JPH0719183B2 - プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 - Google Patents
プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置Info
- Publication number
- JPH0719183B2 JPH0719183B2 JP59113046A JP11304684A JPH0719183B2 JP H0719183 B2 JPH0719183 B2 JP H0719183B2 JP 59113046 A JP59113046 A JP 59113046A JP 11304684 A JP11304684 A JP 11304684A JP H0719183 B2 JPH0719183 B2 JP H0719183B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- bias
- detector
- power supply
- load electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ドライエツチング装置、プラズマCVD装置やR
Fスパツタリング装置等のプラズマ利用装置用のRF電力
供給制御装置に関するものである。
Fスパツタリング装置等のプラズマ利用装置用のRF電力
供給制御装置に関するものである。
従来の技術 従来、プラズマ利用装置におけるRF電力の制御には添附
図面の第２図に示すような回路装置が用いられてきた。
第２図においては１はRF電源で、その出力端には方向性
結合器２を介して反射波電力検出器３および前進波電力
検出器４が接続され、5,6はそれぞれ位相検出器および
値検出器、７はマツチング回路、８は自動マツチング制
御回路、９は出力制御回路10はプラズマ利用装置のRF電
極である。自動整合は検出器3,4により反射波電力が最
少、前進波電力が最大となるように制御し、方向性結合
器２を介して前進波信号を取り出し、出力制御回路９を
通して一定の出力を保つようにしている。
図面の第２図に示すような回路装置が用いられてきた。
第２図においては１はRF電源で、その出力端には方向性
結合器２を介して反射波電力検出器３および前進波電力
検出器４が接続され、5,6はそれぞれ位相検出器および
値検出器、７はマツチング回路、８は自動マツチング制
御回路、９は出力制御回路10はプラズマ利用装置のRF電
極である。自動整合は検出器3,4により反射波電力が最
少、前進波電力が最大となるように制御し、方向性結合
器２を介して前進波信号を取り出し、出力制御回路９を
通して一定の出力を保つようにしている。
このようにプラズマを利用する装置におけるプロセスパ
ラメータの中で印加するRF電力を設定値に対して常に一
定となるように自動制御することは、プロセスの再現性
や正確性を得るのに重要である。
ラメータの中で印加するRF電力を設定値に対して常に一
定となるように自動制御することは、プロセスの再現性
や正確性を得るのに重要である。
しかし第２図に示すような従来の方法では、RF電力をRF
電源１の出力端部で検出し、モニタしているため、配線
での損失、マツチング回路内での損失および電極部での
損失を全て含んでいるため正確な電極負荷での電力制御
を得ることができない。実際第２図の回路の接続点Ａに
おけるRF電圧波形は第３図のＡに示すような形態である
のに対して接続点Ｂには第３図のＢに示すように自己バ
イアス分だけずれたRF電圧波形が現われる。すなわち従
来のRF電力の制御は種々の損失を包含した形の電力を制
御していた。ところで例えばRFスパツタリングを用いて
コンピユータ装置用の磁気ヘツドを製造する場合、その
特性は直流バイアス分に大きく影響を受けることが見い
出された。
電源１の出力端部で検出し、モニタしているため、配線
での損失、マツチング回路内での損失および電極部での
損失を全て含んでいるため正確な電極負荷での電力制御
を得ることができない。実際第２図の回路の接続点Ａに
おけるRF電圧波形は第３図のＡに示すような形態である
のに対して接続点Ｂには第３図のＢに示すように自己バ
イアス分だけずれたRF電圧波形が現われる。すなわち従
来のRF電力の制御は種々の損失を包含した形の電力を制
御していた。ところで例えばRFスパツタリングを用いて
コンピユータ装置用の磁気ヘツドを製造する場合、その
特性は直流バイアス分に大きく影響を受けることが見い
出された。
発明が解決しようとする問題点 そこで本発明では、従来の方法では行なわれてなかつた
正確な電力負荷での電力制御を可能にするため放電負荷
電極部に発生するRF電圧を常に一定とするようにRF電力
を制御することを目的とする。
正確な電力負荷での電力制御を可能にするため放電負荷
電極部に発生するRF電圧を常に一定とするようにRF電力
を制御することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成するために、本発明によれば、放電負荷
電極部に近接して配置されこの放置負荷電極部における
直流バイアス電圧を検出する検出器と、この検出器から
の出力信号に応動してRF電力を制御し、上記放電負荷電
極部に現われる自己バイアス電圧を常に一定に保つよう
にするバイアス制御回路とを有して成るプラズマ利用装
置用のRF電力供給制御装置が提供される。
電極部に近接して配置されこの放置負荷電極部における
直流バイアス電圧を検出する検出器と、この検出器から
の出力信号に応動してRF電力を制御し、上記放電負荷電
極部に現われる自己バイアス電圧を常に一定に保つよう
にするバイアス制御回路とを有して成るプラズマ利用装
置用のRF電力供給制御装置が提供される。
作用 このように構成することによつて、本発明の装置は、放
電負荷電極部近くに接続した直流バイアス検出器からの
信号を基準にし常にバイアス電圧を一定とするようにRF
電力を自動制御することができ、それにより従来の方法
より一層正確なRF電力制御が可能となる。
電負荷電極部近くに接続した直流バイアス検出器からの
信号を基準にし常にバイアス電圧を一定とするようにRF
電力を自動制御することができ、それにより従来の方法
より一層正確なRF電力制御が可能となる。
実施例 以下添附図面の第１図を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図において、11はRF電源を成す高周波発振器であ
り、12は位相検出器、13はマツチング回路、14は自動マ
ツチング制御回路、15は方向性結合器、16,17はそれぞ
れ前進波電力計および反射波電力計であり、また18はプ
ラズマ利用装置19における放電負荷電極部である。上記
の回路素子は従来の場合のように図示の通り接続されて
いる。位相検出器12は反射波電力を常に最少に制御する
のに用いられる。
り、12は位相検出器、13はマツチング回路、14は自動マ
ツチング制御回路、15は方向性結合器、16,17はそれぞ
れ前進波電力計および反射波電力計であり、また18はプ
ラズマ利用装置19における放電負荷電極部である。上記
の回路素子は従来の場合のように図示の通り接続されて
いる。位相検出器12は反射波電力を常に最少に制御する
のに用いられる。
プラズマ利用装置19における放電負荷電極部18には図示
したようにバイアスプローブまたは電圧波高値プローブ
から成り得る検出器20が接続され、この検出器20の出力
はバイアスメータ21を介してバイアス制御回路22に接続
され、そしてこのバイアス制御回路22の出力はRF発振器
11に接続されている。検出器20は放電負荷電極部18にお
ける直流バイアス電圧を検出し、この出力信号はバイア
スメータ21を介してバイアス制御回路22に供給され、こ
のバイアス制御回路22は供給されたバイアス信号をバイ
アス設定値と比較し、その差に応じてRF発振器11を制御
して、放電負荷電極部18に発生するRF電圧（またはピー
ク電圧或いはDCバイアス電圧）が常に一定となるように
する。なお図示実施例において各部の回路構成は任意の
適当なものを使用できるので、その詳細についての説明
は省略するが、要は放電負荷電極部18またはそれにでき
るだけ近い部分における直流バイアス電圧を検出しそれ
を設定値と比較することによつてRF電力を制御し、その
結果放電負荷電極部18に発生する電圧が常に一定となる
ようにすればよい。
したようにバイアスプローブまたは電圧波高値プローブ
から成り得る検出器20が接続され、この検出器20の出力
はバイアスメータ21を介してバイアス制御回路22に接続
され、そしてこのバイアス制御回路22の出力はRF発振器
11に接続されている。検出器20は放電負荷電極部18にお
ける直流バイアス電圧を検出し、この出力信号はバイア
スメータ21を介してバイアス制御回路22に供給され、こ
のバイアス制御回路22は供給されたバイアス信号をバイ
アス設定値と比較し、その差に応じてRF発振器11を制御
して、放電負荷電極部18に発生するRF電圧（またはピー
ク電圧或いはDCバイアス電圧）が常に一定となるように
する。なお図示実施例において各部の回路構成は任意の
適当なものを使用できるので、その詳細についての説明
は省略するが、要は放電負荷電極部18またはそれにでき
るだけ近い部分における直流バイアス電圧を検出しそれ
を設定値と比較することによつてRF電力を制御し、その
結果放電負荷電極部18に発生する電圧が常に一定となる
ようにすればよい。
効果 以上説明してきたように、本発明では放電負荷電極18ま
たはそれにできるだけ近い部分における直流バイアス電
圧をモニタしてRF電力を制御するように構成しているの
で、配線での損失、マツチング回路内での損失或いは電
極部での損失を全て補償した形態でRF電力制御を行なう
ことができ、その結果正確な電極負荷での電力制御が可
能となり、プラズマ利用装置におけるプロセスの再現性
および正確性を大幅に向上させることができる。特にバ
イアス電圧が重要となるドライエツチング装置に応用し
た場合には正確かつ再現性のよい制御が可能となり、そ
の結果製造される製品の品質（特性）にばらつきがなく
なると共に大幅に向上させることができる。
たはそれにできるだけ近い部分における直流バイアス電
圧をモニタしてRF電力を制御するように構成しているの
で、配線での損失、マツチング回路内での損失或いは電
極部での損失を全て補償した形態でRF電力制御を行なう
ことができ、その結果正確な電極負荷での電力制御が可
能となり、プラズマ利用装置におけるプロセスの再現性
および正確性を大幅に向上させることができる。特にバ
イアス電圧が重要となるドライエツチング装置に応用し
た場合には正確かつ再現性のよい制御が可能となり、そ
の結果製造される製品の品質（特性）にばらつきがなく
なると共に大幅に向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロツク線図、第２図
は従来例を示すブロツク線図、第３図は第２図の回路に
おける波形を示す図である。 図中、11:RF電源、12:位相検出器、13:マツチング回
路、14:自動マツチング制御回路、18:放電負荷電極部、
19:プラズマ利用装置、20:バイアス検出器、22:バイア
ス制御回路。
は従来例を示すブロツク線図、第３図は第２図の回路に
おける波形を示す図である。 図中、11:RF電源、12:位相検出器、13:マツチング回
路、14:自動マツチング制御回路、18:放電負荷電極部、
19:プラズマ利用装置、20:バイアス検出器、22:バイア
ス制御回路。
Claims (1)
- 【請求項１】放電負荷電極部に近接して配置され、この
放置負荷電極部における自己バイアス電圧を検出する検
出器と、この検出器からの出力信号に応動してRF電力を
制御して上記放電負荷電極部に現れる自己バイアス電圧
を常に一定に保つようにするバイアス制御回路とを有す
ることを特徴とするプラズマ利用装置用のRF電力供給制
御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113046A JPH0719183B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113046A JPH0719183B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60256819A JPS60256819A (ja) | 1985-12-18 |
| JPH0719183B2 true JPH0719183B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14602115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113046A Expired - Fee Related JPH0719183B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719183B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897753A (en) * | 1997-05-28 | 1999-04-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Continuous deposition of insulating material using multiple anodes alternated between positive and negative voltages |
| WO2000063459A1 (en) | 1999-04-17 | 2000-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for deposition of diamond like carbon |
| US6818103B1 (en) | 1999-10-15 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561820A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-09 | Anelva Corp | Impedance automatic matching unit in high frequency gas discharge |
| JPS55112171A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Arc welding device |
| JPS5917222A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 多層磁性薄膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59113046A patent/JPH0719183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60256819A (ja) | 1985-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7206184B2 (en) | Vacuum plasma processor and method of operating same | |
| US20040035837A1 (en) | Addition of power at selected harmonics of plasma processor drive frequency | |
| JPS62110784A (ja) | 振動発生トランスデュ−サへの電力供給方法および同装置 | |
| JPH02257076A (ja) | ディジタルスクイド制御方式 | |
| JPH0620793A (ja) | 誘導結合プラズマ発生器 | |
| KR102570373B1 (ko) | 마이크로파 출력 장치 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH0719183B2 (ja) | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 | |
| JPH0233787B2 (ja) | Supatsutaringusochodenryokukyokyusochi | |
| JP2859308B2 (ja) | プラズマパラメーターの測定方法 | |
| JP3375500B2 (ja) | 放電加工方法および放電加工装置 | |
| JP2619403B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理終点判定方法 | |
| JPH0615963B2 (ja) | うず電流式距離検出装置 | |
| JPS568563A (en) | Measuring device for reactance change | |
| JP3984868B2 (ja) | プラズマエッチング装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備えるプラズマエッチング装置 | |
| JPS62127182A (ja) | 高周波溶接機におけるインピ−ダンスマツチング方法 | |
| JPH11243078A (ja) | プラズマ終点判定方法 | |
| SU1499214A2 (ru) | Вихретоковый способ контрол параметров немагнитного электропровод щего сло и зазора | |
| JPH02213903A (ja) | 制御装置 | |
| JPH0324991B2 (ja) | ||
| JPH0992590A (ja) | 半導体装置のための真空装置 | |
| JPH081454B2 (ja) | 特性測定方法 | |
| JPS63132148A (ja) | 核磁気共鳴装置におけるシム電流自動調整装置 | |
| JPS60208835A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| SU1696848A1 (ru) | Вихретоковое устройство дл измерени параметров изделий | |
| JPH0229748B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |