JPH0717963A - 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 表示素子あるいは電気光学素子に用いられる
液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒドロピラ
ン誘導体、それを含有する液晶組成物及び液晶素子の開
発。 【構成】 下記式 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基、
Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３及びＲ^４は水素又は炭素数１〜２０の
直鎖又は分岐鎖アルキル基、炭素数２〜１５のアルケニ
ル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基、Ｘ^１及びＸ^６
は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ−又は単結合、Ｘ^２及
びＸ^５は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ_２Ｏ−，−Ｏ
Ｈ_２−，−Ｃ Ｃ−又は単結合、Ｘ^３は−ＣＯＯ−，−ＣＨ_２Ｏ−又は
−Ｏ−，Ｘ^４は−ＯＣＨ_２−，−Ｏ−又は−ＯＣＯ−、
＊は不斉炭素、Ａ，Ｂ，Ｄ及びＥは置換または無置換の
含六員環基、ｍ及びｎは０または１を示す。〕で表され
る光学活性テトロヒドロピラン誘導体、それを含有する
液晶組成物及び液晶素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子に
関し、詳しくは、表示素子あるいは電気光学素子に用い
られる液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒド
ロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素
子または新規なラセミ混合物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の表示素子，電子光学デバイ
ス，液晶センサなど、液晶の利用分野が著しく拡大しつ
つあり、それに伴って様々な構造の液晶化合物が提案さ
れてきた。特に、表示素子に用いられる液晶材料は、現
在のところネマティック液晶が主流であり、これを用い
たＴＮ型あるいはＳＴＮ型の単純マトリックス方式及び
個々の画素ごとに薄膜トランジスタを付与したＴＦＴ型
のアクティブマトリックス方式が用いられている。しか
し、ネマティック液晶は、その駆動力が液晶材料の誘電
率の異方性と電場との弱い相互作用に基づくため、本質
的に応答速度が遅い（msecオーダー）という欠点を有し
ており、高速応答を要求される大画面の表示素子の材料
としては不利であった。これに対して、１９７５年マイ
ヤー( R. B. Meyer ) らにより初めて合成された強誘電
性液晶は、自発分極を有し、これが直接電界と作用する
ため、駆動力が大きく、１９８０年にクラーク( N. A.
Clark ）らが表面安定化型強誘電性液晶素子（ＳＳＦＬ
ＣＤ）において、そのμｓｅｃオーダーの高速応答性と
メモリー性を発表して以来、注目を集め、これまで多く
の強誘電性液晶化合物が合成されてきた。

【０００３】強誘電性液晶の応答速度はτ＝η／（Ｐｓ
・Ｅ）で知られている。ここでηは回転粘性を示し、Ｐ
ｓは自発分極を示し、Ｅは電界強度を示す。これから、
高速応答性を得るため、粘性が小さく、自発分極の大き
な液晶材料が開発目標とされてきた。また、液晶材料と
しては、化学的安定性，広動作温度範囲などの特性が要
求されるが、単一の化合物でこれらの諸特性を満たすこ
とは困難であった。したがって、従来、複数のカイラル
スメクチックＣ相（ＳｍＣ^* 相) を有する化合物どうし
を混合したり、粘性の低いスメクチックＣ相（ＳｍＣ
相）を有する母体液晶に光学活性な化合物を添加して所
望の性能を有するＳｍＣ^* 相を示す強誘電性液晶組成物
を得る方法が用いられてきた。後者の場合には、添加す
るカイラルドーパントは、それ自体ＳｍＣ^* 相を有して
いても、有していなくてもよく、母体液晶との相溶性が
良好で、大きな自発分極を誘起し、粘性を増大させない
ことが要求される。

【０００４】自発分極は、分子長軸に対して垂直な方向
の双極子モーメントが不斉炭素の影響により長軸回りの
自由回転が制御された結果生じると考えられている。し
たがって、双極子部分をコアと呼ばれる骨格部に近づ
ける、双極子部分と不斉炭素原子を近づける、不斉
炭素に立体的に大きな置換基をつけ、長軸回りの自由回
転を抑制する等の方法で自発分極を増大させる試みがな
されてきた。さらに最近、双極子部分と不斉炭素を５員
環ラクトンに直結させた構造の化合物が効果的に自由回
転を束縛し、大きな自発分極を有することが報告された
（Japanese Journal of Applied Physics, 29 巻，No.
6、 ppL 981 〜L 983)。このような状況下で本発明者ら
は、さらに新たなタイプの液晶として有望なテトラヒド
ロピラン環を有する新規な光学活性化合物を開発するこ
とを目的として鋭意研究を重ねた。

【０００５】

【課題を解決するための手段】その結果、本発明者ら
は、テトラヒドロピラン環上の不斉炭素原子に、それ自
体大きな電子吸引性を有するフルオロアルキル基を有す
る新規化合物が、単品で液晶性を示すか、あるいは単品
では液晶性を示さないが、組成物とした場合に高速応答
が期待できる優れたドーパントとなりうることを見い出
した。本発明はかかる知見に基づいて完成したものであ
る。すなわち、本発明は一般式（Ｉ）

【０００６】

【化２】

【０００７】〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロ
アルキル基を示し、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³及びＲ⁴ はそれぞ
れ独立に水素又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖アル
キル基，炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜
１０のアラルキル基を示し、Ｘ ¹ 及びＸ⁶ はそれぞれ独
立に−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ−又は単結合を示
し、Ｘ² 及びＸ⁵ はそれぞれ独立に−ＣＯＯ−，−ＯＣ
Ｏ−，−ＣＨ₂ Ｏ−，−ＯＣＨ₂ −，−Ｃ≡Ｃ−又は単
結合を示し、Ｘ³ は−ＣＯＯ−，−ＣＨ₂ Ｏ−又は−Ｏ
−を示し、Ｘ⁴ は−ＯＣＨ₂ −，−Ｏ−又は−ＯＣＯ−
を示し、＊は不斉炭素を示し、Ａ，Ｂ，Ｄ及びＥはそれ
ぞれ独立に置換または無置換の含六員環基を示し、ｍ及
びｎはそれぞれ独立に０または１を示す。〕で表される
光学活性テトラヒドロピラン誘導体を提供するものであ
る。また、本発明は上記光学活性テトラヒドロピラン誘
導体を含有する液晶組成物あるいはその液晶組成物から
なる液晶素子をも提供するものである。さらに、上記光
学活性テトラヒドロピラン誘導体を用いたラセミ混合物
も提供するものである。

【０００８】一般式（Ｉ）において、上記のようなＲｆ
は炭素数１又は２のフルオロアルキル基を示し、具体的
にはトリフルオロメチル基，ジフルオロメチル基，クロ
ロジフルオロメチル基，ペンタフルオロエチル基などで
あり、好ましくはトリフルオロメチル基である。また、
Ｒ¹ は炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、例
えばｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，
イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル
基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル
基，ｎ−オクチル基，ｎ−ノニル基，ｎ−デシル基，ｎ
−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，
ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサ
デシル基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，
ｎ−ノナデシル基，ｎ−エイコシル基などである。これ
らのうち、分岐鎖アルキル基であって、不斉炭素を有す
る基は、光学活性基である。

【０００９】さらに、Ｒ² ，Ｒ³ 及びＲ⁴ としては、そ
れぞれ独立に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖
アルキル基、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル
基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル
基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチ
ル基，１−メチルブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプ
チル基，１−メチルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−
エチルヘプチル基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル
基，１−エチルオクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−
デシル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−ト
リデシル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基
などである。また、炭素数２〜１５のアルケニル基とし
ては、ビニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプ
ロペニル基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メ
チルアリル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，
１−ヘプテニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル
基，１−ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル
基，２−デセニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデ
セニル基，１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−
トリデセニル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセ
ニル基，２−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル
基，２−ペンタデセニル基などが挙げられる。炭素数７
〜１０のアラルキル基としては、ベンジル基，フェネチ
ル基，フェニルプロピル基，フェニルブチル基などが挙
げられる。Ａ，Ｂ，Ｄ及びＥで示される含六員環基の置
換基としては、フッ素，沃素，臭素，硼素などのハロゲ
ン、シアノ基、炭素数１〜６の含フッ素アルキル基など
が好ましく用いられる。このようなＡ，Ｂ，Ｄ及びＥの
具体例としては

【００１０】

【化３】

【００１１】

【化４】

【００１２】を挙げることができる。

【００１３】本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、様
々な方法で製造することができるが、例えば以下の工程
により製造することができる。 （１）Ｘ³ ＝−ＣＯＯ−， Ｘ⁴ ＝−ＯＣＯ− 及び
ｍ＝ｎ＝０ の場合：下記一般式（II） Ｒ⁴ −Ｘ⁶ −Ｄ−ＣＯHal ・・・（II） 〔式中、Ｒ⁴ ，Ｘ⁶ 及びＤは前記と同じである。Hal は
塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表される化
合物と下記一般式（III)

【００１４】

【化５】

【００１５】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ 及び＊は前記と
同じである。ＴＢＳはターシャリブチルジメチルシリル
基を示す。〕で表される化合物と反応させることにより
下記一般式（IV）

【００１６】

【化６】

【００１７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｄ，Ｘ
⁶ ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン，トリエチルアミン等の存在下に、トルエ
ン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８
０℃の温度で行うことができる。次いで、得られた一般
式（IV）で表される化合物の脱シリル化を行い、一般式
（Ｖ）

【００１８】

【化７】

【００１９】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｄ，Ｘ
⁶ 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物が得
られる。この脱シリル化反応は種々の方法で行うことが
できるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒とし
てテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用
い、反応温度０〜５０℃で行うことが好ましい。なお、
上記一般式（Ｖ）で表される化合物は２種類のジアステ
レオマーの混合物であり、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより容易に分離することができる。得られた
一般式（Ｖ）で表される化合物と一般式（VI） Ｒ¹ −Ｘ¹ −Ｂ−ＣＯHal ・・・（VI） 〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ ，Ｂ及びHal は前記と同じであ
る。〕で表される化合物と反応させることにより目的と
する一般式（Ｉ）で表される化合物を得ることができ
る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチ
ルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチ
レン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことが
できる。 （２）Ｘ³ ＝−ＣＯＯ−， Ｘ⁴ ＝−ＯＣＨ₂ − 及び
ｍ＝ｎ＝０ の場合：下記一般式（VII) Ｒ⁴ −Ｘ⁶ −Ｄ−ＣＨ₂ ＯＨ ・・・（VII) 〔式中、Ｒ⁴ ，Ｘ⁶ 及びＤは前記と同じである。〕で表
される化合物と前記一般式（III)で表される化合物を反
応させることにより、一般式（VIII)

【００２０】

【化８】

【００２１】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｄ，Ｘ
⁶ ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、無溶媒またはエ
ーテル，テトラヒドロフランなどの溶媒中、酸触媒とし
て例えばパラトルエンスルホン酸を用い、反応温度０〜
５０℃で行うのが好ましい。次いで、得られた一般式
（VIII) で表される化合物の脱シリル化を行い、一般式
（IX）

【００２２】

【化９】

【００２３】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｄ，Ｘ
⁶ 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物が得
られる。この脱シリル化反応は種々の方法で行うことが
できるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒とし
てテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用
い、反応温度０〜５０℃で行うことが好ましい。なお、
上記一般式（IX）で表される化合物は２種類のジアステ
レオマーの混合物であり、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより容易に分離することができる。得られた
一般式（IX）で表される化合物と前記一般式（VI）で表
される化合物と反応させることにより目的とする一般式
（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の
存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒
中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。 （３）Ｘ³ ＝−ＣＨ₂ Ｏ−， Ｘ⁴ ＝−ＯＣＯ− 及び
ｍ＝ｎ＝０ の場合：下記一般式（Ｘ） Ｒ⁵ −ＯＨ ・・・（Ｘ） 〔式中、Ｒ⁵ は炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖アルキ
ル基を示す。〕で表される化合物と前記一般式（III)で
表される化合物を反応させることにより、一般式（XI）

【００２４】

【化１０】

【００２５】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁵ ，ＴＢＳ
及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る
ことができる。この反応は、無溶媒またはエーテル，テ
トラヒドロフランなどの溶媒中、酸触媒として例えばパ
ラトルエンスルホン酸を用い、反応温度０〜５０℃で行
うのが好ましい。次いで、得られた一般式（XI）で表さ
れる化合物の脱シリル化を行い、一般式（XII)

【００２６】

【化１１】

【００２７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁵ 及び＊は
前記と同じである。〕で表される化合物が得られる。こ
の脱シリル化反応は種々の方法で行うことができるが、
例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、反応温度
０〜５０℃で行うことが好ましい。なお、上記一般式
（XII)で表される化合物は２種類のジアステレオマーの
混合物であり、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より容易に分離することができる。得られた一般式（XI
I)で表される化合物と下記一般式（XIII) Ｒ¹ −Ｘ¹ −Ｂ−ＣＨ₂ −Ｚ ・・・（XIII) 〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ 及びＢは前記と同じである。Ｚは塩
素，臭素，沃素又はトシル基を示す。〕で表される化合
物と反応させることにより一般式（XIV)

【００２８】

【化１２】

【００２９】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁵ ，
Ｘ¹ ，Ｂ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合
物を得ることができる。この反応は、一般式（XII)で表
される化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウ
ム又は水酸化カリウムなどの塩基を作用させた後、一般
式（XIII) で表される化合物を加えることにより行うこ
とが好ましい。さらに、得られた一般式（XIV)で表され
る化合物を酸触媒下で反応させることにより、一般式
（XV）

【００３０】

【化１３】

【００３１】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｘ¹ ，
Ｂ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物が得
られる。この反応は、水の存在下でエーテル，テトラヒ
ドロフラン，トルエンなどの溶媒中、酸触媒として例え
ばパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸などを用いて、
反応温度０〜１００℃で行うことができる。得られた一
般式（XV）で表される化合物と前記一般式（II）で表さ
れる化合物と反応させることにより目的とする一般式
（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の
存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒
中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。ま
た、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物を製造する
ため、原料物質として用いた一般式（III)で表される化
合物は、様々な方法で製造することができる。この一般
式（III)で表される化合物の代表的なものとしては、例
えば、

【００３２】

【化１４】

【００３３】等が挙げられる。本発明の一般式（Ｉ）の
化合物としては、例えば

【００３４】

【化１５】

【００３５】

【化１６】

【００３６】

【化１７】

【００３７】

【化１８】

【００３８】

【化１９】

【００３９】

【化２０】

【００４０】

【化２１】

【００４１】

【化２２】

【００４２】

【化２３】

【００４３】

【化２４】

【００４４】

【化２５】

【００４５】

【化２６】

【００４６】〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ ，Ｘ⁶ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，
Ｒ⁴ 及び＊は前記と同じである。〕等が挙げられる。

【００４７】本発明の液晶組成物は、（ａ）一般式
（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種と（ｂ）
（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）を
有する化合物あるいは混合物および／または（ｃ）
（ａ）以外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合
物あるいは混合物を配合することにより得ることができ
る。この場合、一般式（Ｉ）で表される化合物の配合量
は各種状況に応じて適宜選定すれば良いが、好ましくは
得られる液晶組成物の0.１〜９９重量％、特に好ましく
は１〜９０重量％である。また、本発明の液晶組成物の
別の態様として、一般式（Ｉ）で表される化合物の少な
くとも２種からなる液晶組成物を挙げることができる。

【００４８】上記（ｂ）及び（ｃ）の化合物あるいは混
合物としては従来知られている様々な物質を用いること
ができる。上記（ｂ）の化合物としては具体的には例え
ば、福田，竹添「強誘電性液晶の構造と物性」コロナ社
（１９９０），ｐ２２９，表7.１に記載した化合物が挙
げられる。上記（ｃ）の化合物としては好ましくは一般
式（Ａ）

【００４９】

【化２７】

【００５０】〔式中、Ｒ⁶ は置換基を有していてもよい
炭素数１〜１５のアルキル基又はアルコキシ基，Ｒ⁷ は
置換基を有していてもよい炭素数１〜１５のアルキル
基、Ｑは−Ｏ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，ＯＣＯＯ−
又は単結合、Ｆは

【００５１】

【化２８】

【００５２】を示す。また、Ｘ¹ 及びｎは前記と同じで
ある。〕で表される化合物を挙げることができる。具体
的には下記の化合物を挙げることができる。

【００５３】

【化２９】

【００５４】また、本発明の液晶素子は上述の一般式
（Ｉ）の化合物あるいは上記液晶組成物を一対の電極基
板間に配設してなるものである。この液晶素子は、例え
ばＩｎＯ₃ ，ＳｎＯ₂ ，ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化
スズとの混合酸化物）などからなる透明電極を有する透
明基板上に、さらにポリビニルアルコール，ポリイミド
などからなる配向制御膜を設けた２対の基板を張り合わ
せてセルを作製し、その上下に偏光板を配設することに
より得られる。この素子は複屈折モードを利用して、表
示素子あるいは電気光学素子として使用することができ
る。また、本発明の上記光学活性テトラヒドロピラン誘
導体を少なくとも１種用いた新規なラセミ混合物は、ベ
ース液晶の配合成分などに有効に用いることができる。

【００５５】

【実施例】次に、参考例および実施例に基づいて本発明
をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。また、以下の各例において、本発明の
一般式（Ｉ）で表される光学活性化合物のＲ，Ｓ表示
は、下記の式

【００５６】

【化３０】

【００５７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，
Ｘ¹ ，Ｘ² ，Ｘ³ ，Ｘ⁴ ，Ｘ⁵ ，Ｘ⁶，Ａ，Ｂ，Ｄ，
Ｅ，ｎ及び＊は前記と同じである。〕の位置番号に基づ
いて行った。

【００５８】参考例 （５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチ
ルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ
ピランの合成

【００５９】

【化３１】

【００６０】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕 （ａ）窒素雰囲気下、フラン１3.６ｇ（２００ミリモ
ル）をテトラヒドロフラン１５０ミリリットルに加え、
1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
１３３ミリリットル（２００ミリモル）を−２０℃で滴
下し、１時間反応させた。次に、トリメチルシリルクロ
リド２1.７ｇ（２００ミリモル）を滴下し、−２０℃で
１時間攪拌した。1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチ
ウムヘキサン溶液１３３ミリリットル（２００ミリモ
ル）を加え、−２０℃で１時間反応させた後、−７８℃
でトリフルオロ酢酸エチル２8.４ｇ（２００ミリモル）
を滴下し、−７８℃で１時間、室温でさらに１時間反応
させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加えて反応を停
止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去し、フラ
ン誘導体の粗生成物を得た。

【００６１】（ｂ）乾燥エタノール１００ミリリットル
に水素化ホウ素ナトリウム2.３ｇ（６０ミリモル）を加
え、上記反応で得たフラン誘導体の粗生成物を０℃で３
０分かけて滴下した。室温で２時間反応させた後、エタ
ノールを減圧留去し、３規定の塩酸を加えて反応を停止
させ、酢酸エチルにより抽出した。次いで、飽和炭酸水
素ナトリウム，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、減
圧蒸留を行い、アルコール化合物４0.５ｇ（１７０ミリ
モル）を得た。

【００６２】（ｃ）塩化メチレン３００ミリリットルに
上記（ｂ）の反応で得たアルコール化合物６4.１ｇ（２
６９ミリモル）とピリジン２7.７ミリリットル（３５０
ミリモル）を加え、０℃で塩化アセチル２7.５ｇ（３５
０ミリモル）を滴下し、室温で２時間反応させた。次い
で、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化メチレ
ンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液，
蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行い、
エステル化合物７5.１ｇ（２６８ミリモル）を得た。

【００６３】（ｄ）蒸留水１８００ミリリットルに上記
反応により得られたエステル化合物５8.５ｇ（２０９ミ
リモル）を加えて、ミニジャーファーメンター中で４０
℃で攪拌した。リパーゼＰＳを３０ｇ加え、１０時間反
応させた。３規定の塩酸を加え、０℃に冷却して反応を
停止し、セライトによりろ過した。ろ液を酢酸エチルに
より抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製して光
学活性アルコール化合物２3.２ｇ（９7.４ミリモル）と
光学活性エステル化合物２5.６ｇ（９1.４ミリモル）を
得た。なお、得られたアルコール化合物の光学純度は９
8.０％e.e.であった。

【００６４】（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコ
ール化合物２5.８ｇ（１０８ミリモル）を塩化メチレン
２００ミリリットルに溶かし、イミダゾール１0.５ｇ
（１５１ミリモル）とｔ−ブチルジメチルシリルクロリ
ド２3.０ｇ（１５１ミリモル）を０℃で加えて１５分攪
拌し、室温で１６時間反応させた。蒸留水を加えて反応
を停止させ、塩化メチレンにより抽出した。次いで、蒸
留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。塩化
メチレンを減圧留去した後、カラムクロマトグラフィー
により分離精製してシリルエーテル化合物３7.２ｇ（１
０６ミリモル）を得た。

【００６５】（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸１２０ミリリッ
トルに上記反応で得られたシリルエーテル化合物１4.１
ｇ（４０ミリモル）及びモノパーオキシフタル酸マグネ
シウム２3.２ｇ（６０ミリモル）を加え、８０℃で１２
時間反応させた。酢酸を減圧留去した後、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液を加え、酢酸エチルにより抽出した。次
いで、得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した
後、カラムクロマトグラフィーにより分離精製し、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブテノリド化合物 4.7ｇ（１６ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物 3.0ｇ（１０ミ
リモル）を得た。なお、4.２ｇ（１２ミリモル）の原料
も回収された。

【００６６】（ｇ）上記反応で得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物１3.７ｇ
（４６ミリモル）を分離せずにエタノール４０ミリリッ
トルに溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ １０重量％含
有）を1.４ｇ加え、水素雰囲気下、室温で１５時間反応
した。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、シリ
カゲルラカムクロマトグラフィーで分離精製して、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物8.２ｇ（２９ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブタノリド化合物3.６ｇ（１２ミ
リモル）を得た。

【００６７】（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル４
０ミリリットルに上記反応により得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）ブタノリド化合物7.５ｇ（２５ミリモル）を加え、
−７８℃で水素化ジイソブチルアルミニウムの0.９３モ
ル／リットルのｎ−ヘキサン溶液３２ミリリットル（３
０ミリモル）を滴下し、３時間反応した。蒸留水を加え
て反応を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエ
チルエーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去
した。次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製して、ラクトール化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を得
た。

【００６８】（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン
５０ミリリットルに上記反応により得られたラクトール
化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を加え、−７８℃でカリ
ウム−ｔ−ブトキシド3.０ｇ（２７ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン１０ミリリットル溶液を滴下し、３時間反
応した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を
加え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチ
ルエーテルを減圧留去した。次いでシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製して、目的とする（５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシロキシ
−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラン6.４
ｇ（２１ミリモル）を得た。得られた化合物は、同位体
フッ素による核磁気共鳴法から、モル比が８２：１８の
ジアステレオマーの混合物であった。

【００６９】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （１） （２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）体 分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₃Ｆ₃ Ｏ₃ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.０３ （ｓ，６Ｈ） 0.８５ （ｓ，９Ｈ） 1.４０〜2.１０（ｍ，４Ｈ） 2.９０〜3.１０（ｍ，１Ｈ） 3.７８ （ｄｔ，Ｊ＝5.６，8.９Ｈｚ，１Ｈ） 4.１１ （ｄｑ，Ｊ＝9.２，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 5.２０〜5.４０（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（同位体フッ素による核磁気共鳴法，基
準：ＣＦ₃ ＣＯＯＨ) ；δ（ｐｐｍ） 4.９０ （ｄ，Ｊ＝6.１Ｈｚ）

【００７０】（２） （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）体 分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₃Ｆ₃ Ｏ₃ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０５ （ｓ，６Ｈ） 0.８５ （ｓ，９Ｈ） 1.４０〜2.１０（ｍ，４Ｈ） 3.２０〜3.４０（ｍ，１Ｈ） 3.６７ （ｄｑ，Ｊ＝8.８，6.２Ｈｚ，１Ｈ） 3.７０〜3.９０（ｍ，１Ｈ） 4.８０〜5.００（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦ₃ ＣＯＯＨ) ；δ（ｐｐｍ） 4.８０ （ｄ，Ｊ＝7.６Ｈｚ）

【００７１】実施例１ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２，５−ビス−（４−ヘキシルオキシフェニ
ル−１−カルボニルオキシ）ピランの合成

【００７２】

【化３２】

【００７３】ａ） ４−ヘキシルオキシフェニルカルボ
ン酸クロリド0.６３ｇ( 2.６ミリモル）と参考例と同様
の操作で得られた（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−
ｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル
−２−ヒドロキシピラン0.６０ｇ( 2.０ミリモル）の塩
化メチレン溶液５ミリリットル中に無水ピリジン２ミリ
リットルを加え、室温で２０時間反応した。この反応溶
液に、１規定の塩酸を加えて反応を停止し、塩化メチレ
ンにより抽出した。次いで蒸留水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。塩化メチレンを減圧留去した
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、エ
ステル化合物を0.８９ｇ（1.８ミリモル）得た。 ｂ） 上記ａ）で得られたエステル化合物0.８９ｇ（1.
８ミリモル）をテトラヒドロフラン５ミリリットルに溶
かし、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドの
1.０モル／リットルのテトラヒドロフラン溶液1.０ミリ
リットル加え、０℃で１時間、室温で６時間反応した。
その後、反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止し、反応
物をエーテルで抽出した。次いで、得られた抽出物を飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーで分離精製して、（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）の立
体配置を有するアルコール化合物0.４５ｇ（1.２ミリモ
ル）及び（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）の立体配置を有するアル
コール化合物0.０９ｇ（0.２２ミリモル）を得た。 ｃ） 上記ｂ）で得られた（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）の立体
配置を有するアルコール化合物0.４５ｇ（1.２ミリモ
ル）と４−ヘキシルオキシフェニルカルボン酸クロリド
0.３９ｇ（1.６ミリモル）を用い、上記ａ）と同様の操
作を行い、目的化合物である（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テ
トラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２，５−ジ−
（４−ヘキシルオキシフェニル−１−カルボニルオキ
シ）ピラン0.３６ｇ（0.６ミリモル）を得た。

【００７４】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₃₂Ｈ₄₁Ｆ₃ Ｏ₇ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.８３〜1.００（ｍ，６Ｈ） 1.２４〜1.６３（ｍ，１２Ｈ） 1.７２〜2.２８（ｍ，７Ｈ） 2.４７〜2.６０（ｍ，１Ｈ） 4.０２ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，４Ｈ） 4.２９ （ｄｑ，Ｊ＝6.８，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 5.２８〜5.３７（ｍ，１Ｈ） 6.２０ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，6.７Ｈｚ，１Ｈ） 6.９２ （ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，４Ｈ） 7.９８ （ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，２Ｈ） 8.０４ （ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃ ）；δ（ｐｐｍ） −７5.２８ （ｄ，Ｊ＝6.９Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1 ) １７３５，１７１５，１６１０，１５１５，１２５０，
１１７０ ［α］²⁶ _D ＝−１7.５°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：
クロロホルム）

【００７５】実施例２ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４−ヘキシルオキシフェニル−１−カ
ルボニルオキシ）−５−（４−ヘキシルオキシフェニル
−１−メチレンオキシ）ピラン及び（２Ｓ，５Ｒ，６
Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４−ヘキシルオキシフェニル−１−カルボニルオキ
シ）−５−（４−ヘキシルオキシフェニル−１−メチレ
ンオキシ）ピランの合成

【００７６】

【化３３】

【００７７】ａ） 参考例と同様の操作で得られた（５
Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシ
ロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラ
ン1.２０ｇ( 4.０ミリモル）をペンタノール１５ミリリ
ットルを加え、酸触媒としてパラトルエンスルホン酸0.
１ｇ添加し、室温で２０時間反応した。この反応溶液を
直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ア
セタール化合物を1.４５ｇ（3.９ミリモル）得た。 ｂ） 上記ａ）で得られたアセタール化合物1.４５ｇ
（3.９ミリモル）を用い、実施例１（ｂ）と同様の操作
を行いアルコール化合物0.８８ｇ（3.４ミリモル）を得
た。 ｃ） 上記ｂ）で得られたアルコール化合物0.８８ｇ
（3.４ミリモル）のテトラヒドロフラン（５ミリリット
ル）溶液を６０％水素化ナトリウム0.１８ｇ（4.４ミリ
モル）のテトラヒドロフラン（５ミリリットル）溶液
に、窒素雰囲気下０℃で滴下し３０分間攪拌した。次い
で、４−クロロメチル−１−ヘキシルオキシベンゼン1.
０ｇ（4.４ミリモル）のテトラヒドロフラン（７ミリリ
ットル）溶液とジメチルスルホキシド５ミリリットルを
室温で加え、２日間反応した。この反応溶液に蒸留水を
加え反応を停止し、反応物をエーテルで抽出した。得ら
れた抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、エーテル化合物を
1.４７ｇ（3.３ミリモル）得た。 ｄ） 上記ｃ）で得られたエーテル化合物1.４７ｇ（3.
３ミリモル）をテトラヒドロフラン（２５ミリリット
ル）と蒸留水（１５ミリリットル）の混合溶媒に加え、
酸触媒として濃硫酸１ミリリットルを滴下し、１８時間
還流した。その後、反応溶液に飽和炭酸水素ナトリウム
溶液を加えて反応を停止し、反応物をエーテルで抽出し
た。次いで、得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製
して、ヘミアセタール化合物を0.９２ｇ（2.５ミリモ
ル）得た。 ｅ） 上記ｄ）で得られたヘミアセタール化合物0.９２
ｇ（2.５ミリモル）を用い、実施例１ａ）と同様の操作
を行い目的とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ
−６−トリフルオロメチル−２−（４−ヘキシルオキシ
フェニル−１−カルボニルオキシ）−５−（４−ヘキシ
ルオキシフェニル−１−メチレンオキシ）ピランを0.５
８ｇ（1.７ミリモル）及び（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テト
ラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−（４−ヘキシ
ルオキシフェニル−１−カルボニルオキシ）−５−（４
−ヘキシルオキシフェニル−１−メチレンオキシ）ピラ
ンを0.１７ｇ（0.５１ミリモル）得た。

【００７８】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフル
オロメチル−２−（４−ヘキシルオキシフェニル−１−
カルボニルオキシ）−５−（４−ヘキシルオキシフェニ
ル−１−メチレンオキシ）ピラン 分子式：Ｃ₃₂Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₆ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.８２〜0.９９（ｍ，６Ｈ） 1.２１〜1.５６（ｍ，１２Ｈ） 1.６９〜1.９０（ｍ，６Ｈ） 2.０４〜2.３７（ｍ，２Ｈ） 3.６５〜3.７８（ｍ，１Ｈ） 3.９５ （ｔ，Ｊ＝6.４Ｈｚ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.４Ｈｚ，２Ｈ） 3.９８〜4.１４（ｍ，１Ｈ） 4.５２ （ｓ，２Ｈ） 6.０９ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，6.５Ｈｚ，１Ｈ） 6.８８ （ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.９０ （ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，２Ｈ） 7.２５ （ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ）7.９９
（ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃ ）；δ（ｐｐｍ） −７4.８３ （ｄ，Ｊ＝7.２Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1 ) １７２０，１６００，１５１０，１２４０，１１６０ ［α］²⁵ _D ＝−0.３６°（Ｃ（濃度）＝1.０５，溶媒：
クロロホルム） （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフル
オロメチル−２−（４−ヘキシルオキシフェニル−１−
カルボニルオキシ）−５−（４−ヘキシルオキシフェニ
ル−１−メチレンオキシ）ピラン 分子式：Ｃ₃₂Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₆ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.８３〜1.００（ｍ，６Ｈ） 1.２１〜1.６０（ｍ，１２Ｈ） 1.６４〜2.２６（ｍ，８Ｈ） 3.６７〜3.９０（ｍ，１Ｈ） 3.９５ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 4.１９ （ｄｑ，Ｊ＝9.３，6.３Ｈｚ，１Ｈ） 4.５２ （ｄ，Ｊ＝１0.８Ｈｚ，１Ｈ） 4.５８ （ｄ，Ｊ＝１0.８Ｈｚ，１Ｈ） 6.４０ （ｍ，１Ｈ） 6.８８ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.９１ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.２６ （ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 7.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃ ）；δ（ｐｐｍ） −７5.１３ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1 ) １７２０，１６０５，１５１０，１２５０，１１７０ ［α］²⁷ _D ＝−３7.１°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：
クロロホルム）

【００７９】実施例３ 下記の化合物

【００８０】

【化３４】

【００８１】をそれぞれ２５重量％からなる母体液晶Ａ
を作製した。この液晶Ａに実施例１で得られた光学活性
テトラヒドロピラン誘導体が２重量％となるように混合
し、液晶組成物を作製した。得られた液晶組成物の相転
移温度は、以下の通りである。

【００８２】

【化３５】

【００８３】 ＳｍＣ^* ：強誘電性カイラルスメクチックＣ相 ＳｍＡ：スメクチックＡ相 Ｎ^* ：カイラルネマチック相 Ｉｓｏ：等方性液体状態 この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施し
たポリイミド配向膜を有するセル間隔2.４μｍの液晶素
子に注入した。徐冷して配向させ、３０℃でＶ _PP＝２４
Ｖの矩形波電圧を印加したときの応答速度（τ_0-90）は
１５７０μ秒であった。なお、応答速度は直交ニコル下
における透過光強度が０〜９０％まで変化する時間とし
て求めた。

【００８４】

【発明の効果】本発明の光学活性テトラヒドロピラン誘
導体は、化学的に安定で着色がなく、光安定性にも優れ
た新規化合物であり、高速応答性を有するものである。
したがって、本発明の光学活性テトラヒドロピラン誘導
体は、特に組成物とした場合に高速応答性を向上させる
ことができ、大きな自発分極を誘起する強誘電性液晶の
配合成分として有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹田 充範 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社鹿島製油所内 (72)発明者 村山 義信 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社鹿島製油所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
   示し、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³及びＲ⁴ はそれぞれ独立に水素
   又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素
   数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラル
   キル基を示し、Ｘ ¹ 及びＸ⁶ はそれぞれ独立に−ＣＯＯ
   −，−ＯＣＯ−，−Ｏ−又は単結合を示し、Ｘ² 及びＸ
   ⁵ はそれぞれ独立に−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ₂
   Ｏ−，−ＯＣＨ₂ −，−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示し、Ｘ
   ³ は−ＣＯＯ−，−ＣＨ₂ Ｏ−又は−Ｏ−を示し、Ｘ⁴
   は−ＯＣＨ₂ −，−Ｏ−又は−ＯＣＯ−を示し、＊は不
   斉炭素を示し、Ａ，Ｂ，Ｄ及びＥはそれぞれ独立に置換
   または無置換の含六員環基を示し、ｍ及びｎはそれぞれ
   独立に０または１を示す。〕で表される光学活性テトラ
   ヒドロピラン誘導体。
2. 【請求項２】 （ａ）請求項１記載の光学活性テトラヒ
   ドロピラン誘導体を少なくとも１種と（ｂ）前記（ａ）
   以外のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）を有する
   化合物あるいは混合物および／または（ｃ）該（ａ）以
   外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物あるい
   は混合物からなる液晶組成物。
3. 【請求項３】 請求項１記載の光学活性テトラヒドロピ
   ラン誘導体の少なくとも２種からなる液晶組成物。
4. 【請求項４】 請求項１記載の光学活性テトラヒドロピ
   ラン誘導体あるいは請求項２又は３記載の液晶組成物
   を、一対の電極基板間に配設してなることを特徴とする
   液晶素子。
5. 【請求項５】 請求項１記載の光学活性テトラヒドロピ
   ラン誘導体を少なくとも１種用いてなるラセミ混合物。