JP2002503009A - パターン基板を有する磁気記録媒体 - Google Patents
パターン基板を有する磁気記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
高い面記録密度で改善されたＨｒ、ＳＮＲおよびＳ*を呈する磁気記録媒体は、ほぼ均一なパターンのＡｌまたはＡｌ合金層（２１、２１’）を非磁気基板（２０）上に形成し、それがその後に適用される層（２２、２２’、２３、２３’、２４、２４’、２５、２５’、２６、２６’）上で再現してデータ領域を形成することによって獲得される。実施形態は、ＡｌまたはＡｌ合金層（２１、２１’）を基板（２０）にスパッタ堆積させることと、スパッタ層（２１、２１’）を陽極処理して、酸化アルミを備える複数のほぼ均一な六方形セルを形成することを含む。六方形パターンは、その後に付着させてエピタキシャル成長させた磁気層（２４、２４’）に再現され、したがって磁気粒子が分離され、その間の静磁気相互作用が減少する。
Description
【０００１】 （関連出願） 本出願は「PATTERN SUBSTRATE FOR HIGH COERCIVITY AND LOW NOISE MEDIA」 と題した１９９８年２月１０日出願の仮特許出願第６０／０７４，２５３号に対
する優先権を主張し、その開示は全て参照により本明細書に組み込まれる。
する優先権を主張し、その開示は全て参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】 （発明の分野） 本発明は、磁気データの記録、記憶および読取り、特に協働する磁気変換ヘッ
ドと接触するテクスチャ加工された（textured）表面を有する薄膜磁気ディスク
などの回転可能な磁気記録媒体に関する。本発明は特に、ノイズが小さく、浮上
高が低く、保磁力が高い高密度磁気記録媒体に対する応用性を有する。
ドと接触するテクスチャ加工された（textured）表面を有する薄膜磁気ディスク
などの回転可能な磁気記録媒体に関する。本発明は特に、ノイズが小さく、浮上
高が低く、保磁力が高い高密度磁気記録媒体に対する応用性を有する。
【０００３】 （背景技術） 磁気ディスクおよびディスク・ドライブは、従来、磁化された形態でデータを
記録するために使用されている。通常、ディスクの記録表面に近接して配置され
、概ねこれに対して半径方向に移動するデータ変換ヘッドと組み合わせて、１枚
または複数のディスクを中心軸まわりに回転させる。磁気ディスクは、通常、静
止状態で磁気ディスク・ユニットに収容され、磁気ディスク・ユニットは、弾力
的にディスク表面と接触し且つ押しつけられて特定の負荷が与えられた磁気ヘッ
ドを備えている。例えば２５００エルステッド以上の高い保磁力、および例えば
約４０ｄＢの高いオーバーライト（上書き）などの適切な磁気特性を有しながら
、それと同時に例えば約０．７５から約０．８５マイクロインチ（１９．１〜２
１．６μｍｍ）の小さい滑空なだれ高さなどの読み書き性能に適した機械的特性
を呈する超高密度記録用の磁気記録媒体を製造することは、極めて困難である。
記録するために使用されている。通常、ディスクの記録表面に近接して配置され
、概ねこれに対して半径方向に移動するデータ変換ヘッドと組み合わせて、１枚
または複数のディスクを中心軸まわりに回転させる。磁気ディスクは、通常、静
止状態で磁気ディスク・ユニットに収容され、磁気ディスク・ユニットは、弾力
的にディスク表面と接触し且つ押しつけられて特定の負荷が与えられた磁気ヘッ
ドを備えている。例えば２５００エルステッド以上の高い保磁力、および例えば
約４０ｄＢの高いオーバーライト（上書き）などの適切な磁気特性を有しながら
、それと同時に例えば約０．７５から約０．８５マイクロインチ（１９．１〜２
１．６μｍｍ）の小さい滑空なだれ高さなどの読み書き性能に適した機械的特性
を呈する超高密度記録用の磁気記録媒体を製造することは、極めて困難である。
【０００４】 使用時には、磁気ディスクは通常、コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ
）方式で駆動される。それによると、ディスクが回転し始めると、ヘッドがディ
スクの表面に対して摺動し始める。ヘッドは、所定の高い回転速度に到達すると
、ヘッドの摺動表面とディスクとの間に生じる空気の流れによる動的圧力効果の
ため、ディスク表面から所定の距離で空気中に浮上する。読取りおよび記録操作
の間、変換ヘッドは記録表面から制御された距離に維持され、ディスクが回転す
るにつれ、空気軸受け上に支持される。磁気ヘッド・ユニットは、ヘッドがこの
浮上状態でディスクの円周方向と半径方向との両方に自由に移動でき、所望の位
置でディスクの表面にデータを記録し、そこから研削できるように配置されてい
る。
）方式で駆動される。それによると、ディスクが回転し始めると、ヘッドがディ
スクの表面に対して摺動し始める。ヘッドは、所定の高い回転速度に到達すると
、ヘッドの摺動表面とディスクとの間に生じる空気の流れによる動的圧力効果の
ため、ディスク表面から所定の距離で空気中に浮上する。読取りおよび記録操作
の間、変換ヘッドは記録表面から制御された距離に維持され、ディスクが回転す
るにつれ、空気軸受け上に支持される。磁気ヘッド・ユニットは、ヘッドがこの
浮上状態でディスクの円周方向と半径方向との両方に自由に移動でき、所望の位
置でディスクの表面にデータを記録し、そこから研削できるように配置されてい
る。
【０００５】 ディスク・ドライブの操作が終了すると、ディスクの回転速度が低下し、ヘッ
ドが再びディスクの表面に対して摺動し始め、結局、ディスクに接触し、押しつ
けられて停止する。したがって、ディスクが静止状態にある場合、停止から加速
した場合、および完全に停止する直前に減速中である場合、常に変換ヘッドは記
録表面に接触する。ヘッドおよびディスク・アセンブリを駆動する度に、ヘッド
の摺動表面は停止、ディスク表面に対する摺動、空気中での浮上、ディスク表面
に対する摺動および停止で構成された周期的操作を繰り返す。
ドが再びディスクの表面に対して摺動し始め、結局、ディスクに接触し、押しつ
けられて停止する。したがって、ディスクが静止状態にある場合、停止から加速
した場合、および完全に停止する直前に減速中である場合、常に変換ヘッドは記
録表面に接触する。ヘッドおよびディスク・アセンブリを駆動する度に、ヘッド
の摺動表面は停止、ディスク表面に対する摺動、空気中での浮上、ディスク表面
に対する摺動および停止で構成された周期的操作を繰り返す。
【０００６】 読取りおよび記録操作中には、各変換ヘッドを可能な限り関連する記録表面に
近づけて維持すること、つまりヘッドの浮上高を最小にすることが望ましいと考
えられる。この目的は、面記録密度が増加するにつれ、特に重大になる。面密度
（Ｍｂｉｔｓ／ｉｎ2）とは、単位面積当たりの記録密度であり、１インチ当た りのトラック数で表すトラック密度（ＴＰＩ）に１インチ当たりのビット数で表
す線密度（ＢＰＩ）を掛けた値に等しい。したがって、滑らかな記録表面、さら
に関連する変換ヘッドの滑らかな対向表面が好ましく、それによってヘッドおよ
びディスクを近接して配置することができ、それに伴い予測精度が増加し、ヘッ
ドを支持する空気軸受けの挙動が安定する。しかし、この目的に対して別の要素
が作用する。ヘッド表面および記録表面が平坦すぎると、これらの表面の精密な
対合が始動および停止相中に過度な静摩擦および摩擦を生じ、ヘッドおよび記録
表面が摩耗して、最終的に「ヘッド・クラッシュ」と呼ばれるものに至る。した
がって、ヘッド／ディスクの摩擦を減少させ、変換器の浮上高を最小にするとい
う競合する目的がある。
近づけて維持すること、つまりヘッドの浮上高を最小にすることが望ましいと考
えられる。この目的は、面記録密度が増加するにつれ、特に重大になる。面密度
（Ｍｂｉｔｓ／ｉｎ2）とは、単位面積当たりの記録密度であり、１インチ当た りのトラック数で表すトラック密度（ＴＰＩ）に１インチ当たりのビット数で表
す線密度（ＢＰＩ）を掛けた値に等しい。したがって、滑らかな記録表面、さら
に関連する変換ヘッドの滑らかな対向表面が好ましく、それによってヘッドおよ
びディスクを近接して配置することができ、それに伴い予測精度が増加し、ヘッ
ドを支持する空気軸受けの挙動が安定する。しかし、この目的に対して別の要素
が作用する。ヘッド表面および記録表面が平坦すぎると、これらの表面の精密な
対合が始動および停止相中に過度な静摩擦および摩擦を生じ、ヘッドおよび記録
表面が摩耗して、最終的に「ヘッド・クラッシュ」と呼ばれるものに至る。した
がって、ヘッド／ディスクの摩擦を減少させ、変換器の浮上高を最小にするとい
う競合する目的がある。
【０００７】 これらの競合する目的を満足するために、磁気ディスクの記録表面は、従来、
「テクスチャリング（すなわちテクスチャ加工）」と呼ばれる技術により表面を
粗くして、ヘッド／ディスクの摩擦を減少させている。従来のテクスチャリング
技術は、ディスク基板の表面を研磨し、その上にテクスチャを設けた後、下層、
磁気層、炭素オーバーコートおよび潤滑トップコートなどのコーティングを付着
させ、基板のテクスチャ表面を磁気ディスクの表面上に再現する。
「テクスチャリング（すなわちテクスチャ加工）」と呼ばれる技術により表面を
粗くして、ヘッド／ディスクの摩擦を減少させている。従来のテクスチャリング
技術は、ディスク基板の表面を研磨し、その上にテクスチャを設けた後、下層、
磁気層、炭素オーバーコートおよび潤滑トップコートなどのコーティングを付着
させ、基板のテクスチャ表面を磁気ディスクの表面上に再現する。
【０００８】 典型的な縦方向の記録媒体が図１に図示されている。この記録媒体は基板１０
を備え、これは通常アルミ（Ａｌ）またはアルミ・マグネシウム（Ａｌ−Ｍｇ）
合金などのＡｌ合金であり、アモルファス（非晶形）ニッケル燐（ＮｉＰ）層で
めっきされている。代替基板には、ガラス、セラミック、ガラス・セラミック材
料およびグラファイトがある。基板１０は通常、その各側に順次堆積させたクロ
ム（Ｃｒ）またはＣｒ合金の下層１１、１１’、コバルト（Ｃｏ）系合金の磁気
層１２、１２’、通常は炭素を含む保護オーバーコート１３、１３’、および潤
滑トップコート１４、１４’を含む。Ｃｒ下層１１、１１’は、複数のサブ下層
１１Ａ、１１Ａ’を備える複合体として適用することができる。Ｃｒ下層１１、
１１’、Ｃｏ系磁気合金層１２、１２’、および保護オーバーコート１３、１３
’は、通常、順次堆積室を含む装置でスパッタ堆積される。従来のＡｌ合金基板
にはＮｉＰめっきが設けられ、これは主にＡｌ基板の硬度を上げ、テクスチャが
付与される適切な表面として働き、テクスチャはその後、ディスク表面に再現さ
れて着地（ランディング）領域として働く。
を備え、これは通常アルミ（Ａｌ）またはアルミ・マグネシウム（Ａｌ−Ｍｇ）
合金などのＡｌ合金であり、アモルファス（非晶形）ニッケル燐（ＮｉＰ）層で
めっきされている。代替基板には、ガラス、セラミック、ガラス・セラミック材
料およびグラファイトがある。基板１０は通常、その各側に順次堆積させたクロ
ム（Ｃｒ）またはＣｒ合金の下層１１、１１’、コバルト（Ｃｏ）系合金の磁気
層１２、１２’、通常は炭素を含む保護オーバーコート１３、１３’、および潤
滑トップコート１４、１４’を含む。Ｃｒ下層１１、１１’は、複数のサブ下層
１１Ａ、１１Ａ’を備える複合体として適用することができる。Ｃｒ下層１１、
１１’、Ｃｏ系磁気合金層１２、１２’、および保護オーバーコート１３、１３
’は、通常、順次堆積室を含む装置でスパッタ堆積される。従来のＡｌ合金基板
にはＮｉＰめっきが設けられ、これは主にＡｌ基板の硬度を上げ、テクスチャが
付与される適切な表面として働き、テクスチャはその後、ディスク表面に再現さ
れて着地（ランディング）領域として働く。
【０００９】 高密度化と大容量磁気ディスクのために、浮上高、つまりヘッドがＣＳＳドラ
イブのディスク表面から浮上する距離を小さくする必要がある。記録密度と容量
を高めるためにヘッドの浮上高をさらに小さくするという要求は、ヘッド・クラ
ッシュを回避するためテクスチャリングを精密に制御することを特に困難にする
。
イブのディスク表面から浮上する距離を小さくする必要がある。記録密度と容量
を高めるためにヘッドの浮上高をさらに小さくするという要求は、ヘッド・クラ
ッシュを回避するためテクスチャリングを精密に制御することを特に困難にする
。
【００１０】 ディスク基板にテクスチャ表面を設ける従来の技術は、研磨などの機械的操作
を含む。例えばNakamuraその他の米国特許第５，２０２，８１０号を参照された
い。従来の機械的テクスチャリング技術は、多くの欠点を伴う。例えば、機械的
研磨によって形成された破壊屑のために、クリーンなテクスチャ表面を提供する
ことは極めて困難である。さらに、表面は機械的操作の間に必然的に引っ掻き傷
が生じ、質の悪いグライド（滑空）特性と欠陥の増加に寄与する。また、機械的
テクスチャリングでは種々の望ましい基板を処理することが困難である。機械的
テクスチャリングのこのように望ましくない制限的一面のため、多くの安価な基
板、および高い保磁力を達成するのに役立つ導電性グラファイト基板が実質的に
使用できない。
を含む。例えばNakamuraその他の米国特許第５，２０２，８１０号を参照された
い。従来の機械的テクスチャリング技術は、多くの欠点を伴う。例えば、機械的
研磨によって形成された破壊屑のために、クリーンなテクスチャ表面を提供する
ことは極めて困難である。さらに、表面は機械的操作の間に必然的に引っ掻き傷
が生じ、質の悪いグライド（滑空）特性と欠陥の増加に寄与する。また、機械的
テクスチャリングでは種々の望ましい基板を処理することが困難である。機械的
テクスチャリングのこのように望ましくない制限的一面のため、多くの安価な基
板、および高い保磁力を達成するのに役立つ導電性グラファイト基板が実質的に
使用できない。
【００１１】 機械的テクスチャリングの代替方法は、レーザを使用して着地領域を形成する
ことである。例えば、Ranjanその他の米国特許第５，０６２，０２１号を参照さ
れたい。機械的テクスチャリングの別の代替方法が、Lalその他の米国特許第５ ，１６６，００６号に開示され、これは化学的エッチングを含む。
ことである。例えば、Ranjanその他の米国特許第５，０６２，０２１号を参照さ
れたい。機械的テクスチャリングの別の代替方法が、Lalその他の米国特許第５ ，１６６，００６号に開示され、これは化学的エッチングを含む。
【００１２】 １９９６年２月２８日に出願した同時係属米国特許出願第０８／６０８，０７
２号では、チタンまたはチタン合金などの金属層を、ガラス、ガラス・セラミッ
クス材料およびＮｉＰ化学めっきＡｌ−Ｍｇ合金基板にスパッタリングして形成
したテクスチャ表面を有する磁気記録媒体が開示されている。しかし、例えば３
０００エルステッド超、特に３３００エルステッド超など、２５００エルステッ
ドより大きい十分に高い保磁力を有する磁気記録媒体をスパッタされたテクスチ
ャ層で生成することは、困難であることが判明した。また、スパッタ層の微細構
成は、基板など、それが付着する下の層に大きく依存するので、下にある異なる
タイプの材料ごとにプロセスのパラメータを最適にしなければならず、これによ
って生産量が低下する。このようにプロセスのパラメータを最適にしないと、一
貫して再現可能な結果を達成するのが困難である。
２号では、チタンまたはチタン合金などの金属層を、ガラス、ガラス・セラミッ
クス材料およびＮｉＰ化学めっきＡｌ−Ｍｇ合金基板にスパッタリングして形成
したテクスチャ表面を有する磁気記録媒体が開示されている。しかし、例えば３
０００エルステッド超、特に３３００エルステッド超など、２５００エルステッ
ドより大きい十分に高い保磁力を有する磁気記録媒体をスパッタされたテクスチ
ャ層で生成することは、困難であることが判明した。また、スパッタ層の微細構
成は、基板など、それが付着する下の層に大きく依存するので、下にある異なる
タイプの材料ごとにプロセスのパラメータを最適にしなければならず、これによ
って生産量が低下する。このようにプロセスのパラメータを最適にしないと、一
貫して再現可能な結果を達成するのが困難である。
【００１３】 高い面記録密度の要求のため、保磁力、残留矩形（remanent squareness）、 低媒体ノイズおよび狭いトラック記録性能についての薄膜磁気記録媒体への要求
がますます大きくなる。このような過酷な要求を満足する磁気記録媒体、特に縦
方向記録用高密度磁気剛性ディスク媒体を生成することは、極めて困難である。
がますます大きくなる。このような過酷な要求を満足する磁気記録媒体、特に縦
方向記録用高密度磁気剛性ディスク媒体を生成することは、極めて困難である。
【００１４】 線記録密度は、磁気記録媒体の保磁力を上げることによって増加することがで
きる。しかし、この目的は、磁気的に結合していない非常に細かい粒子を維持す
ることによってなど、媒体のノイズを低下させることによってのみ達成すること
ができる。媒体ノイズは、高密度磁気ハード・ディスク・ドライブの記録密度向
上を制限する主な要素である。薄膜の媒体ノイズは、主に不均等な粒子サイズお
よび粒子間交換結合に帰される。したがって、線密度を上げるため、適切な微細
構造制御によって媒体ノイズを最小にしなければならない。
きる。しかし、この目的は、磁気的に結合していない非常に細かい粒子を維持す
ることによってなど、媒体のノイズを低下させることによってのみ達成すること
ができる。媒体ノイズは、高密度磁気ハード・ディスク・ドライブの記録密度向
上を制限する主な要素である。薄膜の媒体ノイズは、主に不均等な粒子サイズお
よび粒子間交換結合に帰される。したがって、線密度を上げるため、適切な微細
構造制御によって媒体ノイズを最小にしなければならない。
【００１５】 残留保磁力（Ｈｒ）、残留磁気（Ｍｒ）および保磁力矩形（Ｓ*）などの磁気 合金薄膜の性能にとって重要である適切な磁気特性は、主に磁気層の微小構造に
依存し、これは磁気層が付着している下層の影響を受ける。従来の下層はＣｒ、
モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム・バナジウ
ム（ＣｒＶ）、さらに種々の置換元素とＣｒとの合金を含む。微粒子構造を有す
る下層が非常に望ましく、特に上に付着させる六方最密（ＨＣＰ）磁気Ｃｏまた
はＣｏ合金の微粒子を成長させるには望ましいと認識されている。
依存し、これは磁気層が付着している下層の影響を受ける。従来の下層はＣｒ、
モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム・バナジウ
ム（ＣｒＶ）、さらに種々の置換元素とＣｒとの合金を含む。微粒子構造を有す
る下層が非常に望ましく、特に上に付着させる六方最密（ＨＣＰ）磁気Ｃｏまた
はＣｏ合金の微粒子を成長させるには望ましいと認識されている。
【００１６】 高いデータ記憶容量に対する上昇の一途の需要を満足するため、Ｈｒが高く、
媒体ノイズが低くなった、つまりＳＮＲが高い磁気記録媒体を製造する必要があ
る。Ｈｒが高くなると、ＰＷ５０（最大値の半分でのプラス幅）が効果的に狭く
なり、より高い記録密度でビット長を小さくすることができる。この数年、微小
磁気の研究が実施されて、Ｈｒが増加し、媒体ノイズが減少した。磁気粒子の相
互作用が減少するとＨｒが増加し、媒体ノイズが減少すると認識されている。媒
体ノイズは主に磁気粒子間の交換および静磁気相互作用から生じるので、このよ
うな要素を抑制する効果的な方法は、物理的または化学的に磁気粒子を分離、つ
まり隔離することである。この分野における研究者の初期の努力は、主に磁気層
および下層に集中していた。しかし、このような下層および磁気層を成長させる
ことができる方法については限界がある。
媒体ノイズが低くなった、つまりＳＮＲが高い磁気記録媒体を製造する必要があ
る。Ｈｒが高くなると、ＰＷ５０（最大値の半分でのプラス幅）が効果的に狭く
なり、より高い記録密度でビット長を小さくすることができる。この数年、微小
磁気の研究が実施されて、Ｈｒが増加し、媒体ノイズが減少した。磁気粒子の相
互作用が減少するとＨｒが増加し、媒体ノイズが減少すると認識されている。媒
体ノイズは主に磁気粒子間の交換および静磁気相互作用から生じるので、このよ
うな要素を抑制する効果的な方法は、物理的または化学的に磁気粒子を分離、つ
まり隔離することである。この分野における研究者の初期の努力は、主に磁気層
および下層に集中していた。しかし、このような下層および磁気層を成長させる
ことができる方法については限界がある。
【００１７】 これまで、Ｈｒを増加させるため、最終的に磁気粒子を分離または隔離して交
換および静磁気相互作用を減少させる基板処理または基板関連の方法は、それほ
ど注意を払われなかった。例えば、この分野の以前の努力は、高精度のフォトリ
ソグラフィ技術に関係し、これは極めて時間と費用がかかる。したがって、大量
生産は事実上不可能である。
換および静磁気相互作用を減少させる基板処理または基板関連の方法は、それほ
ど注意を払われなかった。例えば、この分野の以前の努力は、高精度のフォトリ
ソグラフィ技術に関係し、これは極めて時間と費用がかかる。したがって、大量
生産は事実上不可能である。
【００１８】 １９９６年８月２０日に出願の同時係属特許出願第０８／６９９，７５９号は
、表面酸化ＮｉＰ層に付着させたＣｒ膜は、非酸化ＮｉＰ層に付着したＣｒ膜よ
り粒子が小さいことを開示している。１９９６年１月１６日に出願の陶磁係属特
許出願第０８／５８６，５２９号は、Ｃｒ膜を表面酸化ＮｉＰ膜に付着させる方
法を開示し、付着したＣｒ膜は優勢な結晶方向（２００）を呈する。
、表面酸化ＮｉＰ層に付着させたＣｒ膜は、非酸化ＮｉＰ層に付着したＣｒ膜よ
り粒子が小さいことを開示している。１９９６年１月１６日に出願の陶磁係属特
許出願第０８／５８６，５２９号は、Ｃｒ膜を表面酸化ＮｉＰ膜に付着させる方
法を開示し、付着したＣｒ膜は優勢な結晶方向（２００）を呈する。
【００１９】 １９９７年１０月１７日出願の同時係属特許出願第０８／９４５，０８４号（
文書番号第２６７４−０５２；５０１０３−０９２号）では、高い保磁力を有す
る磁気記録媒体が開示され、この磁気記録媒体は、非磁気基板上に形成された酸
化表面を有するシード層（種層）、シード層の酸化表面上にありクロムを含むサ
ブ下層、ニッケル・アルミニウムまたは鉄アルミニウムの下層、下層の上にあり
クロムを含む中間層、および中間層の上の磁気層を備える。
文書番号第２６７４−０５２；５０１０３−０９２号）では、高い保磁力を有す
る磁気記録媒体が開示され、この磁気記録媒体は、非磁気基板上に形成された酸
化表面を有するシード層（種層）、シード層の酸化表面上にありクロムを含むサ
ブ下層、ニッケル・アルミニウムまたは鉄アルミニウムの下層、下層の上にあり
クロムを含む中間層、および中間層の上の磁気層を備える。
【００２０】 １９９８年３月９日に出願の同時係属特許出願第０９／０４３，６１０号（文
書番号第２６７４−０５７；５０１０３−０９８号）および１９９７年１０月２
１日出願の第０８／９５５，４４８号（文書番号第２６７４−０７３；５０１０
３−１１９号）では、レーザビームを使用してデータ領域のテクスチャを加工す
る方法が開示されている。
書番号第２６７４−０５７；５０１０３−０９８号）および１９９７年１０月２
１日出願の第０８／９５５，４４８号（文書番号第２６７４−０７３；５０１０
３−１１９号）では、レーザビームを使用してデータ領域のテクスチャを加工す
る方法が開示されている。
【００２１】 １９９５年１１月２８日付けでWakuiその他に発行された米国特許第５，４７ ０，６３６号は、基板上にＡｌ基板またはＡｌ層を陽極処理し、その結果、陽極
処理した表面の上に延在する孔を非磁気材料で削り、陽極処理層をフッ素試薬、
酸または基剤で処理することによる着地領域の形成を開示している。
処理した表面の上に延在する孔を非磁気材料で削り、陽極処理層をフッ素試薬、
酸または基剤で処理することによる着地領域の形成を開示している。
【００２２】 高いＨｒ、高いＳＮＲおよび高いＳ*、および改善された浮上特性を呈する高 面記録密度に適した磁気記録媒体に対して、引き続き要求がある。高いＨｒ、Ｓ
ＮＲおよびＳ*、および改善された浮上特徴を呈する高面密度磁気記録媒体を製 造する、費用効果が高く効率的な方法に対しても、引き続き要求がある。
ＮＲおよびＳ*、および改善された浮上特徴を呈する高面密度磁気記録媒体を製 造する、費用効果が高く効率的な方法に対しても、引き続き要求がある。
【００２３】 （発明の開示） 本発明の利点は、低い媒体ノイズ、高いＨｒ、高いＳ*および改善された浮上 特徴を呈する高面密度縦方向磁気記録に適した磁気記録媒体である。
【００２４】 本発明の別の利点は、低い媒体ノイズ、高いＨｒ、高いＳ*および改善された 浮上特徴を呈する高面密度縦方向磁気記録に適した磁気記録媒体を製造する、費
用効果が高く効率的な方法である。
用効果が高く効率的な方法である。
【００２５】 本発明の追加的な利点および他の特徴は、以下の記述に記載され、部分的には
以下の検証によって当業者には明白になり、本発明の実践から知ることができる
。本発明の利点は、添付の請求の範囲で特に指摘された通りに実現し、獲得する
ことができる。
以下の検証によって当業者には明白になり、本発明の実践から知ることができる
。本発明の利点は、添付の請求の範囲で特に指摘された通りに実現し、獲得する
ことができる。
【００２６】 本発明によると、以上および他の利点は、非磁気基板、上面にほぼ均一なパタ
ーンが形成されたＡｌまたはＡｌ合金からなる前記基板上の層、および磁気層を
備え、パターンが磁気層にほぼ再現されてデータ領域を形成する磁気記録媒体に
よって部分的に達成される。
ーンが形成されたＡｌまたはＡｌ合金からなる前記基板上の層、および磁気層を
備え、パターンが磁気層にほぼ再現されてデータ領域を形成する磁気記録媒体に
よって部分的に達成される。
【００２７】 本発明の別の態様は、磁気記録媒体を製造する方法であり、製造方法は、非磁
気基板上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成することと、ＡｌまたはＡｌ合金層上
にほぼ均一なパターンを形成することと、磁気層を形成することを含み、パター
ンが磁気層上にほぼ再現されてデータ領域を形成する。
気基板上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成することと、ＡｌまたはＡｌ合金層上
にほぼ均一なパターンを形成することと、磁気層を形成することを含み、パター
ンが磁気層上にほぼ再現されてデータ領域を形成する。
【００２８】 本発明の実施形態は、ＡｌまたはＡｌ合金層を陽極処理して、Ａｌ酸化物のほ
ぼ六方形のセルを備えるほぼ均一のハニカム・パターンを形成することを含む。
本発明の実施形態は、さらに、基板の表面にテクスチャを加工し、磁気層など、
その後に付着する層にほぼ再現されて記録データ領域を形成するテクスチャ区域
を形成することを含む。
ぼ六方形のセルを備えるほぼ均一のハニカム・パターンを形成することを含む。
本発明の実施形態は、さらに、基板の表面にテクスチャを加工し、磁気層など、
その後に付着する層にほぼ再現されて記録データ領域を形成するテクスチャ区域
を形成することを含む。
【００２９】 本発明の追加の利点は、以下の詳細な記述から当業者には容易に明白になり、
ここでは単に本発明を実行するため想定される最良モードの例示により、本発明
の実施形態が記載される。理解されるように、本発明は他の異なる実施形態が可
能であり、その幾つかの詳細は、全て本発明から逸脱することなく、種々の明白
な態様で変形することができる。したがって、図面および記述は例示的な性質で
あり、制限的なものではないと見なされる。
ここでは単に本発明を実行するため想定される最良モードの例示により、本発明
の実施形態が記載される。理解されるように、本発明は他の異なる実施形態が可
能であり、その幾つかの詳細は、全て本発明から逸脱することなく、種々の明白
な態様で変形することができる。したがって、図面および記述は例示的な性質で
あり、制限的なものではないと見なされる。
【００３０】 （発明の説明） 本発明は、Ｈｒを増加させ、媒体ノイズを減少させることによって、磁気記録
媒体のデータ記憶容量を増加させるという問題に対処する。Ｈｒが増加すると、
パルス幅が狭くなり、記録密度を上げてビット長を減少させることができる。媒
体ノイズが低下すると、より高いＳＮＲが生成される。本発明の実施形態は、磁
気層の磁気粒子を物理的に隔離することによって、上記の目的を達成する。磁気
粒子のこのような物理的隔離は、パターン状の磁気薄膜成長を開始させる基板上
にパターンを形成することによって達成される。このようなパターンは、粒子成
長の不規則性を最小にし、磁気粒子単位の分配を狭め、これによってジグザグ遷
移の起点を減少させ、その結果、磁気粒子の相互作用を抑制し、ＳＮＲを改善す
る。
媒体のデータ記憶容量を増加させるという問題に対処する。Ｈｒが増加すると、
パルス幅が狭くなり、記録密度を上げてビット長を減少させることができる。媒
体ノイズが低下すると、より高いＳＮＲが生成される。本発明の実施形態は、磁
気層の磁気粒子を物理的に隔離することによって、上記の目的を達成する。磁気
粒子のこのような物理的隔離は、パターン状の磁気薄膜成長を開始させる基板上
にパターンを形成することによって達成される。このようなパターンは、粒子成
長の不規則性を最小にし、磁気粒子単位の分配を狭め、これによってジグザグ遷
移の起点を減少させ、その結果、磁気粒子の相互作用を抑制し、ＳＮＲを改善す
る。
【００３１】 本発明の実施形態は、様々な従来の非磁気基板のいずれかに連続的薄膜を形成
する。連続的薄膜をパターン化して、薄膜成長のためのほぼ均一なマトリクスを
提供し、このマトリクスは、磁気層などのその後に付着させる層にほぼ再現され
、データ領域を形成する。つまり、本発明の実施形態により基板上に形成される
均一なパターンは、下層および磁気層など、自身の上にその後付着する膜のテン
プレート（型板）として働く。このように、磁気ユニット・クラスタが基板パタ
ーンに従って再現され、したがって磁気粒子クラスタがパターン境界によって隔
離される。この方法で粒子の相互作用が最小になり、ＳＮＲが増加する。
する。連続的薄膜をパターン化して、薄膜成長のためのほぼ均一なマトリクスを
提供し、このマトリクスは、磁気層などのその後に付着させる層にほぼ再現され
、データ領域を形成する。つまり、本発明の実施形態により基板上に形成される
均一なパターンは、下層および磁気層など、自身の上にその後付着する膜のテン
プレート（型板）として働く。このように、磁気ユニット・クラスタが基板パタ
ーンに従って再現され、したがって磁気粒子クラスタがパターン境界によって隔
離される。この方法で粒子の相互作用が最小になり、ＳＮＲが増加する。
【００３２】 本発明の実施形態によると、ＡｌまたはＡｌ合金を、ＮｉＰめっきＡｌまたは
Ａｌ合金基板、またはガラス、セラミック、またはガラス・セラミック基板など
、非磁気基板にスパッタ付着させる。ＡｌまたはＡｌ合金膜は、約５０Åから約
５０００Å、例えば５００Åから約１５００Åの厚さにスパッタ付着させること
ができる。本発明の実施形態によると、スパッタ付着させたＡｌまたはＡｌ合金
膜上に形成されたほぼ均一なパターンは、テンプレートとして働き、したがって
その後付着させる磁気層の磁気粒子クラスタは、パターン境界によって分離され
る。スパッタ付着ＡｌまたはＡｌ合金膜を陽極処理して、ほぼハニカム状のパタ
ーンなど、酸化アルミを備えるパターンを形成する。陽極処理は、約１から約１
５ｍＡ／ｃｍ2、例えば約５ｍＡ／ｃｍ2で約１％から約１０％、例えば約４％の
燐酸水素（Ｈ3ＰＯ4）の溶液で、最大約１時間、例えば約１０分かけて室温で処
理するなど、従来の方法で実行することができる。これで生成されたほぼハニカ
ム状のパターンは、ほぼ六方形の酸化アルミのセルを備える。このようなほぼ六
方形のセルは、その後付着させる磁気層の適切なテンプレートとして働き、した
がってエピタキシャル成長が実行され、所望の六方最密（ＨＣＰ）結晶構造を生
成する。さらに、ほぼ六方形のセルの境界は、磁気層をほぼ再現しているため、
磁気粒子クラスタを分離するよう働き、それによって粒子の相互作用を最小にし
、ＳＮＲを改善する。
Ａｌ合金基板、またはガラス、セラミック、またはガラス・セラミック基板など
、非磁気基板にスパッタ付着させる。ＡｌまたはＡｌ合金膜は、約５０Åから約
５０００Å、例えば５００Åから約１５００Åの厚さにスパッタ付着させること
ができる。本発明の実施形態によると、スパッタ付着させたＡｌまたはＡｌ合金
膜上に形成されたほぼ均一なパターンは、テンプレートとして働き、したがって
その後付着させる磁気層の磁気粒子クラスタは、パターン境界によって分離され
る。スパッタ付着ＡｌまたはＡｌ合金膜を陽極処理して、ほぼハニカム状のパタ
ーンなど、酸化アルミを備えるパターンを形成する。陽極処理は、約１から約１
５ｍＡ／ｃｍ2、例えば約５ｍＡ／ｃｍ2で約１％から約１０％、例えば約４％の
燐酸水素（Ｈ3ＰＯ4）の溶液で、最大約１時間、例えば約１０分かけて室温で処
理するなど、従来の方法で実行することができる。これで生成されたほぼハニカ
ム状のパターンは、ほぼ六方形の酸化アルミのセルを備える。このようなほぼ六
方形のセルは、その後付着させる磁気層の適切なテンプレートとして働き、した
がってエピタキシャル成長が実行され、所望の六方最密（ＨＣＰ）結晶構造を生
成する。さらに、ほぼ六方形のセルの境界は、磁気層をほぼ再現しているため、
磁気粒子クラスタを分離するよう働き、それによって粒子の相互作用を最小にし
、ＳＮＲを改善する。
【００３３】 陽極処理の後、磁気記録媒体は、陽極処理表面上に下層および磁気層を付着（
堆積）させて基板上にパターンを再現することによって完成する。例えば、ニッ
ケル・アルミ（ＮｉＡｌ）などのシード層を、陽極処理したＡｌまたはＡｌ合金
層に付着させる。セルは完全には充填されないと考えられる。ＣｒＶなどの下層
をＮｉＡｌシード層にスパッタ付着させ、コバルト・クロム・プラチナ・タンタ
ル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）合金層などの磁気層を下層にスパッタ付着させる。炭素
を含有する保護オーバーコートなどの保護オーバーコートを磁気層にスパッタ付
着させ、保護オーバーコート上に潤滑トップコートを形成する。磁気特性を最適
化するため、約２００℃から約３００℃の基板温度および約−２５０ボルトでの
基板バイアスで２×１０7トルのベース圧力を使用し、約１５ｓｃｃｍのスパッ タリング・ガス流量を用いた２Ｗ／ｃｍ2から３０Ｗ／ｃｍ2のスパッタリング・
パワー密度を使用するなどによって、スパッタ付着させることができる。
堆積）させて基板上にパターンを再現することによって完成する。例えば、ニッ
ケル・アルミ（ＮｉＡｌ）などのシード層を、陽極処理したＡｌまたはＡｌ合金
層に付着させる。セルは完全には充填されないと考えられる。ＣｒＶなどの下層
をＮｉＡｌシード層にスパッタ付着させ、コバルト・クロム・プラチナ・タンタ
ル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）合金層などの磁気層を下層にスパッタ付着させる。炭素
を含有する保護オーバーコートなどの保護オーバーコートを磁気層にスパッタ付
着させ、保護オーバーコート上に潤滑トップコートを形成する。磁気特性を最適
化するため、約２００℃から約３００℃の基板温度および約−２５０ボルトでの
基板バイアスで２×１０7トルのベース圧力を使用し、約１５ｓｃｃｍのスパッ タリング・ガス流量を用いた２Ｗ／ｃｍ2から３０Ｗ／ｃｍ2のスパッタリング・
パワー密度を使用するなどによって、スパッタ付着させることができる。
【００３４】 本発明の実施形態が図２に概略的に図示され、ＮｉＰめっきＡｌなどの非磁気
基板２０を備える。基板２０の各側に、陽極処理してスパッタ付着し、ほぼ六方
形の酸化アルミ・セルのほぼ均一なハニカム・パターンを備えるＡｌ層２１、２
１’を順次形成する。ＮｉＡｌなどのシード層２２、２２’をハニカム・パター
ンにスパッタ付着させる。ＣｒＶなどの下層２３、２３’をシード層２２、２２
’にスパッタ付着させ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの磁気層２４、２４’を下層２３
、２３’にスパッタ付着させる。エピタキシャル成長中、ＨＣＰパターンが形成
されてパターン化した層のテンプレートにほぼ従い、したがってパターン化した
境界が磁気粒子クラスタを分離し、それによって粒子の相互作用を最小にし、Ｓ
ＮＲを改善する。炭素を含有する保護オーバーコートなどの従来の保護オーバー
コート２５、２５’を、磁気層２４、２４’にスパッタ付着させ、従来の潤滑ト
ップコート２６、２６’をその上に形成する。例 Ａｌ層をＮｉＰ／Ａｌ基板にスパッタ付着させ、Ａｌ層を陽極処理して、磁気
記録ビット・サイズ・スケールに適した約５００Åの深さおよび約５００Åの直
径を有するほぼ六方形のセルを備えたほぼハニカム状の酸化Ａｌパターンを形成
することにより、本発明による磁気記録媒体を作成した。ＮｉＡｌシード層を陽
極処理Ａｌ層に付着させ、ＣｒＶ下層をＮｉＡｌシード層に付着させて、ＣｏＣ
ｒＰｔＴａ磁気層をＣｒＶ下層に付着させた。炭素を含有する保護オーバーコー
トをＣｏＣｒＰｔＴａ層に付着させた。Ａｌ層を４％のＨ3ＰＯ4溶液中で陽極処
理し、陽極処理の結果を図３に示し、図３の左手部分は陽極処理前のＡＬ層を示
し、右手部分は陽極処理後のハニカム構造を含む。
基板２０を備える。基板２０の各側に、陽極処理してスパッタ付着し、ほぼ六方
形の酸化アルミ・セルのほぼ均一なハニカム・パターンを備えるＡｌ層２１、２
１’を順次形成する。ＮｉＡｌなどのシード層２２、２２’をハニカム・パター
ンにスパッタ付着させる。ＣｒＶなどの下層２３、２３’をシード層２２、２２
’にスパッタ付着させ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの磁気層２４、２４’を下層２３
、２３’にスパッタ付着させる。エピタキシャル成長中、ＨＣＰパターンが形成
されてパターン化した層のテンプレートにほぼ従い、したがってパターン化した
境界が磁気粒子クラスタを分離し、それによって粒子の相互作用を最小にし、Ｓ
ＮＲを改善する。炭素を含有する保護オーバーコートなどの従来の保護オーバー
コート２５、２５’を、磁気層２４、２４’にスパッタ付着させ、従来の潤滑ト
ップコート２６、２６’をその上に形成する。例 Ａｌ層をＮｉＰ／Ａｌ基板にスパッタ付着させ、Ａｌ層を陽極処理して、磁気
記録ビット・サイズ・スケールに適した約５００Åの深さおよび約５００Åの直
径を有するほぼ六方形のセルを備えたほぼハニカム状の酸化Ａｌパターンを形成
することにより、本発明による磁気記録媒体を作成した。ＮｉＡｌシード層を陽
極処理Ａｌ層に付着させ、ＣｒＶ下層をＮｉＡｌシード層に付着させて、ＣｏＣ
ｒＰｔＴａ磁気層をＣｒＶ下層に付着させた。炭素を含有する保護オーバーコー
トをＣｏＣｒＰｔＴａ層に付着させた。Ａｌ層を４％のＨ3ＰＯ4溶液中で陽極処
理し、陽極処理の結果を図３に示し、図３の左手部分は陽極処理前のＡＬ層を示
し、右手部分は陽極処理後のハニカム構造を含む。
【００３５】 本発明を代表する磁気記録媒体を形成するのとほぼ同じ層およびほぼ同じ付着
条件を使用して、比較の（通常の）磁気記録媒体を作成したが、Ａｌ層を基板に
スパッタ付着させず、陽極処理しなかった。非破壊的回転ディスク磁力計を使用
して、両方の媒体の磁気特性を試験した。０．３５μインチ（８．９μｍｍ）の
ギャップ長を有し、２．１μインチ（５３．３μｍｍ）の名目高さで浮上する磁
気抵抗（ＭＲ）ヘッドを備えたGuzik 1601テスターを使用し、２４０ｋｆｃｉ（
キロフラックス変化／インチ）の線密度で記録特徴および媒体ノイズを測定した
。
条件を使用して、比較の（通常の）磁気記録媒体を作成したが、Ａｌ層を基板に
スパッタ付着させず、陽極処理しなかった。非破壊的回転ディスク磁力計を使用
して、両方の媒体の磁気特性を試験した。０．３５μインチ（８．９μｍｍ）の
ギャップ長を有し、２．１μインチ（５３．３μｍｍ）の名目高さで浮上する磁
気抵抗（ＭＲ）ヘッドを備えたGuzik 1601テスターを使用し、２４０ｋｆｃｉ（
キロフラックス変化／インチ）の線密度で記録特徴および媒体ノイズを測定した
。
【００３６】 試験結果を図４Ａおよび図４Ｂに示す。図４Ａは、比較の（通常の）媒体と本
発明による媒体（パターン化基板）の磁気特性を示す。図４Ａから、基板上にパ
ターンＡｌ層を使用するとＨｒが増加することが明白である。 図４Ｂは、本発明による磁気記録媒体が、比較の（通常の）磁気記録媒体と比
較して約０．５から約１ｄＢのＳＮＲの改善を呈することを示す。
発明による媒体（パターン化基板）の磁気特性を示す。図４Ａから、基板上にパ
ターンＡｌ層を使用するとＨｒが増加することが明白である。 図４Ｂは、本発明による磁気記録媒体が、比較の（通常の）磁気記録媒体と比
較して約０．５から約１ｄＢのＳＮＲの改善を呈することを示す。
【００３７】 本発明によると、面記録密度を増加させるため、非磁気基板上にパターン化し
た陽極処理酸化Ａｌ層を形成する。陽極処理パターンは、任意の非磁気基板上に
形成することができ、通常は、直径約５０Åから約５０００Åおよび深さ約５０
Åから約１０，０００Åの範囲にある１つの六方形単位格子を備える、ほぼ六方
形のハニカム構造を呈する。従来の磁電管スパッタリング技術を使用して、本発
明による磁気記録媒体を生成することができる。したがって、本発明は、既存の
生産設備に容易に取り込むことができる。本発明によって、Ｈｒが改善され、Ｓ
ＮＲおよびＳ*が改善された高面密度記録に適した磁気記録媒体を形成すること ができる。本発明は、パターン境界によって磁気粒子セルの分離を実行し、それ
によって磁気相互作用を抑制することによって、ＳＮＲの大幅な増加も達成する
。本発明により、様々なタイプの磁気記録媒体のいずれも、特に浮上高が改善さ
れた薄膜ディスクなどの磁気記録媒体を生産することができる。
た陽極処理酸化Ａｌ層を形成する。陽極処理パターンは、任意の非磁気基板上に
形成することができ、通常は、直径約５０Åから約５０００Åおよび深さ約５０
Åから約１０，０００Åの範囲にある１つの六方形単位格子を備える、ほぼ六方
形のハニカム構造を呈する。従来の磁電管スパッタリング技術を使用して、本発
明による磁気記録媒体を生成することができる。したがって、本発明は、既存の
生産設備に容易に取り込むことができる。本発明によって、Ｈｒが改善され、Ｓ
ＮＲおよびＳ*が改善された高面密度記録に適した磁気記録媒体を形成すること ができる。本発明は、パターン境界によって磁気粒子セルの分離を実行し、それ
によって磁気相互作用を抑制することによって、ＳＮＲの大幅な増加も達成する
。本発明により、様々なタイプの磁気記録媒体のいずれも、特に浮上高が改善さ
れた薄膜ディスクなどの磁気記録媒体を生産することができる。
【００３８】 本明細書の開示では、本発明の特定の実施形態およびその多様性のうち幾つか
の例のみを示し、述べている。本発明は種々の他の組合せおよび環境で使用する
ことができ、本明細書で表明しているような本発明の概念の範囲内で変更および
修正できることが理解される。
の例のみを示し、述べている。本発明は種々の他の組合せおよび環境で使用する
ことができ、本明細書で表明しているような本発明の概念の範囲内で変更および
修正できることが理解される。
【図１】 従来の磁気記録媒体構造を概略的に示す。
【図２】 本発明による磁気記録媒体構造を概略的に示す。
【図３】 本発明の実施形態による陽極処理前後のＮｉＰ／Ａｌ基板の原子間力顕微鏡（
ＡＦＭ）画像である。
ＡＦＭ）画像である。
【図４Ａ】 従来の磁気記録媒体と比較した本発明の実施形態のＨｒを示す。
【図４Ｂ】 従来の磁気記録媒体と比較した本発明の実施形態のＳＮＲを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 CA01 CA05 CA06 CB04 DA03 5D112 AA02 AA03 AA05 BA06 BB05 BD01 BD04 BD06 GA09 GA29
Claims (20)
- 【請求項１】 磁気記録媒体であって、 非磁気基板と、 アルミニウム（Ａｌ）またはＡｌ合金で構成される前記基板上の層であって、
上面に実質的に均一なパターンを有する層と、 磁気層とを有し、 前記パターンが磁気層上にほぼ再現されてデータ領域を形成する磁気記録媒体
。 - 【請求項２】 レーザでテクスチャ加工されたランディング領域をさらに有
する請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記パターンが、陽極処理によって形成された、酸化アルミ
ニウムの、実質的にハニカム状のパターンで構成される請求項１に記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 前記ハニカム・パターンが実質的に六方形のセルで構成され
る請求項３に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記セルが約５０Åから約５０００Åの直径および約５０Å
から約１０，０００Åの深さを有する請求項４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 ＡｌまたはＡｌ合金層が約５０Åから約５０００Åの厚さを
有する請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 ＡｌまたはＡｌ合金層が約５００Åから約１５００Åの厚さ
を有する請求項６に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 パターンを有するＡｌまたはＡｌ合金層上に直接設けられる
シード層と、 シード層上に設けられる下層と、 下層上に設けられる前記磁気層とをさらに有する請求項１に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項９】 前記基板がニッケル燐めっきされたＡｌまたはＡｌ合金で構
成され、 シード層がニッケル・アルミニウムで構成され、 下層がクロム・バナジウムで構成され、 磁気層がコバルト・クロム・プラチナ・タンタル合金で構成される請求項８に
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記基板がニッケル燐めっきされたアルミニウムまたはア
ルミニウム合金、またはガラス、セラミックまたはガラス・セラミック材料で構
成される請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 磁気記録媒体を製造する方法であって、 非磁気基板上にアルミニウム（Ａｌ）またはＡｌ合金の層を形成する段階と、 ＡｌまたはＡｌ合金層上に実質的に均一なパターンを形成する段階と、 磁気層を形成する段階とを含み、 前記パターンが磁気層上にほぼ再現されてデータ領域を形成する方法。
- 【請求項１２】 ＡｌまたはＡｌ合金層を陽極処理することによって前記パ
ターンを形成する段階を含み、該パターンが酸化アルミニウムで構成される請求
項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 ＡｌまたはＡｌ合金層を陽極処理して、実質的に六方形の
セルを含む実質的にハニカム状のパターンを形成する段階を含む請求項１２に記
載の方法。 - 【請求項１４】 セルが約５０Åから約５０００Åの直径および約５０Åか
ら約１０，０００Åの深さを有する請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 ＡｌまたはＡｌ合金層を約５０Åから約５０００Åの厚さ
にスパッタ堆積させる段階を含む請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１６】 ＡｌまたはＡｌ合金を約５００Åから約１５００Åの厚さ
にスパッタ堆積させる段階を含む、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 約１％から約１５％の燐酸水素を含む溶液で約１分から約
１５分間陽極処理する段階を含む請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記基板にレーザでテクスチャ加工して、ランディング領
域を形成するように磁気層上に実質的に再現されるテクスチャ区域を形成する段
階を含む請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１９】 パターンを有するＡｌまたはＡｌ合金層に直接シード層を
スパッタ堆積させる段階と、 下層をシード層上にスパッタ堆積させる段階と、 磁気層を下層上にスパッタ堆積させる段階とを含む請求項１１に記載の方法。 - 【請求項２０】 基板がニッケル燐めっきされたＡｌまたはＡｌ合金で構成
され、 シード層がニッケル・アルミニウムで構成され、 下層がクロム・バナジウムで構成され、 磁気層がコバルト・クロム・プラチナ・タンタルの合金で構成される、請求項
１９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7425398P | 1998-02-10 | 1998-02-10 | |
| US60/074,253 | 1998-02-10 | ||
| PCT/US1999/002670 WO1999040575A1 (en) | 1998-02-10 | 1999-02-10 | Magnetic recording medium with patterned substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002503009A true JP2002503009A (ja) | 2002-01-29 |
Family
ID=22118583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000530905A Pending JP2002503009A (ja) | 1998-02-10 | 1999-02-10 | パターン基板を有する磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002503009A (ja) |
| KR (1) | KR100629034B1 (ja) |
| DE (1) | DE19982817T1 (ja) |
| GB (1) | GB2350471B (ja) |
| WO (1) | WO1999040575A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000068941A1 (fr) * | 1999-05-11 | 2000-11-16 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication; enregistreur magnetique |
| US6999279B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-02-14 | Imation Corp. | Perpendicular patterned magnetic media |
| US7050251B2 (en) | 2003-06-25 | 2006-05-23 | Imation Corp. | Encoding techniques for patterned magnetic media |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5062021A (en) * | 1990-03-12 | 1991-10-29 | Magnetic Peripherals Inc. | Selectively textured magnetic recording media |
| US5470636A (en) * | 1991-03-15 | 1995-11-28 | Yamaha Corporation | Magnetic recording medium and method of producing it |
| JPH056539A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 情報記録媒体用スタンパの製造方法 |
| US5693426A (en) * | 1994-09-29 | 1997-12-02 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium with B2 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
| US5718811A (en) * | 1996-02-28 | 1998-02-17 | Seagate Technology, Inc. | Sputter textured magnetic recording medium |
| GB2334134B (en) * | 1996-10-17 | 2000-10-25 | Seagate Technology | Magnetic recording medium comprising a nickel aluminum or iron aluminum underlayer |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP2000530905A patent/JP2002503009A/ja active Pending
- 1999-02-10 DE DE19982817T patent/DE19982817T1/de not_active Withdrawn
- 1999-02-10 KR KR1020007008738A patent/KR100629034B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-10 WO PCT/US1999/002670 patent/WO1999040575A1/en active IP Right Grant
- 1999-02-10 GB GB0019477A patent/GB2350471B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100629034B1 (ko) | 2006-09-26 |
| DE19982817T1 (de) | 2001-03-22 |
| GB0019477D0 (en) | 2000-09-27 |
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| KR20010040843A (ko) | 2001-05-15 |
| GB2350471A (en) | 2000-11-29 |
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