JPH07171689A - 金属表面処理方法 - Google Patents

金属表面処理方法

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JPH07171689A
JPH07171689A JP6239813A JP23981394A JPH07171689A JP H07171689 A JPH07171689 A JP H07171689A JP 6239813 A JP6239813 A JP 6239813A JP 23981394 A JP23981394 A JP 23981394A JP H07171689 A JPH07171689 A JP H07171689A
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敏彦 太田
Yasuhiro Iwata
泰宏 岩田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複雑なプロセスを使用することなく簡単に、
かつ電子部品もしくは電子装置に悪影響を及ぼすことな
く金属表面の酸化膜や有機物、カーボン等を除去する。 【構成】 処理対象の金属表面に対し、金属表面の組織
を変化させるエネルギーより小さなエネルギーのレーザ
光を照射し、金属表面を洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属表面処理方法に関
し、特に、例えば、回路配線基板と半導体集積回路（Ｌ
ＳＩ）等とをハンダ付けしたり、処理対象金属にメッキ
を施したりする際に、ハンダ表面もしくは処理対象金属
表面の酸化膜や有機物、カーボン等を除去する金属表面
処理方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路配線基板と半導体集積回路
（ＬＳＩ）等とをハンダ付けする際は、接合される対象
金属の表面は清浄に保たれ、かつ濡れ性を妨げるような
物質が存在してはならないことが要求される。また、メ
ッキを施す対象金属の表面にも酸化膜等が存在せず、対
象金属の表面は清浄に保たなければならない。さらに、
Ａｕ線やＡｕリボン等を対象金属の表面に超音波熱加圧
方法により接合する際にも、対象金属の表面の酸化膜が
問題になり、対象金属の表面は清浄に保たなければなら
ない。
【０００３】こうしたハンダの濡れ性を妨げる物質に
は、酸化物、塩化物、硫化物、炭酸塩、各種有機化合物
等がある。特に、ハンダ付け、メッキ付け、Ａｕ線やＡ
ｕリボン等の超音波熱加圧接合等の処理プロセスにおけ
る最大の障害は、ハンダ、ニッケル（Ｎi）、ニッケル
合金（Ｎiと他物質との合金）等の対象金属の表面に存
在する酸化膜である。
【０００４】この酸化膜は、一般にフラックスによって
化学的に溶解して液体の化合物に変化させる。これによ
って、対象金属の表面とハンダの金属原子とが外殻の電
子殻を共有する金属結合状態を形成するための直接衝突
の機会が得られ、合金化が可能となる。また、メッキ付
けに対しては、酸化膜を介してはメッキ付けは不可能で
ある。代表的な例として電気メッキがあるが、酸化膜が
絶縁膜となり電気メッキに必要な電気的導通がとれない
ため、メッキ付けが不可能になる。
【０００５】また、置換メッキ付けに対しても、やはり
酸化膜が障害となり、対象金属の表面とメッキ液間の置
換反応が無くなり、メッキ付けが不可能となる。
【０００６】これらのメッキ付けに関しても塩酸等の液
処理による酸化膜除去では、残渣が残ってしまい、接合
の信頼性を低下させる要因となる。そこで、従来からフ
ロン等による洗浄が実施されている。
【０００７】これに対し、最近では、フラックスとして
アビエチン酸（ロジン）とアジピン酸等を微量使用する
ことにより、フラックス残渣洗浄を不要とする技術開発
が行われているが、接合の信頼性の点で不十分である。
【０００８】この技術については、「アルミットテクニ
カルジャーナル１９」（１９９２年）、および「無洗浄
化のためのフラックスの作用機構と問題点について」
（（株）日本工業技術開発研究所、窪田 規）に詳しく
説明されている。
【０００９】一方、金属材料、鋼材、炭化物等に対し
て、レーザビームを照射することにより、超微細均一組
織あるいは非晶質構造を有し、耐食性、耐摩耗性に優れ
た材料を得るグレージング方法が提案されている。この
グレージング方法は、高温高圧下に晒される金属材料、
例えば自動車タービン用材料等を加工する場合に使用さ
れるもので、例えば「続・レーザ加工」（小林 昭 著
ｐｐ１６４、開発社発行）に論じられている。
【００１０】また、フラックスや塩酸等を使用しない金
属表面の酸化膜除去方法として、アルゴンスパッタによ
る酸化膜除去方法がある。
【００１１】この他に、特開昭６３−９７３８２号公報
に開示されているように、金属部材のブラスト加工によ
り粗面に形成された表面に、合金元素をメッキした後、
その上にレーザ光を照射してメッキ層を熔融処理するこ
とにより、ピンホールのない密着性の高いコーティング
被膜を形成する技術がある。
【００１２】さらに、特開昭６２−２５６９６１号公報
に開示されているように、アルミニウムまたはその合金
から成る基材の表面に、陽極酸化被膜を形成することに
より、耐食性が良好で、ハンダ付けが容易な表面処理層
を形成する技術がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【００１４】（１）回路基板と集積回路等とをハンダ付
けする際に、そのハンダ付け前にフラックスによって酸
化膜を除去する方法にあっては、フラックスの残渣を洗
浄するプロセスが必ず必要になるという問題がある。ま
た、残渣として残存した酸等による腐食の原因が残ると
いう問題がある。
【００１５】さらに、洗浄後の乾燥プロセスが必ず必要
になるという問題がある。
【００１６】（２）アルゴンスパッタによる酸化膜除去
方法にあっては、真空中での処理が必要になるので、設
備管理が困難なうえ、アルゴンスパッタによって電子部
品もしくは電子装置の能動素子に悪影響を与えてしまう
という問題がある。
【００１７】（３）レーザビームを用いるグレージング
方法および特開昭６３−９７３８２号公報に開示された
レーザ加工処理方法にあっては、いずれも、高エネルギ
ーのレーザ光によって表面の金属組織を強制的に熔融変
化させ、金属表面の耐摩耗性や緻密性を得るものである
ため、金属表面が固化する過程で酸化膜が成長してしま
うという問題がある。
【００１８】（４）特開昭６２−２５６９６１号公報に
開示されている表面処理方法は、酸化膜を除去する技術
ではない。
【００１９】本発明の目的は、複雑なプロセスを使用す
ることなく簡単に、かつ電子部品もしくは電子装置に悪
影響を及ぼすことなく金属表面の酸化膜や有機物、カー
ボン等を除去することができる金属表面処理方法を提供
することにある。
【００２０】本発明の前記ならびにその他の目的および
新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって
明らかになるであろう。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００２２】（１）処理対象の金属表面に対し、金属表
面の組織を変化させるエネルギーより小さなエネルギー
のレーザ光を照射し、金属表面を洗浄する金属表面処理
方法である。
【００２３】（２）前記（１）の金属表面処理方法にお
けるレーザ光は、パルス幅が１μｓ以下である。
【００２４】（３）前記（１）または（２）の金属表面
処理方法におけるレーザ光は、波長１５０ｎｍ〜４００
ｎｍである。
【００２５】（４）記記（１）乃至（３）のうちいずれ
か１つの金属表面処理方法における処理対象の金属は、
ハンダ、ニッケル、ニッケル合金のうちいずれか１つで
ある。
【００２６】（５）前記（４）の金属表面処理方法にお
けるレーザ光は、エネルギー密度が０.５Ｊ／cm2〜４.
０Ｊ／cm2である。
【００２７】（６）前記（１）乃至（５）のうちいずれ
か一つの金属表面処理方法を用いて処理対象の金属の表
面処理を行い、再酸化防止用のメッキ層を施す金属表面
処理方法である。
【００２８】
【作用】前述の手段によれば、処理対象の金属表面に対
し、金属表面の組織を変化させるエネルギーより小さな
エネルギーのレーザ光を照射する。詳しくは、処理対象
の金属表面の金属原子と酸素原子との結合エネルギーよ
り大きく、金属原子同士の結合エネルギーより小さなエ
ネルギーのレーザ光を照射する。
【００２９】これにより、表面の金属組織は熔融せず、
レーザ光のエネルギーによって表面の金属原子と酸素原
子との結合のみが解かれるので、金属表面の酸化膜が除
去される。また、同時に金属表面の有機物、カーボン等
が除去される。
【００３０】この場合、表面の金属原子と酸素原子との
結合を解くことがレーザ光を照射する主目的であるの
で、レーザ光は、例えば、パルス幅が１μｓ以下のパル
スレーザ光であることが好ましい。
【００３１】また、パルス幅が１μｓ以下のパルスレー
ザ光で表面の金属原子と酸素原子との結合を解くことに
なるので、レーザ光は、例えば、波長が短い（光子エネ
ルギーが高い）エキシマレーザ光が好ましい。
【００３２】前記レーザ光を照射する雰囲気は、大気
中、真空中、Ｈｅガス中のいずれであっても、問題なく
金属表面酸化膜を除去することができる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
【００３４】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００３５】（実施例１）図１は、本発明による金属表
面処理方法の実施例１を説明するための断面図であり、
１はセラミック基板、２はメタライズ層、３ａはハンダ
層、４は酸化膜、５はレーザ光、６はレンズ、７はミラ
ーである。
【００３６】本実施例１の金属表面処理方法は、図１に
示すように、セラミック基板１の上層に形成したメタラ
イズ層２の表面のハンダ層３ａの表面の酸化物４（また
は有機物、カーボン等の残渣）を除去する方法である。
前記メタライズ層２は、例えば、チタン（Ｔi）膜、ニ
ッケル（Ｎi）膜、ニッケル合金膜等からなる。
【００３７】前記メタライズ層２の表面のハンダ層３ａ
の表面の酸化物４（または有機物、カーボン等の残渣）
を除去する方法は、前記ハンダ層３ａの表面に対し、レ
ンズ６およびミラー７を介してレーザ光５が照射するこ
とにより酸化物４を除去する方法である。
【００３８】図２は、前記ハンダ層３ａに代えて、半導
体集積回路（ＬＳＩ）等の電子装置の製造方法における
ハンダバンプ３ｂの表面にレンズ６およびミラー７を介
してレーザ光５を照射する本実施例１の変形例である。
【００３９】前記本実施例１において使用されるレーザ
光５は、ハンダ層３ａ，３ｂの金属組織を変化させるエ
ネルギーより小さなエネルギーのレーザ光である。詳し
くは、ハンダ層３ａ，３ｂの表面のＳｎ原子とＯ2原子
との結合エネルギーより大きく、Ｓｎ-Ｐｂ原子同士の
結合エネルギーより小さなエネルギーのレーザ光であ
る。
【００４０】このレーザ光５をハンダ層３ａ，３ｂに照
射すると、表面のハンダ層３ａ，３ｂは熔融せず、レー
ザ光５のエネルギーによって表面のＳｎ-Ｐｂ原子とＯ2
原子との結合のみが解かれることにより、ハンダ層３
ａ，３ｂの表面の酸化膜４が除去される。また、同時に
金属表面の有機物、カーボン等が除去される。
【００４１】この場合、表面のＳｎ-Ｐｂ原子とＯ2原子
との結合を解くことがレーザ光５を照射する主目的であ
るので、レーザ光５は、例えば、パルス幅が１μｓ以下
のパルスレーザ光であることが好ましい。
【００４２】また、パルス幅が１μｓ以下のパルスレー
ザ光で表面のＳｎ-Ｐｂ原子とＯ2原子との結合を解くこ
とになるので、レーザ光５としては、例えば、波長が短
い（光子エネルギーが高い）エキシマレーザ光が好まし
い。
【００４３】前記レーザ光５を照射する雰囲気は、大気
中、真空中、Ｈｅガス中のいずれであっても、問題なく
ハンダ層３ａ，３ｂの表面の酸化膜４を除去することが
できた。
【００４４】図３は、レーザ光照射前のハンダ層３ａ，
３ｂ表面状態を走査型電子顕微鏡によって観察した写真
であり、図４はその拡大写真である。
【００４５】これらの写真からハンダ層３ａ，３ｂの表
面に有機物やカーボン等の黒色残渣が確認される。
【００４６】図５は、レーザ光照射後のハンダ層３ａ，
３ｂの表面状態を同様に走査型電子顕微鏡によって観察
した写真であり、図６はその拡大写真である。この写真
からその酸化膜や有機物、カーボン等の残渣が完全に除
去されていることが確認される。
【００４７】図７は、縦軸にＳｎ−Ｐｂ表面の酸化膜量
（％）を、横軸に１パルスのレーザ光照射エネルギー密
度（Ｊ／cm2）をとり、両者の関係をプロットしたもの
である。この図７からレーザ光照射エネルギー密度０.
５Ｊ／cm2〜４.０Ｊ／cm2の範囲で未処理の酸化膜量よ
り少ないことが明らかとなっている。その中でも、レー
ザ光照射エネルギー密度１.５Ｊ／cm2が最も良好である
ことがわかる。
【００４８】この場合、縦軸の酸化膜量は、エネルギー
分散Ｘ線分光法（ＥＤＸ）により測定した酸素濃度であ
る。
【００４９】図８は、縦軸にＳｎ−Ｐｂ表面の酸化膜量
（％）を、横軸にレーザ光照射エネルギー密度を１.５
（Ｊ／cm2）に一定値に保った時の照射回数を示したも
のである。
【００５０】この図８から明らかなように、照射回数が
８回付近で酸化膜量が最小となることがわかる。
【００５１】以上のことから、Ｓｎ−Ｐｂ表面の酸化膜
量はレーザ光照射エネルギー密度１.５Ｊ／cm2で８回照
射する場合が最小になり、ハンダ３ａ，３ｂの濡れ性が
向上することがわかる。
【００５２】図９は、前記ハンダバンプ３ｂの表面の酸
化膜除去を行い、フラックスのない状態で集積回路（Ｌ
ＳＩ）８をセラミック基板１の上層に形成したメタライ
ズ層２にハンダ接合した実施例１の要部断面を示すもの
であり、図１０は封止キャップ９の部分のハンダバンプ
３ｂの表面の酸化膜除去を行い、フラックスのない状態
でハンダ接合を実施した半導体装置の要部断面を示すも
のである。
【００５３】（実施例２）図１１は、本発明による金属
表面処理方法の実施例２を説明するための断面図であ
る。本実施例２の金属表面処理方法は、図１１に示すよ
うに、セラミック基板１の上層に形成したニッケル（Ｎ
i）層（もしくはニッケル合金層）２ａの表面の酸化物
４（または有機物、カーボン等の残渣）を除去する方法
である。
【００５４】ニッケル（Ｎi）層（もしくはニッケル合
金層）２ａは、一般的に酸化しやすいために、ニッケル
（Ｎi）層もしくはニッケル合金層２ａの表面に簡単に
酸化膜４が形成される。
【００５５】前記ニッケル層２ａの表面の酸化物４を除
去する方法は、前記実施例１と同様に、前記ニッケル層
２ａの表面に対し、レンズ６およびミラー７を介してレ
ーザ光５が照射して酸化物４を除去する。
【００５６】図１２は、前記ニッケル層２ａの同一部分
に対するレーザ光５の照射回数を１０回一定として、縦
軸にニッケル２ａに形成された酸化膜４の厚さ（単位：
ｎｍ）をとり、横軸にレーザ光照射エネルギー密度（Ｊ
／ｃｍ2）（単位面積当りのレーザ光照射エネルギー）
をとって、両者の関係をプロットした図である。図１２
からわかるように、レーザ光５の照射エネルギー密度が
大きくなるにつれ、酸化膜４は除去できることが理解で
きる。
【００５７】さらに、初期酸化膜の厚さが変わっても同
様に酸化膜４を除去することができる。
【００５８】図１３は、前記レーザ光５の照射エネルギ
ー密度を０.７５（Ｊ／ｃｍ2）一定として、縦軸にニッ
ケル層２ａの表面に形成される酸化膜４の厚さ（単位：
ｎｍ）をとり、前記ニッケル層２ａの同一部分に対する
レーザの照射回数をとって、両者の関係をプロットした
図である。図１３からわかるように、照射回数が多くな
る程、酸化膜の厚さも減少する。
【００５９】（実施例３）図１４は、本発明による半導
体集積回路（ＬＳＩ）等の電子装置の製造方法の実施例
３を説明するための断面図である。
【００６０】本実施例３の電子装置の製造方法は、図１
４に示すように、セラミック基板１の上層に形成したニ
ッケル（Ｎi）層（もしくはニッケル合金層）２ａの表
面の酸化物（または有機物、カーボン等の残渣）を、前
記実施例１，２の酸化物を除去する方法で除去した後、
メッキ層１０を施すものである。前記メッキ付けは、電
気メッキ、無電界メッキ、置換メッキのどれを用いても
よいが、メッキ材は一般に金（Ａｕ）を用いて再酸化を
防ぐ。このようにすることにより、メタライズ層のニッ
ケル（Ｎi）層もしくはニッケル合金層２ａ上の酸化膜
を除去し、その上層にメッキ層１０を施すことによりそ
の再酸化を防止することができる。
【００６１】前記本実施例３の再酸化防止手段を具体的
に適用した電子装置の構成断面図を図１５に示す。この
具体例の半導体集積回路（ＬＳＩ）等の電子装置の製造
方法は、図１５に示すように、セラミック基板１にメタ
ライズ層のニッケル（Ｎi）層（もしくはニッケル合金
層）２ａを形成し、その上に有機系絶縁層１５を形成
し、この有機系絶縁層１５に穴をあけて前記ニッケル
（Ｎi）層２ａを露出させ、その露出したニッケル（Ｎ
i）層２ａの表面の酸化物を、前記実施例１，２の酸化
物を除去する方法で除去した後、再酸化防止用のメッキ
層１０を施し、ロウ材（もしくはハンダ材）１１で電子
装置の入出力（Ｉ／Ｏ）ピン１２を取り付けるものであ
る。
【００６２】前記ニッケル合金層２ａの表面の酸化物を
除去した後、再酸化防止用のメッキ層１０を施すことに
より、半導体集積回路（ＬＳＩ）等の電子装置の入出力
（Ｉ／Ｏ）ピン１２とセラミック基板１との電気的接続
を良好にすることができる。
【００６３】なお、前記レーザ光５により酸化膜４を除
去した後は、約１週間程度なら再酸化防止用のメッキ
（Ａｕメッキ）層１０を施さなくてもロウ材（もしくは
ハンダ材）１１により電子装置の入出力（Ｉ／Ｏ）ピン
１２とセラミック基板１上のニッケル（Ｎi）層２ａと
を電気的に接続することができる。
【００６４】図１６は、前記図１５に示す入出力（Ｉ／
Ｏ）ピン１２を用いないで電子装置と直接のロウ材（も
しくはハンダ材）１１によりセラミック基板１上のニッ
ケル（Ｎi）層２ａとを電気的接続した場合を示してい
る。従来は必ずフラックス等を用いて接合しているが、
前記本実施例の方法ではフラックス等は不要である。
【００６５】（実施例４）図１７は、本発明による半導
体集積回路等の電子装置の製造方法の実施例４を説明す
るための図であり、（ａ）図は平面図、（ｂ）図は
（ａ）図のＡ−Ａ線で切った断面図である。
【００６６】本実施例４の電子装置の製造方法は、図１
７（ａ），（ｂ）に示すように、有機系絶縁層１５の上
層に該有機系絶縁層１５と密着性のよい金属膜１３（例
えば、クローム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ）を用いる）を
形成し、その上層に形成したニッケル（Ｎi）層（もし
くはニッケル合金層）２ａの表面の酸化物（または有機
物、カーボン等の残渣）を、前記実施例１，２の酸化物
を除去する方法で除去した後、超音波加熱圧方式を用い
て金（Ａｕ）リボンや金（Ａｕ）ワイヤ１４を接合した
ものである。
【００６７】通常、ニッケル（Ｎi）層もしくはニッケ
ル合金層２ａでは酸化膜のためこのような接合は困難で
あるが、前記実施例１，２の方法で酸化物を除去するこ
とにより、良好に接合することができる。
【００６８】なお、前記実施例においては、表面処理対
象の金属をニッケル（Ｎi）層２ａ、ハンダ層３ａとし
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、酸化膜
や有機物等を除去する必要のある各種の金属に適用する
ことができる。この場合、金属の材質によってレーザ光
のエネルギーを適宜に調節することは言うまでもない。
【００６９】また、パルスレーザ光を例に挙げたが、金
属組織自体を熔融しないようにする制御手段を付加すれ
ば、ＣＯ2レーザ等の波長の長いレーザ光を連続照射す
ることによっても同様の効果が達成できる。
【００７０】なお、レーザ照射によって表面の金属組織
が熔融してしまうことがあり得るが、短時間であれば支
障はない。
【００７１】以上、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し
得ることは勿論である。
【００７２】
【発明の効果】本願において開示さる発明のうち代表的
なものによって得られる効果は以下のとおりである。
【００７３】処理対象の金属表面に対し、金属表面の組
織を変化させるエネルギーより小さなエネルギーのレー
ザ光を照射し、金属表面を洗浄することにより、複雑な
製造プロセスを使用することなく簡単に、かつ電子部品
もしくは電子装置に悪影響を及ぼすことなく金属表面の
酸化膜や有機物、カーボン等を除去することができる。
特に、フロン等による洗浄プロセスが不要になるので、
地球環境に対する悪影響を確実に防止できる画期的な効
果がある。
【００７４】さらに、レーザ光を照射する雰囲気は、大
気中、真空中、Ｈｅガス中のいずれであってもよいの
で、これらの雰囲気を持つ既存の製造方法に直ちに適用
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による金属表面処理方法の実施例１を説
明するための断面図である。
【図２】図１に示す前記ハンダ層に代えて、半導体集積
回路（ＬＳＩ）等の電子装置の製造方法におけるハンダ
バンプの表面にレンズおよびミラーを介してレーザ光を
照射する本実施例１の変形例である。
【図３】本実施例１のハンダ層表面のレーザ光照射前の
走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】図３の拡大写真である。
【図５】本実施例１のハンダ層表面のレーザ光照射後の
走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】図５の拡大写真である。
【図７】本実施例１の縦軸にＳｎ−Ｐｂ表面の酸化膜量
（％）を、横軸に１パルスのレーザ光照射エネルギー密
度（Ｊ／cm2）をとり、両者の関係をプロットしたグラ
フである。
【図８】本実施例１の縦軸にＳｎ−Ｐｂ表面の酸化膜量
（％）を、横軸にエネルギー密度を１.５（Ｊ／cm2）に
一定値に保った時の照射回数を示したグラフである。
【図９】本実施例１によりハンダ接合した電子装置の一
例を示す断面図である。
【図１０】本実施例１によるハンダ接合した電子装置の
他の例を示す断面図である。
【図１１】本発明による金属表面処理方法の実施例２を
説明するための断面図である。
【図１２】本実施例２のニッケル層の同一部分に対する
レーザ光の照射回数を１０回一定として、縦軸にニッケ
ルに形成された酸化膜４の厚さ（単位：ｎｍ）をとり、
横軸にレーザ光照射エネルギー密度（Ｊ／cm2）をとっ
て、両者の関係をプロットした図である。
【図１３】本実施例２のレーザ光照射エネルギー密度を
０.７５（Ｊ／ｃｍ2）に一定として、縦軸にニッケル層
の表面に形成される酸化膜の厚さ（単位：ｎｍ）をと
り、前記ニッケル層の同一部分に対するレーザの照射回
数をとって、両者の関係をプロットした図である。
【図１４】本発明による電子装置の製造方法の実施例３
を説明するための断面図である。
【図１５】本実施例３の再酸化防止手段を具体的に適用
した電子装置の構成断面図である。
【図１６】図１５に示す入出力（Ｉ／Ｏ）ピンを用いな
いで電子装置と直接ロウ材もしくはハンダ材によりセラ
ミック基板上のニッケル（Ｎi）層もしくはニッケル合
金層とを電気的接続した場合を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明による電子装置の製造方法
の実施例４を説明するためのである。
【符号の説明】
１…セラミック基板、２…メタライズ、２ａ…ニッケル
（Ｎi）層もしくはニッケル合金層、３…ハンダ層、３
ｂ…ハンダバンプ、４…酸化膜、５…レーザ光、６…レ
ンズ、７…ミラー、８…半導体集積回路（ＬＳＩ）、９
…封止キャップ、１０…再酸化防止用のメッキ層、１１
…ロウ材（もしくはハンダ材）、１２…電子装置の入出
力（Ｉ／Ｏ）ピン、１３…有機系絶縁層と密着性のよい
金属膜、１４…金（Ａu）リボンもしくはや金（Ａu）ワ
イヤ、１５…有機系絶縁層。
フロントページの続き (72)発明者 太田 敏彦 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 岩田 泰宏 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理対象の金属表面に対し、金属表面の
    組織を変化させるエネルギーより小さなエネルギーのレ
    ーザ光を照射し、金属表面を洗浄することを特徴とする
    金属表面処理方法。
  2. 【請求項２】 前記レーザ光は、パルス幅が１μｓ以下
    であることを特徴とする請求項１記載の金属表面処理方
    法。
  3. 【請求項３】 前記レーザ光は、波長１５０ｎｍ〜４０
    ０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載
    の金属表面処理方法。
  4. 【請求項４】 前記処理対象の金属は、ハンダ、ニッケ
    ル、ニッケル合金のうちいずれか１つであることを特徴
    とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の金属
    表面処理方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザ光は、エネルギー密度が０.
    ５Ｊ／cm2〜４.０Ｊ／cm2であることを特徴とする請求
    項４に記載の金属表面処理方法。
  6. 【請求項６】 前記請求項１乃至４のうちいずれか１項
    に記載の金属表面処理方法を用いて処理対象の金属の表
    面処理を行い、再酸化防止用のメッキ層を施すことを特
    徴とする金属表面処理方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09285883A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Nec Tohoku Ltd オンラインでの接点洗浄工法
US5977512A (en) * 1995-12-01 1999-11-02 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung Ev Multi-wavelength laser soldering device with substrate cleaning beam
JP2001321735A (ja) * 2000-05-16 2001-11-20 Nec Corp 異物除去方法
JP2006032419A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
US7095590B2 (en) 2002-10-18 2006-08-22 Alps Electric Co., Ltd. Head gimbal assembly and method for manufacturing the same
KR100681985B1 (ko) * 1998-09-01 2007-02-15 소니 가부시끼 가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2007148655A1 (ja) * 2006-06-20 2007-12-27 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation 組織材質測定装置及び組織材質測定方法
CN103203544A (zh) * 2013-03-22 2013-07-17 中国科学院半导体研究所 柱状金属表面的激光毛化方法
JP2018103424A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 本田技研工業株式会社 接合構造体及びその製造方法
JP2018103707A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 本田技研工業株式会社 接合構造体及びその製造方法
JP2019186542A (ja) * 2018-04-03 2019-10-24 メイン−タイプ トレーディング カンパニー，リミテッドＭａｉｎ−Ｔｙｐｅ Ｔｒａｄｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 基板表面処理装置及び基板表面を処理する方法
JP2021065922A (ja) * 2019-10-25 2021-04-30 日鉄ステンレス株式会社 酸化スケール除去方法およびステンレス鋼帯の製造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6227436B1 (en) * 1990-02-19 2001-05-08 Hitachi, Ltd. Method of fabricating an electronic circuit device and apparatus for performing the method
US6471115B1 (en) 1990-02-19 2002-10-29 Hitachi, Ltd. Process for manufacturing electronic circuit devices
JP3209875B2 (ja) * 1995-03-23 2001-09-17 株式会社日立製作所 基板の製造方法及び基板
JP3120695B2 (ja) 1995-05-19 2000-12-25 株式会社日立製作所 電子回路の製造方法
TW284907B (en) * 1995-06-07 1996-09-01 Cauldron Lp Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation
US5730606A (en) * 1996-04-02 1998-03-24 Aries Electronics, Inc. Universal production ball grid array socket
US6045416A (en) * 1996-04-02 2000-04-04 Aries Electronics, Inc. Universal production ball grid array socket
IL119246A (en) * 1996-09-12 2000-10-31 Oramir Semiconductor Ltd Laser removal of foreign materials from surfaces
US6083848A (en) * 1998-03-31 2000-07-04 Lsi Logic Corporation Removing solder from integrated circuits for failure analysis
US6881687B1 (en) 1999-10-29 2005-04-19 Paul P. Castrucci Method for laser cleaning of a substrate surface using a solid sacrificial film
US6512198B2 (en) 2001-05-15 2003-01-28 Lexmark International, Inc Removal of debris from laser ablated nozzle plates
US6712260B1 (en) * 2002-04-18 2004-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Bump reflow method by inert gas plasma
DE10230456A1 (de) * 2002-07-06 2003-08-28 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum Entfernen organischer Verunreinigungen auf einer Metalloberfläche
DE102004027229B4 (de) * 2004-06-03 2007-01-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Schweißen von Werkstücken aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung
US7094775B2 (en) * 2004-06-30 2006-08-22 Bone Care International, Llc Method of treating breast cancer using a combination of vitamin D analogues and other agents
US20060003950A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Bone Care International, Inc. Method of treating prostatic diseases using a combination of vitamin D analogues and other agents
US20080305358A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-11 Jurgen Friederich Rudolph Method of coating a metallic substrate
CN101397678B (zh) * 2007-09-29 2011-05-11 宝山钢铁股份有限公司 钢板表面激光脱附处理方法
EP2322022A1 (en) * 2008-09-01 2011-05-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Pick- and-place machine
FI20100276A (fi) * 2010-07-20 2012-01-21 Outokumpu Oy Menetelmä hapettuman poistamiseksi metallikappaleen pinnalta
DE102011075821A1 (de) * 2011-05-13 2012-11-15 Robert Bosch Gmbh Bremsscheibe und Verfahren zum Herstellen einer Bremsscheibe
US8859935B2 (en) * 2012-05-22 2014-10-14 General Electric Company Method of preparing material for welding
JP6056564B2 (ja) * 2013-03-08 2017-01-11 株式会社Ihi セラミックマトリックス複合材の加工方法
JP5760060B2 (ja) * 2013-09-27 2015-08-05 株式会社茨城技研 金属皮膜形成方法並びに金属皮膜形成製品の製造方法及び製造装置
CN103817113B (zh) * 2014-03-14 2016-07-06 华中科技大学 一种金属表面污物激光清洗系统及方法
CN106163108A (zh) * 2015-04-10 2016-11-23 深圳市安特讯科技有限公司 线路及其制作方法
WO2018074035A1 (ja) 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法
CN107081529A (zh) * 2017-05-05 2017-08-22 上海航天设备制造总厂 一种用于铝构件表层阳极氧化膜的激光去除方法
WO2019064344A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 住友理工株式会社 複合部材の製造方法
US20190151983A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 GM Global Technology Operations LLC Ultrasonic welding/brazing a steel workpiece over aluminum alloys
CN108031687A (zh) * 2017-11-29 2018-05-15 江苏大学 一种高效去除铝合金氧化膜焊前激光清洗的方法及装置
CN109967874B (zh) * 2017-12-27 2021-07-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种铝丝的焊接方法
CN109158762B (zh) * 2018-10-10 2020-10-30 英诺激光科技股份有限公司 一种复合激光去除金属氧化层再抛光方法
CN114249897A (zh) * 2020-09-24 2022-03-29 深圳市鸿信顺电子材料有限公司 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1983001400A1 (en) * 1981-10-22 1983-04-28 First Of Chelsea Corp Laser removal of materials from surfaces
JPS62256961A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Mitsubishi Electric Corp アルミニウム・又はアルミニウム合金への表面処理方法とその装置
JPS6397382A (ja) * 1986-10-13 1988-04-28 Nkk Corp 金属部材のコ−テイング方法
US4898650A (en) * 1988-05-10 1990-02-06 Amp Incorporated Laser cleaning of metal stock
US5024968A (en) * 1988-07-08 1991-06-18 Engelsberg Audrey C Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source
US5151135A (en) * 1989-09-15 1992-09-29 Amoco Corporation Method for cleaning surfaces using UV lasers
US5328517A (en) * 1991-12-24 1994-07-12 Mcdonnell Douglas Corporation Method and system for removing a coating from a substrate using radiant energy and a particle stream

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977512A (en) * 1995-12-01 1999-11-02 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung Ev Multi-wavelength laser soldering device with substrate cleaning beam
JPH09285883A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Nec Tohoku Ltd オンラインでの接点洗浄工法
KR100681985B1 (ko) * 1998-09-01 2007-02-15 소니 가부시끼 가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2001321735A (ja) * 2000-05-16 2001-11-20 Nec Corp 異物除去方法
US7095590B2 (en) 2002-10-18 2006-08-22 Alps Electric Co., Ltd. Head gimbal assembly and method for manufacturing the same
JP2006032419A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
WO2007148655A1 (ja) * 2006-06-20 2007-12-27 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation 組織材質測定装置及び組織材質測定方法
CN103203544A (zh) * 2013-03-22 2013-07-17 中国科学院半导体研究所 柱状金属表面的激光毛化方法
JP2018103424A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 本田技研工業株式会社 接合構造体及びその製造方法
JP2018103707A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 本田技研工業株式会社 接合構造体及びその製造方法
US10486391B2 (en) 2016-12-26 2019-11-26 Honda Motor Co., Ltd. Bonded structure and method for manufacturing the same
JP2019186542A (ja) * 2018-04-03 2019-10-24 メイン−タイプ トレーディング カンパニー，リミテッドＭａｉｎ−Ｔｙｐｅ Ｔｒａｄｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 基板表面処理装置及び基板表面を処理する方法
TWI705870B (zh) * 2018-04-03 2020-10-01 閩台貿易有限公司 基底材料之表面處理裝置及其表面處理方法
US11097376B2 (en) 2018-04-03 2021-08-24 Main-Type Trading Co., Ltd. Apparatus for treating a surface of a base material and a method for treating a surface of a base material
JP2021065922A (ja) * 2019-10-25 2021-04-30 日鉄ステンレス株式会社 酸化スケール除去方法およびステンレス鋼帯の製造方法

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