JPH0715143Y2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH0715143Y2 JPH0715143Y2 JP1987065884U JP6588487U JPH0715143Y2 JP H0715143 Y2 JPH0715143 Y2 JP H0715143Y2 JP 1987065884 U JP1987065884 U JP 1987065884U JP 6588487 U JP6588487 U JP 6588487U JP H0715143 Y2 JPH0715143 Y2 JP H0715143Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- current
- conductor
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、改良された光電変換装置に関するものであ
る。
る。
（従来技術及びその問題点） 例えば、バーコード読取装置における光電変換部は、従
来、第３図及び第４図に示したように構成されている。
第３図，第４図において、１は受光素子、1a,1bは受光
素子１の端子、1cは受光素子１のパッケージで、通常セ
ラミック等の絶縁物で構成されている。２は、受光素子
で光電変換された電流を電圧に変換する電流／電圧変換
用IC（以下、単にICともいう）で、2aはその入力端子、
2bは出力端子である。４はICの出力端子2bにつながる出
力ライン、５はIC2の入出力端子2a,2b間に接続された帰
還抵抗、３は受光素子１及び帰還抵抗５とIC2の入力端
子2aとの間の接続線路で、例えば基板上に形成された絶
縁用のレジスト、７は、絶縁用レジスト６を介して回路
全体を取り囲むように形成された接地（GND）レベルの
導体である。
来、第３図及び第４図に示したように構成されている。
第３図，第４図において、１は受光素子、1a,1bは受光
素子１の端子、1cは受光素子１のパッケージで、通常セ
ラミック等の絶縁物で構成されている。２は、受光素子
で光電変換された電流を電圧に変換する電流／電圧変換
用IC（以下、単にICともいう）で、2aはその入力端子、
2bは出力端子である。４はICの出力端子2bにつながる出
力ライン、５はIC2の入出力端子2a,2b間に接続された帰
還抵抗、３は受光素子１及び帰還抵抗５とIC2の入力端
子2aとの間の接続線路で、例えば基板上に形成された絶
縁用のレジスト、７は、絶縁用レジスト６を介して回路
全体を取り囲むように形成された接地（GND）レベルの
導体である。
このような従来の構成では、受光素子１の出力以降の回
路部をGNDレベルの導体７で囲っており、特に、GNDレベ
ルの導体７が受光素子１の出力ラインに接近して配置さ
れているので、その間に浮遊容量が生じ、そのためIC2
の入力インピーダンスが下がり、光電変換効率が低下す
る。また、GNDレベルの導体７に入った外部雑音が、浮
遊容量を介して変換電流に影響を及ぼすという問題があ
った。
路部をGNDレベルの導体７で囲っており、特に、GNDレベ
ルの導体７が受光素子１の出力ラインに接近して配置さ
れているので、その間に浮遊容量が生じ、そのためIC2
の入力インピーダンスが下がり、光電変換効率が低下す
る。また、GNDレベルの導体７に入った外部雑音が、浮
遊容量を介して変換電流に影響を及ぼすという問題があ
った。
（考案の目的） 本考案は、上記問題点を解消するもので、変換効率を高
め、外部雑音の影響をなくし、かつ光電変換部に発生し
た雑音を吸収して、出力信号の安定化を図るようにした
光電変換装置を提供することを目的とする。
め、外部雑音の影響をなくし、かつ光電変換部に発生し
た雑音を吸収して、出力信号の安定化を図るようにした
光電変換装置を提供することを目的とする。
（考案の構成） 上記目的を達成するために、本考案は、少なくとも、受
光素子、この受光素子で光電変換された電流を電圧に変
換する電流／電圧変換用IC、及び、電流／電圧変換用IC
の入出力端子間に接続された帰還抵抗からなる光電変換
装置において、受光素子、帰還抵抗及びそれらと電流／
電圧変換用ICの入力端子との間の接続線路を、絶縁物を
介して電流／電圧変換用ICの出力電位と同一レベルを有
する第１の導体で覆い、さらにこれらの回路全体を、絶
縁物を介して接地レベルの第２の導体で覆うように構成
する。
光素子、この受光素子で光電変換された電流を電圧に変
換する電流／電圧変換用IC、及び、電流／電圧変換用IC
の入出力端子間に接続された帰還抵抗からなる光電変換
装置において、受光素子、帰還抵抗及びそれらと電流／
電圧変換用ICの入力端子との間の接続線路を、絶縁物を
介して電流／電圧変換用ICの出力電位と同一レベルを有
する第１の導体で覆い、さらにこれらの回路全体を、絶
縁物を介して接地レベルの第２の導体で覆うように構成
する。
上記構成によれば、受光素子の出力ラインとGNDレベル
の部分とが離れるのでICの入力インピーダンスの低下が
なく、光電変換効率を高く維持し、また、ICの出力電位
と同一レベルの第１の導体が受光素子の出力ラインに接
近して配置されるため、その間に浮遊容量が生じ、光電
変換部に発生する高周波ノイズをカットする。さらに
は、GNDレベルの第２の導体で回路全体を覆うのを、外
部雑音の侵入を防止することができる。
の部分とが離れるのでICの入力インピーダンスの低下が
なく、光電変換効率を高く維持し、また、ICの出力電位
と同一レベルの第１の導体が受光素子の出力ラインに接
近して配置されるため、その間に浮遊容量が生じ、光電
変換部に発生する高周波ノイズをカットする。さらに
は、GNDレベルの第２の導体で回路全体を覆うのを、外
部雑音の侵入を防止することができる。
（実施例） 以下、図面に基づいて実施例を詳細に説明する。第１図
は、本考案の一実施例を示したもので、従来例と同一符
号のものを同一のものを表わしている。即ち、１は受光
素子で、1a,1bは導体で構成された受光素子１の端子、1
cは受光素子１のパッケージで、通常セラミック等の絶
縁物で構成されている。２は電流／電圧変換用ICであ
り、2aは入力端子、2bは出力端子である。４はIC2の出
力端子2bにつながる光電変換装置としての出力ライン、
５はIC2の入出力端子2a,2b間に接続された帰還抵抗、３
は受光素子１及び帰還抵抗５とIC2の入力端子2aとの間
の接続線路である。
は、本考案の一実施例を示したもので、従来例と同一符
号のものを同一のものを表わしている。即ち、１は受光
素子で、1a,1bは導体で構成された受光素子１の端子、1
cは受光素子１のパッケージで、通常セラミック等の絶
縁物で構成されている。２は電流／電圧変換用ICであ
り、2aは入力端子、2bは出力端子である。４はIC2の出
力端子2bにつながる光電変換装置としての出力ライン、
５はIC2の入出力端子2a,2b間に接続された帰還抵抗、３
は受光素子１及び帰還抵抗５とIC2の入力端子2aとの間
の接続線路である。
11は、受光素子1,帰還抵抗５及びそれらとICの入力端子
2aとの間の接続線路３を覆うように絶縁物を介して設け
られた第１の導体で、IC2の出力電位と同一レベルを有
する。12は、例えば基板上に形成された絶縁用のレジス
ト、あるいはシリコン樹脂等の絶縁物、13は回路部全体
を覆うように設けられた、例えば金属ケース等のGNDレ
ベルの第２の導体である。なお、IC2の入力端子2aと第
１の導体11とは電気的に分離されており、また、受光素
子１の他方の端子1bは第２の導体13を介してGNDレベル
に接地されている。
2aとの間の接続線路３を覆うように絶縁物を介して設け
られた第１の導体で、IC2の出力電位と同一レベルを有
する。12は、例えば基板上に形成された絶縁用のレジス
ト、あるいはシリコン樹脂等の絶縁物、13は回路部全体
を覆うように設けられた、例えば金属ケース等のGNDレ
ベルの第２の導体である。なお、IC2の入力端子2aと第
１の導体11とは電気的に分離されており、また、受光素
子１の他方の端子1bは第２の導体13を介してGNDレベル
に接地されている。
以上のように構成された本実施例では、受光素子1,帰還
抵抗５及びそれらとIC2の入力端子2aとの間の接続線路
３は、IC2の出力電位と同一レベルの第１の導体11で覆
われているので、その外側に配置されたGNDレベルの第
２の導体13とは静電的に遮断され、従ってIC2の入力イ
ンピーダンスは高く維持され、変換効率の低下を防ぐこ
とができるとともに、GNDレベルの第２の導体13からの
外部雑音の侵入が防止される。また第１の導体11が接続
線路３に接近して配置されているので、その間に浮遊容
量が形成され、従って光電変換部で発生した高周波ノイ
ズは吸収され、ICで増幅されることはない。
抵抗５及びそれらとIC2の入力端子2aとの間の接続線路
３は、IC2の出力電位と同一レベルの第１の導体11で覆
われているので、その外側に配置されたGNDレベルの第
２の導体13とは静電的に遮断され、従ってIC2の入力イ
ンピーダンスは高く維持され、変換効率の低下を防ぐこ
とができるとともに、GNDレベルの第２の導体13からの
外部雑音の侵入が防止される。また第１の導体11が接続
線路３に接近して配置されているので、その間に浮遊容
量が形成され、従って光電変換部で発生した高周波ノイ
ズは吸収され、ICで増幅されることはない。
（考案の効果） 以上説明したように、本考案によれば、高い変換効率を
維持し、外部雑音の侵入を防止するとともに、光電変換
部で発生した高周波ノイズをカットし、安定した出力信
号を得ることができる効果がある。
維持し、外部雑音の侵入を防止するとともに、光電変換
部で発生した高周波ノイズをカットし、安定した出力信
号を得ることができる効果がある。
第１図は、本考案の一実施例の構成図、第２図は、同回
路図、第３図は、従来例の構成図、第４図は、同従来例
の回路図である。 １……受光素子、1a,1b……受光素子の端子、1c……受
光素子のパッケージ、２……電流／電圧変換用IC、2a…
…ICの入力端子、2b……ICの出力端子、３……接続線
路、５……帰還抵抗、11……ICの出力電位と同一レベル
の第１の導体、12……絶縁物、13……GNDレベルの第２
の導体。
路図、第３図は、従来例の構成図、第４図は、同従来例
の回路図である。 １……受光素子、1a,1b……受光素子の端子、1c……受
光素子のパッケージ、２……電流／電圧変換用IC、2a…
…ICの入力端子、2b……ICの出力端子、３……接続線
路、５……帰還抵抗、11……ICの出力電位と同一レベル
の第１の導体、12……絶縁物、13……GNDレベルの第２
の導体。
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも、受光素子、この受光素子で光
電変換された電流を電圧に変換する電流／電圧変換用I
C、及び前記電流／電圧変換用ICの入出力端子間に接続
された帰還抵抗からなる光電変換装置において、前記受
光素子、帰還抵抗及びそれらと前記電流／電圧変換用IC
の入力端子との間の接続線路を、絶縁物を介して前記電
流／電圧変換用ICの出力電位と同一レベルを有する第１
の導体で覆い、さらにこれらの回路全体を、絶縁物を介
して接地レベルの第２の導体で覆うことを特徴とする光
電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987065884U JPH0715143Y2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987065884U JPH0715143Y2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63172154U JPS63172154U (ja) | 1988-11-09 |
| JPH0715143Y2 true JPH0715143Y2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=30903372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987065884U Expired - Lifetime JPH0715143Y2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715143Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730378A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photodetector |
| JPS61218180A (ja) * | 1985-03-23 | 1986-09-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光デバイス |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP1987065884U patent/JPH0715143Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63172154U (ja) | 1988-11-09 |
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