JPS60256819A - プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 - Google Patents
プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置Info
- Publication number
- JPS60256819A JPS60256819A JP11304684A JP11304684A JPS60256819A JP S60256819 A JPS60256819 A JP S60256819A JP 11304684 A JP11304684 A JP 11304684A JP 11304684 A JP11304684 A JP 11304684A JP S60256819 A JPS60256819 A JP S60256819A
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- voltage
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
０ＶＤ装置やＲＦスノξツタリング装置等のプラズマ利
用装置用のａＦ電力供給制御装置に関するものである。
用装置用のａＦ電力供給制御装置に関するものである。
従来の技術
従来、プラズマ利用装置におけるＲＦ電力の制御には添
附図面の第２図に示すような回路装置が用いられてきた
。第２図においてｌはＲ． Ｆ電源で。
附図面の第２図に示すような回路装置が用いられてきた
。第２図においてｌはＲ． Ｆ電源で。
その出力端には方向性結合器コを介して反射波電力検出
器３および前進波電力検出器グが接続され。
器３および前進波電力検出器グが接続され。
ｊ，Ｊはそれぞれ位相検出器および値検出器、７はマツ
チング回路、ｇは自動マツチング制御回路。
チング回路、ｇは自動マツチング制御回路。
タは出力制御回路１０はプラズマ利用装置のＲＦ電極で
ある。自動整合は検出器３．グにより反射波電力が最少
，前進波電力が最大となるように制御し、方向性結合器
λを介して前進波信号を取り出し、出力制御回路タを通
して一定の出力を保つようにしている。
ある。自動整合は検出器３．グにより反射波電力が最少
，前進波電力が最大となるように制御し、方向性結合器
λを介して前進波信号を取り出し、出力制御回路タを通
して一定の出力を保つようにしている。
このようにプラズマを利用する装置におけるプロセスパ
ラメータの中で印加するＲＦ電力を設定値に対して常に
一定となるように自動制御することは、プロセスの再現
性や正確性を得るのに重要である。
ラメータの中で印加するＲＦ電力を設定値に対して常に
一定となるように自動制御することは、プロセスの再現
性や正確性を得るのに重要である。
しかし第２図に示すような従来の方法では，ＲＦ電力を
ＲＦ電源／の出力端部で検出し，モニタしているため，
配線での損失，マツチング回路内での損失および電極部
での損失を全て含んでいるため正確な電極負荷での電力
制御を得ることができない。実際第２図の回路の接続点
へにおけるＲＦ電圧波形は第３図のｋに示すような形態
であるのに対して接続点Ｂには第３図のＢに示すように
直流ノ々イアス分だけずれたＲＦ電圧波形が現われる。
ＲＦ電源／の出力端部で検出し，モニタしているため，
配線での損失，マツチング回路内での損失および電極部
での損失を全て含んでいるため正確な電極負荷での電力
制御を得ることができない。実際第２図の回路の接続点
へにおけるＲＦ電圧波形は第３図のｋに示すような形態
であるのに対して接続点Ｂには第３図のＢに示すように
直流ノ々イアス分だけずれたＲＦ電圧波形が現われる。
すなわち従来のＲＦ電力の制御は種々の損失を包含した
形の電力を制御していた。ところで例えばＦｔＦスパッ
タリングを用いてコンピュータ装置用の磁気ヘッドを製
造する場合、その特性は直流バイアス分に太きく影響を
受けることが見い出された。
形の電力を制御していた。ところで例えばＦｔＦスパッ
タリングを用いてコンピュータ装置用の磁気ヘッドを製
造する場合、その特性は直流バイアス分に太きく影響を
受けることが見い出された。
発明が解決しようとする問題点
そこで本発明では、従来の方法では行なわれてなかった
正確な電力負荷での電力制御を可能にするため放電負荷
電極部に発生するＲＦ電圧を常に一定とするようにＲＦ
電力を制御することを目的とする。
正確な電力負荷での電力制御を可能にするため放電負荷
電極部に発生するＲＦ電圧を常に一定とするようにＲＦ
電力を制御することを目的とする。
問題点を解決するだめの手段
上記目的を達成するために５本発明によれば、放電負荷
電極部に近接して配置されこの放電負荷電極部における
直流ノ々イアス電圧を検出する検出器と、この検出器か
らの出力信号に応動してＥＬＦ電力を制御し、上記放電
負荷電極部に現われるノ々イアス電圧を常に一定に保つ
ようにするノ々イアス制御回路とを有して成るプラズマ
利用装置用のＲＦ電力供給制御装置が提供される。
電極部に近接して配置されこの放電負荷電極部における
直流ノ々イアス電圧を検出する検出器と、この検出器か
らの出力信号に応動してＥＬＦ電力を制御し、上記放電
負荷電極部に現われるノ々イアス電圧を常に一定に保つ
ようにするノ々イアス制御回路とを有して成るプラズマ
利用装置用のＲＦ電力供給制御装置が提供される。
作用
このように構成することによって、本発明の装置は、放
電負荷電極部近くに接続した直流ノ々イアス検出器から
の信号を基準にし常にノ々イアス電圧を一定とするよう
にＦＬＦ電力を目動制御することができ、それによシ従
来の方法より一層正確なＲ，Ｆ電力制御が可能となる。
電負荷電極部近くに接続した直流ノ々イアス検出器から
の信号を基準にし常にノ々イアス電圧を一定とするよう
にＦＬＦ電力を目動制御することができ、それによシ従
来の方法より一層正確なＲ，Ｆ電力制御が可能となる。
実施例
以下添附図面の第１図を参照して本発明の一層１７′°
“１６１“６・ ５．ｊ 第１図において、／／はＲ，Ｆ電源を成す高周波 野発
振器であり、／、２は位相検出器、／３はマツチング回
路、／４（は自動マツチング制御回路、ｉｓは方向性結
合器、／ｌ、／７はそれぞれ前進波電力計および反射波
電力計であり、また／ｒはプラズマ利用装置／りにおけ
る放電負荷電極部である。
“１６１“６・ ５．ｊ 第１図において、／／はＲ，Ｆ電源を成す高周波 野発
振器であり、／、２は位相検出器、／３はマツチング回
路、／４（は自動マツチング制御回路、ｉｓは方向性結
合器、／ｌ、／７はそれぞれ前進波電力計および反射波
電力計であり、また／ｒはプラズマ利用装置／りにおけ
る放電負荷電極部である。
上記の回路素子は従来の場合のように図示の通り接続さ
れている。位相検出器／２は反射波電力を常に最少に制
御するのに用いられる。
れている。位相検出器／２は反射波電力を常に最少に制
御するのに用いられる。
プラズマ利用装Ｒ／りにおける放電負荷電極部／ｒには
図示したように）々イアスジローブまたは電圧波高値プ
ローブから成り得る検出器２０が接続され、この検出器
２０の出力はノ々イアスメータ、２１を介してノ々イア
ス制御回路２−に接続され、そしてこのノ々イアス制御
回路２２の出力はＲＦ発振器／／に接続されている。検
出器２０は放電負荷電極部／ｇにおける直流／々イアス
電圧を検出し、この出力信号はバイアス制御回路／を介
シてバイアス制御回路２２に供給され、このノ々イアス
制御回路２２は供給されたノ々イアス信号をノ々イアス
設定値と比較し、その差に応じてＦＬＦ発振器ｌ／を制
御して、放電負荷電極部ｉｔに発生するＲＦ電圧（また
はぎ−り電圧或いはＤＯ／々イアス電圧）が常に一定と
なるようにする。なお圀示実施例において各部の回路構
成は任意の適当なものを使用できるので、その詳細につ
いての説明は省略するが、要は放電負荷電極部／ｇまた
はそれにできるだけ近い部分における直流ノ々イアス電
圧を検出しそれを設定値と比較することによってＲＦ電
力を制御し、その結果放電負荷電極部／ｇに発生する電
圧が常に一定となるようにすればよい。
図示したように）々イアスジローブまたは電圧波高値プ
ローブから成り得る検出器２０が接続され、この検出器
２０の出力はノ々イアスメータ、２１を介してノ々イア
ス制御回路２−に接続され、そしてこのノ々イアス制御
回路２２の出力はＲＦ発振器／／に接続されている。検
出器２０は放電負荷電極部／ｇにおける直流／々イアス
電圧を検出し、この出力信号はバイアス制御回路／を介
シてバイアス制御回路２２に供給され、このノ々イアス
制御回路２２は供給されたノ々イアス信号をノ々イアス
設定値と比較し、その差に応じてＦＬＦ発振器ｌ／を制
御して、放電負荷電極部ｉｔに発生するＲＦ電圧（また
はぎ−り電圧或いはＤＯ／々イアス電圧）が常に一定と
なるようにする。なお圀示実施例において各部の回路構
成は任意の適当なものを使用できるので、その詳細につ
いての説明は省略するが、要は放電負荷電極部／ｇまた
はそれにできるだけ近い部分における直流ノ々イアス電
圧を検出しそれを設定値と比較することによってＲＦ電
力を制御し、その結果放電負荷電極部／ｇに発生する電
圧が常に一定となるようにすればよい。
効果
以上説明してきたように、本発明では放電負荷電極部／
♂またはそれにできるだけ近い部分における直流ノ々イ
アス電圧をモニタしてＲＦ電力を制御するように構成し
ているので、配線での損失、マツチング回路内での損失
或いは電極部での損失を全て補償した形態でｔｌＦ電力
制御を行なうことができ、その結果正確な電極負荷での
電力制御が可能とな＃）、プラズマ利用装置におけるプ
ロセスの再現性および正確性を大幅に向上させることが
できる。特にノ々イアス電圧が重要となるドライエツチ
ング装置に応用した場合には正確かつ再現性のよい制御
が可能となυ、その結果製造される製品の品質（特性）
にばらつきがなくなると共にプ幅に向上させることがで
きる。
♂またはそれにできるだけ近い部分における直流ノ々イ
アス電圧をモニタしてＲＦ電力を制御するように構成し
ているので、配線での損失、マツチング回路内での損失
或いは電極部での損失を全て補償した形態でｔｌＦ電力
制御を行なうことができ、その結果正確な電極負荷での
電力制御が可能とな＃）、プラズマ利用装置におけるプ
ロセスの再現性および正確性を大幅に向上させることが
できる。特にノ々イアス電圧が重要となるドライエツチ
ング装置に応用した場合には正確かつ再現性のよい制御
が可能となυ、その結果製造される製品の品質（特性）
にばらつきがなくなると共にプ幅に向上させることがで
きる。
第１因は本発明の一実施例を示すブロック線図、第２図
は従来例を示すブロック線図、第３図は醇２区の回路に
おける波形を示す図である。 図中、／／：ＥＬＦ電源、／２：位相検出器、／シ：マ
ッチング回路、／り：自動マツチング制御回路、／ｒ：
放電負荷電極部、ｌり：プラズマ利用装置、、２ｏ：バ
イアス検出器１．２２：バイアス制御回路。 第１図 第２図
は従来例を示すブロック線図、第３図は醇２区の回路に
おける波形を示す図である。 図中、／／：ＥＬＦ電源、／２：位相検出器、／シ：マ
ッチング回路、／り：自動マツチング制御回路、／ｒ：
放電負荷電極部、ｌり：プラズマ利用装置、、２ｏ：バ
イアス検出器１．２２：バイアス制御回路。 第１図 第２図
Claims (1)
- 放電負荷電極部に近接して配置されこの放電負荷電極部
における直流ノ々イアス電圧を検出する検出器と、この
検出器からの出力信号に応動してＲ，Ｆ電力を制御し上
記放電負荷電極部に現われるノ々イアス電圧を常に一定
に保つようにするバイアス制御回路とを有することを特
徴とするプラズマ利用装置用のＲＦ電力供給制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113046A JPH0719183B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113046A JPH0719183B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60256819A true JPS60256819A (ja) | 1985-12-18 |
| JPH0719183B2 JPH0719183B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14602115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113046A Expired - Fee Related JPH0719183B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | プラズマ利用装置用のｒｆ電力供給制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719183B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818103B1 (en) | 1999-10-15 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems |
| US6818257B2 (en) | 1999-04-17 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of providing a material processing ion beam |
| EP1016122B1 (en) * | 1997-05-28 | 2006-07-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Continuous deposition of insulating material using multiple anodes alternated between positive and negative voltages |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561820A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-09 | Anelva Corp | Impedance automatic matching unit in high frequency gas discharge |
| JPS55112171A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Arc welding device |
| JPS5917222A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 多層磁性薄膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59113046A patent/JPH0719183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561820A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-09 | Anelva Corp | Impedance automatic matching unit in high frequency gas discharge |
| JPS55112171A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Arc welding device |
| JPS5917222A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 多層磁性薄膜の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1016122B1 (en) * | 1997-05-28 | 2006-07-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Continuous deposition of insulating material using multiple anodes alternated between positive and negative voltages |
| US6818257B2 (en) | 1999-04-17 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of providing a material processing ion beam |
| US6818103B1 (en) | 1999-10-15 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719183B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |