TW316864B - - Google Patents

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TW316864B TW083110018A TW83110018A TW316864B TW 316864 B TW316864 B TW 316864B TW 083110018 A TW083110018 A TW 083110018A TW 83110018 A TW83110018 A TW 83110018A TW 316864 B TW316864 B TW 316864B
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Description

B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 發明背景 1 )發明範疇 本發明有關一種金屬處理法，尤其有關一種當（例如 )電路基板及半導體積體電路（LS I )等彼此焊接時， 或于金屬表面施加電鍍時，去除欲處理之焊劑表面或金屬 表面上所存在之氧化物膜，及有機物、碳等之殘留物的有 效方法。 2 )相關技藝 目前，當電路基板及半導體積體電路等彼此焊接時， 欲聯結之金屬表面需保持清潔，且無抑制焊劑潤溼性之物 質。而且，欲電鍍金屬表面上需無氧化物膜等物，金屬表 面需保持清潔。當A u線或帶藉超音波焊接聯結于金屬表 面時，金屬表面上所存在之氧化物膜係嚴重問題，因此金 屬表面需保持清潔。 抑制焊劑潤溼性之物質有，例如，氧化物、氯化物、 硫化物、碳酸鹽、及有機化合物。尤其是焊接、電鍍、或 藉超音波焊接聯結A u線或帶之程序中，最嚴重之抑制物 質是欲處理之金屬（如焊劑、鎳（N i )、鎳合金（鎳與 其他元素或元素群之合金））表面上所存在之氧化物膜。 通常，氧化物膜藉助焊劑化學性地轉化成液態化合物 ，使金屬表面之金屬原子及焊劑之金屬原子具有彼此直接 撞擊、分享外層電子軌域而形成合金之機層。 若係電鍍，則金屬表面存有氧化物膜時無法進行電鍍 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210Χ 297公釐) ..........................裝................訂.....................線 - .ί - (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) A7 B7 316S64 五、發明説明（2 ) 。例如，典型電鍍中，氧化物膜充作絕緣膜，抑制電鍍所 必要之導電度，而無法進行電鍍。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 若爲置換電鍍（s u b s t i t u t i ο η p 1 a t 1 n g )，則氧化物 亦成爲抑制劑，欲處理之金屬表面與電鍍液間不發生置換 反應，而無法進行電鍍。 電鍍前以鹽酸等物處理金屬表面可移除氧化物膜，但 鹽酸等物于經處理表面上形成殘留物，而該殘留物係降低 鍵結可信度之因素。因此，目前于酸處理後以弗龍（ f 1 〇 n s )(氟碳化物）洗滌金屬表面。 近來，有人提議使用極少量松香酸（松脂）及己二酸 等物爲助焊劑，而不需後續洗除助焊劑殘留物之步驟，但 所提議之方法之鍵結可信度仍無法令人滿意〔參照" Alumit Technical Journal 19" (1992)及文章’’ Working mechanism and problems of flux for unnecessitating washing" by N. Kubota of K.K. 經濟部中央標準局員Η消費合作社印製
Nihon Kogyo Gizyutsukaihatsu Kenkusho ( Industrial Technology Development Research Institute of Japan ,Ltd.)] 另一方面，有人提議一種以雷射光束輻射金屬材料、 鋼、碳化物等之表面，產生具均勻微細結構或不定形結構 及良好耐腐te性及抗磨損性之材料的码光方法，其已用于 加工欲曝于高溫及高壓之金屬材料，諸如汽車渦輪所用之 材料〔參照.’Laser Processing (continued part)，164 頁，b y A . K o b a y a s h i，p u b 1 i s h e d b y K a i h a I: s u - s h a〕。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)~~-5 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 亦有人提議不使用任何助焊劑或鹽酸，而藉氬濺射去 除金屬表面氧化物膜之方法。 而且，亦有人提出一種形成具良好粘著性且無針孔之 塗膜的方法，其係藉噴吹粗化金屬表面，以合金元素電鍍 經糙化之金屬表面，然後以雷射光束輻射電鍍層，藉以熔 融電鍍層（JP-A— 63-97382)。 另外，亦有人提議于鋁或其合金表面形成經陽極化之 氧化物膜，形成具良好耐腐蝕及易焊接性之表層（J P — A— 62-256961) 〇 徹底硏究上述先前技藝之結果，本發明者發現下列問 題： (1 )當電路基板及積體電路欲彼此焊接時，需于焊接前 藉助焊劑去除表面氧化物膜，且需洗除表面形成之助焊劑 殘留物。若于電鍍前藉酸洗除金屬表面之氧化物膜，則形 成之酸殘留物或金屬表面會有後續腐蝕。此外，洗滌後需 要額外乾燥步驟。 (2 )藉氬濺射去除金屬表面氧化物膜時，需于眞空中濺 射。因此，需要額外之濺射裝置及複雜之操作控制。另一 個問題是氬濺射對電子零件或電子裝置之操作元件具有不 利之影響。 (3 )使用雷射光束之δ牙光法及上述了卩_厶一63 — 9 7 3 8 2所揭示之雷射輻射法中，藉高能階雷射光束輻 射及形成之熔融强力改變表面金屬結構，賦予金屬表面高 耐磨損性及高緊密性，但于金屬表面固化之過程中，不可 __________ 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公發）_ ti - "" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· . 線 3ί6664 λ7 ------------ 五、發明説明（4 ) 避免地形成氧化物膜。 (4)上述J P — A-62 — 2569 6 1所揭示之表面 處理法無關于氧化膜移除技術。 發明概述 本發明之目的是提供一種清潔金屬表面之金屬表面處 理法’即’于不使用任何複雜步驟且不對電子零件或電子 裝置產生有害影響之情況下，簡易地去除存在于金屬表面 之氧化物膜及有機物、碳等之殘留物。 茲以下列揭示及附圖說明本發明其他目的。 本發明提供（1 ) 一種處理金屬表面之方法，其包括 使用能階低于可改變金屬表面結構之能階之雷射光束輻射 金屬表面，藉以處理金靥表面，其中（2 )雷射光束之脈 衝間隔不大于leS; (3)雷射光束波長150nm至 4 0 0 n m ； (4)金屬爲焊劑、鎳及鎳合金中之一，其 中（5)雷射光束能量密度0. 5J/cnf至4. 0J/ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) cni ;及（6 )藉雷射光束輻射金屬表面後，于清潔之金 屬表面上形成防止再氧化之電鍍層。 本發明使用能階低于可改變金屬表面結構之能階之雷 射光束輻射欲處理之金屬表面》尤其，使用能階高于金屬 表面之金屬原子與氧原子間之鍵結能，但低于金屬原子本 身間之鍵結能之雷射光束輻射，不僅解開金屬表面上金屬 原子與氧原子間之鍵結，同時去除金屬表面所存在之有機 物、碳等殘留物。即可清潔金屬表面。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 316864 A 7 _ B7 五、發明説明（5 ) 即，雷射光束輻射之主要目的係解開金屬表面上金屬原 子與氧原子間之鍵結，較佳使用脈衝間距不大于1 〃 S之 脈衝式雷射光束。因爲金屬表面上金屬原子與氧原子間之 鍵結藉脈衝間隔不大于1 m之脈衝型雷射光束解開，故 較佳使用（例如）具短波長之激光雷射（即，高階光子能 )充作雷射光束。 雷射光束輻射所用之氣氛可爲空氣、眞空及H e氣氛 中之任一種，其可毫無問題地去除金屬表面之氧化物膜。 附圖簡述 圖1係說明本發明實例1金屬表面處理法之垂直剖面 視圖。 圖2係本發明實例1之改良法的垂直剖面視圖，即， 製造電子裝置（諸如半導體積體電路（LS I ))時，以 經面鏡反射且通經透鏡之雷射光束輻射焊劑凸起表面，而 非圖1所示之焊劑層。 圖3係本發明實例1焊劑層于輻射雷射光束前，藉掃 描電子顯微鏡所得之相片。 圖4係圖3之放大圖。 圖5係本發明實例1之焊劑層表面于輻射雷射光束後 ，藉掃描電子顯微鏡所得之相片。 圖6係圖5之放大圈。 圖7係固定以雷射光束輻射相同S η — P b表面6次 後，于該S η - P b焊劑表面上之氧化層的重量表分比（ 本紙張尺度適用中國國家楳準(CNS)A4規格(210X297公釐）· 8 · ..........:!..........裝................-可................線 - - 今 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 6864 五、發明説明（6 ) W t % )(縱座標）與用于輻射之雷射光束每個脈衝之能 量密度（J / c rrf )(橫座標）間之關係。 圖8係當能量密度固定于1 . 5 J / c m2時，以雷射 光束輻射後之S η - P b焊劑表面上氧化物膜之重量百分 比（wt%)(縱座標）與該焊劑金屬表面上所進行之輻 射程數（橫軸）間之關係。 圖9係顯示藉本發明實例1焊接聯結之電子裝置之實 例的垂直剖面視圖。 圖1 0係顯示藉本發明實例1焊接聯結之電子裝置之 另一個實例的垂直剖面視圖。 圖1 1係說明本發明實例2金屬表面處理法之垂直剖 面視圖。 圖1 2係顯示本發明實例2鎳層表面上氧化物膜厚度 (n m )(縱座標）與雷射光束能源密度（J / c rrf )( 橫座標）間之關係的圖，其中輻射于相同鎳層區之雷射光 束輻射程數固定爲1 〇。 圖1 3係顯示本發明實例2之鎳層表面上氧化物膜厚 度（nm)(縱座標）與于相同鎳層上輻射程數（橫座標 )間之關係之圖，其中雷射光束能量密度固定爲〇 . 7 5 (J / c m2 )。 圖1 4係說明本發明實例3之方法用于製造電子零件 之垂直剖面視圖。 圖15係顯示應用本發明實例3之防止再氧化裝置之 電子裝置之垂直剖面視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ......—...............裝— . - * < (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
，1T 線 Α7 Β7 ：1β864 五、發明説明（7 ) 圖16係顯示直接藉焊劑或軟焊劑聯結，而不使用圖 1 5所示之輸入/輸出（I/O)栓之電子裝置與陶瓷基 板上鎳（N i )層或鎳合金層之電性聯結的垂直剖面視圖 〇 圖1 7 A及1 7 B個別是平面圖及沿圖1 7 A之A — A線的垂直剖面視圖，其顯示用于製造本發明實例4電子 裝置之本發明方法。 較佳實例插述 下文參照實例及附圖詳述本發明，其中說明本發明實 例之附中，相同數字表示相同功能，以免重複說明。 圖1係說明本發明金屬表面處理法之垂直剖面視圖， 其中陶瓷基板1頂層之金屬層2上焊劑層3 a之表面的氧 化層4 (有機物、碳等之殘留物）被移除。金屬層2 ·係， 例如，鈦（Τ ί )、鎳（N i )、鎳合金等之膜。 . 氧化物4 (有機物、碳等之殘留物，若存在）可藉于 面鏡7反射並通經透鏡6之雷射光束5輻射焊劑層3 a表 面，而由金屬層3 a之焊劑層3 a表面移/除。 圖2顯示圖1所示之實例之改良法，其中以于面鏡7 上反射且通經透鏡6之雷射光束5輻射焊劑凸起3 b表面 ，製造電子裝置，諸如半導體積體電路（LS I )，而不 使用圖1所示之焊劑層3 a。 實例1所用之雷射光束係能階低于可改變焊劑層3 a 或焊劑凸起3 b之金屬結構之能階之雷射光束，尤其是能 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗〇><297公發）-10 ' .........~|-------------裝----- - -ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -可. 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 316864 A7 B7 五、發明説明（8 ) 階高于S η — P b原子與焊劑層3 b或焊劑凸起3 b表面 上之0原子間之鍵結能，但低于S η — P b原子本身之鍵 結能之雷射光束。 當以雷射光束5輻射焊劑層3 a或焊劑凸起3 b之表 面時，雷射光束5之能量僅解開s η — P b原子與表面〇 原子間之鍵結，而不熔融焊劑層3 a或焊劑凸起3 b，因 此去除焊劑層3 a或焊劑凸起3 b之表面上之氧化物層4 。同時，可去除金屬表面所存在之有機物、碳等之殘留物 〇 此情況下，以雷射光束輻射之主要目的係解開表面上 S η — P b原子與氧原子間之鍵結，較佳雷射光束5係脈 衝間隔不大于1 # S之脈衝型雷射光束。而且，因爲表面 上S η — P b原子與0原子間之鍵結藉脈衝間隔不大于1 # S2脈衝型雷射光束解開，例如，短波激光雷射（高光 子能階）係較佳雷射光束5。 以雷射光束5輻射所用之氣氛係空氣，眞空及He氣 氛中之任一者，其中可移除焊劑層3 a或焊劑凸起3 b表 面之氧化物膜4。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 線 圖3係以雷射光束輻射前之焊劑層3 a或焊劑凸起 3 b之表面狀態的掃描電子顯微鏡相片，圖4係圖3之放 大相片，其中焊劑3 a或凸起3 b表面上所發現之黑色殘 留物係氧化物膜及有機物、碳等之殘留物。 圖5係焊劑層3 a或焊劑凸起3 b輻射雷射光束後之 表面狀態圖；亦爲掃描電子顯微鏡所攝者，圖6係基本上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐）-Π — 316864 A7 B7 ' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 由表面完全去除氧化物膜及有機物、碳等之殘留物所得之 圖5放大圖。 圖7係顯示S η - P b表面輻射6程雷射光束後’于 S η — P b表面上存在之氧化物膜佔輻射前表面上氧化物 膜（充作1 〇 〇 )之重量百分比(縱座標）’與每 個脈衝之雷射光束能量密度（J / c m2 )(橫座標）間之 關係之圖，該圖顯示經能量密度介于5j/cm2至 4 〇J/cm2之雷射光束輻射後，氧化物膜之重量百分 比小于輻射前者，特佳者係能量密度爲1 . 5 J / c m2之 雷射光束。 圖7縱座標上之氧化物膜重量百分比係藉能量分散性 X —射線光譜（E D X )所測定之氧濃度。 圖8顯示經雷射光束輻射後存于S η — P b表面之氧 化物膜佔輻射前存于表面之氧化物膜（當作1 〇 〇 )之重 量百分比（縱座標），及每個脈衝具1. 5J/crrf之固 定能量密度之雷射光束于金屬表面上之輻射程數（橫座標 )間之關係，該圖顯示約轄射8程後，S η — P b表面存 在之氧化物膜重量百分比變最小。即，使用固定能量密度 1 5 J / c m2之雷射光束輻射8程後，S η _ P b表面 上所存在之氧化物膜重量百分比變最小，故可改善焊劑 3 a或焊劑凸起3 b之潤溼性。 圖9係顯示半導體裝置結構之必要零件的垂直剖面視 圖，其包括經由于積體電路表面及陶瓷基板表面表面上形 成之頂層金屬層2及經由無助焊劑之焊劑凸起3 b焊接積 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇Χ297公楚）-12 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .ίτ 線 B7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社卬製 五、發明説明（10 ) 體電路（LS I ) 8于陶瓷基板1上，該表面經本發明實 例1之方法移除氧化物膜。 圖1 0係藉無焊劑之焊劑凸起3 b (其表面依本發明 實例1之方法去除氧化物膜）聯結于圖9所示之半導體裝 置結構的密封閉9之必要零件的重直剖面視圖。 實施例2 圖1 1係說明本發明實例2處理金屬表面之方法的垂 直剖面視圖，其中由陶瓷基板1之頂層鎳（N i )層或鎳 合金層2 a表面移除氧化物膜4 (有機物、碳等之殘留物 ，若存在）。 通常，鎳（N i )層或鎳合金層2 a易進行氧化，因 此鎳（N i )層或鎳合金層表面易形成氧化物膜4。 以于面鏡7上反射且通經透鏡2之雷射光束5輻射表 面2 a ’可去除鎳層或鎳合金層2 a表面之氧化物膜4。 圖1 2顯示以雷射光束輻射1 〇程後，鎳層2 a表面 上所存在之氧化物膜4厚度（nm)(縱座標）及每脈衝 雷射光束5每單位面積之能量密度（J / cnf)(橫座標 )間之關係。即，雷射光束5輯射于鎳層2 a上之數目設 定于10程。圖12顯示可使用能量密度漸增之雷射光束 去除具不同初厚（4 0 nm及2 5 nm，各由墨點及白點 表示）之氧化物膜4。 圖1 3顯示以每脈衝具固定能量〇 . 7 5 J /crrfi 雷射光束5輻射後，于鎳層2 a表面上所存在之氧化物膜 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐）-U Ί ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. •可. 線 316864 > A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明（ 11 ) 1 4 厚 度 ( η m ) ( 縱 座 標 ) 及 于 相 同 鎳 層 2 a 上 輻 射 雷 射 1 I 光 束 之 程 數 ( 橫 座 標 ) 間 之 關 係 0 即 » 雷 射 光 束 5 之 能 量 I 密 度 設 定 于 0 7 5 J / C πί 0 1 ctf| 圖 1 3 顯 示 氧 化 物 膜 厚 度 1 1 I 隨 雷 射 光 束 輻 射 程 數 之 增 加 而 減 少 〇 請 先 1 閱 讀 背 1 1 實 施 例 3 之 1 I 意 1 1 g.i 圖 1 4 顯 示 應 用 本 發 明 實 例 3 之 電 子 裝 置 ( 諸 如 半 導 事 1 I 體 積 再 1 | 體 電 路 ( L S I ) 等 ) 之 必 要 零 件 的 剖 面 視 rart 圖 〇 填 % 丄 所 本 〆·- 圖 1 4 示 之 電 子 裝 置 如 下 製 造 * 依 循 本 發 明 實 例 1 頁 1 I 及 2 之 金 屬 表 面 處 理 法 ， 由 陶 瓷 基 板 1 頂 層 之 鎳 ( N i ) 1 1 1 層 或 鎳 合 金 層 2 a 去 除 氧 化 物 膜 ( 及 有 機 物 碳 等 之 殘 留 1 1 物 若 存 在 ) 藉 電 鍍 - 無 電 電 鍍 或 置 換 電 鍍 于 形 成 之 經 1 訂 表 面 處 理 即 經 清 潔 之 鎳 層 或 鎳 合 金 層 2 a 上 形 成 電 鍍 層 I 1 1 0 其 中 電 鍍 材 料 通 常 是 金 ( A U ) 以 防 止 經 清 潔 之 鎳 1 I 層 或 鎳 合 金 層 再 氧 化 〇 即 根 據 實 例 3 由 充 作 金 屬 層 之 1 I 鎳 ( N i ) 層 或 鎳 合 金 層 2 a 之 表 面去 除 氧 化 物 膜 ( 及 有 1 /人 德 機 物 碳 等 之 殘 留 物 若 存 在 ) 並 于 形 成 之 經 清 潔 金 屬 1 1 層 2 a 上 形 成 電 鍍 層 1 0 防 止 形 成 之 經 清 潔 金 靥 層 2 a 1 1 再 氧 化 〇 1 1 圖 1 5 係 顯 示 電 子 零 件 之 結 構 之 必 要 零 件 的 垂 直 剖 面 1 1 視 圖 > 其 特 別 應 于 本 發 明 實 例 3 之 防 止 再 氧 化 裝 置 〇 于 陶 I 瓷 基 板 1 之 部 分 表 面 上 形 成 充 作 金 屬 層 之 鎳 ( N i ) 層 或 1 I 鎳 合 金 層 2 a 1 于 金 屬 層 2 a 及 陶 瓷 基 板 1 之 整 體 表 面 上 1 1 I 形 有 機 絕 緣 層 1 5 » 形 成 貫 穿 有 機 絕 緣 層 1 5 之 孔 ， 曝 露 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 14 A7 B7 316864 五、發明説明（i2) 鎳（N i )層或鎳合金層2 a :根據本發明實例〗及2之 金屬表面气理法’由金屬層2 a 露表面移除氧化物膜 (及有機#碳等之殘留物，若);于形成之經清潔 金屬層形成防止金屬層氧化之電鍍1 〇 ;藉 焊劑或劑1 1固定電子裝_輸出/輸入（I / 〇 ) 栓1 2于電鍍層1 0上。 輸入/輸出（I/O)栓1 2及電子裝置（諸如半導 體稹體電路（LS I )等）之陶瓷基板1間之電氣聯結可 藉圖1及1 1所示之雷射光束5輻射鎳層或鎳合金層2 a 表面，去除氧化物膜（及有機物，碳等之殘留物，若存在 )，並根據本發明于形成之經清潔金屬層2 a上形成防止 再氧化之電鍍層1 Q ，而改善。藉雷射光束5輻射去除金 屬層2 a表面之氧化物膜（及殘留物，若存在）之約1週 內，電子裝置之輸入/輸出（I/O)栓1 2可直接藉焊 劑或軟焊劑1 1電聯于陶瓷基板1上之金屬層2 a，而其 間不使用防止再氧化之電鍍（例如A u電鍍）層1 0。 圖1 6係具有不使用圖1 5所示之輸入/輸出（1/ 0)栓1 2 ，藉焊劑或軟焊劑1 1直接電聯于電子裝置8 及陶瓷基板1上之金屬層間之結構之必要零件的垂直剖面 視圖。 前述本發明實例中，並非必要使用助焊劑等。 實施例4 圖1 7 A及圖1 7 B各係應用本發明實例4之電子裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐）-15 ........'.........裝................，玎..............：線 • 為 * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社即製 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（丨3 ) 置（諸如半導體積體電路等）之必要零件之平面圖及沿A 一 A線所得之垂直剖面視圖，其中于有機絕緣層1 5之頂 層上形成對有機絕綠層1 5具良好粘著性之金屬膜1 3， 例如路（Cr )或欽（T i )層；于金屬膜1 3表面形成 鎳（N i )層或錬合金層2 a之金屬頂層；藉本發明實例 1及2之金屬表面處理法以雷射光束輻射去除金屬層2 a 表面之氧化物膜（有機物、碳等之殘留物，若存在）：之 後藉超音波焊接于經清潔金屬層2 a上聯結金（a u )帶 或線1 4。 通常’因爲金屬層2 a上存6氧化物膜（及有機物等 之殘留物等，若存在），故難以粘合金帶或線14及金屬 層2 a。根據本發明實例1及2之金屬表面處理法去除金 屬層2 a表面之氧化物膜（及有機物殘留物等，若存在） ，可得到其間之良好聯結性。 前述實例中，經本發明方法表面處理之金屬實例有鎳 (N i )層或鎳合金層2 a及焊劑層3 a或焊劑凸起3 b ，但不限于此。即，本發明可應用于需移除表面氧化物膜 (及有機物等之殘留物，若存在）之任一種金屬，其需視 欲經表面處理之金屬的性質選擇適當之雷射光束能階。 前述實例中，雷射光束實例係脈衝式雷射光束。欲控 制不熔融金屬本身，可使用長波雷射光束，諸如C 〇2雷 射等，持續雷射可得到同于脈衝式雷射光束之效果。 雷射轄射有時會造成表面金屬熔融，但只要不于短期 內發生即可接受。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
-ST 線· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐）—16 - A7 B7 五、發明説明（Η ) 已參照實例詳述本發明，但本發明不限于該實例，而 只要改良不偏離本發明之精神及範疇，則可作各種程度之 良 改 .............裝..... .(請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、可_ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐）-17 -

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 S16864 六、申請專利範圍 附件五：第83110018號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國84年7月修正 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種用以製造電子裝置之方法，其特徵係使用焊 劑將零件連接至電路基板上，其包括以雷射光束輻射該焊 劑’.藉以清潔焊劑表面，然後加熱及熔解該焊劑，因而使 零件連接至電路基板上。 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中該零件爲半 導體積體電路。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該零件爲半 導體積體電路之封口帽。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其中該電路基板+ 爲陶瓷基板。 5 . —種用以製造電子裝置之方法，其特徵係將作爲 終端之L S I (半導體積體電路）經由焊劑凸起表面連接 至一電路基板上’其包括以雷射光束輻射該焊劑凸起表面 經濟部中央標準局爲工消費合作社印製 ’藉以清潔該焊劑凸起表面’然後加熱及熔解該焊劑凸起 表面，因而使L S I連接至電路基板上。 6 .如申請專利範圍第5項之方法，其中該電路基板 爲陶瓷基板。 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射光束 有不大於1微秒之脈衝間隔。 8_如申請專利範圍第1項之方法，其中雷射光束波 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 C8 D8 w Γ、申請專利範圍 長爲15〇nm至400nm 如申請專利範圍第1項之方法，其中雷射光束之 爲 度 密 量 匕匕 2m c \ J ο 4 至am c \ J 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i 、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 -
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