JPH07238069A - 環状アミド化合物の製造方法 - Google Patents

環状アミド化合物の製造方法

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JPH07238069A
JPH07238069A JP6029367A JP2936794A JPH07238069A JP H07238069 A JPH07238069 A JP H07238069A JP 6029367 A JP6029367 A JP 6029367A JP 2936794 A JP2936794 A JP 2936794A JP H07238069 A JPH07238069 A JP H07238069A
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dihydroindol
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cyclic amide
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JP6029367A
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Shigetoshi Takahashi
成年 高橋
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Daicel Chemical Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ジヒドロインドール−2−オン誘導体等の環
状アミド化合物を簡便に効率良く製造する方法の提供。 【構成】 o−アミノフェニルアセチレン誘導体、フェ
ニルエチニルアニリン誘導体等の分子内にアミノ基を有
するアセチレン化合物を、ロジウム錯体等の第8族遷移
金属錯体を触媒として、水存在下にまたは水不存在下
に、一酸化炭素と反応させて、 1,3−ジヒドロインドー
ル−2−オン誘導体等の環状アミド化合物を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は環状アミド化合物の製造
方法に関し、詳しくは医薬、農薬の中間体として潜在的
に有用なインドール誘導体を合成するための中間体とし
て有用な化合物であるジヒドロインドール−2−オン誘
導体等の環状アミド化合物の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】インド
ール誘導体は生理活性作用を有しているものが多く、医
薬品として開発がさかんに行われている(Sundberg, Ch
emistry of Indole, Academic Press,New York, 1970)
。このようなインドール誘導体の合成中間体であるジ
ヒドロインドール−2−オン誘導体の製造方法として、
従来からさまざまな合成法が検討され、開示されてい
る。例えば、J.G.Rodriguez らはニッケル触媒を用い、
o−クロロアクリルアニリドの分子内環化反応でE−ベ
ンジリデン−1,3 −ジヒドロインドール−2−オンとベ
ンジル 1,3−ジヒドロインドール−2−オンをそれぞれ
13%、35%の収率で得ている(Heterocycl. Chem., 198
5, 22, 1511)。また R.F.Heck らは、同様な中間体を用
い、パラジウム触媒による分子内環化反応により、o−
ブロモアクリルアニリドの分子内環化反応でE−ベンジ
リデン−1,3 −ジヒドロインドール−2−オンを58%の
収率で得ている(J. Am. Chem. Soc., 1979, 101, 528
1)。しかしながら、これらの製造方法は出発原料が複雑
で、その合成に多大な労力を要すること、また、必ずし
も収率が良くないことなどの欠点を有している。
【0003】また、 1,3−ジヒドロインドール−2−オ
ンとベンズアルデヒドの縮合反応(G.Tacconi, J. Che
m. Soc. Perkin Trans., 2, 1984, 615) や 1,3−ジヒ
ドロインドール−2−オンの 3,3−ジチオール誘導体の
ラネーニッケル還元−縮合反応による合成方法も開示さ
れているが(E.wenkert ら、Acta. Chem. Scand. Ser.
B, 1982, B36, 348)、これらの方法では合成が困難な
1,3−ジヒドロインドール−2−オン骨格はすでに構成
されていることが前提となっている欠点を有している。
また分子内のアミド化反応でベンジル 1,3−ジヒドロイ
ンドール−2−オンを合成する方法が開示されているが
(R.D.Clark, Synthesis, 1991, 871)、この方法もまた
製造ルートが長いという欠点を有している。
【0004】以上のように、従来のジヒドロインドール
−2−オン誘導体の製造方法は、いずれも原料が特殊で
あったり、収率が十分でなかったり、製造工程が長いな
どの欠点がある。従って、本発明の目的は、ジヒドロイ
ンドール−2−オン誘導体等の環状アミド化合物を、簡
便に、効率良く製造する方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意研究の結果、第8族遷移金属錯体を触媒
として、分子内にアミノ基を有するアセチレン化合物を
一酸化炭素と反応させることにより収率良く、 1,3−ジ
ヒドロインドール−2−オン誘導体等の環状アミド化合
物を製造できることを見いだし本発明を完成するに到っ
た。
【0006】即ち、本発明は、分子内にアミノ基を有す
るアセチレン化合物を、第8族遷移金属錯体を触媒とし
て、水存在下にまたは水不存在下に、一酸化炭素と反応
させることを特徴とする1,3 −ジヒドロインドール−2
−オン誘導体等の環状アミド化合物の製造方法を提供す
るものである。
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
出発原料として用いられる分子内にアミノ基を有するア
セチレン化合物としては、一般式(I)で表されるo−
アミノフェニルアセチレン誘導体、一般式(II)で表さ
れるフェニルエチニルアニリン誘導体等が挙げられる。
【0008】
【化3】
【0009】〔式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一
又は異なって H、アルキル基、芳香族基又はハロゲン原
子を示し、R5は水素原子、あるいはハロゲン原子、アル
コキシ基、アリールアルキルオキシ基、水酸基、シアノ
基、アリール基、アシル基又はアシルオキシ基で置換さ
れていてもよいアルキル基を示す。〕
【0010】
【化4】
【0011】〔式中、R1、R2、R3及びR4は前記の意味を
示し、 R'1、R'2、R'3 、R'4 及びR'5はそれぞれ同一又
は異なって H、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、
ハロゲン原子、水酸基、アシルオキシ基、アシルアミノ
基、フェノキシ基、アリール基又はニトロ基を示す。〕 一般式(I)で表されるo−アミノフェニルアセチレン
誘導体としては、例えば、o−(1−プロピニル)アニ
リン、o−(1−ブチニル)アニリン、o−(クロロメ
チルエチニル)アニリン、o−(ブロモメチルエチニ
ル)アニリン、o−(メトキシメチルエチニル)アニリ
ン、o−(ベンジルオキシメチルエチニル)アニリン、
o−(ヒドロキシメチルエチニル)アニリン、o−(シ
アノメチルエチニル)アニリン、o−(ベンジルエチニ
ル)アニリン、o−(プロピルエチニル)アニリン、o
−(ブチルエチニル)アニリン、o−(アセトニルエチ
ニル)アニリン、o−(アセトキシメチルエチニル)ア
ニリン等が挙げられる。
【0012】また 一般式(II)で表されるフェニルエ
チニルアニリン誘導体としては、o−(フェニルエチニ
ル)アニリン、o−(4−メチルフェニルエチニル)ア
ニリン、o−(4−エチルフェニルエチニル)アニリ
ン、o−(4−プロピルフェニルエチニル)アニリン、
o−(4−メトキシフェニルエチニル)アニリン、o−
(4−シアノフェニルエチニル)アニリン、o−(4−
フロロフェニルエチニル)アニリン、o−(4−ブロモ
フェニルエチニル)アニリン、o−(4−ヨードフェニ
ルエチニル)アニリン、o−(4−ハイドロキシフェニ
ルエチニル)アニリン、o−(4−アセトキシフェニル
エチニル)アニリン、o−(4−アセトアミノフェニル
エチニル)アニリン、o−(4−フェノキシフェニルエ
チニル)アニリン、o−(4−ターシャリーブチルフェ
ニルエチニル)アニリン、o−(4−ニトロフェニルエ
チニル)アニリン、o−(3−メチルフェニルエチニ
ル)アニリン、o−(3−エチルフェニルエチニル)ア
ニリン、o−(3−プロピルフェニルエチニル)アニリ
ン、o−(3−メトキシフェニルエチニル)アニリン、
o−(3−シアノフェニルエチニル)アニリン、o−
(3−フロロフェニルエチニル)アニリン、o−(3−
ブロモフェニルエチニル)アニリン、o−(3−ヨード
フェニルエチニル)アニリン、o−(3−ハイドロキシ
フェニルエチニル)アニリン、o−(3−アセトキシフ
ェニルエチニル)アニリン、o−(3−アセトアミノフ
ェニルエチニル)アニリン、o−(3−フェノキシフェ
ニルエチニル)アニリン、o−(3−ターシャリーブチ
ルフェニルエチニル)アニリン、o−(3−ニトロフェ
ニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジメチルフェ
ニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジエチルフェ
ニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジプロピルフ
ェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジメトキシ
フェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジシアノ
フェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジフロロ
フェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジブロモ
フェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジヨード
フェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジハイド
ロキシフェニルエチニル)アニリン、o−(2,4−ジ
アセトキシフェニルエチニル)アニリン、o−(2,4
−ジアセトアミノフェニルエチニル)アニリン、o−
(2,4−ジフェノキシフェニルエチニル)アニリン、
o−(2,4−ジターシャリーブチルフェニルエチニ
ル)アニリン、o−(2,4−ジニトロフェニルエチニ
ル)アニリン、o−(2,4,6−トリメチルフェニル
エチニル)アニリン、o−(2,4,6−トリエチルフ
ェニルエチニル)アニリン、o−(2,4,6−トリプ
ロピルフェニルエチニル)アニリン、o−(2,4,6
−トリメトキシフェニルエチニル)アニリン、o−
(2,4,6−トリシアノフェニルエチニル)アニリ
ン、o−(2,4,6−トリフロロフェニルエチニル)
アニリン、o−(2,4,6−トリブロモフェニルエチ
ニル)アニリン、o−(2,4,6−トリヨードフェニ
ルエチニル)アニリン、o−(2,4,6−トリハイド
ロキシフェニルエチニル)アニリン、o−(2,4,6
−トリアセトキシフェニルエチニル)アニリン、o−
(2,4,6−トリアセトアミノフェニルエチニル)ア
ニリン、o−(2,4,6−トリフェノキシフェニルエ
チニル)アニリン、o−(2,4,6−トリターシャリ
ーブチルフェニルエチニル)アニリン、o−(2,4,
6−トリニトロフェニルエチニル)アニリン等が挙げら
れる。
【0013】本発明の反応に給する一酸化炭素として
は、純粋な一酸化炭素でも良いが、不活性ガスとして、
窒素、炭酸ガス等を含んでいても良い。本発明の反応に
用いられる触媒としては、第8族遷移金属錯体、特にロ
ジウム錯体が有効である。ロジウム錯体としては反応液
に溶解するものであれば、どのような形態でもよいが、
特にロジウムカルボニル錯体が好ましい。ロジウムカル
ボニル錯体として、Rh2(CO)8、Rh4(CO)12 、Rh6(CO)16
などを挙げることができる。 RhCl3・xH2O、[Rh(CO)2Cl
2]、[(C8H12)RhCl]2などのハロゲン錯体やHRh(CO)(PP
h3)3など配位子を含んだロジウム錯体も使用できる。触
媒の使用量としては、出発原料の使用モル量に対して、
モル比で10分の1から1万分の1、好ましくは 100分の
1から1000分の1で良い。ロジウム錯体以外の第8族遷
移金属錯体としては、具体的には、鉄、コバルト、ルテ
ニウム、ニッケル、白金、イリジウムなどの金属錯体、
とくにカルボニル錯体が触媒として有効である。
【0014】本発明の反応は水存在下あるいは水不存在
下で行うことができる。水が存在する反応では、主に、
3−置換 1,3−ジヒドロインドール−2−オン誘導体が
選択的に得られる。水が存在しない場合は、反応温度に
よって選択性が異なり、比較的反応温度が低い条件で
は、例えば、o−(フェニルエチニル)アニリンからE
−ベンジリデン− 1,3−ジヒドロインドール−2−オン
が得られるように3位がエキソオレフィンである 1,3−
ジヒドロインドール−2−オン誘導体が選択的に得ら
れ、比較的反応温度が高い条件では3−置換 1,3−ジヒ
ドロインドール−2−オン誘導体が選択的に得られる。
水が存在する場合は、一酸化炭素と水が例えばロジウム
錯体触媒により反応して、いわゆる、水性ガスシフト反
応を起こし、この際、活性なロジウムヒドリド種が発生
し、このロジウムヒドリド種によって、環化生成物であ
る3位がエキソオレフィンである 1,3−ジヒドロインド
ール−2−オン誘導体の水素化が起こり、3−置換 1,3
−ジヒドロインドール−2−オン誘導体が選択的に生成
するものと考えられる。水存在下での反応は、第3級ア
ミンなどの、水性ガスシフト反応を促進する塩基などの
化合物を共存させることにより、3−置換 1,3−ジヒド
ロインドール−2−オン誘導体を選択的に得るための水
素化反応を円滑に進行させることができる。
【0015】本発明の反応に用いる溶媒は反応を均一に
保つことのできるものであれば良い。好ましくは、エー
テル類、ケトン類、エステル類、アミド類、ニトリル
類、芳香族炭化水素類などが使用できる。反応温度とし
ては50℃から 250℃、好ましくは 100℃から 200℃の範
囲である。反応温度が低いほど3位がエキソオレフィン
である 1,3−ジヒドロインドール−2−オン誘導体が得
られやすく、反応温度が高いほど3−置換 1,3−ジヒド
ロインドール−2−オン誘導体が選択的に得られやす
い。反応圧力は、1から 200気圧、好ましくは10から 1
00気圧で行うことができる。
【0016】
【実施例】以下に実施例を示して本発明の有効性を説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
【0017】実施例1 o−(フェニルエチニル)アニリン193mgとロジウムカ
ルボニル錯体Rh6(CO)163.4mg をジオキサン15mlに溶解
し、耐圧性のバッチ反応器に入れた。室温で一酸化炭素
を 100気圧になるように加圧し、 200℃で14時間反応さ
せた。その結果、3−ベンジル 1,3−ジヒドロインドー
ル−2−オンが75%の収率で得られた。(E) −ベンジリ
デン 1,3−ジヒドロインドール−2−オンは得られなか
った。
【0018】実施例2 実施例1と同様の反応を反応温度 100℃で行ったとこ
ろ、 (E)−ベンジリデン1,3−ジヒドロインドール−2
−オンが64%の収率で得られた。3−ベンジル 1,3−ジ
ヒドロインドール−2−オンの収率は17%であった。
【0019】実施例3 o−(フェニルエチニル)アニリン193mgとロジウムカ
ルボニル錯体Rh6(CO)163.4mg をジオキサン15mlに溶解
し、耐圧性のバッチ反応器に入れた。さらに水72mgを加
え、室温で一酸化炭素を 100気圧になるように加圧し、
170℃で14時間反応させた。その結果、3−ベンジル
1,3−ジヒドロインドール−2−オンが82%の収率で得
られた。 (E)−ベンジリデン 1,3−ジヒドロインドール
−2−オンは得られなかった。
【0020】実施例4 溶媒としてジオキサンにかえてトルエンを用いて、実施
例1と同様の反応を行った。反応温度 170℃で14時間反
応させた結果、3−ベンジル 1,3−ジヒドロインドール
−2−オンが70%の収率で得られた。 (E)−ベンジリデ
ン 1,3−ジヒドロインドール−2−オンの収率は11%で
あった。
【0021】実施例5 溶媒としてジオキサンにかえてテトラヒドロフランを用
いて、実施例1と同様の反応を行った。反応温度 170℃
で14時間反応させた結果、3−ベンジル 1,3−ジヒドロ
インドール−2−オンが63%の収率で得られた。 (E)−
ベンジリデン 1,3−ジヒドロインドール−2−オンの収
率は25%であった。
【0022】実施例6 溶媒としてジオキサンにかえてアセトニトリルを用い
て、実施例1と同様の反応を行った。反応温度 170℃で
14時間反応させた結果、3−ベンジル 1,3−ジヒドロイ
ンドール−2−オンが61%の収率で得られた。 (E)−ベ
ンジリデン 1,3−ジヒドロインドール−2−オンの収率
は10%であった。
【0023】実施例7 溶媒としてジオキサンにかえてジメチルホルムアミドを
用いて、実施例1と同様の反応を行った。反応温度 170
℃で14時間反応させた結果、3−ベンジル 1,3−ジヒド
ロインドール−2−オンが60%の収率で得られた。 (E)
−ベンジリデン1,3−ジヒドロインドール−2−オンは
得られなかった。
【0024】実施例8 o−(フェニルエチニル)アニリン193mgとロジウムカ
ルボニル錯体Rh6(CO)163.4mg をジオキサン15mlに溶解
し、耐圧性のバッチ反応器に入れた。さらに、水72mg、
トリエチルアミン 101mgを加え、室温で一酸化炭素を 1
00気圧になるように加圧し、 175℃で14時間反応させ
た。その結果、3−ベンジル 1,3−ジヒドロインドール
−2−オンが86%の収率で得られた。 (E)−ベンジリデ
ン 1,3−ジヒドロインドール−2−オンは得られなかっ
た。
【0025】実施例9 実施例8と同様の反応を、反応温度 100℃で行ったとこ
ろ、3−ベンジル 1,3−ジヒドロインドール−2−オン
が74%の収率で得られ、 (E)−ベンジリデン 1,3−ジヒ
ドロインドール−2−オンは得られなかった。
【0026】実施例10 o−(フェニルエチニル)アニリンの代りにo−(4−
シアノフェニルエチニル)アニリン 218mgを使用した以
外は、実施例8と同様にして反応を行った結果、相当す
る3−(4−シアノベンジル) 1,3−ジヒドロインドー
ル−2−オンが75%の収率で得られた。
【0027】実施例11 o−(フェニルエチニル)アニリンの代りにo−(4−
メトキシフェニルエチニル)アニリン 223mgを使用した
以外は、実施例8と同様にして反応を行った結果、相当
する3−(4−メトキシベンジル) 1,3−ジヒドロイン
ドール−2−オンが69%の収率で得られた。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 分子内にアミノ基を有するアセチレン化
    合物を、第8族遷移金属錯体を触媒として、水存在下に
    または水不存在下に、一酸化炭素と反応させることを特
    徴とする環状アミド化合物の製造方法。
  2. 【請求項2】 環状アミド化合物が 1,3−ジヒドロイン
    ドール−2−オン誘導体である請求項1記載の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 分子内にアミノ基を有するアセチレン化
    合物が、下記一般式(I)で表されるo−アミノフェニ
    ルアセチレン誘導体であることを特徴とする請求項2記
    載の製造方法。 【化1】 〔式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一又は異なって
    H、アルキル基、芳香族基又はハロゲン原子を示し、R5
    は水素原子、あるいはハロゲン原子、アルコキシ基、ア
    リールアルキルオキシ基、水酸基、シアノ基、アリール
    基、アシル基又はアシルオキシ基で置換されていてもよ
    いアルキル基を示す。〕
  4. 【請求項4】 分子内にアミノ基を有するアセチレン化
    合物が、下記一般式(II)で表されるフェニルエチニル
    アニリン誘導体であることを特徴とする請求項2記載の
    製造方法。 【化2】 〔式中、R1、R2、R3及びR4は前記の意味を示し、 R'1
    R'2、R'3 、R'4 及びR'5はそれぞれ同一又は異なって
    H、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原
    子、水酸基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、フェノ
    キシ基、アリール基又はニトロ基を示す。〕
  5. 【請求項5】 第8族遷移金属錯体がロジウム錯体であ
    ることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 第8族遷移金属錯体がロジウムカルボニ
    ル錯体である請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造
    方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002006226A1 (fr) * 2000-07-17 2002-01-24 Japan Science And Technology Corporation Processus de préparation de pyrroles fusionnés
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