KR200144547Y1 - 반도체 제조 장치의 립-실 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 진공 실링(vacuum sealing)을 목적으로 하는 반도체 제조 장치의 립-실에 관한 것으로서, 립-실(40)의 구조는, 링형의 구조는 가지며, 상기 립-실(40)의 내측에 날개부(42)가 형성되고 이의 하측에 완충영역(44)이 형성되어 클램핑시 완충 효과를 발생한다. 또한 상기 립-실(40)에 로딩된 웨이퍼에 소정의 가스가 도포되면, 진공상태의 프로세스 챔버와 기압 차이가 발생되어 상기 날개부(42)가 외부로 향하는 힘을 받게되므로 실링효과가 증대된다.

Description

반도체 제조장치의 립-실 구조

제1a도는 종래의 립-실 구조의 일 예를 보이는 평면도.

제1b도는 제1a도에 도시된 립-실의 단면도.

제2도는 제1a도에 도시된 립-실 위에 로딩된 웨이퍼가 클램퍼에 의해 클램핑된것을 보이는 도면.

제3a도는 본 고안의 실시예에 따른 립-실의 구조를 보이는 평면도.

제3b도는 제3a도에 도시된 립-실의 단면도.

제4도는 제3a도에 도시된 립-실 위에 로딩된 웨이퍼가 클램퍼에 의해 클램핑된 것을 보이는 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10, 40 : 립-실 12, 42 : 날개부

20 : 웨이퍼 30 : 클램퍼

44 : 완충영역

[산업상의 이용분야]

본 고안은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 진공 실링(vacuum sealing)을 목적으로 하는 반도체 제조 장치의 립-실(lip-seal)에 관한것이다.

[종래의 기술 및 그의 문제점]

일반적으로, 순차적으로 진행되는 반도체 제조공정에 있어서, 프로세스 챔버(process chamber)내에 로딩(loading)된 웨이퍼(wafer)의 후면에 냉각가스(cooling gas)를 도포(deposition)하여 웨이퍼를 소정의 온도 이하로 낮추는 과정이 있다. 즉, 웨이퍼의 후면에 냉각 가스, 예를 들면 헬륨가스(He)를 도포하여 후면 냉각(back side cooling)을 하게 된다.

이때 냉각시키기 위한 웨이퍼는 링형(ring type)의 립-실(lip-seal) 위에 로딩되고, 클램퍼(clamper)에 의해 클램핑(clamping)된다.

제1a도는 종래의 립-실 구조의 일 예를 보이는 평면도이고, 제1b도는 제1a도에 도시된 립-실의 단면도이다. 제2도는 제1a도에 도시된 립-실 위에 로딩된 웨이퍼가 클램퍼에 의해 클램핑된 것을 보이는 도면이다.

제1a도 및 제1b도에 도시된바와 같이 종래의 립-실(10)은 링형의 구조를 갖고 있다. 상기 립-실(10)의 외측에 형성된 소정의 길이는 갖는 날개부(12)는 웨이퍼(20)가 클램퍼(30)에 클램핑될 때 깨지는(broken) 것을 방지하기 위한 역할을 한다. 제1b도의 참조번호 14가 가리키는 부분은 클램핑시에 실링(sealing) 역할을 하는 부분이다.

상기 실링 역할이란, 예를 들면, 웨이퍼의 후면에 냉각가스를 도포하여 웨이퍼를 냉각시키는 공정 등에서, 냉각 가스가 진공상태의 프로세스 챔버로 누출(leak)되는 것일 방지하는 것이다.

한편, 제2도를 참조하여, 후면 냉각을 하기 위해 립-실(1) 위에 웨이퍼(20)가 로딩되고, 클램퍼(30)에 의해 클램핑된다. 그리고 상기 웨이퍼(20)의 후면에 냉각가스 예를 들면 헬륨가스(He)가 도포되어 상기 웨이퍼(20)가 냉각된다.

그런데, 실질적으로 상기 립-실(10)에 의해 실링 효과가 나타나는 부분은 제2도의 참조번호 16으로 표시된 점선의 원부분으로 한정된다. 그러므로 진공(vacuum) 상태의 프로세스 챔버(미도시됨)로 냉각가스가 누출되는 경우가 발생될 수 있게 된다.

또한 상기 프로세스 챔버의 진공상태가 고진공 상태일수록 상기 냉각가스의 누출률(leak rate)은 더욱 증가되는 문제점이 발생된다.

이러한 냉각가스 누출의 발생은 반도체 제조설비의 가동 효율을 저하시키게 된다.

[고안의 목적]

따라서 본 고안의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 진공의 프로세스 챔버내에서 웨이퍼의 후면에 소정의 가스를 도포할때, 실링 효과를 극대화 할 수 있는 립-실을 제공하는데 있다.

[고안의 구성]

상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징에 의하면, 반도체 제조 장치의 립-실 구조는 링형의 형상을 갖고, 내측 상단에 웨이퍼를 지지하기 위한 소정의 길이를 갖는 날개부가 형성되고, 상기 날개부의 하측에 소정의 완충부가 형성된 것을 특징으로 한다.

이 실시예에 있어서, 상기 날개부의 상측은 로딩된 웨이퍼가 클램퍼에 의해 클램핑 될 때 상기 웨이퍼의 후면에 밀착되는 평형의 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.

[작용]

상술한 반도체 제조의 장치의 립-실에 있어서, 링형의 립-실의 내측에는 날개부가 형성되고 상기 날개부 하측에 완충영역이 형성되어 실링 효과가 증가된다.

[실시예]

제3a도 내지 제3b도를 참조하면, 본 고안의 신규한 립-실(40)의 구조는, 링형의 구조를 가지며, 상기 립-실(40)의 내측에 날개부(42)가 형성되어 클램핑시 완충 효과를 발생한다. 또한 상기 립-실(40)에 로딩된 웨이퍼에 소정의 가스가 도포되면, 진공상태의 프로세스 챔버와 기압 차이가 발생되어 상기 날개부(42)가 외부로 향하는 힘을 받게 되어 실링 효과가 증대된다.

이하 본 고안의 실시예를 첨부 도면 제3a도 내지 제4도에 의거하여 상세히 설명한다.

제3a도는 본 고안의 실시예에 따른 립-실의 구조를 보이는 평면도이고, 제3b도는 제3a도에 도시된 립-실의 단면도이다. 제4도는 제3a도에 도시된 립-실 위에 로딩된 웨이퍼가 클램퍼에 의해 클램핑된 것을 보이는 도면이다.

제3a도에 도시된바와 같이 본 고안의 실시예에 따른 립-실(40)의 구조는 링형으로 되어 있다. 또한 상기 립-실(40)은 내측에 웨이퍼 로딩후 클램퍼에 의해 클램핑시 완충효과를 주기 위한 날개부(42)가 형성되어 있다. 그리고 상기 날개부(42)의 하측에 완충영역(44)을 갖도록 된다.

이상과 같은 구조를 갖는 립-실(10)의 사용예를 웨이퍼를 냉각시키기 위한 공정을 예를 들어 설명한다.

제4도를 참조하여, 상기 립-실(40)에 웨이퍼(20)가 로딩되고 클램퍼(30)에 의해 클램핑되면 냉각가스가 상기 웨이퍼(20) 후면에 도포 된다. 그러면 상기 립-실의 내부는 진공 상태의 프로세스 챔버(미도시됨)보다 고기압이 되므로 상기 날개부(42)는 외부로 향하는 힘을 받게 된다. 따라서 실링 효과가 더욱 증가된다. 또한 상기 날개부(42)와 상기 웨이퍼(20)와의 접촉면적이 크므로 실링효과가 더욱 증가된다.

이상과 같은 본 고안의 반도체 제조 장치의 립-실에 의하면, 진공 실링을 목적으로 하는 대부분의 오우-링(O-ring)에 적용하여 실링효과를 증가시킬 수 있다. 또한 불필요한 가스의 누출을 감소시키게 되므로 프로세스 챔버의 클리닝(cleaning)주기를 길게하므로 반도체 제조설비의 가동 효율을 증가시킨다.

Claims (2)

1. 반도체 제조장치의 립-실 구조에 있어서; 링형의 형상을 갖고, 내측 상단에 웨에퍼를 지지하기 위한 소정의 길이를 갖는 날개부(42)가 형성되고, 상기 날개부(42)의 하측에 소정의 완충부(44)가 형송된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 립-실 구조.
2. 제 1항에 있어서, 상기 날개부(42)의 상측은 로딩된 웨이퍼(20)가 클램퍼(30)에 의해 클램핑 될 때 상기 웨이퍼(20)의 후면에 밀착되는 평형의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 립-실 구조.