JPH07221432A - 回路板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 直接描画法により高い生産性で信頼性高く高
密度のスルーホール配線板を製造する方法を提供する。 【構成】 両面に導電層を有する基板に孔加工を施して
スルーホールを形成し、少くとも該スルーホールの孔壁
部にメツキを施した後、基板の両面に感光性レジスト被
膜を形成し、該レジスト被膜上に活性光線を、レジスト
被膜がネガ型の場合は得ようとするパターン状に、ポジ
型の場合は得ようとするパターンの逆パターン状に直接
描画法により照射した後、現像液、エツチング液には溶
解せず剥離液で除去可能な電着被膜をスルーホール内の
未塗装部分に電着塗装し、次いでレジスト被膜を現像
し、露出したメツキ層及び導電層をエツチング除去し、
しかる後、残存するレジスト膜及びスルーホール内の電
着被膜を剥離除去する回路板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高密度なスルーホールメ
ツキ回路板を再現性良く、高い生産性で製造し得るスル
ーホールメツキ回路板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度多層積層用配線板製造において要
求される高いアライメント精度が容易に得られること、
少量で多品種の高密度配線板を生産性良く製造できるこ
となどの利点から、近年、ＣＡＤデータで制御され且つ
形成するパターン形状に応じて高速で点滅するラスター
モードのアルゴンイオンレーザー等のレーザービームを
銅張り積層板等の上に塗布されたレジストに照射したり
（レーザー直描法）、また投影型液晶プロジエクターを
介して活性光線を銅張り積層基板上に照射する等のフオ
トマスクを用いずに活性光線をパターン状に露光する方
法によるプリント配線板の製造方法が注目されている。

【０００３】これらの製造方法に使用し得るレジストと
して、特開昭６１−２３３７３６号公報及び特開昭６２
−３１８４８号公報には、アルゴンイオンレーザー等の
レーザー光を使用し得るものが開示されており、また、
特開平３−２２３７５９号公報には、感光性が高く特に
上記製造方法に適したレジスト組成物が本発明者等によ
つて開示されている。

【０００４】しかし、これらのレジストは単に銅張り積
層基板上に塗布するだけではスルーホールメツキを有す
る配線基板に導体回路を形成することはできない。本発
明者等は既に特開平３−１７９０６４号公報、特開平３
−２２３７５９号公報等において、電着塗装によりスル
ーホール内壁のメツキ部にも塗布可能なアルゴンイオン
レーザー等で硬化し得る上記製造方法に適したレジスト
を提案している。しかし、レーザービームによる方法で
は、レーザービームでスルーホール内壁に塗布されたレ
ジストを充分に照射し、硬化させることは極めて困難で
あり、信頼性の高いスルーホールの形成は実際上行なえ
ない。

【０００５】一方、液晶プロジエクターを介して活性光
線を照射する場合には、活性光線を散乱光として照射し
たり、光源をスキヤニングさせる等の方法でスルーホー
ル内を露光することが可能であるが、これらの方法によ
つても、０.３ｍｍΦ以下のような微細なスルーホール
内部のレジストを完全に照射し、必要な程度まで硬化さ
せることは困難である。また、そのような照射法では、
照射光の平行性が損なわれ、スルーホール内部の露光の
ために銅箔上のレジストに対する露光が過剰になり、パ
ターンの解像性が低下する。それ故に、これらの方法で
は一般に、信頼性の高い、スルーホールを有する高密度
回路板を製造することはできない。

【０００６】このような問題を解決する方法として、特
開平３−１７５６９１号公報には、スルーホールを予め
穴埋めインクで保護した後にレジストを塗布し、直接描
画法で配線パターンを形成する方法が提案されている。
しかし、穴埋めインクを用いる方法は、特開昭６３−２
５９９８号公報等で指摘されているように、問題点が多
く高密度回路板の製造方法としては好ましくない。

【０００７】穴埋めインクを用いる方法の欠点を回避す
る方法として、特開昭６３−２５９９８号公報には、ス
ルーホールメツキ基板の両面及びスルーホール内の全面
に電着塗装によつて電着塗装樹脂層を形成したのち、上
記基板の両面上の電着塗装樹脂層のみを除去し、次いで
上記基板の両面上に、得ようとするパターンのレジスト
被膜層を形成した後、該レジスト被膜層の形成されてい
ない箇所の導電性金属層及びその上のメツキ層をエツチ
ングにより除去し、次いで上記レジスト被膜層及びスル
ーホール内の電着樹脂層を除去するスルーホールメツキ
配線板の製造方法が提案されている。

【０００８】しかし、この方法においてもスルーホール
部以外に電着塗装された樹脂層を研磨などの方法で除去
せねばならず、穴埋めインク法の欠点、すなわち、研磨
時の樹脂粉末による作業環境の劣化等は依然として解決
されていない。

【０００９】また、特開昭６３−２５９９８号公報に
は、スルーホール部以外の電着塗装膜を除去する方法と
して、バフ、ペーパー研磨などの方法が記載されている
が、バフ、ペーパー研磨などで直径３００μｍ以下のよ
うな微細なスルーホール周辺の樹脂被膜をスルーホール
コーナーの樹脂被膜を傷つけずに完全に除去するには、
細心の注意が必要であり除去に長時間を要する。しかも
樹脂被膜を除去する際に発生する樹脂粉末が微量でも基
板上に残ると、断線や短絡などの回路欠陥を生じるため
特に高密度配線板製造時に歩留まりが低下するなどの問
題がある。

【００１０】さらに、特開昭６３−２２４３９３号公報
には、スルーホールメツキ基板の両面に得ようとする回
路パターンの逆パターンの被膜層を形成し、ついで、上
記スルーホールの孔壁部及び上記基板の両面の上記レジ
スト被膜層の形成されていない部分に、電着塗装によつ
て電着塗装樹脂層を形成した後、該電着塗装樹脂層を加
熱処理し、次いで上記レジスト被膜層のみを除去した
後、このレジスト被膜層の除去によつて露出したメツキ
層及び導電性金属層をエツチング除去し、そして電着塗
装樹脂層を除去するスルーホールメツキ配線板の製造方
法が提案されている。

【００１１】該提案の方法によれば、穴埋めインクの欠
点は回避され、特開昭６３−２５９９８号公報に記載の
方法のように電着塗装された樹脂層を除去する必要もな
くなるが、しかし、電着塗装樹脂層を形成した後逆パタ
ーンを形成させたレジスト層を選択的に除去する必要が
ある。この選択的除去は回路パターンが高密度になり、
パターン線幅が狭くまたパターン間の間隔が狭くなる
と、完全に行なうことは往々にして困難となり、不良の
発生原因となる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、直接描画法により高い生産性で信頼性の高い高密度
のスルーホール配線板を製造することのできる方法を提
供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、スルーホ
ール配線板の製造における上記した如き問題点を解決す
るために鋭意検討した結果、スルーホールメツキ配線基
板の両面に感光性レジスト被膜を形成し、レジスト被膜
を直接描画法によりパターン露光した後、スルーホール
の孔壁部に電着被膜を形成するようにすると、従来技術
の欠点であるスルーホール内部以外の電着被膜を除去す
る工程や、逆パターンレジスト樹脂層を選択的に除去す
る工程が不要となり、従来技術の欠点が完全に解決さ
れ、直接描画法により高密度のスルーホール配線板を極
めて高い生産性と信頼性をもつて製造することができる
ことを見出し、本発明を完成するに至つた。

【００１４】すなわち、本発明は、（１） 両面に導電
層を有する基板に孔加工を施してスルーホールを形成
し、少くとも該スルーホールの孔壁部にメツキを施す工
程、（２） 基板の両面にネガ型の感光性レジスト被膜
を形成する工程、（３） 該レジスト被膜上に活性光線
を直接描画法により得ようとするパターン状に照射する
工程、（４） 現像液及びエツチング液には溶解せず、
剥離液で除去可能な被膜を形成する電着塗料を電着法に
よりスルーホールの孔壁部に塗布する工程、（５） 適
当な現像液で現像し、ネガ型感光性レジスト被膜の未露
光部分を除去する工程、（６） 露出したメツキ層及び
導電層をエツチングにより除去する工程、及び（７）
適当な剥離液により残存する感光性レジスト被膜及びス
ルーホール内の電着被膜を同時に或いは別々に剥離する
工程よりなることを特徴とする回路板の製造方法（以
下、本発明の第１の態様という）、並びに（１） 両面
に導入層を有する基板に孔加工を施してスルーホールを
形成し、少くとも該スルーホールの孔壁部にメツキを施
す工程、（２） 基板の両面にポジ型の感光性レジスト
被膜を形成する工程、（３） 該レジスト被膜上に活性
光線を直接描画法により得ようとするパターンの逆パタ
ーン状に照射する工程、（４） 現像液及びエツチング
液には溶解せず、剥離液で除去可能な被膜を形成する電
着塗料を電着法によりスルーホールの孔壁部に塗布する
工程、（５） 適当な現像液で現像し、ポジ型感光性レ
ジスト被膜の露光部分を除去する工程、（６） 露出し
たメツキ層及び導電層をエツチングにより除去する工
程、及び（７） 適当な剥離液により残存する感光性レ
ジスト被膜及びスルーホール内の電着被膜を同時に、或
いは別々に剥離する工程よりなることを特徴とする回路
板の製造方法（以下、本発明の第２の態様という）を提
供するものである。

【００１５】以下、本発明のスルーホールメツキ配線板
の製造方法について詳述する。

【００１６】工程（１）：本発明において出発材料とし
て使用される両面に導電層を有する基板には、例えば、
ガラス−エポキシ複合材、セラミツクなどの有機又は無
機の絶縁性材料の両面に、所定の厚さの導電性材料、例
えば銅箔、アルミニウム箔などを貼りつけることによつ
て形成される、銅貼積層基板、アルミニウム箔積層基板
などが挙げられる。

【００１７】本工程では、まず、設計された回路図に従
つて、上記の如き基板に所定の大きさ及び数の孔を穿
つ、すなわちスルーホールを形成する。この孔加工は通
常行なわれているように、ドリル加工、レーザー加工、
プレス加工などにより行なうことができる。

【００１８】このように孔加工された基板には次いでメ
ツキ処理が施される。このメツキ処理は、通常の方法、
例えば無電解メツキ法、電解メツキ法等の方法により、
基板の少なくともスルーホールの孔壁部に銅、ニツケル
などの導電性材料のメツキが形成されるようにして実施
する。

【００１９】工程（２）：本発明の第１の態様において
は、工程（１）で得られる該基板上に、活性光線照射に
より硬化して不溶化するネガ型の感光性レジストを、例
えば、スピンコーター、スプレー、ロールコーター、カ
ーテンフローコーター等それ自体既知の方法で塗布した
後、通常１５０℃以下、好ましくは１２０℃以下の温度
で１〜３０分程度加熱することにより、レジスト被膜を
形成する。

【００２０】本発明の第１の態様においてレジスト被膜
の形成に使用されるネガ型の感光性レジストとしては、
例えば、重合性不飽和基を側鎖又は主鎖に含有するアク
リル樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ
樹脂、ポリブタジエン樹脂等の光照射により架橋もしく
は重合しうる不飽和樹脂に、一般に揮発性溶剤及び／又
は分子中に１個以上の重合性不飽和基含有化合物（例え
ば、（メタ）アクリル酸エステル類）を加え、さらに光
重合開始剤（例えば、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ
ーテル等）、前記した不飽和樹脂以外の飽和樹脂、必要
に応じて流動性調節剤、体質顔料、着色顔料、染料等の
添加剤を加えた液状感光性組成物が挙げられる。活性光
線として可視光レーザー等の可視光を用いる場合には、
光重合開始剤として、チタノセン化合物等の可視光重合
開始剤や、可視光重合開始剤とクマリン誘導体等の増感
剤との組合せ等が用いられる（特開平３−２２３７５９
号公報参照）。

【００２１】また、本発明の第２の態様においては、工
程（１）で得られる該基板の導電層上に、活性光線照射
により露光部が現像液で可溶化するポジ型の感光性レジ
ストの被膜を上記本発明の第１の態様におけると同様の
方法で形成する。

【００２２】本発明の第２の態様においてレジスト被膜
の形成に使用されるポジ型の感光性レジストとしては、
例えば、キノンジアジド系液状ポジ型感光性レジスト
（例えば特開昭５０−６４０１号公報、特開昭５０−１
３９６９２号公報等参照）、あるいはカルボキシル基含
有重合体、多ビニルエーテル化合物及び活性光線照射で
酸を発生する化合物からなるレジストで、そのレジスト
塗膜を一旦加熱してカルボキシル基とビニルエーテル基
を架橋して塗膜を不溶化し、次いで活性光線を照射して
照射部分に酸を発生させ、架橋構造を切断して照射部分
を現像液に可溶性にすることによりパターンを形成する
ポジ型感光性レジスト等が挙げられる（例えば特願平５
−１０５９０５号明細書参照）。

【００２３】レジスト被膜の形成は、用いる塗布装置の
特性に従い、両面同時に行なつてもよく、或いは片面ず
つ塗布、加熱を繰り返して行なつてもよい。

【００２４】形成されるレジスト被膜の膜厚は厳密に制
限されるものではなく、製造される回路板の用途等に応
じて変えることができるが、膜厚があまり薄いとエツチ
ング時に膜の損傷が生じて断線などの不良が生じやす
く、また、厚すぎると解像力が低下するので、一般には
約３〜約５０μｍの範囲内が適当である。

【００２５】さらに、本発明の第１の態様においては、
レジスト被膜を空気中の酸素から遮断して感光性を高め
る等の目的で、形成されたレジスト被膜上に、水及び／
又は現像液に可溶性で酸素遮断性に優れた樹脂被膜、例
えばポリビニルアルコール、部分ケン化ポリ酢酸ビニル
等の被膜を設けることができる。かかる樹脂被膜の膜厚
は、特に制限されないが、あまり薄いと酸素遮断効果が
充分に発揮されず、逆に厚すぎると現像速度が遅くなる
ので、通常１〜１０μｍ程度が好ましい。

【００２６】工程（３）：本工程は、前工程（２）で形
成した基板のレジスト被膜上にパターン露光を行なう工
程である。このパターン露光は、直接描画法により、本
発明の第１の態様では得ようとするパターン状に活性光
線を照射することにより、また、本発明の第２の態様で
は得ようとするパターンの逆パターン状に活性光線を照
射することにより行なう。

【００２７】しかして、該活性光線の照射は、例えば、
ＣＡＤデータで制御され且つ形成するパターン形状に応
じて高速で点滅するラスターモードのアルゴンイオンレ
ーザー等のレーザービームや投影型液晶プロジエクター
等を用いる、所謂「フオトマスクレス法」（フオトマス
クを用いずにパターン露光する方法）により行なうこと
ができる。

【００２８】上記露光に使用する活性光線は、用いる感
光性レジストの特性に応じて、可視光線、紫外光線等か
ら選択され、レーザービームを用いる場合には、安定し
た高出力のビームが得られ易いアルゴンイオンレーザー
が好適である。

【００２９】工程（４）：本工程では、工程（３）で得
られる露光済の基板のスルーホールの孔壁部のレジスト
で被覆されていない部分に、現像液及びエツチング液に
溶解せず、剥離液で除去可能な電着被膜を形成する。

【００３０】この電着被膜の形成は、かかる特性をもつ
被膜を形成しうる電着塗料を電着法によつて塗布するこ
とにより行うことができる。例えば通常の方法に従い、
露光済の基板を電着塗料浴に浸漬し、該基板を一方の電
極とし対電極との間に直流電源をつなぎ、所定の条件下
に通電した後、該基板を浴から取り出し水洗等の後処理
を行ない、さらに必要に応じて、例えば約１５０℃以
下、好ましくは約１２０℃以下の温度で約１〜約３０分
間加熱乾燥することにより、電着被膜を形成することが
できる。

【００３１】電着塗装は、スルーホール内の孔壁部が完
全に被覆される条件であれば特に制限はないが、一般に
該基板と対極の間に７〜３００Ｖ、好ましくは１５〜２
００Ｖの直流電圧を約５〜約３００秒、好ましくは約１
０〜２５０秒印加することにより行なうのが適当であ
る。

【００３２】電着塗料としては、現像液及びエツチング
液に溶解せず、剥離液で除去可能な被膜を形成するもの
であれば特に制限はなく、熱硬化性のものでも熱可塑性
のものでも使用することができる。

【００３３】熱硬化性の電着塗料としては、例えば、分
子中に中和により水溶性乃至水分散性となる、イオン形
成基及び硬化性基もしくは架橋性基又は架橋剤と反応し
得る官能基を含有する樹脂を主体とする組成物を中和し
水溶液乃至は水分散液としたもの；該樹脂と架橋剤の混
合物を主体とする組成物を中和し水溶液乃至水分散液と
したもの等が挙げられる。

【００３４】使用しうる樹脂の骨格には特に制限はな
く、例えば、アルキド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン−（無水）マレイン酸
共重合体、ポリブタジエン、酢酸ビニル−アクリル酸共
重合体等を骨格とする樹脂を使用することができる。

【００３５】該樹脂骨格に導入しうるイオン形成基はア
ニオン性のもの及びカチオン性のもののいずれのタイプ
のものであつてもよく、アニオン性のものとしては、例
えば、カルボキシル基、スルフオン酸基、燐酸基等が挙
げられ、中でもカルボキシル基が最も好ましい。

【００３６】これらアニオン性基の樹脂骨格への導入方
法としては、例えば、アルキド樹脂やポリエステル樹脂
の場合には、ポリオールに対する多塩基酸のモル数を調
整して生成する樹脂中に所望の量のカルボキシル残基を
導入する方法や、アルキド樹脂やポリエステル樹脂を合
成後残余の水酸基の一部又は全部を多塩基酸の無水物で
半エステル化する方法など；アクリル樹脂の場合には、
アクリル酸やメタクリル酸のような酸基を有する重合性
モノマーを共重合する方法など；エポキシ樹脂の場合に
は、エポキシ基と酸等を反応させて生じた水酸基の一部
又は全部を前述した方法で多塩基酸の無水物と反応させ
る方法など；ポリブタジエンの場合には、無水マレイン
酸等を付加する方法など、それ自体既知の方法を適用す
ることができる。樹脂中に存在する酸無水物はアルコー
ルと半エステル化反応させるか又は水の存在下にアミン
と反応させる等それ自体既知の方法で酸又はその塩に転
化することができる。

【００３７】また、樹脂骨格に導入しうる硬化性基とし
ては、それ自体既知のもの、例えば、熱重合性不飽和
基、エポキシ基、熱解離性保護基で封鎖されたイソシア
ネート基等が挙げられる。

【００３８】これらの硬化性基の樹脂骨格への導入法に
は特に制限はなくそれ自体既知の方法を利用することが
できる。例えば、熱重合性不飽和基は、アルキド樹脂の
場合には、その合成時に変成剤として乾性油、半乾性油
またはそれらの脂肪酸を使用することにより；ポリエス
テル樹脂やアクリル樹脂等の如き酸又は酸無水物を有す
る樹脂の場合には、アリールグリシジルエーテル、グリ
シジル（メタ）アクリレート等との反応により；ポリエ
ステル樹脂や水酸基を有する重合性モノマーを共重合し
たアクリル樹脂など水酸基を有する樹脂の場合には、ト
リレンジイソシアネートやイソホロンジイソシアネート
のようなジイソシアネートとアリールアルコール、ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート等の水酸基を有する
重合性化合物の等モル付加物との反応、または水酸基と
クロルエチルビニルエーテルなどのアルキルハライドの
ビニルエーテル化物との反応により導入することができ
る。また、エポキシ基は、水酸基を有する前述の如き樹
脂とエピクロルヒドリンとの反応などにより導入するこ
とができる。

【００３９】熱解離性保護基で封鎖されたイソシアネー
ト基は、水酸基を含有する前述の樹脂などとアルコール
やオキシム等熱解離性保護基で部分封鎖されたポリイソ
シアネートとの反応により；または下記式（Ｉ）のモノ
マーを共重合したアクリル樹脂をアルコールやオキシム
と反応させてイソシアネート基を封鎖するかまたは下記
式（Ｉ）のモノマーを同様にして封鎖してから共重合す
るなどの方法により導入することができる。

【００４０】

【化１】

【００４１】一方、イオン形成基としてカチオン性のも
のとしてはアミノ基が挙げられる。これらの基の導入方
法としては、例えば、アルキド樹脂やポリエステル樹脂
の場合には、アルコール成分としてジエタノールアミン
やトリエタノールアミン等のアルカノールアミンを使用
する方法など；アクリル樹脂の場合には、ジメチルアミ
ノエチル（メタ）アクリレート等のアミノ基を含有する
重合性モノマーを共重合する方法；グリシジル（メタ）
アクリレート等の共重合により導入したエポキシ基の一
部又は全部に第１又は第２アミンを反応させる方法；ア
ミンの代わりに不飽和酸との反応により導入した不飽和
基の一部又は全部に第１又は第２アミンを反応させる方
法など；エポキシ樹脂の場合には、エポキシ基を有する
アクリル樹脂の場合と同様にする方法など、それ自体既
知の方法を使用することができる。

【００４２】かかるアミノ基が導入された樹脂への架橋
性基の導入は、前述した如き重合性基を含有するエポキ
シ化合物を樹脂中のアミノ基と反応させる方法；アルキ
ルハライドのビニルエーテル化物やエピクロルヒドリン
等を樹脂中の水酸基やアミノ基と反応させる方法；熱解
離性保護基で部分的に封鎖されたポリイソシアネートと
アミノ基または水酸基と反応させる方法；熱解離性保護
基で封鎖された前記式（Ｉ）の化合物を共重合する方法
などそれ自体既知の方法で行なうことができる。

【００４３】さらに、使用しうる架橋剤としては、前述
の如き樹脂と相互に反応して架橋を形成するものであれ
ば特に制限はなく、例えば、ポリエポキシ化合物、熱解
離性の保護基で封鎖されたポリイソシアネート、アミノ
樹脂、ポリオール化合物、多官能性重合性不飽和化合物
などそれ自体既知の架橋剤を架橋すべき樹脂中の官能基
の種類に応じて適宜選択して用いることができる。

【００４４】上記樹脂の架橋反応を促進するために、熱
ラジカル発生剤；金属塩；錫、亜鉛等を含む有機金属化
合物；プロトン酸、ルイス酸などの酸；熱解離性保護基
で保護されたそれらの酸等それ自体既知の触媒を組成物
中に添加してもよい。

【００４５】熱可塑性の電着塗料としては、熱硬化性の
電着塗料の場合について述べたと同様な樹脂骨格にイオ
ン形成基が導入された自己架橋性の官能基を含有しない
樹脂を主体とするものを使用することができる。

【００４６】以上に述べた熱硬化性または熱可塑性の電
着塗料を用いて形成される被膜は、現像時及びエツチン
グ時に被膜がそれらの液に溶解せず、剥離液で除去され
る必要があるが、使用されるレジストの種類により、現
像液及びエツチング液、またそれらが使用される条件が
異なるために、上記条件を満たす塗料組成物は個々の感
光性レジストとの組み合わせにより適宜選択する必要が
ある。

【００４７】また、使用しうる電着塗料の別の好適な例
として、ポジ型感光性電着レジストを挙げることができ
る（特開平３−４３４７０号公報参照）。

【００４８】これらのレジスト樹脂は単独でまたは必要
に応じて架橋剤と混合し、中和して水溶液または水分散
液として本発明に用いる電着塗料とすることができる。
ここで中和剤としては樹脂がアニオン性のイオン形成基
を含有する場合には、有機アミン、無機アルカリ等を用
いることができ、カチオン性の場合には、有機酸、無機
酸等を使用することができる。中和の程度は組成物の特
性により一概には言えないが、一般には、イオン形成基
１モル当り０.１〜１.０当量好ましくは０.３〜１.０当
量の範囲内とすることができる。

【００４９】本発明に用いる電着塗料組成物には、電着
塗装性、被膜の流展性等を調節するための溶剤、添加
剤、被膜の除去速度の調整、視認性のための染料、顔料
などを添加してもよい。

【００５０】これらの電着塗料は、感光性レジストの現
像にアルカリ性の液が使用される場合には、アニオン性
のものを使用し、また現像液が酸性の場合には、カチオ
ン性のものを使用し、そして非イオン性の有機溶剤が使
用される場合には、何れかの型のものを適宜選択して使
用する。

【００５１】工程（５）：電着塗装によりスルーホール
内の孔壁部に被膜を形成した基板は、次いで現像を行な
い、ネガ型感光性レジスト被膜の場合には未露光部分を
除去し、そしてポジ型感光性レジスト被膜の場合には露
光部分を除去することにより、配線パターンを形成す
る。現像液としては、感光性レジストの特性に応じてア
ルカリ性のもの、酸性のもの、有機溶剤を適宜選択使用
することができる。

【００５２】工程（６）：上記現像処理により露出した
基板上のメツキ層及び導電層をエツチングにより除去す
る。

【００５３】このエツチングには、メツキ層及び導電層
の金属の種類に応じてそれ自体既知の方法で行なうこと
ができる。例えば、金属が銅である場合には、塩化第二
銅、塩化第二鉄を主成分とする酸性エツチング液；アン
モニア等を主成分とするアルカリ性エツチング液等のエ
ツチング液を用いて除去することができる。

【００５４】工程（７）：最後に、基板上に残存するレ
ジスト被膜及びスルーホール内の電着被膜を剥離する。
レジスト被膜及び電着被膜の剥離は同時に行なつてもよ
く或いは別々に行なつてもよい。

【００５５】この剥離は、一般に、アルカリ現像型のレ
ジストを使用した場合は、アルカリ性剥離剤または剥離
溶剤を用いて行ない、酸現像型レジストを使用した場合
には、酸性剥離剤または剥離溶剤を用いて行ない、そし
て溶剤現像型レジストを使用した場合には、剥離溶剤を
用いて行なうことができる。この場合、残存するレジス
ト被膜の剥離とスルーホール内の被膜の剥離は同じ剥離
剤を用いて行なつてもよく、或いはそれぞれ異なる剥離
剤を用いて個々に行なうこともできる。

【００５６】かくして、本発明の方法により、スルーホ
ールメツキ基板上にプリント回路を形成せしめることが
できる。

【００５７】以上に詳述した本発明の方法は、スルーホ
ールを有するプリント回路板の製造に最適であり、スル
ーホールメツキ配線基板の導電層上に感光性レジスト被
膜を形成し、レジスト被膜を直接描画法によりパターン
露光した後、スルーホール内に電着被膜を形成するた
め、従来のスルーホール内電着塗装法にくらべて、スル
ーホール内部以外の電着被膜を除去する工程や、逆パタ
ーンレジスト樹脂層を選択的に除去する工程が不要にな
るという利点がある。そのため、本発明の方法によれ
ば、直径３００μｍ以下のような微細なスルーホールを
有する高密度のスルーホール配線板を直接描画法により
極めて高い生産性と信頼性をもつて製造することができ
る。

【００５８】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明する。なお「部」及び「％」は重量基準である。

【００５９】合成例１ 無水フタル酸 １４８０部 トリメチロールプロパン １６０８部 アマニ油脂肪酸 ２３００部 を撹はん器、脱水装置、温度計を備えたフラスコに仕込
み窒素気流下で２３０℃、５時間脱水縮合を行なつた。
次いで１８０℃まで冷却し、無水トリメリツト酸３８４
部を加え、１８０℃で４５分加熱後１５０℃まで冷却
し、エチレングリコールモノブチルエーテルで固形分８
０％に希釈した。

【００６０】得られた樹脂の酸価は３９、水酸基含量は
１.０モル／ｋｇ樹脂であつた。

【００６１】合成例２ スチレン ３６４部 ｎ−ブチルメタアクリレート ３００部 メチルメタアクリレート １６０部 アクリル酸 ７２部 ２−ヒドロキシエチルメタアクリレート １０４部 アゾビスイソブチロニトリル １０部 の混合物を滴下ロートに入れ１００℃に加熱したプロピ
レングリコールモノメチルエーテル／イソプロパノール
＝５０／５０（重量比）混合溶剤４５０部を入れた撹は
ん器、還流コンデンサー、温度計を備えたフラスコ中に
窒素ガスを吹き込みつつ３時間を要して滴下し、更に１
時間１００℃に保つた後、上記混合溶剤５０部にアゾビ
スイソブチロニトリル１部を溶解した液を１時間を要し
て滴下し、さらに１００℃で２時間保つた後冷却し、固
形分６６％の樹脂溶液を得た。

【００６２】樹脂の酸価は５６、水酸基含量は０.８モ
ル／ｋｇ樹脂、ガラス転移温度（Ｔｇ点）は６８℃であ
つた。

【００６３】合成例３ スチレン ３５０部 ｎ−ブチルメタアクリレート ２９０部 メチルメタアクリレート １５０部 Ｎ,Ｎ−ジメチルアミノエチルメタアクリレート ９４部 ２−ヒドロキシエチルアクリレート １１６部 ベンゾイルパーオキシド ２０部 の組成物を合成例２と同様にして重合（追加の触媒はア
ゾビスイソブチロニトリルの代わりにベンゾイルパーオ
キシドを使用した）し固形分６６％の樹脂溶液を得た。

【００６４】樹脂のアミン価は３４、水酸基含量は１.
０モル／ｋｇ樹脂、ガラス転移温度（Ｔｇ点）は４０℃
であつた。

【００６５】合成例４ ４つ口フラスコにオルトナフトキノンジアジドスルホン
酸クロライド２６９部、ジオキサン１３４５部を入れ、
室温で撹拌しながら、Ｎ−メチルエタノールアミン１５
０部を１時間で滴下した。滴下終了後、約３時間撹拌を
継続し、ＩＲスペクトルの３３００ｃｍ^-1付近のアミノ
基の吸収が無くなるのを確認した後、反応を終了した。
次にこの溶液を脱イオン水中に入れ、反応中発生した塩
酸をトラツプした４級アミンを除去した。次いで酢酸イ
ソブチルで生成物を抽出した後、溶媒を留去し、減圧乾
燥器に入れ乾燥し、水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物を得た。

【００６６】次に、４つ口フラスコにジエチレングリコ
ールジメチルエーテル２９０部を入れ、撹拌しながら、
１１０℃に昇温した後、ｎ−ブチルメタアクリレート２
０２部、アクリル酸３２部、ｍ−イソプロペニル−α,
αジメチルベンジルイソシアネート９２部、アゾビスブ
チロバレロニトリル２０部の混合溶液を３時間かけて滴
下し、１時間保つた後、メチルイソブチルケトン１４
部、アゾビスブチロバレロニトリル３部の混合溶液を１
時間かけて滴下し、さらに５時間保つた。その後、５０
℃に温度を下げ、上記水酸基含有オルトキノンジアジド
化合物を１４２部、ジブチルチンジアセテート４.６部
を添加し、３時間保つた後、赤外スペクトルの２２５０
ｃｍ^-1付近のイソシアネート基の吸収が無くなつたのを
確認し、酸価４０.７、分子量７,３００、Ｔｇ点５１℃
のポジ型感光性樹脂を得た。

【００６７】合成例５ メチルメタクリレート４０部、ブチルアクリレート４０
部、アクリル酸２０部およびアゾビスイソブチロニトリ
ル２部からなる混合液を、窒素ガス雰囲気下において１
１０℃に保持したプロピレングリコールモノメチルエー
テル（親水性溶剤）９０部中に３時間を要して滴下し
た。滴下後、１時間熟成させ、アゾビスジメチルバレロ
ニトリル１部およびプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル１０部からなる混合液を１時間要して滴下し、さ
らに５時間熟成させて高酸価アクリル樹脂（酸価１５
５）溶液を得た。次に、この溶液にグリシジルメタクリ
レート２４部、ハイドロキノン０.１２部およびテトラ
エチルアンモニウムブロマイド０.６部を加えて、空気
を吹き込みながら１１０℃で５時間反応させて光硬化性
樹脂（酸価約５０、不飽和度１.３５モル／ｋｇ、Ｔｇ
点２０℃、数平均分子量約２０,０００）の溶液を得
た。

【００６８】合成例６ アクリル酸 ２８８部 スチレン ３００部 ｎ−ブチルアクリレート ２５５部 ２−ヒドロキシエチルアクリレート １５７部 ｔ−ブチルパーキシベンゾエート １００部 よりなる混合物を、１１０℃に加熱し撹拌されている２
−ブトキシエタノール１０００部中に２時間を要して滴
下した後、その温度に更に２時間保つてカルボキシル基
含有重合体を得た。固形分約５０％、カルボキシル基４
モル／ｋｇ、芳香族環含量２０.７重量部／１００重量
部重合体、酸価約２２４、分子量７２００、Ｔｇ点１８
℃。

【００６９】合成例７ ｏ−クレゾール１４９０部、３０％フオルマリン１１４
５部、脱イオン水１３０部及び蓚酸６.５部をフラスコ
に入れ６０分加熱還流させた。次いで１５％塩酸を１
３.５部を加え４０分加熱還流させた。次いで４００部
の約１５℃の脱イオン水を加え、内容物を約７５℃に保
ち樹脂を沈殿させた。次いで３５％水酸化ナトリウム溶
液を加え中和後水層を除去し、更に、４００部の脱イオ
ン水を加え７５℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更
に同様な洗浄操作を２度繰り返した後、減圧下に約１２
０℃で乾燥してノボラツクフエノール樹脂を得た。分子
量約６００であつた。

【００７０】上記ノボラツクフエノール樹脂１５ｇ、２
−クロロエチルビニルエーテル８０ｍｌ及びトルエン１
００ｍｌを２５０ｍｌのフラスコに入れ、窒素置換後２
０ｇの水酸化ナトリウムを投入し、８０℃３０分加熱し
た。その後４.５６ｇのテトラブチルアンモニウムブロ
マイドを２０ｍｌの２−クロロエチルビニルエーテルに
溶解した溶液を投入し、９５℃で５時間加熱反応させ
た。反応物を３回脱イオン水で洗浄した後、油層を分離
した。油層を蒸留して未反応２−クロロエチルビニルエ
ーテル及びトルエンを除去してビニルエーテル化合物を
得た。この化合物は一分子中にビニルエーテル基を３.
５個含んでいた。

【００７１】製造例１ 合成例１の樹脂溶液１００部、オクテン酸ジルコニウム
０.８部、トリエチルアミン６.５部の混合物をデイスパ
ーで撹はんしつつこれに脱イオン水６９３部を徐々に加
えて固形分１０％のアニオン性熱硬化型電着塗料を得
た。

【００７２】製造例２ 合成例２の樹脂溶液１５０部、トリエチルアミン８部を
混合物をデイスパーでかき混ぜつつこれに脱イオン水８
４２部を徐々に加えて固形分１０％のアニオン性熱可塑
型電着塗料を得た。

【００７３】製造例３ 合成例３の樹脂溶液１５０部、トリメチロールプロパン
とトリレンジイソシアネートとを１／３モルの割合で反
応させたポリイソシアネートのメチルエチルケトオキシ
ム封鎖物１５部、ジブチルチンジラウレート０.５部、
酢酸３部の混合物をデイスパーでかき混ぜつつ、これに
脱イオン水５９８部を徐々に加えて固形分１５％のカチ
オン性熱硬化型電着塗料を得た。

【００７４】製造例４ 合成例４の樹脂溶液７７２部に、下記式（ＩＩ）で示さ
れる化合物５部をブチルセロソルブ１０部に溶解した溶
液を加え、混合したのちトリエチルアミン２８部を加え
て中和する。ついで内容物を撹拌しながら脱イオン水を
固形分が１０％になるまで徐々に加えてｐＨ７.８の電
着塗装浴とした。

【００７５】

【化２】

【００７６】製造例５ 合成例５で得た光硬化性樹脂溶液１８０部、すなわち固
形分１００部を酢酸エチル２９０部に溶解させたのち、
下記式（ＩＩＩ）の増感剤１部をベンジルアルコール５
部に溶解させた溶液を加えてよく混合した。さらに重合
開始剤として下記式（ＩＶ）のチタノセン化合物１部を
ベンジルアルコール１０部に溶解させた溶液と、下記式
（Ｖ）のベンゾトリアゾール２部を酢酸エチル２０部に
溶解させた溶液を加え、よく撹拌して感光性レジスト液
を得た。

【００７７】

【化３】

【００７８】

【化４】

【００７９】

【化５】

【００８０】製造例６ 重合開始剤チタノセン化合物１部に代えて、３,３′、
４,４′−テトラ（ターシヤリーブチルパーオキシカル
ボニル）ベンゾフエノン９部を用いる以外は、製造例５
と全く同様にして感光性レジスト液を得た。

【００８１】製造例７ 合成例６で得られたカルボキシル基含有重合体（固形分
５０％）２００部、合成例７で得られたビニルエーテル
化合物２０部、下記式（ＶＩ）の光酸発生剤７.５部及
び下記式（ＶＩＩ）の増感色素１部の混合物をジエチレ
ングリコールジメチルエーテル２０％の感光性レジスト
液を得た。

【００８２】

【化６】

【００８３】

【化７】

【００８４】実施例１ ０.１５から５.０ｍｍまで段階的に孔径を変えた孔内壁
に銅メツキ層を有する厚さ１.６ｍｍのガラスエポキシ
系銅貼積層基板の両面に製造例５で得られた感光性レジ
ストを静電スプレー法により乾燥膜厚が７μｍになるよ
うに塗布した後、８０℃で５分加熱し、室温まで冷却し
た後５％のポリビニルアルコール水溶液をデイツプ塗装
法により乾燥膜厚２μｍになるように塗布し、６０℃で
５分加熱し、室温まで冷却した後、ライン／スペースが
３０μｍ／３０μｍから１００μｍ／１００μｍまでの
線幅を有する所定の回路パターンをアルゴンイオンレー
ザー直描法でレジスト被膜上に照射量１.５ｍＪ／ｃｍ²
で照射した。

【００８５】次いで製造例１の電着塗料浴に浸漬し、該
基板を陽極とし対極との間に７０Ｖの直流を２５秒間印
加した。該基板を水洗、８０℃で１０分加熱後室温まで
冷却し、２５℃の１％炭酸ソーダ水溶液を用いて現像
し、次いで塩化第２銅系のエツチング溶液を用い４５℃
でエツチングし、更に５０℃の３％苛性ソーダ水溶液で
基板上に残存するレジスト膜及びスルーホール内の電着
塗膜を除去した。

【００８６】形成された回路板の回路パターン及びスル
ーホール内部を１００倍の顕微鏡で観察した結果、全て
の回路パターンは完全に解像され、線幅再現性は非常に
良好であり、スルーホール内の銅メツキは完全に保護さ
れ、メツキ部の部分エツチング、変色などの欠陥は一切
認められなかつた。

【００８７】実施例２ 感光性レジストとして製造例６で得られた感光性レジス
トを使用し、レジスト膜厚５μｍとし、電着塗料として
製造例２の電着塗料を使用する以外は実施例１と全く同
様にして回路板を形成した。

【００８８】形成された回路及びスルーホール内の銅メ
ツキの状態は実施例１と全く同様非常に良好であつた。

【００８９】実施例３ 電着塗料として製造例３の電着塗料を使用し、電着塗装
を基板を陰極とし対極との間に５０Ｖの直流を４５秒間
印加する以外は実施例１と全く同様にしてエツチングま
でを行なつた後、５０℃の３％苛性ソーダ水溶液で残存
するレジスト膜を除去し、次いで５０℃の５％乳酸水溶
液でスルーホール内の電着塗膜を除去した。

【００９０】形成された回路及びスルーホール内の銅メ
ツキの状態は実施例１と全く同様非常に良好であつた。

【００９１】実施例４ 電着塗料として製造例４の電着塗料を使用し、レジスト
膜及び電着塗膜の除去を５０℃の１％苛性ソーダ水溶液
で行なう以外は実施例１と全く同様にして回路板を形成
した。

【００９２】形成された回路及びスルーホール内の銅メ
ツキの状態は実施例１と全く同様非常に良好であつた。

【００９３】実施例５ 製造例７で得られた感光性レジスト液を実施例１の基板
上に乾燥膜厚５μｍになるように静電スプレー法で塗装
し、１００℃で１０分加熱後照射量を３ｍＪ／ｃｍ²と
する以外は実施例１と全く同様にして露光及び電着塗料
例１を電着塗装し、次いで１２０℃で１０分加熱後室温
まで冷却し、実施例１と全く同様に現像、エツチング、
レジスト膜及び電着塗膜除去を行い回路基板を形成し
た。

【００９４】形成された回路及びスルーホール内の銅メ
ツキの状態は実施例１と全く同様非常に良好であつた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩沢 直純 神奈川県平塚市東八幡４丁目17番１号 関 西ペイント株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１） 両面に導電層を有する基板に孔
   加工を施してスルーホールを形成し、少くとも該スルー
   ホールの孔壁部にメツキを施す工程、（２） 基板の両
   面にネガ型の感光性レジスト被膜を形成する工程、
   （３） 該レジスト被膜上に活性光線を直接描画法によ
   り得ようとするパターン状に照射する工程、（４） 現
   像液及びエツチング液に溶解せず、剥離液で除去可能な
   被膜を形成する電着塗料を電着法によりスルーホールの
   孔壁部に塗布する工程、（５） 適当な現像液で現像
   し、ネガ型感光性レジスト被膜の未露光部分を除去する
   工程、（６） 露出したメツキ層及び導電層をエツチン
   グにより除去する工程、及び（７） 適当な剥離液によ
   り残存する感光性レジスト被膜及びスルーホール内の電
   着被膜を同時に或いは別々に剥離する工程よりなること
   を特徴とする回路板の製造方法。
2. 【請求項２】 （１） 両面に導電層を有する基板に孔
   加工を施してスルーホールを形成し、少くとも該スルー
   ホールの孔壁部にメツキを施す工程、（２） 基板の両
   面にポジ型の感光性レジスト被膜を形成する工程、
   （３） 該レジスト被膜上に活性光線を直接描画法によ
   り得ようとするパターンの逆パターン状に照射する工
   程、（４） 現像液及びエツチング液には溶解せず、剥
   離液で除去可能な被膜を形成する電着塗料を電着法によ
   りスルーホールの孔壁部に塗布する工程、（５） 適当
   な現像液で現像し、ポジ型感光性レジスト被膜の露光部
   分を除去する工程、（６） 露出したメツキ層及び導電
   層をエツチングにより除去する工程、及び（７） 適当
   な剥離液により残存する感光性レジスト被膜及びスルー
   ホール内の電着被膜を同時に或いは別々に剥離する工程
   よりなることを特徴とする回路板の製造方法。