JPH07169613A - 複合磁性体材料 - Google Patents
複合磁性体材料Info
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- JPH07169613A JPH07169613A JP5314910A JP31491093A JPH07169613A JP H07169613 A JPH07169613 A JP H07169613A JP 5314910 A JP5314910 A JP 5314910A JP 31491093 A JP31491093 A JP 31491093A JP H07169613 A JPH07169613 A JP H07169613A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １０ＭHz以上においてインピーダンスが大き
く、ノイズ除去特性に優れたノイズフィルタ用の複合磁
性体材料を提供することを目的とする。 【構成】 比抵抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽和磁
束密度が０．５Ｔ以上の磁性体Ｂからなる複合磁性体材
料で、磁性体ＡとしてＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣ
ｕフェライト，ＭｎＺｎフェライトの少なくとも一種以
上と、磁性体Ｂとして純鉄，センダスト，パーマロイ，
スーパーマロイ，パーメンジュールの少なくとも一種類
以上を含有するものである。
く、ノイズ除去特性に優れたノイズフィルタ用の複合磁
性体材料を提供することを目的とする。 【構成】 比抵抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽和磁
束密度が０．５Ｔ以上の磁性体Ｂからなる複合磁性体材
料で、磁性体ＡとしてＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣ
ｕフェライト，ＭｎＺｎフェライトの少なくとも一種以
上と、磁性体Ｂとして純鉄，センダスト，パーマロイ，
スーパーマロイ，パーメンジュールの少なくとも一種類
以上を含有するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインダクタンス部品、特
に高周波用ノイズフィルタに用いられる複合磁性体材料
に関する。
に高周波用ノイズフィルタに用いられる複合磁性体材料
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年電子機器の発達が目ざましいが、そ
れらのデジタル化，ＩＣ化等に伴いその電子回路が発生
するノイズによる回路内の相互干渉あるいは他の電子機
器への影響が大きな問題となっている。この対策として
インダクタンス部品をフィルタとして利用し、高周波数
のインピーダンスＺ値を増大させることにより、高周波
成分を含むノイズ成分は減衰させ低周波の信号成分のみ
を伝達させることが行われている。また、電子回路の小
型化に伴って電子部品の小型化が強く要請され、このこ
とから貫通型ビーズ、巻線タイプのフィルタからフェラ
イト層とコイル用導体を交互に印刷積層するチップイン
ダクタへと移行している（参照 特公昭５７−３９５２
１号公報）。
れらのデジタル化，ＩＣ化等に伴いその電子回路が発生
するノイズによる回路内の相互干渉あるいは他の電子機
器への影響が大きな問題となっている。この対策として
インダクタンス部品をフィルタとして利用し、高周波数
のインピーダンスＺ値を増大させることにより、高周波
成分を含むノイズ成分は減衰させ低周波の信号成分のみ
を伝達させることが行われている。また、電子回路の小
型化に伴って電子部品の小型化が強く要請され、このこ
とから貫通型ビーズ、巻線タイプのフィルタからフェラ
イト層とコイル用導体を交互に印刷積層するチップイン
ダクタへと移行している（参照 特公昭５７−３９５２
１号公報）。
【０００３】インピーダンスＺ値は、次式（１）のよう
になる。 ｜Ｚ｜＝（Ｘ2＋Ｒ2）1/2 ……（１） Ｘ＝２πｆＬ’，Ｒ＝２πｆＬ” Ｌ’∝μ’，Ｌ”∝μ” なお、上記式（１）においてＺはインピーダンス、Ｘは
インピーダンスＺの虚数成分のリアクタンス、Ｒはイン
ピーダンスＺの実数成分の抵抗、Ｌ’はインダクタンス
Ｌの実数成分、Ｌ”はインダクタンスＬの虚数成分、
μ’は初透磁率μの実数成分、μ”は初透磁率μの虚数
成分、ｆは測定周波数をそれぞれ表している。これより
大きなインピーダンスを得るためには、リアクタンスＸ
あるいは抵抗Ｒを増大させればよいことが分かるが、リ
アクタンスＸは信号成分を歪ませる恐れがあるために抵
抗Ｒつまり初透磁率μの虚数成分μ”を用いてノイズを
除去する。また高周波で抵抗Ｒが立ち上がりリアクタン
スＸと交差する（μ’＝μ”）周波数以上がノイズ吸収
の効果領域と考えられる。
になる。 ｜Ｚ｜＝（Ｘ2＋Ｒ2）1/2 ……（１） Ｘ＝２πｆＬ’，Ｒ＝２πｆＬ” Ｌ’∝μ’，Ｌ”∝μ” なお、上記式（１）においてＺはインピーダンス、Ｘは
インピーダンスＺの虚数成分のリアクタンス、Ｒはイン
ピーダンスＺの実数成分の抵抗、Ｌ’はインダクタンス
Ｌの実数成分、Ｌ”はインダクタンスＬの虚数成分、
μ’は初透磁率μの実数成分、μ”は初透磁率μの虚数
成分、ｆは測定周波数をそれぞれ表している。これより
大きなインピーダンスを得るためには、リアクタンスＸ
あるいは抵抗Ｒを増大させればよいことが分かるが、リ
アクタンスＸは信号成分を歪ませる恐れがあるために抵
抗Ｒつまり初透磁率μの虚数成分μ”を用いてノイズを
除去する。また高周波で抵抗Ｒが立ち上がりリアクタン
スＸと交差する（μ’＝μ”）周波数以上がノイズ吸収
の効果領域と考えられる。
【０００４】ノイズフィルタとして用いられる磁性体材
料には、大きく分けて金属系材料と酸化物フェライト系
材料がある。金属系の材料は飽和磁束密度・透磁率とも
高いという長所があるが、電気抵抗率が１０-8〜１０-6
Ω・ｍ程度と低いため高周波においては渦電流に起因す
る磁気損失が増大し、高周波のノイズフィルタとして用
いられない。また、鉄粉等を樹脂で結着させたダストコ
ア等（特公平４−６４４４１号公報）があるが、高周波
まで特性は劣化しないものの樹脂等により磁性体間にギ
ャップが存在するために初透磁率は１００以下と小さ
く、大きなインピーダンスＺ値を期待することはできな
い。一方、フェライト系材料は飽和磁束密度は金属系材
料の１／２程度と低い。しかしながら、電気抵抗率は通
常用いられているＮｉＺｎ系のもので１０4Ω・ｍ程度
と金属系材料に比べてはるかに高く、渦電流に起因する
磁気損失が高周波数まで比較的小さい。そのために透磁
率は高周波まで維持する。また、フェライト系材料は複
雑形状のものも容易に作れ、かつ低コストであるといっ
た利点を持つため１０ＭHz以上のノイズフィルタとして
は、Ｎｉフェライト，ＮｉＺｎフェライト，ＮｉＣｕＺ
ｎフェライト等のＮｉ系フェライトが印刷法やグリーン
シート法等の低温焼結用材料としても多用されてきてい
る。
料には、大きく分けて金属系材料と酸化物フェライト系
材料がある。金属系の材料は飽和磁束密度・透磁率とも
高いという長所があるが、電気抵抗率が１０-8〜１０-6
Ω・ｍ程度と低いため高周波においては渦電流に起因す
る磁気損失が増大し、高周波のノイズフィルタとして用
いられない。また、鉄粉等を樹脂で結着させたダストコ
ア等（特公平４−６４４４１号公報）があるが、高周波
まで特性は劣化しないものの樹脂等により磁性体間にギ
ャップが存在するために初透磁率は１００以下と小さ
く、大きなインピーダンスＺ値を期待することはできな
い。一方、フェライト系材料は飽和磁束密度は金属系材
料の１／２程度と低い。しかしながら、電気抵抗率は通
常用いられているＮｉＺｎ系のもので１０4Ω・ｍ程度
と金属系材料に比べてはるかに高く、渦電流に起因する
磁気損失が高周波数まで比較的小さい。そのために透磁
率は高周波まで維持する。また、フェライト系材料は複
雑形状のものも容易に作れ、かつ低コストであるといっ
た利点を持つため１０ＭHz以上のノイズフィルタとして
は、Ｎｉフェライト，ＮｉＺｎフェライト，ＮｉＣｕＺ
ｎフェライト等のＮｉ系フェライトが印刷法やグリーン
シート法等の低温焼結用材料としても多用されてきてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、飽和磁
束密度の低いＮｉ系フェライトは、例えば周波数１００
ＭHzにおいて透磁率μ’をみると、高周波数で減衰しな
いもののある一定値に収束してくる。また、μ”は低周
波数でのμ’が大きい方が１００ＭHzでのμ”も大きく
なる傾向があるがその差は少ない。そのために、飽和磁
束密度が低いＮｉ系フェライト材料を使う限りインピー
ダンスを大きくすることができない。また巻線数を増や
せばインピーダンスを大きくとることができるが、サン
プル形状が大きくなること、巻線間に起因する浮遊静電
容量（ストレー・キャパシタンス）が増加し自己共振周
波数が比較的低周波側で発生することから巻線数は多く
取れない。
束密度の低いＮｉ系フェライトは、例えば周波数１００
ＭHzにおいて透磁率μ’をみると、高周波数で減衰しな
いもののある一定値に収束してくる。また、μ”は低周
波数でのμ’が大きい方が１００ＭHzでのμ”も大きく
なる傾向があるがその差は少ない。そのために、飽和磁
束密度が低いＮｉ系フェライト材料を使う限りインピー
ダンスを大きくすることができない。また巻線数を増や
せばインピーダンスを大きくとることができるが、サン
プル形状が大きくなること、巻線間に起因する浮遊静電
容量（ストレー・キャパシタンス）が増加し自己共振周
波数が比較的低周波側で発生することから巻線数は多く
取れない。
【０００６】本発明は前記従来技術の課題を解決するた
め、１０ＭHz以上においてインピーダンスが大きくノイ
ズ除去特性に優れた複合磁性体材料を提供することを目
的とする。
め、１０ＭHz以上においてインピーダンスが大きくノイ
ズ除去特性に優れた複合磁性体材料を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、比抵抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽和
磁束密度が０．５Ｔ以上の磁性体Ｂからなる複合磁性体
材料に関するものである。また、磁性体ＡにＮｉＺｎフ
ェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＭｎＺｎフェライ
トの少なくとも一種以上と、磁性体Ｂに純鉄，センダス
ト，パーマロイ，スーパーマロイ，パーメンジュールの
少なくとも一種類以上を含有することが好ましい。ま
た、磁性体Ｂの平均粒径が５０μｍ以下であることが好
ましい。
に本発明は、比抵抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽和
磁束密度が０．５Ｔ以上の磁性体Ｂからなる複合磁性体
材料に関するものである。また、磁性体ＡにＮｉＺｎフ
ェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＭｎＺｎフェライ
トの少なくとも一種以上と、磁性体Ｂに純鉄，センダス
ト，パーマロイ，スーパーマロイ，パーメンジュールの
少なくとも一種類以上を含有することが好ましい。ま
た、磁性体Ｂの平均粒径が５０μｍ以下であることが好
ましい。
【０００８】
【作用】以上のような構成とすることにより、高周波に
おいても優れたノイズ特性を得ることができる。
おいても優れたノイズ特性を得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１０】すなわち、本発明の複合磁性体材料は比抵
抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽和磁束密度が０．５
Ｔ以上の磁性体Ｂからなる構成としたところに特徴を有
する。
抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽和磁束密度が０．５
Ｔ以上の磁性体Ｂからなる構成としたところに特徴を有
する。
【００１１】磁性体の初透磁率の周波数依存性は、渦電
流損失，磁壁共鳴損失等の損失が存在しなければある周
波数まで一定の透磁率を保持できる。しかし、より高周
波になるとスピンによる回転磁化が磁界の変化に追従し
きれなくなり自然共鳴周波数ｆｒで、ついには初透磁率
は減衰する。これは、“スヌークの限界”と言われ、次
式（２）で表される。
流損失，磁壁共鳴損失等の損失が存在しなければある周
波数まで一定の透磁率を保持できる。しかし、より高周
波になるとスピンによる回転磁化が磁界の変化に追従し
きれなくなり自然共鳴周波数ｆｒで、ついには初透磁率
は減衰する。これは、“スヌークの限界”と言われ、次
式（２）で表される。
【００１２】 μ’・ｆｒ∝Ｉｓ ……（２） ｆｒおよびＩｓはそれぞれ自然共鳴周波数と飽和磁束密
度である。
度である。
【００１３】上記式（１）と（２）により、飽和磁束密
度Ｉｓが高い磁性体ほど渦電流損失等がない限り高周波
まで高透磁率を維持できるため、高周波で高インピーダ
ンスを実現できる。Ｎｉ系フェライトでは、高抵抗値の
ため渦電流損失は少なく透磁率はスヌークの限界に従う
ものの、飽和磁束密度Ｉｓ（０．３５Ｔ）が低いため高
周波で高インピーダンスを実現することはできない。実
際１０ＭHz以上のノイズフィルタとしてＮｉ系フェライ
トが多く使われているが、その透磁率は“スヌークの限
界”に従うことにより外径３mm，内径１mm，厚さ５mmの
貫通型のビーズとして、インピーダンスＺは１０ＭHzで
４Ω、１００ＭHzで７０Ω、１ＧHzで１３０Ωが限界で
あると思われる。
度Ｉｓが高い磁性体ほど渦電流損失等がない限り高周波
まで高透磁率を維持できるため、高周波で高インピーダ
ンスを実現できる。Ｎｉ系フェライトでは、高抵抗値の
ため渦電流損失は少なく透磁率はスヌークの限界に従う
ものの、飽和磁束密度Ｉｓ（０．３５Ｔ）が低いため高
周波で高インピーダンスを実現することはできない。実
際１０ＭHz以上のノイズフィルタとしてＮｉ系フェライ
トが多く使われているが、その透磁率は“スヌークの限
界”に従うことにより外径３mm，内径１mm，厚さ５mmの
貫通型のビーズとして、インピーダンスＺは１０ＭHzで
４Ω、１００ＭHzで７０Ω、１ＧHzで１３０Ωが限界で
あると思われる。
【００１４】また、１６０８サイズの５層の積層型ノイ
ズフィルタで１００ＭHzのインピーダンスＺが８００Ω
程度である。これに反し、高飽和磁束密度の磁性体（金
属磁性体）は、抵抗値が低いために渦電流損失が大きく
低周波で透磁率が減衰し高周波で用いることはできな
い。
ズフィルタで１００ＭHzのインピーダンスＺが８００Ω
程度である。これに反し、高飽和磁束密度の磁性体（金
属磁性体）は、抵抗値が低いために渦電流損失が大きく
低周波で透磁率が減衰し高周波で用いることはできな
い。
【００１５】そこで、飽和磁束密度が低いが比抵抗値が
高い磁性体Ａと、飽和磁束密度が高いが比抵抗値が低い
磁性体Ｂを組み合わせる本発明の構成によると、磁性体
Ｂの渦電流を絶縁性の優れた磁性体Ａで阻止することに
より渦電流損失を制御することができる。つまり本発明
の複合磁性体材料は、高飽和磁束密度でかつ渦電流損失
が少ないために１０ＭHz以上の高周波数で高インピーダ
ンスを実現できる。
高い磁性体Ａと、飽和磁束密度が高いが比抵抗値が低い
磁性体Ｂを組み合わせる本発明の構成によると、磁性体
Ｂの渦電流を絶縁性の優れた磁性体Ａで阻止することに
より渦電流損失を制御することができる。つまり本発明
の複合磁性体材料は、高飽和磁束密度でかつ渦電流損失
が少ないために１０ＭHz以上の高周波数で高インピーダ
ンスを実現できる。
【００１６】また、本発明は比抵抗の高い磁性体Ａとし
てＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライト，Ｍｎ
Ｚｎフェライトの少なくとも一種以上と、飽和磁束密度
の高い磁性体Ｂとして純鉄，センダスト，パーマロイ，
スーパーマロイ，パーメンジュールの少なくとも一種類
以上組み合わせることによって、より上記の効果が大き
くなる。また、磁性体Ｂの渦電流半径を制御することで
効果的に渦電流損失を低減することができる。
てＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライト，Ｍｎ
Ｚｎフェライトの少なくとも一種以上と、飽和磁束密度
の高い磁性体Ｂとして純鉄，センダスト，パーマロイ，
スーパーマロイ，パーメンジュールの少なくとも一種類
以上組み合わせることによって、より上記の効果が大き
くなる。また、磁性体Ｂの渦電流半径を制御することで
効果的に渦電流損失を低減することができる。
【００１７】以下、本発明の具体例を挙げてさらに詳細
に説明する。 （実施例１）主組成が５０ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、１０ｍ
ｏｌ％のＺｎＯ、４０ｍｏｌ％のＭｎＯよりなり、副成
分としてＣａＯとＳｉＯ2の重量比率が１０対１で合計
添加量が（表１）に示すようになるようにボールミルに
て配合混合し、１３００℃で２時間仮焼した後ボールミ
ルで粉砕し、（表１）に示す特性を有する平均粒径１μ
ｍの磁性体粉末Ａを用意した。また（表１）に示す組成
と特性である平均粒径１０μｍのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
のアトマイズ粉を磁性体粉末Ｂとして用意した。これら
の磁性体粉末Ａ，Ｂは単独またはそれぞれ５０ｗｔ％に
なるように混合して用いた。これらの単独または混合粉
末にポリビニルアルコールの５重量％水溶液を１０重量
％加え、３０＃のふるいを通過させて造粒した。
に説明する。 （実施例１）主組成が５０ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、１０ｍ
ｏｌ％のＺｎＯ、４０ｍｏｌ％のＭｎＯよりなり、副成
分としてＣａＯとＳｉＯ2の重量比率が１０対１で合計
添加量が（表１）に示すようになるようにボールミルに
て配合混合し、１３００℃で２時間仮焼した後ボールミ
ルで粉砕し、（表１）に示す特性を有する平均粒径１μ
ｍの磁性体粉末Ａを用意した。また（表１）に示す組成
と特性である平均粒径１０μｍのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
のアトマイズ粉を磁性体粉末Ｂとして用意した。これら
の磁性体粉末Ａ，Ｂは単独またはそれぞれ５０ｗｔ％に
なるように混合して用いた。これらの単独または混合粉
末にポリビニルアルコールの５重量％水溶液を１０重量
％加え、３０＃のふるいを通過させて造粒した。
【００１８】これらの造粒粉を一軸金型成形し、この成
形体を５００℃で１時間空気中でバインダアウトした後
１０００℃で焼成した。昇温時および最高温保持時はＯ
2雰囲気制御し、冷却時窒素中の雰囲気下とした。特性
の測定は得られた焼結体より外径３mm、内径１mm、厚さ
５mmのリング状試料を切り出し、貫通型のビーズとして
１ＭHzから１ＧHzまでＬＣＲメーターで測定した。ま
た、飽和磁束密度の測定方法はＢ−Ｈアナライザを用
い、またＤＣ抵抗値はＩｎＧａ合金を端面電極として用
いることによりＬＣＲメーターで測定した。
形体を５００℃で１時間空気中でバインダアウトした後
１０００℃で焼成した。昇温時および最高温保持時はＯ
2雰囲気制御し、冷却時窒素中の雰囲気下とした。特性
の測定は得られた焼結体より外径３mm、内径１mm、厚さ
５mmのリング状試料を切り出し、貫通型のビーズとして
１ＭHzから１ＧHzまでＬＣＲメーターで測定した。ま
た、飽和磁束密度の測定方法はＢ−Ｈアナライザを用
い、またＤＣ抵抗値はＩｎＧａ合金を端面電極として用
いることによりＬＣＲメーターで測定した。
【００１９】
【表１】
【００２０】上記（表１）の結果から明らかなように、
磁性体Ａの比抵抗値が１Ω・ｍ以上、磁性体Ｂの飽和磁
率密度が０．５Ｔ以上のとき、１００ＭHzでのインピー
ダンスＺは８０Ω以上と優れたフィルタ特性を示した。
磁性体Ａの比抵抗値が１Ω・ｍ以上、磁性体Ｂの飽和磁
率密度が０．５Ｔ以上のとき、１００ＭHzでのインピー
ダンスＺは８０Ω以上と優れたフィルタ特性を示した。
【００２１】（実施例２）（表２）に示す組成になるよ
うに、ボールミルにて配合混合し１１００℃で２時間仮
焼した後、ボールミルで粉砕し（表２）に示す特性を有
する平均粒径１μｍの磁性体粉末Ａを用意した。また、
（表２）に示す特性を有する平均粒径１０μｍの磁性体
粉末Ｂを用意した。なお、純鉄は純度９９．６％、セン
ダストはＳｉ−９％、Ａｌ−５％、残部Ｆｅ、パーマロ
イはＮｉ−７８．５％、残部Ｆｅ、スーパーマロイはＮ
ｉ−７９％、Ｍｏ−５％、残部Ｆｅ、パーメンジュール
はＣｏ−５０％、残部Ｆｅである。これらの磁性体粉末
Ａ，ＢをＡのみ単独、またはそれぞれ５０ｗｔ％になる
ように混合して用いた。
うに、ボールミルにて配合混合し１１００℃で２時間仮
焼した後、ボールミルで粉砕し（表２）に示す特性を有
する平均粒径１μｍの磁性体粉末Ａを用意した。また、
（表２）に示す特性を有する平均粒径１０μｍの磁性体
粉末Ｂを用意した。なお、純鉄は純度９９．６％、セン
ダストはＳｉ−９％、Ａｌ−５％、残部Ｆｅ、パーマロ
イはＮｉ−７８．５％、残部Ｆｅ、スーパーマロイはＮ
ｉ−７９％、Ｍｏ−５％、残部Ｆｅ、パーメンジュール
はＣｏ−５０％、残部Ｆｅである。これらの磁性体粉末
Ａ，ＢをＡのみ単独、またはそれぞれ５０ｗｔ％になる
ように混合して用いた。
【００２２】この原料に有機バインダを混合しリバース
・ロールコータ方式により２５μｍあるいは１００μｍ
厚みの均一なグリーンシートを形成した後、上記グリー
ンシートを矩形状に切断した。他方、Ａｇにビヒクルを
混合してなる導電ペーストを用意し、先のグリーンシー
ト上に印刷し、スルー電極、非接続部分電極および共通
電極を形成した。上記のようにして用意した厚さ２５μ
ｍのグリーンシートを５層とその上下に厚さ１００μｍ
のグリーンシートを積層し、厚み方向に２ｔ／cm2の圧
力を加えて圧着して積層体を得て切断した。これを磁性
体Ｂの酸化を防ぐためにＯ2雰囲気制御下で９００℃１
時間で焼成した。その焼結体の側面にＡｇペーストを塗
布し、７００℃の温度で１０分間焼き付けることにより
外部電極を形成し、１６０８サイズのノイズフィルタを
得た。
・ロールコータ方式により２５μｍあるいは１００μｍ
厚みの均一なグリーンシートを形成した後、上記グリー
ンシートを矩形状に切断した。他方、Ａｇにビヒクルを
混合してなる導電ペーストを用意し、先のグリーンシー
ト上に印刷し、スルー電極、非接続部分電極および共通
電極を形成した。上記のようにして用意した厚さ２５μ
ｍのグリーンシートを５層とその上下に厚さ１００μｍ
のグリーンシートを積層し、厚み方向に２ｔ／cm2の圧
力を加えて圧着して積層体を得て切断した。これを磁性
体Ｂの酸化を防ぐためにＯ2雰囲気制御下で９００℃１
時間で焼成した。その焼結体の側面にＡｇペーストを塗
布し、７００℃の温度で１０分間焼き付けることにより
外部電極を形成し、１６０８サイズのノイズフィルタを
得た。
【００２３】特性の測定は、１ＭHzから１ＧHzまでＬＣ
Ｒメーターで測定した。また、飽和磁束密度の測定方法
はＢ−Ｈアナライザを用い、またＤＣ抵抗値はＩｎＧａ
合金を端面電極として用いることによりＬＣＲメーター
で測定した。
Ｒメーターで測定した。また、飽和磁束密度の測定方法
はＢ−Ｈアナライザを用い、またＤＣ抵抗値はＩｎＧａ
合金を端面電極として用いることによりＬＣＲメーター
で測定した。
【００２４】
【表２】
【００２５】（表２）の結果より明らかなように、磁性
体ＡとしてＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライ
ト，ＭｎＺｎフェライト、磁性体Ｂとして純鉄，センダ
スト，パーマロイ，スーパーマロイ，パーメンジュール
を用いることにより優れたフィルタ特性１０００Ω以上
を示した。なお、磁性体Ａあるいは磁性体Ｂから、２種
類以上を組み合わせても同様の効果があることは言うま
でもない。
体ＡとしてＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライ
ト，ＭｎＺｎフェライト、磁性体Ｂとして純鉄，センダ
スト，パーマロイ，スーパーマロイ，パーメンジュール
を用いることにより優れたフィルタ特性１０００Ω以上
を示した。なお、磁性体Ａあるいは磁性体Ｂから、２種
類以上を組み合わせても同様の効果があることは言うま
でもない。
【００２６】（実施例３）主組成が４９ｍｏｌ％のＦｅ
2Ｏ3、１０ｍｏｌ％のＮｉＯ、３１ｍｏｌ％のＺｎＯ、
１０ｍｏｌ％のＣｕＯになるようにボールミルにて配合
混合し、１１００℃で２時間仮焼した後、ボールミルで
粉砕し、（表２）に示す特性を有する平均粒径１μｍの
磁性体粉末Ａを用意した。また、パーマロイのアトマイ
ズ粉を分級し、さらに粉末を熱処理を施すことでその表
面層だけを酸化させた（表３）に示す平均粒径の磁性体
粉末Ｂを用意した。磁性体Ａと磁性体Ｂをそれぞれ５０
ｗｔ％になるように秤量しボールミルにて混合した。こ
れらの混合粉末にポリビニルアルコールの５重量％水溶
液を１０重量％加え、３０＃のふるいを通過させて造粒
した。これらの造粒粉を一軸金型成形し、この成形体を
５００℃で１時間、空気中でバインダアウトした後空気
中で９００℃で焼成した。
2Ｏ3、１０ｍｏｌ％のＮｉＯ、３１ｍｏｌ％のＺｎＯ、
１０ｍｏｌ％のＣｕＯになるようにボールミルにて配合
混合し、１１００℃で２時間仮焼した後、ボールミルで
粉砕し、（表２）に示す特性を有する平均粒径１μｍの
磁性体粉末Ａを用意した。また、パーマロイのアトマイ
ズ粉を分級し、さらに粉末を熱処理を施すことでその表
面層だけを酸化させた（表３）に示す平均粒径の磁性体
粉末Ｂを用意した。磁性体Ａと磁性体Ｂをそれぞれ５０
ｗｔ％になるように秤量しボールミルにて混合した。こ
れらの混合粉末にポリビニルアルコールの５重量％水溶
液を１０重量％加え、３０＃のふるいを通過させて造粒
した。これらの造粒粉を一軸金型成形し、この成形体を
５００℃で１時間、空気中でバインダアウトした後空気
中で９００℃で焼成した。
【００２７】特性の測定は、得られた焼結体より外径３
mm、内径１mm、厚さ５mmのリング状試料を切り出し、貫
通型のビーズとして１ＭHzから１ＧHzまでＬＣＲメータ
ーで測定した。また、飽和磁束密度の測定方法はＢ−Ｈ
アナライザを用い、またＤＣ抵抗値はＩｎＧａ合金を端
面電極として用いることによりＬＣＲメーターで測定し
た。
mm、内径１mm、厚さ５mmのリング状試料を切り出し、貫
通型のビーズとして１ＭHzから１ＧHzまでＬＣＲメータ
ーで測定した。また、飽和磁束密度の測定方法はＢ−Ｈ
アナライザを用い、またＤＣ抵抗値はＩｎＧａ合金を端
面電極として用いることによりＬＣＲメーターで測定し
た。
【００２８】
【表３】
【００２９】（表３）の結果より明らかなように磁性体
Ｂの粒径が５０μｍ以下であれば１０ＭHz以上で優れた
フィルタ特性を示した。また、粒径が細かいほど高周波
数での渦電流損失の影響が少なくより高周波からμ”が
立ち上がることからより高周波で有効である。逆に、渦
電流損失（磁性体の粒径）によりμ”を制御し任意の周
波数特性を得ることが可能である。また、渦電流損失は
磁性体を横切る磁束に対して垂直方向の断面積で決まる
ため、磁性粉が球形でない場合例えば偏平粉の場合でも
磁束に対して垂直方向が５０μｍ以下であれば同様の効
果があることは言うまでもない。
Ｂの粒径が５０μｍ以下であれば１０ＭHz以上で優れた
フィルタ特性を示した。また、粒径が細かいほど高周波
数での渦電流損失の影響が少なくより高周波からμ”が
立ち上がることからより高周波で有効である。逆に、渦
電流損失（磁性体の粒径）によりμ”を制御し任意の周
波数特性を得ることが可能である。また、渦電流損失は
磁性体を横切る磁束に対して垂直方向の断面積で決まる
ため、磁性粉が球形でない場合例えば偏平粉の場合でも
磁束に対して垂直方向が５０μｍ以下であれば同様の効
果があることは言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、高周
波でも従来にない優れたノイズ特性を備えた複合磁性体
材料が提供できるものである。
波でも従来にない優れたノイズ特性を備えた複合磁性体
材料が提供できるものである。
フロントページの続き (72)発明者 原田 真二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 比抵抗値１Ω・ｍ以上の磁性体Ａと、飽
和磁束密度が０．５Ｔ以上の磁性体Ｂからなる複合磁性
体材料。 - 【請求項２】 磁性体ＡとしてＮｉＺｎフェライト，Ｎ
ｉＺｎＣｕフェライト，ＭｎＺｎフェライトのうち少な
くとも一種以上と、磁性体Ｂとして純鉄，センダスト，
パーマロイ，スーパーマロイ，パーメンジュールのうち
少なくとも一種類以上を含有する請求項１記載の複合磁
性体材料。 - 【請求項３】 磁性体Ｂの平均粒径が、５０μｍ以下で
ある請求項１または２記載の複合磁性体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314910A JPH07169613A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 複合磁性体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314910A JPH07169613A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 複合磁性体材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169613A true JPH07169613A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18059118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5314910A Pending JPH07169613A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 複合磁性体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169613A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165431A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 電磁波吸収体用粉末 |
| JP2005243794A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合焼結磁性材料の製造方法 |
| JP2017098482A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 北川工業株式会社 | 磁性材料及びその製造方法 |
| US20220028595A1 (en) * | 2018-11-16 | 2022-01-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Magnetic core using composite material |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP5314910A patent/JPH07169613A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165431A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 電磁波吸収体用粉末 |
| JP2005243794A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合焼結磁性材料の製造方法 |
| JP2017098482A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 北川工業株式会社 | 磁性材料及びその製造方法 |
| US20220028595A1 (en) * | 2018-11-16 | 2022-01-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Magnetic core using composite material |
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