JPH0648827Y2 - 縦型気相成長装置 - Google Patents
縦型気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0648827Y2 JPH0648827Y2 JP9864488U JP9864488U JPH0648827Y2 JP H0648827 Y2 JPH0648827 Y2 JP H0648827Y2 JP 9864488 U JP9864488 U JP 9864488U JP 9864488 U JP9864488 U JP 9864488U JP H0648827 Y2 JPH0648827 Y2 JP H0648827Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- basket
- cover
- core tube
- wafer
- cover basket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔概要〕 防塵を考慮した縦型気相成長（CVD）装置の構造に関
し、 ウエハをアンロードする際に微細粒子の発生を抑制し，
ウエハ歩留を向上することを目的とし， 縦長の管体をほぼ垂直に配置した炉心管と，該炉心管の
上端部に設けられた上蓋と，該炉心管の下端部に設けら
れた下蓋と，該炉心管を加熱する加熱部と，該下蓋の上
に設けられ且つウエハを搭載するウエハバスケット及び
該ウエハバスケットを覆うカバーバスケットを載置する
台と，該カバーバスケットとを具備し，該炉心管の内壁
周には複数個のカバーバスケット受けが成長の際の該カ
バーバスケット位置より低い位置に設けられ，該カバー
バスケットは，下辺の周囲の該カバーバスケット受けに
対応する位置に突起が設けられ，該突起によりカバーバ
スケット受け上に保持されるように構成され，且つ該突
起の幅は該カバーバスケット受けの間隔より小さくして
なるように構成する。
し、 ウエハをアンロードする際に微細粒子の発生を抑制し，
ウエハ歩留を向上することを目的とし， 縦長の管体をほぼ垂直に配置した炉心管と，該炉心管の
上端部に設けられた上蓋と，該炉心管の下端部に設けら
れた下蓋と，該炉心管を加熱する加熱部と，該下蓋の上
に設けられ且つウエハを搭載するウエハバスケット及び
該ウエハバスケットを覆うカバーバスケットを載置する
台と，該カバーバスケットとを具備し，該炉心管の内壁
周には複数個のカバーバスケット受けが成長の際の該カ
バーバスケット位置より低い位置に設けられ，該カバー
バスケットは，下辺の周囲の該カバーバスケット受けに
対応する位置に突起が設けられ，該突起によりカバーバ
スケット受け上に保持されるように構成され，且つ該突
起の幅は該カバーバスケット受けの間隔より小さくして
なるように構成する。
本考案は防塵を考慮した縦型気相成長（CVD）装置の構
造に関する。
造に関する。
近年，半導体ウエハの大口径化に伴い，従来主として利
用されてきた横型CVD装置に代わって縦型CVD装置が用い
られるようになった。
用されてきた横型CVD装置に代わって縦型CVD装置が用い
られるようになった。
横型装置では，石英製の炉心管内をウエハを搭載した石
英製のウエハバスケットがスライドして動くため，石英
等の微粒子を発生しウエハ歩留低下の原因となってい
る。又，ウエハの大口径化に伴いウエハバスケットも大
型化され，これを炉心管内に出し入れする際に用いる石
英フォークの折れ等の問題も生じてきた。
英製のウエハバスケットがスライドして動くため，石英
等の微粒子を発生しウエハ歩留低下の原因となってい
る。又，ウエハの大口径化に伴いウエハバスケットも大
型化され，これを炉心管内に出し入れする際に用いる石
英フォークの折れ等の問題も生じてきた。
さらに，縦型装置は横型装置に比較して自動化が容易で
あり，設備の占有スペースが小さくなる等多くの利点が
あるためますます多用される傾向にある。
あり，設備の占有スペースが小さくなる等多くの利点が
あるためますます多用される傾向にある。
第２図は従来例による縦型CVD装置の模式断面図であ
る。
る。
図を用いて，装置を使用するプロセスを次に説明する。
まず，スカベンジャ（下蓋）５を下げ，ウエハを搭載し
たウエハバスケット１と，これを覆うカバーバスケット
２とをスカベンジャ５上に設けられた台４の上に載せ
る。
たウエハバスケット１と，これを覆うカバーバスケット
２とをスカベンジャ５上に設けられた台４の上に載せ
る。
ここで縦型装置においても，膜厚分布改善のためにカバ
ーバスケット２の使用が必要となる。カバーバスケット
２は石英を用いてウエハバスケットを覆うような形状に
作製される。
ーバスケット２の使用が必要となる。カバーバスケット
２は石英を用いてウエハバスケットを覆うような形状に
作製される。
次いで、スカベンジャ５を挙げ炉心管３を封止する。
一方，炉心管３の片側は上蓋６で封止され，反応ガスは
上蓋６に設けられたガス導入入口７より炉心管３内に導
入される。
上蓋６に設けられたガス導入入口７より炉心管３内に導
入される。
他方，スカベンジャ５に設けられた排気口８より排気し
て炉心管３内のガス圧を所定の値に保つようにする。
て炉心管３内のガス圧を所定の値に保つようにする。
炉心管３の外側には加熱部としてヒータ９が設けられ，
これにより内部のウエハを加熱すると，反応ガスはウエ
ハ上で熱分解して成分物質をウエハ上に成長させる。
これにより内部のウエハを加熱すると，反応ガスはウエ
ハ上で熱分解して成分物質をウエハ上に成長させる。
成長が終わると，反応ガスの供給と排気を止め炉心管３
内を不活性ガスで置換して大気圧に戻し，スカベンジャ
５を下げてウエハバスケット１とカバーバスケット２を
一緒に炉心管３の外に取り出してアンロードする。
内を不活性ガスで置換して大気圧に戻し，スカベンジャ
５を下げてウエハバスケット１とカバーバスケット２を
一緒に炉心管３の外に取り出してアンロードする。
従来例のように，装置よりウエハバスケット１とカバー
バスケット２を一緒にアンロードすると，急激な温度低
下によりカバーバスケット２に付着している種々の膜が
剥離して微細粒子の発生を招き，ウエハの歩留低下の原
因となる。
バスケット２を一緒にアンロードすると，急激な温度低
下によりカバーバスケット２に付着している種々の膜が
剥離して微細粒子の発生を招き，ウエハの歩留低下の原
因となる。
本考案は縦型CVD装置においてアンロードの際に微細粒
子の発生を抑制し，ウエハ歩留を向上することを目的と
する。
子の発生を抑制し，ウエハ歩留を向上することを目的と
する。
上記課題の解決は，縦長の管体をほぼ垂直に配置した炉
心管と，該炉心管の上端部に設けられた上蓋と，該炉心
管の下端部に設けられた下蓋と，該炉心管を加熱する加
熱部と，該下蓋の上に設けられ且つウエハを搭載するウ
エハバスケット及び該ウエハバスケットを覆うカバーバ
スケットを搭載する台と，該カバーバスケットとを具備
し，該炉心管の内壁周には複数個のカバーバスケット受
けが成長の際の該カバーバスケット位置より低い位置に
設けられ，該カバーバスケットは，下辺の周囲の該カバ
ーバスケット受けに対応する位置に突起が設けられ，該
突起によりカバーバスケット受け上に保持されるように
構成され，且つ該突起の幅は該カバーバスケット受けの
間隔より小さくしてなる縦型気相成長装置により達成さ
れる。
心管と，該炉心管の上端部に設けられた上蓋と，該炉心
管の下端部に設けられた下蓋と，該炉心管を加熱する加
熱部と，該下蓋の上に設けられ且つウエハを搭載するウ
エハバスケット及び該ウエハバスケットを覆うカバーバ
スケットを搭載する台と，該カバーバスケットとを具備
し，該炉心管の内壁周には複数個のカバーバスケット受
けが成長の際の該カバーバスケット位置より低い位置に
設けられ，該カバーバスケットは，下辺の周囲の該カバ
ーバスケット受けに対応する位置に突起が設けられ，該
突起によりカバーバスケット受け上に保持されるように
構成され，且つ該突起の幅は該カバーバスケット受けの
間隔より小さくしてなる縦型気相成長装置により達成さ
れる。
本考案は炉心管内壁周にカバーバスケット受けを設け，
これによりアンロードの際にカバーバスケットを炉心管
内に残してウエハバスケットのみを取り出すことによ
り，従来両方のバスケットを一緒に取り出す時にカバー
バスケットより剥離して発生した微細粒子を抑制するよ
うにしたものである。
これによりアンロードの際にカバーバスケットを炉心管
内に残してウエハバスケットのみを取り出すことによ
り，従来両方のバスケットを一緒に取り出す時にカバー
バスケットより剥離して発生した微細粒子を抑制するよ
うにしたものである。
第１図（１），（２）は本考案の一実施例による縦型CV
D装置の模式断面図と平面図である。
D装置の模式断面図と平面図である。
図において,2Aはカバーバスケット,10は炉心管内に設け
られたカバーバスケット受けであり，その他は従来例と
同様に,1はウエハバスケット,3は炉心管,4は台,5はスカ
ベンジャ（下蓋）,6は上蓋,7はガス導入口,8は排気口,9
は加熱部でヒータである。
られたカバーバスケット受けであり，その他は従来例と
同様に,1はウエハバスケット,3は炉心管,4は台,5はスカ
ベンジャ（下蓋）,6は上蓋,7はガス導入口,8は排気口,9
は加熱部でヒータである。
カバーバスケット受け10は，石英片を炉心管３の内壁周
に複数個所融着して形成される。この際の融着は、成長
の際のバスケット位置より低い位置に行う。
に複数個所融着して形成される。この際の融着は、成長
の際のバスケット位置より低い位置に行う。
カバーバスケット2Aは下辺の周囲のカバーバスケット受
け10に対応する位置に突起2AAが設けられ，この突起2AA
によりカバーバスケット受け10上に保持されるようにす
る。
け10に対応する位置に突起2AAが設けられ，この突起2AA
によりカバーバスケット受け10上に保持されるようにす
る。
又，カバーバスケット2Aを洗浄等のため取り外すとき
は，矢印のように回してカバーバスケット2Aの突起をカ
バーバスケット受け10より外して炉心管３の外に取り出
せるようにカバーバスケット受け10の間隔を決める。
は，矢印のように回してカバーバスケット2Aの突起をカ
バーバスケット受け10より外して炉心管３の外に取り出
せるようにカバーバスケット受け10の間隔を決める。
次に実施例の，バスケットのアンロード，ロードについ
て説明する。
て説明する。
アンロード： 成長が終わるとスカベンジャ５が降りる。このときウエ
ハバスケット１は炉心管３の外に出てゆくが，カバーバ
スケット2Aはカバーバスケット受け10上に止められ，炉
心管３内に残る。
ハバスケット１は炉心管３の外に出てゆくが，カバーバ
スケット2Aはカバーバスケット受け10上に止められ，炉
心管３内に残る。
ロード： ウエハバスケット１を台４の上に載せスカベンジャ５を
上昇させると，炉心管３内のカバーバスケット受け10上
にあるカバーバスケット2Aを台４の上に自動的に載せ，
炉心管３を封止する所定の位置まで上昇させる。
上昇させると，炉心管３内のカバーバスケット受け10上
にあるカバーバスケット2Aを台４の上に自動的に載せ，
炉心管３を封止する所定の位置まで上昇させる。
以上のようにして，アンロードの際はウエハバスケット
１のみを炉心管３の外に取り出し，ロードの際は自動的
にカバーバスケット2Aを所定位置に取り付けることがで
きる。
１のみを炉心管３の外に取り出し，ロードの際は自動的
にカバーバスケット2Aを所定位置に取り付けることがで
きる。
実施例の装置を長期間使用した結果，チップ収率の向上
が確認された。
が確認された。
第３図は実施例のカバーバスケットの斜視図で，片閉じ
の石英円筒の開口側に石英突起2AAが３個等間隔に融着
されている。
の石英円筒の開口側に石英突起2AAが３個等間隔に融着
されている。
又，円筒面にはガス流を調整するスリットが切られてい
る。
る。
第４図はウエハバスケットの一例を示す斜視図で，複数
のウエハを保持する波型に刻まれた３本の石英柱の両端
が,2個の石英環に融着されて構成される。
のウエハを保持する波型に刻まれた３本の石英柱の両端
が,2個の石英環に融着されて構成される。
〔考案の効果〕 以上説明したように本考案によれば，縦型CVD装置にお
いてアンロードの際に微細粒子の発生を抑制することが
でき，従ってウエハ歩留を向上できる。
いてアンロードの際に微細粒子の発生を抑制することが
でき，従ってウエハ歩留を向上できる。
第１図（１），（２）は本考案の一実施例による縦型CV
D装置の模式断面図と平面図， 第２図は従来例による縦型CVD装置の模式断面図， 第３図は実施例のカバーバスケットの斜視図， 第４図はウエハバスケットの一例を示す斜視図である。 図において， １はウエハバスケット， 2Aはカバーバスケット， ３は炉心管， ４は台， ５はスカベンジャ， ６は上蓋， ７はガス導入口， ８は排気口， ９はヒータ， 10はカバーバスケット受け である。
D装置の模式断面図と平面図， 第２図は従来例による縦型CVD装置の模式断面図， 第３図は実施例のカバーバスケットの斜視図， 第４図はウエハバスケットの一例を示す斜視図である。 図において， １はウエハバスケット， 2Aはカバーバスケット， ３は炉心管， ４は台， ５はスカベンジャ， ６は上蓋， ７はガス導入口， ８は排気口， ９はヒータ， 10はカバーバスケット受け である。
Claims (1)
- 【請求項１】縦長の管体をほぼ垂直に配置した炉心管
と，該炉心管の上端部に設けられた上蓋と，該炉心管の
下端部に設けられた下蓋と，該炉心管を加熱する加熱部
と，該下蓋の上に設けられ且つウエハを搭載するウエハ
バスケット及び該ウエハバスケットを覆うカバーバスケ
ットを載置する台と，該カバーバスケットとを具備し， 該炉心管の内壁周には複数個のカバーバスケット受けが
成長の際の該カバーバスケット位置より低い位置に設け
られ， 該カバーバスケットは，下辺の周囲の該カバーバスケッ
ト受けに対応する位置に突起が設けられ，該突起により
カバーバスケット受け上に保持されるように構成され，
且つ該突起の幅は該カバーバスケット受けの間隔より小
さくしてなることを特徴とする縦型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9864488U JPH0648827Y2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 縦型気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9864488U JPH0648827Y2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 縦型気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220327U JPH0220327U (ja) | 1990-02-09 |
| JPH0648827Y2 true JPH0648827Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=31325102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9864488U Expired - Lifetime JPH0648827Y2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 縦型気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648827Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP9864488U patent/JPH0648827Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220327U (ja) | 1990-02-09 |
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