JPH07191451A - リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク - Google Patents
リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスクInfo
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- JPH07191451A JPH07191451A JP33124993A JP33124993A JPH07191451A JP H07191451 A JPH07191451 A JP H07191451A JP 33124993 A JP33124993 A JP 33124993A JP 33124993 A JP33124993 A JP 33124993A JP H07191451 A JPH07191451 A JP H07191451A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子線による描画や検査の際のチャージアッ
プを防止し得る帯電防止層を有するリソグラフィー用マ
スクブランクおよびこのブランクを素材としたリソグラ
フィー用マスクを提供する。 【構成】 亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピ
ネル型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸
化物からなる帯電防止層を有することを特徴とするリソ
グラフィー用パターニングマスクブランク、および亜
鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピネル型結晶を
含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物からなる
帯電防止層を有することを特徴とするリソグラフィー用
パターニングマスク。
プを防止し得る帯電防止層を有するリソグラフィー用マ
スクブランクおよびこのブランクを素材としたリソグラ
フィー用マスクを提供する。 【構成】 亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピ
ネル型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸
化物からなる帯電防止層を有することを特徴とするリソ
グラフィー用パターニングマスクブランク、および亜
鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピネル型結晶を
含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物からなる
帯電防止層を有することを特徴とするリソグラフィー用
パターニングマスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィー用マス
クブランク及びリソグラフィー用マスクに関する。
クブランク及びリソグラフィー用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体素子の製造のためのリソグラフィー工程に用いられる
フォトマスクにおいては、電子線を用いた描画の際のチ
ャージアップを防止したり、静電気によってマスクに塵
が付着するのを防止するために、帯電防止膜を設ける場
合があり、この帯電防止膜として透明導電材料である酸
化錫（ＳｎＯ2 ）膜や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）膜が用いられている。
体素子の製造のためのリソグラフィー工程に用いられる
フォトマスクにおいては、電子線を用いた描画の際のチ
ャージアップを防止したり、静電気によってマスクに塵
が付着するのを防止するために、帯電防止膜を設ける場
合があり、この帯電防止膜として透明導電材料である酸
化錫（ＳｎＯ2 ）膜や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）膜が用いられている。
【０００３】ところで半導体素子の高集積化にともなっ
てリソグラフィー工程に用いられる投影露光技術には、
転写可能なパターンのより微細化、高解像度化が要求さ
れており、その方法として、露光波長の短波長化である
ＫｒＦエキシマレーザー露光と、露光光の位相変調を利
用した位相シフト法およびこれらの併用が提案されてい
る。
てリソグラフィー工程に用いられる投影露光技術には、
転写可能なパターンのより微細化、高解像度化が要求さ
れており、その方法として、露光波長の短波長化である
ＫｒＦエキシマレーザー露光と、露光光の位相変調を利
用した位相シフト法およびこれらの併用が提案されてい
る。
【０００４】この位相シフト法において、光の位相を反
転させる位相シフターの材料としては、例えば液相法や
気相法によって形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類
似の材料からなる透明な薄膜や、ハーフトーンシフター
と称する透過率が１５％以下の薄膜が用いられており、
位相シフターの形成は、位相シフト層上に塗布した電子
線レジストを電子線描画してレジストパターンを形成し
た後、レジストパターンをマスクとして位相シフト層を
ドライエッチングすることにより行なわれている。しか
し、この位相シフターの形成において位相シフト層上に
塗布した電子線レジストへの電子線描画を行う際に、透
明基板上のいずれかの層が導電性を有していないとチャ
ージアップを起こしてしまい、描画パターンの変形が生
じてしまうという問題がある。
転させる位相シフターの材料としては、例えば液相法や
気相法によって形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類
似の材料からなる透明な薄膜や、ハーフトーンシフター
と称する透過率が１５％以下の薄膜が用いられており、
位相シフターの形成は、位相シフト層上に塗布した電子
線レジストを電子線描画してレジストパターンを形成し
た後、レジストパターンをマスクとして位相シフト層を
ドライエッチングすることにより行なわれている。しか
し、この位相シフターの形成において位相シフト層上に
塗布した電子線レジストへの電子線描画を行う際に、透
明基板上のいずれかの層が導電性を有していないとチャ
ージアップを起こしてしまい、描画パターンの変形が生
じてしまうという問題がある。
【０００５】この問題を解決するために、導電性を有
し、帯電防止層としての作用を有する層を基板と位相シ
フト層の間に設けた位相シフトマスクブランクが提案さ
れている。この帯電防止層の存在により、電子線描画時
にチャージアップを起こすことなく、位相シフトマスク
を作製することができる。
し、帯電防止層としての作用を有する層を基板と位相シ
フト層の間に設けた位相シフトマスクブランクが提案さ
れている。この帯電防止層の存在により、電子線描画時
にチャージアップを起こすことなく、位相シフトマスク
を作製することができる。
【０００６】このような特性を有する位相シフトマスク
ブランクの帯電防止層としても、酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜
や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）膜が提案されてい
る。
ブランクの帯電防止層としても、酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜
や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）膜が提案されてい
る。
【０００７】しかしながら酸化錫やＩＴＯ膜ではＫｒＦ
エキシマレーザーの波長である２４８ｎｍの透過率が低
いため、エキシマレーザー露光用フォトマスクまたは位
相シフトマスクの材料としては不適当である。
エキシマレーザーの波長である２４８ｎｍの透過率が低
いため、エキシマレーザー露光用フォトマスクまたは位
相シフトマスクの材料としては不適当である。
【０００８】またＸ線マスクにおいては、露光時の位置
合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光を透過させて
行われるが、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設けること
によりアライメント光の透過率を高めることができる。
合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光を透過させて
行われるが、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設けること
によりアライメント光の透過率を高めることができる。
【０００９】ところで、Ｘ線マスクにおいて、Ｘ線吸収
膜の微細なパターンの検査は電子線を用いた手法により
行われるが、導電性を有するＸ線透過膜上にＡｌ2 Ｏ3
等の導電性を有しない物質を反射防止膜として設ける
と、電子線によるチャージアップが生じ検査精度が著し
く低下する。したがって、この際にも電子線によるチャ
ージアップが生じないように帯電防止層が必要となる。
膜の微細なパターンの検査は電子線を用いた手法により
行われるが、導電性を有するＸ線透過膜上にＡｌ2 Ｏ3
等の導電性を有しない物質を反射防止膜として設ける
と、電子線によるチャージアップが生じ検査精度が著し
く低下する。したがって、この際にも電子線によるチャ
ージアップが生じないように帯電防止層が必要となる。
【００１０】従って本発明は、電子線による描画や検査
の際のチャージアップを防止し得る帯電防止層を有する
リソグラフィー用マスクブランクおよびこのブランクを
素材としたリソグラフィー用マスクを提供することを目
的とする。
の際のチャージアップを防止し得る帯電防止層を有する
リソグラフィー用マスクブランクおよびこのブランクを
素材としたリソグラフィー用マスクを提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するものであり、 （Ａ）亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピネル
型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物
からなる帯電防止層を有することを特徴とするリソグラ
フィー用パターニングマスクブランク および （Ｂ）亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピネル
型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物
からなる帯電防止層を有することを特徴とするリソグラ
フィー用パターニングマスクを要旨とする。
するものであり、 （Ａ）亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピネル
型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物
からなる帯電防止層を有することを特徴とするリソグラ
フィー用パターニングマスクブランク および （Ｂ）亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなるスピネル
型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物
からなる帯電防止層を有することを特徴とするリソグラ
フィー用パターニングマスクを要旨とする。
【００１２】上記のリソグラフィー用パターニングマス
クブランク（Ａ）およびリソグラフィー用パターニング
マスク（Ｂ）において、後述する理由により、帯電防止
層の組成は、Ｚｎに対するＧａとＡｌの合計の元素比が
１．４から２．６で、ＧａとＡｌの合計を１としたとき
のＡｌの割合が０より大きく０．９以下であるのが好ま
しい。
クブランク（Ａ）およびリソグラフィー用パターニング
マスク（Ｂ）において、後述する理由により、帯電防止
層の組成は、Ｚｎに対するＧａとＡｌの合計の元素比が
１．４から２．６で、ＧａとＡｌの合計を１としたとき
のＡｌの割合が０より大きく０．９以下であるのが好ま
しい。
【００１３】またリソグラフィー用マスクブランク
（Ａ）の好ましい態様は、これらに限定されるものでは
ないが、フォトマスクブランク（ａ１）、位相シフトマ
スクブランク（ａ２）、Ｘ線マスクブランク（ａ３）で
ある。
（Ａ）の好ましい態様は、これらに限定されるものでは
ないが、フォトマスクブランク（ａ１）、位相シフトマ
スクブランク（ａ２）、Ｘ線マスクブランク（ａ３）で
ある。
【００１４】ここにフォトマスクブランク（ａ１）と
は、透明基板上に遮光層と、亜鉛、ガリウム、アルミニ
ウムからなるスピネル型結晶を含み、かつキャリアを有
する導電性複合酸化物（以下、ＺｎＧａＡｌ酸化物とい
う）からなる帯電防止層とを少なくとも有するものであ
る。
は、透明基板上に遮光層と、亜鉛、ガリウム、アルミニ
ウムからなるスピネル型結晶を含み、かつキャリアを有
する導電性複合酸化物（以下、ＺｎＧａＡｌ酸化物とい
う）からなる帯電防止層とを少なくとも有するものであ
る。
【００１５】また位相シフトマスクブランク（ａ２）と
は、透明基板上に遮光層と、位相シフト層と、ＺｒＧａ
Ａｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必
要に応じてエッチング停止層を有するものである。
は、透明基板上に遮光層と、位相シフト層と、ＺｒＧａ
Ａｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必
要に応じてエッチング停止層を有するものである。
【００１６】さらにＸ線マスクブランク（ａ３）とは、
支持枠にその周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上
に、Ｘ線吸収層と、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。
支持枠にその周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上
に、Ｘ線吸収層と、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。
【００１７】またリソグラフィー用マスク（Ｂ）の好ま
しい態様は、これらに限定されるものではないが、フォ
トマスク（ｂ１）、位相シフトマスク（ｂ２）、Ｘ線マ
スク（ｂ３）である。
しい態様は、これらに限定されるものではないが、フォ
トマスク（ｂ１）、位相シフトマスク（ｂ２）、Ｘ線マ
スク（ｂ３）である。
【００１８】ここにフォトマスク（ｂ１）とは、透明基
板上に遮光層パターンと、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる
帯電防止層とを少なくとも有するものである。
板上に遮光層パターンと、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる
帯電防止層とを少なくとも有するものである。
【００１９】また位相シフトマスク（ｂ２）とは、透明
基板上に、遮光層パターンと、位相シフト層パターン
と、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なく
とも有し、必要に応じてエッチング停止層を有するもの
である。
基板上に、遮光層パターンと、位相シフト層パターン
と、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なく
とも有し、必要に応じてエッチング停止層を有するもの
である。
【００２０】さらにＸ線マスク（ｂ３）とは、支持枠に
その周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上に、Ｘ線
吸収層パターンと、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。
その周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上に、Ｘ線
吸収層パターンと、ＺｒＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。
【００２１】本発明のリソグラフィー用マスクブランク
およびリソグラフィー用マスクにおいて、帯電防止層を
構成するＺｎＧａＡｌ酸化物膜が導電性を有するために
は、スピネル型の結晶構造となっていることが必要であ
る。ＺｎＧａＡｌ酸化物膜の結晶性を高めるために成膜
温度以上１２００℃以下の温度でのアニールが効果的で
ある。１２００℃以上では透明基板の変形が生じマスク
としての精度が低下する。アニール時の雰囲気としては
大気中の他、酸素や不活性ガスが好ましい。但し、必要
とする導電性との兼ね合いにより、成膜後のアニール工
程は省略することが可能である。
およびリソグラフィー用マスクにおいて、帯電防止層を
構成するＺｎＧａＡｌ酸化物膜が導電性を有するために
は、スピネル型の結晶構造となっていることが必要であ
る。ＺｎＧａＡｌ酸化物膜の結晶性を高めるために成膜
温度以上１２００℃以下の温度でのアニールが効果的で
ある。１２００℃以上では透明基板の変形が生じマスク
としての精度が低下する。アニール時の雰囲気としては
大気中の他、酸素や不活性ガスが好ましい。但し、必要
とする導電性との兼ね合いにより、成膜後のアニール工
程は省略することが可能である。
【００２２】またＺｎＧａＡｌ酸化物膜が導電性を有す
るための他の条件として、キャリアを有することが必要
であるが、キャリアのドープは次の方法により可能とな
る。第１の方法は酸素欠陥の導入であり、これはＺｎＧ
ａＡｌ酸化物膜の還元熱処理等により行うことができ
る。他の方法としてはＺｎ2+やＧａ3+よりも価数の高い
イオンを各イオンのサイトにドープすることにより生じ
る電子を注入する方法があり、スパッタ成膜時のターゲ
ット内へのドープや、形成した膜へのイオン注入等が可
能である。
るための他の条件として、キャリアを有することが必要
であるが、キャリアのドープは次の方法により可能とな
る。第１の方法は酸素欠陥の導入であり、これはＺｎＧ
ａＡｌ酸化物膜の還元熱処理等により行うことができ
る。他の方法としてはＺｎ2+やＧａ3+よりも価数の高い
イオンを各イオンのサイトにドープすることにより生じ
る電子を注入する方法があり、スパッタ成膜時のターゲ
ット内へのドープや、形成した膜へのイオン注入等が可
能である。
【００２３】前記の還元熱処理を行う条件としては、水
素を含むガスや一酸化炭素、炭素を含む雰囲気等各種の
還元雰囲気を用いることが可能であり、前述のアニール
と同様に成膜温度以上１２００℃以下の温度が好まし
い。
素を含むガスや一酸化炭素、炭素を含む雰囲気等各種の
還元雰囲気を用いることが可能であり、前述のアニール
と同様に成膜温度以上１２００℃以下の温度が好まし
い。
【００２４】本発明において帯電防止層を構成するＺｎ
ＧａＡｌ酸化物膜は、エネルギーバンドギャップが例え
ば約５．２ｅＶ［Ｚｎ（Ｇａ(1-X) ＡｌX ）2 Ｏ4 ；Ｘ
＝０．２］であるため波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザー光の透過率が高く、波長３００ｎｍから可視域
の範囲ではほとんど吸収がなく透明であり、エキシマレ
ーザー露光が可能である。このことは、従来の帯電防止
層材料の酸化錫やＩＴＯではＫｒＦエキシマレーザーの
波長での透過率が低くエキシマレーザー露光用マスク材
料として不適当であることと対比すると、本発明におけ
る帯電防止膜の顕著な効果である。
ＧａＡｌ酸化物膜は、エネルギーバンドギャップが例え
ば約５．２ｅＶ［Ｚｎ（Ｇａ(1-X) ＡｌX ）2 Ｏ4 ；Ｘ
＝０．２］であるため波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザー光の透過率が高く、波長３００ｎｍから可視域
の範囲ではほとんど吸収がなく透明であり、エキシマレ
ーザー露光が可能である。このことは、従来の帯電防止
層材料の酸化錫やＩＴＯではＫｒＦエキシマレーザーの
波長での透過率が低くエキシマレーザー露光用マスク材
料として不適当であることと対比すると、本発明におけ
る帯電防止膜の顕著な効果である。
【００２５】本発明において帯電防止層の組成は、Ｚｎ
に対するＧａとＡｌの合計の元素比が１．４から２．６
であるのが好ましい。
に対するＧａとＡｌの合計の元素比が１．４から２．６
であるのが好ましい。
【００２６】すなわちＺｎに対するＧａとＡｌの合計の
元素比は必ずしも２でなくても良く、２を中心にして±
０．４すなわち１．６〜２．４としても所望の導電性が
得られる。特に好ましい元素比は１．７〜２．３であ
る。
元素比は必ずしも２でなくても良く、２を中心にして±
０．４すなわち１．６〜２．４としても所望の導電性が
得られる。特に好ましい元素比は１．７〜２．３であ
る。
【００２７】またＺｎＧａＡｌ酸化物を示す式Ｚｎ（Ｇ
ａ(1-X) ＡｌX ）2 Ｏ4 において、ＧａとＡｌの合計を
１としたときのＡｌの割合（Ｘ）は０より大きく０．９
以下であるのが好ましい。これはＡｌの割合（Ｘ）の値
が大きくなるに従ってエネルギーバンドギャップが大き
くなり紫外線の透過率が高くなる一方、０．９を超える
と膜の電気伝導度が低下するからである。より実用的な
Ａｌの割合（Ｘ）の範囲は０．０１〜０．９である。
ａ(1-X) ＡｌX ）2 Ｏ4 において、ＧａとＡｌの合計を
１としたときのＡｌの割合（Ｘ）は０より大きく０．９
以下であるのが好ましい。これはＡｌの割合（Ｘ）の値
が大きくなるに従ってエネルギーバンドギャップが大き
くなり紫外線の透過率が高くなる一方、０．９を超える
と膜の電気伝導度が低下するからである。より実用的な
Ａｌの割合（Ｘ）の範囲は０．０１〜０．９である。
【００２８】ＺｎＧａＡｌ酸化物膜の膜厚は、必要とす
る透過率及び膜の抵抗値によって決定され、波長２４８
ｎｍでの透過率が７５％以上、膜の抵抗値が１０ＭΩ／
□以下であればよい。
る透過率及び膜の抵抗値によって決定され、波長２４８
ｎｍでの透過率が７５％以上、膜の抵抗値が１０ＭΩ／
□以下であればよい。
【００２９】ＺｎＧａＡｌ酸化物膜の作製方法として
は、スパッター法、真空蒸着法、アブレージョン法やゾ
ル−ゲル法等が利用可能である。
は、スパッター法、真空蒸着法、アブレージョン法やゾ
ル−ゲル法等が利用可能である。
【００３０】本発明のリソグラフィー用マスクブランク
およびリソグラフィー用マスクにおいて用いられる透明
基板は露光光に対して透明なものであればよく、石英ガ
ラス、アルミノボロシリケートガラス等が挙げられる。
およびリソグラフィー用マスクにおいて用いられる透明
基板は露光光に対して透明なものであればよく、石英ガ
ラス、アルミノボロシリケートガラス等が挙げられる。
【００３１】またフォトマスクブランク（ａ１）および
位相シフトマスクブランク（ａ２）における遮光層の材
料としては、マスクを通して被転写体上に必要とされる
コントラストを有するパターンを転写できる物質であれ
ば良く、クロムや酸化クロム等が用いられる。また、転
写時の解像度以下の線幅で形成した位相シフター群によ
って遮光部を形成することができる（シフター遮光
型）。
位相シフトマスクブランク（ａ２）における遮光層の材
料としては、マスクを通して被転写体上に必要とされる
コントラストを有するパターンを転写できる物質であれ
ば良く、クロムや酸化クロム等が用いられる。また、転
写時の解像度以下の線幅で形成した位相シフター群によ
って遮光部を形成することができる（シフター遮光
型）。
【００３２】また位相シフトマスクブランク（ａ２）に
おける位相シフト層の材料としては、露光光に対して透
明な材料であれば良く、例えば液相法や気相法によって
形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類似の材料からな
る透明な薄膜が用いられる。また、ハーフトーンシフタ
ーと称する透過率が１５％以下の薄膜も用いられる。
おける位相シフト層の材料としては、露光光に対して透
明な材料であれば良く、例えば液相法や気相法によって
形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類似の材料からな
る透明な薄膜が用いられる。また、ハーフトーンシフタ
ーと称する透過率が１５％以下の薄膜も用いられる。
【００３３】ところで位相シフトマスクの製造において
は、位相シフトマスクブランクの位相シフト層をレジス
トパターンをマスクとしてドライエッチングすることに
より、位相シフター（位相シフト層パターン）を形成す
るが、位相シフト層と透明性基板とのエッチング速度の
差が小さいと、エッチング時間を長めにとった場合、基
板までエッチングされてしまい、目的とする位相差が得
られなくなってしまうという問題が生じる。そこで通常
はエッチング停止層を位相シフト層と基板との間に設け
ることが行なわれているが、本発明の位相シフトマスク
ブランクにおける帯電防止層は位相シフト層のエッチン
グ条件によっては十分なエッチング耐性を有し、エッチ
ング停止層を兼ねることもできる。しかしエッチング条
件によっては、帯電防止層が十分なエッチング耐性を有
しない場合もあり、このような場合には、エッチング耐
性を有するＡｌ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との混合
物、ＭｇＦ2 などの材料を用いて、エッチング停止層を
位相シフト層と帯電防止層との間に形成するのが好まし
い。
は、位相シフトマスクブランクの位相シフト層をレジス
トパターンをマスクとしてドライエッチングすることに
より、位相シフター（位相シフト層パターン）を形成す
るが、位相シフト層と透明性基板とのエッチング速度の
差が小さいと、エッチング時間を長めにとった場合、基
板までエッチングされてしまい、目的とする位相差が得
られなくなってしまうという問題が生じる。そこで通常
はエッチング停止層を位相シフト層と基板との間に設け
ることが行なわれているが、本発明の位相シフトマスク
ブランクにおける帯電防止層は位相シフト層のエッチン
グ条件によっては十分なエッチング耐性を有し、エッチ
ング停止層を兼ねることもできる。しかしエッチング条
件によっては、帯電防止層が十分なエッチング耐性を有
しない場合もあり、このような場合には、エッチング耐
性を有するＡｌ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との混合
物、ＭｇＦ2 などの材料を用いて、エッチング停止層を
位相シフト層と帯電防止層との間に形成するのが好まし
い。
【００３４】また既述のようにＸ線マスクにおいては、
露光時の位置合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光
を透過させて行われ、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設
けることによりアライメント光の透過率を高めることが
できるが、本発明のＸ線マスクブランクにおいて帯電防
止層は、アライメント光に対して高い透過率を有し、反
射防止膜を兼ねることもできる。
露光時の位置合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光
を透過させて行われ、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設
けることによりアライメント光の透過率を高めることが
できるが、本発明のＸ線マスクブランクにおいて帯電防
止層は、アライメント光に対して高い透過率を有し、反
射防止膜を兼ねることもできる。
【００３５】ＺｎＧａＡｌ酸化物膜を反射防止膜として
用いる場合の膜厚（ｄ）は、膜の屈折率をｎとすると膜
の干渉条件から ｄ＝（２ｍ＋１）λ／４ｎ （但し、ｍは正の整数、λはアライメント光の波長）と
することにより反射率を最低限に抑えることができる。
用いる場合の膜厚（ｄ）は、膜の屈折率をｎとすると膜
の干渉条件から ｄ＝（２ｍ＋１）λ／４ｎ （但し、ｍは正の整数、λはアライメント光の波長）と
することにより反射率を最低限に抑えることができる。
【００３６】また本発明のＸ線マスクブランクにおい
て、帯電防止層とともに別途反射防止層を設けることが
できるのはもちろんである。
て、帯電防止層とともに別途反射防止層を設けることが
できるのはもちろんである。
【００３７】
【実施例】以下実施例により本発明を更に説明する。
【００３８】第１実施例（フォトマスクブランクおよび
フォトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度２５℃でＺｎ（Ｇａ0.95Ａｌ0.05）2 Ｏ4 から
なる、厚さ２００オングストロームの膜を形成した。こ
の酸化物膜付き石英基板を、大気中８００℃で５時間ア
ニールした後、水素を含む７００℃の還元雰囲気で５時
間処理を行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２
４８ｎｍにおいて８１％と高い値が得られ、シート抵抗
は３５０ｋΩ／□であった。Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
フォトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度２５℃でＺｎ（Ｇａ0.95Ａｌ0.05）2 Ｏ4 から
なる、厚さ２００オングストロームの膜を形成した。こ
の酸化物膜付き石英基板を、大気中８００℃で５時間ア
ニールした後、水素を含む７００℃の還元雰囲気で５時
間処理を行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２
４８ｎｍにおいて８１％と高い値が得られ、シート抵抗
は３５０ｋΩ／□であった。Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
【００３９】ついで、Ｚｎ（Ｇａ0.95Ａｌ0.05）2 Ｏ4
からなる帯電防止層上にＤＣスパッタリングによりクロ
ム遮光層を形成してフォトマスクブランクを作製した。
からなる帯電防止層上にＤＣスパッタリングによりクロ
ム遮光層を形成してフォトマスクブランクを作製した。
【００４０】つぎに、上記フォトマスクブランクの遮光
層上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線描画機を
用いてレジストへの電子線露光を行った。レジストの現
像後、クロム遮光層のエッチング加工を行い、さらに残
存するレジスト層を取り除くことにより、フォトマスク
を得た。
層上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線描画機を
用いてレジストへの電子線露光を行った。レジストの現
像後、クロム遮光層のエッチング加工を行い、さらに残
存するレジスト層を取り除くことにより、フォトマスク
を得た。
【００４１】得られたフォトマスクの描画パターンに
は、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置ず
れはみられず、帯電防止効果により塵の付着も少なかっ
た。
は、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置ず
れはみられず、帯電防止効果により塵の付着も少なかっ
た。
【００４２】第２実施例（位相シフトマスクブランクお
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度３００℃、Ｏ2 ／Ａｒ＝２０％の雰囲気で、焼
結体をターゲットとして、Ｚｎ（Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 ）2
Ｏ4 からなる、厚さ１２０オングストロームの膜を形成
した。この酸化物膜付き石英基板を、大気中９００℃で
５時間アニールした後、水素を含む７００℃の還元雰囲
気中で５時間処理を行った。得られた帯電防止層の透過
率は波長２４８ｎｍにおいて８２％と高い値が得られ、
シート抵抗は６００ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折
による分析の結果、スピネル型結晶が析出していること
が確められた。
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度３００℃、Ｏ2 ／Ａｒ＝２０％の雰囲気で、焼
結体をターゲットとして、Ｚｎ（Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 ）2
Ｏ4 からなる、厚さ１２０オングストロームの膜を形成
した。この酸化物膜付き石英基板を、大気中９００℃で
５時間アニールした後、水素を含む７００℃の還元雰囲
気中で５時間処理を行った。得られた帯電防止層の透過
率は波長２４８ｎｍにおいて８２％と高い値が得られ、
シート抵抗は６００ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折
による分析の結果、スピネル型結晶が析出していること
が確められた。
【００４３】次に、この帯電防止層上にスピンオングラ
スをスピンコートし３００℃でベークすることにより膜
厚２５００オングストロームの位相シフト層を形成し
た。
スをスピンコートし３００℃でベークすることにより膜
厚２５００オングストロームの位相シフト層を形成し
た。
【００４４】ついで、位相シフト層上にＤＣスパッター
によりクロム遮光層を形成して、図１に示すように、透
明基板１上に帯電防止層２、位相シフト層３、遮光層４
を順次有する位相シフトマスクブランクを得た。
によりクロム遮光層を形成して、図１に示すように、透
明基板１上に帯電防止層２、位相シフト層３、遮光層４
を順次有する位相シフトマスクブランクを得た。
【００４５】つぎに、位相シフトマスクブランクのクロ
ム遮光層４上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線
描画機を用いてレジストへの電子線露光を行い、レジス
トの現像後クロム遮光層４のエッチング加工を行った。
つぎに再度電子線レジストを塗布し、位相シフターパタ
ーンの電子線露光を行い、レジストの現像後、ドライエ
ッチングにより位相シフト層の加工を行い、さらに残存
するレジスト層を取り除くことにより、図２に示すよう
に石英基板１上に帯電防止層２、位相シフター（位相シ
フト層パターン）３ａ、遮光部（遮光層パターン）４ａ
を順次有する位相シフトマスクを得た。
ム遮光層４上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線
描画機を用いてレジストへの電子線露光を行い、レジス
トの現像後クロム遮光層４のエッチング加工を行った。
つぎに再度電子線レジストを塗布し、位相シフターパタ
ーンの電子線露光を行い、レジストの現像後、ドライエ
ッチングにより位相シフト層の加工を行い、さらに残存
するレジスト層を取り除くことにより、図２に示すよう
に石英基板１上に帯電防止層２、位相シフター（位相シ
フト層パターン）３ａ、遮光部（遮光層パターン）４ａ
を順次有する位相シフトマスクを得た。
【００４６】上記ドライエッチングはＣＦ4 とＯ2 を用
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行ったが、位
相シフト層３と帯電防止層２のエッチング速度比（選択
比）として２４という値が得られ、このことから、帯電
防止層２のエッチング速度が位相シフト層３のエッチン
グ速度の１／２４と著しく小さく、帯電防止層２はエッ
チング停止層としての機能も有することが明らかとなっ
た。なお、このエッチング速度比（選択比）の値は、組
成式Ｚｎ（Ｇａ(1-X) ＡｌX ）2 Ｏ4 中のＸが大きいほ
ど大きくなる傾向がみられ、従って、帯電防止層２にエ
ッチング停止層としての機能をもたせるには、Ａｌの含
有量を増加させればよいことが判った。
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行ったが、位
相シフト層３と帯電防止層２のエッチング速度比（選択
比）として２４という値が得られ、このことから、帯電
防止層２のエッチング速度が位相シフト層３のエッチン
グ速度の１／２４と著しく小さく、帯電防止層２はエッ
チング停止層としての機能も有することが明らかとなっ
た。なお、このエッチング速度比（選択比）の値は、組
成式Ｚｎ（Ｇａ(1-X) ＡｌX ）2 Ｏ4 中のＸが大きいほ
ど大きくなる傾向がみられ、従って、帯電防止層２にエ
ッチング停止層としての機能をもたせるには、Ａｌの含
有量を増加させればよいことが判った。
【００４７】得られた位相シフトマスクの描画パターン
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
【００４８】第３実施例（位相シフトマスクブランクお
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度１００℃で、Ｚｎ（Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 ）2 Ｏ4
からなる、厚さ３０００オングストロームの膜を形成し
た。この酸化物膜付き石英基板を、大気中９００℃で５
時間アニールした後、水素を含む６００℃の還元雰囲気
中で５時間処理を行った。得られた帯電防止層の透過率
は波長２４８ｎｍにおいて８４％と高い値が得られ、シ
ート抵抗は４５０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折に
よる分析の結果、スピネル型結晶が析出していることが
確められた。
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度１００℃で、Ｚｎ（Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 ）2 Ｏ4
からなる、厚さ３０００オングストロームの膜を形成し
た。この酸化物膜付き石英基板を、大気中９００℃で５
時間アニールした後、水素を含む６００℃の還元雰囲気
中で５時間処理を行った。得られた帯電防止層の透過率
は波長２４８ｎｍにおいて８４％と高い値が得られ、シ
ート抵抗は４５０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折に
よる分析の結果、スピネル型結晶が析出していることが
確められた。
【００４９】次に、このＺｎ（Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 ）2 Ｏ
4 からなる帯電防止層上にエッチング停止層として厚さ
１００オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 層を同じくＲＦマ
グネトロンスパッタリングにより形成した。
4 からなる帯電防止層上にエッチング停止層として厚さ
１００オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 層を同じくＲＦマ
グネトロンスパッタリングにより形成した。
【００５０】さらに、このエッチング停止層上にスピン
オングラスをスピンコートし３００℃でベークすること
により厚さ２５００オングストロームの位相シフト層を
形成した。
オングラスをスピンコートし３００℃でベークすること
により厚さ２５００オングストロームの位相シフト層を
形成した。
【００５１】ついで、この位相シフト層上にＤＣスパッ
ターによりクロム遮光層を形成して、図３に示すように
石英基板１上に帯電防止層２、エッチング停止層５、位
相シフト層３、クロム遮光層４を順次有する位相シフト
マスクブランクを作製した。
ターによりクロム遮光層を形成して、図３に示すように
石英基板１上に帯電防止層２、エッチング停止層５、位
相シフト層３、クロム遮光層４を順次有する位相シフト
マスクブランクを作製した。
【００５２】つぎに、クロム遮光層４上に電子線レジス
トを塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの
電子線露光を行い、レジストの現像後、クロム遮光層４
のエッチング加工を行った。つぎに再度電子線レジスト
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行い、
レジストの現像後、ドライエッチングにより位相シフト
層の加工を行った後、さらに残存するレジスト層を取り
除くことにより、図４に示すように石英基板１上に帯電
防止層２、エッチング停止層５、位相シフター（位相シ
フトパターン）３ａ、遮光部（遮光膜パターン）４ａを
順次有する位相シフトマスクを得た。
トを塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの
電子線露光を行い、レジストの現像後、クロム遮光層４
のエッチング加工を行った。つぎに再度電子線レジスト
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行い、
レジストの現像後、ドライエッチングにより位相シフト
層の加工を行った後、さらに残存するレジスト層を取り
除くことにより、図４に示すように石英基板１上に帯電
防止層２、エッチング停止層５、位相シフター（位相シ
フトパターン）３ａ、遮光部（遮光膜パターン）４ａを
順次有する位相シフトマスクを得た。
【００５３】得られた位相シフトマスクの描画パターン
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
【００５４】第４実施例（位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度１００℃でＺｎ（Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 ）2.2 Ｏ
4.1 からなる厚さ３００オングストロームの膜を形成し
た。この酸化物膜付き石英基板を、大気中９００℃で５
時間アニールした後、水素を含む６５０℃の還元雰囲気
中で５時間処理を行った。得られた帯電防止層の透過率
は波長２４８ｎｍにおいて８４％と高い値が得られ、シ
ート抵抗は１０００ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折
による分析の結果、スピネル型結晶が析出していること
が確められた。
成膜温度１００℃でＺｎ（Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 ）2.2 Ｏ
4.1 からなる厚さ３００オングストロームの膜を形成し
た。この酸化物膜付き石英基板を、大気中９００℃で５
時間アニールした後、水素を含む６５０℃の還元雰囲気
中で５時間処理を行った。得られた帯電防止層の透過率
は波長２４８ｎｍにおいて８４％と高い値が得られ、シ
ート抵抗は１０００ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折
による分析の結果、スピネル型結晶が析出していること
が確められた。
【００５５】ついで、ＤＣスパッターによりクロム遮光
層を形成し、つぎにクロム遮光層上に電子線レジストを
塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの電子
線露光を行った。そしてレジストの現像後クロム遮光層
のエッチング加工を行い、さらに残存するレジスト層を
取り除くことにより、クロム遮光層パターンを形成し
た。
層を形成し、つぎにクロム遮光層上に電子線レジストを
塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの電子
線露光を行った。そしてレジストの現像後クロム遮光層
のエッチング加工を行い、さらに残存するレジスト層を
取り除くことにより、クロム遮光層パターンを形成し
た。
【００５６】さらに、その上にスピンオングラスをスピ
ンコートし３００℃でベークすることにより膜厚２５０
０オングストロームの位相シフト層を形成した。
ンコートし３００℃でベークすることにより膜厚２５０
０オングストロームの位相シフト層を形成した。
【００５７】つぎに、位相シフト層上に電子線レジスト
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行っ
た。そしてレジストの現像後、ドライエッチングにより
位相シフト層の加工を行い、さらに残存するレジスト層
を取り除くことにより、図５に示すように石英基板１上
に帯電防止層２、遮光部（遮光層パターン）４ａ、位相
シフター（位相シフトパターン）３ａを順次有する位相
シフトマスクを得た。なお、帯電防止層２は、エッチン
グによる遮光層パターン４ａおよび位相シフトパターン
３ａの形成に際してエッチング停止層の機能を果した。
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行っ
た。そしてレジストの現像後、ドライエッチングにより
位相シフト層の加工を行い、さらに残存するレジスト層
を取り除くことにより、図５に示すように石英基板１上
に帯電防止層２、遮光部（遮光層パターン）４ａ、位相
シフター（位相シフトパターン）３ａを順次有する位相
シフトマスクを得た。なお、帯電防止層２は、エッチン
グによる遮光層パターン４ａおよび位相シフトパターン
３ａの形成に際してエッチング停止層の機能を果した。
【００５８】得られた位相シフトマスクの描画パターン
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
【００５９】第５実施例（Ｘ線マスクブランクおよびＸ
線マスク） 図６は本実施例のＸ線マスクブランクおよびＸ線マスク
の製造工程説明図である。以下、図６を参照にしながら
説明する。
線マスク） 図６は本実施例のＸ線マスクブランクおよびＸ線マスク
の製造工程説明図である。以下、図６を参照にしながら
説明する。
【００６０】まず、シリコン（Ｓｉ）基板６の両面にそ
れぞれ炭化珪素からなるＸ線透過膜７Ａ及び７Ｂを形成
した（図６（Ａ））。なお、シリコン基板６には、結晶
方位（１００）のシリコン基板を用いた。また、Ｘ線透
過膜７Ａ、７Ｂを構成する炭化珪素は、ジクロロシラン
とアセチレンを用いてＣＶＤ法により１μｍの厚みに堆
積させた。
れぞれ炭化珪素からなるＸ線透過膜７Ａ及び７Ｂを形成
した（図６（Ａ））。なお、シリコン基板６には、結晶
方位（１００）のシリコン基板を用いた。また、Ｘ線透
過膜７Ａ、７Ｂを構成する炭化珪素は、ジクロロシラン
とアセチレンを用いてＣＶＤ法により１μｍの厚みに堆
積させた。
【００６１】次に、上記Ｘ線透過膜７Ａ上に、ＲＦマグ
ネトロンスパッタリングにより、成膜温度１００℃でＺ
ｎ（Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 ）1.7 Ｏ3.9 からなる厚さ８６０
オングストロームの膜を形成したのち、水素を含む６５
０℃の還元雰囲気中で５時間処理を行って帯電防止層８
を形成した（図６（Ｂ））。得られた帯電防止層のシー
ト抵抗は３３５０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折に
よる分析の結果、スピネル型結晶が析出していることが
確められた。
ネトロンスパッタリングにより、成膜温度１００℃でＺ
ｎ（Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 ）1.7 Ｏ3.9 からなる厚さ８６０
オングストロームの膜を形成したのち、水素を含む６５
０℃の還元雰囲気中で５時間処理を行って帯電防止層８
を形成した（図６（Ｂ））。得られた帯電防止層のシー
ト抵抗は３３５０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折に
よる分析の結果、スピネル型結晶が析出していることが
確められた。
【００６２】次に、帯電防止層８の上にＸ線吸収膜９を
構成するＴａ膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により
０．８μｍの厚さに形成してＸ線マスクブランクを得た
（図６（Ｃ））。
構成するＴａ膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により
０．８μｍの厚さに形成してＸ線マスクブランクを得た
（図６（Ｃ））。
【００６３】次に、Ｘ線吸収膜９の上に電子線レジスト
を塗布して電子線によりレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクにして反応性イオンビーム
エッチングを施し、Ｘ線吸収膜パターン９ａを形成した
（図６（Ｄ））。
を塗布して電子線によりレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクにして反応性イオンビーム
エッチングを施し、Ｘ線吸収膜パターン９ａを形成した
（図６（Ｄ））。
【００６４】次に、基板６のもう一方の側（裏側）に形
成されているＸ線透過膜７Ｂを、ドライエッチングによ
りその中央部を除去し、さらに、裏面に残ったＸ線透過
膜７Ｂをマスクとして、ＮａＯＨ水溶液によりシリコン
基板６の中央部を除去し、支持枠６ａを得た（図６
（Ｅ））。
成されているＸ線透過膜７Ｂを、ドライエッチングによ
りその中央部を除去し、さらに、裏面に残ったＸ線透過
膜７Ｂをマスクとして、ＮａＯＨ水溶液によりシリコン
基板６の中央部を除去し、支持枠６ａを得た（図６
（Ｅ））。
【００６５】次に、支持枠６ａに自立されたＸ線透過膜
７Ａの図中下側の面（裏面）に反射防止層１０としてＡ
ｌ2 Ｏ3 膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により０．０
９６μｍの厚さに形成してＸ線マスクを得た（図６
（Ｆ））。
７Ａの図中下側の面（裏面）に反射防止層１０としてＡ
ｌ2 Ｏ3 膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により０．０
９６μｍの厚さに形成してＸ線マスクを得た（図６
（Ｆ））。
【００６６】得られたマスクは、Ｘ線吸収膜パターン９
ａを除く部分での波長６３３ｎｍでの透過率は８２％で
あり、アライメントを行ったところ、充分なアライメン
ト精度によりシリコンウエハ上に転写されたことが確認
された。また、電子線によるマスクの検査もチャージア
ップが全く生じず、高精度で敏速な検査が可能であっ
た。
ａを除く部分での波長６３３ｎｍでの透過率は８２％で
あり、アライメントを行ったところ、充分なアライメン
ト精度によりシリコンウエハ上に転写されたことが確認
された。また、電子線によるマスクの検査もチャージア
ップが全く生じず、高精度で敏速な検査が可能であっ
た。
【００６７】本実施例において、ＺｎＧａＡｌ酸化物か
らなる帯電防止層は、表面側の反射防止膜としても機能
するものであるが、表面側の反射防止膜をＡｌ2 Ｏ3 等
の導電性を有しない材料で形成し、その上にＺｎＧａＡ
ｌ酸化物からなる帯電防止層を設けることもできる。
らなる帯電防止層は、表面側の反射防止膜としても機能
するものであるが、表面側の反射防止膜をＡｌ2 Ｏ3 等
の導電性を有しない材料で形成し、その上にＺｎＧａＡ
ｌ酸化物からなる帯電防止層を設けることもできる。
【００６８】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明によれば、電
子線による描画や検査の際のチャージアップを防止し得
る帯電防止層を有するリソグラフィー用マスクブランク
およびこのブランクを素材としたリソグラフィー用マス
クが提供された。
子線による描画や検査の際のチャージアップを防止し得
る帯電防止層を有するリソグラフィー用マスクブランク
およびこのブランクを素材としたリソグラフィー用マス
クが提供された。
【００６９】上記帯電防止層はエキシマレーザーに対す
る透明性を有し、この帯電防止層を設けたマスクブラン
クは、エキシマレーザー露光用フォトマスクブランクお
よび位相シフトマスクブランクとして好適である。
る透明性を有し、この帯電防止層を設けたマスクブラン
クは、エキシマレーザー露光用フォトマスクブランクお
よび位相シフトマスクブランクとして好適である。
【００７０】また上記帯電防止層は位相シフト層のドラ
イエッチング条件によってはエッチング耐性を有し、位
相シフトマスクブランクにおいて、エッチング停止層を
兼ねることもできる。
イエッチング条件によってはエッチング耐性を有し、位
相シフトマスクブランクにおいて、エッチング停止層を
兼ねることもできる。
【００７１】また上記帯電防止層は、Ｘ線マスクブラン
クおよびＸ線マスクにおける反射防止層を兼ねることも
できる。
クおよびＸ線マスクにおける反射防止層を兼ねることも
できる。
【図１】本発明の第２実施例の位相シフトマスクブラン
クの構成を示す断面図である。
クの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の位相シフトマスクの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施例の位相シフトマスクブラン
クの構成を示す断面図である。
クの構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例の位相シフトマスクの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の第４実施例の位相シフトマスクの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の第５実施例のＸ線マスクの製造工程説
明図である。
明図である。
１ 透明基板 ２ 帯電防止層 ３ 位相シフト層 ３ａ 位相シフター（位相シフト層パターン） ４ 遮光層 ４ａ 遮光部（遮光層パターン） ５ エッチング停止層 ６ 基板 ６ａ 支持枠 ７Ａ，７Ｂ Ｘ線透過膜 ８ 帯電防止膜 ９ Ｘ線吸収膜 ９ａ Ｘ線吸収膜パターン １０ 反射防止膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また位相シフトマスクブランク（ａ２）と
は、透明基板上に遮光層と、位相シフト層と、ＺｎＧａ
Ａｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必
要に応じてエッチング停止層を有するものである。
は、透明基板上に遮光層と、位相シフト層と、ＺｎＧａ
Ａｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必
要に応じてエッチング停止層を有するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】さらにＸ線マスクブランク（ａ３）とは、
支持枠にその周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上
に、Ｘ線吸収層と、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。
支持枠にその周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上
に、Ｘ線吸収層と、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】ここにフォトマスク（ｂ１）とは、透明基
板上に遮光層パターンと、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる
帯電防止層とを少なくとも有するものである。
板上に遮光層パターンと、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる
帯電防止層とを少なくとも有するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また位相シフトマスク（ｂ２）とは、透明
基板上に、遮光層パターンと、位相シフト層パターン
と、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なく
とも有し、必要に応じてエッチング停止層を有するもの
である。
基板上に、遮光層パターンと、位相シフト層パターン
と、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる帯電防止層とを少なく
とも有し、必要に応じてエッチング停止層を有するもの
である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】さらにＸ線マスク（ｂ３）とは、支持枠に
その周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上に、Ｘ線
吸収層パターンと、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。 ─────────────────────────────────────────────────────
その周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上に、Ｘ線
吸収層パターンと、ＺｎＧａＡｌ酸化物からなる帯電防
止層とを少なくとも有し、必要に応じて反射防止層を有
するものである。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また位相シフトマスクブランク（ａ２）と
は、透明基板上に位相シフト層と、ＺｎＧａＡｌ酸化物
からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じて
遮光層と、エッチング停止層を有するものである。
は、透明基板上に位相シフト層と、ＺｎＧａＡｌ酸化物
からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じて
遮光層と、エッチング停止層を有するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また位相シフトマスク（ｂ２）とは、透明
基板上に、位相シフト層パターンと、ＺｎＧａＡｌ酸化
物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じ
て遮光層パターンと、エッチング停止層を有するもので
ある。
基板上に、位相シフト層パターンと、ＺｎＧａＡｌ酸化
物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じ
て遮光層パターンと、エッチング停止層を有するもので
ある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】本発明において帯電防止層の組成は、Ｚｎ
に対するＧａとＡｌの合計の元素比が１．６から２．４
であるのが好ましい。
に対するＧａとＡｌの合計の元素比が１．６から２．４
であるのが好ましい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (10)
- 【請求項１】 亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなる
スピネル型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複
合酸化物からなる帯電防止層を有することを特徴とする
リソグラフィー用パターニングマスクブランク。 - 【請求項２】 上記帯電防止層の組成が、Ｚｎに対する
ＧａとＡｌの合計の元素比が１．４から２．６で、Ｇａ
とＡｌの合計を１としたときのＡｌの割合が０より大き
く０．９以下である、請求項１に記載のリソグラフィー
用パターニングマスクブランク。 - 【請求項３】 フォトマスクブランク、位相シフトマス
クブランクまたはＸ線マスクブランクである、請求項１
または２に記載のリソグラフィー用パターニングマスク
ブランク。 - 【請求項４】 リソグラフィー用パターニングマスクブ
ランクが位相シフトマスクブランクであり、その帯電防
止層がエッチング停止層でもある、請求項３に記載のリ
ソグラフィー用パターニングマスクブランク。 - 【請求項５】 リソグラフィー用パターニングマスクブ
ランクがＸ線マスクブランクであり、その帯電防止層が
反射防止層でもある、請求項３に記載のリソグラフィー
用パターニングマスクブランク。 - 【請求項６】 亜鉛、ガリウム、アルミニウムからなる
スピネル型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複
合酸化物からなる帯電防止層を有することを特徴とする
リソグラフィー用パターニングマスク。 - 【請求項７】 上記帯電防止層の組成が、Ｚｎに対する
ＧａとＡｌの合計の元素比が１．４から２．６で、Ｇａ
とＡｌの合計を１としたときのＡｌの割合が０より大き
く０．９以下である、請求項６に記載のリソグラフィー
用パターニングマスク。 - 【請求項８】 フォトマスク、位相シフトマスクまたは
Ｘ線マスクである、請求項６または７に記載のリソグラ
フィー用パターニングマスク。 - 【請求項９】 リソグラフィー用パターニングマスクが
位相シフトマスクであり、その帯電防止層がエッチング
停止層でもある、請求項８に記載のリソグラフィー用パ
ターニングマスク。 - 【請求項１０】 リソグラフィー用パターニングマスク
がＸ線マスクであり、その帯電防止層が反射防止膜でも
ある、請求項８に記載のリソグラフィー用パターニング
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33124993A JP3373919B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33124993A JP3373919B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07191451A true JPH07191451A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3373919B2 JP3373919B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=18241574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33124993A Expired - Fee Related JP3373919B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373919B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180291B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Static resistant reticle |
| KR100313423B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2001-11-05 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 산란 마스크, 하전 입자 빔 리소그래피 장치 및 리소그래피 공정 |
| JP2009122295A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク |
| JP2011096838A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法ならびにマスクパターン検査方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33124993A patent/JP3373919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313423B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2001-11-05 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 산란 마스크, 하전 입자 빔 리소그래피 장치 및 리소그래피 공정 |
| US6180291B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Static resistant reticle |
| JP2009122295A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク |
| JP2011096838A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法ならびにマスクパターン検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3373919B2 (ja) | 2003-02-04 |
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