JP2755821B2 - 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents

光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子

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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを
含有する液晶組成物及び液晶素子に関し、詳しくは、表
示素子あるいは電気光学素子に用いられる液晶材料とし
て有用な新規な光学活性テトラヒドロピラン誘導体，そ
れを含有する液晶組成物及び液晶素子に関する。
技術の背景 近年、各種の表示素子，電子光学デバイス，液晶セン
サなど、液晶の利用分野が著しく拡大しつつあり、それ
に伴って様々な構造の液晶化合物が提案されてきた。特
に、表示素子に用いられる液晶材料は、現在のところネ
マティック液晶が主流であり、これを用いたTN型あるい
はSTN型の単純マトリックス方式及び個々の画素ごとに
薄膜トランジスタを付与したTFT型のアクティグマトリ
ックス方式が用いられている。しかし、ネマティック液
晶は、その駆動力が液晶材料の誘電率の異方性と電場と
の弱い相互作用に基づくため、本質的に応答速度が遅い
（msecオーダー）という欠点を有しており、高速応答を
要求される大画面の表示素子の材料としては不利であっ
た。
これに対して、1975年マイヤー（R.B.Meyer）らによ
り初めて合成された強誘電性液晶は、自発分極を有し、
これが直接電界と作用するため、駆動力が大きく、1980
年にクラーク（N.A.Clark）らが表面安定化型強誘電性
液晶素子（SSFLCD）において、そのμsecオーダーの高
速応答性とメモリー性を発表して以来、注目を集め、こ
れまで多くの強誘電性液晶化合物が合成されてきた。
この強誘電性液晶化合物を表示素子の材料として用い
る場合、一般に次の条件が必要である。室温を含む広
い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相（SmC*相）を示
す。電気光学応答が高速である。配向性が良好であ
る。従来、これらの条件を単一の化合物で満たすことは
困難であった。
したがって、複数のSmC*相を有する化合物どうしを混
合したり、粘性の低いスメクチックＣ相（SmC相）を有
する母体液晶に光学活性な化合物を添加して所望の性能
を有するSmC*相を示す強誘電性液晶組成物を得る方法が
用いられてきた。
後者の場合には、添加するカイラルドーパントは、そ
れ自体SmC*相を有していても、有していなくてもよく、
母体液晶との相溶性が良好で、大きな自発分極を誘起
し、粘性を増大させないことが要求される。
強誘電性液晶の応答速度は、τ＝η／（Ps・Ｅ）で知
られている。ここでηは回転粘性を示し、Psは自発分極
を示し、Ｅは電界強度を示す。これから、高速応答性を
得るため、粘性が小さく、自発分極の大きな液晶材料が
開発目標とされてきた。
自発分極は、分子長軸に対して垂直な方向の双極子モ
ーメントが不斉炭素の影響により長軸回りの自由回転が
抑制された結果生じると考えられている。したがって、
自発分極を増大させるためには、双極子部分をコアと
呼ばれる骨格部に近づける、双極子部分と不斉炭素原
子を近づける、不斉炭素に立体的に大きな置換基をつ
け、長軸回りの自由回転を抑制する等の方法で自発分極
を増大させる試みがなされてきた。
さらに最近、双極子部分と不斉炭素を５員環ラクトン
に直結させた構造の化合物が効果的に自由回転を束縛
し、大きな自発分極を有することが報告された（Japane
se Journal of Applied Physics,29巻,No.6、ppL981〜L
983）。
強誘電性液晶組成物を、従来ネマティック液晶で行わ
れてきたラビング法により配向させる場合、その配向状
態は液晶材料の相系列により異なり、等方相（Iso相）
→コレステリック相（N*相）→スメクティックＡ相（Sm
A相）→カイラルスメティックＣ相（SmC*相）の相系列
をとることが好ましい。ここで、N*相においてはラセン
ピッチが充分に長いことが必要である。
このため、N*相またはSmC*相におけるラセンを解くた
めラセンの向きが逆の強誘電性液晶を混合してラセンピ
ッチを伸ばす方法（特開平４−117488号公報，特開平３
−220289号公報）がとられてきた。
発明の開示 このような状況下に、本発明者らは鋭意研究を重ね
た。
その結果、本発明者らは、テトラヒドロピラン環上の
不斉炭素原子に、それ自体大きな電子吸引性を有するフ
ルオロアルキル基を有する新規化合物が、単品で液晶性
を示すか、あるいは単品では液晶性を示さないが、組成
物とした場合に大きな自発分極を誘起し、高速応答性を
示しかつ容易に良好な配向が得られる優れたカイラルド
ーパントとなりうることを見い出した。本発明はかかる
知見に基づいて完成したものである。
すなわち本発明は、一般式（Ｉ） または（Ｉ′） 〔式中、Rfは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を示
し、R1は炭素数３〜20の直鎖又は分岐鎖アルキル基を示
し、R2，R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は炭素数１〜
15の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素数２〜15のアルケ
ニル基又は炭素数７〜10のアラルキル基を示し、X1は−
COO−，−OCO−．−Ｏ−又は単結合を示し、X2は−COO
−，−OCO−，−CH2O−，−OCH2−又は単結合を示し、X
3は−COO−，−CH2O−又は−Ｏ−を示し、X4は−Ｏ−又
は−OCO−を示し、＊は不斉炭素を示し、Ａ及びＢはそ
れぞれ独立に を示し、ｎは０または１を示す。〕 で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体を提供す
るものである。
発明を実施するための最良の形態 一般式（Ｉ）または（Ｉ′）において、上記のような
Rfは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を示し、具体
的にはトリフルオロメチル基，ジフルオロメチル基，ク
ロロジフルオロメチル基，ペンタフルオロエチル基など
であり、好ましくはトリフルオロメチル基である。
また、R1は炭素数３〜20の直鎖又は分岐鎖アルキル
基、例えばｎ−プロピル基，イソプロピル基,n−ブチル
基，イソブチル基,sec−ブチル基,tert−ブチル基,n−
ペンチル基,n−ヘキシル基,n−ヘプチル基,n−オクチル
基,n−ノニル基,n−デシル基,n−ウンデシル基,n−ドデ
シル基,n−トリデシル基,n−テトラデシル基,n−ペンタ
デシル基,n−ヘキサデシル基,n−ヘプタデシル基,n−オ
クタデシル基,n−ノナデシル基,n−エイコシル基などで
ある。これらのうち、分岐鎖アルキル基であって、不斉
炭素を有する基は、光学活性基である。
さらに、R2，R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は炭素
数１〜15の直鎖又は分岐鎖アルキル基、例えばメチル
基，エチル基,n−プロピル基，イソプロピル基,n−ブチ
ル基,sec−ブチル基,tert−ブチル基,n−ペンチル基，
イソペンチル基,1−メチルブチル基,n−ヘキシル基,n−
ヘプチル基,1−メチルヘプチル基,n−オクチル基,1−エ
チルヘプチル基,1−メチルオクチル基,n−ノニル基,1−
エチルオクチル基,1−メチルノニル基,n−デシル基,n−
ウンデシル基,n−ドデシル基,n−トリデシル基,n−テト
ラデシル基,n−ペンタデシル基などである。
また、炭素数２〜15のアルケニル基としては、ビニル
基，アリル基,1−プロペニル基，イソプロペニル基,1−
ブテニル基,2−ブテニル基,2−メチルアリル基,1−ペン
テニル基,1−ヘキセニル基,1−ヘプテニル基,1−オクテ
ニル基,2−オクテニル基,1−ノネニル基,2−ノネニル
基,1−デセニル基,2−デセニル基,1−ウンデセニル基,2
−ウンデセニル基,1−ドデセニル基,2−ドデセニル基,1
−トリデセニル基,2−トリデセニル基,1−テトラデセニ
ル基,2−テトラデセニル基,1−ペンタデセニル基,2−ペ
ンタデセニル基などが挙げられる。炭素数７〜10のアラ
ルキル基としては、ベンジル基，フェネチル基，フェニ
ルプロピル基，フェニルブチル基などが挙げられる。
本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、様々な方法で
製造することができるが、例えば以下の工程により製造
することができる。
（１）X2＝単結合及びX3＝−COO−の場合： 下記一般式（II） R1−X1−Ａ−Ｂ−COHal …（II） 〔式中、R1，X1,AおよびＢは前記と同じである。Halは
塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕 で表される化合物および下記一般式（III） 〔式中、Rf,R2，R3，R4，X4及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物と反応させることにより上記一般式
（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応は、有機
塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在下
に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−
20℃〜80℃の温度で行うことができる。
（２）X2＝単結合，X3＝−CH2O−の場合： 下記一般式（IV） R1−X1−Ａ−Ｂ−CH2Z …（IV） 〔式中、R1，X1,AおよびＢは前記と同じである。Ｚは塩
素，臭素，ヨウ素又はトシル基を示す。〕 で表される化合物を、上記の一般式（III）で表される
化合物と反応させることにより上記一般式（Ｉ）の化合
物を得ることができる。この反応は一般式（III）の化
合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるい
は水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた後、一
般式（IV）の化合物を加えることにより行うことができ
る。
（３）X2＝−COO−，X3＝−COO−の場合： 下記一般式（Ｖ） BzO−Ｂ−COHal …（Ｖ） 〔式中、ＢおよびHalは前記と同じであり、Bzはベンジ
ル基を示す。〕 で表される化合物を、上記一般式（III）で表される化
合物と反応させて、下記一般式（VI） 〔式中、Rf,Bz,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じで
ある。〕 で表される化合物を得る。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン，トリエチルアミン等の存在下にトルエン，
ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−20℃〜80℃の温
度で行うことができる。
次に、得られた一般式（VI）の化合物中のベンジル基
を常法で脱離させれば、下記一般式（VII） 〔式中、Rf,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物が生成する。この脱ベンジル化反応
は、例えばPd/C触媒の存在下でメタノール，エタノー
ル，プロパノール等のアルコール性溶媒または酢酸を用
いて常圧で水素化分解することにより行うことができ
る。
さらに、得られた一般式（VII）の化合物を下記一般
式（VIII） R1−X1−Ａ−COHal …（VIII） 〔式中、R1，X1,A及びHalは前記と同じである。〕 で表される化合物と反応させることにより上記一般式
（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応は、有機
塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在下に
トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−20℃
〜80℃の温度で行うことができる。
（４）X2＝−COO−，X3＝−CH2O−の場合： 上記一般式（IX） ThpO−Ｂ−CH2Z …（IX） 〔式中、Thp（テトラヒドロピラニル基）を示し、Ｂ及
びＺは前記と同じである。〕 で表される化合物を上記一般式（III）で表される化合
物と反応させて下記一般式（Ｘ） 〔式中、Rf,Thp,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じ
である。〕 で表される化合物を得る。この反応は、一般式（III）
で表される化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナト
リウムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作用
させた後、一般式（IX）の化合物を加えることにより行
うことができる。
次に得られた一般式（Ｘ）の化合物中のThpを常法で
脱離させれば、下記一般式（XI） 〔式中、Rf,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得る。このテトラヒドロピラニル基
の脱離は、塩酸，硫酸およびパラトルエンスルホン酸等
の酸触媒存在下で、エーテル，テトラヒドロフラン，ク
ロロホルム等の溶媒を用いて行うことができる。
次に、得られた一般式（XI）の化合物を上記一般式
（VIII）で表される化合物と反応させることにより上記
一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の
存在下にトルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中
で−20℃〜80℃の温度で行うことができる。
（５）X2＝−COO−，X3＝−Ｏ−の場合： 下記一般式（XII） ThpO−Ｂ−Hal …（XII） 〔式中、Thp,B及びHalは前記と同じである。〕 で表される化合物を、上記一般式（III）で表される化
合物と反応させて、下記一般式（XIII） 〔式中、Rf,Thp,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じ
である。〕 で表される化合物を得る。この反応は、一般式（III）
の化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあ
るいは水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた
後、ジメチルホルムアミド，ジメチルスルホキシド等の
還流条件下、触媒としてヨウ化第一銅を用い、一般式
（XII）で表される化合物を反応させることにより行う
ことができる。
次に得られた一般式（XIII）で表される化合物中のテ
トラヒドロピラニル基を常法で脱離させれば、下記一般
式（XIV） 〔式中、Rf,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得る。
このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸お
よびパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エー
テル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を用
いて行うことができる。
ここで得られた一般式（XIV）の化合物を上記一般式
（VIII）で表される化合物と反応させることにより上記
一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の
存在下にトルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中
で−20℃〜80℃の温度で行うことができる。
（６）X2＝−CH2O−，X3＝−COO−の場合： 上記一般式（VII）で表される化合物および一般式（X
V） R1−X1−Ａ−CH2Z …（XV） 〔式中、R1，X1,A及びＺは前記と同じである。〕 で表される化合物を反応させることにより上記一般式
（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応は、一般
式（VII）の化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナ
トリウムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作
用させた後、一般式（XV）で表される化合物を反応させ
ることにより行うことができる。
（７）X2＝−OCH2−，X3＝−COO−の場合： 下記一般式（XVI） ZCH2−Ｂ−COHal …（XVI） 〔式中、Z,B及びHalは前記と同じである。〕 で表される化合物を、上記一般式（III）で表される化
合物と反応させて下記一般式（XVII） 〔式中、Rf,Z,B,X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じで
ある。〕 で表される化合物を得る。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン，トリエチルアミン等の存在下にトルエン，
ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−20℃〜80℃の温
度で行うことができる。
次いで、下記一般式（XVIII） R1−X1−Ａ−OH …（XVIII） 〔式中、R1，X1及びＡは前記と同じである。〕 で表される化合物に、上記化合物（XVII）を反応させる
ことにより上記一般式（Ｉ）の化合物を得ることができ
る。この反応は、一般式（XVIII）の化合物にアルカリ
金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウ
ムで代表される塩基を作用させた後、一般式（XVII）で
表される化合物を加えることにより行うことができる。
また、本発明による一般式（Ｉ′）の化合物は、様々
な方法で製造することができるが、例えば以下の工程に
より製造することができる。
（１′）X3＝−COO−，X4＝−OCO−及びｎ＝０の場合： 下記一般式（XIX） R1−X1−Ｂ−COHal …（XIX） 〔式中、R1，X1,BおよびHalは前記と同じである。〕 で表される化合物および下記一般式（XX） 〔式中、Rf,R2，R3及び＊は前記と同じである。TBSはｔ
−ブチルジメチルシリル基を示す。〕 で表される化合物と反応させることにより下記一般式
（XXI） 〔式中、Rf,R1，R2，R3,B,X1,TBS及び＊は前記と同じで
ある。〕 で表される化合物を得ることができる。この反応は、有
機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在下
に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−
20℃〜80℃の温度で行うことができる。
次に、得られた一般式（XXI）で表される化合物の脱
シリル化を行い、一般式（XXIII） 〔式中、Rf,R1，R2，R3,B,X1及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得る。この脱シリル化反応は、種々
の方法で行うことができるが、例えばテトラヒドロフラ
ン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
フルオライドを用い、０〜50℃で行うことができる。
なお、上記一般式（XXIII）で表される化合物は、２
種類のジアステレオマーの混合物であるが、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより容易に分離することが
できる。
この一般式（XXIII）で表される化合物を一般式（XXI
V） R4−COHal …（XXIV） 〔式中、R4及びHalは前記と同じである。〕 で表される化合物と反応させることにより、目的とする
前記（Ｉ′）で表される化合物を得ることができる。こ
の反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミ
ン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等
の溶媒中で−20℃〜80℃の温度で行うことができる。
（２′）X3＝−COO−，X4＝−Ｏ−及びｎ＝０の場合： 下記一般式（XXV） R5−OH …（XXV） 〔式中、R5は炭素数１〜15の直鎖又は分岐鎖アルキル
基，炭素数２〜15のアルケニル基又は炭素数７〜10のア
ラルキル基を示す。〕 で表される化合物および上記一般式（XX）で表される化
合物と反応させることにより、下記一般式（XXVI） 〔式中、Rf,R2，R3，R5,TBS及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得ることができる。この反応は、無
溶媒又はテトラヒドロフラン等の溶媒中、酸触媒として
例えばパラトルエンスルホン酸等を用いて０〜50℃で行
うことができる。
次に、得られた一般式（XXVI）で表される化合物の脱
シリル化を行い、一般式（XXVII） 〔式中、Rf,R2，R3，R5及び＊は前記と同じである。〕 で表される化合物を得る。この脱シリル化反応は、種々
の方法で行うことができるが、例えばテトラヒドロフラ
ン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
フルオライドを用い、０〜50℃で行うことができる。
次いで、一般式（XXVIII） R4−Ｚ …（XXVIII） 〔式中、R4およびＺは前記と同じである。〕 で表される化合物と上記一般式（XXVII）で表される化
合物を反応させることにより、一般式（XXIX） 〔式中、Rf,R2，R3，R4，R5及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得ることができる。この反応は、一
般式（XXVII）で表される化合物にアルカリ金属ヒドリ
ド，水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の塩基を作
用させた後、一般式（XXVIII）で表される化合物を加え
ることにより行うことができる。
さらに、得られた一般式（XXIX）で表される化合物を
酸触媒下で反応させることにより、一般式（XXX） 〔式中、Rf,R2，R3，R4及び＊は前記と同じである。〕 で表される化合物を得ることができる。この反応は、水
の存在下で、テトラヒドロフラン，エーテル，トルエン
等の溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスルホン
酸，塩酸，硫酸等を用いて０〜100℃で行うことができ
る。
この一般式（XXX）で表される化合物と前記一般式（X
IX）で表される化合物を反応させることにより、目的と
する前記（Ｉ′）で表される化合物を得ることができ
る。この反応は、有機塩基，例えばピリジン，トリエチ
ルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチ
レン等の溶媒中で−20℃〜80℃の温度で行うことができ
る。
（３′）X3＝−CH2O−，X4＝−OCO−及びｎ＝０の場
合： 下記一般式（XXXI） R1−X1−Ｂ−CH2Z …（XXXI） 〔式中、R1，X1,B及びＺは前記と同じである。〕 で表される化合物と前記一般式（XX）で表される化合物
を反応させることにより下記一般式（XXXII） 〔式中、Rf,R1，R2，R3，X1,B,TBS及び＊は前記と同じ
である。〕 で表される化合物を得ることができる。この反応は、例
えば酸触媒としてパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸
等を用い、テトラヒドロフラン，ジエチルエーテル，塩
化メチレン，トルエン等の溶媒中、０〜100℃で行うこ
とができる。
次に、得られた一般式（XXXII）で表される化合物の
脱シリル化を行い、一般式（XXXIII） 〔式中、Rf,R1，R2，R3，X1,B及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得る。この脱シリル化反応は、種々
の方法で行われることができるが、例えばテトラヒドロ
フランの溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムフルオライドを用い、０〜50℃で行うことができ
る。
なお、上記一般式（XXXIII）で表される化合物は、２
種類のジアステレオマーの混合物であるが、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより容易に分離することが
できる。
この一般式（XXXIII）で表される化合物と前記一般式
（XXIV）で表される化合物を反応させることにより、目
的とする前記（Ｉ′）で表される化合物を得ることがで
きる。この反応は、有機塩基，例えばピリジン，トリエ
チルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メ
チレン等の溶媒中で−20℃〜80℃の温度で行うことがで
きる。
（４′）X3＝−CH2O−，X4＝−Ｏ−及びｎ＝０の場合： 前記一般式（XXXIII）で表される化合物と前記一般式
（XXVIII）で表される化合物を反応させることにより、
目的とする前記（Ｉ′）で表される化合物を得ることが
できる。この反応は、一般式（XXXIII）で表される化合
物に、アルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウム又は水
酸化カリウム等の塩基を作用させた後、一般式（XXVII
I）で表される化合物を加えることによって得ることが
できる。
（５′）X2＝−COO−，X3＝−COO−，X4＝−Ｏ−及びｎ
＝１の場合： 一般式（XXXIV） Bz−Ｏ−Ｂ−COHal …（XXXIV） 〔式中、Bzはベンジル基を示し、Ｂ及びHalは前記と同
じである。〕 で表される化合物と前記一般式（XXX）で表される化合
物を反応させることにより、下記一般式（XXXV） 〔式中、Rf,R2，R3，R4,B,Bz及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得ることができる。この反応は、有
機塩基，例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在下
に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−
20℃〜80℃の温度で行うことができる。
次に、得られた一般式（XXXV）で表される化合物の脱
ベンジル化反応を行い、一般式（XXXVI） 〔式中、Rf,R2，R3，R4,B及び＊は前記と同じであ
る。〕 で表される化合物を得る。この脱ベンジル化反応は、種
々の方法で行うことができるが、例えばパラジウム・カ
ーボン（Pd/C）触媒存在下、メタノール，エタノール，
プロパノール等のアルコール溶媒又は酢酸を用い、常圧
で水素化分解することにより行うことができる。
この一般式（XXXVI）で表される化合物と一般式（XXX
VII） R1−X1−Ａ−COHal …（XXXVII） 〔式中、R1，X1,A及びHalは前記と同じである。〕 で表される化合物を反応させることにより、目的とする
前記（Ｉ′）で表される化合物を得ることができる。こ
の反応は、有機塩基，例えばピリジン，トリエチルアミ
ン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等
の溶媒中で−20℃〜80℃の温度で行うことができる。
また、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物を製造
するため、原料物質として用いた一般式（III）で表さ
れる化合物は、様々な方法で製造することができる。こ
の一般式（III）で表される化合物の代表的なものとし
ては、例えば、 また、一般式（Ｉ′）で表される化合物を製造するた
めに原料物質として用いた一般式（XX）および（XXX）
で表される化合物の代表的なものとしては、例えば、 が挙げられる。
上記のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ）の化
合物としては、例えば 〔式中、R1，X1，X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じで
ある。〕 等が挙げられる。
また、本発明の一般式（Ｉ′）の化合物としては、例
えば 〔式中、R1，X1，X4，R2，R3，R4及び＊は前記と同じで
ある。〕 等が挙げられる。
本発明の上記一般式（Ｉ）または（Ｉ′）で表される
光学活性化合物は、３〜５の不斉点を有するため種々の
立体異性体が存在する。従って、ベース液晶に添加した
場合に誘起する自発分極の向きおよびN*相のラセンの向
きは光学活性化合物によって異なり、第１表に示したよ
うな種々のタイプが存在する。
良好な配向状態を得るためにはN*相のラセンを解く必
要があり、例えば通常２μｍのセルを用いた場合、N*相
のラセンピッチ（Ｐ）は８μｍ（セル厚の４倍）以上で
あることが好ましい。このラセンピッチ（Ｐ）は、光学
活性化合物の添加量に反比例して小さくなるため、特に
光学活性化合物の添加量が多い場合にはラセンピッチの
調整が必要になる。この際、高速応答性を損なわないた
めには自発分極の符号が同一でN*相のラセンの向きが逆
の化合物どうしを混合するのが好ましい。特に光学活性
テトラヒドロピラン誘導体として、自発分極の符号が同
一でN*相のラセンの向きが逆の化合物を少なくとも２種
用いることが好ましい。
ここで、混合液晶のラセンピッチ（Ｐ）は、 1/P＝Σ（Ci/Pi） Pi:光学活性化合物成分ｉのラセンピッチ Ci:成分ｉの濃度 で与えられる。
このようにして、本発明の化合物を種々の組合せで用
いることにより容易にN*相のラセンピッチを調整するこ
とができ、配向性の良好な液晶組成物を得ることができ
る。
本発明の液晶組成物は、 （ａ）一般式（Ｉ）または（Ｉ′）で表される化合物の
少なくとも１種と （ｂ）（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（SmC
*相）を有する化合物あるいは混合物および／または （ｃ）（ａ）以外のスメクチックＣ相（SmC相）を有す
る化合物あるいは混合物を配合することにより得ること
ができる。この場合、一般式（Ｉ）または（Ｉ′）で表
される化合物の配合量は各種状況に応じて適宜選定すれ
ば良いが、好ましくは得られる液晶組成物の0.1〜99重
量％、特に好ましくは１〜90重量％である。
また、本発明の液晶組成物の別の態様として、一般式
（Ｉ）または（Ｉ′）で表される化合物の少なくとも２
種からなる液晶組成物を挙げることができる。
上記（ｂ）及び（ｃ）の化合物あるいは混合物として
は従来知られている様々な物質を用いることができる。
上記（ｂ）の化合物としては具体的には例えば、福
田，竹添「強誘電性液晶の構造と物性」コロナ社（199
0）,p229,表7.1に記載した化合物が挙げられる。
上記（ｃ）の化合物としては好ましくは一般式（Ａ） 〔式中、R6は置換基を有していてもよい炭素数１〜15の
アルキル基又はアルコキシ基，R7は置換基を有していて
もよい炭素数１〜15のアルキル基、Ｑは−Ｏ−，−COO
−，−OCO−，−OCOO−又は単結合、Ｅは を示す。また、X1及びｎは前記と同じである。
で表される化合物を挙げることができる。具体的には下
記の化合物を挙げることができる。
また、本発明の液晶素子は上述の一般式（Ｉ）または
（Ｉ′）の化合物あるいは上記液晶組成物を一対の電極
基板間に配設してなるものである。この液晶素子は、例
えばInO3，SnO2,ITO（酸化インジウムと酸化スズとの混
合酸化物）などからなる透明電極を有する透明基板上
に、さらにポリビニルアルコール，ポリイミドなどから
なる配向制御膜を設けた２枚の基板を張り合わせてセル
を作製し、その上下に偏光板を配設することにより得ら
れる。この素子は複屈折モードを利用して、表示素子あ
るいは電気光学素子として使用することができる。
次に、参考例および実施例に基づいて本発明をさらに
具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。
また、以下の各例において、本発明の一般式（Ｉ）ま
たは（Ｉ′）で表される光学活性化合物のR,S表示は、
下記の式 〔式中、R1，R2，R3，R4，X1，X2，X3，X4,A,B,n及び＊
は前記と同じである。〕 の位置番号に基づいて行った。
参考例１ （2R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピランおよび
（2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピランの合成 （ａ）窒素雰囲気下、フラン13.6g（200ミリモル）をテ
トラヒドロフラン150ミリリットルに加え、1.5モル／リ
ットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液133ミリリッ
トル（200ミリモル）を−20℃で滴下し、１時間反応さ
せた。次に、トリメチルシリルクロリド21.7g（200ミリ
モル）を滴下し、−20℃で１時間攪拌した。1.5モル／
リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液133ミリリ
ットル（200ミリモル）を加え、−20℃で１時間反応さ
せた後、−78℃でトリフルオロ酢酸エチル28.4g（200ミ
リモル）を滴下し、−78℃で１時間、室温でさらに１時
間反応させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加えて反
応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽和炭
酸水素ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去
し、フラン誘導体の粗生成物を得た。
（ｂ）乾燥エタノール100ミリリットルに水素化ホウ素
ナトリウム2.3g（60ミリモル）を加え、上記反応で得た
フラン誘導体の粗生成物を０℃で30分かけて滴下した。
室温で２時間反応させた後、エタノールを減圧留去し、
３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチルによ
り抽出した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム，飽和食
塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
酢酸エチルを減圧留去した後、減圧蒸留を行い、アルコ
ール化合物40.5g（170ミリモル）を得た。
（ｃ）塩化メチレン200ミリリットルに上記（ｂ）の反
応で得たアルコール化合物23.8g（100ミリモル）とピリ
ジン8.9ミリリットル（110ミリモル）を加え、０℃で塩
化アセチル8.6g（110ミリモル）を滴下し、室温で12時
間反応させた。
次いで、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化
メチレンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム
溶液，蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行
い、エステル化合物27.5g（98ミリモル）を得た。
（ｄ）蒸留水1000ミリリットルに上記反応により得られ
たエステル化合物28.0g（100ミリモル）を加えて、ミニ
ジャーファーメンター中で40℃で攪拌した。リパーゼPS
を20g加え、20時間反応させた。３規定の塩酸を加え、
０℃に冷却して反応を停止し、セライトによりろ過し
た。ろ液を酢酸エチルにより抽出し、飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチルを減圧
留去した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより分離精製して光学活性アルコール化合物11.7g
（49ミリモル）と光学活性エステル化合物13.2g（47ミ
リモル）を得た。なお、得られたアルコール化合物の光
学純度は97.5％e.e.であった。
（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコール化合物1
1.7g（49ミリモル）を塩化メチレン100ミリリットルに
溶かし、イミダゾール4.0g（59ミリモル）とｔ−ブチル
ジメチルシリルクロリド8.9g（59ミリモル）を０℃で加
えて15分攪拌し、室温で16時間反応させた。蒸留水を加
えて反応を停止させ、塩化メチレンにより抽出した。次
いで、蒸留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去した後、カラムクロマトグ
ラフィーにより分離精製してシリルエーテル化合物16.6
g（47ミリモル）を得た。
（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸120ミリリットルに上記反応
で得られたシリルエーテル化合物14.1g（40ミリモル）
及びモノパーオキシフタル酸マグネシウム23.2g（60ミ
リモル）を加え、80℃で12時間反応させた。酢酸を減圧
留去した後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液を加え、酢酸
エチルにより抽出した。次いで、飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留
去した後、カラムクロマトグラフィーにより分離精製
し、（4S,1′Ｓ）ブテノリド化合物4.7g（16ミリモル）
及び（4R,1′Ｓ）ブテノリド化合物3.0g（10ミリモル）
を得た。なお、4.2g（12ミリモル）の原料も回収され
た。
（ｇ）上記反応で得られた（4S,1′Ｓ）及び（4R,1′
Ｓ）ブテノリド化合物13.7g（46ミリモル）を分離せず
にエタノール40ミリリットルに溶かし、10％Pd/C（Pd10
重量％含有）を1.4g加え、水素雰囲気下、室温で15時間
反応した。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、
シリカゲルラカムクロマトグラフィーで分離精製して、
（4S,1′Ｓ）ブタノリド化合物8.2g（29ミリモル）及び
（4R,1′Ｓ）ブタノリド化合物3.6g（12ミリモル）を得
た。
（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル40ミリリットル
に上記反応により得られた（4S,1′Ｓ）ブタノリド化合
物7.5g（25ミリモル）を加え、−78℃で水素化ジイソブ
チルアルミニウムの0.93モル／リットルのｎ−ヘキサン
溶液32ミリリットル（30ミリモル）を滴下し、３時間反
応した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を
加え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。
飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、ジエチルエーテルを減圧留去した。次いでシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して、ラクトール化
合物7.3g（24ミリモル）を得た。
（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン50ミリリット
ルに上記反応により得られたラクトール化合物7.3g（24
ミリモル）を加え、−78℃でカリウム−ｔ−ブトキシド
3.0g（27ミリモル）のテトラヒドロフラン10ミリリット
ル溶液を滴下し、３時間反応した。蒸留水を加えて反応
を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエチルエ
ーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去した。
次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
て、ピラノース化合物6.4g（21ミリモル）を得た。
（ｊ）上記反応により得られたピラノース化合物6.4g
（21ミリモル）をヘキサノール40ミリリットルに溶か
し、パラトルエンスルホン酸0.1gを加え、室温で18時間
反応した。この反応溶液をそのまま、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製して、アセタール化合物8.0g
（12ミリモル）を得た。また、得られた化合物はジアス
テレオマー混合物であるが、分離せずに次の反応に用い
た。
（ｋ）上記反応により得られたアセタール化合物8.0g
（21ミリモル）をテトラヒドロフラン20ミリリットルに
溶かし、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライド
の1.0モル／リットルのテトラヒドロフラン溶液10ミリ
リットルを加えて、０℃で１時間，室温で40時間反応し
た。蒸留水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルで
抽出した。
次に、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。ジエチルエーテルを減圧留去した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して目的とす
る（2R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン3.0g
（11ミリモル）及び（2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−
トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロ
キシピラン2.3g（８ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
（１） （2R,5S,6S）体 分子式：C12H21F3O3 1 H−NMR（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ppm） 0.88 （t,J＝6.5Hz,3H） 1.20〜1.39 （m,6H） 1.50〜1.71 （m,4H） 1.83〜2.04 （m,2H） 2.13〜2.22 （m,1H） 3.46 （dt,J＝9.4,6.9Hz,1H） 3.66 （dq,J＝8.9,6.3Hz,1H） 3.81〜3.93 （m,2H） 4.52 （dd,J＝2.0,8.7Hz,1H）19 F−NMR（同位体フッ素による核磁気共鳴法， 基準：CFCl3）； δ（ppm） −75.13 （d,J＝6.3Hz） IR（赤外線吸収：cm-1） 3450,1275,1170,1130,1145,1090,940 質量分析 m/e（M+＋Ｈ） 計算値 271.1521 実測値 271.1512 ［α］D 25＝−36.0°（Ｃ（濃度）＝1.5,溶媒：メタノ
ール） （２） （2S,5S,6S）体 分子式：C12H21F3O3 1 H−NMR;δ（ppm） 0.90 （t,J＝7.3Hz,3H） 1.23〜1.45 （m,6H） 1.52〜1.67 （m,2H） 1.76〜2.00 （m,5H） 3.42 （dt,J＝9.7,6.4Hz,1H） 3.68 （dt,J＝9.7,6.8Hz,1H） 3.79〜3.98 （m,2H） 4.86 （m,1H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.17 （d,J＝6.2Hz） IR（cm-1） 3400,1270,1175,1130,1045,945 質量分析 m/e（M+＋Ｈ） 計算値 271.1521 実測値 271.1493 ［α］D 25＝＋86.5°（Ｃ（濃度）＝1.08,溶媒：メタノ
ール） 参考例２ （2R,5S,6S）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリ
フルオロメチル−５−ヒドロキシピラン及び（2S,5S,6
S）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリフルオロ
メチル−５−ヒドロキシピランの合成 （ａ）参考例１（ｉ）で得られたピラノース化合物1.7g
（5.7ミリモル）をブタノール15ミリリットルに溶か
し、参考例１（ｊ）と同様の操作を行い、アセタール化
合物1.9g（5.3ミリモル）を得た。得られた化合物はジ
アステレオマー混合物であるが、分離せずに次の反応に
用いた。
（ｂ）上記反応で得られたアセタール化合物1.9g（5.3
ミリモル）を用い、参考例１（ｋ）と同様の操作を行
い、目的とする（2R,5S,6S）−テトラヒドロ−２−ブト
キシ−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン
0.64g（2.6ミリモル）及び（2S,5S,6S）−テトラヒドロ
−２−ブトキシ−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロ
キシピラン0.59g（2.4ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
（１） （2R,5S,6S）体 分子式：C10H17F3O3 1 H−NMR;δ（ppm） 0.92 （t,J＝7.3Hz,3H） 1.30〜1.45 （m,2H） 1.52〜1.65 （m,4H） 1.88〜2.22 （m,3H） 3.47 （dt,J＝9.5,6.8Hz,1H） 3.67 （dq,J＝9.0,6.2Hz,1H） 3.79〜3.96 （m,2H） 4.52 （dd,J＝2.0,8.6Hz,1H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.17 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 3450,1270,1170,1145,1090,940 質量分析 m/e（M+＋Ｈ） 計算値 243.1208 実測値 243.1204 ［α］D 25＝−40.8°（Ｃ（濃度）＝1.07,溶媒：メタノ
ール） （２） （2S,5S,6S）体 分子式：C10H17F3O3 1 H−NMR;δ（ppm） 0.94 （t,J＝7.3Hz,3H） 1.32〜1.47 （m,2H） 1.53〜1.66 （m,2H） 1.77〜2.03 （m,5H） 3.43 （dt,J＝9.7,6.3Hz,1H） 3.69 （dt,J＝9.7,6.7Hz,1H） 3.82〜3.93 （m,2H） 4.86 （m,1H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.20 （d,J＝6.2Hz） IR（cm-1） 3400,1270,1175,1135,1050,945 質量分析 m/e（M+＋Ｈ） 計算値 243.1208 実測値 243.1237 ［α］25 D＝＋101.8°（Ｃ（濃度）＝1.06,溶媒：メタ
ノール） 実施例１ （2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘキシルオキシ
ビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン（化合物
15）の合成 ４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸ク
ロリド0.32g（1.0ミリモル）と参考例１と同様の操作で
得られた（2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン
0.23g（0.8ミリモル）のトルエン溶液５ミリリットル中
に無水ピリジン１ミリリットルを加え、室温で24時間反
応した。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止し、
エーテルにより抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去
した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
し、目的化合物である（2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６
−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−カルボニル
オキシ）ピラン0.25g（0.5ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H41F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.87〜1.02 （m,6H） 1.26〜2.24 （m,20H） 3.48 （dt,J＝9.7,6.5Hz,1H） 3.75 （dt,J＝9.7,6.8Hz,1H） 4.00 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.30 （dq,J＝9.8,6.3Hz,1H） 4.94 （m,1H） 5.25 （ddd,J＝5.3,9.7,9.8Hz,1H） 6.98 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.55 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.62 （d,J＝8.4Hz,2H） 8.06 （d,J＝8.3Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.98 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 1725,1605,1495,1260,1170,1030 質量分析 m/e（M+） 計算値 550.2906 実測値 550.2908 ［α］27 D＝−66.9°（Ｃ（濃度）＝0.51,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例２ （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘキシルオキシ
ビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン（化合物
16）の合成 ４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸ク
ロリド0.49g（1.6ミリモル）と参考例１と同様の操作で
得られた（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン
0.35g（1.3ミリモル）を用い、実施例１と同様の操作を
行い、目的化合物である（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−
６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−カルボニル
オキシ）ピラン0.44g（0.8ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H41F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.86〜0.99 （m,6H） 1.23〜2.07 （m,19H） 2.39〜2.48 （m,1H） 3.49 （dt,J＝9.4,6.8Hz,1H） 3.92 （dt,J＝9.5,6.7Hz,1H） 4.00 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.07 （dq,J＝8.8,6.3Hz,1H） 4.65 （dd,J＝2.1.8,2Hz,1H） 5.22 （ddd,J＝5.0,9.0,9.5Hz,1H） 6.98 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.55 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.62 （d,J＝8.5Hz,2H） 8.04 （d,J＝8.4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.79 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 1720,1610,1500,1260,1190,1060 質量分析 m/e（M+） 計算値 550.2906 実測値 550.2899 ［α］25 D＝−13.0°（Ｃ（濃度）＝1.10,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例３ （2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘキシルオキシビ
フェニル−４′−メチレンオキシ）ピランの合成 参考例１と同様の操作で得られた（2R,5R,6R）−テト
ラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキ
シ−５−ヒドロキシピラン0.23g（0.8ミリモル）のテト
ラヒドロフラン（３ミリリットル）溶液を60％水素化ナ
トリウム0.4g（1.0ミリモル）のテトラヒドロフラン
（４ミリリットル）溶液に窒素雰囲気下、０℃で滴下
し、30分間攪拌した。次に４′−クロロメチル−４−ヘ
キシルオキシビフェニル0.31g（1.0ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン（５ミリリットル），ジメチルスルホキシ
ド（５ミリリットル）混合溶液を室温で滴下し、22時間
反応した。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止
し、エーテルにより抽出した。次いで、飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減
圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製し、目的化合物である（2R,5R,6R）−テトラヒドロ
−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−メチレンオ
キシ）ピラン0.44g（0.8ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H43F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.85〜0.98 （m,6H） 1.22〜2.11 （m,20H） 3.41 （dt,J＝9.6,6.4Hz,1H） 3.60〜3.74 （m,2H） 3.99 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.56 （d,J＝11.3Hz,1H） 4.63 （d,J＝11.3Hz,1H） 4.86 （m,1H） 6.96 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.38 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.50 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.52 （d,J＝8.1Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.14 （d,J＝6.6Hz） IR（cm-1） 1610,1500,1245,1175,1060 質量分析 m/e（M+） 計算値 536.3114 実測値 536.3107 ［α］26 D＝−63.0°（Ｃ（濃度）＝0.78,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例４ （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘキシルオキシビ
フェニル−４′−メチレンオキシ）ピランの合成 参考例１と同様の操作で得られた（2S,5R,6R）−テト
ラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキ
シ−５−ヒドロキシピラン0.39g（1.5ミリモル）と、
４′−クロロメチル−４−ヘキシルオキシビフェニル0.
53g（1.8ミリモル）を用い、実施例３と同様の操作を行
い、目的化合物である（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６
−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−メチレンオ
キシ）ピラン0.67g（1.2ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H43F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.83〜1.00 （m,6H） 1.25〜1.69 （m,16H） 1.75〜1.88 （m,2H） 1.89〜1.99 （m,1H） 2.22〜2.33 （m,1H） 3.45 （dt,J＝9.5,6.9Hz,1H） 3.60〜3.69 （m,1H） 3.75〜3.92 （m,2H） 3.99 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.53 （dd,J＝2.3,8.3Hz,1H） 4.56 （d,J＝12.0Hz,1H） 4.61 （d,J＝11.9Hz,1H） 6.96 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.36 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.50 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.53 （d,J＝8.2Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −74.95 （d,J＝6.4Hz） IR（cm-1） 1610,1505,1250,1180,1065 質量分析 m/e（M+） 計算値 536.3114 実測値 536.3099 ［α］27 D＝＋18.9°（Ｃ（濃度）＝0.80,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例５ （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリ
フルオロメチル−５−（４″−ヘキシルオキシビフェニ
ル−４′−カルボニルオキシ）ピランの合成 ４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸ク
ロリド0.46g（1.5ミリモル）と参考例２と同様の操作で
得られた（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン0.30g
（1.2ミリモル）を用い、実施例１と同様の操作を行
い、目的化合物である（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−２
−ブトキシ−６−トリフルオロメチル−５−（４″−ヘ
キシルオキシビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピ
ラン0.2g（0.3ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C29H37F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.83〜1.07 （m,6H） 1.19〜2.08 （m,15H） 2.39〜2.50 （m,1H） 3.50 （dt,J＝9.3,6.3Hz,1H） 3.93 （dt,J＝9.4,6.7Hz,1H） 4.00 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.08 （dq,J＝8.7,6.4Hz,1H） 4.65 （dd,J＝1.9,8.1Hz,1H） 5.22 （ddd,J＝5.1,8.8,9.2Hz,1H） 6.98 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.55 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.62 （d,J＝8.3Hz,2H） 8.04 （d,J＝8.3Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.78 （d,J＝6.2Hz） IR（cm-1） 1720,1605,1500,1180,1055 質量分析 m/e（M+） 計算値 522.2593 実測値 522.2562 ［α］28 D＝＋16.9°（Ｃ（濃度）＝0.76,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例６ （2R,5R,6R）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリ
フルオロメチル−５−（４″−ヘキシルオキシビフェニ
ル−４′−メチレンオキシ）ピランの合成 参考例２と同様の操作で得られた（2R,5R,6R）−テト
ラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリフルオロメチル−５
−ヒドロキシピラン0.29g（1.2ミリモル）と４′−クロ
ロメチル−４−ヘキシルオキシビフェニル0.43g（1.4ミ
リモル）を用い実施例３と同様の操作を行い、目的化合
物である（2R,5R,6R）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−（４″−ヘキシルオキシ
ビフェニル−４′−メチレンオキシ）ピラン0.58g（1.1
ミリモル）を得た。
得られた化合物を物理的性質を以下に示す。
分子式：C29H39F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.85〜0.99 （m,6H） 1.26〜1.70 （m,12H） 1.75〜1.87 （m,2H） 1.89〜1.98 （m,1H） 2.22〜2.34 （m,1H） 3.46 （dt,J＝9.5,6.8Hz,1H） 3.60〜3.69 （m,1H） 3.76〜3.92 （m,2H） 3.99 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.53 （dd,J＝2.3,8.2Hz,1H） 4.55 （d,J＝11.9Hz,1H） 4.60 （d,J＝11.9Hz,1H） 6.96 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.36 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.50 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.52 （d,J＝8.1Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −74.97 （d,J＝6.5Hz） IR（cm-1） 1610,1500,1255,1170,1060 質量分析 m/e（M+） 計算値 508.2801 実測値 508.2792 ［α］28 D＝−63.7°（Ｃ（濃度）＝1.03,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例７ （2R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘプチルビフェ
ニル−４′−カルボニルオキシ）ピランの合成 ４′−ヘプチル−４−ビフェニルカルボン酸クロリド
0.38g（1.2ミリモル）と参考例１で得られた（2R,5S,6
S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘ
キシルオキシ−５−ヒドロキシピラン0.27g（1.0ミリモ
ル）を用い、実施例１と同様の操作を行い、目的化合物
である（2R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロ
メチル−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘプチルビ
フェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン0.36g（0.7
ミリモル）を得た。
得られた化合物を物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H43F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.83〜0.98 （m,6H） 1.22〜2.08 （m,21H） 2.39〜2.50 （m,1H） 2.66 （t,J＝7.7Hz,2H） 3.50 （dt,J＝9.4,6.9Hz,1H） 3.92 （dt,J＝9.4,6.7Hz,1H） 4.08 （dq,J＝8.8,6.3Hz,1H） 4.65 （dd,J＝2.0,8.1Hz,1H） 5.23 （ddd,J＝5.0,9.0,9.3Hz,1H） 7.28 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.54 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.65 （d,J＝8.4Hz,2H） 8.06 （d,J＝8.4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.76 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 1710,1610,1495,1260,1180,1050 質量分析 m/e（M+） 計算値 548.3114 実測値 548.3086 ［α］27 D＝−14.5°（Ｃ（濃度）＝1.02,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例８ （2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヘキシルオキシ−５−〔４−（５′−ヘプチル
−２′−ピリミジニル）フェニル−１−カルボニルオキ
シ〕ピランの合成 ４−（５′−ヘプチル−２′−ピリミジニル）安息香
酸クロリド0.38g（1.2ミリモル）と参考例１で得られた
（2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン0.27g
（1.0ミリモル）を用い、実施例１と同様の操作を行
い、目的化合物である（2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６
−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−〔４
−（５′−ヘプチル−２′−ピリミジニル）フェニル−
１−カルボニルオキシ〕ピラン0.40g（0.7ミリモル）を
得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C30H41F3O4N2 1 H−NMR;δ（ppm） 0.85〜0.99 （m,6H） 1.22〜2.25 （m,22H） 2.65 （t,J＝7.6Hz,2H） 3.49 （dt,J＝9.7,6.5Hz,1H） 3.76 （dt,J＝9.7,6.8Hz,1H） 4.31 （dq,J＝9.7,6.3Hz,1H） 4.95 （m,1H） 5.27 （ddd,J＝5.2,9.7,9.9Hz,1H） 8.13 （d,J＝8.7Hz,2H） 8.50 （d,J＝8.6Hz,2H） 8.66 （s,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.98 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 1725,1610,1540,1430,1260,1170,1080 質量分析 m/e（M+） 計算値 550.3018 実測値 550.3044 ［α］26 D＝＋70.4°（Ｃ（濃度）＝1.02,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例９ （2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−〔トランス−４−（４′−
オクチルオキシ−１′−フェニル）シクロヘキサン−１
−カルボニルオキシ〕ピランの合成 トランス−４−（４′−オクチルオキシ−１′−フェ
ニル）シクロヘキサン−１−カルボン酸クロリド0.42g
（1.2ミリモル）と参考例１で得られた（2S,5S,6S）−
テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシル
オキシ−５−ヒドロキシピラン0.27g（1.0ミリモル）を
用い、実施例１と同様の操作を行い、目的化合物である
（2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−〔トランス−４−（４′−
オクチルオキシ−１′−フェニル）シクロヘキサン−１
−カルボニルオキシ〕ピラン0.40g（0.7ミリモル）を得
た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C33H51F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.81〜1.02 （m,6H） 1.20〜2.16 （m,32H） 2.24〜2.52 （m,2H） 3.45 （dt,J＝9.7,6.5Hz,1H） 3.70 （dt,J＝9.7,6.7Hz,1H） 3.92 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.11 （dq,J＝9.7,6.3Hz,1H） 4.90 （m,1H） 5.03 （ddd,J＝5.3,9.5,9.7Hz,1H） 6.83 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.09 （d,J＝8.7Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −76.02 （d,J＝6.3Hz） IR（赤外線吸収：cm-1） 1740,1610,1515,1245,1170,1040, 質量分析 m/e（M+） 計算値 584.3689 実測値 584.3702 ［α］24 D＝＋63.5°（Ｃ（濃度）＝1.02,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例10 （2R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシ−５−（６−オクチルオキシナフ
タレン−２−カルボニルオキシ）ピランの合成 ６−オクチルオキシナフタレン−２−カルボン酸クロ
リド0.38g（1.2ミリモル）と参考例１で得られた（2R,5
S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン0.27g（1.0ミリ
モル）を用い、実施例１と同様の操作を行い、目的化合
物である（2R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−（６−オクチルオ
キシナフタレン−２−カルボニルオキシ）ピラン0.19g
（0.3ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H43F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.84〜0.98 （m,6H） 1.21〜2.08 （m,23H） 2.39〜2.52 （m,1H） 3.50 （dt,J＝9.4,6.9Hz,1H） 3.92 （dt,J＝9.4,6.7Hz,1H） 4.09 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.06〜4.18 （m,1H） 4.66 （dd,J＝2.0,7.9Hz,1H） 5.26 （ddd,J＝5.0,9.0,9.3Hz,1H） 7.13〜7.22 （m,2H） 7.73 （d,J＝8.6Hz,1H） 7.83 （d,J＝8.9Hz,1H） 7.97 （dd,J＝1.4,8.6Hz,1H） 8.47 （s,1H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.76 （d,J＝6.2Hz） IR（cm-1） 1720,1625,1275,1195,1060 質量分析 m/e（M+） 計算値 552.3063 実測値 552.3065 ［α］26 D＝−17.6°（Ｃ（濃度）＝1.03,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例11 （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリ
フルオロメチル−５−〔４−（４′−デシルオキシビフ
ェニル−４−カルボニルオキシ）フェニル−１−カルボ
ニルオキシ〕ピランの合成 ａ）４−ベンジルオキシ安息香酸クロリド0.59g（2.4ミ
モル）と参考例２と同様の操作 得られた（2S,5R,6
R）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリフルオロ
メチル−５−ヒドロキシピラン0.48g（2.0ミリモル）を
用い、実施例１と同様の操作を行いエステル化合物0.41
g（0.9ミリモル）を得た。
ｂ）上記ａ）で得られた化合物のトルエン（５ミリリッ
トル）酢酸（１ミリリットル）混合溶液に10％Pd/Cを0.
1g加え、水素雰囲気下、室温で水素化分解反応を115時
間行った。その後、反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去
した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製しアルコール化合物0.30g（0.8ミリモル）を得た。
ｃ）上記ｂ）で得られた化合物0.30g（0.8ミリモル）と
４′−デシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸クロリ
ド0.37g（1.0ミリモル）を用い、実施例１と同様の操作
を行い、目的化合物である（2S,5R,6R）−テトラヒドロ
−２−ブトキシ−６−トリフルオロメチル−５−〔４−
（４′−デシルオキシビフェニル−４−カルボニルオキ
シ）フェニル−１−カルボニルオキシ〕ピラン0.50g
（0.72ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C40H49F3O7 1 H−NMR;δ（ppm） 0.85〜1.02 （m,6H） 1.22〜2.09 （m,23H） 2.40〜2.52 （m,1H） 3.51 （dt,J＝9.4,6.8Hz,1H） 3.93 （dt,J＝9.4,6.7Hz,1H） 4.02 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.00〜4.12 （m,1H） 4.65 （dd,J＝2.0,8.5Hz,1H） 5.18〜5.30 （m,1H） 7.01 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.33 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.60 （d,J＝8.6Hz,2H） 7.70 （d,J＝8.3Hz,2H） 8.10 （d,J＝8.6Hz,2H） 8.23 （d,J＝8.4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.79 （d,J＝6.2Hz） IR（cm-1） 1735,1720,1605,1505,1260,1165,1075 質量分析 m/e（M+） 計算値 698.3431 実測値 698.3442 ［α］26 D＝＋6.8°（Ｃ（濃度）＝0.90,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例12 （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキサノイルオキシ−５−（４″−ヘプチルビフ
ェニル−４′−カルボニルオキシ）ピランの合成 ４′−ヘプチル−４−ビフェニルカルボン酸クロリド
0.47g（1.5ミリモル）と（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−
６−トリフルオロメチル−２−ヘキサノイルオキシ−５
−ヒドロキシピラン0.34g（1.2ミリモル）を用い、実施
例１と同様の操作を行い、目的化合物である（2S,5R,6
R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘ
キサノイルオキシ−５−（４″−ヘプチルビフェニル−
４′−カルボニルオキシ）ピラン0.33g（0.6ミリモル）
を得た。得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H41F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.80〜1.03 （m,6H） 1.19〜1.46 （m,12H） 1.54〜1.79 （m,4H） 1.86〜2.17 （m,3H） 2.24〜2.47 （m,3H） 2.66 （t,J＝7.7Hz,2H） 4.36 （dq,J＝9.8,6.0Hz,1H） 5.25〜5.36 （m,1H） 6.30 （m,1H） 7.28 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.54 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.66 （d,J＝8.5Hz,2H） 8.08 （d,J＝8.5Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.98 （d,J＝6.0Hz） IR（cm-1） 1760,1725,1610,1495,1260,1175,1080 ［α］26 D＝−49.2°（Ｃ（濃度）＝1.11,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例13 （2S,4S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメ
チル−２−ヘキシルオキシ−４−メチル−５−（４″−
ヘキシルオキシビフェニル−４′−カルボニルオキシ）
ピランの合成 ４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸ク
ロリド0.25g（0.8ミリモル）と（2S,4S,5S,6S）−テト
ラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキ
シ−４−メチル−５−ヒドロキシピラン0.15g（0.5ミリ
モル）を用い、実施例１と同様の操作を行い、目的化合
物である（2S,4S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフ
ルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−４−メチル−５−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−カルボニル
オキシ）ピラン0.18g（0.3ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H43F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.79〜1.03 （m,6H） 1.11 （d,J＝7.0Hz,3H） 1.16〜2.42 （m,19H） 3.45 （dt,J＝9.7,6.5Hz,1H） 3.89 （dt,J＝9.7,6.8Hz,1H） 4.01 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.30〜4.44 （m,1H） 4.96〜5.02 （m,1H） 5.48 （dd,J＝4.9,6.7Hz,1H） 6.99 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.56 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.63 （d,J＝8.3Hz,2H） 8.09 （d,J＝8.3Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.61 （d,J＝7.2Hz） IR（cm-1） 1720,1605,1490,1260,1175 ［α］27 D＝＋62.9°（Ｃ（濃度）＝0.94,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例14 （2R,3R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメ
チル−２−ヘキサノイルオキシ−３−メチル−５−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−カルボニル
オキシ）ピランの合成 ４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸ク
ロリド0.43g（1.4ミリモル）と（2R,3R,5S,6S）−テト
ラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキサノイル
オキシ−３−メチル−５−ヒドロキシピラン0.28g（0.9
ミリモル）を用い、実施例１と同様の操作を行い、目的
化合物である（2R,3R,5S,6S）−テトラヒドロ−６−ト
リフルオロメチル−２−ヘキサノイルオキシ−３−メチ
ル−５−（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−カ
ルボニルオキシ）ピラン0.38g（0.7ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H41F3O6 1 H−NMR;δ（ppm） 0.86〜0.97 （m,6H） 0.96 （d,J＝6.7Hz,3H） 1.23〜1.88 （m,18H） 1.99〜2.16 （m,1H） 2.41 （t,J＝7.4Hz,2H） 2.45〜2.57 （m,1H） 4.01 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.19 （dq,J＝9.6,5.9Hz,1H） 5.21〜5.32 （m,1H） 5.51 （d,J＝9.0Hz,1H） 6.99 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.56 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.62 （d,J＝8.4Hz,2H） 8.03 （d,J＝8.4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.95 （d,J＝5.9Hz） IR（cm-1） 1760,1720,1605,1500,1250,1160 ［α］27 D＝−6.4°（Ｃ（濃度）＝0.99,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例15 化合物 をそれぞれ25重量％からなる母体液晶Ａを作製した。こ
の液晶Ａに実施例１で得られた光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体が２重量％となるように混合し、液晶組成物
を作製した。
得られた液晶組成物の相転移温度は、以下の通りであ
る。
SmC*：強誘電性カイラルスメクチックＣ相 SmA:スメクチックＡ相 N*：カイラルネマチック相 Iso:等方相 この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施
したポリイミド配向膜を有するセル間隔1.5μｍの液晶
素子に注入した。徐冷して配向させ、30℃でVPP＝15Vの
矩形波電圧を印加したときの応答速度（τ0-90）は103
μ秒であった。なお、応答速度は直交ニコル下における
透過光強度が０〜90％まで変化する時間として求めた。
また、三角波法で測定した自発分極値は2.7nC/cm2であ
った。
実施例16 実施例15で得られた母体液晶Ａに、実施例２で得られ
た光学活性テトラヒドロピラン誘導体を５重量％となる
ように混合し液晶組成物を作製した。
得られた液晶組成物の相転移温度は、以下の通りであ
る。
この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施
したポリイミド配向膜を有するセル間隔1.4μｍの液晶
素子に注入した。徐冷して配向させ、30℃でVPP＝14Vの
矩形波電圧を印加したときの応答速度（τ0-90）は62μ
秒であった。なお、応答速度は直交ニコル下における透
過光強度が０〜90％まで変化する時間として求めた。ま
た、三角波法で測定した自発分極値は9.9nC/cm2であっ
た。
参考例３ （5S,6S）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシ
ロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラ
ンの合成 〔式中、TBS及び＊は前記と同じである。〕 （ａ）窒素雰囲気下、フラン13.6g（200ミリモル）をテ
トラヒドロフラン150ミリリットルに加え、1.5モル／リ
ットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液133ミリリッ
トル（200ミリモル）を−20℃で滴下し、１時間反応さ
せた。次に、トリメチルシリルクロリド21.7g（200ミリ
モル）を滴下し、−20℃で１時間攪拌した。1.5モル／
リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液133ミリリ
ットル（200ミリモル）を加え、−20℃で１時間反応さ
せた後、−78℃でトリフルオロ酢酸エチル28.4g（200ミ
リモル）を滴下し、−78℃で１時間、室温でさらに１時
間反応させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加えて反
応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽和炭
酸水素ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去
し、フラン誘導体の粗生成物を得た。
（ｂ）乾燥エタノール100ミリリットルに水素化ホウ素
ナトリウム2.3g（60ミリモル）を加え、上記反応で得た
フラン誘導体の粗生成物を０℃で30分かけて滴下した。
室温で２時間反応させた後、エタノールを減圧留去し、
３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチルによ
り抽出した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム，飽和食
塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
酢酸エチルを減圧留去した後、減圧蒸留を行い、アルコ
ール化合物40.5g（170ミリモル）を得た。
（ｃ）塩化メチレン300ミリリットルに上記（ｂ）の反
応で得たアルコール化合物64.1g（269ミリモル）とピリ
ジン27.7ミリリットル（350ミリモル）を加え、０℃で
塩化アセチル27.5g（350ミリモル）を滴下し、室温で２
時間反応させた。
次いで、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化
メチレンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム
溶液，蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行
い、エステル化合物75.1g（268ミリモル）を得た。
（ｄ）蒸留水1800ミリリットルに上記反応により得られ
たエステル化合物58.5g（209ミリモル）を加えて、ミニ
ジャーファーメンター中で40℃で攪拌した。リパーゼPS
を30g加え、10時間反応させた。３規定の塩酸を加え、
０℃に冷却して反応を停止し、セライトによりろ過し
た。ろ液を酢酸エチルにより抽出し、飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチルを減圧
留去した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより分離精製して光学活性アルコール化合物23.2g
（97.4ミリモル）と光学活性エステル化合物25.6g（91.
4ミリモル）を得た。なお、得られたアルコール化合物
の光学純度は98.0％e.e.であった。
（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコール化合物2
5.8g（108ミリモル）を塩化メチレン200ミリリットルに
溶かし、イミダゾール10.5g（151ミリモル）とｔ−ブチ
ルジメチルシリルクロリド23.0g（151ミリモル）を０℃
で加えて15分攪拌し、室温で16時間反応させた。蒸留水
を加えて反応を停止させ、塩化メチレンにより抽出し
た。次いで、蒸留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。塩化メチレンを減圧留去した後、カラムクロ
マトグラフィーにより分離精製してシリルエーテル化合
物37.2g（106ミリモル）を得た。
（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸120ミリリットルに上記反応
で得られたシリルエーテル化合物14.1g（40ミリモル）
及びモノパーオキシフタル酸マグネシウム23.2g（60ミ
リモル）を加え、80℃で12時間反応させた。酢酸を減圧
留去した後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液を加え、酢酸
エチルにより抽出した。次いで、得られた抽出物を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。酢
酸エチルを減圧留去した後、カラムクロマトグラフィー
により分離精製し、（4S,1′Ｓ）ブテノリド化合物4.7g
（16ミリモル）及び（4R,1′Ｓ）ブテノリド化合物3.0g
（10ミリモル）を得た。なお、4.2g（12ミリモル）の原
料も回収された。
（ｇ）上記反応で得られた（4S,1′Ｓ）及び（4R,1′
Ｓ）ブテノリド化合物13.7g（46ミリモル）を分離せず
にエタノール40ミリリットルに溶かし、10％Pd/C（Pd10
重量％含有）を1.4g加え、水素雰囲気下、室温で15時間
反応した。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、
シリカゲルラカムクロマトグラフィーで分離精製して、
（4S,1′Ｓ）ブタノリド化合物8.2g（29ミリモル）及び
（4R,1′Ｓ）ブタノリド化合物3.6g（12ミリモル）を得
た。
（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル40ミリリットル
に上記反応により得られた（4S,1′Ｓ）ブタノリド化合
物7.5g（25ミリモル）を加え、−78℃で水素化ジイソブ
チルアルミニウムの0.93モル／リットルのｎ−ヘキサン
溶液32ミリリットル（30ミリモル）を滴下し、３時間反
応した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を
加え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチ
ルエーテルを減圧留去した。次いでシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製して、ラクトール化合物7.3g
（24ミリモル）を得た。
（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン50ミリリット
ルに上記反応により得られたラクトール化合物7.3g（24
ミリモル）を加え、−78℃でカリウム−ｔ−ブトキシド
3.0g（27ミリモル）のテトラヒドロフラン10ミリリット
ル溶液を滴下し、３時間反応した。蒸留水を加えて反応
を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエチルエ
ーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去した。
次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
て、目的とする（5S,6S）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブ
チルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−
ヒドロキシピラン6.4g（21ミリモル）を得た。得られた
化合物は、同位体フッ素による核磁気共鳴法から、モル
比が82:18のジアステレオマーの混合物であった。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
（１） （2R,5S,6S）体 分子式：C12H23F3O3Si1 H−NMR（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ppm） 0.03 （s,6H） 0.85 （s,9H） 1.40〜2.10 （m,4H） 2.90〜3.10 （m,1H） 3.78 （dt,J＝5.6,8.9Hz,1H） 4.11 （dq,J＝9.2,6.9Hz,1H） 5.20〜5.40 （m,1H）19 F−NMR（同位体フッ素による核磁気共鳴法， 基準：CF3COOH）；δ（ppm） 4.90 （d,J＝6.1Hz） （２） （2S,5S,6S）体 分子式：C12H23F3O3Si1 H−NMR;δ（ppm） 0.05 （s,6H） 0.85 （s,9H） 1.40〜2.10 （m,4H） 3.20〜3.40 （m,1H） 3.67 （dq,J＝8.8,6.2Hz,1H） 3.70〜3.90 （m,1H） 4.80〜5.00 （m,1H）19 F−NMR（基準：CF3COOH）；δ（ppm） 4.80 （d,J＝7.6Hz） 実施例17 （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘキシルオキ
シビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン（化合
物51）の合成 （ａ）４′−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン
酸クロリド1.14g（3.6ミリモル）と参考例３と同様の操
作で得られた（5R,6R）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチ
ルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒ
ドロキシピラン0.90g（3.0ミリモル）のトルエン溶液５
ミリリットル中に無水ピリジン２ミリリットルを加え、
室温で20時間反応した。この反応溶液に蒸留水を加えて
反応を停止し、エーテルにより抽出した。次いで飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エー
テルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、エステル化合物1.12g（1.9ミリモル）
を得た。
（ｂ）上記（ａ）で得られたエステル化合物1.12gをテ
トラヒドロフラン10ミリリットルに溶かし、テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムフルオライドの1.0モル／リット
ルのテトラヒドロフラン溶液1.0ミリリットルを加え、
０℃で１時間、室温で６時間反応させた。この反応液に
蒸留水を加えて反応を停止し、反応物をエーテルで抽出
した。次いで、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、
シリカゲルクロマトグラフィーで分離精製して、（2S,5
R,6R）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.08g（0.2
ミリモル）および（2R,5R,6R）の不斉炭素を有するアル
コール化合物0.74g（1.6ミリモル）を得た。
（ｃ）上記（ｂ）で得られた（2S,5R,6R）の不斉炭素を
有するアルコール化合物0.08gをトルエン３ミリリット
ルに溶かし、ピリジン0.5ミリリットル，ヘキサノイル
クロライド0.03ミリリットル（0.2ミリモル）を順次加
え、室温で20時間反応させた。この反応溶液に蒸留水を
加え反応を停止し、反応物をエーテルで抽出した。次い
で、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで分離精製して、目的の化合物であ
る（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘキシルオ
キシビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン0.09
g（0.2ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的性質
を以下に示す。
分子式：C31H39F3O6 1 H−NMR;δ（ppm） 0.82〜1.01 （m,6H） 1.20〜2.31 （m,18H） 2.33 （t,J＝7.5Hz,2H） 4.02 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.29 （dq,J＝9.8,5.9Hz,1H） 5.10〜5.22 （m,1H） 6.48 （m,1H） 7.00 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.59 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.67 （d,J＝8.4Hz,2H） 8.11 （d,J＝8.5Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −76.05 （d,J＝5.9Hz） IR（cm-1） 1740,1730,1605,1500,1265,1170,1070 質量分析 m/e（M+） 計算値 564.2699 実測値 564.2704 ［α］27 D＝−51.6°（Ｃ（濃度）＝0.92,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例18 （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘプチルビフ
ェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン（化合物54）
の合成 ４′−ヘプチル−４−ビフェニルカルボン酸クロリド
0.74g（2.4ミリモル）を用いた以外は、実施例17と同様
の操作を行い、目的化合物である（2S,5R,6R）−テトラ
ヒドロ−６−トリフルオロメチル−５−ヘキサノイルオ
キシ−２−（４″−ヘプチルビフェニル−４′−カルボ
ニルオキシ）ピラン0.15g（0.3ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H41F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.82〜0.97 （m,6H） 1.18〜1.45 （m,11H） 1.53〜1.76 （m,5H） 1.94〜2.29 （m,4H） 2.33 （t,J＝7.6Hz,2H） 2.67 （t,J＝7.7Hz,2H） 4.29 （dq,J＝9.8,5.9Hz,1H） 5.10〜5.23 （m,1H） 6.49 （m,1H） 7.30 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.56 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.70 （d,J＝8.5Hz,2H） 8.13 （d,J＝8.5Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −76.07 （d,J＝5.9Hz） IR（cm-1） 1735,1610,1490,1265,1170,1070 質量分析 m/e（M+） 計算値 562.2906 実測値 562.2934 ［α］25 D＝−50.3°（Ｃ（濃度）＝0.68,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例19 （2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘキシルオキ
シビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピランの合成 実施例17（ｂ）の操作で得られた（2R,5R,6R）の不斉
炭素を有するアルコール化合物0.37g（0.8ミリモル）と
ヘキサノイルクロライド0.13ミリリットル（1.0ミリモ
ル）を用いた以外は、実施例17（ｃ）と同様の操作を行
い、目的化合物である（2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６
リフルオロメチル−５−ヘキサノイルオキシ−２−
（４″−ヘ ルオキシビフェニル−４′−カルボニル
オキシ）ピラン0.41g（0.7ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H39F3O6 1 H−NMR;δ（ppm） 0.82〜1.00 （m,6H） 1.21〜2.48 （m,18H） 2.34 （t,J＝7.5Hz,2H） 4.01 （t,J＝6.5Hz,2H） 4.14 （dq,J＝6.8,6.8Hz,1H） 5.09〜5.20 （m,1H） 6.18 （dd,J＝2.7,7.0Hz,1H） 6.99 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.56 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.63 （d,J＝8.5Hz,2H） 8.11 （d,J＝8.4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.39 （d,J＝6.8Hz） IR（cm-1） 1740,1605,1500,1270,1180,1080 質量分析 m/e（M+） 計算値 564.2699 実測値 564.2681 ［α］25 D＝−15.3°（Ｃ（濃度）＝1.20,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例20 （2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘプチルオキ
シビフェニル−４′−メチレンオキシ）ピランの合成 （ａ）４′−ヘプチル−４−ヒドロキシメチルビフェニ
ル0.85g（3.0ミリモル）と参考例３と同様の操作で得ら
れた（5R,6R）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチ
ルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ
ピラン0.60g（2.0ミリモル）のテトラヒドロフラン溶液
８ミリリットル中に酸触媒としてパラトルエンスルホン
酸0.1gを加え、室温で50時間還流した。この反応溶液に
蒸留水を加えて反応を停止し、反応物をエーテルにより
抽出した。次いで得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥物中のエー
テルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、アセタール化合物0.69g（1.2ミリモ
ル）を得た。
（ｂ）上記（ａ）で得られたアセタール化合物0.69gを
テトラヒドロフラン10ミリリットルに溶かし、テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドの1.0モル／リッ
トルテトラヒドロフラン溶液1.2ミリリットルを加え、
０℃で１時間、室温で14時間反応させた。この反応液に
蒸留水を加えて反応を停止し、反応物をエーテルで抽出
した。次いで、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、
シリカゲルクロマトグラフィーで分離精製して、（2R,5
R,6R）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.39g（0.9
ミリモル）および（2S,5R,6R）の不斉炭素を有するアル
コール化合物0.13g（0.3ミリモル）を得た。
（ｃ）上記（ｂ）で得られた（2R,5R,6R）の不斉炭素を
有するアルコール化合物0.39gをトルエン５ミリリット
ルに溶かし、ピリジン1.0ミリリットル，ヘキサノイル
クロライド0.14ミリリットル（1.0ミリモル）を順次加
え、室温で20時間反応させた。この反応溶液に蒸留水を
加え反応を停止し、反応物をエーテルで抽出した。次い
で、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで分離精製して、目的の化合物であ
る（2R,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチ
ル−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘプチルビ
フェニル−４′−メチレンオキ）ピラン0.43g（0.8ミリ
モル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H43F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.82〜0.96 （m,6H） 1.20〜1.42 （m,11H） 1.51〜1.73 （m,5H） 1.84〜2.07 （m,4H） 2.29 （t,J＝7.5Hz,2H） 2.65 （t,J＝7.7Hz,2H） 4.19 （dq,J＝9.7,6.2Hz,1H） 4.57 （d,J＝11.9Hz,1H） 4.78 （d,J＝11.9Hz,1H） 5.01〜5.13 （m,2H） 7.26 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.41 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.51 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.59 （d,J＝8.2Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −76.06 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 1740,1610,1500,1270,1170,1090 質量分析 m/e（M+） 計算値 548.3114 実測値 548.3130 ［α］25 D＝−71.1°（Ｃ（濃度）＝1.00,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例21 （2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘプチルビフ
ェニル−４′−メチレンオキシ）ピランの合成 実施例20（ｂ）の操作で得られた（2S,5R,6R）の不斉
炭素を有するアルコール化合物0.13g（0.3ミリモル）を
用い、実施例20（ｃ）と同様の操作を行い、目的化合物
である（2S,5R,6R）−テトラヒドロ−６−トリフルオロ
メチル−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４″−ヘプチ
ルビフェニル−４′−メチレンオキシ）ピラン0.13g
（0.2ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C32H43F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.80〜0.98 （m,6H） 1.14〜1.43 （m,13H） 1.49〜2.02 （m,6H） 2.18〜2.32 （m,1H） 2.29 （t,J＝7.5Hz,2H） 2.64 （t,J＝7.7Hz,2H） 3.89 （dq,J＝8.8,6.3Hz,1H） 4.64 （d,J＝12.0Hz,1H） 4.65 （dd,J＝2.4,8.1Hz,1H） 4.92 （d,J＝11.9Hz,1H） 4.97〜5.11 （m,1H） 7.25 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.40 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.50 （d,J＝8.1Hz,2H） 7.57 （d,J＝8.2Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.83 （d,J＝6.3Hz） IR（cm-1） 1730,1600,1500,1270,1165,1060 質量分析 m/e（M+） 計算値 548.3114 実測値 548.3121 ［α］24 D＝＋38.8°（Ｃ（濃度）＝0.75,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例22 （2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキシルオキシ−２−（４″−ヘキシルオキシビ
フェニル−４′−メチレンオキシ）ピランの合成 （ａ）４′−ヘキシルオキシ−４−ヒドロキシメチルビ
フェニル0.85g（3.0ミリモル）と参考例３で得られた
（5S,6S）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシ
ロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラ
ン0.60g（2.0ミリモル）を用い、実施例20（ａ）及び
（ｂ）と同様の操作を行い（2S,5S,6S）の不斉炭素を有
するアルコール化合物0.37g（0.8ミリモル）および（2
R,5S,6S）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.12g
（0.3ミリモル）を得た。
（ｂ）上記（ａ）で得られた（2S,5S,6S）の不斉炭素を
有するアルコール化合物0.37gのテトラヒドロフラン
（４ミリリットル）溶液を60％水素化ナトリウム0.04g
（1.0ミリモル）のテトラヒドロフラン（４ミリリット
ル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し、30分間攪拌し
た。次いで、１−ブロモヘキサン0.15ミリリットル（1.
1ミリモル）及びジメチルスルホキシド３ミリリットル
を室温で加え、14時間反応させた。
この反応溶液に蒸留水を加え反応を停止し、反応物を
エーテルで抽出した。次いで、抽出物を飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減
圧留去した後、シリカゲルクロマトグラフィーで分離精
製して、目的化合物である（2S,5S,6S）−テトラヒドロ
−６−トリフルオロメチル−５−ヘキシルオキシ−２−
（４″−ヘキシルオキシビフェニル−４′−メチレンオ
キシ）ピラン0.27g（0.5ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H43F3O4 1 H−NMR;δ（ppm） 0.79〜0.98 （m,6H） 1.18〜2.09 （m,20H） 3.35〜3.64 （m,3H） 4.00 （t,J＝6.6Hz,2H） 3.98〜4.12 （m,1H） 4.52 （d,J＝11.8Hz,1H） 4.75 （d,J＝11.8Hz,1H） 4.97 （m,1H） 6.96 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.38 （d,J＝8.2Hz,2H） 7.51 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.53 （d,J＝8.2Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.32 （d,J＝6.7Hz） IR（cm-1） 1610,1500,1245,1170,1080 質量分析 m/e（M+） 計算値 536.3114 実測値 536.3125 ［α］25 D＝＋76.7°（Ｃ（濃度）＝1.22,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例23 （2R,5R,6R）−テトラヒドロ−５−アセトキシ−６−ト
リフルオロメチル−２−（４″−ヘキシルオキシビフェ
ニル−４′−カルボニルオキシ）ピランの合成 実施例17（ｂ）の操作で得られた（2R,5R,6R）の不斉
炭素を有するアルコール化合物0.37g（0.8ミリモル）及
びアセチルクロライド0.07ミリリットル（1.0ミリモ
ル）を用い、実施例17（ｃ）と同様の操作を行い、目的
化合物である（2R,5R,6R）−テトラヒドロ−５−アセト
キシ−６−トリフルオロメチル−２−（４″−ヘキシル
オキシビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン0.
39g（0.8ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C27H31F3O6 1 H−NMR;δ（ppm） 0.91 （t,J＝6.9Hz,3H） 1.22〜1.56 （m,6H） 1.70〜2.13 （m,8H） 2.33〜2.46 （m,1H） 4.00 （t,J＝6.6Hz,2H） 4.14 （dq,J＝6.8,6.8Hz,1H） 5.09〜5.19 （m,1H） 6.18 （dd,J＝2.7,7.0Hz,1H） 6.98 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.56 （d,J＝8.7Hz,2H） 7.63 （d,J＝8.5Hz,2H） 8.10 （d,J＝8.4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −75.50 （d,J＝6.8Hz） IR（cm-1） 1740,1610,1500,1240,1175,1080 質量分析 m/e（M+） 計算値 508.2073 実測値 508.2077 ［α］23 D＝−14.9°（Ｃ（濃度）＝1.03,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例24 （2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキシルオキシ−２−（４″−ヘキシルオキシビ
フェニル−４′−カルボニルオキシ）ピランの合成 （ａ）（5S,6S）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメ
チルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキ
シピラン6.4g（21ミリモル）をヘキサノール40ミリリッ
トルに溶かし、パラトルエンスルホン酸0.1gを加え、室
温で18時間反応した。この反応溶液をそのままシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製し、アセタール化合
物8.0g（21ミリモル）を得た。
（ｂ）上記（ａ）で得られたアセタール化合物8.0gをテ
トラヒドロフラン20ミリリットルに溶かし、テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムフルオライドの1.0モル／リット
ルのテトラヒドロフラン溶液10ミリリットルを加え、０
℃で１時間、室温で40時間反応させた。この反応液に蒸
留水を加えて反応を停止し、反応物をエーテルで抽出し
た。次いで、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、シ
リカゲルクロマトグラフィーで分離精製して、（2R,5S,
6S）の不斉炭素を有するアルコール化合物3.0g（11ミリ
モル）および（2S,5S,6S）の不斉炭素を有するアルコー
ル化合物2.3g（8.0ミリモル）を得た。
（ｃ）上記（ｂ）で得られた（2S,5S,6S）の不斉炭素を
有するアルコール化合物0.56g（2.1ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン（５ミリリットル）溶液を、60％水素化ナ
トリウム0.10g（2.5ミリモル）のテトラヒドロフラン
（３ミリリットル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し30
分間攪拌した。次いで、１−ブロモヘキサン0.35ミリリ
ットル（2.5ミリモル）及びジメチルスルホキシド２ミ
リリットルを加え室温で18時間反応させた。この反応溶
液に蒸留水を加え反応を停止し、反応物をエーテルで抽
出した。次いで、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した
後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して、エーテ
ル化合物0.72g（2.0ミリモル）を得た。
（ｄ）上記（ｃ）で得られたエーテル合物0.52g（1.5ミ
リモル）をテトラヒドロフラン10ミリリットルに溶か
し、蒸留水10ミリリットル及び濃硫酸２ミリリットルを
加え、50時間還流した。１規定水酸化カリウム水溶液を
加え反応を停止し、反応物をエーテルで抽出した。次い
で、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで分離精製して、ヘミアセタール化
合物0.37g（1.4ミリモル）を得た。
（ｅ）上記（ｄ）で得られたヘミアセタール化合物0.29
g（1.1ミリモル）及び４′−ヘキシルオキシ−４−ビフ
ェニルカルボン酸クロリド0.49g（1.6ミリモル）を用
い、実施例１（ａ）と同様の反応を行い、目的化合物で
ある（2S,5S,6S）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメ
チル−５−ヘキシルオキシ−２−（４″−ヘキシルオキ
シビフェニル−４′−カルボニルオキシ）ピラン0.34g
（0.6ミリモル）を得た。
得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
分子式：C31H41F3O5 1 H−NMR;δ（ppm） 0.81〜0.99 （m,6H） 1.19〜1.68 （m,15H） 1.70〜1.93 （m,4H） 2.12〜2.25 （m,1H） 2.29〜2.42 （m,1H） 3.40〜3.65 （m,3H） 4.01 （t,J＝6.6Hz,2H） 6.14 （dd,J＝2.7,6.6Hz,1H） 6.98 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.56 （d,J＝8.8Hz,2H） 7.62 （d,J＝8.5Hz,2H） 8.10 （d,J＝8,4Hz,2H）19 F−NMR（基準：CFCl3）；δ（ppm） −74.98 （d,J＝7.4Hz） IR（cm-1） 1730,1605,1495,1265,1180,1080 質量分析 m/e（M+） 計算値 550.2906 実測値 550.2914 ［α］26 D＝＋10.7°（Ｃ（濃度）＝1.03,溶媒：クロロ
ホルム） 実施例25 実施例15で得られた母体液晶Ａに実施例18で得られた
光学活性テトラヒドロピラン誘導体が２重量％となるよ
うに混合し、液晶組成物を作製した。
この液晶組成物の相転移温度は次の通りであった。
Cry:結晶相 SmC*：強誘電性カイラルスメクチックＣ相 SmA:スメクチックＡ相 N*：コレステリック相 Iso:等方相 この組成物を、等方相でパラレルラビング処理を施し
たポリイミド配向膜を有するセル間隔1.6μｍの液晶素
子に注入した。徐冷して配向させ、温度30℃でVPP＝16V
の矩形波電圧を印加したときの応答速度（τ0-90）は57
μsecであった。なお、応答速度は、直交ニコル下にお
ける透過光強度が０〜90％まで変化する時間として求め
た。また、三角波法で測定した自発分極値は5.0nC/cm2
であった。
実施例26 実施例15で作製した母体液晶Ａに、実施例17で得られ
た光学活性テトラヒドロピラン誘導体が２重量％となる
ように混合し、液晶組成物を作製した。
この液晶組成物の相転移温度は次の通りであった。
得られた液晶組成物を、等方相でパラレルラビング処
理を施したポリイミド配向膜を有するセル間隔1.6μｍ
の液晶素子に注入した。この液晶素子を徐冷し配向させ
た後、30℃でVPP＝16Vの矩形波電圧を印加した結果、応
答速度（τ0-90）は71μ秒であった。また、三角波法で
測定した自発分極値は4.9nC/cm2であった。
実施例27 上記実施例と同様にして、第2a表および第2b表に示し
た化合物１〜59（１〜44:一般式（Ｉ）の具体例,45〜5
9:一般式（Ｉ′）の具体例）を合成した。
得られた化合物を実施例15で作製した母体液晶Ａに２
重量％添加して液晶組成物を作製した。この液晶組成物
を等方相でパラレルラビング処理を施したポリイミド配
向膜を有するセル間隔約２μｍの液晶素子に注入した。
この液晶素子を徐々に冷却して配向させ、温度30℃で
VPP＝20Vの矩形波電圧を印加した時の応答速度
（τ0-90）を測定した。得られた結果を第2a表および第
2b表に合わせて示した。
実施例28 実施例15で得られた母体液晶Ａに第３表に示す各化合
物（15,16,21,22,34,46,51,54）をそれぞれ２重量％添
加して液晶組成物Ａ〜Ｈを作製した。これらの組成物
は、全てIso相→N*相→SmA相→SmC*相の相系列を示し
た。得られた組成物を楔セルに封入しN*相の下限より１
℃高い温度でラセンピッチを測定した。この結果を、組
成物の自発分極とともに第３表に示す。ラセンピッチの
測定は、偏光顕微鏡下で線欠陥の間隔（Ｗ）を測定し、
楔セルの傾斜角度θとしたときの理論式 （Ｐ＝2W・Tanθ）より求めた。
ラセンの向きは、化合物（XXXVIII） がN*相で誘起するラセンの向きがＬ（−）であることが
確認されている。よって、組成物Ａ〜Ｈのラセンの向き
は、これを標準化合物として接触法により求め、第３表
に示した。
実施例29 実施例15で得られた母体液晶Ａに第３表に示す実施例
１で得られた化合物15を1.3重量％，実施例２で得られ
た化合物16を0.7重量％添加して液晶組成物を作製し
た。この組成物の相転移温度は次の通りである。
この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施
したポリイミド配向膜を有するセル間隔1.8μｍの液晶
素子に注入した。得られた液晶素子を徐冷して配向さ
せ、30℃でVpp＝18Vの矩形波電圧を印加したときの応答
速度（τ0-90）は114μ秒であり、自発分極値は3.8nC/c
m2であった。
また N*相におけるラセンピッチは100μｍ以上であ
り、配向性は極めて良好であった。
実施例30 実施例15で得られた母体液晶Ａに第３表に示す自発分
極の向きが等しくN*相のラセン向きが異なる化合物22と
化合物46をそれぞれ0.5重量％,1.5重量％添加して液晶
組成物を作製した。この組成物の相転移温度は次の通り
である。
この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施
したポリイミド配向膜を有するセル間隔1.7μｍの液晶
素子に注入した。得られた液晶素子を徐冷して配向さ
せ、30℃でVpp＝17Vの矩形波電圧を印加したときの応答
速度（τ0-90）は113μ秒であり、自発分極値は3.6nC/c
m2であった。
また、N*相におけるラセンピッチは100μｍ以上であ
り、配向性は極めて良好であった。
実施例31 実施例15で得られた母体液晶Ａに第３表に示す自発分
極の向きが等しくN*相のラセン向きが異なる実施例１で
得られた化合物15を１重量％，化合物34を１重量％添加
して液晶組成物を作製した。この組成物の相転移温度は
次の通りである。
この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施
したポリイミド配向膜を有するセル間隔2.6μｍの液晶
素子に注入した。得られた液晶素子を徐冷して配向さ
せ、30℃でVpp＝26Vの矩形波電圧を印加したときの応答
速度（τ0-90）は111μ秒であり、自発分極値は4.7nC/c
m2であった。
また、N*相におけるラセンピッチは100μｍ以上であ
り、配向性は極めて良好であった。
産業上の利用可能性 以上の如く、本発明の光学活性テトラヒドロピラン誘
導体は、化学的に安定で着色がなく、光安定性にも優れ
た新規化合物であり、高速応答性を有するものである。
従って、本発明の光学活性テトラヒドロピラン誘導体
は、表示素子，電気光学素子に有効に利用することがで
きる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｋ 19/54 Ｃ０９Ｋ 19/54 Ｂ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 竹田 充範 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島 石油株式会社鹿島製油所内 (72)発明者 村山 義信 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島 石油株式会社鹿島製油所内

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式（Ｉ） または（Ｉ′） 〔式中、Rfは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を示
    し、R1は炭素数３〜20の直鎖又は分岐鎖アルキル基を示
    し、R2，R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は炭素数１〜
    15の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素数２〜15のアルケ
    ニル基又は炭素数７〜10のアラルキル基を示し、X1は−
    COO−，−OCO−．−Ｏ−又は単結合を示し、X2は−COO
    −，−OCO−，−CH2O−，−OCH2−又は単結合を示し、X
    3は−COO−，−CH2O−又は−Ｏ−を示し、X4は−Ｏ−又
    は−OCO−を示し、＊は不斉炭素を示し、Ａ及びＢはそ
    れぞれ独立に を示し、ｎは０または１を示す。〕 で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体。
  2. 【請求項２】（ａ）請求項１記載の光学活性テトラヒド
    ロピラン誘導体を少なくとも１種と （ｂ）前記（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（Sm
    C*相）を有する化合物あるいは混合物および／または （ｃ）該（ａ）以外のスメクチックＣ相（SmC相）を有
    する化合物あるいは混合物からなる液晶組成物。
  3. 【請求項３】（ａ）自発分極の向きが等しく、かつコレ
    ステリック相（N*相）のラセンピッチの向きが異なる請
    求項１記載の光学活性テトラヒドロピラン誘導体を少な
    くとも２種と （ｂ）前記（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（Sm
    C*相）を有する化合物あるいは混合物および／または （ｃ）該（ａ）以外のスメクチックＣ相（SmC相）を有
    する化合物あるいは混合物からなる液晶組成物。
  4. 【請求項４】請求項１記載の光学活性テトラヒドロピラ
    ン誘導体の少なくとも２種からなる液晶組成物。
  5. 【請求項５】請求項１記載の光学活性テトラヒドロピラ
    ン誘導体あるいは請求項２〜４のいずれかに記載の液晶
    組成物を、一対の電極基板間に配設してなることを特徴
    とする液晶素子。
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