のうちで好ましい例としては、
【００９８】
【化３１】
【００９９】あるいは
【０１００】
【化３２】
【０１０１】が挙げられる。本発明の液晶組成物は上記
式（Ｉ）で表される液晶材料および上記例示した化合物
をはじめとする他の化合物を含有している。この液晶組
成物中には、式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物を、得られる液晶組成物の特性などを考慮
して任意に配合することができが、本発明では、この組
成物中における液晶性成分の総量１００重量部中に、上
記式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸エステル化合
物をその合計量が、通常は１〜９９重量部、好ましくは
５〜９５重量部の範囲内になる量で含有されていること
が、特に実用的な動作温度を考慮すると望ましい。
式（Ｉ）で表される液晶材料および上記例示した化合物
をはじめとする他の化合物を含有している。この液晶組
成物中には、式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸エ
ステル化合物を、得られる液晶組成物の特性などを考慮
して任意に配合することができが、本発明では、この組
成物中における液晶性成分の総量１００重量部中に、上
記式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸エステル化合
物をその合計量が、通常は１〜９９重量部、好ましくは
５〜９５重量部の範囲内になる量で含有されていること
が、特に実用的な動作温度を考慮すると望ましい。
【０１０２】特に、一般式（Ｉ）で表される化合物のう
ち、ｍが０であり、ＹおよびＺが水素である下記化合物
（III）
ち、ｍが０であり、ＹおよびＺが水素である下記化合物
（III）
【０１０３】
【化３３】
【０１０４】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＸは、前記式
（Ｉ）の場合と同様である。）の場合は、共に使用でき
る液晶化合物のうち好ましい例としては、
（Ｉ）の場合と同様である。）の場合は、共に使用でき
る液晶化合物のうち好ましい例としては、
【０１０５】
【化３４】
【０１０６】あるいは、
【０１０７】
【化３５】
【０１０８】を挙げることができる。この場合上記（II
I）で表される化合物を混合物中の３０重量部、好まし
くは１０重量部以下１重量部以上の範囲内で含有するこ
とが好ましい。
I）で表される化合物を混合物中の３０重量部、好まし
くは１０重量部以下１重量部以上の範囲内で含有するこ
とが好ましい。
【０１０９】この液晶組成物中には、本発明の液晶材料
に加えて、さらに、たとえば電導性賦与剤および寿命向
上剤など、通常の液晶組成物に配合される添加剤が配合
されていてもよい。
に加えて、さらに、たとえば電導性賦与剤および寿命向
上剤など、通常の液晶組成物に配合される添加剤が配合
されていてもよい。
【０１１０】本発明で使用される液晶組成物は、上記の
ような含フッ素カルボン酸エステル化合物ならびに所望
により他の液晶材料および添加剤を混合することにより
製造することができる。
ような含フッ素カルボン酸エステル化合物ならびに所望
により他の液晶材料および添加剤を混合することにより
製造することができる。
【０１１１】上述した液晶材料を含有する液晶組成物
（液晶物質）は、電圧を印加することにより、光スイッ
チング現象を起こすので、この現象を利用して応答性の
良い表示装置を作成することができる。本発明におい
て、このような現象を利用した素子あるいは素子の駆動
方法に関しては、たとえば特開昭５６−１０７２１６号
公報および同５９−１１８７４４号公報を参照すること
ができる。
（液晶物質）は、電圧を印加することにより、光スイッ
チング現象を起こすので、この現象を利用して応答性の
良い表示装置を作成することができる。本発明におい
て、このような現象を利用した素子あるいは素子の駆動
方法に関しては、たとえば特開昭５６−１０７２１６号
公報および同５９−１１８７４４号公報を参照すること
ができる。
【０１１２】このような表示装置で使用される液晶物質
としては、スメクチックＣ相、Ｆ相、Ｇ相、Ｈ相、Ｉ
相、Ｊ相およびＫ相のいずれかの相を示す化合物を使用
することができるが、スメクチックＣ相以外では、この
ような液晶物質を用いた表示素子の応答速度が一般に遅
くなる（低くなる）ため、従来から、実用上は、応答速
度の高いスメクチックＣ相で駆動させることが有効であ
るとされていた。しかしながら、本発明においてはスメ
クチックＣ相だけでなく、スメクチックＡ相で使用する
こともできる。
としては、スメクチックＣ相、Ｆ相、Ｇ相、Ｈ相、Ｉ
相、Ｊ相およびＫ相のいずれかの相を示す化合物を使用
することができるが、スメクチックＣ相以外では、この
ような液晶物質を用いた表示素子の応答速度が一般に遅
くなる（低くなる）ため、従来から、実用上は、応答速
度の高いスメクチックＣ相で駆動させることが有効であ
るとされていた。しかしながら、本発明においてはスメ
クチックＣ相だけでなく、スメクチックＡ相で使用する
こともできる。
【０１１３】本発明の液晶素子は、液晶物質が充填され
たセルと偏光板とからなる。すなわち、本発明の液晶素
子は、たとえば、図３に示すように、液晶物質を充填す
る間隙１４を形成するように配置された二枚の透明基板
１１ａ，１１ｂと、この二枚の透明基板１１ａ，１１ｂ
の液晶物質１２に対面する面に形成された透明電極１５
ａ，１５ｂとからなるセル１３と、このセル１３の間隙
１４に充填された液晶物質１２およびこのセル１３の両
外側に一枚ずつ配置された偏光板（図示なし）から形成
されている。
たセルと偏光板とからなる。すなわち、本発明の液晶素
子は、たとえば、図３に示すように、液晶物質を充填す
る間隙１４を形成するように配置された二枚の透明基板
１１ａ，１１ｂと、この二枚の透明基板１１ａ，１１ｂ
の液晶物質１２に対面する面に形成された透明電極１５
ａ，１５ｂとからなるセル１３と、このセル１３の間隙
１４に充填された液晶物質１２およびこのセル１３の両
外側に一枚ずつ配置された偏光板（図示なし）から形成
されている。
【０１１４】本発明において、透明基板としては、たと
えば、ガラス板および透明高分子化合物板などを用いる
ことができる。透明基板の厚さは、たとえばガラス基板
の場合には通常は０．０１〜１．０ｍｍの範囲内にあ
る。
えば、ガラス板および透明高分子化合物板などを用いる
ことができる。透明基板の厚さは、たとえばガラス基板
の場合には通常は０．０１〜１．０ｍｍの範囲内にあ
る。
【０１１５】また、本発明においては、透明基板とし
て、可撓性透明基板を用いることもできる。この場合、
透明基板の少なくとも一方の基板として可撓性透明基板
を用いることができ、さらに両者とも可撓性基板であっ
てもよい。このような可撓性透明基板としては、高分子
フィルムなどを用いることができる。 このような透明
基板の表面には透明電極が設けられている。透明電極
は、たとえば酸化インジウムあるいは酸化スズなどで透
明基板表面をコーティングすることにより形成される。
透明電極は、公知の方法により形成することができる。
透明電極の厚さは通常は１００〜２０００Åの範囲内に
ある。
て、可撓性透明基板を用いることもできる。この場合、
透明基板の少なくとも一方の基板として可撓性透明基板
を用いることができ、さらに両者とも可撓性基板であっ
てもよい。このような可撓性透明基板としては、高分子
フィルムなどを用いることができる。 このような透明
基板の表面には透明電極が設けられている。透明電極
は、たとえば酸化インジウムあるいは酸化スズなどで透
明基板表面をコーティングすることにより形成される。
透明電極は、公知の方法により形成することができる。
透明電極の厚さは通常は１００〜２０００Åの範囲内に
ある。
【０１１６】このような透明電極が設けられた透明基板
には、さらに透明電極上に配向層あるいは強誘電体層が
設けられていてもよい。配向層としては、たとえば有機
シランカップリング剤あるいはカルボン酸多核錯体など
を化学吸着させることにより形成される有機薄膜および
無機薄膜を挙げることができる。有機薄膜の例として
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリビニルアルコール（ポバール）およびポ
リイミドのような高分子薄膜を挙げることができる。こ
のような有機薄膜は、塗布、接着、蒸着、あるいは、基
板上での重合（たとえばプラズマ重合）などの方法で形
成することができる。また、無機薄膜の例としては、酸
化珪素、酸化ゲルマニウムおよびアルミナなどの酸化物
薄膜、窒化珪素のような窒化物薄膜並びに他の半導体薄
膜を挙げることができる。
には、さらに透明電極上に配向層あるいは強誘電体層が
設けられていてもよい。配向層としては、たとえば有機
シランカップリング剤あるいはカルボン酸多核錯体など
を化学吸着させることにより形成される有機薄膜および
無機薄膜を挙げることができる。有機薄膜の例として
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリビニルアルコール（ポバール）およびポ
リイミドのような高分子薄膜を挙げることができる。こ
のような有機薄膜は、塗布、接着、蒸着、あるいは、基
板上での重合（たとえばプラズマ重合）などの方法で形
成することができる。また、無機薄膜の例としては、酸
化珪素、酸化ゲルマニウムおよびアルミナなどの酸化物
薄膜、窒化珪素のような窒化物薄膜並びに他の半導体薄
膜を挙げることができる。
【０１１７】さらに、上記のような薄膜に配向性を賦与
する方法には、膜成形時に薄膜自体に異方性あるいは形
状特異性を賦与する方法、薄膜作成後に外部から配向性
を賦与する方法がある。具体的には、透明電極上にポリ
イミド樹脂などの高分子物質を塗布して薄膜を形成した
後、この薄膜を一定方向にラビングする方法、高分子フ
ィルムを延伸して配向性を賦与する方法、酸化物を斜方
蒸着する方法などを挙げることができる。
する方法には、膜成形時に薄膜自体に異方性あるいは形
状特異性を賦与する方法、薄膜作成後に外部から配向性
を賦与する方法がある。具体的には、透明電極上にポリ
イミド樹脂などの高分子物質を塗布して薄膜を形成した
後、この薄膜を一定方向にラビングする方法、高分子フ
ィルムを延伸して配向性を賦与する方法、酸化物を斜方
蒸着する方法などを挙げることができる。
【０１１８】上記のような透明基板を二枚、それぞれの
透明電極が対面し、かつこの透明基板により液晶物質を
充填する間隙が形成されるように配置する。上記のよう
にして形成される間隙の幅は、通常は１〜１０μｍ、好
ましくは１〜５μｍである。このような間隙は、たとえ
ば、スペーサを挟持するように二枚の基板を配置するこ
とにより形成することができる。このようなスペーサと
しては、たとえば、感光性ポリイミド前駆体をパターニ
ングして得られるポリイミド系高分子物質などを用いる
ことができる。スペーサを用いることにより、このスペ
ーサと液晶物質との界面効果によってモノドメインが形
成される。
透明電極が対面し、かつこの透明基板により液晶物質を
充填する間隙が形成されるように配置する。上記のよう
にして形成される間隙の幅は、通常は１〜１０μｍ、好
ましくは１〜５μｍである。このような間隙は、たとえ
ば、スペーサを挟持するように二枚の基板を配置するこ
とにより形成することができる。このようなスペーサと
しては、たとえば、感光性ポリイミド前駆体をパターニ
ングして得られるポリイミド系高分子物質などを用いる
ことができる。スペーサを用いることにより、このスペ
ーサと液晶物質との界面効果によってモノドメインが形
成される。
【０１１９】また、図４（ａ）およびこのＡ−Ａ断面図
である図（ｂ）に示すように、たとえば、配向膜として
作用する同心円形状のスペーサ２６を用いて配向膜とス
ペーサとを一体化することもできる。図４（ａ）および
（ｂ）において、透明基板は２７で、透明電極は２５
で、液晶物質は２３で示されている。
である図（ｂ）に示すように、たとえば、配向膜として
作用する同心円形状のスペーサ２６を用いて配向膜とス
ペーサとを一体化することもできる。図４（ａ）および
（ｂ）において、透明基板は２７で、透明電極は２５
で、液晶物質は２３で示されている。
【０１２０】また、図５（ａ）およびこのＡ−Ａ断面図
である（ｂ）に示すように、たとえば、配向膜として作
用するクシ状のスペーサ３６を用いて配向膜とスペーサ
とを一体化することもできる。図５（ａ）および（ｂ）
において、透明基板は３７で、透明電極は３５で、液晶
物質は３３で示されている。
である（ｂ）に示すように、たとえば、配向膜として作
用するクシ状のスペーサ３６を用いて配向膜とスペーサ
とを一体化することもできる。図５（ａ）および（ｂ）
において、透明基板は３７で、透明電極は３５で、液晶
物質は３３で示されている。
【０１２１】また、図６に示すように、上記のようなス
ペーサの他に、液晶物質４３中にファイバー４６を配合
して、このファイバーにより、透明電極４５が付設され
た透明基板４７が一定の間隙を形成するように保持する
こともできる。
ペーサの他に、液晶物質４３中にファイバー４６を配合
して、このファイバーにより、透明電極４５が付設され
た透明基板４７が一定の間隙を形成するように保持する
こともできる。
【０１２２】さらに、上記ファイバーの替わりに、ある
いは上記ファイバーと共に粒状物を配合することもでき
る。このような粒状物としては、メラミン樹脂、尿素樹
脂あるいはベンゾグアナミン樹脂などからなる粒子径が
１〜１０μｍの粒状物を挙げることができる。
いは上記ファイバーと共に粒状物を配合することもでき
る。このような粒状物としては、メラミン樹脂、尿素樹
脂あるいはベンゾグアナミン樹脂などからなる粒子径が
１〜１０μｍの粒状物を挙げることができる。
【０１２３】上記のようにして間隙を形成して配置され
た二枚の透明基板は、通常は周辺をシール材でシールす
ることにより貼り合わされる。シール材としては、エポ
キシ系樹脂、シリコン系樹脂などを用いることができ
る。このエポキシ樹脂などの樹脂は、アクリル系材料、
シリコン系ゴムなどで変性されていてもよい。
た二枚の透明基板は、通常は周辺をシール材でシールす
ることにより貼り合わされる。シール材としては、エポ
キシ系樹脂、シリコン系樹脂などを用いることができ
る。このエポキシ樹脂などの樹脂は、アクリル系材料、
シリコン系ゴムなどで変性されていてもよい。
【０１２４】上記のような構成を有する液晶セルの間隙
には、上述したような式（Ｉ）で表される含フッ素カル
ボン酸エステル化合物を含む液晶物質が充填されてい
る。液晶セルの間隙に充填されたこのような液晶物質
は、たとえばスペーサエッジを利用した温度勾配法ある
いは配向膜を用いた表面処理法などの一軸配向制御方法
を利用して配向させることができる。また、本発明にお
いては、たとえば、液晶物質を加熱しながら、直流バイ
アス電圧を用いて電界を印加することにより、液晶物質
の初期配向を行うこともできる。
には、上述したような式（Ｉ）で表される含フッ素カル
ボン酸エステル化合物を含む液晶物質が充填されてい
る。液晶セルの間隙に充填されたこのような液晶物質
は、たとえばスペーサエッジを利用した温度勾配法ある
いは配向膜を用いた表面処理法などの一軸配向制御方法
を利用して配向させることができる。また、本発明にお
いては、たとえば、液晶物質を加熱しながら、直流バイ
アス電圧を用いて電界を印加することにより、液晶物質
の初期配向を行うこともできる。
【０１２５】このようにして液晶物質が充填され、初期
配向された液晶セルは、二枚の偏光板の間に配置され
る。さらに図７に示すように、上記のようにして調製さ
れた二枚の透明基板５７、透明電極５５および液晶物質
５３からなるセル５８を、この二枚の偏光板５６の間に
二個以上配置することもできる。
配向された液晶セルは、二枚の偏光板の間に配置され
る。さらに図７に示すように、上記のようにして調製さ
れた二枚の透明基板５７、透明電極５５および液晶物質
５３からなるセル５８を、この二枚の偏光板５６の間に
二個以上配置することもできる。
【０１２６】本発明の液晶素子において、それぞれの偏
光板の偏光面のなす角度（回転角）が７０〜１１０度に
なるように配置することができる。そして、この二枚の
偏光板の偏光方向が直交するように、すなわち上記角度
が９０度になるように偏光板を配置することが好まし
い。
光板の偏光面のなす角度（回転角）が７０〜１１０度に
なるように配置することができる。そして、この二枚の
偏光板の偏光方向が直交するように、すなわち上記角度
が９０度になるように偏光板を配置することが好まし
い。
【０１２７】このような偏光板としては、たとえばポリ
ビニルアルコール樹脂フィルム、ポリビニルブチラール
樹脂フィルムなどの樹脂フィルムを、ヨウ素などの存在
下で延伸することによりフィルム中にヨウ素を吸収させ
て偏光性を賦与した偏光フィルムを用いることができ
る。このような偏光フィルムは、他の樹脂などで表面を
被覆して多層構造にすることもできる。
ビニルアルコール樹脂フィルム、ポリビニルブチラール
樹脂フィルムなどの樹脂フィルムを、ヨウ素などの存在
下で延伸することによりフィルム中にヨウ素を吸収させ
て偏光性を賦与した偏光フィルムを用いることができ
る。このような偏光フィルムは、他の樹脂などで表面を
被覆して多層構造にすることもできる。
【０１２８】本発明において、上記のような液晶セル
は、上記のように配置された２枚の偏光板の間に、透過
する光量が最も少ない状態（すなわち、最暗状態）から
±１０度の範囲内の角度（回転角度）を形成するよう
に、好ましくは最暗状態になるように二枚の偏光板の間
に配置することができる。また、上記のように配置され
た２枚の偏光板の間に、透過する光量が最も多い状態
（すなわち、最明状態）から±１０度の範囲内の角度
（回転角度）を形成するように、好ましくは最明状態に
なるように二枚の偏光板の間に配置することができる。
は、上記のように配置された２枚の偏光板の間に、透過
する光量が最も少ない状態（すなわち、最暗状態）から
±１０度の範囲内の角度（回転角度）を形成するよう
に、好ましくは最暗状態になるように二枚の偏光板の間
に配置することができる。また、上記のように配置され
た２枚の偏光板の間に、透過する光量が最も多い状態
（すなわち、最明状態）から±１０度の範囲内の角度
（回転角度）を形成するように、好ましくは最明状態に
なるように二枚の偏光板の間に配置することができる。
【０１２９】本発明の液晶素子は、たとえば図３に示す
ように、上記のような液晶物質１５をセル１３の間隙１
４に充填して、この液晶物質１５を初期配向させること
により製造することができる。
ように、上記のような液晶物質１５をセル１３の間隙１
４に充填して、この液晶物質１５を初期配向させること
により製造することができる。
【０１３０】液晶物質１５は、通常、溶融状態になるま
で加熱され、この状態で内部が減圧にされているセルの
間隙１４に充填（注入）される。このように液晶物質を
充填した後、セル１３に設けられている液晶物質の注入
口は密封される。
で加熱され、この状態で内部が減圧にされているセルの
間隙１４に充填（注入）される。このように液晶物質を
充填した後、セル１３に設けられている液晶物質の注入
口は密封される。
【０１３１】次いで、このように注入口が密封されたセ
ル１３をセル内に充填された液晶物質１５が等方相を示
す温度以上の温度に加熱し、その後、この液晶物質１５
が液晶を示す温度にまで冷却する。
ル１３をセル内に充填された液晶物質１５が等方相を示
す温度以上の温度に加熱し、その後、この液晶物質１５
が液晶を示す温度にまで冷却する。
【０１３２】そして、本発明においては、この冷却の際
の降温速度を２℃／分以下にすることが好ましい。特に
降温速度を０．１〜２．０℃／分の範囲内にすることが
好ましく、さらに０．１〜０．５℃／分の範囲内にする
ことが特に好ましい。このような冷却速度でセル１３を
冷却することにより、液晶物質１５の初期配合状態が改
善され、配向欠陥の少ないモノドメインからなる液晶相
を有する液晶素子を容易に形成することができる。ここ
で初期配向性とは、液晶素子に電圧の印加などを行って
液晶物質の配向ベクトルを変える前の液晶物質の配列状
態をいう。
の降温速度を２℃／分以下にすることが好ましい。特に
降温速度を０．１〜２．０℃／分の範囲内にすることが
好ましく、さらに０．１〜０．５℃／分の範囲内にする
ことが特に好ましい。このような冷却速度でセル１３を
冷却することにより、液晶物質１５の初期配合状態が改
善され、配向欠陥の少ないモノドメインからなる液晶相
を有する液晶素子を容易に形成することができる。ここ
で初期配向性とは、液晶素子に電圧の印加などを行って
液晶物質の配向ベクトルを変える前の液晶物質の配列状
態をいう。
【０１３３】このようにして形成される本発明の液晶素
子は、従来の液晶素子と比較して、コントラストなどの
特性が著しく優れ、たとえば表面安定化強誘電性液晶素
子、ヘリカル変調素子、過度散乱型素子、ゲストホスト
型素子、垂直配向液晶素子などとして好適に使用するこ
とができる。
子は、従来の液晶素子と比較して、コントラストなどの
特性が著しく優れ、たとえば表面安定化強誘電性液晶素
子、ヘリカル変調素子、過度散乱型素子、ゲストホスト
型素子、垂直配向液晶素子などとして好適に使用するこ
とができる。
【０１３４】たとえば、本発明の液晶素子に、電界を印
加することによりこの液晶素子を駆動させる場合には、
周波数が通常は１Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは１０
Ｈｚ〜１０ＫＨｚ、電界が通常は０.０１〜６０Ｖp-p
／μｍt （厚さ１μｍ当たりの電圧）、好ましくは０.
０５〜３０Ｖp-p ／μｍt に制御された電界をかけるこ
とにより駆動させることができる。
加することによりこの液晶素子を駆動させる場合には、
周波数が通常は１Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは１０
Ｈｚ〜１０ＫＨｚ、電界が通常は０.０１〜６０Ｖp-p
／μｍt （厚さ１μｍ当たりの電圧）、好ましくは０.
０５〜３０Ｖp-p ／μｍt に制御された電界をかけるこ
とにより駆動させることができる。
【０１３５】そして、前記式（Ｉ）で表される含フッ素
カルボン酸エステル化合物を使用した本発明の液晶素子
は、電界を印加して駆動する際に印加する電界の波形
（駆動波）の幅を変えることにより、この液晶素子を透
過する光量が２種類のヒステリシス曲線を描くようにな
る。このうち一方は、いわゆる双安定型を利用する駆動
方法であり、もう一方は、いわゆる三安定型を利用する
駆動方法である。
カルボン酸エステル化合物を使用した本発明の液晶素子
は、電界を印加して駆動する際に印加する電界の波形
（駆動波）の幅を変えることにより、この液晶素子を透
過する光量が２種類のヒステリシス曲線を描くようにな
る。このうち一方は、いわゆる双安定型を利用する駆動
方法であり、もう一方は、いわゆる三安定型を利用する
駆動方法である。
【０１３６】上記のような光学活性を有する液晶材料が
充填された液晶セルを、偏光面が直交するように配置さ
れた二枚の偏光板の間に、電界を印加しない状態で最暗
状態になるように配置した本発明の液晶素子に、たとえ
ば周波数５０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは７０Ｈｚ
〜１０ＫＨｚの矩形波（あるいはパルス波）、三角波、
正弦波およびこれらを組み合わせた波形の内のいずれか
の波形の電界を印加することによりこの液晶素子を駆動
させることができる。たとえば、矩形波（あるいはパル
スまたは両者の組み合わせ波）を印加する場合には、電
界の幅を１０ミリ秒以下、好ましくは０.０１〜１０ミ
リ秒の範囲内にすることにより、液晶素子の駆動速度を
高くすることができ、この領域では本発明の液晶素子を
双安定型液晶素子として使用することができる。また、
この電界の幅を１０ミリ秒より大きくすることにより、
好ましくは３３〜１０００ミリ秒の範囲内にすることに
より、それほど高速で駆動することが必要でない領域
で、本発明の液晶素子を三安定型液晶素子として使用す
ることができる。ここで、電界の幅とは、たとえば矩形
波では、所定の電圧に維持される電界の長さ（すなわち
時間）を意味する。
充填された液晶セルを、偏光面が直交するように配置さ
れた二枚の偏光板の間に、電界を印加しない状態で最暗
状態になるように配置した本発明の液晶素子に、たとえ
ば周波数５０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは７０Ｈｚ
〜１０ＫＨｚの矩形波（あるいはパルス波）、三角波、
正弦波およびこれらを組み合わせた波形の内のいずれか
の波形の電界を印加することによりこの液晶素子を駆動
させることができる。たとえば、矩形波（あるいはパル
スまたは両者の組み合わせ波）を印加する場合には、電
界の幅を１０ミリ秒以下、好ましくは０.０１〜１０ミ
リ秒の範囲内にすることにより、液晶素子の駆動速度を
高くすることができ、この領域では本発明の液晶素子を
双安定型液晶素子として使用することができる。また、
この電界の幅を１０ミリ秒より大きくすることにより、
好ましくは３３〜１０００ミリ秒の範囲内にすることに
より、それほど高速で駆動することが必要でない領域
で、本発明の液晶素子を三安定型液晶素子として使用す
ることができる。ここで、電界の幅とは、たとえば矩形
波では、所定の電圧に維持される電界の長さ（すなわち
時間）を意味する。
【０１３７】本発明の液晶素子を用いて各種の液晶表示
装置および電気光学表示装置を製造することができる。
また、本発明の液晶素子の内、スメクチック相を呈する
液晶物質が充填された液晶素子は、熱書き込み型液晶表
示素子、レーザー書き込み型液晶表示素子などの記憶型
液晶表示装置のような液晶表示装置あるいは電気光学表
示装置を製造することができる。さらに、強誘電性を示
し、かつ鎖状部に光学活性炭素を有する液晶材料を用い
ることにより、上記のような用途の他、光シャッターあ
るいは液晶プリンターなどの光スイッチング素子、圧電
素子および焦電素子のような液晶表示装置（あるいは電
気光学表示装置）を製造することができる。
装置および電気光学表示装置を製造することができる。
また、本発明の液晶素子の内、スメクチック相を呈する
液晶物質が充填された液晶素子は、熱書き込み型液晶表
示素子、レーザー書き込み型液晶表示素子などの記憶型
液晶表示装置のような液晶表示装置あるいは電気光学表
示装置を製造することができる。さらに、強誘電性を示
し、かつ鎖状部に光学活性炭素を有する液晶材料を用い
ることにより、上記のような用途の他、光シャッターあ
るいは液晶プリンターなどの光スイッチング素子、圧電
素子および焦電素子のような液晶表示装置（あるいは電
気光学表示装置）を製造することができる。
【０１３８】すなわち、本発明で使用される液晶物質
は、三安定または双安定性を示すため、双安定状態を達
成するように電界を反転することにより、本発明の液晶
素子に光スイッチング機能あるいは表示機能をもたせる
ことができる。
は、三安定または双安定性を示すため、双安定状態を達
成するように電界を反転することにより、本発明の液晶
素子に光スイッチング機能あるいは表示機能をもたせる
ことができる。
【０１３９】また、上記の液晶物質が双安定を示す場
合、この液晶物質は自発分極を有するから、本発明の液
晶素子は一度電圧を印加すると電界消去後もメモリー効
果を有する。そして、このメモリーを維持するために液
晶素子に電界を印加し続ける必要がなく、本発明の液晶
素子を用いた表示装置では消費電力の低減を図ることが
できる。また、三安定を示す場合もメモリー性を維持す
ることができる。しかもこの表示装置は、安定したコン
トラストを有しているので非常に鮮明である。
合、この液晶物質は自発分極を有するから、本発明の液
晶素子は一度電圧を印加すると電界消去後もメモリー効
果を有する。そして、このメモリーを維持するために液
晶素子に電界を印加し続ける必要がなく、本発明の液晶
素子を用いた表示装置では消費電力の低減を図ることが
できる。また、三安定を示す場合もメモリー性を維持す
ることができる。しかもこの表示装置は、安定したコン
トラストを有しているので非常に鮮明である。
【０１４０】さらに、前記式（Ｉ）で表される含フッ素
カルボン酸エステル化合物を用いた本発明のスイッチン
グ素子では、分子の配向方向を変えるだけでスイッチン
グ操作が可能になり、この場合、電界強度の一次項がこ
のスイッチング素子の駆動に作用するため、スイッチン
グ素子では低電圧駆動が可能になる。
カルボン酸エステル化合物を用いた本発明のスイッチン
グ素子では、分子の配向方向を変えるだけでスイッチン
グ操作が可能になり、この場合、電界強度の一次項がこ
のスイッチング素子の駆動に作用するため、スイッチン
グ素子では低電圧駆動が可能になる。
【０１４１】そして、このスイッチング素子を用いるこ
とにより、数十μ秒以下の高速応答性を実現することが
できるので、素子の操作時間は大幅に短縮される。従っ
て、本発明の液晶素子を用いることにより走査線の多い
大画面のディスプレイ（液晶表示装置）を容易に製造す
ることができる。しかも、このディスプレイは、室温あ
るいはそれ以下の温度で駆動させることができるので、
駆動温度をコントロールするための補助手段を用いるこ
となくこのディスプレイを駆動させることができる。
とにより、数十μ秒以下の高速応答性を実現することが
できるので、素子の操作時間は大幅に短縮される。従っ
て、本発明の液晶素子を用いることにより走査線の多い
大画面のディスプレイ（液晶表示装置）を容易に製造す
ることができる。しかも、このディスプレイは、室温あ
るいはそれ以下の温度で駆動させることができるので、
駆動温度をコントロールするための補助手段を用いるこ
となくこのディスプレイを駆動させることができる。
【０１４２】さらに、本発明で使用される含フッ素カル
ボン酸エステル化合物は、一般には双安定性を示さない
とされているスメクチックＡ相においても、電界が印加
されると誘起的に分子が傾くので、この性質を利用して
光スイッチングを行うことできる。すなわち、従来強誘
電性液晶化合物を用いる場合には実用的な応答速度を達
成できないため、通常は使用されていなかったスメクチ
ックＡ相においても、本発明者が既に特開昭６４−３６
３４号公報および特開平２−９１８号公報で提案した駆
動法および装置を利用することにより、本発明の液晶素
子を用いた表示装置を駆動させることが可能である。さ
らに、本発明で使用される含有フッ素カルボン酸エステ
ル化合物は、スメクチックＣ相よりもさらに高い秩序を
有するスメクチックＦ相などにおいても、二つ以上の安
定状態を示すので、これらの相における複数の安定状態
を利用して上記と同様にして光スイッチングを行うこと
ができる。
ボン酸エステル化合物は、一般には双安定性を示さない
とされているスメクチックＡ相においても、電界が印加
されると誘起的に分子が傾くので、この性質を利用して
光スイッチングを行うことできる。すなわち、従来強誘
電性液晶化合物を用いる場合には実用的な応答速度を達
成できないため、通常は使用されていなかったスメクチ
ックＡ相においても、本発明者が既に特開昭６４−３６
３４号公報および特開平２−９１８号公報で提案した駆
動法および装置を利用することにより、本発明の液晶素
子を用いた表示装置を駆動させることが可能である。さ
らに、本発明で使用される含有フッ素カルボン酸エステ
ル化合物は、スメクチックＣ相よりもさらに高い秩序を
有するスメクチックＦ相などにおいても、二つ以上の安
定状態を示すので、これらの相における複数の安定状態
を利用して上記と同様にして光スイッチングを行うこと
ができる。
【０１４３】本発明の液晶素子を用いた表示装置は、種
々の方法で駆動させることができるが、この駆動方法の
具体的な例としては以下に記載する方法を挙げることが
できる。
々の方法で駆動させることができるが、この駆動方法の
具体的な例としては以下に記載する方法を挙げることが
できる。
【０１４４】第１の方法は、本発明の液晶素子を二枚の
偏光板の間に介在させ、この液晶素子に外部電圧を印加
し、液晶物質の配向ベクトルを変えることにより、二枚
の偏光板と液晶物質の複屈折とを利用して表示を行う方
法である。
偏光板の間に介在させ、この液晶素子に外部電圧を印加
し、液晶物質の配向ベクトルを変えることにより、二枚
の偏光板と液晶物質の複屈折とを利用して表示を行う方
法である。
【０１４５】第２の方法は、二色性色素が配合された液
晶物質を用いて色素の二色性を利用する方法である。こ
の方法は液晶化合物の配向方向を変えることにより色素
による光の吸収波長を変えて表示を行う方法である。こ
の場合に使用される色素は、通常は二色性色素であり、
このような二色性色素の例としては、アゾ色素、ナフト
キノン色素、シアニン系色素およびアントラキノン系色
素などを挙げることができる。
晶物質を用いて色素の二色性を利用する方法である。こ
の方法は液晶化合物の配向方向を変えることにより色素
による光の吸収波長を変えて表示を行う方法である。こ
の場合に使用される色素は、通常は二色性色素であり、
このような二色性色素の例としては、アゾ色素、ナフト
キノン色素、シアニン系色素およびアントラキノン系色
素などを挙げることができる。
【０１４６】本発明の液晶素子を用いて製造される表示
デバイスは、スタチィック駆動、単純マトリックス駆動
および複合マトリックス駆動などの電気アドレス表示方
式、光アドレス表示方式、熱アドレス表示方式並びに光
ビーム表示方式により駆動させることができる。
デバイスは、スタチィック駆動、単純マトリックス駆動
および複合マトリックス駆動などの電気アドレス表示方
式、光アドレス表示方式、熱アドレス表示方式並びに光
ビーム表示方式により駆動させることができる。
【０１４７】また、本発明の表示装置を電界駆動する際
には各絵素を駆動させるための素子として、非線形素子
あるいは能動素子を用いることができる。より具体的に
は、２端子素子の非線形素子としては、たとえば図８
（ａ）に示すように一方の透明基板上にバリスタ、ＭＩ
Ｍ（Metal Insulator Metal)、ダイオードなどを配置し
て、これらの非線形性を利用した素子を挙げることがで
きる。また、３端子素子の能動素子としては、たとえば
図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）、Ｓｉ-ＭＯＳ（Si-metal oxide semi conductor f
ield-effect transistor）およびＳＯＳ（Sillicon on
Sapphire）などが絵素に配置された素子を挙げることが
できる。
には各絵素を駆動させるための素子として、非線形素子
あるいは能動素子を用いることができる。より具体的に
は、２端子素子の非線形素子としては、たとえば図８
（ａ）に示すように一方の透明基板上にバリスタ、ＭＩ
Ｍ（Metal Insulator Metal)、ダイオードなどを配置し
て、これらの非線形性を利用した素子を挙げることがで
きる。また、３端子素子の能動素子としては、たとえば
図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）、Ｓｉ-ＭＯＳ（Si-metal oxide semi conductor f
ield-effect transistor）およびＳＯＳ（Sillicon on
Sapphire）などが絵素に配置された素子を挙げることが
できる。
【０１４８】本発明に係る光学活性安息香酸エステル誘
導体は、下記式（II）で表される化合物である。
導体は、下記式（II）で表される化合物である。
【０１４９】
【化３６】
【０１５０】式中、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアル
キル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基お
よびドデシル基を挙げることができる。これらの基は、
直鎖状であっても分岐鎖を有していてもよい。
キル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基お
よびドデシル基を挙げることができる。これらの基は、
直鎖状であっても分岐鎖を有していてもよい。
【０１５１】ｎは、２または３である。上記式（II）で
表される化合物において、ｎが、２または３である化合
物を中間体とする液晶化合物は、ｎが４以上である化合
物を中間体とする液晶化合物に比べて、チルト角が大き
くなり、同時に応答速度が向上する。
表される化合物において、ｎが、２または３である化合
物を中間体とする液晶化合物は、ｎが４以上である化合
物を中間体とする液晶化合物に比べて、チルト角が大き
くなり、同時に応答速度が向上する。
【０１５２】ＹおよびＺは、Ｙが水素原子でありＺがフ
ッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺが水素原子
である。上記式（II）で表される光学活性安息香酸エス
テル誘導体としては、具体的な例としては、下記表３に
示す化合物を挙げることができる。きる。
ッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺが水素原子
である。上記式（II）で表される光学活性安息香酸エス
テル誘導体としては、具体的な例としては、下記表３に
示す化合物を挙げることができる。きる。
【０１５３】
【表１１】
【０１５４】上記のような光学活性安息香酸エステル誘
導体は、公知の合成技術を組み合わせて製造することが
できる。たとえば、上記式（Ｉ）で表される化合物のう
ち、ｎが３である光学活性安息香酸エステル誘導体は、
以下に示す合成法（Ａ）または合成法（Ｂ）により合成
することができる。
導体は、公知の合成技術を組み合わせて製造することが
できる。たとえば、上記式（Ｉ）で表される化合物のう
ち、ｎが３である光学活性安息香酸エステル誘導体は、
以下に示す合成法（Ａ）または合成法（Ｂ）により合成
することができる。
【０１５５】
【化３７】
【０１５６】合成法（Ａ）では、p-ヒドロキシ安息香酸
類（ａ）と、光学活性アルコール（ｂ）とを、硫酸、ホ
ウ酸などの触媒の存在下、トルエンなどの溶媒中で、還
流下に脱水することにより、本発明の光学活性安息香酸
エステル誘導体（IIa）を製造することができる。
類（ａ）と、光学活性アルコール（ｂ）とを、硫酸、ホ
ウ酸などの触媒の存在下、トルエンなどの溶媒中で、還
流下に脱水することにより、本発明の光学活性安息香酸
エステル誘導体（IIa）を製造することができる。
【０１５７】
【化３８】
【０１５８】合成法（Ｂ）では、ベンジルオキシ安息香
酸類（ｃ）と、光学活性アルコール（ｂ）とを、ジシク
ロヒキシルカルボジイミドなどの脱水剤を用い、ジメチ
ルアミノピリジンなどの有機塩基の存在下に反応させ、
ベンジルオキシ安息香酸エステル誘導体（ｄ）を製造し
た後、このベンジルオキシ安息香酸エステル誘導体
（ｄ）と、水素とを、パラジウム／炭素などの水素化触
媒の存在下に反応させることにより光学活性安息香酸エ
ステル誘導体（IIa）を製造する。
酸類（ｃ）と、光学活性アルコール（ｂ）とを、ジシク
ロヒキシルカルボジイミドなどの脱水剤を用い、ジメチ
ルアミノピリジンなどの有機塩基の存在下に反応させ、
ベンジルオキシ安息香酸エステル誘導体（ｄ）を製造し
た後、このベンジルオキシ安息香酸エステル誘導体
（ｄ）と、水素とを、パラジウム／炭素などの水素化触
媒の存在下に反応させることにより光学活性安息香酸エ
ステル誘導体（IIa）を製造する。
【０１５９】なお、上記方法は、本発明の光学活性安息
香酸エステル誘導体の製造方法の一例であり、本発明の
光学活性安息香酸エステル誘導体は、この製造方法によ
って限定されるものではない。
香酸エステル誘導体の製造方法の一例であり、本発明の
光学活性安息香酸エステル誘導体は、この製造方法によ
って限定されるものではない。
【０１６０】本発明の光学活性安息香酸エステル誘導体
を中間体として、上記のような優れた液晶特性を有する
液晶化合物を合成することができる。
を中間体として、上記のような優れた液晶特性を有する
液晶化合物を合成することができる。
【０１６１】
【発明の効果】本発明により新規な含フッ素カルボン酸
エステル化合物が提供される。この新規な含フッ素カル
ボン酸エステル化合物は、光学的に活性であり、しかも
室温を含む広範な温度範囲においてスメクチック相を示
し、また強誘電性液晶材料あるいは反強誘電性液晶材料
として使用することもできる。
エステル化合物が提供される。この新規な含フッ素カル
ボン酸エステル化合物は、光学的に活性であり、しかも
室温を含む広範な温度範囲においてスメクチック相を示
し、また強誘電性液晶材料あるいは反強誘電性液晶材料
として使用することもできる。
【０１６２】このような本発明の液晶材料に、同種およ
び／または他種の液晶物質を配合することにより、本発
明の液晶材料の強誘電性あるいは反強誘電性を損なうこ
となく、液晶を使用できる温度範囲を広域化することが
できる。
び／または他種の液晶物質を配合することにより、本発
明の液晶材料の強誘電性あるいは反強誘電性を損なうこ
となく、液晶を使用できる温度範囲を広域化することが
できる。
【０１６３】従って、このような液晶材料を用いること
により、広い温度範囲において高速応答性を有する液晶
素子などを得ることができる。さらに、このような素子
を用いて製造した液晶ディスプレイでは、操作時間を大
幅に短縮することができる。このようなディスプレイで
は、消費電力の低減を図ることができると共に、高いコ
ントラスト、安定したコントラストが得られる。また、
低電圧駆動も可能である。
により、広い温度範囲において高速応答性を有する液晶
素子などを得ることができる。さらに、このような素子
を用いて製造した液晶ディスプレイでは、操作時間を大
幅に短縮することができる。このようなディスプレイで
は、消費電力の低減を図ることができると共に、高いコ
ントラスト、安定したコントラストが得られる。また、
低電圧駆動も可能である。
【０１６４】また、本発明の含フッ素カルボン酸エステ
ル化合物を反強誘電性液晶化合物として使用する場合、
メモリー性の実現が容易になり、配向性を向上させるな
どの特性を付与することができる。
ル化合物を反強誘電性液晶化合物として使用する場合、
メモリー性の実現が容易になり、配向性を向上させるな
どの特性を付与することができる。
【０１６５】このような本発明の液晶材料を用いること
により、動作温度範囲が広く、スイッチング速度が高速
で、消費電力がきわめて少なく、しかも安定したコント
ラストが得られるなどの優れた特性を有する各種デバイ
スを得ることができる。
により、動作温度範囲が広く、スイッチング速度が高速
で、消費電力がきわめて少なく、しかも安定したコント
ラストが得られるなどの優れた特性を有する各種デバイ
スを得ることができる。
【０１６６】本発明により新規な光学活性安息香酸エス
テル誘導体が提供される。この新規な光学活性安息香酸
エステル誘導体は、液晶化合物の中間体として有用であ
る。本発明の光学活性安息香酸エステル誘導体を中間体
とする液晶化合物は、優れた液晶特性を有する。
テル誘導体が提供される。この新規な光学活性安息香酸
エステル誘導体は、液晶化合物の中間体として有用であ
る。本発明の光学活性安息香酸エステル誘導体を中間体
とする液晶化合物は、優れた液晶特性を有する。
【０１６７】
【実施例】次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。なおＲ、Ｓは光
学活性体のＲ体、Ｓ体を表わす。
らの実施例に限定されるものではない。なおＲ、Ｓは光
学活性体のＲ体、Ｓ体を表わす。
【０１６８】
【実施例１】 4-(4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカルボニルオキ
シ）-2-フルオロ-安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル
-4-エトキシブチルエステル〔例示化合物（１９８）〕
の製造方法
シ）-2-フルオロ-安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル
-4-エトキシブチルエステル〔例示化合物（１９８）〕
の製造方法
【０１６９】
【化３９】
【０１７０】第１段階 2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸２．３４ｇ（１５ミ
リモル）、ベンジルアルコール１６３ｇ（０．１５モ
ル）および酸化ブチルスズ０．１ｇの混合物を窒素雰囲
気下、攪拌下で１０時間還流下に、ディーンスタークを
用いて副生成する水を除きながら反応させた。反応後、
減圧下に未反応のベンジルアルコールを留去し黄色粘凋
固体を得た。この粘凋固体をトルエンから再結晶すると
により、白色粉末の2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸
ベンジルエステル３．０３ｇを得た（収率：８２％）。
リモル）、ベンジルアルコール１６３ｇ（０．１５モ
ル）および酸化ブチルスズ０．１ｇの混合物を窒素雰囲
気下、攪拌下で１０時間還流下に、ディーンスタークを
用いて副生成する水を除きながら反応させた。反応後、
減圧下に未反応のベンジルアルコールを留去し黄色粘凋
固体を得た。この粘凋固体をトルエンから再結晶すると
により、白色粉末の2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸
ベンジルエステル３．０３ｇを得た（収率：８２％）。
【０１７１】第２段階 前記第１段階で得られた2-フルオロ-4-ヒドロキシ安息
香酸 ベンジルエステル１．２３ｇ（５．０ミリモ
ル）、4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカルボン酸１．
７２ｇ（５．５ミリモル）、N,N-ジメチル-4-アミノピ
リジン０．０６ｇ（０．５ミリモル）および塩化メチレ
ン２５ｍｌの混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド１．２４ｇ（６．０ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液１０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
滴下後、さらに室温で１５時間反応させた。
香酸 ベンジルエステル１．２３ｇ（５．０ミリモ
ル）、4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカルボン酸１．
７２ｇ（５．５ミリモル）、N,N-ジメチル-4-アミノピ
リジン０．０６ｇ（０．５ミリモル）および塩化メチレ
ン２５ｍｌの混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド１．２４ｇ（６．０ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液１０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
滴下後、さらに室温で１５時間反応させた。
【０１７２】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、白色固体の4'-オクチルオキ
シ-4-ビフェニルカルボニルオキシ-2-フルオロ安息香酸
ベンジルエステル２．４０ｇを得た（収率：８９
％）。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、白色固体の4'-オクチルオキ
シ-4-ビフェニルカルボニルオキシ-2-フルオロ安息香酸
ベンジルエステル２．４０ｇを得た（収率：８９
％）。
【０１７３】第３段階 前記第２段階で得た4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカ
ルボニルオキシ-2-フルオロ安息香酸 ベンジルエステ
ル３．７２ｇ（６．７ミリモル）および５％パラジウム
／炭素０．４ｇをテトラヒドロフラン３０ｍｌに混合
し、室温下、攪拌下に水素ガスを２０時間吹き込んだ。
反応混合物を濾過助剤であるセライトを用いて濾過し、
さらに得られた濾液を濃縮後、アセトン／テトラヒドロ
フランの混合溶媒から再結晶することにより白色固体の
4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカルボニルオキシ-2-
フルオロ安息香酸１．９０ｇを得た（収率：６１％）。
ルボニルオキシ-2-フルオロ安息香酸 ベンジルエステ
ル３．７２ｇ（６．７ミリモル）および５％パラジウム
／炭素０．４ｇをテトラヒドロフラン３０ｍｌに混合
し、室温下、攪拌下に水素ガスを２０時間吹き込んだ。
反応混合物を濾過助剤であるセライトを用いて濾過し、
さらに得られた濾液を濃縮後、アセトン／テトラヒドロ
フランの混合溶媒から再結晶することにより白色固体の
4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカルボニルオキシ-2-
フルオロ安息香酸１．９０ｇを得た（収率：６１％）。
【０１７４】第４段階 前記第３段階で得た4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカ
ルボニルオキシ-2-フルオロ安息香酸０．４７ｇ（１．
０ミリモル）、(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシ
−ブタノール０．２２ｇ（１．０ミリモル）、N,N-ジメ
チル-4-アミノピリジン０．０１ｇ（０．１ミリモル）
および塩化メチレン１０ｍｌの混合物に、ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０．２５ｇ（１．２ミリモル）を含
む塩化メチレン溶液１０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間
かけて滴下した。滴下後、さらに室温で１５時間反応さ
せた。
ルボニルオキシ-2-フルオロ安息香酸０．４７ｇ（１．
０ミリモル）、(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシ
−ブタノール０．２２ｇ（１．０ミリモル）、N,N-ジメ
チル-4-アミノピリジン０．０１ｇ（０．１ミリモル）
および塩化メチレン１０ｍｌの混合物に、ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０．２５ｇ（１．２ミリモル）を含
む塩化メチレン溶液１０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間
かけて滴下した。滴下後、さらに室温で１５時間反応さ
せた。
【０１７５】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、半固体０．２６ｇを得た（収
率：４６％）。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、半固体０．２６ｇを得た（収
率：４６％）。
【０１７６】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６３２であった。図１にこの化合物の 1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする4-(4'-オクチルオキシ-4
-ビフェニルカルボニルオキシ）-2-フルオロ-安息香酸
(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエステル
と同定した。
Ｍ／ｅ＝６３２であった。図１にこの化合物の 1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする4-(4'-オクチルオキシ-4
-ビフェニルカルボニルオキシ）-2-フルオロ-安息香酸
(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエステル
と同定した。
【０１７７】
【実施例２】 4-(4'-デシル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フル
オロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシ
ブチルエステル〔例示化合物（７８）〕の製造方法
オロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシ
ブチルエステル〔例示化合物（７８）〕の製造方法
【０１７８】
【化４０】
【０１７９】第１段階 3-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸２．６７ｇ（１７．
１ミリモル）、ベンジルアルコール６４．８ｇ（０．７
モル）および酸化ブチルスズ０．０２４ｇ（０．１ミリ
モル）の混合物を窒素雰囲気下、攪拌下で１０時間還流
下に反応させた。反応後、減圧下に未反応のベンジルア
ルコールおよび副生成物である水を留去し黄色粘調固体
を得た。この粘調固体をカラムクロマトグラフィーを用
いて精製することにより、3-フルオロ-4-ヒドロキシ安
息香酸 ベンジルエステル２．９８ｇを得た（収率：７
１％）。
１ミリモル）、ベンジルアルコール６４．８ｇ（０．７
モル）および酸化ブチルスズ０．０２４ｇ（０．１ミリ
モル）の混合物を窒素雰囲気下、攪拌下で１０時間還流
下に反応させた。反応後、減圧下に未反応のベンジルア
ルコールおよび副生成物である水を留去し黄色粘調固体
を得た。この粘調固体をカラムクロマトグラフィーを用
いて精製することにより、3-フルオロ-4-ヒドロキシ安
息香酸 ベンジルエステル２．９８ｇを得た（収率：７
１％）。
【０１８０】第２段階 前記第１段階で得られた3-フルオロ-4-ヒドロキシ安息
香酸 ベンジルエステル２．９８ｇ（１２．１ミリモ
ル）、4'-デシル-4-ビフェニルカルボン酸４．０６ｇ
（１２．０ミリモル）、N,N-ジメチル-4-アミノピリジ
ン０．１５ｇ（１．２ミリモル）および塩化メチレン３
０ｍｌの混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド
２．９９ｇ（１４．５ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液３０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
滴下後、さらに室温で１５時間反応させた。
香酸 ベンジルエステル２．９８ｇ（１２．１ミリモ
ル）、4'-デシル-4-ビフェニルカルボン酸４．０６ｇ
（１２．０ミリモル）、N,N-ジメチル-4-アミノピリジ
ン０．１５ｇ（１．２ミリモル）および塩化メチレン３
０ｍｌの混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド
２．９９ｇ（１４．５ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液３０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
滴下後、さらに室温で１５時間反応させた。
【０１８１】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、4-（4'-デシル-4-ビフェニル
カルボニルオキシ）-3-フルオロ安息香酸 ベンジルエ
ステル４．９７ｇを得た（収率：７３．２％）。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、4-（4'-デシル-4-ビフェニル
カルボニルオキシ）-3-フルオロ安息香酸 ベンジルエ
ステル４．９７ｇを得た（収率：７３．２％）。
【０１８２】第３段階 前記第２段階で得た4-（4'-デシル-4-ビフェニルカルボ
ニルオキシ）-3-フルオロ安息香酸 ベンジルエステル
４．９７ｇ（８．８ミリモル）および５％パラジウム／
炭素０．９９ｇをテトラヒドロフラン３０ｍｌに混合
し、室温下、攪拌下に水素ガスを２０時間吹き込んだ。
反応混合物を濾過助剤であるセライトを用いて濾過し、
さらに得られた濾液を濃縮して白色固体の4-（4'-デシ
ル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フルオロ安息香
酸３．３９ｇを得た（収率：８１％）。
ニルオキシ）-3-フルオロ安息香酸 ベンジルエステル
４．９７ｇ（８．８ミリモル）および５％パラジウム／
炭素０．９９ｇをテトラヒドロフラン３０ｍｌに混合
し、室温下、攪拌下に水素ガスを２０時間吹き込んだ。
反応混合物を濾過助剤であるセライトを用いて濾過し、
さらに得られた濾液を濃縮して白色固体の4-（4'-デシ
ル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フルオロ安息香
酸３．３９ｇを得た（収率：８１％）。
【０１８３】第４段階 前記第３段階で得た4-（4'-デシル-4-ビフェニルカルボ
ニルオキシ）-3-フルオロ安息香酸０．４８ｇ（１．０
ミリモル）、(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシ−
ブタノール０．１９ｇ（１．０ミリモル）、N,N-ジメチ
ル-4-アミノピリジン０．０１ｇ（０．１ミリモル）お
よび塩化メチレン１０ｍｌの混合物に、ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド０．２５ｇ（１．２ミリモル）を含む
塩化メチレン溶液１０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間か
けて滴下した。滴下後、さらに室温で１５時間反応させ
た。
ニルオキシ）-3-フルオロ安息香酸０．４８ｇ（１．０
ミリモル）、(R)-1-トリフルオロメチル-4-エトキシ−
ブタノール０．１９ｇ（１．０ミリモル）、N,N-ジメチ
ル-4-アミノピリジン０．０１ｇ（０．１ミリモル）お
よび塩化メチレン１０ｍｌの混合物に、ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド０．２５ｇ（１．２ミリモル）を含む
塩化メチレン溶液１０ｍｌを室温で、攪拌下に２時間か
けて滴下した。滴下後、さらに室温で１５時間反応させ
た。
【０１８４】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、白色固体０．３９ｇを得た
（収率：６０％）。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、白色固体０．３９ｇを得た
（収率：６０％）。
【０１８５】この白色固体のＦＤ−マススペクトルの値
はＭ／ｅ＝６４４であった。図２にこの化合物の 1Ｈ−
ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結
果より、この化合物は目的とする4-(4'-デシル-4-ビフ
ェニルカルボニルオキシ）-3-フルオロ-安息香酸 (R)-
1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエステルと同
定した。
はＭ／ｅ＝６４４であった。図２にこの化合物の 1Ｈ−
ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結
果より、この化合物は目的とする4-(4'-デシル-4-ビフ
ェニルカルボニルオキシ）-3-フルオロ-安息香酸 (R)-
1-トリフルオロメチル-4-エトキシブチルエステルと同
定した。
【０１８６】
【実施例３】 4-(4'-オクチル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-2-フ
ルオロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-メトキ
シプロピルエステル〔例示化合物（１７９）〕の製造方
法
ルオロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-メトキ
シプロピルエステル〔例示化合物（１７９）〕の製造方
法
【０１８７】
【化４１】
【０１８８】実施例１の第３段階で得た4'-オクチルオ
キシ-4-ビフェニルカルボニルオキシ-2-フルオロ安息香
酸０．２６ｇ（０．５５ミリモル）、(R)-1-トリフルオ
ロメチル-3-メトキシ- プロパノール０．０８ｇ（０．
５ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０．００
６ｇ（０．０５ミリモル）および塩化メチレン１０ｍｌ
の混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド０．１２
ｇ（０．６ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５ｍｌを
室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。滴下後、さら
に室温で１５時間反応させた。
キシ-4-ビフェニルカルボニルオキシ-2-フルオロ安息香
酸０．２６ｇ（０．５５ミリモル）、(R)-1-トリフルオ
ロメチル-3-メトキシ- プロパノール０．０８ｇ（０．
５ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０．００
６ｇ（０．０５ミリモル）および塩化メチレン１０ｍｌ
の混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド０．１２
ｇ（０．６ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５ｍｌを
室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。滴下後、さら
に室温で１５時間反応させた。
【０１８９】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、半固体０．２２ｇを得た（収
率；７３％）。得られた半固体の分析結果を下記に示
す。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、半固体０．２２ｇを得た（収
率；７３％）。得られた半固体の分析結果を下記に示
す。
【０１９０】Ｍｓ：６０４（Ｍ+ ）1 Ｈ−ＮＭＲ：０．９０（３Ｈ，ｔ，ｊ＝６．４Ｈ
ｚ）、１．２−１．６（１０Ｈ，ｍ）、１．７−１．９
（２Ｈ，ｍ）、２．０−２．３（２Ｈ，ｍ）、３．３３
（３Ｈ，Ｓ）、３．４−３．６（２Ｈ，ｍ）、４．０３
（２Ｈ，ｔ，ｊ＝６．６Ｈｚ）、５．７−５．９（１
Ｈ，ｍ）、７．０−７．１（２Ｈ，ｍ）、７．１−７．
２（２Ｈ，ｍ）、７．６−７．２（２Ｈ，ｍ）、７．７
−７．８（２Ｈ，ｍ）、８．０−８．１（１Ｈ，ｍ）、
８．２−８．３（２Ｈ，ｍ） これらの分析結果より、この化合物は、目的とする4-
(4'-オクチル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-2-フル
オロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-メトキシ
プロピルエステルと同定した。
ｚ）、１．２−１．６（１０Ｈ，ｍ）、１．７−１．９
（２Ｈ，ｍ）、２．０−２．３（２Ｈ，ｍ）、３．３３
（３Ｈ，Ｓ）、３．４−３．６（２Ｈ，ｍ）、４．０３
（２Ｈ，ｔ，ｊ＝６．６Ｈｚ）、５．７−５．９（１
Ｈ，ｍ）、７．０−７．１（２Ｈ，ｍ）、７．１−７．
２（２Ｈ，ｍ）、７．６−７．２（２Ｈ，ｍ）、７．７
−７．８（２Ｈ，ｍ）、８．０−８．１（１Ｈ，ｍ）、
８．２−８．３（２Ｈ，ｍ） これらの分析結果より、この化合物は、目的とする4-
(4'-オクチル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-2-フル
オロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-4-メトキシ
プロピルエステルと同定した。
【０１９１】
【実施例４】 3-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸 (R)-1-トリフルオ
ロメチル-３-メトキシプロピルエステル〔例示化合物
（２４５）〕の製造方法
ロメチル-３-メトキシプロピルエステル〔例示化合物
（２４５）〕の製造方法
【０１９２】
【化４２】
【０１９３】第１段階 3-フルオロ-4-ベンジルオキシ安息香酸０．１８ｇ
（０．７ミリモル）、(R)-1-トリフルオロメチル-３-メ
トキシプロパノール０．１１ｇ（０．７ミリモル）、N,
N-ジメチル-4-アミノピリジン０．０１ｇ（０．１ミリ
モル）および塩化メチレン１０ｍｌの混合物に、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド０．１９ｇ（０．９ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液５ｍｌを室温で、攪拌下に
２時間かけて滴下した。滴下後、さらに室温で１５時間
反応させた。
（０．７ミリモル）、(R)-1-トリフルオロメチル-３-メ
トキシプロパノール０．１１ｇ（０．７ミリモル）、N,
N-ジメチル-4-アミノピリジン０．０１ｇ（０．１ミリ
モル）および塩化メチレン１０ｍｌの混合物に、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド０．１９ｇ（０．９ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液５ｍｌを室温で、攪拌下に
２時間かけて滴下した。滴下後、さらに室温で１５時間
反応させた。
【０１９４】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、3-フルオロ-4-ヒドロキシ安
息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-３-メトキシプロピ
ルエステル０．２２ｇを得た（収率；７７％）。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、3-フルオロ-4-ヒドロキシ安
息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-３-メトキシプロピ
ルエステル０．２２ｇを得た（収率；７７％）。
【０１９５】第２段階 前記3-フルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸 (R)-1-トリフ
ルオロメチル-３-メトキシプロピルエステル０．２２ｇ
およびパラジウム／炭素０．０７ｇをテトラヒドロフラ
ン１０ｍｌに混合し、室温下、攪拌下に水素ガスを２０
時間吹き込んだ。反応混合物を濾過し、さらに得られた
濾液を濃縮し白色固体０．１６ｇを得た（収率：９８
％）。得られた白色固体の分析結果を下記に示す。
ルオロメチル-３-メトキシプロピルエステル０．２２ｇ
およびパラジウム／炭素０．０７ｇをテトラヒドロフラ
ン１０ｍｌに混合し、室温下、攪拌下に水素ガスを２０
時間吹き込んだ。反応混合物を濾過し、さらに得られた
濾液を濃縮し白色固体０．１６ｇを得た（収率：９８
％）。得られた白色固体の分析結果を下記に示す。
【０１９６】Ｍｓ：６０４（Ｍ+ ）1 Ｈ−ＮＭＲ：２．０−２．３（２Ｈ，ｍ）、３．３０
（３Ｈ，ｓ）、３．３−３．６（２Ｈ，ｍ）、６．９−
７．１（１Ｈ，ｍ）、７．７−７．９（２Ｈ，ｍ） これらの分析結果より、この化合物は、目的とする3-フ
ルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメ
チル-３-メトキシプロピルエステルであると同定した。
（３Ｈ，ｓ）、３．３−３．６（２Ｈ，ｍ）、６．９−
７．１（１Ｈ，ｍ）、７．７−７．９（２Ｈ，ｍ） これらの分析結果より、この化合物は、目的とする3-フ
ルオロ-4-ヒドロキシ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメ
チル-３-メトキシプロピルエステルであると同定した。
【０１９７】
【実施例５】 4-(4'-デシル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フル
オロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-3-メトキシ
プロピルエステル〔例示化合物（１７１）〕の製造方法
オロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-3-メトキシ
プロピルエステル〔例示化合物（１７１）〕の製造方法
【０１９８】
【化４３】
【０１９９】実施例４で得た3-フルオロ-4-ヒドロキシ
安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-３-メトキシプロ
ピルエステル０．１６ｇ（０．５５ミリモル）、4'-デ
シル-4-ビフェニルカルボン酸０．２０ｇ（０．６ミリ
モル）、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン０．００７ｇ
（０．０６ミリモル）および塩化メチレン１０ｍｌの混
合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド０．１５ｇ
（０．７２ミリモル）を含む塩化メチレン溶液１０ｍｌ
を室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。滴下後、さ
らに室温で１５時間反応させた。
安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-３-メトキシプロ
ピルエステル０．１６ｇ（０．５５ミリモル）、4'-デ
シル-4-ビフェニルカルボン酸０．２０ｇ（０．６ミリ
モル）、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン０．００７ｇ
（０．０６ミリモル）および塩化メチレン１０ｍｌの混
合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド０．１５ｇ
（０．７２ミリモル）を含む塩化メチレン溶液１０ｍｌ
を室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。滴下後、さ
らに室温で１５時間反応させた。
【０２００】反応混合物を濾過し、得られた濾液を減圧
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、半固体０．２３ｇを得た（収
率；６８％）。
下で濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用
いて分離することにより、半固体０．２３ｇを得た（収
率；６８％）。
【０２０１】Ｍｓ：６１６（Ｍ+ ）1 Ｈ−ＮＭＲ：０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈ
ｚ）、１．２−１．５（１４Ｈ，ｍ）、１．６−１．８
（２Ｈ，ｍ）、２．０−２．３（２Ｈ，ｍ）、２．７８
（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、３．３３（３Ｈ，
ｔ）、３．４−３．６（２Ｈ，ｍ）、５．７−５．９
（１Ｈ，ｍ）、７．３−７．４（２Ｈ，ｍ）、７．４−
７．５（１Ｈ，ｍ）、７．５−７．７（２Ｈ，ｍ）、
７．７−７．８（２Ｈ，ｍ）、７．９−８．０（２Ｈ，
ｍ）、８．２−８．３（２Ｈ，ｍ） これらの分析結果より、この化合物は、目的とする4-
(4'-デシル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フルオ
ロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-3-メトキシプ
ロピルエステルと同定した。
ｚ）、１．２−１．５（１４Ｈ，ｍ）、１．６−１．８
（２Ｈ，ｍ）、２．０−２．３（２Ｈ，ｍ）、２．７８
（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、３．３３（３Ｈ，
ｔ）、３．４−３．６（２Ｈ，ｍ）、５．７−５．９
（１Ｈ，ｍ）、７．３−７．４（２Ｈ，ｍ）、７．４−
７．５（１Ｈ，ｍ）、７．５−７．７（２Ｈ，ｍ）、
７．７−７．８（２Ｈ，ｍ）、７．９−８．０（２Ｈ，
ｍ）、８．２−８．３（２Ｈ，ｍ） これらの分析結果より、この化合物は、目的とする4-
(4'-デシル-4-ビフェニルカルボニルオキシ）-3-フルオ
ロ安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル-3-メトキシプ
ロピルエステルと同定した。
【０２０２】
【実施例６】実施例１および実施例２で得られた本発明
の化合物の相転移温度を、示差走査熱量計と偏光顕微鏡
による観察から求めた。結果を表４に示す。
の化合物の相転移温度を、示差走査熱量計と偏光顕微鏡
による観察から求めた。結果を表４に示す。
【０２０３】以下に示す表４においてＣryは結晶相を、
Ｓm ＣＡ* は反強誘電相を、Ｓm Ｃ* は強誘電相を、Ｓ
m ＡスメクチックＡ相を、そしてＩsoは等方性液体を示
す。
Ｓm ＣＡ* は反強誘電相を、Ｓm Ｃ* は強誘電相を、Ｓ
m ＡスメクチックＡ相を、そしてＩsoは等方性液体を示
す。
【０２０４】
【表１２】
【０２０５】なお、上記表において、表中の各相の下に
記載した「・」の印は、その化合物が印が付された相を
示すことを表し、この「・」とその左側に記載された
「・」との間の数字は、右の相から左の相への転移温度
（℃）を表す。また各相の下に記載した「−」の印は、
その化合物がは「−」が付された相を示さないことを表
す。
記載した「・」の印は、その化合物が印が付された相を
示すことを表し、この「・」とその左側に記載された
「・」との間の数字は、右の相から左の相への転移温度
（℃）を表す。また各相の下に記載した「−」の印は、
その化合物がは「−」が付された相を示さないことを表
す。
【０２０６】
【実施例７】実施例１の本発明の化合物のスイッチング
時間とチルト角、ならびに実施例２の本発明の化合物の
チルト角を測定した。表５に測定結果を示す。なお、参
考例として、特開平１−１８６４０２号公報に記載され
た下記化合物のスイッチング時間とチルト角を併せて示
した。
時間とチルト角、ならびに実施例２の本発明の化合物の
チルト角を測定した。表５に測定結果を示す。なお、参
考例として、特開平１−１８６４０２号公報に記載され
た下記化合物のスイッチング時間とチルト角を併せて示
した。
【０２０７】
【化４４】
【０２０８】
【表１３】
【０２０９】表５において、スイッチング時間は下記の
方法で測定したものであり、ここでは立ち上がり時間と
立下り時間を示している。 スイッチング時間の測定 反強誘電状態から強誘電状態へのスイッチングを「立上
り(Swiching from theAF-state to the F-state)」、強
誘電状態から反強誘電状態へのスイッチングを「立下り
(Swiching from the F-state to the AF-state)」とし
た。図９に示すパルス波を試験セルに印加し、その時の
透過係数をモニターする。得られたチャートから下式に
より立上り時間および立下り時間を得ることができる。
なお、上記のスイッチング時間を求めた際の条件は、電
圧３０Ｖ／２μｍ、もしくは３０Ｖ／２μｍ、パルス幅
１０ｍ秒、パルス間隔９０ｍ秒である。
方法で測定したものであり、ここでは立ち上がり時間と
立下り時間を示している。 スイッチング時間の測定 反強誘電状態から強誘電状態へのスイッチングを「立上
り(Swiching from theAF-state to the F-state)」、強
誘電状態から反強誘電状態へのスイッチングを「立下り
(Swiching from the F-state to the AF-state)」とし
た。図９に示すパルス波を試験セルに印加し、その時の
透過係数をモニターする。得られたチャートから下式に
より立上り時間および立下り時間を得ることができる。
なお、上記のスイッチング時間を求めた際の条件は、電
圧３０Ｖ／２μｍ、もしくは３０Ｖ／２μｍ、パルス幅
１０ｍ秒、パルス間隔９０ｍ秒である。
【０２１０】立上り時間＝ｔｒ９０−ｔｒ０ 立上り時間＝ｔｄ１００−ｔｒ１０ また、表５においてチルト角は下記の方法で測定した物
である。 チルト角の測定 ＤＣ電圧を試験セルに印加し、プラス電圧、マイナス電
圧印加時のそれぞれの最暗位置の角度を求め、それぞれ
θ１、θ２とする。この時チルト角θは θ＝（θ２−θ１）÷２ とした。なお、上記のチルト角を求めた際の条件は電圧
±３０Ｖ／２μｍである。
である。 チルト角の測定 ＤＣ電圧を試験セルに印加し、プラス電圧、マイナス電
圧印加時のそれぞれの最暗位置の角度を求め、それぞれ
θ１、θ２とする。この時チルト角θは θ＝（θ２−θ１）÷２ とした。なお、上記のチルト角を求めた際の条件は電圧
±３０Ｖ／２μｍである。
【図１】4-(4'-オクチルオキシ-4-ビフェニルカルボニ
ルオキシ）-2-フルオロ-安息香酸 (R)-1-トリフルオロ
メチル-4-エトキシブチルエステル（例示化合物１９
８）の 1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
ルオキシ）-2-フルオロ-安息香酸 (R)-1-トリフルオロ
メチル-4-エトキシブチルエステル（例示化合物１９
８）の 1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図２】4-(4'-デシル-4-ビフェニルカルボニルオキ
シ）-3-フルオロ-安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル
-4-エトキシブチルエステル（例示化合物７８）の 1Ｈ-
ＮＭＲスペクトルのチャートである。
シ）-3-フルオロ-安息香酸 (R)-1-トリフルオロメチル
-4-エトキシブチルエステル（例示化合物７８）の 1Ｈ-
ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図３】本発明の液晶素子の断面形状を模式的に示す図
である。
である。
【図４】同心円形状のスペーサーを有する液晶素子およ
びそのＡ−Ａ断面図である。
びそのＡ−Ａ断面図である。
【図５】クシ型スペーサを有する液晶素子およびそのＡ
−Ａ断面図である。
−Ａ断面図である。
【図６】スペーサとしてファイバーを用いた本発明の液
晶素子の断面構造を示す図である。
晶素子の断面構造を示す図である。
【図７】二枚の偏光板のセルを配置した本発明の液晶素
子の断面構造を示す図である。
子の断面構造を示す図である。
【図８】非線形素子および３端子素子の例を示す図であ
る。
る。
【図９】本発明においてスイッチング速度を測定する方
法の説明図である。
法の説明図である。
11a,11b,27a,27b,37,47,57 … 透明基板 12,23,33,43,53 … 液晶物質 13,58 … セル 14 … 間隙 15a,15b,25a,25b,35,45,55 … 透明電極 26 … 同心円形状のスペーサ 36 … クシ型スペーサ 46 … ファイバー 56 … 偏光板
フロントページの続き (72)発明者 山 岡 英 雄 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三 井石油化学工業株式会社内 (72)発明者 小 池 恒 明 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三 井石油化学工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 次式（Ｉ）で表わされる含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物； 【化１】 （式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基、炭
素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基であり、これ
らの基を構成する−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ−基、または
−ＣＬ2−基（ただしＬは、ハロゲン原子である）の一
部は−Ｏ−基で置換されていてもよく、また前記アルキ
ル基またはハロゲン化アルキル基は光学活性を有してい
てもよく、 Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基であり、 Ｘは、−Ｏ−基または単結合であり、 ｍは、０または１であり、 ｎは、２または３であり、 ＹおよびＺは、ｍが０のとき、それぞれ独立して水素原
子またはフッ素原子（ただし、いずれもフッ素原子の場
合を除く）であり、ｍが１のとき、Ｙが水素原子であり
Ｚがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺが水
素原子である。）。 - 【請求項２】 次式（Ｉ）で表わされる含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物からなる液晶材料； 【化２】 （式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基、炭
素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基であり、これ
らの基を構成する−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ−基、または
−ＣＬ2−基（ただしＬは、ハロゲン原子である）の一
部は−Ｏ−基で置換されていてもよく、また前記アルキ
ル基またはハロゲン化アルキル基は光学活性を有してい
てもよく、 Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基であり、 Ｘは、−Ｏ−基または単結合であり、 ｍは、０または１であり、 ｎは、２または３であり、 ＹおよびＺは、ｍが０のとき、それぞれ独立して水素原
子またはフッ素原子（ただし、いずれもフッ素原子の場
合を除く）であり、ｍが１のとき、Ｙが水素原子であり
Ｚがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺが水
素原子である。）。 - 【請求項３】 次式（Ｉ）で表わされる含フッ素カルボ
ン酸エステル化合物を含有する液晶組成物； 【化３】 （式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基、炭
素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基であり、これ
らの基を構成する−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ−基、または
−ＣＬ2−基（ただしＬは、ハロゲン原子である）の一
部は−Ｏ−基で置換されていてもよく、また前記アルキ
ル基またはハロゲン化アルキル基は光学活性を有してい
てもよく、 Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基であり、 Ｘは、−Ｏ−基または単結合であり、 ｍは、０または１であり、 ｎは、２または３であり、 ＹおよびＺは、ｍが０のとき、それぞれ独立して水素原
子またはフッ素原子（ただし、いずれもフッ素原子の場
合を除く）であり、ｍが１のとき、Ｙが水素原子であり
Ｚがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺが水
素原子である。）。 - 【請求項４】 互いに対向する二枚の基板と、該基板に
よって構成される間隙とからなるセル、および該セルの
間隙に充填された液晶材料より構成される液晶素子であ
って、 該液晶材料が下記式（Ｉ）で表される含フッ素カルボン
酸エステル化合物を含有することを特徴とする液晶素
子； 【化４】 （式中、Ｒ1 は、炭素原子数６〜１６のアルキル基、炭
素原子数６〜１６のハロゲン化アルキル基であり、これ
らの基を構成する−ＣＨ2−基、−ＣＨＬ−基、または
−ＣＬ2−基（ただしＬは、ハロゲン原子である）の一
部は−Ｏ−基で置換されていてもよく、また前記アルキ
ル基またはハロゲン化アルキル基は光学活性を有してい
てもよく、 Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基であり、 Ｘは、−Ｏ−基または単結合であり、 ｍは、０または１であり、 ｎは、２または３であり、 ＹおよびＺは、ｍが０のとき、それぞれ独立して水素原
子またはフッ素原子（ただし、いずれもフッ素原子の場
合を除く）であり、ｍが１のとき、Ｙが水素原子であり
Ｚがフッ素原子であるか、Ｙがフッ素原子でありＺが水
素原子である。）。 - 【請求項５】 次式（II）で表わされる光学活性安息香
酸エステル誘導体； 【化５】 （式中、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基であ
り、 ｎは、２または３であり、 ＹおよびＺは、Ｙが水素原子でありＺがフッ素原子であ
るか、Ｙがフッ素原子でありＺが水素原子である。）。 - 【請求項６】 次式（II）で表わされる光学活性液晶中
間体； 【化６】 （式中、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１２のアルキル基であ
り、 ｎは、２または３であり、 ＹおよびＺは、Ｙが水素原子でありＺがフッ素原子であ
るか、Ｙがフッ素原子でありＺが水素原子である。）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03510594A JP3779339B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03510594A JP3779339B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242601A true JPH07242601A (ja) | 1995-09-19 |
| JP3779339B2 JP3779339B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=12432659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03510594A Expired - Fee Related JP3779339B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3779339B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737733A1 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid crystal compound having ferrielectric phase and liquid crystal composition |
| US5840209A (en) * | 1996-05-14 | 1998-11-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Optically active compound, liquid crystal compositions containing the optically active compound, and liquid crystal display device |
| WO2011029808A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Hsl inhibitors useful in the treatment of diabetes |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP03510594A patent/JP3779339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737733A1 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid crystal compound having ferrielectric phase and liquid crystal composition |
| US5840209A (en) * | 1996-05-14 | 1998-11-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Optically active compound, liquid crystal compositions containing the optically active compound, and liquid crystal display device |
| WO2011029808A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Hsl inhibitors useful in the treatment of diabetes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3779339B2 (ja) | 2006-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0467662B1 (en) | Liquid crystal racemic mixture, liquid crystal composition and liquid crystal element, process for manufacturing and uses thereof | |
| EP0566380B1 (en) | Carboxylic acid ester compound, liquid crystal material, liquid crystal compositions and liquid crystal element | |
| US5798058A (en) | Liquid crystal compounds, mixtures and devices | |
| JP3176073B2 (ja) | 液晶素子 | |
| EP0566379A2 (en) | Tetralin compound, liquid crystal material, liquid crystal composition and liquid crystal element | |
| EP0617109A1 (en) | Liquid crystal material, liquid crystal composition and liquid crystal element | |
| JP3779339B2 (ja) | 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JPH06104827B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| EP0586263B1 (en) | A liquid crystal compound | |
| JPH02255635A (ja) | 液晶性化合物およびこれを含む液晶組成物、液晶素子 | |
| JPH0629424B2 (ja) | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物およびこれを含む液晶素子 | |
| JP3570745B2 (ja) | 液晶組成物および液晶素子 | |
| JPH06329591A (ja) | 液晶材料、液晶組成物および液晶素子、ならびにエステル化合物 | |
| JPH0789903A (ja) | テトラリン化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JP3636522B2 (ja) | エーテル基を有するフェニルピリミジン化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JP3597556B2 (ja) | 液晶組成物および液晶素子 | |
| JPH0625098A (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JPS63246346A (ja) | 液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 | |
| JP2992335B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶化合物および液晶組成物 | |
| JPH09157224A (ja) | 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JP3357390B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JP3357407B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JPS63291980A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH07316555A (ja) | 液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JPH069500A (ja) | テトラリン化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040825 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041015 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060302 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |