JPH0453877A - ポジ型感光性電着塗料組成物 - Google Patents
ポジ型感光性電着塗料組成物Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/44—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for electrophoretic applications
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジ型感光性電着塗料組成物に関し、さらに詳
しくは電導性被膜を有する回路基板に電蓋塗装して平滑
な塗膜を形成し且つポジ型マスクを通して紫外線等の活
性エネルギー線で容易に感光しうる、プリント配線フォ
トレジスト形成に好適なアニオン性もしくはカチオン性
ポジ型感光性電着塗料組成物及びこれを用いた回路板の
製造方法に関する。
しくは電導性被膜を有する回路基板に電蓋塗装して平滑
な塗膜を形成し且つポジ型マスクを通して紫外線等の活
性エネルギー線で容易に感光しうる、プリント配線フォ
トレジスト形成に好適なアニオン性もしくはカチオン性
ポジ型感光性電着塗料組成物及びこれを用いた回路板の
製造方法に関する。
従来、集積回路用などのプリント配線板は、般に、絶縁
体に銅箔等の電導性被膜を施した回路基板上に感光性フ
・イルムがラミネートされ、さらに写真ネガを重ねて露
光および現像したのち、回路バター〉・以外の電導性被
膜をエツチング処理し、しかる後感光性フィルムを脱膜
することによって形成されている。しかし、この感光性
フィルムは−・般に50μmと厚いために露光、現像し
て形成さnる回路パターンはシャープでなく、シかモ基
板表面に均一にラミネートするのが困難であり、また、
スルーホール部分をエツチング時に保護することは困難
である。
体に銅箔等の電導性被膜を施した回路基板上に感光性フ
・イルムがラミネートされ、さらに写真ネガを重ねて露
光および現像したのち、回路バター〉・以外の電導性被
膜をエツチング処理し、しかる後感光性フィルムを脱膜
することによって形成されている。しかし、この感光性
フィルムは−・般に50μmと厚いために露光、現像し
て形成さnる回路パターンはシャープでなく、シかモ基
板表面に均一にラミネートするのが困難であり、また、
スルーホール部分をエツチング時に保護することは困難
である。
また、スルーホール部を有する回路基板上にエツチング
レジストインキをスクリーン印刷し、次にエツチングを
行って印刷されていない部分の電導性被膜を除去し、さ
らに印刷部のレジストインキを除去することによってプ
リント配線用回路パターンを形成させる方法も知られて
いる。しかしながら、該方法では200μm以下のパタ
ーンを信頼性高く形成することは困難であり、し7かも
スルホール部にニッチコグレジストインキを塗布するこ
とが困難であるために、スルーホール部の電導性被膜が
エツチング処理によって除去されてしまうことが多い。
レジストインキをスクリーン印刷し、次にエツチングを
行って印刷されていない部分の電導性被膜を除去し、さ
らに印刷部のレジストインキを除去することによってプ
リント配線用回路パターンを形成させる方法も知られて
いる。しかしながら、該方法では200μm以下のパタ
ーンを信頼性高く形成することは困難であり、し7かも
スルホール部にニッチコグレジストインキを塗布するこ
とが困難であるために、スルーホール部の電導性被膜が
エツチング処理によって除去されてしまうことが多い。
このため予めスルーホール部内に有機材料を埋込み、エ
ツチング処理にスルーホール部の電導性被膜が除去され
ないように保護したのち、最終的に該有機材料を除去す
ることにより、回路板を形成することが行なわれている
が、核力法では最終的に得られる回路板のコストが高く
なるとともに回路パターンのシャープ性にも劣るという
欠点がある。
ツチング処理にスルーホール部の電導性被膜が除去され
ないように保護したのち、最終的に該有機材料を除去す
ることにより、回路板を形成することが行なわれている
が、核力法では最終的に得られる回路板のコストが高く
なるとともに回路パターンのシャープ性にも劣るという
欠点がある。
これらの従来の欠点を改良する方法として、回路基板に
ポジ型感光性樹脂レジストを電着塗装によって形成し、
ついでその上にポジ型マスクを重ねて露光したのち露光
部分をアルカリ水溶液で除去することによって画像を形
成する方法が提案されている(特開昭60−20713
9号公報および特開昭61−206293号公報参照)
。これらの方法は、電着塗装により容易にスルーホール
部分に被膜を形成することができ、しかも未露光部分が
し−ジス1−被膜として残るので解像性に優れたプリン
ト配線板を得ることができる方法である。
ポジ型感光性樹脂レジストを電着塗装によって形成し、
ついでその上にポジ型マスクを重ねて露光したのち露光
部分をアルカリ水溶液で除去することによって画像を形
成する方法が提案されている(特開昭60−20713
9号公報および特開昭61−206293号公報参照)
。これらの方法は、電着塗装により容易にスルーホール
部分に被膜を形成することができ、しかも未露光部分が
し−ジス1−被膜として残るので解像性に優れたプリン
ト配線板を得ることができる方法である。
前記した方法において、感光性樹脂レジスト被膜を電着
塗装によって形成させることが可能な樹脂組成物は、前
者(特開昭60−207139号公報)では、ポリオキ
シメチレンポリマー 〇ニトロカルビノールエステル、
O−ニトロフェニルアセタール、ノボラック樹脂のキノ
ンジアジドスルホニルエステル等が使用されている。ま
た、後者(特開昭61−206293号公報)では、不
飽和単量体が含有する水酸基とす7トキノンジアジドス
ルホン酸が含有する酸基とのエステル化反応によって得
られた不飽和単量体を他の不飽和単量体と共重合反応さ
せた樹脂が使用されている。
塗装によって形成させることが可能な樹脂組成物は、前
者(特開昭60−207139号公報)では、ポリオキ
シメチレンポリマー 〇ニトロカルビノールエステル、
O−ニトロフェニルアセタール、ノボラック樹脂のキノ
ンジアジドスルホニルエステル等が使用されている。ま
た、後者(特開昭61−206293号公報)では、不
飽和単量体が含有する水酸基とす7トキノンジアジドス
ルホン酸が含有する酸基とのエステル化反応によって得
られた不飽和単量体を他の不飽和単量体と共重合反応さ
せた樹脂が使用されている。
しかしながら、前者の方法では、いずれの樹脂を使用し
ても高密度のファイ〕・パターンの回路板の製造には信
頼性の面で不十分である。また、塗料の安定性も不十分
であるため電着塗料浴を長期にわたってランニングさせ
ると凝集物等を生じゃずく、フィルターの目づまりや塗
面異常等を起こす傾向がある。また、後者の方法では、
感光性基であるナフトキノンシアシト基がスルホン酸エ
ステル基を介して樹脂に導入されているために、!薯塗
装が長期に亘って行なわれる場合、すなわち電着塗料の
ターンオーバ(turnover)が長い場合には、樹
脂中の該スルフォン酸エステル基が電着塗料浴中に存在
する水、酸、塩基、アルコール等の加水分解物質によっ
て容易に加水分解されて樹脂の劣化が屡々起こる。その
結果、該樹脂成分が電着塗装浴中で凝集したり浴底に沈
澱したりする。
ても高密度のファイ〕・パターンの回路板の製造には信
頼性の面で不十分である。また、塗料の安定性も不十分
であるため電着塗料浴を長期にわたってランニングさせ
ると凝集物等を生じゃずく、フィルターの目づまりや塗
面異常等を起こす傾向がある。また、後者の方法では、
感光性基であるナフトキノンシアシト基がスルホン酸エ
ステル基を介して樹脂に導入されているために、!薯塗
装が長期に亘って行なわれる場合、すなわち電着塗料の
ターンオーバ(turnover)が長い場合には、樹
脂中の該スルフォン酸エステル基が電着塗料浴中に存在
する水、酸、塩基、アルコール等の加水分解物質によっ
て容易に加水分解されて樹脂の劣化が屡々起こる。その
結果、該樹脂成分が電着塗装浴中で凝集したり浴底に沈
澱したりする。
そのt;めフィルターが目づまりを起こしたり、塗装電
圧が大きく変動したり、またブレーグ等の異常電着が発
生したりするので、電着塗装浴の管理が困難となる問題
がある。また、このような、電着浴から形成された塗膜
は平滑性、アルカリ現像性が劣るので解像性に優れたプ
リント配線板を得ることができないという問題が残され
ているのが実情である。
圧が大きく変動したり、またブレーグ等の異常電着が発
生したりするので、電着塗装浴の管理が困難となる問題
がある。また、このような、電着浴から形成された塗膜
は平滑性、アルカリ現像性が劣るので解像性に優れたプ
リント配線板を得ることができないという問題が残され
ているのが実情である。
本発明は、プリント配線板を作製する際における前記し
た如き問題点を解決することを目的とするものであって
、その結果、紫外線等の活性ユイルギー線に対する感光
性に優れ、しかも回路基板の表面やスルーホール部に現
像可能な塗膜を均一に形成することができ、しかも長期
間にわたって電着浴を安定に保つことができるポジ型フ
ォトレジスト形成用電着塗料塑性物を提供するものであ
る。
た如き問題点を解決することを目的とするものであって
、その結果、紫外線等の活性ユイルギー線に対する感光
性に優れ、しかも回路基板の表面やスルーホール部に現
像可能な塗膜を均一に形成することができ、しかも長期
間にわたって電着浴を安定に保つことができるポジ型フ
ォトレジスト形成用電着塗料塑性物を提供するものであ
る。
すなわち、本発明によれば、
(A) 分子中に下記式(I)
1?、−N−1?、−A〜 (1)R2は水素原
子、アルキル基、シクロアルキル基又はアルキルエーテ
ル基を表わし、R1はアルキレン基、シクロアルキレン
基又はアルキレンエーテルを表わし、 Aはカルボン酸エステル結合を表わす、で示されるギノ
ンジアジドスルホン単位を少なくとも1個有する分子量
6,000以下の感光性化合物、及び (B) 塩形成基を有する水溶性又は水分散性よりな
ることを特徴とするポジ型感光性電着塗料組成物が提供
される。
子、アルキル基、シクロアルキル基又はアルキルエーテ
ル基を表わし、R1はアルキレン基、シクロアルキレン
基又はアルキレンエーテルを表わし、 Aはカルボン酸エステル結合を表わす、で示されるギノ
ンジアジドスルホン単位を少なくとも1個有する分子量
6,000以下の感光性化合物、及び (B) 塩形成基を有する水溶性又は水分散性よりな
ることを特徴とするポジ型感光性電着塗料組成物が提供
される。
前J己式(I)において、R2によって表わされうる「
アルキル基」は直鎖状又は分枝鎖状のいずれのタイプで
あってもよく、例えばメチル、ユチル、n−プロピル、
イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、5ec−ブチ
ル、tert−ブチル、n−ペンチル、インペンチル、
tert−ペンチル、ネオペンチル、0ヘキシル、イソ
ヘキシル、l−メチルペンチル、2−メチルペンチル、
n−ヘプチル、5−メチルヘキシル、n−オクチル、n
−ノニル、n−デシル、ドデシル、トリデシル、テトラ
デシル等の炭素数1〜15個のアルギル基がが挙げられ
る。また、「シクロアルキル基」としては、例えばシク
ロプロピル、シクロブチル、シクロヘキシル、 等の炭素数3〜8個のシクロアルキル基が包含され、さ
らに「アルキルエーテル基」には、例えばCH30CH
2−1CH3CH,−0−CO2CH2−、、CH3C
H,CH2−0CL CH。
アルキル基」は直鎖状又は分枝鎖状のいずれのタイプで
あってもよく、例えばメチル、ユチル、n−プロピル、
イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、5ec−ブチ
ル、tert−ブチル、n−ペンチル、インペンチル、
tert−ペンチル、ネオペンチル、0ヘキシル、イソ
ヘキシル、l−メチルペンチル、2−メチルペンチル、
n−ヘプチル、5−メチルヘキシル、n−オクチル、n
−ノニル、n−デシル、ドデシル、トリデシル、テトラ
デシル等の炭素数1〜15個のアルギル基がが挙げられ
る。また、「シクロアルキル基」としては、例えばシク
ロプロピル、シクロブチル、シクロヘキシル、 等の炭素数3〜8個のシクロアルキル基が包含され、さ
らに「アルキルエーテル基」には、例えばCH30CH
2−1CH3CH,−0−CO2CH2−、、CH3C
H,CH2−0CL CH。
アルキル)−0−(低級アルキレン)基が包含される。
R2として中でも好適なものは、炭素数1〜6個の低級
アルキル基、さらに好適なものはメチル基である。
アルキル基、さらに好適なものはメチル基である。
また、R3によっては表わされうる「アルキレン基」は
直鎖状又は分枝鎖状のいずれであってもよく、例えば−
CH2−l−CH2CH,−1−CH,CH,CH,−
1CH,CH3 −CH2CJCH2CHz−CHz−1−CH2CH,
CH2CH2CHICH,−等の炭素数1〜8個のアル
キレン基が挙げられる。
直鎖状又は分枝鎖状のいずれであってもよく、例えば−
CH2−l−CH2CH,−1−CH,CH,CH,−
1CH,CH3 −CH2CJCH2CHz−CHz−1−CH2CH,
CH2CH2CHICH,−等の炭素数1〜8個のアル
キレン基が挙げられる。
また、「シクロアルキレン基」Iこは、例えばシクロプ
ロピレン、シクロブチレン、シクロヘキシレン、 等の炭素数3〜8個のシクロアルキレン基が包含され、
さらに「アルキレンエーテル基」としては、例えば−C
H2CH2−O−CH2CH2−1−CH2CH2CH
z−0−CHzCHzCH,CH3 一〇−(低級アルキレン)基が挙げられる。
ロピレン、シクロブチレン、シクロヘキシレン、 等の炭素数3〜8個のシクロアルキレン基が包含され、
さらに「アルキレンエーテル基」としては、例えば−C
H2CH2−O−CH2CH2−1−CH2CH2CH
z−0−CHzCHzCH,CH3 一〇−(低級アルキレン)基が挙げられる。
R1として中でも好適なものは、直鎖状の炭素数1〜6
個の低級アルキレン基である。
個の低級アルキレン基である。
さらに、Aによって表わされる「カルボン酸エステル結
合」には−coo−で示される結合が包含される。
合」には−coo−で示される結合が包含される。
本発明におけるポジ型感光性電着塗料組成物は、電着法
によって導電性物体上に連続膜を形成でき、かつ被膜の
露光部分が現像液で溶出しうる、アニオン性またはカチ
オン性のいずれのタイプの組成物をも包含する。
によって導電性物体上に連続膜を形成でき、かつ被膜の
露光部分が現像液で溶出しうる、アニオン性またはカチ
オン性のいずれのタイプの組成物をも包含する。
本発明のポジ型感光性電着塗料組成物において、ボッ゛
型態光性成分として使用される前記−船人(I)で示さ
れるキノンジアジドスルホン酸単位を含む感光性化合物
(A)は、例えば、下記式式中、Xは水素原子又はCP
、F、Br、■等のハロゲン原子を表わす、 で示されるキノンジアジドスルホン単位及び/又はキノ
ンジアジドスルホン酸ハロゲン化物(以下、このものを
「キノンジアジド化合物」と呼ぶ)を下記式 %式%() 式中、R2及びR3は前記と同じ意味を表わす、で示さ
れる水酸基含有アミン化合物と付加反応せしめることに
より製造される下記式 %式%() 式中、R,、R,及びR8は前記と同じ意味を表わす、 で示される水酸基含有キノンジアジド化合物をポリ酸ク
ロライド化合物(例えば、アクリル酸クロライド共重合
体)等と反応させるか、或いは上記式(V)の水酸基含
有キノンジアジド化合物をアクリル酸クロライド、メタ
クリル酸クロライド等のα、β−不飽和不飽和カルポン
プクロライド基1モルに対して酸クロライド基1モルの
割合で反応させ、得られるモノビニル化合物を不飽和基
含有化合物と共重合させるか又はアミノ基含有化合物と
マイケル付加反応させることによって製造することがで
きる。
型態光性成分として使用される前記−船人(I)で示さ
れるキノンジアジドスルホン酸単位を含む感光性化合物
(A)は、例えば、下記式式中、Xは水素原子又はCP
、F、Br、■等のハロゲン原子を表わす、 で示されるキノンジアジドスルホン単位及び/又はキノ
ンジアジドスルホン酸ハロゲン化物(以下、このものを
「キノンジアジド化合物」と呼ぶ)を下記式 %式%() 式中、R2及びR3は前記と同じ意味を表わす、で示さ
れる水酸基含有アミン化合物と付加反応せしめることに
より製造される下記式 %式%() 式中、R,、R,及びR8は前記と同じ意味を表わす、 で示される水酸基含有キノンジアジド化合物をポリ酸ク
ロライド化合物(例えば、アクリル酸クロライド共重合
体)等と反応させるか、或いは上記式(V)の水酸基含
有キノンジアジド化合物をアクリル酸クロライド、メタ
クリル酸クロライド等のα、β−不飽和不飽和カルポン
プクロライド基1モルに対して酸クロライド基1モルの
割合で反応させ、得られるモノビニル化合物を不飽和基
含有化合物と共重合させるか又はアミノ基含有化合物と
マイケル付加反応させることによって製造することがで
きる。
前記式(It)または(III)のキノンジアジド化合
物としては、中でも1.2−ベンゾキノンジアジドスル
ホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロライドが好適である。また、上記式(
IV)の水酸基含有アミン化合物として、好適には、例
えばエタノールアミン、ネオペンタノールアミン、2−
ヒドロキシ−2′アミノエチルエーテル、2−ヒドロキ
シ−2′(アミノプロポキン)エチルエーテル、N−メ
チルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、
N−7’口ピルエタノールアミン、N−メチルプロパツ
ールアミン、N−エチルプロパツールアミン、N−プロ
ピルプロパノールアミン等が挙げられ、就中、N−メチ
ルエタノールアミン、Nメチルプロパツールアミンが好
適である。
物としては、中でも1.2−ベンゾキノンジアジドスル
ホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロライドが好適である。また、上記式(
IV)の水酸基含有アミン化合物として、好適には、例
えばエタノールアミン、ネオペンタノールアミン、2−
ヒドロキシ−2′アミノエチルエーテル、2−ヒドロキ
シ−2′(アミノプロポキン)エチルエーテル、N−メ
チルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、
N−7’口ピルエタノールアミン、N−メチルプロパツ
ールアミン、N−エチルプロパツールアミン、N−プロ
ピルプロパノールアミン等が挙げられ、就中、N−メチ
ルエタノールアミン、Nメチルプロパツールアミンが好
適である。
上記式(I[)又は(I)のキノンジアジド化合物と上
記式(IV)の水酸基含有アミン化合物との反応は、上
記式(I[)又は(n[)の化合物と式(]V)の化合
物との混合物を溶解又は分散しうる不活性な有機溶媒の
存在下で、一般には室温ないし約80°C1好ましくは
室温ないし約60°C間の反応温度で約lO分〜約60
時間、好ましくは約1〜約3時間保持することによって
行なうことができる。
記式(IV)の水酸基含有アミン化合物との反応は、上
記式(I[)又は(n[)の化合物と式(]V)の化合
物との混合物を溶解又は分散しうる不活性な有機溶媒の
存在下で、一般には室温ないし約80°C1好ましくは
室温ないし約60°C間の反応温度で約lO分〜約60
時間、好ましくは約1〜約3時間保持することによって
行なうことができる。
上記反応に用いうる不活性有機溶媒としては、具体的に
は例えばジオキサン、ジオキソラン等のジオキサン類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン等のケトン類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類が挙げられる、中でもキノンジアジドス
ルホン酸ハロゲン化物に対する溶解性に優れ、かつ容易
に除去できることがらジオキサン類が好ましい。
は例えばジオキサン、ジオキソラン等のジオキサン類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン等のケトン類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類が挙げられる、中でもキノンジアジドス
ルホン酸ハロゲン化物に対する溶解性に優れ、かつ容易
に除去できることがらジオキサン類が好ましい。
上記式(I[)又は(I[I)の化合物と式(IV)の
化合物との混合割合は特に厳密に制限されるものではな
いが、通常−802X基と>NH基とのモル比がほぼ等
モル比になるように混合するのが適当である。上記反応
においてはキノンジアジド化合物の一5O2x基と水酸
基含有アミン化合物の>NH基とがOH基よりも優先的
に反応するために、該反応で得られる主反応生成物は、
前記式(V)で示される水酸基含有キノンジアジド化合
物である。なお、反応中に生成する塩化水素を捕捉する
ために、必要に応じて、例えばカセイソーダ、炭酸ソー
ダ、付加反応に用いると同種のアミン等を使用すること
もできる。
化合物との混合割合は特に厳密に制限されるものではな
いが、通常−802X基と>NH基とのモル比がほぼ等
モル比になるように混合するのが適当である。上記反応
においてはキノンジアジド化合物の一5O2x基と水酸
基含有アミン化合物の>NH基とがOH基よりも優先的
に反応するために、該反応で得られる主反応生成物は、
前記式(V)で示される水酸基含有キノンジアジド化合
物である。なお、反応中に生成する塩化水素を捕捉する
ために、必要に応じて、例えばカセイソーダ、炭酸ソー
ダ、付加反応に用いると同種のアミン等を使用すること
もできる。
上記式(V)で示される化合物の好適具体例としては、
以下のものが挙げられる。
以下のものが挙げられる。
502−N−CH2CH2−OH
OH3
So、−N−CH2−CH2−OH
OH3
SO2N CH2CH2−○H
502N CR2CH2CH2−OHOH3
502N CH2CH2−CH2−OH5o2−N
−CH2−CH□−CH,−OH5o2−N−CH2−
CH2−CH2−OHOH3 前記式(V)の水酸基含有キノンジアジド化合物と反応
させうる酸クロライド化合物としては、例えばアクリル
酸クロライド、メタクリル酸クロライド、クロトン酸ク
ロライド、及びこれらの共重合体(ポリ酸クロライド化
合物)等を使用することができる。
−CH2−CH□−CH,−OH5o2−N−CH2−
CH2−CH2−OHOH3 前記式(V)の水酸基含有キノンジアジド化合物と反応
させうる酸クロライド化合物としては、例えばアクリル
酸クロライド、メタクリル酸クロライド、クロトン酸ク
ロライド、及びこれらの共重合体(ポリ酸クロライド化
合物)等を使用することができる。
本発明に従う感光性化合物を得るための上記の酸クロラ
イド化合物と式(V)の水酸基含有キノンジアジド化合
物との反応は、必要ならば不活性有機溶媒の存在下に、
酸クロライド化合物と水酸基含有キノンジアジド化合物
を酸クロライド1モルに対して水酸基がほぼ1モルの割
合で混合し室温にて約1〜2時間保持することにより行
うことができる。該反応の進行状況は、赤外スペクトル
分析で1780cm−’付近の酸クロライド基によるピ
ークを測定することにより監視することができる。ここ
で使用しうる不活性溶媒としては、ケトン系、脂肪族系
、エーテル系などの有機溶媒の中から酸クロライド化合
物と反応を起こさないものを選んで使用することができ
る。
イド化合物と式(V)の水酸基含有キノンジアジド化合
物との反応は、必要ならば不活性有機溶媒の存在下に、
酸クロライド化合物と水酸基含有キノンジアジド化合物
を酸クロライド1モルに対して水酸基がほぼ1モルの割
合で混合し室温にて約1〜2時間保持することにより行
うことができる。該反応の進行状況は、赤外スペクトル
分析で1780cm−’付近の酸クロライド基によるピ
ークを測定することにより監視することができる。ここ
で使用しうる不活性溶媒としては、ケトン系、脂肪族系
、エーテル系などの有機溶媒の中から酸クロライド化合
物と反応を起こさないものを選んで使用することができ
る。
かくして得られる不飽和基含有キノンジアジド化合物は
ラジカル重合等を利用し他の不飽和基含有単量体と共重
合させ、或いはマイケル付加反応等を利用し多官能アミ
ノ化合物等と付加せしめることにより目的とする感光性
化合物を得ることができる。また、該感光性化合物は、
あらかじめポリ酸クロライド化合物を合成した後、水酸
基含有キノンジアジド化合物(V)を付加せしめること
によっても調製することが可能である。
ラジカル重合等を利用し他の不飽和基含有単量体と共重
合させ、或いはマイケル付加反応等を利用し多官能アミ
ノ化合物等と付加せしめることにより目的とする感光性
化合物を得ることができる。また、該感光性化合物は、
あらかじめポリ酸クロライド化合物を合成した後、水酸
基含有キノンジアジド化合物(V)を付加せしめること
によっても調製することが可能である。
かくして得られる感光性化合物(A)は前記式(I)で
示されるキノンジアジドスルホン単位を1分子中に少な
くとも1個、好ましくは平均して1.5個以上含有する
ものであり、その最大含有量は好ましくは1分子中に平
均して5個までである。また、感光性化合物(A)は一
般に6000以下、好ましくは500〜5000の範囲
の数平均分子量をもつことができ、分子量が6000を
超えると概して水溶性又は水分散性樹脂(B)との相溶
性が低下し、塗料の安定性が悪くなる傾向が見られる。
示されるキノンジアジドスルホン単位を1分子中に少な
くとも1個、好ましくは平均して1.5個以上含有する
ものであり、その最大含有量は好ましくは1分子中に平
均して5個までである。また、感光性化合物(A)は一
般に6000以下、好ましくは500〜5000の範囲
の数平均分子量をもつことができ、分子量が6000を
超えると概して水溶性又は水分散性樹脂(B)との相溶
性が低下し、塗料の安定性が悪くなる傾向が見られる。
一方、本発明において前記感光性化合物(A)と組合わ
せて用いられる塩形成基を有する水溶性又は水分散性樹
脂(B)(以下、樹脂(B)と呼ぶ。)としては、樹脂
中には中和等により塩を形成し、水溶化又は水分散化し
得る基を含有する樹脂が包含される。これらの樹脂の例
としては、カルボキン用基含有アクリル系樹脂、アミノ
基含有アクリル系樹脂、アンモニウム塩、スルフオニウ
ム塩含有アクリル系樹脂、カルボキシル基含有ポリニス
デル系樹脂、エポキシ樹脂アミン付加物、オニウム塩化
エポキシ樹脂等を挙げることができるが、を着浴の安定
性等の点から特にアクリル系の樹脂を使用することが好
ましい。
せて用いられる塩形成基を有する水溶性又は水分散性樹
脂(B)(以下、樹脂(B)と呼ぶ。)としては、樹脂
中には中和等により塩を形成し、水溶化又は水分散化し
得る基を含有する樹脂が包含される。これらの樹脂の例
としては、カルボキン用基含有アクリル系樹脂、アミノ
基含有アクリル系樹脂、アンモニウム塩、スルフオニウ
ム塩含有アクリル系樹脂、カルボキシル基含有ポリニス
デル系樹脂、エポキシ樹脂アミン付加物、オニウム塩化
エポキシ樹脂等を挙げることができるが、を着浴の安定
性等の点から特にアクリル系の樹脂を使用することが好
ましい。
本発明の組成物をアニオン型電着塗料として用いる場合
には、塩形成基としては例えばカルボキシル基、スルホ
ニル基、リン酸基等の陰イオン形成基が挙げられ、就中
、カルボキシル基が好ましい。他方、本発明の組成物を
カチオン型電着塗料として用いる場合には、塩形成基と
しては例えばアミノ基、アンモニウム塩基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム塩基等の陽イオン形成基が挙げられ
る。
には、塩形成基としては例えばカルボキシル基、スルホ
ニル基、リン酸基等の陰イオン形成基が挙げられ、就中
、カルボキシル基が好ましい。他方、本発明の組成物を
カチオン型電着塗料として用いる場合には、塩形成基と
しては例えばアミノ基、アンモニウム塩基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム塩基等の陽イオン形成基が挙げられ
る。
該樹脂(B)のうち、特に使用が好ましいとされるアク
リル系樹脂は、例えば上記の如き塩形成性基を含有する
重合性不飽和単量体を必須成分どする不飽和単量体混合
物を通常のラジカル共重合法により重合せしめるか、或
いはエボキン基台有重合性不飽和単量体を含む不飽和単
量体を同様にして重合せしめた後、樹脂中のエポキシ基
をアミノ化合物と付加させるか、または例えば3級アミ
ノ化合物と酸との如きオニウム塩形成化合物と反応させ
ることによりオニウム塩化する等のそれ自体既知の方法
によって製造することができる。
リル系樹脂は、例えば上記の如き塩形成性基を含有する
重合性不飽和単量体を必須成分どする不飽和単量体混合
物を通常のラジカル共重合法により重合せしめるか、或
いはエボキン基台有重合性不飽和単量体を含む不飽和単
量体を同様にして重合せしめた後、樹脂中のエポキシ基
をアミノ化合物と付加させるか、または例えば3級アミ
ノ化合物と酸との如きオニウム塩形成化合物と反応させ
ることによりオニウム塩化する等のそれ自体既知の方法
によって製造することができる。
前記したアクリル系樹脂の製造に用いられる重合性不飽
和単量体は、陰イオン形成基含有不飽和単量体としては
、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、(無水)
イタコン酸、(無水)マレイン酸、フマル酸、2−ヒド
ロキシエチルアクリレートアンドフォスフニー ト等が
挙げられ、また、陽イオン形成基含有不飽和単量体とし
ては、例えば、アミンエチル(メタ)アクリレート、N
−tertブチルアミノエチル(メタ)アクリレート、
N、N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、
N、N−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレ−ト、
N、N−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート
、N、N−ジメチルアミノブチル(メタ)アクリレート
等が挙げられる。
和単量体は、陰イオン形成基含有不飽和単量体としては
、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、(無水)
イタコン酸、(無水)マレイン酸、フマル酸、2−ヒド
ロキシエチルアクリレートアンドフォスフニー ト等が
挙げられ、また、陽イオン形成基含有不飽和単量体とし
ては、例えば、アミンエチル(メタ)アクリレート、N
−tertブチルアミノエチル(メタ)アクリレート、
N、N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、
N、N−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレ−ト、
N、N−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート
、N、N−ジメチルアミノブチル(メタ)アクリレート
等が挙げられる。
また、エポキシ基含有不飽和単量体としては、例えばグ
リシジル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)ア
クリルアミド、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ
る。
リシジル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)ア
クリルアミド、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ
る。
さらに、必要に応じて用いられるその他の重合性不飽和
単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート
、エチル(メタ)アクリレート、nブチル(メタ)アク
リレート、i−ブチル(メタ)アクリレート、tert
−ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ
)アクリレート、2−エチルホキシル(メタ)アクリレ
ート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メ
タ)アクリレート等の如きアクリル酸又はメタクリル酸
の01〜C□個のアルキル又はシクロアルキルエステル
類:2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−
ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキ
シアルキル(メタ)アクリレート類; (メタ)アクリ
ルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、ジアセ
トンアクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリル
アミド、N−ブトキシメチルアクリルアミド等の如きア
クリル又はメタクリルアミド類;スチレン、ビニルトル
ユン、プロピオン酸ビニル、α−メチルスチレン、酢酸
ビニル、(メタ)アクリロニトリル、ビニルプロピオネ
ート、ビニルピバレート、ベオバモノマー(シェル化学
製品)の如きビニル単量体等が挙げられる。
単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート
、エチル(メタ)アクリレート、nブチル(メタ)アク
リレート、i−ブチル(メタ)アクリレート、tert
−ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ
)アクリレート、2−エチルホキシル(メタ)アクリレ
ート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メ
タ)アクリレート等の如きアクリル酸又はメタクリル酸
の01〜C□個のアルキル又はシクロアルキルエステル
類:2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−
ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキ
シアルキル(メタ)アクリレート類; (メタ)アクリ
ルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、ジアセ
トンアクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリル
アミド、N−ブトキシメチルアクリルアミド等の如きア
クリル又はメタクリルアミド類;スチレン、ビニルトル
ユン、プロピオン酸ビニル、α−メチルスチレン、酢酸
ビニル、(メタ)アクリロニトリル、ビニルプロピオネ
ート、ビニルピバレート、ベオバモノマー(シェル化学
製品)の如きビニル単量体等が挙げられる。
上記した単量体の共重合反応は通常、適当な有機溶媒中
で、アゾビスメトキシブチロニトリル、ベンゾイルパー
オキサイド等のラジカル重合性開始剤の存在下で約30
〜約180″Cにて約1〜約20時間反応させることに
より行なわれる。適当な有機溶媒としては、電着塗料に
使用される水溶性有機溶媒(特にアルコール系又はエー
テル系溶媒)が好適である。このような溶媒としては、
例エバメタノール、エタノール、n−プロパツール、イ
ンプロパツール、ブタノール、エチレングリコ−ル、ブ
ヂルセロソルブ、エチル七ロソルフ、ジエチレングリコ
ール、メチルカルピトール、エチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
が挙げられる。
で、アゾビスメトキシブチロニトリル、ベンゾイルパー
オキサイド等のラジカル重合性開始剤の存在下で約30
〜約180″Cにて約1〜約20時間反応させることに
より行なわれる。適当な有機溶媒としては、電着塗料に
使用される水溶性有機溶媒(特にアルコール系又はエー
テル系溶媒)が好適である。このような溶媒としては、
例エバメタノール、エタノール、n−プロパツール、イ
ンプロパツール、ブタノール、エチレングリコ−ル、ブ
ヂルセロソルブ、エチル七ロソルフ、ジエチレングリコ
ール、メチルカルピトール、エチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
が挙げられる。
本発明における樹脂(B)の塩形成基の量は、感光性化
合物(A)と樹脂(B)とを合計した組成物中に一般に
0.3〜4.5モル/に2、好ましくは0.5〜1.6
モル/klの範囲になるように調節するのが好都合であ
る。塩形成基が0.3モル/klより小さいと水溶性も
しくは水分散性にすることが困離となり、電着塗料組成
物を調製するのがむずかしくなる傾向がみられる。反対
に4゜5モル/に&を超えると電着塗料が基板に塗装さ
れ難くなり塗布量を多くするために大きな電力を要する
傾向がある。
合物(A)と樹脂(B)とを合計した組成物中に一般に
0.3〜4.5モル/に2、好ましくは0.5〜1.6
モル/klの範囲になるように調節するのが好都合であ
る。塩形成基が0.3モル/klより小さいと水溶性も
しくは水分散性にすることが困離となり、電着塗料組成
物を調製するのがむずかしくなる傾向がみられる。反対
に4゜5モル/に&を超えると電着塗料が基板に塗装さ
れ難くなり塗布量を多くするために大きな電力を要する
傾向がある。
また、該樹脂(B)は、樹脂の種類によっても異なるが
、−船釣には数平均分子量が3,000〜100,00
0、好ましくは5,000〜30゜000の範囲内にあ
ることができる。数平均分子量が3,000より小さい
と電着塗装時に塗装された塗膜が破壊されやす〈屡々均
一な塗膜が得られないことがある。他方、100.00
0より大きいと、電着塗膜の平滑性が低下して凹凸の塗
面となりおすくなって画線の解像性が劣るようになり易
い。
、−船釣には数平均分子量が3,000〜100,00
0、好ましくは5,000〜30゜000の範囲内にあ
ることができる。数平均分子量が3,000より小さい
と電着塗装時に塗装された塗膜が破壊されやす〈屡々均
一な塗膜が得られないことがある。他方、100.00
0より大きいと、電着塗膜の平滑性が低下して凹凸の塗
面となりおすくなって画線の解像性が劣るようになり易
い。
本発明の別の態様によれば、感光性化合物(A)は、少
なくとも1個以上のアミノ基を有する脂肪族、脂環式又
は芳香族化合物に、0−ベンゾキノンジアジド又は0−
す7トキノンジアジドのスルホン酸クロリド化物を、ア
ミンのモル数とほぼ当モル割合で反応せしめて得られる
ものであることができる。該反応はキノンジアジドスル
ホン酸クロリド化物と多官能アミン化合物を、これらを
溶解又は分散しうる不活性な有機溶媒の存在下で、一般
には室温ないしは約50°Cの間、好ましくは室温ない
し40°Cの間の反応温度で約lO分〜約20時間、好
ましくは約1時間〜約3時間保持することによって行う
ことができる。
なくとも1個以上のアミノ基を有する脂肪族、脂環式又
は芳香族化合物に、0−ベンゾキノンジアジド又は0−
す7トキノンジアジドのスルホン酸クロリド化物を、ア
ミンのモル数とほぼ当モル割合で反応せしめて得られる
ものであることができる。該反応はキノンジアジドスル
ホン酸クロリド化物と多官能アミン化合物を、これらを
溶解又は分散しうる不活性な有機溶媒の存在下で、一般
には室温ないしは約50°Cの間、好ましくは室温ない
し40°Cの間の反応温度で約lO分〜約20時間、好
ましくは約1時間〜約3時間保持することによって行う
ことができる。
上記反応に用いうる不活性溶媒としては具体的には例え
ば、ジオキサン、ジオキソラン等のジオキサン類:アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類:ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類等が挙げられる。中でもキノンジアジドスル
ホン酸ハロゲ〉・化物に対する溶解性に優れかつ容易に
除去できることからジオキサン類が好ましい。また、反
応中に生成する塩化水素を捕捉するためにカセイソーダ
、炭酸ソーダ等のアルカリ性化合物を使用【7てもよい
。
ば、ジオキサン、ジオキソラン等のジオキサン類:アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類:ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類等が挙げられる。中でもキノンジアジドスル
ホン酸ハロゲ〉・化物に対する溶解性に優れかつ容易に
除去できることからジオキサン類が好ましい。また、反
応中に生成する塩化水素を捕捉するためにカセイソーダ
、炭酸ソーダ等のアルカリ性化合物を使用【7てもよい
。
多官能アミン化合物としては、例えば、エチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
ポリアミドアミン、フェニレンジアミン、キシリレンジ
アミン、イソホロンジアミン等を使用することができる
。
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
ポリアミドアミン、フェニレンジアミン、キシリレンジ
アミン、イソホロンジアミン等を使用することができる
。
かくして得られる感光性化合物(A)は、キノンジアジ
ドスルホン酸単位を1分子中に少なくとも1個、好まし
くは平均して1.5個以上含有するものであり、その最
大含有量は好ましくは1分子中に平均して5個までであ
る。また、感光性化合物の平均分子量は一般に6000
以下、好ましくは500〜3000の範囲であることが
でき、分子量が3000を超えると、概して塩形成基を
有する水溶性又は水分散性樹脂(B)との相溶性が低下
し、塗料の安定性が悪くなる傾向がみられる。
ドスルホン酸単位を1分子中に少なくとも1個、好まし
くは平均して1.5個以上含有するものであり、その最
大含有量は好ましくは1分子中に平均して5個までであ
る。また、感光性化合物の平均分子量は一般に6000
以下、好ましくは500〜3000の範囲であることが
でき、分子量が3000を超えると、概して塩形成基を
有する水溶性又は水分散性樹脂(B)との相溶性が低下
し、塗料の安定性が悪くなる傾向がみられる。
この本発明の別の態様において、上記感光性化合物(A
)と組合わせて使用される塩形成基を有する水溶性又は
水分散性樹脂CB)は、前述した水溶性又は水分散性樹
脂(B)を同様に使用することができる。
)と組合わせて使用される塩形成基を有する水溶性又は
水分散性樹脂CB)は、前述した水溶性又は水分散性樹
脂(B)を同様に使用することができる。
本発明のポジ型感光性電着塗料組成物における感光性化
合物(A)と樹脂(B)の混合割合は、厳密に制限され
るものではないが、一般には、樹脂(B)100重量部
に対して、感光性化合物(A)に含すれるキノンジアジ
ドスルホン単位で5〜60重量部、好ましくは10〜5
0重量部の範囲内になるように調整するのが好都合であ
る。
合物(A)と樹脂(B)の混合割合は、厳密に制限され
るものではないが、一般には、樹脂(B)100重量部
に対して、感光性化合物(A)に含すれるキノンジアジ
ドスルホン単位で5〜60重量部、好ましくは10〜5
0重量部の範囲内になるように調整するのが好都合であ
る。
キノンジアジドスルホン単位の量が5重量部より少ない
と、一般に形成される被膜を露光した時に発生するカル
ボキシル基の量が少な過ぎるため弱いアルカリによる現
像が困難となる。他方、60を置部より多くなると、形
成される被膜が硬く脆くなりやすい。このため、基板に
対する付着性が低下したり、現像、エツチング中に被膜
にヒビ割れを生じたりするために、得られる画線に切れ
などの不良を生じやすくなる。また紫外線等の活性エル
ネギ−線の透過性が低下するため、パターン形成のため
、照射量を1000 mj/co+”以上と大きくしな
ければならなくなる等の不利が生じやすい。
と、一般に形成される被膜を露光した時に発生するカル
ボキシル基の量が少な過ぎるため弱いアルカリによる現
像が困難となる。他方、60を置部より多くなると、形
成される被膜が硬く脆くなりやすい。このため、基板に
対する付着性が低下したり、現像、エツチング中に被膜
にヒビ割れを生じたりするために、得られる画線に切れ
などの不良を生じやすくなる。また紫外線等の活性エル
ネギ−線の透過性が低下するため、パターン形成のため
、照射量を1000 mj/co+”以上と大きくしな
ければならなくなる等の不利が生じやすい。
本発明の電着塗料組成物は、樹脂(B)が陰イオン性基
を含有する場合には、アミンもしくはアルカリ化合物で
、そしてまた、カチオン性基を有する場合には有機酸も
しくは無機酸でそれぞれ中和し、水に分散もしくは溶解
することによって得られる。なお、カチオン性基が第4
級アンモニウム塩基又は第4級ホスホニウム塩基である
場合は、そのまま水に分散もしくは溶解することも可能
である。その際に用いられる中和剤としては、たとえば
モノエタノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタ
ノールアミン等のアルカノールアミン類;トリエチルア
ミン、ジエチルアミン、モノエチルアミン、ジイソプロ
ピルアミン、トリメチルアミン、ジイソブチルアミン等
のアルキルアミン類ニジメチルアミノエタノール等のア
ルキルアルカノールアミン類ニジクロヘキシルアミンな
どの脂環族アミン類:ガイソーダ、カセイカリ等のアル
カリ金属水酸化物;アンモニア等が挙げられ、また、酸
としては塩酸、リン酸、酢酸、乳酸、リン酸等の無機も
しくは有機の酸が挙げられ、単独または混合物として使
用できる。
を含有する場合には、アミンもしくはアルカリ化合物で
、そしてまた、カチオン性基を有する場合には有機酸も
しくは無機酸でそれぞれ中和し、水に分散もしくは溶解
することによって得られる。なお、カチオン性基が第4
級アンモニウム塩基又は第4級ホスホニウム塩基である
場合は、そのまま水に分散もしくは溶解することも可能
である。その際に用いられる中和剤としては、たとえば
モノエタノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタ
ノールアミン等のアルカノールアミン類;トリエチルア
ミン、ジエチルアミン、モノエチルアミン、ジイソプロ
ピルアミン、トリメチルアミン、ジイソブチルアミン等
のアルキルアミン類ニジメチルアミノエタノール等のア
ルキルアルカノールアミン類ニジクロヘキシルアミンな
どの脂環族アミン類:ガイソーダ、カセイカリ等のアル
カリ金属水酸化物;アンモニア等が挙げられ、また、酸
としては塩酸、リン酸、酢酸、乳酸、リン酸等の無機も
しくは有機の酸が挙げられ、単独または混合物として使
用できる。
本発明において、水溶化または水分散化した電着塗料の
流動性をさらに向上させるため番二親水性溶媒(たとえ
ばイソプロパツール、n−ブタノール、t−ブタノール
、メトキンエタノール、エトキシエタノール、ブトキシ
ェタノール、ジエチレングリコール、メチルエーテル、
ジオキサン、テトラヒドロフランなど)を加えることが
できる。
流動性をさらに向上させるため番二親水性溶媒(たとえ
ばイソプロパツール、n−ブタノール、t−ブタノール
、メトキンエタノール、エトキシエタノール、ブトキシ
ェタノール、ジエチレングリコール、メチルエーテル、
ジオキサン、テトラヒドロフランなど)を加えることが
できる。
親水性溶剤の使用量は一般に感光性化合物(A)と樹脂
(B)の混合物100重量部に対し300重量部以下の
範囲が望ましい。
(B)の混合物100重量部に対し300重量部以下の
範囲が望ましい。
また、被塗物への塗布量を多くするため、疎水性溶媒、
たとえばトルエン、キシレン等の石油系溶剤、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類:酢
酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;2−エチルへキ
シルアルコール等の疎水性アルコール類なども加えるこ
とができる。
たとえばトルエン、キシレン等の石油系溶剤、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類:酢
酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;2−エチルへキ
シルアルコール等の疎水性アルコール類なども加えるこ
とができる。
疎水性溶媒の使用量は通常上記混合物100重量部に対
し200重量部以下の範囲が望ましい。
し200重量部以下の範囲が望ましい。
さらに必要に応じて、上記混合物以外の樹脂を配合して
電蓄塗膜の性能を適宜調整することもでき、さらに染料
や顔料なども添加することができる。
電蓄塗膜の性能を適宜調整することもでき、さらに染料
や顔料なども添加することができる。
本発明によって得られるポジ型感光性電着塗料組成物は
、例えば下記の如き特徴を有している。
、例えば下記の如き特徴を有している。
■ 樹脂(B)に比較して疎水性の高い感光性化合物(
A)を樹脂(B)と混合分散することにより、感光性化
合物(A)は樹脂(B)の粒子内に取り込まれやすくな
り、塩基によって分解しやすいキノンジアジドが塩基に
触れる確率が減り、キノンジアジド基を樹脂中に導入し
て場合よりも安定であり、電着塗装が長期にわたって行
なわれても感光性の変化が小さい。
A)を樹脂(B)と混合分散することにより、感光性化
合物(A)は樹脂(B)の粒子内に取り込まれやすくな
り、塩基によって分解しやすいキノンジアジドが塩基に
触れる確率が減り、キノンジアジド基を樹脂中に導入し
て場合よりも安定であり、電着塗装が長期にわたって行
なわれても感光性の変化が小さい。
■ 樹脂(B)と感光性化合物(A)の混合比を変える
だけで感光性基の量を容易に調整することができる。こ
のためレジスト膜の感光性、解像度を容易に変えること
ができ、回路板のパターンの細密度、製造ラインスピー
ドに応じてレジスト組成を自由に設計することができる
。
だけで感光性基の量を容易に調整することができる。こ
のためレジスト膜の感光性、解像度を容易に変えること
ができ、回路板のパターンの細密度、製造ラインスピー
ドに応じてレジスト組成を自由に設計することができる
。
本発明のポジ型感光性電着塗料組成物を用いてのプリン
ト配線基板の製造は次のようにして行なわれる。
ト配線基板の製造は次のようにして行なわれる。
電着塗装浴(浴固形分濃度:3〜30重量%)中にプリ
ント配線基板をアニオン電着塗装の場合には陽極そして
カチオン電着塗装の場合には陰極として浸漬し、20〜
400Vの直流電流を通電することlこよって行なわれ
る。通電時間は30秒〜5分が適当であり、膜厚は乾燥
膜厚で2〜100μm1好適には3〜20μmであるこ
とが望ましい。
ント配線基板をアニオン電着塗装の場合には陽極そして
カチオン電着塗装の場合には陰極として浸漬し、20〜
400Vの直流電流を通電することlこよって行なわれ
る。通電時間は30秒〜5分が適当であり、膜厚は乾燥
膜厚で2〜100μm1好適には3〜20μmであるこ
とが望ましい。
電着塗装後、電着浴から被塗物を引き上げ水洗したのち
、電着塗膜中に含まれる水分が熱風などで除去される。
、電着塗膜中に含まれる水分が熱風などで除去される。
ついで、このように形成された感光性電着塗膜面にパタ
ーンマスク(写真ポジ)を介して紫外線などの活性光線
を照射露光する。この露光部分中オルトキノンジアジド
化合物がケテンを経てカルボン酸となるため、アルカリ
水溶液などの現像液の現像処理によって除去され、高解
像度を実現することができる。
ーンマスク(写真ポジ)を介して紫外線などの活性光線
を照射露光する。この露光部分中オルトキノンジアジド
化合物がケテンを経てカルボン酸となるため、アルカリ
水溶液などの現像液の現像処理によって除去され、高解
像度を実現することができる。
本発明において露光に使用する活性光線は3000〜4
500人の波長を有する光線が適している。これらの光
源としては太陽光、水銀灯、クセノンランプ、アーク灯
などが挙げられる。活性光線の照射は通常50〜800
m j / c m 2の範囲内で行なわれる。
500人の波長を有する光線が適している。これらの光
源としては太陽光、水銀灯、クセノンランプ、アーク灯
などが挙げられる。活性光線の照射は通常50〜800
m j / c m 2の範囲内で行なわれる。
また、現像処理は塗膜面上に希アルカリ水を吹きつける
ことによって塗膜の感光部分を洗い流すことによって行
われる。希アルカリ水は通常pH8〜12のカセイソー
ダ、カセイカリ、炭酸ソーダ、メタケイ酸ソーダ、アン
モニア水、有機アミン水溶液など塗膜中に有する遊離の
カルボン酸と中和して水溶性を与えることのできるもの
が使用可能である。
ことによって塗膜の感光部分を洗い流すことによって行
われる。希アルカリ水は通常pH8〜12のカセイソー
ダ、カセイカリ、炭酸ソーダ、メタケイ酸ソーダ、アン
モニア水、有機アミン水溶液など塗膜中に有する遊離の
カルボン酸と中和して水溶性を与えることのできるもの
が使用可能である。
ついで、現像処理によって基板上に露出した銅箔部分(
非回路部分)は例えば、塩化第2鉄溶液、塩化アンモニ
ウム/アンモニア系エツチング液等を用いた通常のエツ
チング処理によって除去される。しかる後、回路パター
ン上の未露光塗膜もエチルセロソルブ、エチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブ系溶剤;1−ルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素系溶剤;メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤:酢酸
エチル、酢酸ブチルなどの酢酸エステル系溶剤;トリク
ロルエチレンなどのクロル系溶剤または、アニオン性電
着塗料を用いた場合にはpH8以上のカセイソーダ、カ
イセカリ、炭酸ソーダ−メタケイ酸ソーダー水溶液など
によって、またカチオン性電着塗料を用いた場合には上
記溶剤又は酢酸、乳酸等の有機酸又はその水溶液等によ
って溶解除去されて基板上にプリント回路が形成される
。
非回路部分)は例えば、塩化第2鉄溶液、塩化アンモニ
ウム/アンモニア系エツチング液等を用いた通常のエツ
チング処理によって除去される。しかる後、回路パター
ン上の未露光塗膜もエチルセロソルブ、エチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブ系溶剤;1−ルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素系溶剤;メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤:酢酸
エチル、酢酸ブチルなどの酢酸エステル系溶剤;トリク
ロルエチレンなどのクロル系溶剤または、アニオン性電
着塗料を用いた場合にはpH8以上のカセイソーダ、カ
イセカリ、炭酸ソーダ−メタケイ酸ソーダー水溶液など
によって、またカチオン性電着塗料を用いた場合には上
記溶剤又は酢酸、乳酸等の有機酸又はその水溶液等によ
って溶解除去されて基板上にプリント回路が形成される
。
本発明のポジ型感光性電着塗料組性物は回路基板上に容
易に電着塗装でき、析出した塗膜は乾燥されて均一な感
光膜を形成する。この感光膜にポジフィルムを通して光
照射すると、露光部は前記のごとく変化して希アルカリ
水によって現像され、また未露光部も溶剤またはアルカ
リまたは酸によって溶解除去することができる。
易に電着塗装でき、析出した塗膜は乾燥されて均一な感
光膜を形成する。この感光膜にポジフィルムを通して光
照射すると、露光部は前記のごとく変化して希アルカリ
水によって現像され、また未露光部も溶剤またはアルカ
リまたは酸によって溶解除去することができる。
特に、本発明の組成物はスルーホールを有するプリント
基板の製造に最適であり、感光性ドライフィルムを使用
した場合に比ベハンダメッキ工程などがなくなり、プリ
ント基板製造工程を短縮することができる。また、光硬
化型電着塗料を利用したネガ型エツチングレジストでは
小さな径のスルーホールに硬化膜を形成するのは困難で
あるが、本発明では未露光部がレジスト膜として残るの
で小さな径を有するプリント基板の製造にも適している
。
基板の製造に最適であり、感光性ドライフィルムを使用
した場合に比ベハンダメッキ工程などがなくなり、プリ
ント基板製造工程を短縮することができる。また、光硬
化型電着塗料を利用したネガ型エツチングレジストでは
小さな径のスルーホールに硬化膜を形成するのは困難で
あるが、本発明では未露光部がレジスト膜として残るの
で小さな径を有するプリント基板の製造にも適している
。
また、本発明の組成物を用いれば、回路パターンマスク
としてスルーホール部が遮光されないようにパターン設
計されたホトマスクラ介して露光することにより容易に
ランドレススルーホールを有するプリント配線基板を製
造することができる。
としてスルーホール部が遮光されないようにパターン設
計されたホトマスクラ介して露光することにより容易に
ランドレススルーホールを有するプリント配線基板を製
造することができる。
さらに、本発明のポジ型感光性電着塗料組成物は、感光
材としてキノンジアジド基が加水分解性の低いスルホン
アミド(イミド)結合又はスルホンアミド(イミド)結
合及びカルボン酸エステル結合を介して導入されたもの
を使用し、さらに該感光性材料は本発明で使用する樹脂
CB)に比して、疎水性が高いため、水分散体とした場
合、その分散粒子内に入り、加水分解を促進する水、ア
ミン、酸等と直接接触する可能性が低くなるので、長期
間にわたって電着塗装浴中で凝集又は浴底に沈澱したり
、塗装電圧が大きく変動したりすることがなく、電着塗
装浴の安定性が高く管理が容易である。
材としてキノンジアジド基が加水分解性の低いスルホン
アミド(イミド)結合又はスルホンアミド(イミド)結
合及びカルボン酸エステル結合を介して導入されたもの
を使用し、さらに該感光性材料は本発明で使用する樹脂
CB)に比して、疎水性が高いため、水分散体とした場
合、その分散粒子内に入り、加水分解を促進する水、ア
ミン、酸等と直接接触する可能性が低くなるので、長期
間にわたって電着塗装浴中で凝集又は浴底に沈澱したり
、塗装電圧が大きく変動したりすることがなく、電着塗
装浴の安定性が高く管理が容易である。
次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
実施例中の部及び%はそれぞれ重量部及び重量%である
。
。
分散樹脂−1の製造
2−メトギンプロパツール
n−ブチルアクリレ〜 ト
450部
692部薯
■
アクリル酸 108部1L−ブチ
ルパーオキシオクトエート 50部2−711′ブ°/
’/ tw 50:上。
ルパーオキシオクトエート 50部2−711′ブ°/
’/ tw 50:上。
t−ブチルパーオクトエート 10溶剤Iをフラ
スコに入れ、110°Cに加熱した中に■の混合液を1
10°Cで3時間かけて滴下し、1時間その温度に保つ
。ついで■の混合液を110℃で1時間かけて滴下し、
さらに110°C2時間保つことにより、固形分67%
、数平均分子量1.000及び酸価84のアクリル樹脂
溶液=1を得た。
スコに入れ、110°Cに加熱した中に■の混合液を1
10°Cで3時間かけて滴下し、1時間その温度に保つ
。ついで■の混合液を110℃で1時間かけて滴下し、
さらに110°C2時間保つことにより、固形分67%
、数平均分子量1.000及び酸価84のアクリル樹脂
溶液=1を得た。
分散樹脂−2〜−5の製造
下記表−1に記載する配合に基づき、製造例1と同様に
してアクリル樹脂溶液−2=−5を製造した。
してアクリル樹脂溶液−2=−5を製造した。
分散樹脂−6の製造
フラスコ中に分散樹脂−5を1550部入れ、40°C
に加熱し、40°Cに保ちつつ、ジメチルアミノエタノ
ール44.5部及び酢酸30部の混合液を30分かけて
滴下し、次いで60℃で5時間保つ。これによって固形
分66%及び4級アンモニア塩含量0−46 mol/
K、?のアクリル樹脂溶液6を得た。
に加熱し、40°Cに保ちつつ、ジメチルアミノエタノ
ール44.5部及び酢酸30部の混合液を30分かけて
滴下し、次いで60℃で5時間保つ。これによって固形
分66%及び4級アンモニア塩含量0−46 mol/
K、?のアクリル樹脂溶液6を得た。
分散樹脂−7の製造
フラスコ中に分散樹脂−4を100部入れ、これに1.
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニウムクロライ
ド18.7部をアセトン360部に溶解l、た溶液を加
える。次いで30°Cで撹拌しながら1時間かけてトリ
エチルアミン10部を滴下し、さらに30°Cで2時間
保った後、反応物を5000部の撹拌している脱イオン
水中へ、1時間かけて滴下する。水層を分離し、40°
Cで減圧下に乾燥した後、40部のジメチルジグライム
を加え、溶解して固形分67%及び酸価89のアクリル
樹脂溶液−7を得た。
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニウムクロライ
ド18.7部をアセトン360部に溶解l、た溶液を加
える。次いで30°Cで撹拌しながら1時間かけてトリ
エチルアミン10部を滴下し、さらに30°Cで2時間
保った後、反応物を5000部の撹拌している脱イオン
水中へ、1時間かけて滴下する。水層を分離し、40°
Cで減圧下に乾燥した後、40部のジメチルジグライム
を加え、溶解して固形分67%及び酸価89のアクリル
樹脂溶液−7を得た。
水酸基含有オルトキノンジアジド化合物−1の製造
4つロフラスコにオルトキノンシアシトスルホン酸クロ
ライド269部、ジオキサン1345部を入れ、室温で
撹拌しながら、N−メチルエタノルアミソ150部を1
時間で滴下した。 滴下終了後、約3時間撹拌を継続し
、IRスペクトルの3300cm−’付近のアミノ基の
吸収が無くなるのを確認した後反応を終了した。
ライド269部、ジオキサン1345部を入れ、室温で
撹拌しながら、N−メチルエタノルアミソ150部を1
時間で滴下した。 滴下終了後、約3時間撹拌を継続し
、IRスペクトルの3300cm−’付近のアミノ基の
吸収が無くなるのを確認した後反応を終了した。
次にこの溶液を脱イオン水中に入れ、反応中発生した塩
酸をトラップした4級アンモニウム塩を除去した。次い
で酢酸イソブチルで生成物を抽出した後、溶媒を留去し
減圧乾燥器に入れ乾燥し、水酸基含有オルトキノンジア
ジド化合物−1を得tこ 。
酸をトラップした4級アンモニウム塩を除去した。次い
で酢酸イソブチルで生成物を抽出した後、溶媒を留去し
減圧乾燥器に入れ乾燥し、水酸基含有オルトキノンジア
ジド化合物−1を得tこ 。
水酸基含有オルトキノンジアジド化合物−2の製造
4つロフラスコにオルトキノンジアジドスルホン酸クロ
ライド269部、ジオキサン1345部を入れ、室温で
撹拌しながらモノエタノールアミン122部を1時間で
滴下した。
ライド269部、ジオキサン1345部を入れ、室温で
撹拌しながらモノエタノールアミン122部を1時間で
滴下した。
滴下終了後、約3時間撹拌を継続し、IRスペクトルの
3300cm−’付近のアミノ基の吸収が無くなるのを
確認した後反応を終了した。
3300cm−’付近のアミノ基の吸収が無くなるのを
確認した後反応を終了した。
次にこの溶液を脱イオン水中に入れ、反応中発生した塩
酸をトラップした4級アンモニウム塩を除去した。次い
で酢酸イソブチルで生成物を抽出した後、溶媒を留去し
減圧乾燥器に入れ乾燥し、水酸基含有オルトキノンジγ
シト化合物−2を得た。
酸をトラップした4級アンモニウム塩を除去した。次い
で酢酸イソブチルで生成物を抽出した後、溶媒を留去し
減圧乾燥器に入れ乾燥し、水酸基含有オルトキノンジγ
シト化合物−2を得た。
4つロフラスコに水酸基含有オルトキノンジアジド化合
物−1を307部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物−1がジメチルジグライムに溶解した後、アクリル
酸クロライド9065部を1時間かけて添加しその後3
時間室温で撹拌しj二。次いで減圧下60℃でジメチル
ジグライムを固形分60%になるまで留去した後、反応
生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱濾過した減
圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含有オルトキノンジ
アジド化合物−1を得た。
物−1を307部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物−1がジメチルジグライムに溶解した後、アクリル
酸クロライド9065部を1時間かけて添加しその後3
時間室温で撹拌しj二。次いで減圧下60℃でジメチル
ジグライムを固形分60%になるまで留去した後、反応
生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱濾過した減
圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含有オルトキノンジ
アジド化合物−1を得た。
4つロフラスコに水酸基含有オルトキノンジアジド化合
物−1を307部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物−1がジメチルジグライムに溶解した後、メタクリ
ル酸クロライド104.5部を1時間かけて添加しその
後3時間室温で撹拌した。次いで減圧下60°Cでジメ
チルジグライムを固形分60%になるまで留去した後、
反応生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱濾過し
減圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含有オルトキノン
ジアジド化合物−2を得た。
物−1を307部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物−1がジメチルジグライムに溶解した後、メタクリ
ル酸クロライド104.5部を1時間かけて添加しその
後3時間室温で撹拌した。次いで減圧下60°Cでジメ
チルジグライムを固形分60%になるまで留去した後、
反応生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱濾過し
減圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含有オルトキノン
ジアジド化合物−2を得た。
4つロフラスコに水酸基含有オルトキノンジアジド化合
物−2を293部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトギノンジアジド化
合物−2がジメチルジグライムに溶解した後、アクリル
酸クロライド90゜5部を1時間かけて添加しその後3
時間室温で撹拌した。次いで減圧下60℃でジメチルジ
グライムを固形分60%lこなるまで留去した後、反応
生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱濾過した減
圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含有オルトキノンジ
アジド化合物−3を得た。
物−2を293部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトギノンジアジド化
合物−2がジメチルジグライムに溶解した後、アクリル
酸クロライド90゜5部を1時間かけて添加しその後3
時間室温で撹拌した。次いで減圧下60℃でジメチルジ
グライムを固形分60%lこなるまで留去した後、反応
生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱濾過した減
圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含有オルトキノンジ
アジド化合物−3を得た。
過し減圧乾燥器に入れ、乾燥し、不飽和基含存オルトキ
ノンジアジド化合物−4を得た。
ノンジアジド化合物−4を得た。
感光性化合物−1の製造
2−メトキシプロパツール
600部
n−ブチルアクリレート
400部
2−ヒドロキシエチルアクリレ
1− 239部
ジメチルジグライム
400部
4つロフラスコに水酸基含有オルトキノンジアジド化合
物−2を293部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物−2がジメチルジグライムに溶解した後、メタクリ
ル酸クロライド104.5部を1時間かけて添加しその
後3時間室温で撹拌した。次いで減圧下60℃でジメチ
ルジグライムを固形分60%になるまで留去した後、反
応生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱源ter
t−ドデシルメルカプタン 10部も 溶剤工を4つロフラスコに入れ、60°Cに加熱した中
に■の混合液を60°Cで3時間かけて滴下し、1時間
その温度に保つ。次いで■の混合物を6000で1時間
かけて滴下し、さらに60002時間保つことにより、
固形分50%及び数平均分子量 3000の感光性化合
物を得た。
物−2を293部、ジメチルジグライム500部を加え
、室温で撹拌した。水酸基含有オルトキノンジアジド化
合物−2がジメチルジグライムに溶解した後、メタクリ
ル酸クロライド104.5部を1時間かけて添加しその
後3時間室温で撹拌した。次いで減圧下60℃でジメチ
ルジグライムを固形分60%になるまで留去した後、反
応生成物をメタノール中に入れ、生成物を沈澱源ter
t−ドデシルメルカプタン 10部も 溶剤工を4つロフラスコに入れ、60°Cに加熱した中
に■の混合液を60°Cで3時間かけて滴下し、1時間
その温度に保つ。次いで■の混合物を6000で1時間
かけて滴下し、さらに60002時間保つことにより、
固形分50%及び数平均分子量 3000の感光性化合
物を得た。
感光性化合物−2〜−12の製造
下記表−27こ記載した配合lこ基づき感光性化合物−
1の製造と同様にして感光性化合物−2〜−12を製造
した。
1の製造と同様にして感光性化合物−2〜−12を製造
した。
感光性化合物−13の製造
4つロフラスコ中にヤシ油系トリアミン(KAO製R−
82)313部ジメチルジグライム313部を室温で撹
拌し、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物−1,
1083部を1時間添加した。その後、反応温度を50
°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノンジアジド
単位79.2%の感光性化合物−13を得た。
82)313部ジメチルジグライム313部を室温で撹
拌し、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物−1,
1083部を1時間添加した。その後、反応温度を50
°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノンジアジド
単位79.2%の感光性化合物−13を得た。
感光性化合物−14の製造
4つロフラスコ中にヤシ油系トリアミン(KAO製−8
2)313部ジメチルジグライム313部を室温で撹拌
し、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物−2,1
125部を1時間で添加した。その後、反応温度を50
°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノンジアジド
単位79.2%の感光性化合物−14を得た。
2)313部ジメチルジグライム313部を室温で撹拌
し、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物−2,1
125部を1時間で添加した。その後、反応温度を50
°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノンジアジド
単位79.2%の感光性化合物−14を得た。
感光性化合物−15の製造
4つロフラスコ中にヤシ油系トリアミン(KA○製R’
−82)、313部ジメチルジグライム313部を室温
で撹拌し5、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物
−1,1041部を1時間で添加した。その後、反応温
度を50°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノン
ジアジド単位79゜2%の感光性化合物−15を得た。
−82)、313部ジメチルジグライム313部を室温
で撹拌し5、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物
−1,1041部を1時間で添加した。その後、反応温
度を50°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノン
ジアジド単位79゜2%の感光性化合物−15を得た。
感光性化合物−16の製造
4つロフラスコ中にヤシ油系トリアミン(KAO製R−
82)、313部ジメチルジグライム313部を室温で
撹拌し、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物−1
,1093部を1時間で添加した。その後、反応温度を
50°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノンジア
ジド単位79゜2%の感光性化合物−16を得た。
82)、313部ジメチルジグライム313部を室温で
撹拌し、不飽和基含有オルトキノンジアジド化合物−1
,1093部を1時間で添加した。その後、反応温度を
50°Cに上げさらに3時間撹拌し、オルトキノンジア
ジド単位79゜2%の感光性化合物−16を得た。
感光性化合物−17の製造
4つロフラスコ中にジメチルジグライム313部、ヤシ
油系トリアミン(KAO製R−82)313部、炭酸ナ
トリウム312部を入れ、室温で撹拌しながら、ナフト
キノンジアジドスルホン酸クロライド807部をジオキ
サン4035部に溶かした溶液を1時間かけて滴下した
。滴下終了後、約3時間撹拌を継続し、IRスペクトル
の3300cm4j近のアミ7基の吸収かなくなるのを
確認した後、反応を収量した。
油系トリアミン(KAO製R−82)313部、炭酸ナ
トリウム312部を入れ、室温で撹拌しながら、ナフト
キノンジアジドスルホン酸クロライド807部をジオキ
サン4035部に溶かした溶液を1時間かけて滴下した
。滴下終了後、約3時間撹拌を継続し、IRスペクトル
の3300cm4j近のアミ7基の吸収かなくなるのを
確認した後、反応を収量した。
次にこの溶液を脱イオン水中に入れ、反応中発生した塩
酸を1−ラップした4級アミンを除去した。
酸を1−ラップした4級アミンを除去した。
次に酢酸イソブチルで生成物を抽出した後溶媒を留去し
、減圧乾燥器に入れ乾燥し感光性化合物−17をや曝l
こ。
、減圧乾燥器に入れ乾燥し感光性化合物−17をや曝l
こ。
実施例−1
分散樹脂〜1のアクリル樹脂溶液100部にトリエチル
アミン3.8部及びプチルカービトール5部を混合中和
した後、感光性化合物−1を16゜7部を加え、十分混
合し、高速ミキサーで100Q rpm〜200 Or
pmの撹拌速度で撹拌しつつ、脱イオン水717部を徐
々に加えて、安定な分散液を得た。分散液の固形分は8
%、pHは7.8であった。
アミン3.8部及びプチルカービトール5部を混合中和
した後、感光性化合物−1を16゜7部を加え、十分混
合し、高速ミキサーで100Q rpm〜200 Or
pmの撹拌速度で撹拌しつつ、脱イオン水717部を徐
々に加えて、安定な分散液を得た。分散液の固形分は8
%、pHは7.8であった。
実施例−2〜−−24及び比較例
下記表−3に示す配合に基づき、実施例1と同様にして
分散液を得た。
分散液を得た。
実施例−1〜−24及び比較例で得j;25°Cの水分
散液中に、I) 、 4 mmのスルホールを有する絶
縁板に無電解銅めっき、電解銅めっきを行った銅厚35
μmのプリント配線板用両面回路基板を浸漬し、実施例
−1〜−18、−20〜−22及び=24で(ゴ正極ど
し、また実施例−19及び−24では負極とし、水分散
中に浸漬した対極を接続し、表−4に示す所定の通電条
件で電着を行った後、回路板を水洗し、80°Cで5分
間乾燥さゼた。
散液中に、I) 、 4 mmのスルホールを有する絶
縁板に無電解銅めっき、電解銅めっきを行った銅厚35
μmのプリント配線板用両面回路基板を浸漬し、実施例
−1〜−18、−20〜−22及び=24で(ゴ正極ど
し、また実施例−19及び−24では負極とし、水分散
中に浸漬した対極を接続し、表−4に示す所定の通電条
件で電着を行った後、回路板を水洗し、80°Cで5分
間乾燥さゼた。
これらの電着皮膜はいずれもピンホールがなく、膜厚も
均一であり、スルーホール内も完全に被覆されていた。
均一であり、スルーホール内も完全に被覆されていた。
これらの水分散液を30°Cで6力月貯蔵した所、実施
例−1〜−24では外観上、同等異常は認められなかっ
たが、比較例の分散駅では樹脂の沈降が認められた。
例−1〜−24では外観上、同等異常は認められなかっ
たが、比較例の分散駅では樹脂の沈降が認められた。
また、これらの分散液を30℃で6力月貯蔵した後、上
記と同様の実験を繰り返した所、実施例−1〜−24で
は被覆はピンホールがなく、膜厚も均一でありスルーホ
ール内も完全に被覆されていたが、比較例では部分的に
異常な樹脂の析出が認められ、膜厚が不均一となり、ス
ルーホール周辺部にビンールが発生していた。
記と同様の実験を繰り返した所、実施例−1〜−24で
は被覆はピンホールがなく、膜厚も均一でありスルーホ
ール内も完全に被覆されていたが、比較例では部分的に
異常な樹脂の析出が認められ、膜厚が不均一となり、ス
ルーホール周辺部にビンールが発生していた。
表−3
ン単位75.2%)
ン単位75.2%)
ン単位75.2%)
得られた被膜上にポジタイプのフ第1・ソールマスクを
密着させ両面を露光した後、2%メタケイ酸ソーダ及び
2%炭酸ソーダで現像し、エツチング、樹脂被膜の除去
を行った。得られIユ回路パターンを電子顕微鏡で観察
した所、いずれも回路幅(導体幅)30μmの欠陥のな
い回路パターンが得られ、露光を受けなかったスルーホ
ール部は銅エツチングされず完全に残り、両面の導通が
確保されていた。
密着させ両面を露光した後、2%メタケイ酸ソーダ及び
2%炭酸ソーダで現像し、エツチング、樹脂被膜の除去
を行った。得られIユ回路パターンを電子顕微鏡で観察
した所、いずれも回路幅(導体幅)30μmの欠陥のな
い回路パターンが得られ、露光を受けなかったスルーホ
ール部は銅エツチングされず完全に残り、両面の導通が
確保されていた。
さらに、30℃で6力月貯蔵した浴より得られた被膜に
ついても同様の実験を繰り返したところ、実施例−1か
ら−24では貯蔵前のもと変わらない良好な回路パター
ンが得られたが、比較例では現像時の露光部の被膜の溶
解残りに起因する回路の断線、スルーホールの導通欠陥
が多数発生し、良好な回路パターンは得られなかった。
ついても同様の実験を繰り返したところ、実施例−1か
ら−24では貯蔵前のもと変わらない良好な回路パター
ンが得られたが、比較例では現像時の露光部の被膜の溶
解残りに起因する回路の断線、スルーホールの導通欠陥
が多数発生し、良好な回路パターンは得られなかった。
Claims (2)
- 1.(A)分子中に下記式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、R_1は ▲数式、化学式、表等があります▼ を表わし、 R_2は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又は
アルキルエーテル基を表わし、 R_3はアルキレン基、シクロアルキレン基又はアルキ
レンエーテルを表わし、 Aはカルボン酸エステル結合表わす、 で示されるキノンジアジドスルホン単位を少なくとも1
個有する分子量6,000以下の感光性化合物、及び (B)塩形成基をは有する水溶性又は水分散性樹脂 よりなることを特徴とするポジ型感光性電着塗料組成物
。 - 2.(A)多官能アミノ化合物にo−ベンゾキノンジア
ジドスルホン酸クロリド化物又はo−ナフトキノンジア
ジドスルホン酸クロリド化物を反応せしめることにより
得られる感光性化合物、及び(B)塩形成基を有する水
溶性又は水分散性樹脂 よりなることを特徴とするポジ型感光性電着塗料組成物
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2159849A JP2865147B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ポジ型感光性電着塗料組成物 |
CA002044986A CA2044986A1 (en) | 1990-06-20 | 1991-06-19 | Positive-type photosensitive electrodeposition coating composition |
DE4120417A DE4120417A1 (de) | 1990-06-20 | 1991-06-20 | Fotoempfindliche elektroabscheidungsbeschichtungsmasse vom positivtyp |
US08/250,114 US5422222A (en) | 1990-06-20 | 1994-05-26 | Electrodeposition coating composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2159849A JP2865147B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ポジ型感光性電着塗料組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0453877A true JPH0453877A (ja) | 1992-02-21 |
JP2865147B2 JP2865147B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=15702580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2159849A Expired - Lifetime JP2865147B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ポジ型感光性電着塗料組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5422222A (ja) |
JP (1) | JP2865147B2 (ja) |
CA (1) | CA2044986A1 (ja) |
DE (1) | DE4120417A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007162361A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Tanigaki Kenko:Kk | ケリーロッド構造 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5624781A (en) * | 1993-05-28 | 1997-04-29 | Kansai Paint Co., Ltd. | Positive type anionic electrodeposition photo-resist composition and process for pattern formation using said composition |
JP3633179B2 (ja) * | 1997-01-27 | 2005-03-30 | Jsr株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
KR100733920B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2007-07-02 | 주식회사 엘지화학 | 에칭 레지스트용 잉크 조성물, 이를 이용한 에칭 레지스트패턴 형성 방법 및 미세 유로 형성 방법 |
US20080214711A1 (en) * | 2005-04-28 | 2008-09-04 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Hard coats with a cationic acrylic polymer |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE907739C (de) * | 1949-07-23 | 1954-02-18 | Kalle & Co Ag | Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen und dafuer verwendbares lichtempfindliches Material |
DE1114705C2 (de) * | 1959-04-16 | 1962-04-12 | Kalle Ag | Lichtempfindliche Schichten fuer die photomechanische Herstellung von Druckformen |
US3759711A (en) * | 1970-09-16 | 1973-09-18 | Eastman Kodak Co | Er compositions and elements nitrogen linked apperding quinone diazide light sensitive vinyl polym |
JPS5024641B2 (ja) * | 1972-10-17 | 1975-08-18 | ||
EP0155231B2 (de) * | 1984-03-07 | 1997-01-15 | Ciba-Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von Abbildungen |
JPH07119374B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1995-12-20 | 関西ペイント株式会社 | ポジ型感光性カチオン電着塗料組成物 |
EP0335330B1 (en) * | 1988-03-28 | 1993-06-16 | Kansai Paint Co., Ltd. | Electrodeposition coating process of photoresist for printed circuit board |
DE3822522A1 (de) * | 1988-07-04 | 1990-03-22 | Hoechst Ag | 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeureamide und lichtempfindliche gemische, die diese enthalten |
JP2804579B2 (ja) * | 1989-02-14 | 1998-09-30 | 関西ペイント株式会社 | ポジ型感光性電着塗料組成物及びこれを用いた回路板の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2159849A patent/JP2865147B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-19 CA CA002044986A patent/CA2044986A1/en not_active Abandoned
- 1991-06-20 DE DE4120417A patent/DE4120417A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-05-26 US US08/250,114 patent/US5422222A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007162361A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Tanigaki Kenko:Kk | ケリーロッド構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2044986A1 (en) | 1991-12-21 |
JP2865147B2 (ja) | 1999-03-08 |
DE4120417A1 (de) | 1992-01-02 |
US5422222A (en) | 1995-06-06 |
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