JPH0536609A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0536609A JPH0536609A JP19302891A JP19302891A JPH0536609A JP H0536609 A JPH0536609 A JP H0536609A JP 19302891 A JP19302891 A JP 19302891A JP 19302891 A JP19302891 A JP 19302891A JP H0536609 A JPH0536609 A JP H0536609A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】異物の生成を極力低減できるようにし、かつ異
物が生成してもこれを容易に除去できるようにして生産
性を大きく向上できるようにする。 【構成】保温カバー１１を、反応管１内部のガス排気口
周辺に取り付けて、該周辺を保温することで、該周辺で
の反応生成物の付着をなくする。
物が生成してもこれを容易に除去できるようにして生産
性を大きく向上できるようにする。 【構成】保温カバー１１を、反応管１内部のガス排気口
周辺に取り付けて、該周辺を保温することで、該周辺で
の反応生成物の付着をなくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧ＣＶＤ装置のよう
な半導体製造装置に関する。
な半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来例の減圧ＣＶＤ装置の概略
断面図であって、同図に示される装置において、１は、
反応管であって、外管１ａの中に内管１ｂを配置してな
る。外管１ａは、上部が有底で下部が開口された円筒型
であり、内管１ｂは、上下部が開口の円筒型である。２
は、ヒータであって、反応管１の周囲にリング状に配置
されて該反応管１を均一に加熱できるようになってい
る。３は基板ボートであり、多数の半導体基板４が搭載
されて内管１ｂ内に収納される。５ａ，５ｂはマニホー
ルドであって、一方のマニホールド５ｂは、内管１ｂを
支持・固定するもので、その接続口はガス供給口として
ガス供給管６が接続されている。他方のマニホールド５
ａは、外管１ａを支持・固定するもので、その接続口は
ガス排気口としてガス排気管７が接続されている。８
は、エンドキャップであって、反応管１の内部を減圧状
態にするために該反応管１下端をシールしてその内部を
密閉するようになっている。９は、保温筒であって、基
板ボート３とエンドキャップ８とを断熱するとともに、
基板ボート３を内管１ｂの中央に設置するためのもので
ある。
断面図であって、同図に示される装置において、１は、
反応管であって、外管１ａの中に内管１ｂを配置してな
る。外管１ａは、上部が有底で下部が開口された円筒型
であり、内管１ｂは、上下部が開口の円筒型である。２
は、ヒータであって、反応管１の周囲にリング状に配置
されて該反応管１を均一に加熱できるようになってい
る。３は基板ボートであり、多数の半導体基板４が搭載
されて内管１ｂ内に収納される。５ａ，５ｂはマニホー
ルドであって、一方のマニホールド５ｂは、内管１ｂを
支持・固定するもので、その接続口はガス供給口として
ガス供給管６が接続されている。他方のマニホールド５
ａは、外管１ａを支持・固定するもので、その接続口は
ガス排気口としてガス排気管７が接続されている。８
は、エンドキャップであって、反応管１の内部を減圧状
態にするために該反応管１下端をシールしてその内部を
密閉するようになっている。９は、保温筒であって、基
板ボート３とエンドキャップ８とを断熱するとともに、
基板ボート３を内管１ｂの中央に設置するためのもので
ある。
【０００３】つぎに、この減圧ＣＶＤ装置による半導体
基板に対する薄膜の成膜処理について説明する。まず、
反応管１をヒータ２で５００〜８００℃に加熱してい
る。そして、半導体基板４を搭載してある基板ボート３
を、保温筒９と共に内管１ｂ内に挿入してのち、マニホ
ールド５ａ，５ｂとエンドキャップ９とでこれらを反応
管１内に密閉する。
基板に対する薄膜の成膜処理について説明する。まず、
反応管１をヒータ２で５００〜８００℃に加熱してい
る。そして、半導体基板４を搭載してある基板ボート３
を、保温筒９と共に内管１ｂ内に挿入してのち、マニホ
ールド５ａ，５ｂとエンドキャップ９とでこれらを反応
管１内に密閉する。
【０００４】ついで、図示していない真空ポンプなどで
反応管１内を所定の圧力例えば約０．１〜１Ｔｏｒｒ程
度に減圧するとともに、ガス供給管６から反応ガスを内
管１ｂ内に導入して、半導体基板４上に薄膜を成膜処理
する。
反応管１内を所定の圧力例えば約０．１〜１Ｔｏｒｒ程
度に減圧するとともに、ガス供給管６から反応ガスを内
管１ｂ内に導入して、半導体基板４上に薄膜を成膜処理
する。
【０００５】半導体基板に対しての薄膜の成膜処理の終
了後は、反応管１内部の残留反応ガスをガス排気管７か
ら外部に排気してのち、エンドキャップ９を外して、基
板ボート３を取り出して半導体基板４を回収する。
了後は、反応管１内部の残留反応ガスをガス排気管７か
ら外部に排気してのち、エンドキャップ９を外して、基
板ボート３を取り出して半導体基板４を回収する。
【０００６】このような薄膜の成膜処理を繰り返し行う
と、冷えやすい箇所、特に反応管１の外管１ａ下部とか
ガス排気管７とかに反応生成物が付着してくる。この反
応生成物は異物としてその堆積量が増大してくると、ヒ
ータ２の熱効率が大きく低下してきたりして精度の高い
薄膜の成膜ができなくなったり、あるいは、その異物が
ヒータ２の加熱で再度、反応管１内の半導体基板４に対
して好ましくない影響を与えたりするから、このような
異物はできる限り除去する必要がある。
と、冷えやすい箇所、特に反応管１の外管１ａ下部とか
ガス排気管７とかに反応生成物が付着してくる。この反
応生成物は異物としてその堆積量が増大してくると、ヒ
ータ２の熱効率が大きく低下してきたりして精度の高い
薄膜の成膜ができなくなったり、あるいは、その異物が
ヒータ２の加熱で再度、反応管１内の半導体基板４に対
して好ましくない影響を与えたりするから、このような
異物はできる限り除去する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例の減圧ＣＶＤ装
置においては、かかる異物を除去するには外管１ａとか
ガス排気管７とかを洗浄する必要があるが、異物の除去
が容易でないから、洗浄作業に時間がかかり、製造の歩
留まりが極端に悪化するという課題がある。
置においては、かかる異物を除去するには外管１ａとか
ガス排気管７とかを洗浄する必要があるが、異物の除去
が容易でないから、洗浄作業に時間がかかり、製造の歩
留まりが極端に悪化するという課題がある。
【０００８】したがって、本発明においては、かかる異
物の生成を極力低減できるようにし、かつ異物が生成し
てもこれを容易に除去できるようにして製造の歩留まり
を大きく向上できるようにすることを目的としている。
物の生成を極力低減できるようにし、かつ異物が生成し
てもこれを容易に除去できるようにして製造の歩留まり
を大きく向上できるようにすることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１におい
ては、反応管と、保温カバーとを有し、反応管は、内部
に収納された半導体基板に対して所要の圧力および加熱
状態のもと内部に供給された反応ガスでもって所要の反
応処理を行うものであるとともに、該反応ガスをガス排
気口から外部に排気するものであり、保温カバーは、反
応管内部のガス排気口周辺に取り付けられて、該周辺を
保温する作用を有するものであることを特徴としてい
る。
ては、反応管と、保温カバーとを有し、反応管は、内部
に収納された半導体基板に対して所要の圧力および加熱
状態のもと内部に供給された反応ガスでもって所要の反
応処理を行うものであるとともに、該反応ガスをガス排
気口から外部に排気するものであり、保温カバーは、反
応管内部のガス排気口周辺に取り付けられて、該周辺を
保温する作用を有するものであることを特徴としてい
る。
【００１０】本発明の請求項２においては、前記反応管
は、外管と内管との２重構造にされた縦型のものであっ
て、内管内に半導体基板が収納され、内部の反応ガスを
該内管と外管との間の通路を通して該外管下部のガス排
気口を通し、かつ該ガス排気口に接続されたガス排気管
を介して外部に排気するものであり、前記保温カバー
は、外管内において、該外管下部に設けられていること
を特徴としている。
は、外管と内管との２重構造にされた縦型のものであっ
て、内管内に半導体基板が収納され、内部の反応ガスを
該内管と外管との間の通路を通して該外管下部のガス排
気口を通し、かつ該ガス排気口に接続されたガス排気管
を介して外部に排気するものであり、前記保温カバー
は、外管内において、該外管下部に設けられていること
を特徴としている。
【００１１】本発明の請求項３においては、保温カバー
がシリコン等の材料で形成されていることで、反応ガス
による生成物が積極的に付着するから、外管下部とかガ
ス排気管などに付着する生成物が少なくなる。
がシリコン等の材料で形成されていることで、反応ガス
による生成物が積極的に付着するから、外管下部とかガ
ス排気管などに付着する生成物が少なくなる。
【００１２】
【作用】保温カバーは、反応管内部のガス排気口周辺に
取り付けられて、該周辺を保温する作用をしているか
ら、反応管のガス排気口付近が冷えることがなくなり、
結果、該ガス排気口とかガス排気管付近での反応生成物
の付着がなくなる。
取り付けられて、該周辺を保温する作用をしているか
ら、反応管のガス排気口付近が冷えることがなくなり、
結果、該ガス排気口とかガス排気管付近での反応生成物
の付着がなくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。図１は、本発明の半導体製造装置の概略
断面図であり、図２は図１の保温カバーの側面断面図で
ある。これらの図において、従来例に係る図３と同一な
いしは相当する部分には同一の符号を付し、その同一の
符号に係る部分についての詳しい説明は省略する。
細に説明する。図１は、本発明の半導体製造装置の概略
断面図であり、図２は図１の保温カバーの側面断面図で
ある。これらの図において、従来例に係る図３と同一な
いしは相当する部分には同一の符号を付し、その同一の
符号に係る部分についての詳しい説明は省略する。
【００１４】図において、１は外管１ａと内管１ｂとか
らなる反応管、２はヒータ、３は基板ボート、４は半導
体基板、５はマニホールド、６はガス供給管、７はガス
排気管、８はエンドキャップ、９は保温筒である。これ
らは従来例と同様である。
らなる反応管、２はヒータ、３は基板ボート、４は半導
体基板、５はマニホールド、６はガス供給管、７はガス
排気管、８はエンドキャップ、９は保温筒である。これ
らは従来例と同様である。
【００１５】本実施例では、外管１ａと内管１ｂとの間
の通路内であって、該外管１ａの下部から、マニホール
ド５ａの接続口であるガス排気口周辺およびガス排気管
７付近にかけて保温カバー１１を設けている。
の通路内であって、該外管１ａの下部から、マニホール
ド５ａの接続口であるガス排気口周辺およびガス排気管
７付近にかけて保温カバー１１を設けている。
【００１６】この保温カバー１１は、保温機能のある材
料で作成されたものであって、反応管１内で半導体基板
４に対して所要の処理に用いた反応ガスがガス排気管７
側から排気されていくときに、その反応ガスが冷えて反
応生成物、すなわち異物として外管１ａ内の下部とかガ
ス排気管７付近（付着可能性箇所）で付着しないよう
に、該付着箇所部分を保温しておき、これによって、反
応ガスが反応生成物として該箇所に付着することなくガ
ス排気管７から排気されるようにしている。
料で作成されたものであって、反応管１内で半導体基板
４に対して所要の処理に用いた反応ガスがガス排気管７
側から排気されていくときに、その反応ガスが冷えて反
応生成物、すなわち異物として外管１ａ内の下部とかガ
ス排気管７付近（付着可能性箇所）で付着しないよう
に、該付着箇所部分を保温しておき、これによって、反
応ガスが反応生成物として該箇所に付着することなくガ
ス排気管７から排気されるようにしている。
【００１７】そのため、保温カバー１１は、図２に示す
ように、上下に開口された円筒部１１ａと、該円筒部１
１ａの上部外周に径方向外方に突出するフランジ部１１
ｂが、また、該円筒部１１ａの下部内周に径方向内方に
突出するフランジ部１１ｃが、それぞれ、形成されてお
り、かつ、円筒部１１ａの側面に開口１１ｄが形成され
ている。この保温カバー１１はまた、円筒部１１ａ下端
がマニホールド５ｂ上に固定された状態で、フランジ部
１１ｂが外管１ａ内面に、フランジ部１１ｃが内管１ｂ
外面に接し、かつ、開口１１ｄがガス排気管７に向けら
れている。
ように、上下に開口された円筒部１１ａと、該円筒部１
１ａの上部外周に径方向外方に突出するフランジ部１１
ｂが、また、該円筒部１１ａの下部内周に径方向内方に
突出するフランジ部１１ｃが、それぞれ、形成されてお
り、かつ、円筒部１１ａの側面に開口１１ｄが形成され
ている。この保温カバー１１はまた、円筒部１１ａ下端
がマニホールド５ｂ上に固定された状態で、フランジ部
１１ｂが外管１ａ内面に、フランジ部１１ｃが内管１ｂ
外面に接し、かつ、開口１１ｄがガス排気管７に向けら
れている。
【００１８】なお、保温カバー１１の材料としてシリコ
ン等を用いることで、保温カバー１１に積極的に反応生
成物を付着させ、結果として外管１ａ下部とかガス排気
管７とかに付着する反応生成物を少なくしてもよい。す
なわち、保温カバー１１は保温機能によって反応ガスが
生成物として堆積しないようにしているが、保温が行き
届かない箇所があり、その箇所に生成物が堆積するおそ
れがあっても、保温カバー１１の材料がシリコン等であ
るから、それに積極的に生成物が付着し、該箇所に堆積
する生成物の量が減少し、結果として、生成物の付着量
が減少する。また、シリコン等を用いて生成物が保温カ
バー１１に付着した場合では、該保温カバー１１を取り
外してそれを洗浄するとよい。
ン等を用いることで、保温カバー１１に積極的に反応生
成物を付着させ、結果として外管１ａ下部とかガス排気
管７とかに付着する反応生成物を少なくしてもよい。す
なわち、保温カバー１１は保温機能によって反応ガスが
生成物として堆積しないようにしているが、保温が行き
届かない箇所があり、その箇所に生成物が堆積するおそ
れがあっても、保温カバー１１の材料がシリコン等であ
るから、それに積極的に生成物が付着し、該箇所に堆積
する生成物の量が減少し、結果として、生成物の付着量
が減少する。また、シリコン等を用いて生成物が保温カ
バー１１に付着した場合では、該保温カバー１１を取り
外してそれを洗浄するとよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保温カバ
ーを、反応管内部のガス排気口周辺に取り付け、該周辺
を保温するようにしたから、反応管のガス排気口付近が
冷えることがなくなり、結果、該ガス排気口とかガス排
気管付近での反応生成物が異物して付着することがなく
なり、この異物の除去に要していた洗浄作業が不要とな
り、製造の歩留まりを大きく向上させることができるよ
うになった。
ーを、反応管内部のガス排気口周辺に取り付け、該周辺
を保温するようにしたから、反応管のガス排気口付近が
冷えることがなくなり、結果、該ガス排気口とかガス排
気管付近での反応生成物が異物して付着することがなく
なり、この異物の除去に要していた洗浄作業が不要とな
り、製造の歩留まりを大きく向上させることができるよ
うになった。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概略
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の保温カバーの側面断面図である。
【図３】従来例の半導体製造装置の概略断面図である。
１ 反応管
２ ヒータ
３ 基板ボート
４ 半導体基板
６ ガス供給管
７ ガス排気管
８ エンドキャップ
９ 保温筒
１０ 反応生成物
１１ 保温カバー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例の減圧ＣＶＤ装
置においては、かかる異物を除去するには外管１ａとか
ガス排気管７とかを洗浄する必要があるが、異物の除去
が容易でないから、洗浄作業に時間がかかり、生産性が
極端に悪化するという課題がある。
置においては、かかる異物を除去するには外管１ａとか
ガス排気管７とかを洗浄する必要があるが、異物の除去
が容易でないから、洗浄作業に時間がかかり、生産性が
極端に悪化するという課題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】したがって、本発明においては、かかる異
物の生成を極力低減できるようにし、かつ異物が生成し
てもこれを容易に除去できるようにして生産性を大きく
向上できるようにすることを目的としている。
物の生成を極力低減できるようにし、かつ異物が生成し
てもこれを容易に除去できるようにして生産性を大きく
向上できるようにすることを目的としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保温カバ
ーを、反応管内部のガス排気口周辺に取り付け、該周辺
を保温するようにしたから、反応管のガス排気口付近が
冷えることがなくなり、結果、該ガス排気口とかガス排
気管付近での反応生成物が異物して付着することがなく
なり、この異物の除去に要していた洗浄作業が不要とな
り、生産性を大きく向上させることができるようになっ
た。
ーを、反応管内部のガス排気口周辺に取り付け、該周辺
を保温するようにしたから、反応管のガス排気口付近が
冷えることがなくなり、結果、該ガス排気口とかガス排
気管付近での反応生成物が異物して付着することがなく
なり、この異物の除去に要していた洗浄作業が不要とな
り、生産性を大きく向上させることができるようになっ
た。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応管と、保温カバーとを有し、 反応管は、内部に収納された半導体基板に対して所要の
圧力および加熱状態のもと内部に供給された反応ガスで
もって所要の反応処理を行うものであるとともに、該反
応ガスをガス排気口から外部に排気するものであり、 保温カバーは、反応管内部のガス排気口周辺に取り付け
られて、該周辺を保温する作用を有するものであること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記反応管は、外管と内管との２重構造
にされた縦型のものであって、内管内に半導体基板が収
納され、内部の反応ガスを該内管と外管との間の通路を
通して該外管下部のガス排気口を通し、かつ該ガス排気
口に接続されたガス排気管を介して外部に排気するもの
であり、 前記保温カバーは、外管内において、該外管下部に設け
られていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製
造装置。 - 【請求項３】 前記保温カバーがシリコン等の材料で形
成されていることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19302891A JPH0536609A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19302891A JPH0536609A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536609A true JPH0536609A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16300972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19302891A Pending JPH0536609A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| KR20180097800A (ko) * | 2017-02-23 | 2018-09-03 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 공정 튜브 및 이를 갖는 퍼니스형 기판 처리 장치 |
| KR20190108052A (ko) * | 2018-03-13 | 2019-09-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 단열 구조체 및 종형 열 처리 장치 |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP19302891A patent/JPH0536609A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| KR20180097800A (ko) * | 2017-02-23 | 2018-09-03 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 공정 튜브 및 이를 갖는 퍼니스형 기판 처리 장치 |
| KR20190108052A (ko) * | 2018-03-13 | 2019-09-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 단열 구조체 및 종형 열 처리 장치 |
| US11424143B2 (en) | 2018-03-13 | 2022-08-23 | Tokyo Electron Limited | Heat insulation structure at lower end of vertical heat treatment apparatus and vertical heat treatment apparatus including heat insulation structure thereof |
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