JPH07161645A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH07161645A JPH07161645A JP31150893A JP31150893A JPH07161645A JP H07161645 A JPH07161645 A JP H07161645A JP 31150893 A JP31150893 A JP 31150893A JP 31150893 A JP31150893 A JP 31150893A JP H07161645 A JPH07161645 A JP H07161645A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- cover
- furnace opening
- low pressure
- furnace
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルの発生原因となる物質がシール
キャップ上に溜り付着することを防ぎ、清浄なウェーハ
処理を行える減圧ＣＶＤ装置を得る。 【構成】 炉口部を密封するシールキャップ１１の反応
室側全面を炉口カバー８０により覆い、且つ該炉口カバ
ー８０を定期的に洗浄する。
キャップ上に溜り付着することを防ぎ、清浄なウェーハ
処理を行える減圧ＣＶＤ装置を得る。 【構成】 炉口部を密封するシールキャップ１１の反応
室側全面を炉口カバー８０により覆い、且つ該炉口カバ
ー８０を定期的に洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、内、外部反応管の炉口
部をシールキャップで密封し、内部反応管内にボートを
設けて該ボートに載置されたウェーハに薄膜を堆積する
減圧ＣＶＤ装置に関する。
部をシールキャップで密封し、内部反応管内にボートを
設けて該ボートに載置されたウェーハに薄膜を堆積する
減圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来装置の１例の構成を説明する
概略図である。この従来装置は内、外部反応管３，２の
炉口部をシールキャップ１１で密封し、内、外部反応管
３，２内にボート４を設けてこれに多数のウェーハ５を
載置し、減圧下でガス導入管１０より反応ガスを内部反
応管３内に導入し、内、外部反応管３，２の間を経て排
気管７より排気しつつウェーハ５を加熱コイル１で加熱
することによりウェーハ５に気相成長するものである。
概略図である。この従来装置は内、外部反応管３，２の
炉口部をシールキャップ１１で密封し、内、外部反応管
３，２内にボート４を設けてこれに多数のウェーハ５を
載置し、減圧下でガス導入管１０より反応ガスを内部反
応管３内に導入し、内、外部反応管３，２の間を経て排
気管７より排気しつつウェーハ５を加熱コイル１で加熱
することによりウェーハ５に気相成長するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例にあっては、シールキャップ１１は炉口部を密封する
もので、加熱コイル１からの熱を放出し易いので温度が
低くなり易く、反応室中で熱分解された反応ガスのうち
発熱反応により生成される物質が温度の低いシールキャ
ップ１１に接触して析出し、該析出物質がパーティクル
の原因となる事や、ウェーハ５を取り出すためにシール
キャップ１１を下げた時もシールキャップ１１の温度が
下がり、反応ガスの残留ガス等によりシールキャップ１
１にパーティクルの原因となる物質が付着するという課
題があった。
例にあっては、シールキャップ１１は炉口部を密封する
もので、加熱コイル１からの熱を放出し易いので温度が
低くなり易く、反応室中で熱分解された反応ガスのうち
発熱反応により生成される物質が温度の低いシールキャ
ップ１１に接触して析出し、該析出物質がパーティクル
の原因となる事や、ウェーハ５を取り出すためにシール
キャップ１１を下げた時もシールキャップ１１の温度が
下がり、反応ガスの残留ガス等によりシールキャップ１
１にパーティクルの原因となる物質が付着するという課
題があった。
【０００４】本発明の目的はウェーハ５上へのパーティ
クル数を増加させる原因となる物質がシールキャップ１
１上に溜り付着することを防ぎ、清浄なウェーハ５の処
理を行なえるようにすることである。
クル数を増加させる原因となる物質がシールキャップ１
１上に溜り付着することを防ぎ、清浄なウェーハ５の処
理を行なえるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決し、上記の目的を達成するため、図１に示すよ
うにボート４に載置されたウェーハ５に気相成長（ＣＶ
Ｄ）膜を形成する減圧ＣＶＤ装置において、シールキャ
ップ１１の反応室側全面に石英製またはＳｉＣ製の炉口
カバー８０を設置してなる。
題を解決し、上記の目的を達成するため、図１に示すよ
うにボート４に載置されたウェーハ５に気相成長（ＣＶ
Ｄ）膜を形成する減圧ＣＶＤ装置において、シールキャ
ップ１１の反応室側全面に石英製またはＳｉＣ製の炉口
カバー８０を設置してなる。
【０００６】
【作 用】このような構成とすることによりシールキャ
ップ１１に付着するようなパーティクルの原因となる物
質を炉口カバー８０に付着させ、定期的に炉口カバー８
０を洗浄することにより、シールキャップ１１からのパ
ーティクルの発生が防止され、清浄なウェーハ５の処理
が行えることになる。
ップ１１に付着するようなパーティクルの原因となる物
質を炉口カバー８０に付着させ、定期的に炉口カバー８
０を洗浄することにより、シールキャップ１１からのパ
ーティクルの発生が防止され、清浄なウェーハ５の処理
が行えることになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明装置の１実施例である縦型減圧
ＣＶＤ装置の構成を説明する概要図である。図１におい
て内、外部反応管３，２の炉口部はシールキャップ１１
で密封されている。内、外部反応管３，２内には多数の
ウェーハ５を載置したボート４が設けられ、キャップ６
及びキャップ受台９を介してシールキャップ１１に設置
される。ガス導入管１０より反応ガスが導入され、排気
管７は排気装置に連結されていて、排気管７より排気さ
れる。１は外部反応管２の外周に設置された加熱コイル
である。
ＣＶＤ装置の構成を説明する概要図である。図１におい
て内、外部反応管３，２の炉口部はシールキャップ１１
で密封されている。内、外部反応管３，２内には多数の
ウェーハ５を載置したボート４が設けられ、キャップ６
及びキャップ受台９を介してシールキャップ１１に設置
される。ガス導入管１０より反応ガスが導入され、排気
管７は排気装置に連結されていて、排気管７より排気さ
れる。１は外部反応管２の外周に設置された加熱コイル
である。
【０００８】本実施例はこのような縦型減圧ＣＶＤ装置
において、シールキャップ１１の反応室側全面に炉口カ
バー８０を設置してなる。炉口カバー８０の例としては
図２のような２分割式炉口カバー８０Ａがあり、キャッ
プ受け台９との間のシールキャップ１１面も覆い且つ脱
着が容易となる。凸部１２はシールキャップ１１とキャ
ップ受台９との間にパーティクルの原因となる物質が溜
まらないようにガスの対流を防ぐ為の部分である。図２
の例は２分割式の例であるが２分割以上の複数に分割し
ても同じ作用があることは自明である。
において、シールキャップ１１の反応室側全面に炉口カ
バー８０を設置してなる。炉口カバー８０の例としては
図２のような２分割式炉口カバー８０Ａがあり、キャッ
プ受け台９との間のシールキャップ１１面も覆い且つ脱
着が容易となる。凸部１２はシールキャップ１１とキャ
ップ受台９との間にパーティクルの原因となる物質が溜
まらないようにガスの対流を防ぐ為の部分である。図２
の例は２分割式の例であるが２分割以上の複数に分割し
ても同じ作用があることは自明である。
【０００９】炉口カバー８０の他の例として、図３のよ
うに炉口カバーリング１３及び分割炉口カバー１４とか
らなる３分割式炉口カバー８０Ｂのような例があり、該
３分割式炉口カバー８０Ｂは２分割式炉口カバー８０Ａ
の作用と同様にシールキャップ１１全面を覆い且つ脱着
が容易となり、凸部１２はシールキャップ１１とキャッ
プ受台９との間にパーティクルの原因となる物質が溜ま
らないようにガスの対流を防ぐための部分である。
うに炉口カバーリング１３及び分割炉口カバー１４とか
らなる３分割式炉口カバー８０Ｂのような例があり、該
３分割式炉口カバー８０Ｂは２分割式炉口カバー８０Ａ
の作用と同様にシールキャップ１１全面を覆い且つ脱着
が容易となり、凸部１２はシールキャップ１１とキャッ
プ受台９との間にパーティクルの原因となる物質が溜ま
らないようにガスの対流を防ぐための部分である。
【００１０】３分割式炉口カバー８０Ｂの構成部である
炉口カバーリング１３により分割炉口カバー１４の位置
ずれを防止し、３分割式炉口カバー８０Ｂ全体としても
位置ずれが起きなくなる。図３の例は分割炉口カバー１
４が２分割の例であるが、該炉口カバー１４が２分割以
上の複数に分割されても３分割式炉口カバー８０Ｂと同
様の作用があることは自明である。
炉口カバーリング１３により分割炉口カバー１４の位置
ずれを防止し、３分割式炉口カバー８０Ｂ全体としても
位置ずれが起きなくなる。図３の例は分割炉口カバー１
４が２分割の例であるが、該炉口カバー１４が２分割以
上の複数に分割されても３分割式炉口カバー８０Ｂと同
様の作用があることは自明である。
【００１１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ボート４
に載置されたウェーハ５に薄膜を形成する減圧ＣＶＤ装
置において、炉口部を密封するシールキャップ１１の反
応室側全面に炉口カバー８０を設置してなるので、炉口
カバー８０を定期的に洗浄することによりシールキャッ
プ１１に付着するパーティクルの原因となる物質を溜め
ることなく取り除くことができるので、ウェーハ５上へ
パーティクルが付着することを防止でき、清浄な状態で
ウェーハ５の処理を行なうことができる。
に載置されたウェーハ５に薄膜を形成する減圧ＣＶＤ装
置において、炉口部を密封するシールキャップ１１の反
応室側全面に炉口カバー８０を設置してなるので、炉口
カバー８０を定期的に洗浄することによりシールキャッ
プ１１に付着するパーティクルの原因となる物質を溜め
ることなく取り除くことができるので、ウェーハ５上へ
パーティクルが付着することを防止でき、清浄な状態で
ウェーハ５の処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の減圧ＣＶＤ装置の１実施例の構成を示
す簡略断面図である。
す簡略断面図である。
【図２】炉口カバーの１例である２分割式炉口カバーの
斜視図である。
斜視図である。
【図３】炉口カバーの他例である３分割式炉口カバーの
斜視図である。
斜視図である。
【図４】従来の減圧ＣＶＤ装置の１例の構成を示す簡略
断面図である。
断面図である。
１ 加熱コイル ２ 外部反応管 ３ 内部反応管 ４ ボート ５ ウェーハ ６ キャップ ７ 排気管 ９ キャップ受台 １０ ガス導入管 １１ シールキャップ １２ 凸部 ８０ 炉口カバー ８０Ａ ２分割式炉口カバー ８０Ｂ ３分割式炉口カバー
Claims (2)
- 【請求項１】 ボートに載置されたウェーハに薄膜を形
成する減圧ＣＶＤ装置において、炉口部を密封するシー
ルキャップの反応室側全面に炉口カバーを設置してなる
減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 炉口カバーを複数に分割し、シールキャ
ップ上の反応室側全面を覆うことを特徴とする請求項１
の減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31150893A JPH07161645A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31150893A JPH07161645A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161645A true JPH07161645A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18018083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31150893A Pending JPH07161645A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016207833A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
| CN109957785A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法 |
| JP2019145822A (ja) * | 2019-04-11 | 2019-08-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31150893A patent/JPH07161645A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016207833A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
| CN109957785A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法 |
| CN109957785B (zh) * | 2017-12-14 | 2023-06-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法 |
| JP2019145822A (ja) * | 2019-04-11 | 2019-08-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
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