JP2000226382A - 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents
光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子Info
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Landscapes
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- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示素子あるいは電気光学素子に用いら
れる液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒドロ
ピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子
の開発。 【解決手段】 一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉ’ａ）
又は（Ｉ’ｂ） 【化１】 で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを
含有する液晶組成物及び液晶素子。
れる液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒドロ
ピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子
の開発。 【解決手段】 一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉ’ａ）
又は（Ｉ’ｂ） 【化１】 で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを
含有する液晶組成物及び液晶素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子に
関し、詳しくは、表示素子あるいは電気光学素子に用い
られる液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒド
ロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素
子に関する。
ラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子に
関し、詳しくは、表示素子あるいは電気光学素子に用い
られる液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒド
ロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種の表示素子，電子光学デバイ
ス，液晶センサなど、液晶の利用分野が著しく拡大しつ
つあり、それに伴って様々な構造の液晶化合物が提案さ
れてきた。特に、表示素子に用いられる液晶材料は、現
在のところネマティック液晶が主流であり、これを用い
たＴＮ型あるいはＳＴＮ型の単純マトリックス方式及び
個々の画素ごとに薄膜トランジスタを付与したＴＦＴ型
のアクティブマトリックス方式が用いられている。しか
し、ネマティック液晶は、その駆動力が液晶材料の誘電
率の異方性と電場との弱い相互作用に基づくため、本質
的に応答速度が遅い（msecオーダー）という欠点を有し
ており、高速応答を要求される大画面の表示素子の材料
としては不利であった。これに対して、１９７５年マイ
ヤー( R. B. Meyer ) らにより初めて合成された強誘電
性液晶は、自発分極を有し、これが直接電界と作用する
ため、駆動力が大きく、１９８０年にクラーク( N. A.
Clark ）らが表面安定化型強誘電性液晶素子（ＳＳＦＬ
ＣＤ）において、そのμｓｅｃオーダーの高速応答性と
メモリー性を発表して以来、注目を集め、これまで多く
の強誘電性液晶化合物が合成されてきた。
ス，液晶センサなど、液晶の利用分野が著しく拡大しつ
つあり、それに伴って様々な構造の液晶化合物が提案さ
れてきた。特に、表示素子に用いられる液晶材料は、現
在のところネマティック液晶が主流であり、これを用い
たＴＮ型あるいはＳＴＮ型の単純マトリックス方式及び
個々の画素ごとに薄膜トランジスタを付与したＴＦＴ型
のアクティブマトリックス方式が用いられている。しか
し、ネマティック液晶は、その駆動力が液晶材料の誘電
率の異方性と電場との弱い相互作用に基づくため、本質
的に応答速度が遅い（msecオーダー）という欠点を有し
ており、高速応答を要求される大画面の表示素子の材料
としては不利であった。これに対して、１９７５年マイ
ヤー( R. B. Meyer ) らにより初めて合成された強誘電
性液晶は、自発分極を有し、これが直接電界と作用する
ため、駆動力が大きく、１９８０年にクラーク( N. A.
Clark ）らが表面安定化型強誘電性液晶素子（ＳＳＦＬ
ＣＤ）において、そのμｓｅｃオーダーの高速応答性と
メモリー性を発表して以来、注目を集め、これまで多く
の強誘電性液晶化合物が合成されてきた。
【０００３】強誘電性液晶の応答速度はτ＝η／（Ｐｓ
・Ｅ）で知られている。ここでηは回転粘性を示し、Ｐ
ｓは自発分極を示し、Ｅは電界強度を示す。これから、
高速応答性を得るため、粘性が小さく、自発分極の大き
な液晶材料が開発目標とされてきた。また、上記応答速
度は温度変化によりその変動が著しく、特に低温におけ
る応答性に劣ることから、応答速度の温度依存性の改善
が求められていた。このような液晶材料としては、化学
的安定性，広動作温度範囲などの特性が要求されるが、
単一の化合物でこれらの諸特性を満たすことは困難であ
った。したがって、従来、複数のカイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ* 相) を有する化合物どうしを混合した
り、粘性の低いスメクチックＣ相（ＳｍＣ相）を有する
母体液晶に光学活性な化合物を添加して所望の性能を有
するＳｍＣ* 相を示す強誘電性液晶組成物を得る方法が
用いられてきた。後者の場合には、添加するカイラルド
ーパントは、それ自体ＳｍＣ* 相を有していても、有し
ていなくてもよく、母体液晶との相溶性が良好で、大き
な自発分極を誘起し、粘性を増大させないことが要求さ
れる。
・Ｅ）で知られている。ここでηは回転粘性を示し、Ｐ
ｓは自発分極を示し、Ｅは電界強度を示す。これから、
高速応答性を得るため、粘性が小さく、自発分極の大き
な液晶材料が開発目標とされてきた。また、上記応答速
度は温度変化によりその変動が著しく、特に低温におけ
る応答性に劣ることから、応答速度の温度依存性の改善
が求められていた。このような液晶材料としては、化学
的安定性，広動作温度範囲などの特性が要求されるが、
単一の化合物でこれらの諸特性を満たすことは困難であ
った。したがって、従来、複数のカイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ* 相) を有する化合物どうしを混合した
り、粘性の低いスメクチックＣ相（ＳｍＣ相）を有する
母体液晶に光学活性な化合物を添加して所望の性能を有
するＳｍＣ* 相を示す強誘電性液晶組成物を得る方法が
用いられてきた。後者の場合には、添加するカイラルド
ーパントは、それ自体ＳｍＣ* 相を有していても、有し
ていなくてもよく、母体液晶との相溶性が良好で、大き
な自発分極を誘起し、粘性を増大させないことが要求さ
れる。
【０００４】自発分極は、分子長軸に対して垂直な方向
の双極子モーメントが不斉炭素の影響により長軸回りの
自由回転が制御された結果生じると考えられている。し
たがって、双極子部分をコアと呼ばれる骨格部に近づ
ける、双極子部分と不斉炭素原子を近づける、不斉
炭素に立体的に大きな置換基をつけ、長軸回りの自由回
転を抑制する等の方法で自発分極を増大させる試みがな
されてきた。さらに最近、双極子部分と不斉炭素を５員
環ラクトンに直結させた構造の化合物が効果的に自由回
転を束縛し、大きな自発分極を有することが報告された
（Japanese Journal of Applied Physics, 29 巻，No.
6、 ppL 981 〜L 983)。このような状況下で本発明者ら
は、さらに新たなタイプの液晶として有望なテトラヒド
ロピラン環を有する新規な光学活性化合物を開発するこ
とを目的として鋭意研究を重ねた。
の双極子モーメントが不斉炭素の影響により長軸回りの
自由回転が制御された結果生じると考えられている。し
たがって、双極子部分をコアと呼ばれる骨格部に近づ
ける、双極子部分と不斉炭素原子を近づける、不斉
炭素に立体的に大きな置換基をつけ、長軸回りの自由回
転を抑制する等の方法で自発分極を増大させる試みがな
されてきた。さらに最近、双極子部分と不斉炭素を５員
環ラクトンに直結させた構造の化合物が効果的に自由回
転を束縛し、大きな自発分極を有することが報告された
（Japanese Journal of Applied Physics, 29 巻，No.
6、 ppL 981 〜L 983)。このような状況下で本発明者ら
は、さらに新たなタイプの液晶として有望なテトラヒド
ロピラン環を有する新規な光学活性化合物を開発するこ
とを目的として鋭意研究を重ねた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】その結果、本発明者ら
は、テトラヒドロピラン環上の不斉炭素原子、及び分子
のいずれかの末端に、それ自体大きな電子吸引性を有す
るフルオロアルキル基を有する新規化合物が、単品で液
晶性を示すか、あるいは単品では液晶性を示さないが、
組成物とした場合に高速応答が期待でき、温度依存性の
少ない優れたドーパントとなりうることを見い出した。
本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。す
なわち、本発明は一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉ’
ａ）又は（Ｉ’ｂ）
は、テトラヒドロピラン環上の不斉炭素原子、及び分子
のいずれかの末端に、それ自体大きな電子吸引性を有す
るフルオロアルキル基を有する新規化合物が、単品で液
晶性を示すか、あるいは単品では液晶性を示さないが、
組成物とした場合に高速応答が期待でき、温度依存性の
少ない優れたドーパントとなりうることを見い出した。
本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。す
なわち、本発明は一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉ’
ａ）又は（Ｉ’ｂ）
【０００６】
【化８】
【０００７】〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロ
アルキル基を示し、Ｒ1 は炭素数１又は２のフルオロア
ルキル基を有する炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アル
キル基を示し、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に水
素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭
素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラ
ルキル基を示し、Ｘ1 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ
−を示し、Ｘ2 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ2 Ｏ
−，−ＯＣＨ2 −，−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示し、Ｘ3
は−ＣＯＯ−，−ＣＨ2 Ｏ−又は−Ｏ−を示し、Ｘ4 は
−Ｏ−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｘ5 は−ＣＯＯ−，−Ｏ
ＣＯ−，−Ｏ−又は単結合を示し、＊は不斉炭素を示
し、Ａが
アルキル基を示し、Ｒ1 は炭素数１又は２のフルオロア
ルキル基を有する炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アル
キル基を示し、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に水
素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭
素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラ
ルキル基を示し、Ｘ1 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ
−を示し、Ｘ2 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ2 Ｏ
−，−ＯＣＨ2 −，−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示し、Ｘ3
は−ＣＯＯ−，−ＣＨ2 Ｏ−又は−Ｏ−を示し、Ｘ4 は
−Ｏ−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｘ5 は−ＣＯＯ−，−Ｏ
ＣＯ−，−Ｏ−又は単結合を示し、＊は不斉炭素を示
し、Ａが
【０００８】
【化９】
【０００９】のいずれかであるときＢは
【００１０】
【化１０】
【００１１】
【化１１】
【００１２】のいずれかを示し（ただし、この場合ｎは
１である。）、Ｂが
１である。）、Ｂが
【００１３】
【化１２】
【００１４】のいずれかであるときＡは
【００１５】
【化１３】
【００１６】
【化１４】
【００１７】のいずれかを示し、ｎは０又は１を示
す。〕で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体を
提供するものである。また、本発明は上記光学活性テト
ラヒドロピラン誘導体を含有する液晶組成物あるいはそ
の液晶組成物からなる液晶素子をも提供するものであ
る。
す。〕で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体を
提供するものである。また、本発明は上記光学活性テト
ラヒドロピラン誘導体を含有する液晶組成物あるいはそ
の液晶組成物からなる液晶素子をも提供するものであ
る。
【００１８】一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉ’ａ）又
は（Ｉ’ｂ）において、上記のようなＲｆは炭素数１又
は２のフルオロアルキル基を示し、具体的にはトリフル
オロメチル基，ジフルオロメチル基，クロロジフルオロ
メチル基，ペンタフルオロエチル基などであり、好まし
くはトリフルオロメチル基である。また、Ｒ1 はクロロ
ジフルオロメチル基を除き、上記Ｒｆについて述べたと
同様の炭素数１又は２のフルオロアルキル基を有する炭
素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基であり、炭素
数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基としては、例え
ばｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イ
ソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，
ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，ｎ
−オクチル基，ｎ−ノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−ウン
デシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ−テ
トラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサデシル
基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，ｎ−ノ
ナデシル基，ｎ−エイコシル基などである。これらのう
ち、分岐鎖アルキル基であって、不斉炭素を有する基
は、光学活性基である。
は（Ｉ’ｂ）において、上記のようなＲｆは炭素数１又
は２のフルオロアルキル基を示し、具体的にはトリフル
オロメチル基，ジフルオロメチル基，クロロジフルオロ
メチル基，ペンタフルオロエチル基などであり、好まし
くはトリフルオロメチル基である。また、Ｒ1 はクロロ
ジフルオロメチル基を除き、上記Ｒｆについて述べたと
同様の炭素数１又は２のフルオロアルキル基を有する炭
素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基であり、炭素
数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基としては、例え
ばｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イ
ソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，
ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，ｎ
−オクチル基，ｎ−ノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−ウン
デシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ−テ
トラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサデシル
基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，ｎ−ノ
ナデシル基，ｎ−エイコシル基などである。これらのう
ち、分岐鎖アルキル基であって、不斉炭素を有する基
は、光学活性基である。
【００１９】さらに、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 としては、そ
れぞれ独立に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖
アルキル基、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル
基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル
基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチ
ル基，１−メチルブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプ
チル基，１−メチルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−
エチルヘプチル基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル
基，１−エチルオクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−
デシル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−ト
リデシル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基
などである。また、炭素数２〜１５のアルケニル基とし
ては、ビニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプ
ロペニル基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メ
チルアリル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，
１−ヘプテニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル
基，１−ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル
基，２−デセニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデ
セニル基，１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−
トリデセニル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセ
ニル基，２−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル
基，２−ペンタデセニル基などが挙げられる。炭素数７
〜１０のアラルキル基としては、ベンジル基，フェネチ
ル基，フェニルプロピル基，フェニルブチル基などが挙
げられる。
れぞれ独立に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖
アルキル基、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル
基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル
基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチ
ル基，１−メチルブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプ
チル基，１−メチルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−
エチルヘプチル基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル
基，１−エチルオクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−
デシル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−ト
リデシル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基
などである。また、炭素数２〜１５のアルケニル基とし
ては、ビニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプ
ロペニル基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メ
チルアリル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，
１−ヘプテニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル
基，１−ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル
基，２−デセニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデ
セニル基，１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−
トリデセニル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセ
ニル基，２−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル
基，２−ペンタデセニル基などが挙げられる。炭素数７
〜１０のアラルキル基としては、ベンジル基，フェネチ
ル基，フェニルプロピル基，フェニルブチル基などが挙
げられる。
【００２０】本発明による一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、
（Ｉ’ａ）又は（Ｉ’ｂ）の化合物は、様々な方法で製
造することができ、例えば以下の工程により製造するこ
とができる。 （１）Ｘ2 ＝単結合 及び Ｘ3 ＝−ＣＯＯ− の場
合：下記一般式（II） Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（II） 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＢは前記と同じである。Ha
l は塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表され
る化合物及び下記一般式（III)
（Ｉ’ａ）又は（Ｉ’ｂ）の化合物は、様々な方法で製
造することができ、例えば以下の工程により製造するこ
とができる。 （１）Ｘ2 ＝単結合 及び Ｘ3 ＝−ＣＯＯ− の場
合：下記一般式（II） Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（II） 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＢは前記と同じである。Ha
l は塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表され
る化合物及び下記一般式（III)
【００２１】
【化１５】
【００２２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｘ4 及
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩
化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行う
ことができる。
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩
化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行う
ことができる。
【００２３】（２）Ｘ2 ＝単結合， Ｘ3 ＝−ＣＨ2 Ｏ
− の場合：下記一般式（IV) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−Ｂ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（IV) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＢは前記と同じであり、Ｚ
は塩素，臭素，ヨウ素又はトシル基を示す。〕で表され
る化合物を、上記の一般式（III)で表される化合物と反
応させることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得る
ことができる。この反応は一般式（III)の化合物にアル
カリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カ
リウムで代表される塩基を作用させた後、一般式（IV）
の化合物を加えることにより行うことができる。
− の場合：下記一般式（IV) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−Ｂ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（IV) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＢは前記と同じであり、Ｚ
は塩素，臭素，ヨウ素又はトシル基を示す。〕で表され
る化合物を、上記の一般式（III)で表される化合物と反
応させることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得る
ことができる。この反応は一般式（III)の化合物にアル
カリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カ
リウムで代表される塩基を作用させた後、一般式（IV）
の化合物を加えることにより行うことができる。
【００２４】（３）Ｘ2 ＝−ＣＯＯ−， Ｘ3 ＝−ＣＯ
Ｏ− の場合：下記一般式（Ｖ） ＢｚＯ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（Ｖ) 〔式中、Ｂ及びHal は前記と同じであり、Ｂｚはベンジ
ル基を示す。〕で表される化合物を、上記一般式（III)
で表される化合物と反応させて、下記一般式（VI)
Ｏ− の場合：下記一般式（Ｖ） ＢｚＯ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（Ｖ) 〔式中、Ｂ及びHal は前記と同じであり、Ｂｚはベンジ
ル基を示す。〕で表される化合物を、上記一般式（III)
で表される化合物と反応させて、下記一般式（VI)
【００２５】
【化１６】
【００２６】〔式中、Ｒｆ，Ｂｚ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，Ｒ
3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合
物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。次に、得られた一般式（VI）の化合物中の
ベンジル基を常法で脱離させれば、下記一般式（VII)
3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合
物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。次に、得られた一般式（VI）の化合物中の
ベンジル基を常法で脱離させれば、下記一般式（VII)
【００２７】
【化１７】
【００２８】〔式中、Ｒｆ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ
4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物が生
成する。この脱ベンジル化反応は、例えばＰｄ／Ｃ触媒
の存在下でメタノール，エタノール，プロパノール等の
アルコール性溶媒又は酢酸を用いて常圧で水素化分解す
ることにより行うことができる。さらに、得られた一般
式（VII)の化合物を下記一般式（VIII) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＣＯHal ・・・（VIII) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びHal は前記と同じであ
る。〕で表される化合物と反応させることにより上記一
般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の
存在下にトルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中
で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物が生
成する。この脱ベンジル化反応は、例えばＰｄ／Ｃ触媒
の存在下でメタノール，エタノール，プロパノール等の
アルコール性溶媒又は酢酸を用いて常圧で水素化分解す
ることにより行うことができる。さらに、得られた一般
式（VII)の化合物を下記一般式（VIII) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＣＯHal ・・・（VIII) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びHal は前記と同じであ
る。〕で表される化合物と反応させることにより上記一
般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の
存在下にトルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中
で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
【００２９】（４）Ｘ2 ＝−ＣＯＯ−， Ｘ3 ＝−ＣＨ
2 Ｏ− の場合：下記一般式（IX） ＴｈｐＯ−Ｂ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（IX） 〔式中、Ｔｈｐはテトラヒドロピラニル基を示し、Ｂ及
びＺは前記と同じである。〕で表される化合物を上記一
般式（III)で表される化合物と反応させて下記一般式
（Ｘ）
2 Ｏ− の場合：下記一般式（IX） ＴｈｐＯ−Ｂ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（IX） 〔式中、Ｔｈｐはテトラヒドロピラニル基を示し、Ｂ及
びＺは前記と同じである。〕で表される化合物を上記一
般式（III)で表される化合物と反応させて下記一般式
（Ｘ）
【００３０】
【化１８】
【００３１】〔式中、Ｒｆ，Ｔｈｐ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（III)で表される化合
物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは
水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた後、一般
式（IX）の化合物を加えることにより行うことができ
る。次に得られた一般式（Ｘ) の化合物中のＴｈｐを常
法で脱離させれば、下記一般式（XI）
Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（III)で表される化合
物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは
水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた後、一般
式（IX）の化合物を加えることにより行うことができ
る。次に得られた一般式（Ｘ) の化合物中のＴｈｐを常
法で脱離させれば、下記一般式（XI）
【００３２】
【化１９】
【００３３】〔式中、Ｒｆ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ
4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸
及びパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エー
テル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を用
いて行うことができる。次に、得られた一般式（XI）の
化合物を上記一般式（VIII) で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。
4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸
及びパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エー
テル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を用
いて行うことができる。次に、得られた一般式（XI）の
化合物を上記一般式（VIII) で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。
【００３４】（５）Ｘ2 ＝−ＣＯＯ−， Ｘ3 ＝−Ｏ−
の場合：下記一般式（XII) ＴｈｐＯ−Ｂ−Hal ・・・（XII) 〔式中、Ｔｈｐ，Ｂ及びHal は前記と同じである。〕で
表される化合物を、上記一般式（III)で表される化合物
と反応させて、下記一般式（XIII)
の場合：下記一般式（XII) ＴｈｐＯ−Ｂ−Hal ・・・（XII) 〔式中、Ｔｈｐ，Ｂ及びHal は前記と同じである。〕で
表される化合物を、上記一般式（III)で表される化合物
と反応させて、下記一般式（XIII)
【００３５】
【化２０】
【００３６】〔式中、Ｒｆ，Ｔｈｐ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（III)の化合物にアル
カリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カ
リウムで代表される塩基を作用させた後、ジメチルホル
ムアミド，ジメチルスルホキシド等の還流条件下、触媒
としてヨウ化第一銅を用い、一般式（XII)で表される化
合物を反応させることにより行うことができる。次に得
られた一般式（XIII) で表される化合物中のテトラヒド
ロピラニル基を常法で脱離させれば、下記一般式（XIV)
Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（III)の化合物にアル
カリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カ
リウムで代表される塩基を作用させた後、ジメチルホル
ムアミド，ジメチルスルホキシド等の還流条件下、触媒
としてヨウ化第一銅を用い、一般式（XII)で表される化
合物を反応させることにより行うことができる。次に得
られた一般式（XIII) で表される化合物中のテトラヒド
ロピラニル基を常法で脱離させれば、下記一般式（XIV)
【００３７】
【化２１】
【００３８】〔式中、Ｒｆ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ
4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸
及びパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エー
テル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を用
いて行うことができる。ここで得られた一般式（XIV)の
化合物を上記一般式（VIII) で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。
4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸
及びパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エー
テル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を用
いて行うことができる。ここで得られた一般式（XIV)の
化合物を上記一般式（VIII) で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。
【００３９】（６）Ｘ2 ＝−ＣＨ2 Ｏ−， Ｘ3 ＝−Ｃ
ＯＯ− の場合：上記一般式（VII)で表される化合物及
び下記一般式（XV） Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（XV） 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＺは前記と同じである。〕
で表される化合物を反応させることにより上記一般式
（Ｉａ）の化合物を得ることができる。この反応は、一
般式（VII)の化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナ
トリウムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作
用させた後、一般式（XV) で表される化合物を反応させ
ることにより行うことができる。
ＯＯ− の場合：上記一般式（VII)で表される化合物及
び下記一般式（XV） Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（XV） 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＺは前記と同じである。〕
で表される化合物を反応させることにより上記一般式
（Ｉａ）の化合物を得ることができる。この反応は、一
般式（VII)の化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナ
トリウムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作
用させた後、一般式（XV) で表される化合物を反応させ
ることにより行うことができる。
【００４０】（７）Ｘ2 ＝−ＯＣＨ2 −， Ｘ3 ＝−Ｃ
ＯＯ− の場合：下記一般式（XVI) ＺＣＨ2 −Ｂ−ＣＯHal ・・・（XVI) 〔式中、Ｚ，Ｂ及びHal は前記と同じである。〕で表さ
れる化合物を、上記一般式（III)で表される化合物と反
応させて下記一般式（XVII)
ＯＯ− の場合：下記一般式（XVI) ＺＣＨ2 −Ｂ−ＣＯHal ・・・（XVI) 〔式中、Ｚ，Ｂ及びHal は前記と同じである。〕で表さ
れる化合物を、上記一般式（III)で表される化合物と反
応させて下記一般式（XVII)
【００４１】
【化２２】
【００４２】〔式中、Ｒｆ，Ｚ，Ｂ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，
Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，
トリエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩
化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行う
ことができる。次いで、下記一般式（XVIII) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＯＨ ・・・（XVIII) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 及びＡは前記と同じである。〕で表
される化合物に、上記化合物（XVII) を反応させること
により上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができ
る。この反応は、一般式（XVIII)の化合物にアルカリ金
属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウム
で代表される塩基を作用させた後、一般式（XVII) で表
される化合物を加えることにより行うことができる。
Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，
トリエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩
化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行う
ことができる。次いで、下記一般式（XVIII) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＯＨ ・・・（XVIII) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 及びＡは前記と同じである。〕で表
される化合物に、上記化合物（XVII) を反応させること
により上記一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができ
る。この反応は、一般式（XVIII)の化合物にアルカリ金
属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウム
で代表される塩基を作用させた後、一般式（XVII) で表
される化合物を加えることにより行うことができる。
【００４３】なお、本発明においては、前記一般式（Ｉ
ｂ）の化合物は、上記（１）〜（７）の製造方法におい
て、一般式（II) の化合物としてＸ1 をＸ5 に、Ｒ1 を
Ｒ4に置き換えた化合物を用い、上記（１）〜（７）の
方法と同様にして製造することができる。本発明におけ
る上記一般式（III)においてＸ4 をＸ5 に、Ｒ4 をＲ1
に置き換えた化合物は、本発明の一般式（Ｉｂ）の化合
物の製造に用いられる新規な中間体であるが、この化合
物は、様々な方法で製造することができ、例えば以下の
工程により製造することができる。 （イ）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝水素の場合： 反応ａ フランをシリル化して下記一般式（XIX)
ｂ）の化合物は、上記（１）〜（７）の製造方法におい
て、一般式（II) の化合物としてＸ1 をＸ5 に、Ｒ1 を
Ｒ4に置き換えた化合物を用い、上記（１）〜（７）の
方法と同様にして製造することができる。本発明におけ
る上記一般式（III)においてＸ4 をＸ5 に、Ｒ4 をＲ1
に置き換えた化合物は、本発明の一般式（Ｉｂ）の化合
物の製造に用いられる新規な中間体であるが、この化合
物は、様々な方法で製造することができ、例えば以下の
工程により製造することができる。 （イ）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝水素の場合： 反応ａ フランをシリル化して下記一般式（XIX)
【００４４】
【化２３】
【００４５】〔式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を示
す。〕で表される化合物を得、この化合物をさらにトリ
フルオロアセチル化して下記一般式（XX)
す。〕で表される化合物を得、この化合物をさらにトリ
フルオロアセチル化して下記一般式（XX)
【００４６】
【化２４】
【００４７】で表される化合物を得る。この反応はテト
ラヒドロフラン，ジエチルエーテル等の溶媒を用い、有
機リチウム化合物、例えばｎ−ブチルリチウムとトリメ
チルシリルクロリドを用いてシリル化した後、上記のブ
チルリチウムとトリフルオロ酢酸エチルを用いてトリフ
ルオロアセチル化することにより、−７８℃〜０℃の温
度で行うことができる。 反応ｂ 得られた一般式（XX) の化合物を常法により還元して下
記一般式（XXI)
ラヒドロフラン，ジエチルエーテル等の溶媒を用い、有
機リチウム化合物、例えばｎ−ブチルリチウムとトリメ
チルシリルクロリドを用いてシリル化した後、上記のブ
チルリチウムとトリフルオロ酢酸エチルを用いてトリフ
ルオロアセチル化することにより、−７８℃〜０℃の温
度で行うことができる。 反応ｂ 得られた一般式（XX) の化合物を常法により還元して下
記一般式（XXI)
【００４８】
【化２５】
【００４９】〔式中、ＴＭＳは前記と同じである。〕で
表される化合物を得る。この反応は還元剤として例えば
水素化ホウ素ナトリウム，水素化アルミニウムリチウ
ム，塩化第二錫等を用いて行うことができる。得られた
一般式（XXI)の化合物を酸クロリドと反応させてアシル
化する。ここでアシル化剤として用いる酸クロリドは具
体的には、塩化アセチル，塩化プロピオニル，塩化イソ
ブチロイル，塩化オクタノイル，塩化ベンゾイル等であ
る。 反応ｃ 得られた下記一般式（XXII）
表される化合物を得る。この反応は還元剤として例えば
水素化ホウ素ナトリウム，水素化アルミニウムリチウ
ム，塩化第二錫等を用いて行うことができる。得られた
一般式（XXI)の化合物を酸クロリドと反応させてアシル
化する。ここでアシル化剤として用いる酸クロリドは具
体的には、塩化アセチル，塩化プロピオニル，塩化イソ
ブチロイル，塩化オクタノイル，塩化ベンゾイル等であ
る。 反応ｃ 得られた下記一般式（XXII）
【００５０】
【化２６】 〔式中、Ｒ’ＣＯはアシル基を示す。〕で表される化合
物を酵素を用いて不斉加水分解することにより下記一般
式（XXIII)
物を酵素を用いて不斉加水分解することにより下記一般
式（XXIII)
【００５１】
【化２７】 〔式中、ＴＭＳおよび＊は前記と同じである。〕で表さ
れる光学活性なアルコール及び下記一般式（XXIIIa)
れる光学活性なアルコール及び下記一般式（XXIIIa)
【００５２】
【化２８】
【００５３】〔式中、Ｒ’ＣＯ，ＴＭＳおよび＊は前記
と同じである。〕で表される光学活性なエステルを得
る。この反応に用いる酵素としては、いわゆる加水分解
酵素であれば各種のものを用いることができ、例えばリ
パーゼＰＳ，リパーゼＭＹ，リパーゼＯＦ，セルラーゼ
等が挙げられる。上記の一般式（XXIIIa) で表されるエ
ステルは、化学的加水分解及び別の酵素による不斉加水
分解により、一般式（XXIII)で表されるアルコールと鏡
像体の関係にある光学活性アルコールに変換することが
できる。 反応ｄ 次に、一般式（XXIII)で表されるアルコールをシリル化
して下記一般式（XXIV)
と同じである。〕で表される光学活性なエステルを得
る。この反応に用いる酵素としては、いわゆる加水分解
酵素であれば各種のものを用いることができ、例えばリ
パーゼＰＳ，リパーゼＭＹ，リパーゼＯＦ，セルラーゼ
等が挙げられる。上記の一般式（XXIIIa) で表されるエ
ステルは、化学的加水分解及び別の酵素による不斉加水
分解により、一般式（XXIII)で表されるアルコールと鏡
像体の関係にある光学活性アルコールに変換することが
できる。 反応ｄ 次に、一般式（XXIII)で表されるアルコールをシリル化
して下記一般式（XXIV)
【００５４】
【化２９】
【００５５】〔式中、ＴＢＳはｔ−ブチルジメチルシリ
ル基を示す。ＴＭＳおよび＊は前記と同じである。〕で
表される化合物を得る。この反応はシリル化剤としてｔ
−ブチルジメチルシリルクロリドを用いて行うことがで
きる。 反応ｅ 得られた一般式（XXIV) で表されるシリル誘導体を酸化
して下記一般式（XXV)
ル基を示す。ＴＭＳおよび＊は前記と同じである。〕で
表される化合物を得る。この反応はシリル化剤としてｔ
−ブチルジメチルシリルクロリドを用いて行うことがで
きる。 反応ｅ 得られた一般式（XXIV) で表されるシリル誘導体を酸化
して下記一般式（XXV)
【００５６】
【化３０】
【００５７】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕で表される化合物を得る。この反応は、酸化剤と
して、例えばモノパーオキシフタル酸マグネシウム塩，
過酸化水素を用いて酢酸，クロロホルム等の溶媒中で行
うことができる。また、この反応では、ジアステレオマ
ー混合物を得るが、これらの化合物はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより容易に分離することができ
る。 反応ｆ 得られた一般式（XXV)で表される化合物を常法により水
素添加して、下記一般式（XXVI)
る。〕で表される化合物を得る。この反応は、酸化剤と
して、例えばモノパーオキシフタル酸マグネシウム塩，
過酸化水素を用いて酢酸，クロロホルム等の溶媒中で行
うことができる。また、この反応では、ジアステレオマ
ー混合物を得るが、これらの化合物はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより容易に分離することができ
る。 反応ｆ 得られた一般式（XXV)で表される化合物を常法により水
素添加して、下記一般式（XXVI)
【００５８】
【化３１】
【００５９】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕で表される化合物を得る。ここで、水素添加は、
溶媒として例えばエタノール，メタノール，ヘキサン，
酢酸エチル，ベンゼン，トルエン等を用い、触媒として
パラジウム・チャコールを用いて水素雰囲気下で行うこ
とができる。 反応ｇ 得られた一般式（XXVI) で表されるラクトン誘導体を還
元して下記一般式（XXVII)
る。〕で表される化合物を得る。ここで、水素添加は、
溶媒として例えばエタノール，メタノール，ヘキサン，
酢酸エチル，ベンゼン，トルエン等を用い、触媒として
パラジウム・チャコールを用いて水素雰囲気下で行うこ
とができる。 反応ｇ 得られた一般式（XXVI) で表されるラクトン誘導体を還
元して下記一般式（XXVII)
【００６０】
【化３２】
【００６１】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕で表される化合物を得る。ここで、還元剤として
は例えば、水素化ジイソブチルアルミニウムを用いて、
ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン等の溶媒中、−
２０〜−７８℃で行うことができる。 反応ｈ 次いで、このようにして得られた一般式（XXVII)で表さ
れるγ−ラクトールを塩基で処理して下記一般式（XXVI
II)
る。〕で表される化合物を得る。ここで、還元剤として
は例えば、水素化ジイソブチルアルミニウムを用いて、
ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン等の溶媒中、−
２０〜−７８℃で行うことができる。 反応ｈ 次いで、このようにして得られた一般式（XXVII)で表さ
れるγ−ラクトールを塩基で処理して下記一般式（XXVI
II)
【００６２】
【化３３】
【００６３】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕で表される化合物を得る。この反応は、塩基とし
てカリウム−ｔ−ブトキシド等を用いて、ジエチルエー
テル，テトラヒドロフラン等の溶媒中、−２０〜−７８
℃で行うことができる。 反応ｉ 得られた一般式（XXVIII) で表されるδ−ラクトールを
酸触媒下で一般式Ｒ1ＯＨ（式中、Ｒ1 は前記と同じで
ある。）で表されるアルコールと反応させ下記一般式
（XXIX)
る。〕で表される化合物を得る。この反応は、塩基とし
てカリウム−ｔ−ブトキシド等を用いて、ジエチルエー
テル，テトラヒドロフラン等の溶媒中、−２０〜−７８
℃で行うことができる。 反応ｉ 得られた一般式（XXVIII) で表されるδ−ラクトールを
酸触媒下で一般式Ｒ1ＯＨ（式中、Ｒ1 は前記と同じで
ある。）で表されるアルコールと反応させ下記一般式
（XXIX)
【００６４】
【化３４】
【００６５】（式中、Ｒ1 ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じ
である。）で表される化合物を得る。この反応は、アル
コール溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスルホ
ン酸等を用いて０〜５０℃で行うことができる。 反応ｊ さらに、得られた一般式（XXIX) で表される化合物の脱
シリル化を行えば、下記一般式（XXX)
である。）で表される化合物を得る。この反応は、アル
コール溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスルホ
ン酸等を用いて０〜５０℃で行うことができる。 反応ｊ さらに、得られた一般式（XXIX) で表される化合物の脱
シリル化を行えば、下記一般式（XXX)
【００６６】
【化３５】
【００６７】（式中、Ｒ1 及び＊は前記と同じであ
る。）で表される目的の光学活性な含フッ素化合物を得
ることができる。この脱シリル化は、例えばテトラヒド
ロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムフルオライドを用い、０〜５０℃で行うことがで
きる。なお、前記一般式（XXVII)を得る反応で生成する
２種類のジアステレオマーは、この段階において、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより容易に分離する
ことができる。 （ロ）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ3 ＝水素の場合：上記（１）反
応ｆで得られた一般式（XXVI) で表される化合物を一般
式Ｒ2 Ｘ（式中、Ｒ2 は前記と同じである。Ｘはハロゲ
ンを示す。）で表されるアルキルハライド，アラルキル
ハライドまたはアルケニルハライド等と反応させて、下
記一般式（XXXI)
る。）で表される目的の光学活性な含フッ素化合物を得
ることができる。この脱シリル化は、例えばテトラヒド
ロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムフルオライドを用い、０〜５０℃で行うことがで
きる。なお、前記一般式（XXVII)を得る反応で生成する
２種類のジアステレオマーは、この段階において、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより容易に分離する
ことができる。 （ロ）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ3 ＝水素の場合：上記（１）反
応ｆで得られた一般式（XXVI) で表される化合物を一般
式Ｒ2 Ｘ（式中、Ｒ2 は前記と同じである。Ｘはハロゲ
ンを示す。）で表されるアルキルハライド，アラルキル
ハライドまたはアルケニルハライド等と反応させて、下
記一般式（XXXI)
【００６８】
【化３６】
【００６９】（式中、Ｒ2 ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じ
である。）で表される化合物を得る。この反応は、テト
ラヒドロフラン，エーテル等の溶媒中、−７８℃〜−２
０℃でｎ−ブチルリチウムと有機塩基（ヘキサメチルジ
シラザン，ジイソプロピルアミン等）を用いて行うこと
ができる。次に、得られた一般式（XXXI) で表される化
合物を上記（１）反応ｇ以降に組み込むことによって、
下記一般式（XXXII)
である。）で表される化合物を得る。この反応は、テト
ラヒドロフラン，エーテル等の溶媒中、−７８℃〜−２
０℃でｎ−ブチルリチウムと有機塩基（ヘキサメチルジ
シラザン，ジイソプロピルアミン等）を用いて行うこと
ができる。次に、得られた一般式（XXXI) で表される化
合物を上記（１）反応ｇ以降に組み込むことによって、
下記一般式（XXXII)
【００７０】
【化３７】
【００７１】（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 及び＊は前記と同じで
ある。）で表される目的の光学活性な含フッ素化合物を
得ることができる。 （ハ）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝水素の場合：上記（１）反
応ｅで得られた一般式（XXV ）で表される化合物を一般
式、Ｒ3Ｘ（式中、Ｒ3 は前記と同じである。Ｘはハロ
ゲンを示す。）で表されるアルキルハライド，アラルキ
ルハライドまたはアルケニルハライド等と反応させて、
下記一般式（XXXIII)
ある。）で表される目的の光学活性な含フッ素化合物を
得ることができる。 （ハ）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝水素の場合：上記（１）反
応ｅで得られた一般式（XXV ）で表される化合物を一般
式、Ｒ3Ｘ（式中、Ｒ3 は前記と同じである。Ｘはハロ
ゲンを示す。）で表されるアルキルハライド，アラルキ
ルハライドまたはアルケニルハライド等と反応させて、
下記一般式（XXXIII)
【００７２】
【化３８】
【００７３】（式中、Ｒ3 ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じ
である。）で表される化合物を得る。この反応は、有機
銅試薬、例えばジ−ｎ−ブチル銅リチウム等を用い、−
７８℃〜−２０℃で行うことができる。また、この反応
では、ジアステレオマー混合物は得られず、アンチ型化
合物のみが生成する。次に、得られた一般式（XXXIII)
で表される化合物を上記（１）反応ｇ以降に組み込むこ
とによって、下記一般式（XXXIV)
である。）で表される化合物を得る。この反応は、有機
銅試薬、例えばジ−ｎ−ブチル銅リチウム等を用い、−
７８℃〜−２０℃で行うことができる。また、この反応
では、ジアステレオマー混合物は得られず、アンチ型化
合物のみが生成する。次に、得られた一般式（XXXIII)
で表される化合物を上記（１）反応ｇ以降に組み込むこ
とによって、下記一般式（XXXIV)
【００７４】
【化３９】
【００７５】（式中、Ｒ1 ，Ｒ3 及び＊は前記と同じで
ある。）で表される目的の光学活性な含フッ素化合物を
得ることができる。また、下記一般式（XXXV） Ｒ5 −ＯＨ ・・・（XXXV） 〔式中、Ｒ5 は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基，炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１
０のアラルキル基を示す。〕で表される化合物および下
記一般式（XXXVI)
ある。）で表される目的の光学活性な含フッ素化合物を
得ることができる。また、下記一般式（XXXV） Ｒ5 −ＯＨ ・・・（XXXV） 〔式中、Ｒ5 は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基，炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１
０のアラルキル基を示す。〕で表される化合物および下
記一般式（XXXVI)
【００７６】
【化４０】 で表される化合物と反応させることにより、下記一般式
（XXXVII)
（XXXVII)
【００７７】
【化４１】
【００７８】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ5 ，ＴＢＳ
及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る
ことができる。この反応は、無溶媒又はテトラヒドロフ
ラン等の溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスル
ホン酸等を用いて０〜５０℃で行うことができる。次
に、得られた一般式（XXXVII）で表される化合物の脱シ
リル化を行い、一般式（XXXVIII)
及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る
ことができる。この反応は、無溶媒又はテトラヒドロフ
ラン等の溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスル
ホン酸等を用いて０〜５０℃で行うことができる。次
に、得られた一般式（XXXVII）で表される化合物の脱シ
リル化を行い、一般式（XXXVIII)
【００７９】
【化４２】
【００８０】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ5 及び＊は
前記と同じである。〕で表される化合物を得る。この脱
シリル化反応は、種々の方法で行うことができるが、例
えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、０〜５０℃
で行うことができる。次いで、一般式（XXXIX) Ｒ1 −Ｚ ・・・（XXXIX) 〔式中、Ｒ1 は前記と同じであり、Ｚは塩素，臭素，沃
素又はトシル基を示す。〕で表される化合物と上記一般
式（XXXVIII)で表される化合物を反応させることによ
り、一般式（XXXX）
前記と同じである。〕で表される化合物を得る。この脱
シリル化反応は、種々の方法で行うことができるが、例
えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、０〜５０℃
で行うことができる。次いで、一般式（XXXIX) Ｒ1 −Ｚ ・・・（XXXIX) 〔式中、Ｒ1 は前記と同じであり、Ｚは塩素，臭素，沃
素又はトシル基を示す。〕で表される化合物と上記一般
式（XXXVIII)で表される化合物を反応させることによ
り、一般式（XXXX）
【００８１】
【化４３】
【００８２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ5 及
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得るこ
とができる。この反応は、一般式（XXXVIII ）で表され
る化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウム又
は水酸化カリウム等の塩基を作用させた後、一般式（XX
XIX)で表される化合物を加えることにより行うことがで
きる。さらに、得られた一般式（XXXX）で表される化合
物を酸触媒下で反応させることにより、一般式（XXXXI)
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得るこ
とができる。この反応は、一般式（XXXVIII ）で表され
る化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウム又
は水酸化カリウム等の塩基を作用させた後、一般式（XX
XIX)で表される化合物を加えることにより行うことがで
きる。さらに、得られた一般式（XXXX）で表される化合
物を酸触媒下で反応させることにより、一般式（XXXXI)
【００８３】
【化４４】
【００８４】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 及びＸ4
は前記と同じである。〕で表される化合物を得ることが
できる。この反応は、水の存在下で、テトラヒドロフラ
ン，エーテル，トルエン等の溶媒中、酸触媒として例え
ばパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用いて０〜
１００℃で行うことができる。上記の方法により上記光
学活性な含フッ素化合物を得ることもできる。
は前記と同じである。〕で表される化合物を得ることが
できる。この反応は、水の存在下で、テトラヒドロフラ
ン，エーテル，トルエン等の溶媒中、酸触媒として例え
ばパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用いて０〜
１００℃で行うことができる。上記の方法により上記光
学活性な含フッ素化合物を得ることもできる。
【００８５】また、本発明による一般式（Ｉ’ａ）の化
合物は、様々な方法で製造することができるが、例えば
以下の工程により製造することができる。 （１’）Ｘ3 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ4 ＝−ＯＣＯ− 及び
ｎ＝０の場合：下記一般式（II’） Ｒ1 −Ｘ1 −Ｂ−ＣＯHal ・・・（II’） 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 およびＢは前記と同じである。Hal
は塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表される
化合物および下記一般式（III ’）
合物は、様々な方法で製造することができるが、例えば
以下の工程により製造することができる。 （１’）Ｘ3 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ4 ＝−ＯＣＯ− 及び
ｎ＝０の場合：下記一般式（II’） Ｒ1 −Ｘ1 −Ｂ−ＣＯHal ・・・（II’） 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 およびＢは前記と同じである。Hal
は塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表される
化合物および下記一般式（III ’）
【００８６】
【化４５】 〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 及び＊は前記と同じである。
ＴＢＳはｔ−ブチルジメチルシリル基を示す。〕で表さ
れる化合物と反応させることにより下記一般式（IV’）
ＴＢＳはｔ−ブチルジメチルシリル基を示す。〕で表さ
れる化合物と反応させることにより下記一般式（IV’）
【００８７】
【化４６】
【００８８】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｂ，Ｘ
1 ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン，トリエチルアミン等の存在下に、トルエ
ン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８
０℃の温度で行うことができる。次に、得られた一般式
（IV’）で表される化合物の脱シリル化を行い、一般式
（Ｖ’）
1 ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン，トリエチルアミン等の存在下に、トルエ
ン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８
０℃の温度で行うことができる。次に、得られた一般式
（IV’）で表される化合物の脱シリル化を行い、一般式
（Ｖ’）
【００８９】
【化４７】
【００９０】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｂ，Ｘ
1 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。この脱シリル化反応は、種々の方法で行うことがで
きるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒として
テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、
０〜５０℃で行うことができる。なお、上記一般式
（Ｖ’）で表される化合物は、２種類のジアステレオマ
ーの混合物であるが、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより容易に分離することができる。この一般式
（Ｖ’）で表される化合物を一般式（VI’） Ｒ4 −ＣＯＨａｌ ・・・（VI’） 〔式中、Ｒ4 及びＨａｌは前記と同じである。〕で表さ
れる化合物と反応させることにより、目的とする前記
（Ｉ’ａ）で表される化合物を得ることができる。この
反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン
等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の
溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
1 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。この脱シリル化反応は、種々の方法で行うことがで
きるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒として
テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、
０〜５０℃で行うことができる。なお、上記一般式
（Ｖ’）で表される化合物は、２種類のジアステレオマ
ーの混合物であるが、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより容易に分離することができる。この一般式
（Ｖ’）で表される化合物を一般式（VI’） Ｒ4 −ＣＯＨａｌ ・・・（VI’） 〔式中、Ｒ4 及びＨａｌは前記と同じである。〕で表さ
れる化合物と反応させることにより、目的とする前記
（Ｉ’ａ）で表される化合物を得ることができる。この
反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン
等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の
溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
【００９１】（２’）Ｘ3 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ4 ＝−Ｏ−
及び ｎ＝０の場合：下記一般式（VII ’） Ｒ5 −ＯＨ ・・・（VII ’） 〔式中、Ｒ5 は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基，炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１
０のアラルキル基を示す。〕で表される化合物および上
記一般式（III ’）で表される化合物と反応させること
により、下記一般式（VIII’)
及び ｎ＝０の場合：下記一般式（VII ’） Ｒ5 −ＯＨ ・・・（VII ’） 〔式中、Ｒ5 は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基，炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１
０のアラルキル基を示す。〕で表される化合物および上
記一般式（III ’）で表される化合物と反応させること
により、下記一般式（VIII’)
【００９２】
【化４８】
【００９３】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ5 ，ＴＢＳ
及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る
ことができる。この反応は、無溶媒又はテトラヒドロフ
ラン等の溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスル
ホン酸等を用いて０〜５０℃で行うことができる。次
に、得られた一般式（VIII’）で表される化合物の脱シ
リル化を行い、一般式（IX’）
及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る
ことができる。この反応は、無溶媒又はテトラヒドロフ
ラン等の溶媒中、酸触媒として例えばパラトルエンスル
ホン酸等を用いて０〜５０℃で行うことができる。次
に、得られた一般式（VIII’）で表される化合物の脱シ
リル化を行い、一般式（IX’）
【００９４】
【化４９】
【００９５】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ5 及び＊は
前記と同じである。〕で表される化合物を得る。この脱
シリル化反応は、種々の方法で行うことができるが、例
えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、０〜５０℃
で行うことができる。次いで、一般式（Ｘ’） Ｒ4 −Ｚ ・・・（Ｘ’） 〔式中、Ｒ4 は前記と同じであり、Ｚは塩素，臭素，沃
素又はトシル基を示す。〕で表される化合物と上記一般
式（IX’）で表される化合物を反応させることにより、
一般式（XI’）
前記と同じである。〕で表される化合物を得る。この脱
シリル化反応は、種々の方法で行うことができるが、例
えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、０〜５０℃
で行うことができる。次いで、一般式（Ｘ’） Ｒ4 −Ｚ ・・・（Ｘ’） 〔式中、Ｒ4 は前記と同じであり、Ｚは塩素，臭素，沃
素又はトシル基を示す。〕で表される化合物と上記一般
式（IX’）で表される化合物を反応させることにより、
一般式（XI’）
【００９６】
【化５０】
【００９７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 及
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得るこ
とができる。この反応は、一般式（IX’）で表される化
合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウム又は水
酸化カリウム等の塩基を作用させた後、一般式（Ｘ’）
で表される化合物を加えることにより行うことができ
る。さらに、得られた一般式（XI’）で表される化合物
を酸触媒下で反応させることにより、一般式（XII ’)
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得るこ
とができる。この反応は、一般式（IX’）で表される化
合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウム又は水
酸化カリウム等の塩基を作用させた後、一般式（Ｘ’）
で表される化合物を加えることにより行うことができ
る。さらに、得られた一般式（XI’）で表される化合物
を酸触媒下で反応させることにより、一般式（XII ’)
【００９８】
【化５１】
【００９９】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は
前記と同じである。〕で表される化合物を得ることがで
きる。この反応は、水の存在下で、テトラヒドロフラ
ン，エーテル，トルエン等の溶媒中、酸触媒として例え
ばパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用いて０〜
１００℃で行うことができる。この一般式（XII ’) で
表される化合物と前記一般式（II’）で表される化合物
を反応させることにより、目的とする前記（Ｉ’ａ）で
表される化合物を得ることができる。この反応は、有機
塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在下
に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−
２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
前記と同じである。〕で表される化合物を得ることがで
きる。この反応は、水の存在下で、テトラヒドロフラ
ン，エーテル，トルエン等の溶媒中、酸触媒として例え
ばパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用いて０〜
１００℃で行うことができる。この一般式（XII ’) で
表される化合物と前記一般式（II’）で表される化合物
を反応させることにより、目的とする前記（Ｉ’ａ）で
表される化合物を得ることができる。この反応は、有機
塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在下
に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−
２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
【０１００】（３’）Ｘ3 ＝−ＣＨ2 Ｏ−，Ｘ4 ＝−Ｏ
ＣＯ− 及び ｎ＝０の場合：下記一般式（XIII’) Ｒ1 −Ｘ1 −Ｂ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（XIII’) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ｂ及びＺは前記と同じである。〕
で表される化合物と前記一般式（III ’) で表される化
合物を反応させることにより下記一般式（XIV ’)
ＣＯ− 及び ｎ＝０の場合：下記一般式（XIII’) Ｒ1 −Ｘ1 −Ｂ−ＣＨ2 Ｚ ・・・（XIII’) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ｂ及びＺは前記と同じである。〕
で表される化合物と前記一般式（III ’) で表される化
合物を反応させることにより下記一般式（XIV ’)
【０１０１】
【化５２】
【０１０２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｘ1 ，
Ｂ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、例えば酸触媒と
してパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用い、テ
トラヒドロフラン，ジエチルエーテル，塩化メチレン，
トルエン等の溶媒中、０〜１００℃で行うことができ
る。次に、得られた一般式（XIV ’) で表される化合物
の脱シリル化を行い、一般式（XV’）
Ｂ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、例えば酸触媒と
してパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用い、テ
トラヒドロフラン，ジエチルエーテル，塩化メチレン，
トルエン等の溶媒中、０〜１００℃で行うことができ
る。次に、得られた一般式（XIV ’) で表される化合物
の脱シリル化を行い、一般式（XV’）
【０１０３】
【化５３】
【０１０４】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｘ1 ，
Ｂ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。この脱シリル化反応は、種々の方法で行われること
ができるが、例えばテトラヒドロフランの溶媒中、触媒
としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを
用い、０〜５０℃で行うことができる。なお、上記一般
式（XV’）で表される化合物は、２種類のジアステレオ
マーの混合物であるが、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより容易に分離することができる。この一般式
（XV’）で表される化合物と前記一般式（VI’）で表さ
れる化合物を反応させることにより、目的とする前記
（Ｉ’ａ）で表される化合物を得ることができる。この
反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン
等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の
溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
Ｂ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。この脱シリル化反応は、種々の方法で行われること
ができるが、例えばテトラヒドロフランの溶媒中、触媒
としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを
用い、０〜５０℃で行うことができる。なお、上記一般
式（XV’）で表される化合物は、２種類のジアステレオ
マーの混合物であるが、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより容易に分離することができる。この一般式
（XV’）で表される化合物と前記一般式（VI’）で表さ
れる化合物を反応させることにより、目的とする前記
（Ｉ’ａ）で表される化合物を得ることができる。この
反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン
等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の
溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。
【０１０５】（４’）Ｘ3 ＝−ＣＨ2 Ｏ−，Ｘ4 ＝−Ｏ
− 及び ｎ＝０の場合：前記一般式（XV’）で表され
る化合物と前記一般式（Ｘ’）で表される化合物を反応
させることにより、目的とする前記（Ｉ’ａ）で表され
る化合物を得ることができる。この反応は、一般式（X
V’）で表される化合物に、アルカリ金属ヒドリド，水
酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の塩基を作用させ
た後、一般式（Ｘ’）で表される化合物を加えることに
よって得ることができる。 （５’）Ｘ2 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ3 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ4 ＝
−Ｏ− 及び ｎ＝１の場合：一般式（XVI ’) Ｂｚ−Ｏ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（XVI ’) 〔式中、Ｂｚはベンジル基を示し、Ｂ及びHal は前記と
同じである。〕で表される化合物と前記一般式（XII
’) で表される化合物を反応させることにより、下記
一般式（XVII’)
− 及び ｎ＝０の場合：前記一般式（XV’）で表され
る化合物と前記一般式（Ｘ’）で表される化合物を反応
させることにより、目的とする前記（Ｉ’ａ）で表され
る化合物を得ることができる。この反応は、一般式（X
V’）で表される化合物に、アルカリ金属ヒドリド，水
酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の塩基を作用させ
た後、一般式（Ｘ’）で表される化合物を加えることに
よって得ることができる。 （５’）Ｘ2 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ3 ＝−ＣＯＯ−，Ｘ4 ＝
−Ｏ− 及び ｎ＝１の場合：一般式（XVI ’) Ｂｚ−Ｏ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（XVI ’) 〔式中、Ｂｚはベンジル基を示し、Ｂ及びHal は前記と
同じである。〕で表される化合物と前記一般式（XII
’) で表される化合物を反応させることにより、下記
一般式（XVII’)
【０１０６】
【化５４】
【０１０７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｂ，Ｂ
ｚ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
ることができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジ
ン，トリエチルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼ
ン，塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度
で行うことができる。次に、得られた一般式（XVII’)
で表される化合物の脱ベンジル化反応を行い、一般式
（XVIII ’)
ｚ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
ることができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジ
ン，トリエチルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼ
ン，塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度
で行うことができる。次に、得られた一般式（XVII’)
で表される化合物の脱ベンジル化反応を行い、一般式
（XVIII ’)
【０１０８】
【化５５】
【０１０９】〔式中、Ｒｆ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｂ及び
＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る。こ
の脱ベンジル化反応は、種々の方法で行うことができる
が、例えばパラジウム・カーボン（Ｐｄ／Ｃ）触媒存在
下、メタノール，エタノール，プロパノール等のアルコ
ール溶媒又は酢酸を用い、常圧で水素化分解することに
より行うことができる。この一般式（XVIII ’) で表さ
れる化合物と一般式（XIX ’) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＣＯＨａｌ ・・・（XIX ’) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＨａｌは前記と同じであ
る。〕で表される化合物を反応させることにより、目的
とする前記（Ｉ’ａ）で表される化合物を得ることがで
きる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエ
チルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メ
チレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこと
ができる。なお、本発明においては、前記一般式（Ｉ’
ｂ）の化合物は、上記（１’）〜（５’）の製造方法に
おいて、一般式（II’) 、（XIII')、（XIX') の各々の
化合物としてＸ1 をＸ5 に、Ｒ1 をＲ4 に置き換えた化
合物を用い、更に、一般式（VI')，一般式（Ｘ')の化合
物としてＲ4 をＲ1 に置き換えた化合物を用いることに
より、上記（１’）〜（５’）の方法と同様にして製造
することができる。本発明の一般式（Ｉａ）で表される
化合物を製造するため、原料物質として用いる一般式
（III)で表される化合物は、様々な方法で製造すること
ができる。この一般式（III)で表される化合物の代表的
なものとしては、例えば、
＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る。こ
の脱ベンジル化反応は、種々の方法で行うことができる
が、例えばパラジウム・カーボン（Ｐｄ／Ｃ）触媒存在
下、メタノール，エタノール，プロパノール等のアルコ
ール溶媒又は酢酸を用い、常圧で水素化分解することに
より行うことができる。この一般式（XVIII ’) で表さ
れる化合物と一般式（XIX ’) Ｒ1 −Ｘ1 −Ａ−ＣＯＨａｌ ・・・（XIX ’) 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ａ及びＨａｌは前記と同じであ
る。〕で表される化合物を反応させることにより、目的
とする前記（Ｉ’ａ）で表される化合物を得ることがで
きる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエ
チルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化メ
チレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこと
ができる。なお、本発明においては、前記一般式（Ｉ’
ｂ）の化合物は、上記（１’）〜（５’）の製造方法に
おいて、一般式（II’) 、（XIII')、（XIX') の各々の
化合物としてＸ1 をＸ5 に、Ｒ1 をＲ4 に置き換えた化
合物を用い、更に、一般式（VI')，一般式（Ｘ')の化合
物としてＲ4 をＲ1 に置き換えた化合物を用いることに
より、上記（１’）〜（５’）の方法と同様にして製造
することができる。本発明の一般式（Ｉａ）で表される
化合物を製造するため、原料物質として用いる一般式
（III)で表される化合物は、様々な方法で製造すること
ができる。この一般式（III)で表される化合物の代表的
なものとしては、例えば、
【０１１０】
【化５６】
【０１１１】
【化５７】
【０１１２】
【化５８】
【０１１３】
【化５９】
【０１１４】
【化６０】
【０１１５】
【化６１】
【０１１６】等が挙げられる。また、本発明の一般式
（Ｉｂ）で表される化合物を製造する場合の原料物質と
しては、上記一般式（III)で表される化合物のＲ4 で表
される基の部分で分子の末端となる部分が、トリフルオ
ロメチル基，ジフルオロメチル基，クロロジフルオロメ
チル基，ペンタフルオロエチル基などの炭素数１又は２
のフルオロアルキル基で置換されたものを挙げることが
できる。上記のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ
ａ）の化合物としては、例えば
（Ｉｂ）で表される化合物を製造する場合の原料物質と
しては、上記一般式（III)で表される化合物のＲ4 で表
される基の部分で分子の末端となる部分が、トリフルオ
ロメチル基，ジフルオロメチル基，クロロジフルオロメ
チル基，ペンタフルオロエチル基などの炭素数１又は２
のフルオロアルキル基で置換されたものを挙げることが
できる。上記のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ
ａ）の化合物としては、例えば
【０１１７】
【化６２】
【０１１８】
【化６３】
【０１１９】
【化６４】
【０１２０】
【化６５】
【０１２１】〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，
Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕等が挙げられる。ま
た、前記のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ'
ａ）の化合物としては、例えば
Ｒ4 及び＊は前記と同じである。〕等が挙げられる。ま
た、前記のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ'
ａ）の化合物としては、例えば
【０１２２】
【化６６】
【０１２３】
【化６７】
【０１２４】
【化６８】 〔式中、Ｒ1 ，Ｘ1 ，Ｘ4 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 及び＊は
前記と同じである。〕等が挙げられる。本発明の一般式
（Ｉｂ）の化合物としては、例えば、
前記と同じである。〕等が挙げられる。本発明の一般式
（Ｉｂ）の化合物としては、例えば、
【０１２５】
【化６９】
【０１２６】
【化７０】
【０１２７】
【化７１】
【０１２８】
【化７２】
【０１２９】
【化７３】
【０１３０】
【化７４】
【０１３１】
【化７５】
【０１３２】
【化７６】
【０１３３】
【化７７】
【０１３４】
【化７８】 等が挙げられる。また、本発明の一般式（Ｉ’ｂ）の化
合物としては、例えば、
合物としては、例えば、
【０１３５】
【化７９】
【０１３６】
【化８０】
【０１３７】
【化８１】
【０１３８】
【化８２】
【０１３９】
【化８３】
【０１４０】
【化８４】
【０１４１】
【化８５】
【０１４２】
【化８６】
【０１４３】
【化８７】
【０１４４】
【化８８】
【０１４５】等が挙げられる。本発明の液晶組成物は、
（ａ）一般式（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）及び
（Ｉ’ｂ）で表される化合物の少なくとも１種と（ｂ）
（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）を
有する化合物あるいは混合物及び／又は（ｃ）（ａ）以
外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物あるい
は混合物を配合することにより得ることができる。この
場合、一般式（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）又は
（Ｉ’ｂ）で表される化合物の配合量は各種状況に応じ
て適宜選定すれば良いが、好ましくは得られる液晶組成
物の0.１〜９９重量％、特に好ましくは１〜９０重量％
である。また、本発明の液晶組成物の別の態様として、
一般式（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）又は（Ｉ’ｂ）
で表される化合物の少なくとも２種からなる液晶組成物
を挙げることができる。
（ａ）一般式（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）及び
（Ｉ’ｂ）で表される化合物の少なくとも１種と（ｂ）
（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）を
有する化合物あるいは混合物及び／又は（ｃ）（ａ）以
外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物あるい
は混合物を配合することにより得ることができる。この
場合、一般式（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）又は
（Ｉ’ｂ）で表される化合物の配合量は各種状況に応じ
て適宜選定すれば良いが、好ましくは得られる液晶組成
物の0.１〜９９重量％、特に好ましくは１〜９０重量％
である。また、本発明の液晶組成物の別の態様として、
一般式（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）又は（Ｉ’ｂ）
で表される化合物の少なくとも２種からなる液晶組成物
を挙げることができる。
【０１４６】上記（ｂ）及び（ｃ）の化合物あるいは混
合物としては従来知られている様々な物質を用いること
ができる。上記（ｂ）の化合物としては具体的には例え
ば、福田，竹添「強誘電性液晶の構造と物性」コロナ社
（１９９０），ｐ２２９，表7.１に記載した化合物が挙
げられる。上記（ｃ）の化合物としては好ましくは下記
一般式（Ａ）
合物としては従来知られている様々な物質を用いること
ができる。上記（ｂ）の化合物としては具体的には例え
ば、福田，竹添「強誘電性液晶の構造と物性」コロナ社
（１９９０），ｐ２２９，表7.１に記載した化合物が挙
げられる。上記（ｃ）の化合物としては好ましくは下記
一般式（Ａ）
【０１４７】
【化８９】 〔式中、Ｒ6 は置換基を有していてもよい炭素数１〜１
５のアルキル基又はアルコキシ基，Ｒ7 は置換基を有し
ていてもよい炭素数１〜１５のアルキル基、Ｑは−Ｏ
−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，ＯＣＯＯ−又は単結合、
Ｅは
５のアルキル基又はアルコキシ基，Ｒ7 は置換基を有し
ていてもよい炭素数１〜１５のアルキル基、Ｑは−Ｏ
−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，ＯＣＯＯ−又は単結合、
Ｅは
【０１４８】
【化９０】 を示す。ｎは、０又は１である。また、Ｘ5 は前記と同
じである。〕で表される化合物を挙げることができる。
具体的には下記の化合物を挙げることができる。
じである。〕で表される化合物を挙げることができる。
具体的には下記の化合物を挙げることができる。
【０１４９】
【化９１】
【０１５０】また、本発明の液晶素子は上述の一般式
（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）又は（Ｉ’ｂ）の化合
物あるいは上記液晶組成物を一対の電極基板間に配設し
てなるものである。この液晶素子は、例えばＩｎＯ3 ，
ＳｎＯ2 ，ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズとの混合
酸化物）などからなる透明電極を有する透明基板上に、
さらにポリビニルアルコール，ポリイミドなどからなる
配向制御膜を設けた１対の基板を張り合わせてセルを作
製し、その上下に偏光板を配設することにより得られ
る。この素子は複屈折モードを利用して、表示素子ある
いは電気光学素子として使用することができる。また、
本発明の上記光学活性テトラヒドロピラン誘導体を少な
くとも１種用いた新規なラセミ混合物は、ベース液晶の
配合成分などに有効に用いることができる。
（Ｉａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ）又は（Ｉ’ｂ）の化合
物あるいは上記液晶組成物を一対の電極基板間に配設し
てなるものである。この液晶素子は、例えばＩｎＯ3 ，
ＳｎＯ2 ，ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズとの混合
酸化物）などからなる透明電極を有する透明基板上に、
さらにポリビニルアルコール，ポリイミドなどからなる
配向制御膜を設けた１対の基板を張り合わせてセルを作
製し、その上下に偏光板を配設することにより得られ
る。この素子は複屈折モードを利用して、表示素子ある
いは電気光学素子として使用することができる。また、
本発明の上記光学活性テトラヒドロピラン誘導体を少な
くとも１種用いた新規なラセミ混合物は、ベース液晶の
配合成分などに有効に用いることができる。
【０１５１】
【実施例】次に、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。また、以下の各例において、本発明の一般式（Ｉ
ａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ），（Ｉ’ｂ）で表される光
学活性化合物のＲ，Ｓ表示は、下記の式
的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。また、以下の各例において、本発明の一般式（Ｉ
ａ），（Ｉ’ａ），（Ｉｂ），（Ｉ’ｂ）で表される光
学活性化合物のＲ，Ｓ表示は、下記の式
【０１５２】
【化９２】 〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｘ1 ，Ｘ2 ，
Ｘ3 ，Ｘ4 ，Ａ，Ｂ，ｎ及び＊は前記と同じである。〕
の位置番号に基づいて行った。
Ｘ3 ，Ｘ4 ，Ａ，Ｂ，ｎ及び＊は前記と同じである。〕
の位置番号に基づいて行った。
【０１５３】実施例１ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−５−ヒドロキシピラン及び（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）
−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチ
ルオキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシ
ピランの合成
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−５−ヒドロキシピラン及び（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）
−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチ
ルオキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシ
ピランの合成
【０１５４】
【化９３】
【０１５５】（ａ）（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５
−t −ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシピラン1.０g （3.３ミリモル），
４，４，４−トリフルオロブタノール0.５g （4.０ミリ
モル）をジクロロメタン１０ミリリットルに溶かし，パ
ラトルエンスルホン酸0.1gを加え，0 ℃で１０時間反応
した。蒸留水を加えて反応を停止し，ジクロロメタンで
抽出した。次に，飽和食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。ジクロロメタンを減圧留去後，シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製し，アセタール
化合物0.７３g （1.８ミリモル）を得た。また得られた
化合物はジアステレオマー混合物であるが，分離せずに
次の反応に用いた。
−t −ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシピラン1.０g （3.３ミリモル），
４，４，４−トリフルオロブタノール0.５g （4.０ミリ
モル）をジクロロメタン１０ミリリットルに溶かし，パ
ラトルエンスルホン酸0.1gを加え，0 ℃で１０時間反応
した。蒸留水を加えて反応を停止し，ジクロロメタンで
抽出した。次に，飽和食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。ジクロロメタンを減圧留去後，シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製し，アセタール
化合物0.７３g （1.８ミリモル）を得た。また得られた
化合物はジアステレオマー混合物であるが，分離せずに
次の反応に用いた。
【０１５６】（ｂ）上記反応により得られたアセタール
化合物0.７３g （1.８ミリモル）をテトラヒドロフラン
５ミリリットルに溶かし，テトラ−n −ブチルアンモニ
ウムフルオライドの1.0 モル／リットルのテトラヒドロ
フラン溶液1.０ミリリットルを加えて，0 ℃で1 時間，
室温で４０時間反応した。蒸留水を加えて反応を停止
し，ジエチルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩水で
洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエ
ーテルを減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで分離精製し，目的とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−
テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチル
オキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピ
ラン0.１２g （0.４ミリモル）及び（２Ｓ，５Ｒ，６
Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロ
ブチルオキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロ
キシピラン0.３g （1.０ミリモル）を得た。
化合物0.７３g （1.８ミリモル）をテトラヒドロフラン
５ミリリットルに溶かし，テトラ−n −ブチルアンモニ
ウムフルオライドの1.0 モル／リットルのテトラヒドロ
フラン溶液1.０ミリリットルを加えて，0 ℃で1 時間，
室温で４０時間反応した。蒸留水を加えて反応を停止
し，ジエチルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩水で
洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエ
ーテルを減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで分離精製し，目的とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−
テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチル
オキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピ
ラン0.１２g （0.４ミリモル）及び（２Ｓ，５Ｒ，６
Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロ
ブチルオキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロ
キシピラン0.３g （1.０ミリモル）を得た。
【０１５７】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−５−ヒドロキシピラン 分子式：Ｃ10Ｈ14Ｆ6 Ｏ3 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 1.７６〜2.２６ （ｍ，９Ｈ） 3.４２〜3.５２ （ｍ，１Ｈ） 3.７１〜3.８８ （ｍ，３Ｈ） 4.８６ （ｓ，１Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.８９ （ｔ，Ｊ＝１0.９Ｈｚ） −７5.２８ （ｄ，Ｊ＝5.９Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝−６7.１°（Ｃ（濃度）＝1.３６，溶媒：メタ
ノール）
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−５−ヒドロキシピラン 分子式：Ｃ10Ｈ14Ｆ6 Ｏ3 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 1.７６〜2.２６ （ｍ，９Ｈ） 3.４２〜3.５２ （ｍ，１Ｈ） 3.７１〜3.８８ （ｍ，３Ｈ） 4.８６ （ｓ，１Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.８９ （ｔ，Ｊ＝１0.９Ｈｚ） −７5.２８ （ｄ，Ｊ＝5.９Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝−６7.１°（Ｃ（濃度）＝1.３６，溶媒：メタ
ノール）
【０１５８】 （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチル オキシ）−６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン 分子式：Ｃ10Ｈ14Ｆ6 Ｏ3 1H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 1.５６〜2.２２ （ｍ，９Ｈ） 3.５３〜3.７０ （ｍ，２Ｈ） 3.８６〜3.９３ （ｍ，２Ｈ） 4.５２ （ｄｄ，Ｊ＝2.２，8.５Ｈｚ，１Ｈ） 19F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.９５ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.２８ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝＋２3.７°（Ｃ（濃度）＝1.００，溶媒：メタノール） 実施例２ （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−５−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−
カルボニルオキシ）ピランの合成
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−５−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−
カルボニルオキシ）ピランの合成
【０１５９】
【化９４】
【０１６０】（ａ）実施例１で得られた（２Ｓ，５Ｒ，
６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４，４，４−トリフルオロブチルオキシ）−５−ヒド
ロキシピラン0.１５g （0.５ミリモル）と４’−ヘキシ
ルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸0.１６g （0.６ミ
リモル）のトルエン溶液５ミリリットル中にＮ，Ｎ’−
ジシクロヘキシルカルボジイミド0.１６g （0.８ミリモ
ル），４−ジメチルアミノピリジン0.1gを加え，室温で
２４時間反応した。蒸留水を加えて反応を停止し，ジエ
チルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩水で洗浄し，
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエーテルを
減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製し，目的とする（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ
−２−（４，４，４−トリフルオロブチルオキシ）−６
−トリフルオロメチル−５−（４”−ヘキシルオキシビ
フェニル−４’−カルボニルオキシ）ピラン0.２４g
（0.４ミリモル）を得た。
６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４，４，４−トリフルオロブチルオキシ）−５−ヒド
ロキシピラン0.１５g （0.５ミリモル）と４’−ヘキシ
ルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸0.１６g （0.６ミ
リモル）のトルエン溶液５ミリリットル中にＮ，Ｎ’−
ジシクロヘキシルカルボジイミド0.１６g （0.８ミリモ
ル），４−ジメチルアミノピリジン0.1gを加え，室温で
２４時間反応した。蒸留水を加えて反応を停止し，ジエ
チルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩水で洗浄し，
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエーテルを
減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製し，目的とする（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ
−２−（４，４，４−トリフルオロブチルオキシ）−６
−トリフルオロメチル−５−（４”−ヘキシルオキシビ
フェニル−４’−カルボニルオキシ）ピラン0.２４g
（0.４ミリモル）を得た。
【０１６１】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチル オキシ）−６−トリフルオロメチル−５−（４”−ヘキシルオキシビフェニル− ４’−カルボニルオキシ）ピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.８９〜0.９４ （ｍ，３Ｈ） 1.３２〜2.４６ （ｍ，１６Ｈ） 3.５８ （ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.１Ｈｚ，１Ｈ） 3.９６ （ｄｔ，Ｊ＝9.８，6.１Ｈｚ，１Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 4.０８ （ｄｑ，Ｊ＝8.６，6.４Ｈｚ，１Ｈ） 4.６５ （ｄｄ，Ｊ＝2.２，7.９Ｈｚ，１Ｈ） 5.２３ （ｄｄｄ，Ｊ＝5.０，8.９，9.２Ｈｚ，１Ｈ） 7.００ （ｄ，Ｊ＝4.４Ｈｚ，２Ｈ） 7.５２ （ｄ，Ｊ＝4.３Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝4.２Ｈｚ，２Ｈ） 8.０４ （ｄ，Ｊ＝4.２Ｈｚ，２Ｈ） 19F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.８４ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.８０ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝＋4.８°（Ｃ（濃度）＝1.０８，溶媒：クロロホルム） 実施例３ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロ）ブチルオキシ）−６−トリフルオロ
メチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’
−カルボニルオキシ）ピランの合成
す。 （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４，４，４−トリフルオロブチル オキシ）−６−トリフルオロメチル−５−（４”−ヘキシルオキシビフェニル− ４’−カルボニルオキシ）ピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.８９〜0.９４ （ｍ，３Ｈ） 1.３２〜2.４６ （ｍ，１６Ｈ） 3.５８ （ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.１Ｈｚ，１Ｈ） 3.９６ （ｄｔ，Ｊ＝9.８，6.１Ｈｚ，１Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 4.０８ （ｄｑ，Ｊ＝8.６，6.４Ｈｚ，１Ｈ） 4.６５ （ｄｄ，Ｊ＝2.２，7.９Ｈｚ，１Ｈ） 5.２３ （ｄｄｄ，Ｊ＝5.０，8.９，9.２Ｈｚ，１Ｈ） 7.００ （ｄ，Ｊ＝4.４Ｈｚ，２Ｈ） 7.５２ （ｄ，Ｊ＝4.３Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝4.２Ｈｚ，２Ｈ） 8.０４ （ｄ，Ｊ＝4.２Ｈｚ，２Ｈ） 19F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.８４ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.８０ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝＋4.８°（Ｃ（濃度）＝1.０８，溶媒：クロロホルム） 実施例３ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロ）ブチルオキシ）−６−トリフルオロ
メチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’
−カルボニルオキシ）ピランの合成
【０１６２】
【化９５】
【０１６３】（ａ）（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５
−t −ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシピラン6.９g （２3.１ミリモル），
ヘキサノール2.８g （２7.７ミリモル），パラトルエン
スルホン酸0.1 グラム，ジクロロメタン３５ミリリット
ルを用いて実施例１（ａ）と同様の操作を行い，アセタ
ール化合物7.６g （１9.８ミリモル）を得た。また得ら
れた化合物はジアステレオマー混合物であるが，分離せ
ずに次の反応に用いた。 （ｂ）上記反応により得られたアセタール化合物7.６g
（１9.８ミリモル）をテトラヒドロフラン２０ミリリッ
トルに溶解し，テトラ−n −ブチルアンモニウムフルオ
ライドの1.0 モル／リットルのテトラヒドロフラン溶液
6.６ミリリットルを加えて，0 ℃で1 時間，室温で３０
時間反応した。以下，実施例１（ｂ）と同様の操作を行
い，アルコール化合物4.６g （１７ミリモル）を得た。
また得られた化合物はジアステレオマー混合物である
が，分離せずに次の反応に用いた。
−t −ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシピラン6.９g （２3.１ミリモル），
ヘキサノール2.８g （２7.７ミリモル），パラトルエン
スルホン酸0.1 グラム，ジクロロメタン３５ミリリット
ルを用いて実施例１（ａ）と同様の操作を行い，アセタ
ール化合物7.６g （１9.８ミリモル）を得た。また得ら
れた化合物はジアステレオマー混合物であるが，分離せ
ずに次の反応に用いた。 （ｂ）上記反応により得られたアセタール化合物7.６g
（１9.８ミリモル）をテトラヒドロフラン２０ミリリッ
トルに溶解し，テトラ−n −ブチルアンモニウムフルオ
ライドの1.0 モル／リットルのテトラヒドロフラン溶液
6.６ミリリットルを加えて，0 ℃で1 時間，室温で３０
時間反応した。以下，実施例１（ｂ）と同様の操作を行
い，アルコール化合物4.６g （１７ミリモル）を得た。
また得られた化合物はジアステレオマー混合物である
が，分離せずに次の反応に用いた。
【０１６４】（ｃ）上記反応により得られたアルコール
化合物2.０ｇ（7.３ミリモル）のテトラヒドロフラン溶
液（１０ミリリットル）を，６０％水素化ナトリウム0.
４g（１6.０ミリモル）のテトラヒドロフラン（１０ミ
リリットル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し３０分間
撹拌した。次いで，パラトルエンスルホン酸４，４，４
−トリフルオロブチルエステル2.１g （7.３ミリモル）
及びジメチルスルホキシド６ミリリットルを加え，室温
で１８時間反応させた。蒸留水を加えて反応を停止し，
ジエチルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩水で洗浄
し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエーテ
ルを減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製し，エーテル化合物2.０g （5.３ミリモル）を得
た。
化合物2.０ｇ（7.３ミリモル）のテトラヒドロフラン溶
液（１０ミリリットル）を，６０％水素化ナトリウム0.
４g（１6.０ミリモル）のテトラヒドロフラン（１０ミ
リリットル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し３０分間
撹拌した。次いで，パラトルエンスルホン酸４，４，４
−トリフルオロブチルエステル2.１g （7.３ミリモル）
及びジメチルスルホキシド６ミリリットルを加え，室温
で１８時間反応させた。蒸留水を加えて反応を停止し，
ジエチルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩水で洗浄
し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエーテ
ルを減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製し，エーテル化合物2.０g （5.３ミリモル）を得
た。
【０１６５】（ｄ）上記反応により得られたエーテル化
合物2.０g （5.３ミリモル）をテトラヒドロフラン１３
０ミリリットルに溶かし，蒸留水２７ミリリットル及び
濃硫酸2.７ミリリットルを加え，５０時間還流した。１
規定水酸化カリウム水溶液を加え反応を停止し，反応物
をジエチルエーテルで抽出した。次いで，抽出物を飽和
食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジ
エチルエーテルを減圧留去した後，シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し，ヘミアセタール化合物1.２
g （4.２ミリモル）を得た。 （ｅ）上記反応により得られたヘミアセタール化合物0.
７g （2.４ミリモル）と４’−ヘキシルオキシ−４−ビ
フェニルカルボン酸クロリド0.９g （2.８ミリモル）の
トルエン溶液５ミリリットル中にトリエチルアミン0.７
ミリリットルを加え，室温で１８時間反応した。この反
応溶液に蒸留水を加え，反応を停止し，エーテルにより
抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後，シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製し，目的とする
（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−
カルボニルオキシ）ピラン0.８g （0.５ミリモル）を得
た。
合物2.０g （5.３ミリモル）をテトラヒドロフラン１３
０ミリリットルに溶かし，蒸留水２７ミリリットル及び
濃硫酸2.７ミリリットルを加え，５０時間還流した。１
規定水酸化カリウム水溶液を加え反応を停止し，反応物
をジエチルエーテルで抽出した。次いで，抽出物を飽和
食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジ
エチルエーテルを減圧留去した後，シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し，ヘミアセタール化合物1.２
g （4.２ミリモル）を得た。 （ｅ）上記反応により得られたヘミアセタール化合物0.
７g （2.４ミリモル）と４’−ヘキシルオキシ−４−ビ
フェニルカルボン酸クロリド0.９g （2.８ミリモル）の
トルエン溶液５ミリリットル中にトリエチルアミン0.７
ミリリットルを加え，室温で１８時間反応した。この反
応溶液に蒸留水を加え，反応を停止し，エーテルにより
抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後，シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製し，目的とする
（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−
カルボニルオキシ）ピラン0.８g （0.５ミリモル）を得
た。
【０１６６】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−
カルボニルオキシ）ピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９２ （ｔ，Ｊ＝6.９Ｈｚ，３Ｈ） 1.３２〜1.５６ （ｍ，７Ｈ） 1.７６〜1.９０ （ｍ，６Ｈ） 2.１１〜2.２３ （ｍ，４Ｈ） 3.４７〜3.５０ （ｍ，１Ｈ） 3.６０〜3.６７ （ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.１３ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，7.１Ｈｚ，１Ｈ） 6.９９ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.４２ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６３ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.８３ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.０２ （ｄ，Ｊ＝7.１Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝−7.５°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例４ （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４”−
（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシビフェニル
−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシピランの合成
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロブチルオキシ）−６−トリフルオロメ
チル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−
カルボニルオキシ）ピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９２ （ｔ，Ｊ＝6.９Ｈｚ，３Ｈ） 1.３２〜1.５６ （ｍ，７Ｈ） 1.７６〜1.９０ （ｍ，６Ｈ） 2.１１〜2.２３ （ｍ，４Ｈ） 3.４７〜3.５０ （ｍ，１Ｈ） 3.６０〜3.６７ （ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.１３ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，7.１Ｈｚ，１Ｈ） 6.９９ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.４２ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６３ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.８３ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.０２ （ｄ，Ｊ＝7.１Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝−7.５°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例４ （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４”−
（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシビフェニル
−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロメチル
−２−ヘキシルオキシピランの合成
【０１６７】
【化９６】
【０１６８】（ａ）実施例３（ｂ）で得られたジアステ
レオマー混合物のアルコール化合物1.３g （4.８ミリモ
ル）をカラムクロマトグラフィーにより，分離精製し，
（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭素を有するアルコール化
合物0.３g （1.０ミリモル）及び（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）
の不斉炭素を有するアルコール化合物1.０g （3.８ミリ
モル）をそれぞれ得た。 （ｂ）（ａ）で得られた（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭
素を有するアルコール化合物0.４g （1.５ミリモル），
４’−（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシ−４
−ビフェニルカルボン酸0.４５g （1.５ミリモル），
Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド0.４７g
（2.３ミリモル），４−ジメチルアミノピリジン0.1g，
トルエン７ミリリットルを用いて，実施例２（ａ）と同
様の操作を行い，目的とする（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テ
トラヒドロ−５−（４”−（４，４，４−トリフルオ
ロ）ブチルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキ
シ）−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシピ
ラン0.３g （0.５ミリモル）を得た。
レオマー混合物のアルコール化合物1.３g （4.８ミリモ
ル）をカラムクロマトグラフィーにより，分離精製し，
（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭素を有するアルコール化
合物0.３g （1.０ミリモル）及び（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）
の不斉炭素を有するアルコール化合物1.０g （3.８ミリ
モル）をそれぞれ得た。 （ｂ）（ａ）で得られた（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭
素を有するアルコール化合物0.４g （1.５ミリモル），
４’−（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシ−４
−ビフェニルカルボン酸0.４５g （1.５ミリモル），
Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド0.４７g
（2.３ミリモル），４−ジメチルアミノピリジン0.1g，
トルエン７ミリリットルを用いて，実施例２（ａ）と同
様の操作を行い，目的とする（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テ
トラヒドロ−５−（４”−（４，４，４−トリフルオ
ロ）ブチルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキ
シ）−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシピ
ラン0.３g （0.５ミリモル）を得た。
【０１６９】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４”−（４，４，４−トリフル オロ）ブチルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロ メチル−２−ヘキシルオキシピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９０ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，３Ｈ） 1.２６〜1.３９ （ｍ，６Ｈ） 1.５７〜1.８４ （ｍ，４Ｈ） 1.９８〜2.１４ （ｍ，３Ｈ） 2.２９〜2.４６ （ｍ，３Ｈ） 3.４９ （ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 3.９２ （ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.７Ｈｚ，１Ｈ） 4.０５〜4.１１ （ｍ，３Ｈ） 4.６５ （ｄｄ，Ｊ＝2.０，7.１Ｈｚ，１Ｈ） 5.２１ （ｄｄｄ，Ｊ＝5.０，9.０，9.４Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.０５ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 19F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.７９ （ｔ，Ｊ＝１0.８Ｈｚ） −７5.７７ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝＋7.２°（Ｃ（濃度）＝1.００，溶媒：クロロホルム） 実施例５ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４”−
（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシビフェニル
−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキシルオキシピランの合成
す。 （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４”−（４，４，４−トリフル オロ）ブチルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロ メチル−２−ヘキシルオキシピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９０ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，３Ｈ） 1.２６〜1.３９ （ｍ，６Ｈ） 1.５７〜1.８４ （ｍ，４Ｈ） 1.９８〜2.１４ （ｍ，３Ｈ） 2.２９〜2.４６ （ｍ，３Ｈ） 3.４９ （ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 3.９２ （ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.７Ｈｚ，１Ｈ） 4.０５〜4.１１ （ｍ，３Ｈ） 4.６５ （ｄｄ，Ｊ＝2.０，7.１Ｈｚ，１Ｈ） 5.２１ （ｄｄｄ，Ｊ＝5.０，9.０，9.４Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.０５ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 19F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.７９ （ｔ，Ｊ＝１0.８Ｈｚ） −７5.７７ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝＋7.２°（Ｃ（濃度）＝1.００，溶媒：クロロホルム） 実施例５ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４”−
（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシビフェニル
−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキシルオキシピランの合成
【０１７０】
【化９７】
【０１７１】（ａ）実施例３（ｂ）より得られたアルコ
ール化合物1.３ｇ（4.８ミリモル）のテトラヒドロフラ
ン溶液（４ミリリットル）を，６０％水素化ナトリウム
0.２g （8.７ミリモル）のテトラヒドロフラン（６ミリ
リットル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し３０分間撹
拌した。次いで，ヘキシルブロマイド0.７g （4.２ミリ
モル）及びジメチルスルホキシド1.６ミリリットルを加
え，室温で１８時間反応させた。蒸留水を加えて反応を
停止し，ジエチルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩
水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチ
ルエーテルを減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し，エーテル化合物1.１g （3.２ミリモ
ル）を得た。
ール化合物1.３ｇ（4.８ミリモル）のテトラヒドロフラ
ン溶液（４ミリリットル）を，６０％水素化ナトリウム
0.２g （8.７ミリモル）のテトラヒドロフラン（６ミリ
リットル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し３０分間撹
拌した。次いで，ヘキシルブロマイド0.７g （4.２ミリ
モル）及びジメチルスルホキシド1.６ミリリットルを加
え，室温で１８時間反応させた。蒸留水を加えて反応を
停止し，ジエチルエーテルで抽出した。次に，飽和食塩
水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチ
ルエーテルを減圧留去後，シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し，エーテル化合物1.１g （3.２ミリモ
ル）を得た。
【０１７２】（ｂ）上記反応により得られたエーテル化
合物1.１g （3.２ミリモル）をテトラヒドロフラン４８
ミリリットルに溶かし，蒸留水9.５ミリリットル及び濃
硫酸0.９５ミリリットルを加え，５０時間還流した。１
規定水酸化カリウム水溶液を加え反応を停止し，反応物
をジエチルエーテルで抽出した。次いで，抽出物を飽和
食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジ
エチルエーテルを減圧留去した後，シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し，ヘミアセタール化合物0.６
g （2.３ミリモル）を得た。 （ｃ）上記反応により得られたヘミアセタール化合物0.
３g （1.２ミリモル）と４’−（４，４，４−トリフル
オロ）ブチルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸クロリ
ド0.４６g （1.３ミリモル）のトルエン溶液６ミリリッ
トル中にトリエチルアミン0.３ミリリットルを加え，室
温で１８時間反応した。この反応溶液に蒸留水を加え，
反応を停止し，エーテルにより抽出した。次いで飽和食
塩水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エー
テルを減圧留去した後，シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し，目的とする（（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−
テトラヒドロ−２−（４”−（４，４，４−トリフルオ
ロ）ブチルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキ
シ）−６−トリフルオロメチル−５−ヘキシルオキシピ
ラン0.４３g （0.７５ミリモル）を得た。
合物1.１g （3.２ミリモル）をテトラヒドロフラン４８
ミリリットルに溶かし，蒸留水9.５ミリリットル及び濃
硫酸0.９５ミリリットルを加え，５０時間還流した。１
規定水酸化カリウム水溶液を加え反応を停止し，反応物
をジエチルエーテルで抽出した。次いで，抽出物を飽和
食塩水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジ
エチルエーテルを減圧留去した後，シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し，ヘミアセタール化合物0.６
g （2.３ミリモル）を得た。 （ｃ）上記反応により得られたヘミアセタール化合物0.
３g （1.２ミリモル）と４’−（４，４，４−トリフル
オロ）ブチルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸クロリ
ド0.４６g （1.３ミリモル）のトルエン溶液６ミリリッ
トル中にトリエチルアミン0.３ミリリットルを加え，室
温で１８時間反応した。この反応溶液に蒸留水を加え，
反応を停止し，エーテルにより抽出した。次いで飽和食
塩水で洗浄し，無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エー
テルを減圧留去した後，シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し，目的とする（（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−
テトラヒドロ−２−（４”−（４，４，４−トリフルオ
ロ）ブチルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキ
シ）−６−トリフルオロメチル−５−ヘキシルオキシピ
ラン0.４３g （0.７５ミリモル）を得た。
【０１７３】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４”−
（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシビフェニル
−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキシルオキシピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９０ （ｔ，Ｊ＝6.７Ｈｚ，３Ｈ） 1.１８〜1.３８ （ｍ，６Ｈ） 1.５２〜1.６０ （ｍ，２Ｈ） 1.７７〜1.８４ （ｍ，２Ｈ） 2.０５〜2.１６ （ｍ，３Ｈ） 2.１７〜2.４０ （ｍ，３Ｈ） 3.４３〜3.６４ （ｍ，３Ｈ） 4.０１〜4.０９ （ｍ，３Ｈ） 6.１５ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，6.６Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５７ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ) ；δ（ｐｐｍ） −６6.８３ （ｔ，Ｊ＝１0.８Ｈｚ） −７4.９４ （ｄ，Ｊ＝7.３Ｈｚ） [ α] ＝−5.８°（Ｃ（濃度）＝1.００，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例６ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロ）ブチルオキシ−６−トリフルオロメ
チル−２−（４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾイルオキシ）ピランの合成
す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−（４”−
（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキシビフェニル
−４’−カルボニルオキシ）−６−トリフルオロメチル
−５−ヘキシルオキシピラン 分子式：Ｃ29Ｈ34Ｆ6 Ｏ5 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９０ （ｔ，Ｊ＝6.７Ｈｚ，３Ｈ） 1.１８〜1.３８ （ｍ，６Ｈ） 1.５２〜1.６０ （ｍ，２Ｈ） 1.７７〜1.８４ （ｍ，２Ｈ） 2.０５〜2.１６ （ｍ，３Ｈ） 2.１７〜2.４０ （ｍ，３Ｈ） 3.４３〜3.６４ （ｍ，３Ｈ） 4.０１〜4.０９ （ｍ，３Ｈ） 6.１５ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，6.６Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５７ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ) ；δ（ｐｐｍ） −６6.８３ （ｔ，Ｊ＝１0.８Ｈｚ） −７4.９４ （ｄ，Ｊ＝7.３Ｈｚ） [ α] ＝−5.８°（Ｃ（濃度）＝1.００，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例６ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロ）ブチルオキシ−６−トリフルオロメ
チル−２−（４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾイルオキシ）ピランの合成
【０１７４】
【化９８】
【０１７５】（ａ）実施例３（ｄ）で得られたヘミアセ
タール化合物0.５g （1.７ミリモル）と４−（４−トラ
ンス−ペンチルシクロヘキシル）安息香酸クロリド0.６
g （2.０ミリモル）を用いて，実施例３（ｅ）と同様の
操作を行い，目的とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラ
ヒドロ−５−（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキ
シ−６−トリフルオロメチル−２−（４−（４−トラン
ス−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾイルオキシ）ピラ
ン0.５ｇ（0.９ミリモル）を得た。得られた化合物の物
理的性質を以下に示す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロ）ブチルオキシ−６−トリフルオロメ
チル−２−（４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾイルオキシ）ピラン 分子式：Ｃ28Ｈ38Ｆ6 Ｏ4 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.８６〜0.９２ （ｍ，３Ｈ） 1.０２〜1.５８ （ｍ，１３Ｈ） 1.７３〜1.９０ （ｍ，８Ｈ） 2.０９〜2.５２ （ｍ，５Ｈ） 3.４５〜3.６８ （ｍ，３Ｈ） 3.９５〜4.０１ （ｍ，１Ｈ） 6.０９ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，7.２Ｈｚ，１Ｈ） 7.２７ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 7.９８ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.７６ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.０２ （ｄ，Ｊ＝7.０Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝−6.９°（Ｃ（濃度）＝1.１０，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例７ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−（７，７，８，８，８−ペンタ
フルオロ）オクチルオキシビフェニル−４’−カルボニ
ルオキシ）−５−ヘキシルオキシピランの合成
タール化合物0.５g （1.７ミリモル）と４−（４−トラ
ンス−ペンチルシクロヘキシル）安息香酸クロリド0.６
g （2.０ミリモル）を用いて，実施例３（ｅ）と同様の
操作を行い，目的とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラ
ヒドロ−５−（４，４，４−トリフルオロ）ブチルオキ
シ−６−トリフルオロメチル−２−（４−（４−トラン
ス−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾイルオキシ）ピラ
ン0.５ｇ（0.９ミリモル）を得た。得られた化合物の物
理的性質を以下に示す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−（４，４，
４−トリフルオロ）ブチルオキシ−６−トリフルオロメ
チル−２−（４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾイルオキシ）ピラン 分子式：Ｃ28Ｈ38Ｆ6 Ｏ4 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.８６〜0.９２ （ｍ，３Ｈ） 1.０２〜1.５８ （ｍ，１３Ｈ） 1.７３〜1.９０ （ｍ，８Ｈ） 2.０９〜2.５２ （ｍ，５Ｈ） 3.４５〜3.６８ （ｍ，３Ｈ） 3.９５〜4.０１ （ｍ，１Ｈ） 6.０９ （ｄｄ，Ｊ＝2.６，7.２Ｈｚ，１Ｈ） 7.２７ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 7.９８ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −６6.７６ （ｔ，Ｊ＝１1.０Ｈｚ） −７5.０２ （ｄ，Ｊ＝7.０Ｈｚ） 比旋光度 [ α] ＝−6.９°（Ｃ（濃度）＝1.１０，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例７ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−（７，７，８，８，８−ペンタ
フルオロ）オクチルオキシビフェニル−４’−カルボニ
ルオキシ）−５−ヘキシルオキシピランの合成
【０１７６】
【化９９】
【０１７７】（ａ）実施例５（ｂ）で得られたヘミアセ
タール化合物0.２７ｇ（1.０ミリモル）と４’−（７，
７，８，８，８−ペンタフルオロ）オクチルオキシ−４
−ビフェニルカルボン酸クロリド0.５g （1.２ミリモ
ル）を用いて実施例５（ｃ）と同様の操作を行い，目的
とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−２−（４”−（７，７，８，８，８−
ペンタフルオロ）オクチルオキシビフェニル−４’−カ
ルボニルオキシ）−５−ヘキシルオキシピラン0.４９ｇ
（0.７３ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的性
質を以下に示す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−（７，７，８，８，８−ペンタ
フルオロ）オクチルオキシビフェニル−４’−カルボニ
ルオキシ）−５−ヘキシルオキシピラン 分子式：Ｃ33Ｈ40Ｆ8 Ｏ5 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９０ （ｔ，Ｊ＝6.７Ｈｚ，３Ｈ） 1.２６〜2.１４ （ｍ，２１Ｈ） 2.２９〜2.３４ （ｍ，１Ｈ） 3.４６ （ｄｔ，Ｊ＝8.９，6.６Ｈｚ，１Ｈ） 3.５２〜3.６４ （ｍ，２Ｈ） 3.９８〜4.０７ （ｍ，３Ｈ） 6.１５ （ｄｄ，Ｊ＝2.３，6.５Ｈｚ，１Ｈ） 6.９５ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −７4.９９ （ｄ，Ｊ＝7.２Ｈｚ，３Ｆ） −８5.９５ （ｍ，３Ｆ） −１１8.７７ （ｔ，Ｊ＝１8.２Ｈｚ，２Ｆ） 比旋光度 [ α] ＝−4.５°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例８ 化合物
タール化合物0.２７ｇ（1.０ミリモル）と４’−（７，
７，８，８，８−ペンタフルオロ）オクチルオキシ−４
−ビフェニルカルボン酸クロリド0.５g （1.２ミリモ
ル）を用いて実施例５（ｃ）と同様の操作を行い，目的
とする（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−２−（４”−（７，７，８，８，８−
ペンタフルオロ）オクチルオキシビフェニル−４’−カ
ルボニルオキシ）−５−ヘキシルオキシピラン0.４９ｇ
（0.７３ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的性
質を以下に示す。 （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−（７，７，８，８，８−ペンタ
フルオロ）オクチルオキシビフェニル−４’−カルボニ
ルオキシ）−５−ヘキシルオキシピラン 分子式：Ｃ33Ｈ40Ｆ8 Ｏ5 1 H-NMR ；δ（ｐｐｍ） 0.９０ （ｔ，Ｊ＝6.７Ｈｚ，３Ｈ） 1.２６〜2.１４ （ｍ，２１Ｈ） 2.２９〜2.３４ （ｍ，１Ｈ） 3.４６ （ｄｔ，Ｊ＝8.９，6.６Ｈｚ，１Ｈ） 3.５２〜3.６４ （ｍ，２Ｈ） 3.９８〜4.０７ （ｍ，３Ｈ） 6.１５ （ｄｄ，Ｊ＝2.３，6.５Ｈｚ，１Ｈ） 6.９５ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）19 F-NMR （基準：CFCl3 ）；δ（ｐｐｍ） −７4.９９ （ｄ，Ｊ＝7.２Ｈｚ，３Ｆ） −８5.９５ （ｍ，３Ｆ） −１１8.７７ （ｔ，Ｊ＝１8.２Ｈｚ，２Ｆ） 比旋光度 [ α] ＝−4.５°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：クロロ
ホルム） 実施例８ 化合物
【０１７８】
【化１００】
【０１７９】がそれぞれ２５重量％からなる母体液晶Ａ
を作製した。この液晶Ａに実施例２で得られた光学活性
テトラヒドロピラン誘導体が2 重量％となるように混合
し，液晶組成物を作製した。この液晶組成物を等方性液
体状態でパラレルラビング処理を施したポリイミド配向
膜を有するセル間隔2.０μｍの液晶素子に注入し，徐冷
して配向させた。４０℃及び１０℃でＶｐｐ＝２０Ｖの
矩形波電圧を印加したときの応答時間（τ0- 50）を測定
した結果を表１に示す。なお，応答時間は直交ニコル下
における透過光強度が０〜５０％まで変化する時間とし
て求めた。
を作製した。この液晶Ａに実施例２で得られた光学活性
テトラヒドロピラン誘導体が2 重量％となるように混合
し，液晶組成物を作製した。この液晶組成物を等方性液
体状態でパラレルラビング処理を施したポリイミド配向
膜を有するセル間隔2.０μｍの液晶素子に注入し，徐冷
して配向させた。４０℃及び１０℃でＶｐｐ＝２０Ｖの
矩形波電圧を印加したときの応答時間（τ0- 50）を測定
した結果を表１に示す。なお，応答時間は直交ニコル下
における透過光強度が０〜５０％まで変化する時間とし
て求めた。
【０１８０】実施例９〜１３，比較例１，２ 実施例３〜７で得られた化合物を用い，実施例８と同様
に液晶組成物を作製し、同様に測定を行った。さらに以
下の化合物Ａ，Ｂを用いて同様に液晶組成物を作製し、
同様に測定を行った。得られた結果を表１にあわせて示
す。
に液晶組成物を作製し、同様に測定を行った。さらに以
下の化合物Ａ，Ｂを用いて同様に液晶組成物を作製し、
同様に測定を行った。得られた結果を表１にあわせて示
す。
【０１８１】
【表１】
【０１８２】
【化１０１】
【０１８３】
【発明の効果】本発明の如き、分子末端に特定のフルオ
ロアルキル基を有する光学活性テトラヒドロフラン誘導
体を使用することにより、応答速度が速く、かつ温度変
化に対する変動の少なく広い温度範囲において高速応答
性を示す液晶組成物及び液晶素子が得られる。
ロアルキル基を有する光学活性テトラヒドロフラン誘導
体を使用することにより、応答速度が速く、かつ温度変
化に対する変動の少なく広い温度範囲において高速応答
性を示す液晶組成物及び液晶素子が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 19/34 Ｃ０９Ｋ 19/34 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 竹田 充範 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社鹿島製油所内 Ｆターム(参考） 4C062 AA22 4C063 AA01 BB08 CC78 CC82 DD12 DD28 DD29 DD78 4H027 BA06 BD02 BD08 BD23 DE01 DN03
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉ’ａ）
又は（Ｉ’ｂ） 【化１】 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
示し、Ｒ1 は炭素数１又は２のフルオロアルキル基を有
する炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキレン基を示
し、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に水素又は炭素
数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素数２〜１
５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を
示し、Ｘ1 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ−を示し、
Ｘ2 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ2 Ｏ−，−ＯＣ
Ｈ2 −，−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示し、Ｘ3 は−ＣＯＯ
−，−ＣＨ2 Ｏ−又は−Ｏ−を示し、Ｘ4 は−Ｏ−又は
−ＯＣＯ−を示し、Ｘ5 は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−
Ｏ−又は単結合を示し、＊は不斉炭素を示し、Ａが 【化２】 のいずれかであるときＢは 【化３】 【化４】 のいずれかを示し（ただし、この場合ｎは１であ
る。）、Ｂが 【化５】 のいずれかであるときＡは 【化６】 【化７】 のいずれかを示し、ｎは０又は１を示す。〕で表される
光学活性テトラヒドロピラン誘導体。 - 【請求項２】 （ａ）請求項１記載の光学活性テトラヒ
ドロピラン誘導体の少なくとも１種と（ｂ）前記（ａ）
以外のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）を有する
化合物あるいは混合物、及び／又は（ｃ）該（ａ）以外
のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物あるいは
混合物とからなる液晶組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載の光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体の少なくとも２種からなる液晶組成物。 - 【請求項４】 請求項１記載の光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体あるいは請求項２又は３記載の液晶組成物
を、一対の電極基板間に配設してなることを特徴とする
液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024532A JP2000226382A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024532A JP2000226382A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000226382A true JP2000226382A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12140777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11024532A Pending JP2000226382A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000226382A (ja) |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11024532A patent/JP2000226382A/ja active Pending
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