JPH07162210A - 誘電体共振器装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な方法でレジスト膜のベース基板への密
着性を向上させてレジスト膜の剥がれを防止すること。 【構成】 ベース基板２２の下面のアース電極２６の周
縁部分に略全周にわたって該アース電極２６を形成しな
い無電極部４３を形成し、ベース基板２２の下面の略全
周にわたり該ベース基板２２の樹脂部分を露出させる。
そして、レジスト樹脂をベース基板２２の下面の無電極
部４３を含めたほぼ全面にわたって塗布してレジスト膜
を形成する。したがって、レジスト膜とベース基板２２
の樹脂部の密着部分がベース基板２２のほぼ全周にわた
って形成することができる。そして、一般にレジスト樹
脂は金属との密着よりも樹脂との密着の方が強いので、
本発明の場合は、レジスト膜が剥がれにくくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来のこの種の誘電体フィルタの
全体の分解斜視図を示しており、バンドエリミネーショ
ンフィルタとバンドパスフィルタとで構成された所謂ア
ンテナ共用器と言われているものである。図７におい
て、樹脂等の誘電体からなるベース基板２２の上下面に
はアンテナ側、送信部側、受信部側と接続される入出力
端子２３〜２５が電極膜状にそれぞれ形成されている。

【０００３】これら入出力端子２３〜２５の部分を除い
た他の上面及び下面の略全面には電極膜状のアース電極
２６が形成されている。なお、上記上下面の入出力端子
２３〜２５やアース電極２６は、ベース基板２２の端部
に形成した半円状の切欠部の内面の電極膜を介して導通
している。

【０００４】ベース基板２２のアース電極２６の上面に
は、この例では７個の誘電体同軸共振器１〜７が半田付
け等により実装されるようになっている。また、誘電体
同軸共振器１〜７の穴内には接続端子９が圧入される。
なお、詳細な説明は実施例の部分で説明するが、誘電体
同軸共振器１〜７の他に結合基板１３，１８、スペーサ
２１等や、コンデンサ基板、インダクタ等も実装される
ようになっている。また、金属製のカバー２７とベース
基板２２とで誘電体フィルタのケーシング（外殻）を構
成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図８は上記ベース基板
２２の下面（配線基板への実装面）を示し、上述したよ
うにベース基板２２の下面にも入出力端子２３〜２５が
形成され、他の部分には略全面にわたってアース電極２
６が形成されている。図９はベース基板２２の下面の略
全面にわたってレジスト膜４１を形成した場合の図を示
し、入出力端子２３〜２５及びベース基板２２の下面の
周囲に複数設けたアース端子４２となる部分を除いて全
面にわたってレジスト樹脂を塗布してレジスト膜４１を
形成している。

【０００６】図９における左下がりの斜線部分が電極
（入出力端子２３〜２５、アース電極２６）を示し、右
下がりの斜線部分がレジスト膜４１を示している。つま
り、ベース基板２２の上面に誘電体同軸共振器１〜７等
を実装したタイプの誘電体フィルタ（誘電体共振器装
置）においては、ユーザーの実装面（ベース基板２２の
下面）にはソルダーレジスト（レジスト膜４１）を付け
て入出力端子２３〜２５、アース端子４２を区切ってい
た。

【０００７】従来は、ベース基板２２の下面の端まで電
極（アース電極２６）が形成されており、そのアース電
極２６の上にレジスト膜４１を形成していた。しかしな
がら、レジスト膜４１（レジスト樹脂）とアース電極２
６（電極）との密着力が強くなく、ベース基板２２の外
形を金型で打ち抜く工程（仕入れ先での工程）におい
て、金型の刃が当たったりすると、レジスト膜４１がア
ース電極２６から剥がれ落ちる不良が多く発生し、歩留
りが悪くなり、コストが高くついていた。

【０００８】この不良対策として、高密着性レジスト樹
脂に仕様変更したり、レジストを外形から若干内側に入
れるなどして剥がれ防止を行っていたが、根本的な対策
ではなかった。

【０００９】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、簡単な方法でレジスト膜のベース基板への密着
性を向上させてレジスト膜の剥がれを防止することを目
的とした誘電体共振器装置を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、ベース基板２
２の一主面に誘電体同軸共振器１〜７等の高周波用の電
子部品素子を実装し、上記ベース基板２２の他主面には
略全面にわたって電極膜状のアース電極２６を形成し、
ベース基板２２の他主面の入出力端子２３〜２５やアー
ス端子４２の箇所を除いて上記アース電極２６面にレジ
スト膜４１を形成するようにした誘電体共振器装置にお
いて、上記ベース基板２２の少なくとも他主面の端縁の
略全周にわたってアース電極２６を非形成とした無電極
部４３を形成し、この無電極部４３とアース電極２６と
にわたって上記レジスト膜４１を形成したことを特徴と
している。

【００１１】

【作用】本発明によれば、ベース基板２２の下面の端縁
の周囲の無電極部４３の上からアース電極２６にかけて
レジスト膜４１を形成しているので、簡単な方法でベー
ス基板２２とレジスト膜４１との密着性が向上し、レジ
スト膜４１の剥がれを防止することができる。したがっ
て、仕入れ先における金型による打ち抜く工程でのレジ
スト膜４１の剥がれ不良が減少し、歩留りが上がってコ
ストダウンを図ることができる。また、誘電体共振器装
置の製品自体のレジスト膜４１が剥がれにくくなり、信
頼性を向上させることができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。まず、本発明が適用される誘電体フィルタの全体
の構成について説明する。図４は誘電体フィルタの分解
斜視図を示し、図５は各種部品を実装した状態の斜視図
を示している。図４及び図５に示す誘電体フィルタは、
例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用
されるものであり、マイクロ波帯に用いられ所謂アンテ
ナ共用器と言われるものである。

【００１３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。まず、表面実装タ
イプのこの誘電体フィルタの全体の構成を図４及び図５
により説明する。バンドエリミネーションフィルタは３
段の共振器構成となっており、３個の１／４波長形誘電
体同軸共振器１〜３を有し、バンドパスフィルタは４段
の共振器構成で、４個の１／４波長形誘電体同軸共振器
４〜７を有している。

【００１４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、図には表われていないが穴８が開口している端
面の一方に形成した電極膜状の内導体と外導体とを接続
する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振するよ
うになっている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８に
は一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそ
れぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入され
て、穴８内の内導体と接触して導通を得ている。上記接
続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述する
コンデンサ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成
されている電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接
続されるようになっている。

【００１５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁ 〜Ｌ₃ が接続される。上記インダクタＬ₁ 〜Ｌ
₃ を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【００１６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、樹脂
等の誘電体または絶縁体等で形成されている。ベース基
板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のス
ペーサ２１を介して実装されるものであり、他の１個の
スペーサ２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面
に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の
導通のある部材を用いている。

【００１７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【００１８】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず）
よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続される
アース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側
板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を
露出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。
また、図５に示すように、カバー２７の上面にはラベル
３２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになってい
る。

【００１９】尚、上記の場合においては、カバー２７を
用いた場合について説明したが、カバー２７を用いずに
誘電体フィルタを構成する場合もある。また、上記ラベ
ル３２は、耐熱性の高いカプトン（商品名）という樹脂
で形成されている。ラベル３２は、樹脂で形成した場合
はシールドの役目を有していないが、シールドの機能を
持たす場合には、金属製のものを使用するようになって
いる。

【００２０】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図４及び図５に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２
２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１
８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間のア
ース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ
実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダづけ
される。

【００２１】図５に示すように、インダクタＬ₁ の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁ の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂ が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁ とＬ₂ の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃ の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂ とＬ₃ の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００２２】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００２３】図６は上記のようにして構成されている誘
電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネーシ
ョンフィルタ側のキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、コンデンサ
基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタ
Ｃ₄ は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形成
されるものである。キャパシタＣ₅ ，Ｃ₆ は、結合基板
１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形成
されている。また、キャパシタＣ₇ は、入出力端子２３
と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００２４】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈ は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉ 〜Ｃ_{1 0} は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ_{1 1} は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面の
電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。更
に、キャパシタＣ_{1 2} は結合基板１３の上面の電極膜１
７と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器７とキャパシタＣ_{1 2} とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。

【００２５】次に、本発明の要旨について詳述する。図
１はベース基板２２の背面図を示し、本発明では従来と
は異なり、アース電極２６の周縁部分に略全周にわたっ
て該アース電極２６を形成しない無電極部４３を形成し
ている。すなわち、ベース基板２２の下面の略全周にわ
たり該ベース基板２２の樹脂部分を露出させている。

【００２６】そして、図１に示す状態からレジスト樹脂
をベース基板２２の下面の無電極部４３を含めたほぼ全
面にわたって塗布してレジスト膜４１を形成するもので
ある。図３はレジスト膜４１を形成した場合のベース基
板２２の背面図を示している。図３において、左下がり
の斜線部分が入出力端子２３〜２５やアース端子４２
（アース電極２６）等の電極部分を示し、右下がりの斜
線部分がレジスト膜４１を示している。なお、入出力端
子２３〜２５やアース端子４２は従来と同じ構成なので
説明は省略する。

【００２７】図２はベース基板２２の要部拡大断面図を
示し、レジスト膜４１がアース電極２６から無電極部４
３にかけて塗布してレジスト膜４１を形成しており、無
電極部４３においてレジスト膜４１をベース基板２２の
素材の樹脂に直接密着させている。したがって、レジス
ト膜４１とベース基板２２の樹脂部の密着部分がベース
基板２２のほぼ全周にわたって形成することができる。
そして、一般にレジスト樹脂は金属との密着よりも樹脂
との密着の方が強いので、本発明の場合は、樹脂で形成
したベース基板２２に対してレジスト膜４１が剥がれに
くくなる。特に、誘電体フィルタとしての製品自体のレ
ジスト膜４１が剥がれにくくなり、信頼性を向上させる
ことができる。

【００２８】なお、レジスト膜４１を形成するレジスト
樹脂は従来より使用していたものを流用し、新規設計を
不要としている。また、先の実施例では個別の誘電体同
軸共振器１〜７を用いて誘電体フィルタを構成した場合
について説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の
穴を穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良
い。更に、上記誘電体同軸共振器１〜７の穴８は両端側
に貫通した場合について説明したが、短絡面側が閉塞さ
れた誘電体同軸共振器の場合についても本発明を適用す
ることができる。

【００２９】尚、実施例では、フィルタの構成として、
バンドパスフィルタとバンドエリミネーションフィルタ
の組み合わせたアンテナ共用器の例を示したが、これら
の単独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィル
タのそれぞれの単独構成、又は各フィルタの組み合わせ
にも本発明を適用できるものである。また、共振器の段
数には制限されないものである。

【００３０】更に、上記の実施例では、誘電体同軸共振
器を実装するベース基板を用いた誘電体フィルタに適用
した場合について説明したが、誘電体フィルタに限ら
ず、ベース基板を用いたＶＣＯやＦＭのフロントエンド
の回路等の種々の電子回路にも適用できるものである。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば、ベース基板の下面の端
縁の周囲の無電極部の上からアース電極にかけてレジス
ト膜を形成しているので、簡単な方法でベース基板とレ
ジスト膜との密着性が向上し、レジスト膜の剥がれを防
止することができるという効果を奏するものである。し
たがって、仕入れ先における金型による打ち抜く工程で
のレジスト膜の剥がれ不良が減少し、歩留りが上がって
コストダウンを図ることができる。また、誘電体共振器
装置の製品自体のレジスト膜が剥がれにくくなり、信頼
性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例のベース基板の背面図である。

【図２】本発明の実施例のベース基板の下面を上側にし
た場合のベース基板の要部拡大断面図である。

【図３】本発明の実施例のレジスト膜を形成した場合の
ベース基板の背面図である。

【図４】本発明の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。

【図５】本発明の実施例の実装状態を示す誘電体フィル
タの斜視図である。

【図６】本発明の実施例の誘電体フィルタの等価回路図
である。

【図７】従来例の誘電体フィルタの分解斜視図である。

【図８】従来例のベース基板の背面図である。

【図９】従来例のレジスト膜を形成した場合のベース基
板の背面図である。

【符号の説明】

１〜７ 誘電体同軸共振器 ２２ ベース基板 ２３ 入出力端子 ２４ 入出力端子 ２５ 入出力端子 ４１ レジスト膜 ４２ アース端子 ４３ 無電極部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース基板（２２）の一主面に誘電体同
   軸共振器（１）〜（７）等の高周波用の電子部品素子を
   実装し、上記ベース基板（２２）の他主面には略全面に
   わたって電極膜状のアース電極（２６）を形成し、ベー
   ス基板（２２）の他主面の入出力端子（２３）〜（２
   ５）やアース端子（４２）の箇所を除いて上記アース電
   極（２６）面にレジスト膜（４１）を形成するようにし
   た誘電体共振器装置において、上記ベース基板（２２）
   の少なくとも他主面の端縁の略全周にわたってアース電
   極（２６）を非形成とした無電極部（４３）を形成し、
   この無電極部（４３）とアース電極（２６）とにわたっ
   て上記レジスト膜（４１）を形成したことを特徴とする
   誘電体共振器装置。