JPH07192257A - ディスクドライブ用記録媒体の製造方法および記録用ディスク - Google Patents
ディスクドライブ用記録媒体の製造方法および記録用ディスクInfo
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 記録ヘッドと回転記録媒体との間の低い飛行
高さを達成しつつ、静止摩擦および動摩擦を減少できる
ディスクドライブ用記録媒体の製造方法を提供する。 【構成】 金属基板を準備するステップ１０；金属基板
の上に、表面粗さ＞２．０ｎｍＲＭＳのＮｉＰ層を設け
るステップ１２；ＮｉＰ層を表面粗さ２．０ｎｍＲＭＳ
まで磨くステップ１４、と磨いたＮｉＰ層の上に、Ｎｉ
Ｐ層の磨き後に該ＮｉＰ層を組織化状態に曝すことな
く、金属層をスパッター付着させるステップ１８で、ス
パッター付着金属層は、結果として平均平面から所要の
組織化外面を備え、組織化外面は、平方μｍ当たり１０
０個≧粒子数≧１０個を有し、８．０ｎｍ≧ＲＭＳ表面
粗さ≧１．０ｎｍで１０μｍ平方の面積に表面の平均平
面から測定して２０．０ｎｍ≧ピーク高さ≧２．０ｎｍ
を有する、金属性粒子構造を特徴とするステップ；から
なる。
高さを達成しつつ、静止摩擦および動摩擦を減少できる
ディスクドライブ用記録媒体の製造方法を提供する。 【構成】 金属基板を準備するステップ１０；金属基板
の上に、表面粗さ＞２．０ｎｍＲＭＳのＮｉＰ層を設け
るステップ１２；ＮｉＰ層を表面粗さ２．０ｎｍＲＭＳ
まで磨くステップ１４、と磨いたＮｉＰ層の上に、Ｎｉ
Ｐ層の磨き後に該ＮｉＰ層を組織化状態に曝すことな
く、金属層をスパッター付着させるステップ１８で、ス
パッター付着金属層は、結果として平均平面から所要の
組織化外面を備え、組織化外面は、平方μｍ当たり１０
０個≧粒子数≧１０個を有し、８．０ｎｍ≧ＲＭＳ表面
粗さ≧１．０ｎｍで１０μｍ平方の面積に表面の平均平
面から測定して２０．０ｎｍ≧ピーク高さ≧２．０ｎｍ
を有する、金属性粒子構造を特徴とするステップ；から
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクドライ
ブにおいて記録ヘッドと回転記録媒体との間の低い飛行
高さを達成しつつ、静止摩擦および動摩擦を減らすこと
のできるディスクドライブ用記録媒体の表面組織を製造
する方法と記録用ディスクとに関する。
ブにおいて記録ヘッドと回転記録媒体との間の低い飛行
高さを達成しつつ、静止摩擦および動摩擦を減らすこと
のできるディスクドライブ用記録媒体の表面組織を製造
する方法と記録用ディスクとに関する。
【０００２】
【技術背景】ハードディスクは、代表的には、ＮｉＰめ
っきしたアルミニウムのような、磨かれた金属基板、す
なわちプラッタ（ｐｌａｔｔｅｒ）から作られている。
磨いた後、基板は、磁性材料を含む材料の各種薄層で被
覆され、その後ディスクドライブのハウジング内で単独
にまたは積み重ねて使用される。
っきしたアルミニウムのような、磨かれた金属基板、す
なわちプラッタ（ｐｌａｔｔｅｒ）から作られている。
磨いた後、基板は、磁性材料を含む材料の各種薄層で被
覆され、その後ディスクドライブのハウジング内で単独
にまたは積み重ねて使用される。
【０００３】ハードディスクは、データを、磁気記録の
周知の原理にしたがって、ディスクにおよびディスクか
ら移すのに読み／書きヘッドを使用する。フロッピーデ
ィスクドライブとは異なり、ハードディスクの読み／書
きヘッドは、ディスクドライブの表面に接触していな
い。むしろ、それらは、「飛行する」、すなわち急速回
転するディスクにより生ずる空気の薄層上にディスクの
表面から数百万分の一インチに支持されている。
周知の原理にしたがって、ディスクにおよびディスクか
ら移すのに読み／書きヘッドを使用する。フロッピーデ
ィスクドライブとは異なり、ハードディスクの読み／書
きヘッドは、ディスクドライブの表面に接触していな
い。むしろ、それらは、「飛行する」、すなわち急速回
転するディスクにより生ずる空気の薄層上にディスクの
表面から数百万分の一インチに支持されている。
【０００４】ディスクドライブにおけるヘッドと記録媒
体との間の機械的なインターフェイス（境界領域）は、
多くの人々から磁気記録技術の最も魅力的な局面と見ら
れている。ディスクに詰め込むことができる情報量は、
一部は、読み／書き変換器とディスクとの間の間隔によ
って決まる。この間隔が狭ければ、より鋭いトランジシ
ョン（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ−遷移）を生じ、データ遷
移を互いに極めて密接して記録することがでる。したが
って、読み／書きヘッドとディスクとの間の間隔を減ら
し、しかもなおヘッドと媒体との間に物理的分離を維持
する努力が続けられている。ディスクとヘッドとの間の
このような僅かな隙間のために、優れた平坦度を有する
非常に滑らかなディスク表面が望ましいことになる。し
たがって、記録媒体表面の組織は、ヘッド／ディスク間
隔を確実に減らすに当たって、重要な役割を果たす一つ
の要素である。
体との間の機械的なインターフェイス（境界領域）は、
多くの人々から磁気記録技術の最も魅力的な局面と見ら
れている。ディスクに詰め込むことができる情報量は、
一部は、読み／書き変換器とディスクとの間の間隔によ
って決まる。この間隔が狭ければ、より鋭いトランジシ
ョン（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ−遷移）を生じ、データ遷
移を互いに極めて密接して記録することがでる。したが
って、読み／書きヘッドとディスクとの間の間隔を減ら
し、しかもなおヘッドと媒体との間に物理的分離を維持
する努力が続けられている。ディスクとヘッドとの間の
このような僅かな隙間のために、優れた平坦度を有する
非常に滑らかなディスク表面が望ましいことになる。し
たがって、記録媒体表面の組織は、ヘッド／ディスク間
隔を確実に減らすに当たって、重要な役割を果たす一つ
の要素である。
【０００５】ヘッドとディスクとの間の間隔が狭けれ
ば、動摩擦と静止摩擦とを共に生ずる。回転するときヘ
ッドとディスクとが空気の層で分離されているが、回転
が落ちて両者が互いに近付くと、動摩擦が生ずる。静止
摩擦は、通常、「スティクション（ｓｔｉｃｔｉｏ
ｎ）」と言われるが、ディスクが回転せず且つヘッドが
静止しているディスクの表面の最上ピークと接触してい
るときに、生ずる。静止摩擦は、一連の繰り返し接触開
始停止（ＣＳＳ）試験中に測定されて、ディスクの信頼
性と予想寿命とを決定する。低い飛行高さは、非常に望
ましく、滑らかさを極大にすることにより極大にするこ
とができる一方、極端に滑らかな表面は、ディスクが回
転していないときに、ディスク表面のより多くの材料を
ヘッドと接触させるので、静止摩擦が非常に増大する。
ば、動摩擦と静止摩擦とを共に生ずる。回転するときヘ
ッドとディスクとが空気の層で分離されているが、回転
が落ちて両者が互いに近付くと、動摩擦が生ずる。静止
摩擦は、通常、「スティクション（ｓｔｉｃｔｉｏ
ｎ）」と言われるが、ディスクが回転せず且つヘッドが
静止しているディスクの表面の最上ピークと接触してい
るときに、生ずる。静止摩擦は、一連の繰り返し接触開
始停止（ＣＳＳ）試験中に測定されて、ディスクの信頼
性と予想寿命とを決定する。低い飛行高さは、非常に望
ましく、滑らかさを極大にすることにより極大にするこ
とができる一方、極端に滑らかな表面は、ディスクが回
転していないときに、ディスク表面のより多くの材料を
ヘッドと接触させるので、静止摩擦が非常に増大する。
【０００６】静止摩擦は、湿度が増大すると共に非常に
増大する。静止摩擦は、ヘッドとディスクとの静止接触
時間が増大するにつれても増大する。これらの効果は、
ディスクが接触開始停止磨耗を経験してからは特に痛烈
である。
増大する。静止摩擦は、ヘッドとディスクとの静止接触
時間が増大するにつれても増大する。これらの効果は、
ディスクが接触開始停止磨耗を経験してからは特に痛烈
である。
【０００７】表１は、典型的な従来技術のディスクにつ
いて２０００接触開始停止（ＣＳＳ）サイクル磨耗の後
の、種々の湿度および静止接触時間に対して測定した平
均静止摩擦を要約したものである。測定は、標準の薄膜
スライダーを用い、約５ｇの負荷力で行なった。
いて２０００接触開始停止（ＣＳＳ）サイクル磨耗の後
の、種々の湿度および静止接触時間に対して測定した平
均静止摩擦を要約したものである。測定は、標準の薄膜
スライダーを用い、約５ｇの負荷力で行なった。
【０００８】
【表１】
【０００９】明らかなように、典型的な従来技術のディ
スクに対する静止摩擦係数は、高湿度では、静止接触時
間が長くなると共に猛烈に増大する。確実なディスクド
ライブを得るためには、これら条件下では、低い摩擦係
数が必要である。同時に低い飛行高さを可能としなが
ら、この静止摩擦を減らすことが望ましい。
スクに対する静止摩擦係数は、高湿度では、静止接触時
間が長くなると共に猛烈に増大する。確実なディスクド
ライブを得るためには、これら条件下では、低い摩擦係
数が必要である。同時に低い飛行高さを可能としなが
ら、この静止摩擦を減らすことが望ましい。
【００１０】潜在的に新しい生産可能なディスクドライ
ブ機構を評価するに当たり、このようなディスクは、滑
空試験および電気的欠陥試験を含む一連の試験を受け
る。滑空試験に合格するには、読み／書きヘッドを収容
するスライダーは、所定の飛行高さの媒体のバンプまた
は他の表面属性に接触してはならない。次に、電気的欠
陥試験は、その飛行高さに対して過多の読み／書きサイ
クルを行い、所定のディスク表面全体にわたって生ずる
欠陥の数を決定する。
ブ機構を評価するに当たり、このようなディスクは、滑
空試験および電気的欠陥試験を含む一連の試験を受け
る。滑空試験に合格するには、読み／書きヘッドを収容
するスライダーは、所定の飛行高さの媒体のバンプまた
は他の表面属性に接触してはならない。次に、電気的欠
陥試験は、その飛行高さに対して過多の読み／書きサイ
クルを行い、所定のディスク表面全体にわたって生ずる
欠陥の数を決定する。
【００１１】スティクションをできるかぎり小さくし、
滑空試験において受容可能な収率を生ずることができる
と共に飛行高さを減少でき、電気的欠陥試験での欠陥を
できるかぎり少なくするドライブを作るためのハードデ
ィスクドライブおよび方法を開発することが望まれてい
る。
滑空試験において受容可能な収率を生ずることができる
と共に飛行高さを減少でき、電気的欠陥試験での欠陥を
できるかぎり少なくするドライブを作るためのハードデ
ィスクドライブおよび方法を開発することが望まれてい
る。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、上記の要求に応えるべくなさ
れたものであって、ハードディスクドライブにおける記
録ヘッドと回転記録媒体との間の低い飛行高さを達成し
つつ、静止摩擦および動摩擦を減らすことのできるディ
スクドライブ用記録媒体と、この記録媒体を製造する方
法とを提供することを目的とする。
れたものであって、ハードディスクドライブにおける記
録ヘッドと回転記録媒体との間の低い飛行高さを達成し
つつ、静止摩擦および動摩擦を減らすことのできるディ
スクドライブ用記録媒体と、この記録媒体を製造する方
法とを提供することを目的とする。
【００１３】
【発明の概要】本発明は、米国特許法「科学および有用
技術の進歩を促すために」（第１条第８項）という根本
的目的を助長することに貢献する。
技術の進歩を促すために」（第１条第８項）という根本
的目的を助長することに貢献する。
【００１４】本発明の一局面によれば、ディスクドライ
ブ用記録媒体の組織表面を製造する方法は、下記の順次
ステップから構成される。 金属基板を準備するステップ；金属基板の上に、２．０
ｎｍ二乗平均平方根（ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａｒ
ｅ−ＲＭＳ）より大きい表面粗さを有するＮｉＰ層を設
けるステップ；ＮｉＰ層を２．０ｎｍＲＭＳより小さい
表面粗さまで磨くステップ；および、磨いたＮｉＰ層上
に、ＮｉＰ層の磨き後に該ＮｉＰ層を組織化状態に曝す
ことなく、金属層をスパッター付着させるステップであ
って、スパッター付着金属層は、スパッター付着の結果
として平均平面から所要の組織化外面を備えており、組
織化外面は、平方μｍ当たり１０個と１００個との間の
粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍとの間のＲＭＳ表
面粗さを有し、１０μｍ平方の面積にわたり表面の平均
平面から測定して２．０ｎｍと２０．０ｎｍとの間のピ
ーク高さを有する玉石状金属粒子構造を特徴とするもの
であるステップ；
ブ用記録媒体の組織表面を製造する方法は、下記の順次
ステップから構成される。 金属基板を準備するステップ；金属基板の上に、２．０
ｎｍ二乗平均平方根（ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａｒ
ｅ−ＲＭＳ）より大きい表面粗さを有するＮｉＰ層を設
けるステップ；ＮｉＰ層を２．０ｎｍＲＭＳより小さい
表面粗さまで磨くステップ；および、磨いたＮｉＰ層上
に、ＮｉＰ層の磨き後に該ＮｉＰ層を組織化状態に曝す
ことなく、金属層をスパッター付着させるステップであ
って、スパッター付着金属層は、スパッター付着の結果
として平均平面から所要の組織化外面を備えており、組
織化外面は、平方μｍ当たり１０個と１００個との間の
粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍとの間のＲＭＳ表
面粗さを有し、１０μｍ平方の面積にわたり表面の平均
平面から測定して２．０ｎｍと２０．０ｎｍとの間のピ
ーク高さを有する玉石状金属粒子構造を特徴とするもの
であるステップ；
【００１５】本発明の他の局面によれば、記録用ディス
クは；金属基板ベース；金属基板に接触してその上方に
あり、外面の粗さが２．０ｎｍＲＭＳより小さいＮｉＰ
層；ＮｉＰ層の外面に接触してその上方にあるスパッタ
ー付着金属層であって、スパッター付着金属層は、スパ
ッター付着の結果として平均平面から所要の組織化外面
を備えており、組織化外面は、平方μｍ当たり１０個と
１００個との間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍ
との間のＲＭＳ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積に
わたり表面の平均平面から測定して２．０ｎｍと２０．
０ｎｍとの間のピーク高さを有する金属性粒子構造を特
徴とするものであり；および、スパッター付着金属層の
上に設けられた磁気記録媒体層；から構成されている。
クは；金属基板ベース；金属基板に接触してその上方に
あり、外面の粗さが２．０ｎｍＲＭＳより小さいＮｉＰ
層；ＮｉＰ層の外面に接触してその上方にあるスパッタ
ー付着金属層であって、スパッター付着金属層は、スパ
ッター付着の結果として平均平面から所要の組織化外面
を備えており、組織化外面は、平方μｍ当たり１０個と
１００個との間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍ
との間のＲＭＳ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積に
わたり表面の平均平面から測定して２．０ｎｍと２０．
０ｎｍとの間のピーク高さを有する金属性粒子構造を特
徴とするものであり；および、スパッター付着金属層の
上に設けられた磁気記録媒体層；から構成されている。
【００１６】
【実施例】本発明による一つの実施例プロセスを図１を
参照して説明する。特に、ハードディスクを形成するた
めの、アルミニウムのような金属基板を設け、磨きまた
は他の技法により、ブロック１０で示すように、従来技
術による適切な外部組織を有するように準備する。その
後、ＮｉＰ層を金属基板上に無電界ニッケルめっきによ
り設ける。この層の粗さは、典型的には２．０ｎｍＲＭ
Ｓより大きい、更に典型的には付着したままで１００ｎ
ｍＲＭＳより大きい。これをブロック１２で示してあ
る。
参照して説明する。特に、ハードディスクを形成するた
めの、アルミニウムのような金属基板を設け、磨きまた
は他の技法により、ブロック１０で示すように、従来技
術による適切な外部組織を有するように準備する。その
後、ＮｉＰ層を金属基板上に無電界ニッケルめっきによ
り設ける。この層の粗さは、典型的には２．０ｎｍＲＭ
Ｓより大きい、更に典型的には付着したままで１００ｎ
ｍＲＭＳより大きい。これをブロック１２で示してあ
る。
【００１７】次に、ブロック１４で示すように、ＮｉＰ
層を磨いて２．０ｎｍＲＭＳ平均より小さい滑らかな表
面粗さにする。本発明のプロセスではなく、従来技術の
プロセスによれば、ＮｉＰ層を、磨いた後、清掃しそし
て適切な外部組織粗さにするすなわち仕上げを行なう技
法としての金属層付着を行なう前に、組織化すなわち粗
面化のステップを通す。図１に戻ると、磨いたＮｉＰ層
を有するディスクが、磨きの終りに表面上に残存する粒
子をすべて確実に除去するために、清掃および乾燥のス
テップを受ける。
層を磨いて２．０ｎｍＲＭＳ平均より小さい滑らかな表
面粗さにする。本発明のプロセスではなく、従来技術の
プロセスによれば、ＮｉＰ層を、磨いた後、清掃しそし
て適切な外部組織粗さにするすなわち仕上げを行なう技
法としての金属層付着を行なう前に、組織化すなわち粗
面化のステップを通す。図１に戻ると、磨いたＮｉＰ層
を有するディスクが、磨きの終りに表面上に残存する粒
子をすべて確実に除去するために、清掃および乾燥のス
テップを受ける。
【００１８】好適な技法は、Ａｃｔａｎｅおよび過酸化
水素（Ｈ２Ｏ２）が入っているエッチングバスに浸漬す
ることを含む。Ａｃｔａｎｅは、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を
含んでおり、コネチカット州ニューヘブンのＥｎｔｈｏ
ｎｅ社から液体の形で購入することができる。清掃溶液
の一つの実施例は、Ａｃｔａｎｅの濃度が０．３容量％
で、Ｈ２Ｏ２の濃度が５容量％である、Ａｃｔａｎｅと
Ｈ２Ｏ２との水溶液である。このような溶液中でのディ
スク処理の一実施例は、４０℃で７分間であって、超音
波エネルギを７分間溶液に加える。これに続き、ブロッ
ク１６に包括表示するように、脱イオン水ですすぎ、乾
燥する。続いて、ブロック１６に包括表示するように、
乾燥する。
水素（Ｈ２Ｏ２）が入っているエッチングバスに浸漬す
ることを含む。Ａｃｔａｎｅは、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を
含んでおり、コネチカット州ニューヘブンのＥｎｔｈｏ
ｎｅ社から液体の形で購入することができる。清掃溶液
の一つの実施例は、Ａｃｔａｎｅの濃度が０．３容量％
で、Ｈ２Ｏ２の濃度が５容量％である、Ａｃｔａｎｅと
Ｈ２Ｏ２との水溶液である。このような溶液中でのディ
スク処理の一実施例は、４０℃で７分間であって、超音
波エネルギを７分間溶液に加える。これに続き、ブロッ
ク１６に包括表示するように、脱イオン水ですすぎ、乾
燥する。続いて、ブロック１６に包括表示するように、
乾燥する。
【００１９】処理したディスクを次に、囲み１８により
示すように、たとえばＶａｒｉａｎＭＤＰ１１００ＴＭ
による、種々のスパッタリング付着ステップにかける。
たとえば、処理されるディスクを赤外線ヒータ２０によ
り急速加熱し、次にスパッター室２２に移して、アルミ
ニウムのような金属層をスパッター付着する。したがっ
て、好適実施例によれば、上に説明した方法により、
２．０ｎｍＲＭＳより小さい表面粗さのＮｉＰ層を作り
だすＮｉＰ層の磨き後に該ＮｉＰ層を認め得る組織化状
態に曝すことなく、磨いたＮｉＰ層の上に金属層がスパ
ッター付着される。このようなプロセスは、スパッター
付着の結果として所要の組織外面を有するスパッター付
着金属層を生ずる。これにより、その付着の後にＮｉＰ
層を最初に滑らかに磨き、続いて磨きまたは他の技法に
よりＮｉＰ層を更に組織化すると言う上述の従来技術の
一つのプロセスにかなりな改良が行なわれる。
示すように、たとえばＶａｒｉａｎＭＤＰ１１００ＴＭ
による、種々のスパッタリング付着ステップにかける。
たとえば、処理されるディスクを赤外線ヒータ２０によ
り急速加熱し、次にスパッター室２２に移して、アルミ
ニウムのような金属層をスパッター付着する。したがっ
て、好適実施例によれば、上に説明した方法により、
２．０ｎｍＲＭＳより小さい表面粗さのＮｉＰ層を作り
だすＮｉＰ層の磨き後に該ＮｉＰ層を認め得る組織化状
態に曝すことなく、磨いたＮｉＰ層の上に金属層がスパ
ッター付着される。このようなプロセスは、スパッター
付着の結果として所要の組織外面を有するスパッター付
着金属層を生ずる。これにより、その付着の後にＮｉＰ
層を最初に滑らかに磨き、続いて磨きまたは他の技法に
よりＮｉＰ層を更に組織化すると言う上述の従来技術の
一つのプロセスにかなりな改良が行なわれる。
【００２０】本発明によりスパッター付着された金属層
の組織化外面は、平方μｍ当たり１０個と１００個との
間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍとの間のＲＭ
Ｓ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積にわたって表面
の平均平面から測定して２．０ｎｍと２０．０ｎｍとの
間のピーク高さを有する玉石状金属粒子構造を特徴とす
る。最も好ましいのは、平方μｍ当たり２０〜５０粒
子、１．０ｎｍと３．０ｎｍとの間のＲＭＳ表面粗さ、
および３．０ｎｍから１０．０ｎｍのピーク高さであ
る。金属層は、好適には、実質的に元素アルミニウムか
らなるか、実質的にアルミニウム合金からなるか、また
はアルミニウムから構成される。ただし、他の金属が、
本発明によれば、使用できると期待される。
の組織化外面は、平方μｍ当たり１０個と１００個との
間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍとの間のＲＭ
Ｓ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積にわたって表面
の平均平面から測定して２．０ｎｍと２０．０ｎｍとの
間のピーク高さを有する玉石状金属粒子構造を特徴とす
る。最も好ましいのは、平方μｍ当たり２０〜５０粒
子、１．０ｎｍと３．０ｎｍとの間のＲＭＳ表面粗さ、
および３．０ｎｍから１０．０ｎｍのピーク高さであ
る。金属層は、好適には、実質的に元素アルミニウムか
らなるか、実質的にアルミニウム合金からなるか、また
はアルミニウムから構成される。ただし、他の金属が、
本発明によれば、使用できると期待される。
【００２１】加熱ステップ２０で与えられる好適なディ
スク温度は約１８０℃から約２７０℃であり、２００℃
から約２５０℃までが最も好適である。金属層の好適付
着平均厚さは、約５００Åである。スパッタリングの好
適圧力範囲は、約３ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒで
ある。
スク温度は約１８０℃から約２７０℃であり、２００℃
から約２５０℃までが最も好適である。金属層の好適付
着平均厚さは、約５００Åである。スパッタリングの好
適圧力範囲は、約３ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒで
ある。
【００２２】作られたディスクを、次に、スパッターシ
ステム１８で、スパッター付着金属の上に磁性記録媒体
層を設けることにより更に処理する。これは、ブロック
２４および２６に示す伝統的なクロムスパッタリングと
コバルト−クロム−白金スパッタリングの組合せで示さ
れる。炭素のウエア（ｗｅａｒ）層を、ステップ２８お
よび３０で示すように、スパッター付着させる。
ステム１８で、スパッター付着金属の上に磁性記録媒体
層を設けることにより更に処理する。これは、ブロック
２４および２６に示す伝統的なクロムスパッタリングと
コバルト−クロム−白金スパッタリングの組合せで示さ
れる。炭素のウエア（ｗｅａｒ）層を、ステップ２８お
よび３０で示すように、スパッター付着させる。
【００２３】その後、ディスクは、スパッタリングシス
テム１８を離れ、ステップ３２で適切な潤滑剤が加えら
れる。処理されたディスクは、テープ磨き３４を受けて
凸凹を除去し、次いで滑空試験３６および電気的欠陥試
験３８で解析される。
テム１８を離れ、ステップ３２で適切な潤滑剤が加えら
れる。処理されたディスクは、テープ磨き３４を受けて
凸凹を除去し、次いで滑空試験３６および電気的欠陥試
験３８で解析される。
【００２４】本発明は、アルミニウム基板および元素ア
ルミニウムスパッター付着層を用いるプラクティスに帰
着される。最良の結果は、２００℃から２５０℃までの
スパッター付着温度で約５００Åの厚さに付着されたア
ルミニウム層で得られた。このようなディスクを、静止
摩擦、滑空試験、および電気的欠陥試験の判定のため
に、所定の飛行高さおよびスライダーについて、ＮｉＰ
付着後でスパッター付着前に、ＮｉＰ粗面化を受けた伝
統的な従来技術のディスクの制御グループと比較した。
ルミニウムスパッター付着層を用いるプラクティスに帰
着される。最良の結果は、２００℃から２５０℃までの
スパッター付着温度で約５００Åの厚さに付着されたア
ルミニウム層で得られた。このようなディスクを、静止
摩擦、滑空試験、および電気的欠陥試験の判定のため
に、所定の飛行高さおよびスライダーについて、ＮｉＰ
付着後でスパッター付着前に、ＮｉＰ粗面化を受けた伝
統的な従来技術のディスクの制御グループと比較した。
【００２５】図２は、従来技術の代表的な実際の記録デ
ィスク表面の半径方向走査である。図３は、上述の本発
明のプロセスで処理した記録ディスクのスパッター付着
アルミニウム層の上面の半径方向走査である。
ィスク表面の半径方向走査である。図３は、上述の本発
明のプロセスで処理した記録ディスクのスパッター付着
アルミニウム層の上面の半径方向走査である。
【００２６】下の表２は、本発明による記録ディスクに
ついて２０００接触開始停止サイクル磨耗の後の、種々
の湿度および静止接触時間について測定した平均静止摩
擦を要約したものである。明らかなように、静止摩擦
は、極端な高湿度および長い静止接触時間においてさ
え、低いままである。
ついて２０００接触開始停止サイクル磨耗の後の、種々
の湿度および静止接触時間について測定した平均静止摩
擦を要約したものである。明らかなように、静止摩擦
は、極端な高湿度および長い静止接触時間においてさ
え、低いままである。
【００２７】
【表２】
【００２８】制御グループとの比較で、本発明により処
理したディスクは、ヘッドと媒体との分離距離を４μイ
ンチとして滑空試験を受けたときに、ほぼ１００％の収
率を示すことが更に判った。制御グループに対する収率
は、同じ分離の場合約５０％で、かなり悪かった。合格
したディスクを、次に、電気的欠陥試験にかけた。本発
明により処理したディスクでは、ディスク表面当たりの
エラーが３個以下であったが、制御グループでは、表面
当たりの欠陥が平均３個を超えた。
理したディスクは、ヘッドと媒体との分離距離を４μイ
ンチとして滑空試験を受けたときに、ほぼ１００％の収
率を示すことが更に判った。制御グループに対する収率
は、同じ分離の場合約５０％で、かなり悪かった。合格
したディスクを、次に、電気的欠陥試験にかけた。本発
明により処理したディスクでは、ディスク表面当たりの
エラーが３個以下であったが、制御グループでは、表面
当たりの欠陥が平均３個を超えた。
【００２９】本発明は、上述のプロセスにしたがって製
作したディスクを意図している。更に、本発明は、代わ
りのプロセスで製作することができる同じ属性を備えた
ディスクを意図している。
作したディスクを意図している。更に、本発明は、代わ
りのプロセスで製作することができる同じ属性を備えた
ディスクを意図している。
【００３０】法令にしたがって、本発明を、多かれ少な
かれ構造および方法に特有の言語で説明してきた。しか
し、本発明は、ここに開示した手段は本発明を有効にす
る好適な形態から構成されているので、記述した特定の
特徴に限定されないことを理解すべきである。したがっ
て、本発明を、同等の原理にしたがって適切に解釈され
る添付の「特許請求の範囲」の正しい範囲内にあるすべ
てのその形態および修正案について権利を主張するもの
である。
かれ構造および方法に特有の言語で説明してきた。しか
し、本発明は、ここに開示した手段は本発明を有効にす
る好適な形態から構成されているので、記述した特定の
特徴に限定されないことを理解すべきである。したがっ
て、本発明を、同等の原理にしたがって適切に解釈され
る添付の「特許請求の範囲」の正しい範囲内にあるすべ
てのその形態および修正案について権利を主張するもの
である。
【００３１】以上のように、本発明は、〔１〕ディスク
ドライブ用記録媒体の組織表面を製造する方法であっ
て、順次；金属基板を準備するステップ（１０）；金属
基板の上に、２．０ｎｍＲＭＳより大きい表面粗さを有
するＮｉＰ層を設けるステップ（１２）ＮｉＰ層を２．
０ｎｍＲＭＳより小さい表面粗さまで磨くステップ（１
４）；および、磨いたＮｉＰ層の上に、ＮｉＰ層の磨き
後に該ＮｉＰ層を組織化状態に曝すことなく、金属層を
スパッター付着させるステップ（１８）であって、スパ
ッター付着金属層は、スパッター付着の結果として平均
平面から所要の組織化外面を備え、組織化外面は、平方
μｍ当たり１０個と１００個との間の粒子を有し、１．
０ｎｍと８．０ｎｍとの間のＲＭＳ表面粗さを有し、１
０μｍ平方の面積にわたって表面の平均平面から測定し
て２．０ｎｍと２０．０ｎｍとの間のピーク高さを有す
る、金属性粒子構造を特徴とするものであるステップ；
からなり、次のような好ましい実施態様を有する。
ドライブ用記録媒体の組織表面を製造する方法であっ
て、順次；金属基板を準備するステップ（１０）；金属
基板の上に、２．０ｎｍＲＭＳより大きい表面粗さを有
するＮｉＰ層を設けるステップ（１２）ＮｉＰ層を２．
０ｎｍＲＭＳより小さい表面粗さまで磨くステップ（１
４）；および、磨いたＮｉＰ層の上に、ＮｉＰ層の磨き
後に該ＮｉＰ層を組織化状態に曝すことなく、金属層を
スパッター付着させるステップ（１８）であって、スパ
ッター付着金属層は、スパッター付着の結果として平均
平面から所要の組織化外面を備え、組織化外面は、平方
μｍ当たり１０個と１００個との間の粒子を有し、１．
０ｎｍと８．０ｎｍとの間のＲＭＳ表面粗さを有し、１
０μｍ平方の面積にわたって表面の平均平面から測定し
て２．０ｎｍと２０．０ｎｍとの間のピーク高さを有す
る、金属性粒子構造を特徴とするものであるステップ；
からなり、次のような好ましい実施態様を有する。
【００３２】〔２〕金属層が実質的に元素アルミニウム
から構成されている〔１〕記載のディスクドライブ用記
録媒体の製造方法。
から構成されている〔１〕記載のディスクドライブ用記
録媒体の製造方法。
【００３３】〔３〕金属基板がアルミニウムからなり、
且つ金属層がアルミニウムからなる〔１〕記載のディス
クドライブ用記録媒体の製造方法。
且つ金属層がアルミニウムからなる〔１〕記載のディス
クドライブ用記録媒体の製造方法。
【００３４】〔４〕スパッター付着ステップが金属層を
約５００Åの平均厚さを有するように付着させることか
らなる〔１〕記載のディスクドライブ用記録媒体の製造
方法。
約５００Åの平均厚さを有するように付着させることか
らなる〔１〕記載のディスクドライブ用記録媒体の製造
方法。
【００３５】〔５〕金属層がアルミニウムからなり、ス
パッター付着ステップが金属層を約５００Åの厚さを有
するように付着させることからなる〔１〕記載のディス
クドライブ用記録媒体の製造方法。
パッター付着ステップが金属層を約５００Åの厚さを有
するように付着させることからなる〔１〕記載のディス
クドライブ用記録媒体の製造方法。
【００３６】〔６〕金属基板がアルミニウムからなり、
金属層がアルミニウムからなり、スパッター付着ステッ
プが金属層を約５００Åの厚さを有するように付着させ
ることからなる〔１〕記載のディスクドライブ用記録媒
体の製造方法。
金属層がアルミニウムからなり、スパッター付着ステッ
プが金属層を約５００Åの厚さを有するように付着させ
ることからなる〔１〕記載のディスクドライブ用記録媒
体の製造方法。
【００３７】また、本発明は、〔７〕記録用ディスクで
あって；金属基板ベース；金属基板に接触してその上方
にあり、外面の粗さが２．０ｎｍＲＭＳより小さいＮｉ
Ｐ層；ＮｉＰ層の外面に接触してその上方にあるスパッ
ター付着金属層であって、スパッター付着金属層は、ス
パッター付着の結果として平均平面から所要の組織化外
面を備え、組織化外面は、平方μｍ当たり１０個と１０
０個との間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍとの
間のＲＭＳ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積にわた
って表面の平均平面から測定して２．０ｎｍと２０．０
ｎｍとの間のピーク高さを有する金属性粒子構造を特徴
とするものである；および、スパッター付着金属層の上
に設けられた磁気記録媒体層；から構成されており、次
のような好ましい実施態様を有する。
あって；金属基板ベース；金属基板に接触してその上方
にあり、外面の粗さが２．０ｎｍＲＭＳより小さいＮｉ
Ｐ層；ＮｉＰ層の外面に接触してその上方にあるスパッ
ター付着金属層であって、スパッター付着金属層は、ス
パッター付着の結果として平均平面から所要の組織化外
面を備え、組織化外面は、平方μｍ当たり１０個と１０
０個との間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎｍとの
間のＲＭＳ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積にわた
って表面の平均平面から測定して２．０ｎｍと２０．０
ｎｍとの間のピーク高さを有する金属性粒子構造を特徴
とするものである；および、スパッター付着金属層の上
に設けられた磁気記録媒体層；から構成されており、次
のような好ましい実施態様を有する。
【００３８】〔８〕ベース金属基板がアルミニウムから
なる〔７〕記載の記録用ディスク。
なる〔７〕記載の記録用ディスク。
【００３９】
〔９〕ベース金属基板がアルミニウムから
なり、且つ金属層がアルミニウムからなる〔７〕記載の
記録用ディスク。
なり、且つ金属層がアルミニウムからなる〔７〕記載の
記録用ディスク。
【００４０】〔１０〕金属層が約５００Åの厚さを有す
る〔７〕記載の記録用ディスク。
る〔７〕記載の記録用ディスク。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、ハードディスクドライ
ブにおける記録ヘッドと回転記録媒体との間において、
低い飛行高さを達成しつつ、静止摩擦および動摩擦を減
らすことのできるディスクドライブ用記録媒体を提供す
ることができる。
ブにおける記録ヘッドと回転記録媒体との間において、
低い飛行高さを達成しつつ、静止摩擦および動摩擦を減
らすことのできるディスクドライブ用記録媒体を提供す
ることができる。
【図１】本発明による記録用デイスクを製造するプロセ
スの流れを示す。
スの流れを示す。
【図２】従来技術の方法および構造にしたがって処理さ
れたハード記録用ディスクの実際の表面の半径方向走査
表示である。
れたハード記録用ディスクの実際の表面の半径方向走査
表示である。
【図３】本発明の方法および構造にしたがって処理され
たハード記録用ディスクの実際の表面の半径方向走査表
示である。
たハード記録用ディスクの実際の表面の半径方向走査表
示である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アラン・ケイ・アガーウオル アメリカ合衆国オレゴン州コーバリス ナ ンバー24 エスダブリュ ピックフォー ド・ストリート 2695
Claims (2)
- 【請求項１】 ディスクドライブ用記録媒体の組織表面
を製造する方法であって、順次；金属基板を準備するス
テップ（１０）；金属基板の上に、２．０ｎｍＲＭＳよ
り大きい表面粗さを有するＮｉＰ層を設けるステップ
（１２）；ＮｉＰ層を２．０ｎｍＲＭＳより小さい表面
粗さまで磨くステップ（１４）；および、 磨いたＮｉＰ層の上に、ＮｉＰ層の磨き後に該ＮｉＰ層
を組織化状態に曝すことなく、金属層をスパッター付着
させるステップ（１８）であって、スパッター付着金属
層は、スパッター付着の結果として平均平面から所要の
組織化外面を備え、組織化外面は、平方μｍ当たり１０
個と１００個との間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０
ｎｍとの間のＲＭＳ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面
積にわたって表面の平均平面から測定して２．０ｎｍと
２０．０ｎｍとの間のピーク高さを有する、金属性粒子
構造を特徴とするものであるステップ；からなるディス
クドライブ用記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 金属基板ベース；金属基板に接触してそ
の上方にあり、外面の粗さが２．０ｎｍＲＭＳより小さ
いＮｉＰ層；ＮｉＰ層の外面に接触してその上方にある
スパッター付着金属層であって、スパッター付着金属層
は、スパッター付着の結果として平均平面から所要の組
織化外面を備え、組織化外面は、平方μｍ当たり１０個
と１００個との間の粒子を有し、１．０ｎｍと８．０ｎ
ｍとの間のＲＭＳ表面粗さを有し、１０μｍ平方の面積
にわたって表面の平均平面から測定して２．０ｎｍと２
０．０ｎｍとの間のピーク高さを有する金属性粒子構造
を特徴とするものである；および、 スパッター付着金属層の上に設けられた磁気記録媒体
層；から構成されている記録用ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/148,136 US5441788A (en) | 1993-11-03 | 1993-11-03 | Method of preparing recording media for a disk drive and disk drive recording media |
| US148136 | 1993-11-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192257A true JPH07192257A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=22524450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6292270A Pending JPH07192257A (ja) | 1993-11-03 | 1994-11-01 | ディスクドライブ用記録媒体の製造方法および記録用ディスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5441788A (ja) |
| EP (1) | EP0651380A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07192257A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084733B2 (en) * | 2001-01-25 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip-type electronic component and chip resistor |
| US7161459B2 (en) | 2001-01-25 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip-type electronic component and chip resistor |
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| DE69521911T2 (de) * | 1995-11-03 | 2001-11-15 | Seagate Technology Llc | Unter zyklisch veränderten temperaturen kathodenzerstäubte strukturierungsschichten aus materialien mit hohem schmelzpunkt |
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