JPH07196619A - ４−トリフルオロメチルピリジン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
４−トリフルオロメチルピリジン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH07196619A JPH07196619A JP33866593A JP33866593A JPH07196619A JP H07196619 A JPH07196619 A JP H07196619A JP 33866593 A JP33866593 A JP 33866593A JP 33866593 A JP33866593 A JP 33866593A JP H07196619 A JPH07196619 A JP H07196619A
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- C07D213/62—Oxygen or sulfur atoms
- C07D213/63—One oxygen atom
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- C07D213/62—Oxygen or sulfur atoms
- C07D213/69—Two or more oxygen atoms
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Pyridine Compounds (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（Ｉ）：
【化１】
［式中、Ｘはハロゲン原子、水素原子又は低級アルコキ
シ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アルコキシカルボ
ニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホニル基、ベン
ゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基等を表す。）で示される基を
表す。］で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘
導体及びその製法。 【効果】 水田又は畑地の種々の一年生雑草に対して高
い除草効果を示す新規な４−トリフルオロメチルピリジ
ン誘導体が提供される。
シ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アルコキシカルボ
ニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホニル基、ベン
ゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基等を表す。）で示される基を
表す。］で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘
導体及びその製法。 【効果】 水田又は畑地の種々の一年生雑草に対して高
い除草効果を示す新規な４−トリフルオロメチルピリジ
ン誘導体が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式（Ｉ）：
【０００２】
【化８】
【０００３】［式中、Ｘはハロゲン原子、水素原子又は
低級アルコキシ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アル
コキシカルボニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホ
ニル基、ベンゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基、ハロアルキル基、低級アル
コキシ基置換低級アルキル基、低級アルコキシカルボニ
ル基置換低級アルキル基、カルボキシル基置換低級アル
キル基、シクロアルキル基、フェニル基（該フェニル基
は低級アルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコキシ基で１〜５
個置換されていてもよい）、ピリジル基、フリル基、チ
エニル基、アミノ基又はジ低級アルキルアミノ基を表
す。）で示される基を表す。］で示される４−トリフル
オロメチルピリジン誘導体及びその製造方法に関する。
低級アルコキシ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アル
コキシカルボニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホ
ニル基、ベンゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基、ハロアルキル基、低級アル
コキシ基置換低級アルキル基、低級アルコキシカルボニ
ル基置換低級アルキル基、カルボキシル基置換低級アル
キル基、シクロアルキル基、フェニル基（該フェニル基
は低級アルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコキシ基で１〜５
個置換されていてもよい）、ピリジル基、フリル基、チ
エニル基、アミノ基又はジ低級アルキルアミノ基を表
す。）で示される基を表す。］で示される４−トリフル
オロメチルピリジン誘導体及びその製造方法に関する。
【０００４】本発明の化合物は除草剤として有用であ
り、特に水田又は畑地の種々の一年生雑草に対して高い
除草活性を示す。
り、特に水田又は畑地の種々の一年生雑草に対して高い
除草活性を示す。
【０００５】
【従来の技術】近年、数多くの除草剤が開発され、農作
業の省力化、生産性の向上に寄与してきた。しかし、こ
れらの除草剤も実際の使用場面では除草効果、安全性な
どの面で必ずしも十分なものとは言い難く、更に改良さ
れた除草剤の出現が望まれている。Journal of Organic
Chemistry、39巻、3956頁、1973年には次式：
業の省力化、生産性の向上に寄与してきた。しかし、こ
れらの除草剤も実際の使用場面では除草効果、安全性な
どの面で必ずしも十分なものとは言い難く、更に改良さ
れた除草剤の出現が望まれている。Journal of Organic
Chemistry、39巻、3956頁、1973年には次式：
【０００６】
【化９】
【０００７】で示される化合物が記載されている。しか
し、この化合物は除草活性を何ら有していないか、有し
ていてもわずかで除草剤としての有用性は認められな
い。フランス公開特許第２５４１２８２号には、次式： Ａｒ−Ｏ−ＮＨ−Ｒ （式中、Ａｒは必要に応じ置換された芳香族あるいはヘ
テロ芳香族化合物（Ｏ，Ｎ，Ｓを１個もしくはそれ以上
有する）を表し、Ｒは水素原子、アルキル置換カルボニ
ル基又は置換されていてもよい芳香族基置換カルボニル
基を表す。）で示される、植物に対する成長因子として
使用される種々のヒドロキシルアミン誘導体が開示され
ている。しかし、本発明の特定の構造の４−トリフルオ
ロメチルピリジン誘導体については具体的には記載され
ていない。
し、この化合物は除草活性を何ら有していないか、有し
ていてもわずかで除草剤としての有用性は認められな
い。フランス公開特許第２５４１２８２号には、次式： Ａｒ−Ｏ−ＮＨ−Ｒ （式中、Ａｒは必要に応じ置換された芳香族あるいはヘ
テロ芳香族化合物（Ｏ，Ｎ，Ｓを１個もしくはそれ以上
有する）を表し、Ｒは水素原子、アルキル置換カルボニ
ル基又は置換されていてもよい芳香族基置換カルボニル
基を表す。）で示される、植物に対する成長因子として
使用される種々のヒドロキシルアミン誘導体が開示され
ている。しかし、本発明の特定の構造の４−トリフルオ
ロメチルピリジン誘導体については具体的には記載され
ていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、除草剤
を開発することを目的として、多種多様な化合物を多数
合成し、鋭意スクリーニング試験を重ねた結果、特定の
置換基を持った新規４−トリフルオロメチルピリジン誘
導体が高い除草活性を示すことを見出し、本発明を完成
するに至った。
を開発することを目的として、多種多様な化合物を多数
合成し、鋭意スクリーニング試験を重ねた結果、特定の
置換基を持った新規４−トリフルオロメチルピリジン誘
導体が高い除草活性を示すことを見出し、本発明を完成
するに至った。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式
（Ｉ）：
（Ｉ）：
【００１０】
【化１０】
【００１１】［式中、Ｘはハロゲン原子、水素原子又は
低級アルコキシ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アル
コキシカルボニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホ
ニル基、ベンゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基、ハロアルキル基、低級アル
コキシ基置換低級アルキル基、低級アルコキシカルボニ
ル基置換低級アルキル基、カルボキシル基置換低級アル
キル基、シクロアルキル基、フェニル基（該フェニル基
は低級アルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコキシ基で１〜５
個置換されていてもよい）、ピリジル基、フリル基、チ
エニル基、アミノ基又はジ低級アルキルアミノ基を表
す。）で示される基を表す。］で示される４−トリフル
オロメチルピリジン誘導体に関する。
低級アルコキシ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アル
コキシカルボニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホ
ニル基、ベンゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基、ハロアルキル基、低級アル
コキシ基置換低級アルキル基、低級アルコキシカルボニ
ル基置換低級アルキル基、カルボキシル基置換低級アル
キル基、シクロアルキル基、フェニル基（該フェニル基
は低級アルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコキシ基で１〜５
個置換されていてもよい）、ピリジル基、フリル基、チ
エニル基、アミノ基又はジ低級アルキルアミノ基を表
す。）で示される基を表す。］で示される４−トリフル
オロメチルピリジン誘導体に関する。
【００１２】また、本発明は、一般式（II）：
【００１３】
【化１１】
【００１４】（式中、Ｘは前記と同じ意味を表し、Ｈａ
ｌはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と一般式
(III) ： ＨＯＮＨＣＯＲ3 (III) （式中、Ｒ3 は前記と同じ意味を表す。）で示されるヒ
ドロキサム酸類とを反応させることを特徴とする一般式
(I-a) ：
ｌはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と一般式
(III) ： ＨＯＮＨＣＯＲ3 (III) （式中、Ｒ3 は前記と同じ意味を表す。）で示されるヒ
ドロキサム酸類とを反応させることを特徴とする一般式
(I-a) ：
【００１５】
【化１２】
【００１６】（式中、Ｘ及びＲ3 は前記と同じ意味を表
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体の製造方法に関するものである。また、本発明は、一
般式（IV）：
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体の製造方法に関するものである。また、本発明は、一
般式（IV）：
【００１７】
【化１３】
【００１８】（式中、Ｘ及びＲ1 は前記と同じ意味を表
す。）で示される化合物と一般式（Ｖ）： Ｈａｌ−Ｒ2 （Ｖ） （式中、Ｒ2 及びＨａｌは前記と同じ意味を表す。）で
示される酸ハライド類とを反応させることを特徴とする
一般式（Ｉ）：
す。）で示される化合物と一般式（Ｖ）： Ｈａｌ−Ｒ2 （Ｖ） （式中、Ｒ2 及びＨａｌは前記と同じ意味を表す。）で
示される酸ハライド類とを反応させることを特徴とする
一般式（Ｉ）：
【００１９】
【化１４】
【００２０】（式中、Ｘ、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じ意
味を表す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジ
ン誘導体の製造方法に関する。更に、本発明は、一般式
（VI）：
味を表す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジ
ン誘導体の製造方法に関する。更に、本発明は、一般式
（VI）：
【００２１】
【化１５】
【００２２】（式中、Ｘ及びＲ2 は前記と同じ意味を表
し、Ｙは低級アルコキシカルボニル基を表す。）で示さ
れる化合物を加水分解することを特徴とする一般式(I-
b）：
し、Ｙは低級アルコキシカルボニル基を表す。）で示さ
れる化合物を加水分解することを特徴とする一般式(I-
b）：
【００２３】
【化１６】
【００２４】（式中、Ｘ及びＲ2 は前記と同じ意味を表
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体の製造方法に関する。前記一般式（Ｉ）で示される化
合物について説明する。前記一般式（Ｉ）中、Ｘはハロ
ゲン原子、水素原子又は低級アルコキシ基を表す。ここ
で、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子が挙げられ、中でも塩素原子が好まし
い。低級アルコキシ基としては炭素数１〜４のアルコキ
シ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec-ブトキシ基又はt-ブトキシ基を挙げることがで
き、中でもメトキシ基が好ましい。Ｘの中ではハロゲン
原子、特に塩素原子が好ましい。
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体の製造方法に関する。前記一般式（Ｉ）で示される化
合物について説明する。前記一般式（Ｉ）中、Ｘはハロ
ゲン原子、水素原子又は低級アルコキシ基を表す。ここ
で、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子が挙げられ、中でも塩素原子が好まし
い。低級アルコキシ基としては炭素数１〜４のアルコキ
シ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec-ブトキシ基又はt-ブトキシ基を挙げることがで
き、中でもメトキシ基が好ましい。Ｘの中ではハロゲン
原子、特に塩素原子が好ましい。
【００２５】Ｒ1 は水素原子又は低級アルコキシカルボ
ニル基を表す。低級アルコキシカルボニル基としては炭
素数２〜５のアルコキシカルボニル基、例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシ
カルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキ
シカルボニル基又はt-ブトキシカルボニル基を挙げるこ
とができる。
ニル基を表す。低級アルコキシカルボニル基としては炭
素数２〜５のアルコキシカルボニル基、例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシ
カルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキ
シカルボニル基又はt-ブトキシカルボニル基を挙げるこ
とができる。
【００２６】Ｒ2 は低級アルカンスルホニル基、ベンゼ
ンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 で示される基を表す。ここで、低級アルカンスルホニル
基としては炭素数１〜４アルカンスルホニル基、例えば
メタンスルホニル基、エタンスルホニル基等を挙げるこ
とができる。
ンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 で示される基を表す。ここで、低級アルカンスルホニル
基としては炭素数１〜４アルカンスルホニル基、例えば
メタンスルホニル基、エタンスルホニル基等を挙げるこ
とができる。
【００２７】基−ＣＯ−Ｒ3 において、Ｒ3 はアルキル
基、ハロアルキル基、低級アルコキシ基置換低級アルキ
ル基、低級アルコキシカルボニル基置換低級アルキル
基、カルボキシル基置換低級アルキル基、シクロアルキ
ル基、フェニル基（該フェニル基は低級アルキル基、ハ
ロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニトロ基、シアノ
基又は低級アルコキシ基で１〜５個置換されていてもよ
い）、ピリジル基、フリル基、チエニル基、アミノ基又
はジ低級アルキルアミノ基を表す。
基、ハロアルキル基、低級アルコキシ基置換低級アルキ
ル基、低級アルコキシカルボニル基置換低級アルキル
基、カルボキシル基置換低級アルキル基、シクロアルキ
ル基、フェニル基（該フェニル基は低級アルキル基、ハ
ロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニトロ基、シアノ
基又は低級アルコキシ基で１〜５個置換されていてもよ
い）、ピリジル基、フリル基、チエニル基、アミノ基又
はジ低級アルキルアミノ基を表す。
【００２８】Ｒ3 で表されるアルキル基としては炭素数
１〜１０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペ
ンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル
基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシ
ル基などを挙げることができる。
１〜１０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペ
ンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル
基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシ
ル基などを挙げることができる。
【００２９】Ｒ3 で表されるハロアルキル基としては、
前記の例示と同様のハロゲン原子で１〜５個置換された
炭素数１〜２のアルキル基、具体的にはフルオロメチル
基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリフルオロ
メチル基、１−フルオロエチル基、１−クロロエチル
基、２−フルオロエチル基、２−クロロエチル基、トリ
クロロエチル基、トリフルオロエチル基又はペンタフル
オロエチル基などを挙げることができる。
前記の例示と同様のハロゲン原子で１〜５個置換された
炭素数１〜２のアルキル基、具体的にはフルオロメチル
基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリフルオロ
メチル基、１−フルオロエチル基、１−クロロエチル
基、２−フルオロエチル基、２−クロロエチル基、トリ
クロロエチル基、トリフルオロエチル基又はペンタフル
オロエチル基などを挙げることができる。
【００３０】Ｒ3 で表される低級アルコキシ基置換低級
アルキル基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基で置
換された炭素数１〜４のアルキル基、具体的にはメトキ
シメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、３−メトキシプロピル基、４−メトキシブチル
基、２−エトキシエチル基、イソプロポキシメチル基、
４−t-ブトキシブチル基などを挙げることができる。
アルキル基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基で置
換された炭素数１〜４のアルキル基、具体的にはメトキ
シメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、３−メトキシプロピル基、４−メトキシブチル
基、２−エトキシエチル基、イソプロポキシメチル基、
４−t-ブトキシブチル基などを挙げることができる。
【００３１】Ｒ3 で表される低級アルコキシカルボニル
基置換低級アルキル基としては、炭素数２〜５のアルコ
キシカルボニル基で置換された炭素数１〜４のアルキル
基、具体的にはメトキシカルボニルメチル基、２−メト
キシカルボニルエチル基、３−メトキシカルボニルプロ
ピル基、４−メトキシカルボニルブチル基、２−エトキ
シカルボニルエチル基、イソプロポキシカルボニルメチ
ル基、４−t-ブトキシカルボニルブチル基などを挙げる
ことができる。
基置換低級アルキル基としては、炭素数２〜５のアルコ
キシカルボニル基で置換された炭素数１〜４のアルキル
基、具体的にはメトキシカルボニルメチル基、２−メト
キシカルボニルエチル基、３−メトキシカルボニルプロ
ピル基、４−メトキシカルボニルブチル基、２−エトキ
シカルボニルエチル基、イソプロポキシカルボニルメチ
ル基、４−t-ブトキシカルボニルブチル基などを挙げる
ことができる。
【００３２】Ｒ3 で表されるカルボキシル基置換低級ア
ルキル基としては、カルボキシル基で置換された炭素数
１〜４のアルキル基、例えばカルボキシメチル基、２−
カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基、４−
カルボキシブチル基等を挙げることができる。Ｒ3 で表
されるシクロアルキル基としては炭素数３〜６のシクロ
アルキル基、具体的にはシクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げるこ
とができる。
ルキル基としては、カルボキシル基で置換された炭素数
１〜４のアルキル基、例えばカルボキシメチル基、２−
カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基、４−
カルボキシブチル基等を挙げることができる。Ｒ3 で表
されるシクロアルキル基としては炭素数３〜６のシクロ
アルキル基、具体的にはシクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げるこ
とができる。
【００３３】Ｒ3 で表されるフェニル基において、置換
する低級アルキル基としては炭素数１〜４のアルキル
基、具体的には前記の例示と同様のものが挙げられ、低
級アルコキシ基としては炭素数１〜４の前記と同様のア
ルコキシ基を挙げることができ、ハロゲン原子としては
前記と同様のものを挙げることができる。Ｒ3 で表され
るピリジル基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル
基又は４−ピリジル基を挙げることができる。フリル基
としては、２−フリル基又は３−フリル基を挙げること
ができる。チエニル基としては、２−チエニル基又は３
−チエニル基を挙げることができる。ジ低級アルキルア
ミノ基としては、炭素数１〜４のアルキル基で置換され
たアミノ基、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ
基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、
ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基
等を挙げることができる。
する低級アルキル基としては炭素数１〜４のアルキル
基、具体的には前記の例示と同様のものが挙げられ、低
級アルコキシ基としては炭素数１〜４の前記と同様のア
ルコキシ基を挙げることができ、ハロゲン原子としては
前記と同様のものを挙げることができる。Ｒ3 で表され
るピリジル基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル
基又は４−ピリジル基を挙げることができる。フリル基
としては、２−フリル基又は３−フリル基を挙げること
ができる。チエニル基としては、２−チエニル基又は３
−チエニル基を挙げることができる。ジ低級アルキルア
ミノ基としては、炭素数１〜４のアルキル基で置換され
たアミノ基、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ
基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、
ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基
等を挙げることができる。
【００３４】一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、好
ましい化合物としては、例えば表１に示す化合物が挙げ
られる。
ましい化合物としては、例えば表１に示す化合物が挙げ
られる。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【００３７】一般式(I-a) は、一般式（Ｉ）のＲ1 が水
素原子であり、Ｒ2 が−ＣＯ−Ｒ3である場合に相当す
る。一般式(I-b）は、一般式（Ｉ）のＲ1 が水素原子で
ある場合に相当する。一般式（II）のＸは、前記と同様
である。Ｈａｌはハロゲン原子を表し、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
素原子であり、Ｒ2 が−ＣＯ−Ｒ3である場合に相当す
る。一般式(I-b）は、一般式（Ｉ）のＲ1 が水素原子で
ある場合に相当する。一般式（II）のＸは、前記と同様
である。Ｈａｌはハロゲン原子を表し、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００３８】一般式(III) のＲ3 、一般式（IV）のＸ及
びＲ1 、一般式（Ｖ）のＲ2 、一般式（VI）のＸ及びＲ
2 は、前記と同様である。一般式（VI）のＹで表される
低級アルコキシカルボニル基としては、Ｒ1 で例示した
ものと同様のものが挙げられる。本発明の化合物（Ｉ）
は、以下の３種類の方法で合成することが可能である。
びＲ1 、一般式（Ｖ）のＲ2 、一般式（VI）のＸ及びＲ
2 は、前記と同様である。一般式（VI）のＹで表される
低級アルコキシカルボニル基としては、Ｒ1 で例示した
ものと同様のものが挙げられる。本発明の化合物（Ｉ）
は、以下の３種類の方法で合成することが可能である。
【００３９】第１の方法（以下「方法ａ」という。）
は、一般式（II）：
は、一般式（II）：
【００４０】
【化１７】
【００４１】（式中、Ｘは前記と同じ意味を表し、Ｈａ
ｌはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と一般式
(III) ： ＨＯＮＨＣＯＲ3 (III) （式中、Ｒ3 は前記と同じ意味を表す。）で示されるヒ
ドロキサム酸類とを反応させることによって一般式(I-
a）：
ｌはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と一般式
(III) ： ＨＯＮＨＣＯＲ3 (III) （式中、Ｒ3 は前記と同じ意味を表す。）で示されるヒ
ドロキサム酸類とを反応させることによって一般式(I-
a）：
【００４２】
【化１８】
【００４３】（式中、Ｘ及びＲ3 は前記と同じ意味を表
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体を製造する方法である。この反応では、塩基を使用す
ることが好ましい。使用する塩基としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウ
ムt-ブトキシドなどのアルカリ金属アルコキシド、水素
化ナトリウム、水素化カリウムなどのアルカリ金属水素
化物などが好ましい。塩基の使用量は一般式(III) で示
される化合物１モルに対し、通常０．５〜５モル、好ま
しくは０．８〜３モル、特に好ましくは１〜２モルであ
る。
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体を製造する方法である。この反応では、塩基を使用す
ることが好ましい。使用する塩基としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウ
ムt-ブトキシドなどのアルカリ金属アルコキシド、水素
化ナトリウム、水素化カリウムなどのアルカリ金属水素
化物などが好ましい。塩基の使用量は一般式(III) で示
される化合物１モルに対し、通常０．５〜５モル、好ま
しくは０．８〜３モル、特に好ましくは１〜２モルであ
る。
【００４４】反応は、ベンゼン、トルエンなどの炭化水
素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどのエーテル類、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、t-ブタノールなどのアルコール類又はＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホ
キシド、ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素など
の非プロトン性極性溶媒中で実施するのが好ましい。
素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどのエーテル類、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、t-ブタノールなどのアルコール類又はＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホ
キシド、ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素など
の非プロトン性極性溶媒中で実施するのが好ましい。
【００４５】反応温度は、通常−２０℃〜１５０℃、好
ましくは０℃〜１２０℃、特に好ましくは１０℃〜１０
０℃である。また、本反応は式（II）で示される化合物
１モルに対し、式(III) で示される化合物を通常０．５
ないし３モル、好ましくは０．７ないし２モル、特に好
ましくは０．９ないし１．５モル使用する。また、本発
明の化合物（Ｉ）は、前記の方法ａのほか、第２の方法
（以下「方法ｂ」という。）によっても製造することが
できる。
ましくは０℃〜１２０℃、特に好ましくは１０℃〜１０
０℃である。また、本反応は式（II）で示される化合物
１モルに対し、式(III) で示される化合物を通常０．５
ないし３モル、好ましくは０．７ないし２モル、特に好
ましくは０．９ないし１．５モル使用する。また、本発
明の化合物（Ｉ）は、前記の方法ａのほか、第２の方法
（以下「方法ｂ」という。）によっても製造することが
できる。
【００４６】この方法ｂは一般式（IV）：
【００４７】
【化１９】
【００４８】（式中、Ｘ及びＲ1 は前記と同じ意味を表
す。）で示される化合物と一般式（Ｖ）： Ｈａｌ−Ｒ2 （Ｖ） （式中、Ｒ2 及びＨａｌは前記と同じ意味を表す。）で
示される酸ハライド類とを反応させることによって一般
式（Ｉ）：
す。）で示される化合物と一般式（Ｖ）： Ｈａｌ−Ｒ2 （Ｖ） （式中、Ｒ2 及びＨａｌは前記と同じ意味を表す。）で
示される酸ハライド類とを反応させることによって一般
式（Ｉ）：
【００４９】
【化２０】
【００５０】（式中、Ｘ、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じ意
味を表す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジ
ン誘導体を製造する方法である。この反応では、塩基を
使用することが好ましい。使用する塩基としては、ピリ
ジン、ピコリン、ルチジン、ジメチルアミノピリジン、
トリメチルアミン、トリエチルアミンなどのアミン類、
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムな
どのアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム
等のアルカリ土類金属水酸化物、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシドなど
のアルカリ金属アルコキシドなどが好ましく、特にピリ
ジン、ピコリン、トリエチルアミンなどのアミン類が好
ましい。
味を表す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジ
ン誘導体を製造する方法である。この反応では、塩基を
使用することが好ましい。使用する塩基としては、ピリ
ジン、ピコリン、ルチジン、ジメチルアミノピリジン、
トリメチルアミン、トリエチルアミンなどのアミン類、
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムな
どのアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム
等のアルカリ土類金属水酸化物、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシドなど
のアルカリ金属アルコキシドなどが好ましく、特にピリ
ジン、ピコリン、トリエチルアミンなどのアミン類が好
ましい。
【００５１】塩基の使用量は一般式（IV）で示される化
合物１モルに対し、通常０．５〜１０モル、好ましくは
０．８〜８モル、特に好ましくは１．０〜６モルであ
る。反応は、無溶媒又はジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、ベンゼ
ン、トルエンなどの炭化水素、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類などの溶
媒中で実施するのが好ましい。
合物１モルに対し、通常０．５〜１０モル、好ましくは
０．８〜８モル、特に好ましくは１．０〜６モルであ
る。反応は、無溶媒又はジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、ベンゼ
ン、トルエンなどの炭化水素、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類などの溶
媒中で実施するのが好ましい。
【００５２】反応温度は、通常−５０℃〜１００℃、好
ましくは−３０℃〜８０℃、特に好ましくは０℃〜６０
℃である。また、本反応は式（IV）で示される化合物１
モルに対し、式（Ｖ）で示される化合物を通常０．５な
いし８モル、好ましくは１．０ないし６モル、特に好ま
しくは１．５ないし４モル使用する。更に、本発明の化
合物（Ｉ）は、第３の方法（以下「方法ｃ」という。）
によっても製造することができる。この方法ｃは一般式
（VI）：
ましくは−３０℃〜８０℃、特に好ましくは０℃〜６０
℃である。また、本反応は式（IV）で示される化合物１
モルに対し、式（Ｖ）で示される化合物を通常０．５な
いし８モル、好ましくは１．０ないし６モル、特に好ま
しくは１．５ないし４モル使用する。更に、本発明の化
合物（Ｉ）は、第３の方法（以下「方法ｃ」という。）
によっても製造することができる。この方法ｃは一般式
（VI）：
【００５３】
【化２１】
【００５４】（式中、Ｘ及びＲ2 は前記と同じ意味を表
し、Ｙは低級アルコキシカルボニル基を表す。）で示さ
れる化合物を加水分解することによって、一般式(I-
b）：
し、Ｙは低級アルコキシカルボニル基を表す。）で示さ
れる化合物を加水分解することによって、一般式(I-
b）：
【００５５】
【化２２】
【００５６】（式中、Ｘ及びＲ2 は前記と同じ意味を表
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体を製造する方法である。この反応には、塩基を使用す
ることが好ましく、塩基としては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、水酸化カ
ルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、ナトリウムメ
トキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシ
ドなどのアルカリ金属アルコキシド、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウムなどのアルカリ金属水素化物などが
好ましい。塩基の使用量は一般式（VI）で示される化合
物１モルに対し、通常０．５〜３０モル、好ましくは１
〜１５モル、特に好ましくは３〜１０モルである。
す。）で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導
体を製造する方法である。この反応には、塩基を使用す
ることが好ましく、塩基としては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、水酸化カ
ルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、ナトリウムメ
トキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシ
ドなどのアルカリ金属アルコキシド、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウムなどのアルカリ金属水素化物などが
好ましい。塩基の使用量は一般式（VI）で示される化合
物１モルに対し、通常０．５〜３０モル、好ましくは１
〜１５モル、特に好ましくは３〜１０モルである。
【００５７】反応は、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、t-ブタノールなどのアルコール類、水、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水
素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶
媒等の溶媒中で実施するのが好ましい。
ロパノール、t-ブタノールなどのアルコール類、水、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水
素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶
媒等の溶媒中で実施するのが好ましい。
【００５８】反応温度は、通常０℃〜１５０℃、好まし
くは１０℃〜５０℃、特に好ましくは２０℃〜４０℃で
ある。本発明の化合物を除草剤として用いるには、本発
明の化合物のみ、又はこれに担体、界面活性剤、分散
剤、補助剤などを配合して水和剤、乳剤、粉剤、微粒剤
又は粒剤に製剤し、適当な濃度に希釈して散布するか又
は直接施用する。
くは１０℃〜５０℃、特に好ましくは２０℃〜４０℃で
ある。本発明の化合物を除草剤として用いるには、本発
明の化合物のみ、又はこれに担体、界面活性剤、分散
剤、補助剤などを配合して水和剤、乳剤、粉剤、微粒剤
又は粒剤に製剤し、適当な濃度に希釈して散布するか又
は直接施用する。
【００５９】本発明の化合物又は該化合物を含む製剤
は、雑草に対し直接散布して用いることができるほか、
土壌に表面処理又は土壌中に混和して用いることができ
る。施用量は、対象雑草の種類や対象作物の種類、施用
態様によって異なるが、通常有効成分量として、約１０
ないし４０００g/haである。
は、雑草に対し直接散布して用いることができるほか、
土壌に表面処理又は土壌中に混和して用いることができ
る。施用量は、対象雑草の種類や対象作物の種類、施用
態様によって異なるが、通常有効成分量として、約１０
ないし４０００g/haである。
【００６０】
【実施例】以下、実施例及び試験例により本発明を更に
具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定され
るものではない。 （実施例１） Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）アセトアミド（化合物番号１）の合成 温度計、滴下ロートを備えた１００mlフラスコの中に、
２，６−ジクロロ−４−トリフルオロメチルピリジン
４．３２ｇ（２０mmol）、アセトヒドロキサム酸１．５
ｇ（２０mmol）及びエタノール７０mlを加え、２０℃で
撹拌しながら８５％水酸化カリウム２．６４ｇ（２０mm
ol）のエタノール溶液３０mlを２５分間かけて滴下し
た。滴下終了後、更に２０℃で１時間した後、酢酸３．
６ｇを加え、反応混合物中のエタノールの大部分を減圧
下で留去した。得られた残渣の中に、水２００mlを加
え、酢酸エチル２００mlで２回抽出を行った。酢酸エチ
ル抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、酢酸エチルを減圧留去した。得られた残渣を
トルエン−ヘキサンから再結晶すると、目的物が２．７
９ｇ得られた（収率５５％）。
具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定され
るものではない。 （実施例１） Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）アセトアミド（化合物番号１）の合成 温度計、滴下ロートを備えた１００mlフラスコの中に、
２，６−ジクロロ−４−トリフルオロメチルピリジン
４．３２ｇ（２０mmol）、アセトヒドロキサム酸１．５
ｇ（２０mmol）及びエタノール７０mlを加え、２０℃で
撹拌しながら８５％水酸化カリウム２．６４ｇ（２０mm
ol）のエタノール溶液３０mlを２５分間かけて滴下し
た。滴下終了後、更に２０℃で１時間した後、酢酸３．
６ｇを加え、反応混合物中のエタノールの大部分を減圧
下で留去した。得られた残渣の中に、水２００mlを加
え、酢酸エチル２００mlで２回抽出を行った。酢酸エチ
ル抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、酢酸エチルを減圧留去した。得られた残渣を
トルエン−ヘキサンから再結晶すると、目的物が２．７
９ｇ得られた（収率５５％）。
【００６１】融点：１２２〜１２３℃ ＭＳ（フィールドデソープション（ＦＤ）法）：２５４
（Ｍ+ ） ＩＲ（ＫＢｒ錠剤、cm-1）：３１９０，１６６５，１５
７５，１３９３，１３３５，１２０１，１１３８，１０
７８，８６０，７０３1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：２．１６（３Ｈ，
ｓ），７．１２（１Ｈ，ｓ），７．２７（１Ｈ，ｓ），
９．８ （１Ｈ，broad ｓ） （実施例２）実施例１の方法（明細書本文中、方法ａに
対応）に従って、表２に示す化合物を合成した。
（Ｍ+ ） ＩＲ（ＫＢｒ錠剤、cm-1）：３１９０，１６６５，１５
７５，１３９３，１３３５，１２０１，１１３８，１０
７８，８６０，７０３1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：２．１６（３Ｈ，
ｓ），７．１２（１Ｈ，ｓ），７．２７（１Ｈ，ｓ），
９．８ （１Ｈ，broad ｓ） （実施例２）実施例１の方法（明細書本文中、方法ａに
対応）に従って、表２に示す化合物を合成した。
【００６２】
【表２】
【００６３】
【００６４】（実施例３） Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボニル−メタンスルホ
ンアミド（化合物番号３３）の合成 Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）カルバミン酸エチル１．４３ｇ（５ｍｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン３．０３ｇ（３０ｍｍｏｌ）及
びテトラヒドロフラン２０ｍｌを１００ｍｌナスフラス
コ中に一括に仕込み、窒素下、室温にて５分攪拌後、メ
タンスルホニルクロリド１．７３ｇ（１５ｍｍｏｌ）の
テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）溶液を３分かけて滴下
した。更に１０分反応させた後、酢酸エチル３０ｍｌ、
水３０ｍｌを加え抽出し、酢酸エチル層は水３０ｍｌで
洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮後、ヘキ
サン２０ｍｌを用いてリンスし、濾過、真空乾燥させる
ことによりＮ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル
−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボニル−メ
タンスルホンアミド１．７４ｇ（収率９６％）を淡黄色
結晶として得た。
ジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボニル−メタンスルホ
ンアミド（化合物番号３３）の合成 Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）カルバミン酸エチル１．４３ｇ（５ｍｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン３．０３ｇ（３０ｍｍｏｌ）及
びテトラヒドロフラン２０ｍｌを１００ｍｌナスフラス
コ中に一括に仕込み、窒素下、室温にて５分攪拌後、メ
タンスルホニルクロリド１．７３ｇ（１５ｍｍｏｌ）の
テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）溶液を３分かけて滴下
した。更に１０分反応させた後、酢酸エチル３０ｍｌ、
水３０ｍｌを加え抽出し、酢酸エチル層は水３０ｍｌで
洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮後、ヘキ
サン２０ｍｌを用いてリンスし、濾過、真空乾燥させる
ことによりＮ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル
−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボニル−メ
タンスルホンアミド１．７４ｇ（収率９６％）を淡黄色
結晶として得た。
【００６５】融点：１１２〜１１４℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：１．３３（３Ｈ，
ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），３．５７（３Ｈ，ｓ），４．３９
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．２２（１Ｈ，ｓ），
７．３９（１Ｈ，ｓ） （実施例４）実施例３のメタンスルホニルクロリドを塩
化アセチル、塩化プロピオニル、塩化イソブチリル、塩
化ピバロイル、塩化ノナノイル、エタンスルホニルクロ
リド、又はベンゼンスルホニルクロリドに代えて同様に
実施した。結果及び物性データを表３に示した（ｍｐ：
℃）。
ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），３．５７（３Ｈ，ｓ），４．３９
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．２２（１Ｈ，ｓ），
７．３９（１Ｈ，ｓ） （実施例４）実施例３のメタンスルホニルクロリドを塩
化アセチル、塩化プロピオニル、塩化イソブチリル、塩
化ピバロイル、塩化ノナノイル、エタンスルホニルクロ
リド、又はベンゼンスルホニルクロリドに代えて同様に
実施した。結果及び物性データを表３に示した（ｍｐ：
℃）。
【００６６】
【表３】
【００６７】（実施例５） Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）メタンスルホンアミド（化合物番号１５）
の合成 実施例３で合成したＮ−（６−クロロ−４−トリフルオ
ロメチル−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボ
ニル−メタンスルホンアミド１．０８ｇ（３ｍｍｏｌ）
をメタノール１０ｍｌに溶解させた後、２０％水酸化カ
リウム水溶液１０ｍｌを室温で加え、３０分攪拌後濃縮
し、酢酸エチル５０ｍｌ、水５０ｍｌで抽出後、酢酸エ
チル層を水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後濃縮し、濃縮物をヘキサン１０ｍｌでリンスし、真
空乾燥させることによりＮ−（６−クロロ−４−トリフ
ルオロメチル−２−ピリジルオキシ）メタンスルホンア
ミド０．７５ｇを淡黄色結晶として得た（収率８６
％）。
ジルオキシ）メタンスルホンアミド（化合物番号１５）
の合成 実施例３で合成したＮ−（６−クロロ−４−トリフルオ
ロメチル−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボ
ニル−メタンスルホンアミド１．０８ｇ（３ｍｍｏｌ）
をメタノール１０ｍｌに溶解させた後、２０％水酸化カ
リウム水溶液１０ｍｌを室温で加え、３０分攪拌後濃縮
し、酢酸エチル５０ｍｌ、水５０ｍｌで抽出後、酢酸エ
チル層を水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後濃縮し、濃縮物をヘキサン１０ｍｌでリンスし、真
空乾燥させることによりＮ−（６−クロロ−４−トリフ
ルオロメチル−２−ピリジルオキシ）メタンスルホンア
ミド０．７５ｇを淡黄色結晶として得た（収率８６
％）。
【００６８】融点：１０９〜１１０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：２．９２（３Ｈ，
ｓ），７．１４（１Ｈ，ｓ），７．６３（１Ｈ，ｓ） （実施例６） Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）エタンスルホンアミド（化合物番号１６）
及びＮ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−
ピリジルオキシ）ベンゼンスルホンアミド（化合物番号
１７）の合成 実施例５のＮ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル
−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボニル−メ
タンスルホンアミドをＮ−（６−クロロ−４−トリフル
オロメチル−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカル
ボニル−エタンスルホンアミド及びＮ−（６−クロロ−
４−トリフルオロメチル−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−
エトキシカルボニル−ベンゼンスルホンアミドに代えて
同様に実施した。その結果、収率４１％（化合物番号１
６、融点：６０〜６１℃）、６７％（化合物番号１７、
融点：５７〜５８℃、潮解性）でそれぞれ目的物が淡黄
色結晶として得られた。また、各々の化合物の 1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのデータを以下に示した。
ｓ），７．１４（１Ｈ，ｓ），７．６３（１Ｈ，ｓ） （実施例６） Ｎ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−ピリ
ジルオキシ）エタンスルホンアミド（化合物番号１６）
及びＮ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル−２−
ピリジルオキシ）ベンゼンスルホンアミド（化合物番号
１７）の合成 実施例５のＮ−（６−クロロ−４−トリフルオロメチル
−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカルボニル−メ
タンスルホンアミドをＮ−（６−クロロ−４−トリフル
オロメチル−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−エトキシカル
ボニル−エタンスルホンアミド及びＮ−（６−クロロ−
４−トリフルオロメチル−２−ピリジルオキシ）−Ｎ−
エトキシカルボニル−ベンゼンスルホンアミドに代えて
同様に実施した。その結果、収率４１％（化合物番号１
６、融点：６０〜６１℃）、６７％（化合物番号１７、
融点：５７〜５８℃、潮解性）でそれぞれ目的物が淡黄
色結晶として得られた。また、各々の化合物の 1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのデータを以下に示した。
【００６９】化合物番号１６（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：
１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），４．２９（２Ｈ，
ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．２１（１Ｈ，ｓ），７．３０
（１Ｈ，ｓ），７．５〜７．９（１Ｈ，ｂｒ） 化合物番号１７（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：５．０〜６．０
（１Ｈ，ｂｒ），６．６９（１Ｈ，ｓ），６．７７（１
Ｈ，ｓ），６．８〜７．４（３Ｈ，ｍ），７．７４（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ） （実施例７）水和剤本発明の化合物１０％、高級アルコ
ール硫酸エステルのナトリウム塩３％及びカオリン８７
％を均一に混合粉砕して水和剤とした。
１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），４．２９（２Ｈ，
ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．２１（１Ｈ，ｓ），７．３０
（１Ｈ，ｓ），７．５〜７．９（１Ｈ，ｂｒ） 化合物番号１７（ＣＤＣｌ3 ，ppm ）：５．０〜６．０
（１Ｈ，ｂｒ），６．６９（１Ｈ，ｓ），６．７７（１
Ｈ，ｓ），６．８〜７．４（３Ｈ，ｍ），７．７４（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ） （実施例７）水和剤本発明の化合物１０％、高級アルコ
ール硫酸エステルのナトリウム塩３％及びカオリン８７
％を均一に混合粉砕して水和剤とした。
【００７０】（実施例８）乳 剤 本発明の化合物２０％、ポリオキシエチレンアルキルア
リールエーテル１０％、シクロヘキサノン３０％及びキ
シレン４０％を均一に溶解して乳剤とした。 （実施例９）粒 剤 本発明の化合物５％、ベントナイト４０％、クレー５０
％及びリグニンスルホン酸ナトリウム５％を均一に混合
粉砕し水を加えて練り合わせた後、造粒乾燥して粒剤と
した。
リールエーテル１０％、シクロヘキサノン３０％及びキ
シレン４０％を均一に溶解して乳剤とした。 （実施例９）粒 剤 本発明の化合物５％、ベントナイト４０％、クレー５０
％及びリグニンスルホン酸ナトリウム５％を均一に混合
粉砕し水を加えて練り合わせた後、造粒乾燥して粒剤と
した。
【００７１】（実施例１０）粉 剤 本発明の化合物３％及びクレー９７％を均一に混合粉砕
して粉剤とした。次に、本発明の化合物の除草効果を試
験例を挙げて説明する。 （試験例）直径９cmのフタ付きシャーレに濾紙（２枚）
を敷き、ノビエ、メヒシバ、アオビユ、アルファルファ
の種子を播種した。これに液肥希釈水溶液２０ml及び試
験化合物の水和剤（実施例７に従って調製）を有効成分
量として１０００g/１haの割合に水で希釈して散布し
た。光照射（３０００ルクス）下、３０℃に１０日間置
いた後、除草効果を表４に示す基準で目視評価した。
して粉剤とした。次に、本発明の化合物の除草効果を試
験例を挙げて説明する。 （試験例）直径９cmのフタ付きシャーレに濾紙（２枚）
を敷き、ノビエ、メヒシバ、アオビユ、アルファルファ
の種子を播種した。これに液肥希釈水溶液２０ml及び試
験化合物の水和剤（実施例７に従って調製）を有効成分
量として１０００g/１haの割合に水で希釈して散布し
た。光照射（３０００ルクス）下、３０℃に１０日間置
いた後、除草効果を表４に示す基準で目視評価した。
【００７２】
【表４】
【００７３】結果を表５に示す。
【００７４】
【表５】
【００７５】* 比較化合物には、下記式で示される既知
化合物を用いた。
化合物を用いた。
【００７６】
【化２３】
【００７７】
【発明の効果】本発明により、新規な４−トリフルオロ
メチルピリジン誘導体が提供される。本発明に係る４−
トリフルオロメチルピリジン誘導体は、水田又は畑地の
種々の一年生雑草に対して高い除草効果を示す。
メチルピリジン誘導体が提供される。本発明に係る４−
トリフルオロメチルピリジン誘導体は、水田又は畑地の
種々の一年生雑草に対して高い除草効果を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 409/12 ２１３
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）： 【化１】 ［式中、Ｘはハロゲン原子、水素原子又は低級アルコキ
シ基を表し、Ｒ1 は水素原子又は低級アルコキシカルボ
ニル基を表し、Ｒ2 は低級アルカンスルホニル基、ベン
ゼンスルホニル基又は次式： −ＣＯ−Ｒ3 （式中、Ｒ3 はアルキル基、ハロアルキル基、低級アル
コキシ基置換低級アルキル基、低級アルコキシカルボニ
ル基置換低級アルキル基、カルボキシル基置換低級アル
キル基、シクロアルキル基、フェニル基（該フェニル基
は低級アルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコキシ基で１〜５
個置換されていてもよい）、ピリジル基、フリル基、チ
エニル基、アミノ基又はジ低級アルキルアミノ基を表
す。）で示される基を表す。］で示される４−トリフル
オロメチルピリジン誘導体。 - 【請求項２】 一般式（II）： 【化２】 （式中、Ｘは前記と同じ意味を表し、Ｈａｌはハロゲン
原子を表す。）で示される化合物と一般式(III) ： ＨＯＮＨＣＯＲ3 (III) （式中、Ｒ3 は前記と同じ意味を表す。）で示されるヒ
ドロキサム酸類とを反応させることを特徴とする一般式
(I-a) ： 【化３】 （式中、Ｘ及びＲ3 は前記と同じ意味を表す。）で示さ
れる４−トリフルオロメチルピリジン誘導体の製造方
法。 - 【請求項３】 塩基の存在下で反応させることを特徴と
する請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 一般式（IV）： 【化４】 （式中、Ｘ及びＲ1 は前記と同じ意味を表す。）で示さ
れる化合物と一般式（Ｖ）： Ｈａｌ−Ｒ2 （Ｖ） （式中、Ｒ2 及びＨａｌは前記と同じ意味を表す。）で
示される酸ハライド類とを反応させることを特徴とする
一般式（Ｉ）： 【化５】 （式中、Ｘ、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じ意味を表す。）
で示される４−トリフルオロメチルピリジン誘導体の製
造方法。 - 【請求項５】 塩基の存在下で反応させることを特徴と
する請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 一般式（VI）： 【化６】 （式中、Ｘ及びＲ2 は前記と同じ意味を表し、Ｙは低級
アルコキシカルボニル基を表す。）で示される化合物を
加水分解することを特徴とする一般式(I-b) ： 【化７】 （式中、Ｘ及びＲ2 は前記と同じ意味を表す。）で示さ
れる４−トリフルオロメチルピリジン誘導体の製造方
法。 - 【請求項７】 塩基の存在下で反応させることを特徴と
する請求項６記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33866593A JPH07196619A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ４−トリフルオロメチルピリジン誘導体及びその製造方法 |
| PCT/JP1994/002287 WO1995018106A1 (fr) | 1993-12-28 | 1994-12-28 | Derive de 4-trifluoromethylpyridine et procede pour sa preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33866593A JPH07196619A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ４−トリフルオロメチルピリジン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07196619A true JPH07196619A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18320313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33866593A Pending JPH07196619A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ４−トリフルオロメチルピリジン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07196619A (ja) |
| WO (1) | WO1995018106A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987007269A1 (en) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Aryloxyureas, process for their preparation, and their use |
| JPS649969A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Mitsui Petrochemical Ind | N-aryloxycarbamic acid esters, production thereof and herbicide comprising said esters as active ingredient |
| JPH01131146A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-05-24 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | アリールオキシ尿素類、その製造法およびそれを有効成分として含有する除草剤 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33866593A patent/JPH07196619A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-28 WO PCT/JP1994/002287 patent/WO1995018106A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1995018106A1 (fr) | 1995-07-06 |
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