JPH07146322A - 実装部品のリードの半田付け不良検出方法 - Google Patents
実装部品のリードの半田付け不良検出方法Info
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- JPH07146322A JPH07146322A JP5321103A JP32110393A JPH07146322A JP H07146322 A JPH07146322 A JP H07146322A JP 5321103 A JP5321103 A JP 5321103A JP 32110393 A JP32110393 A JP 32110393A JP H07146322 A JPH07146322 A JP H07146322A
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- pattern
- soldering
- probes
- leads
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装部品のリードの半田付け不良状態を良好
に検出する。 【構成】 ２組のＸ−Ｙユニットを有するインサーキッ
トテスタを用い、それ等のＸ−Ｙユニットに備えた２プ
ローブ４２、４８を基板５２に実装した電子部品４４の
リード４６とパターン５０にそれぞれ接触し、同一のリ
ード４６とパターン５０の間の抵抗値の測定を測定の都
度、測定後にプローブ４２、４８の少なくとも一方をリ
ード４６又はパターン４８から離し、複数回繰り返して
行ない、それ等の測定値から平均値、標準偏差を算出
し、その平均値または標準偏差に基づいてリード４６の
半田付け状態の良否を判定する。
に検出する。 【構成】 ２組のＸ−Ｙユニットを有するインサーキッ
トテスタを用い、それ等のＸ−Ｙユニットに備えた２プ
ローブ４２、４８を基板５２に実装した電子部品４４の
リード４６とパターン５０にそれぞれ接触し、同一のリ
ード４６とパターン５０の間の抵抗値の測定を測定の都
度、測定後にプローブ４２、４８の少なくとも一方をリ
ード４６又はパターン４８から離し、複数回繰り返して
行ない、それ等の測定値から平均値、標準偏差を算出
し、その平均値または標準偏差に基づいてリード４６の
半田付け状態の良否を判定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインサーキットテスタを
用いて行うプリント基板に実装したＩＣ等の電子部品の
リードの半田付け不良検出方法に関する。
用いて行うプリント基板に実装したＩＣ等の電子部品の
リードの半田付け不良検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、実装基板即ち多数の電子部品のリ
ードを半田付けしたプリント基板はインサーキットテス
タを用いて、その基板の必要な各測定点に適宜プローブ
を接触させ、それ等の各部品の電気的測定によって基板
の良否の判定を行っている。特に、被検査基板を載せる
測定台上にＸ−Ｙユニットを設置したものは、そのＸ軸
方向に可動するアームの上に、Ｙ軸方向に可動するＺ軸
ユニットを備え、そのＺ軸ユニットでプローブをＺ軸方
向に可動可能に支持しているので、そのＸ−Ｙユニット
を制御すると、プローブを基板の上方からＸ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸方向にそれぞれ適宜移動して、予め設定した各測定
点に順次接触できる。なお、１部品毎に複数個の測定点
を同時に測定しなければならないので、インサーキット
テスタには通常複数のＸ−Ｙユニットを備え付ける。
ードを半田付けしたプリント基板はインサーキットテス
タを用いて、その基板の必要な各測定点に適宜プローブ
を接触させ、それ等の各部品の電気的測定によって基板
の良否の判定を行っている。特に、被検査基板を載せる
測定台上にＸ−Ｙユニットを設置したものは、そのＸ軸
方向に可動するアームの上に、Ｙ軸方向に可動するＺ軸
ユニットを備え、そのＺ軸ユニットでプローブをＺ軸方
向に可動可能に支持しているので、そのＸ−Ｙユニット
を制御すると、プローブを基板の上方からＸ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸方向にそれぞれ適宜移動して、予め設定した各測定
点に順次接触できる。なお、１部品毎に複数個の測定点
を同時に測定しなければならないので、インサーキット
テスタには通常複数のＸ−Ｙユニットを備え付ける。
【０００３】このようなインサーキットテスタを用い
て、プリント基板に表面実装したフラットパッケージＩ
Ｃ（集積回路）のリードの半田付け状態を検査する場
合、図８に示すように１本の測定プローブ１０をＩＣ１
２のリード（電極）１４の例えば肩部に接触させ、他の
１本の測定プローブ１６をプリント基板１８のパターン
２０に接触させた後、それ等のリード１４とパターン２
０の間の導通状態を知るため、定電流を流して電圧を検
出し、抵抗値を測定してリード１４の半田付け状態（接
触状態）の良否の判定を行っている。なお、これ等の測
定プローブ１０、１６には通常軸方向にスプリング性を
有するものを用い、先端を測定点に当て、静荷重を加え
ることによって電気的接触を得る。
て、プリント基板に表面実装したフラットパッケージＩ
Ｃ（集積回路）のリードの半田付け状態を検査する場
合、図８に示すように１本の測定プローブ１０をＩＣ１
２のリード（電極）１４の例えば肩部に接触させ、他の
１本の測定プローブ１６をプリント基板１８のパターン
２０に接触させた後、それ等のリード１４とパターン２
０の間の導通状態を知るため、定電流を流して電圧を検
出し、抵抗値を測定してリード１４の半田付け状態（接
触状態）の良否の判定を行っている。なお、これ等の測
定プローブ１０、１６には通常軸方向にスプリング性を
有するものを用い、先端を測定点に当て、静荷重を加え
ることによって電気的接触を得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプローブ１０、１６を用いると、そのスプリング荷
重により、本来不良品であるものを良品と判定すること
があるため問題がある。何故なら、図９に示すようにＩ
Ｃ１２のリード１４の先端部が半田付け不良のため、パ
ターン２０から離れていても（足浮き状態）、リード１
４の肩部にプローブ１０の先端が当って基板１８の面に
垂直方向（Ｚ軸方向）にスプリング荷重が加わると、図
８に示すようにリード１４の先端部がパターン２０と良
好に接触してしまうからである。因みに、リード１４の
先端部がパターン２０から完全に離れて浮いた足浮き状
態では、スプリング荷重が加わっても、それが小さけれ
ば当然接触せず、抵抗値が無限大となるため、誤りなく
不良品と判定できる。
うなプローブ１０、１６を用いると、そのスプリング荷
重により、本来不良品であるものを良品と判定すること
があるため問題がある。何故なら、図９に示すようにＩ
Ｃ１２のリード１４の先端部が半田付け不良のため、パ
ターン２０から離れていても（足浮き状態）、リード１
４の肩部にプローブ１０の先端が当って基板１８の面に
垂直方向（Ｚ軸方向）にスプリング荷重が加わると、図
８に示すようにリード１４の先端部がパターン２０と良
好に接触してしまうからである。因みに、リード１４の
先端部がパターン２０から完全に離れて浮いた足浮き状
態では、スプリング荷重が加わっても、それが小さけれ
ば当然接触せず、抵抗値が無限大となるため、誤りなく
不良品と判定できる。
【０００５】本発明はこのような従来の問題点に着目し
てなされたものであり、インサーキットテスタを用い
て、実装部品のリードの半田付け不良状態を良好に検出
する方法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、インサーキットテスタを用い
て、実装部品のリードの半田付け不良状態を良好に検出
する方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による実装部品のリードの半田付け不良検出
方法ではＸ軸方向に可動するアーム上に、Ｙ軸方向に可
動するＺ軸ユニットを備え、そのＺ軸ユニットでプロー
ブ４２（４８）をＺ軸方向に可動可能に支持するＸ−Ｙ
ユニットを２組設置してなるインサーキットテスタを用
い、それ等のプローブ４２、４８をプリント基板５２に
実装した電子部品４４のリード４６とパターン５０にそ
れぞれ接触し、そのリード４６とパターン５０の間の抵
抗値の測定を行なう。しかも、同一のリード４６とパタ
ーン５０の間の抵抗値の測定を測定の都度、測定後にプ
ローブ４２、４８の少なくとも一方をリード４６又はパ
ターン５０から離し、複数回繰り返して行なう。その
後、それ等の測定値Ｘi と測定回数Ｎから平均値Ｘ0 を
算出し、その平均値Ｘ0 に基づいてリード４６の半田付
け状態の良否の判定を行なう。
に、本発明による実装部品のリードの半田付け不良検出
方法ではＸ軸方向に可動するアーム上に、Ｙ軸方向に可
動するＺ軸ユニットを備え、そのＺ軸ユニットでプロー
ブ４２（４８）をＺ軸方向に可動可能に支持するＸ−Ｙ
ユニットを２組設置してなるインサーキットテスタを用
い、それ等のプローブ４２、４８をプリント基板５２に
実装した電子部品４４のリード４６とパターン５０にそ
れぞれ接触し、そのリード４６とパターン５０の間の抵
抗値の測定を行なう。しかも、同一のリード４６とパタ
ーン５０の間の抵抗値の測定を測定の都度、測定後にプ
ローブ４２、４８の少なくとも一方をリード４６又はパ
ターン５０から離し、複数回繰り返して行なう。その
後、それ等の測定値Ｘi と測定回数Ｎから平均値Ｘ0 を
算出し、その平均値Ｘ0 に基づいてリード４６の半田付
け状態の良否の判定を行なう。
【０００７】又は、平均値Ｘ0 を算出した後、更にそれ
等の測定値Ｘi と測定回数Ｎと平均値Ｘ0 から標準偏差
σを算出し、その標準偏差σに基づいてリード４６の半
田付け状態の良否の判定を行なう。
等の測定値Ｘi と測定回数Ｎと平均値Ｘ0 から標準偏差
σを算出し、その標準偏差σに基づいてリード４６の半
田付け状態の良否の判定を行なう。
【０００８】
【作用】上記のように構成し、同一のリード４６とパタ
ーン５０の間の抵抗値の測定を測定の都度、測定後にプ
ローブ４２、４８の少なくとも一方をリード４６又はパ
ターン５０から離し、複数回繰り返して行なうと、測定
の都度、測定前にプローブ４２、４８の少なくとも一方
がリード４６又はパターン５０に当たるため、リード４
６の半田付け箇所又は半田付けされるべき箇所に直接衝
撃が加わり、振動が伝わる。しかし、半田付けが良好の
場合にはリード４６がパターン５０に良く固着されてい
る。それ故、例えばプローブ４８を繰り返してパターン
５０に当てても、リード４６とパターン５０との導通状
態が影響を受け難く、各測定値Ｘiが小さく、そのばら
つきも小さい。
ーン５０の間の抵抗値の測定を測定の都度、測定後にプ
ローブ４２、４８の少なくとも一方をリード４６又はパ
ターン５０から離し、複数回繰り返して行なうと、測定
の都度、測定前にプローブ４２、４８の少なくとも一方
がリード４６又はパターン５０に当たるため、リード４
６の半田付け箇所又は半田付けされるべき箇所に直接衝
撃が加わり、振動が伝わる。しかし、半田付けが良好の
場合にはリード４６がパターン５０に良く固着されてい
る。それ故、例えばプローブ４８を繰り返してパターン
５０に当てても、リード４６とパターン５０との導通状
態が影響を受け難く、各測定値Ｘiが小さく、そのばら
つきも小さい。
【０００９】ところが、未半田付けのような不良の場合
には、リード４６はパターン５０と単に接触している等
の不安定な状態にある。それ故、プローブ４８を繰り返
してパターン５０に当てると、リード４６とパターン５
０との導通状態が影響を受け易く、測定値Ｘi が大き
く、そのばらつきも大きくなる。そこで、測定値Ｘi と
測定回数Ｎから平均値Ｘ0 を算出すると、その平均値Ｘ
0は未半田付けのように半田付けが不良の場合の方が半
田付けが良好の場合より大きくなる。
には、リード４６はパターン５０と単に接触している等
の不安定な状態にある。それ故、プローブ４８を繰り返
してパターン５０に当てると、リード４６とパターン５
０との導通状態が影響を受け易く、測定値Ｘi が大き
く、そのばらつきも大きくなる。そこで、測定値Ｘi と
測定回数Ｎから平均値Ｘ0 を算出すると、その平均値Ｘ
0は未半田付けのように半田付けが不良の場合の方が半
田付けが良好の場合より大きくなる。
【００１０】しかし、未半田付けのような不良の場合の
平均値Ｘ0 が半田付けが良好の場合の平均値Ｘ0 と比べ
て大きくても、その差が僅かなものがある。このような
場合には平均値Ｘ0 を算出した後、測定値Ｘｉ と測定
回数Ｎと平均値Ｘ0から標準偏差σを算出する。何故な
ら、未半田付けのような不良の場合の標準偏差σは半田
付けが良好の場合の標準偏差σと比べ、その値の桁数が
１つ異なる程大きく相違するからである。
平均値Ｘ0 が半田付けが良好の場合の平均値Ｘ0 と比べ
て大きくても、その差が僅かなものがある。このような
場合には平均値Ｘ0 を算出した後、測定値Ｘｉ と測定
回数Ｎと平均値Ｘ0から標準偏差σを算出する。何故な
ら、未半田付けのような不良の場合の標準偏差σは半田
付けが良好の場合の標準偏差σと比べ、その値の桁数が
１つ異なる程大きく相違するからである。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面に基づいて、本発明の実施例
を説明する。図１は本発明を適用した２組のＸ−Ｙユニ
ットを有するインサーキットテスタによる半田付け状態
検査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパターン
に対する２プローブの配置状態を示す側面図、図２は同
インサーキットテスタの構成を示すブロック図である。
図中、２２はインサーキットテスタ、２４はその操作
部、２６はＸ−Ｙ−Ｚ制御部、２８は測定部、３０はコ
ントローラである。この操作部２４にはキーボード、表
示装置、プリンタ、フロッピーディスクドライバ等の入
出力機器を備える。そして、Ｘ−Ｙ−Ｚ制御部２６は２
組のＸ−Ｙユニット（図示なし）にそれぞれ備えたサー
ボモータ等を駆動し、それ等のＸ−Ｙユニットを制御し
て、各プローブを測定台上でＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向にそ
れぞれ適宜移動する。又、測定部２８は適宜の電圧、電
流信号等を切換器を介して両プローブに与え、それ等の
プローブが接触する例えばフラットパッケージＩＣのリ
ードとパターン間の電圧を検出し、抵抗値等の測定を行
なう。
を説明する。図１は本発明を適用した２組のＸ−Ｙユニ
ットを有するインサーキットテスタによる半田付け状態
検査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパターン
に対する２プローブの配置状態を示す側面図、図２は同
インサーキットテスタの構成を示すブロック図である。
図中、２２はインサーキットテスタ、２４はその操作
部、２６はＸ−Ｙ−Ｚ制御部、２８は測定部、３０はコ
ントローラである。この操作部２４にはキーボード、表
示装置、プリンタ、フロッピーディスクドライバ等の入
出力機器を備える。そして、Ｘ−Ｙ−Ｚ制御部２６は２
組のＸ−Ｙユニット（図示なし）にそれぞれ備えたサー
ボモータ等を駆動し、それ等のＸ−Ｙユニットを制御し
て、各プローブを測定台上でＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向にそ
れぞれ適宜移動する。又、測定部２８は適宜の電圧、電
流信号等を切換器を介して両プローブに与え、それ等の
プローブが接触する例えばフラットパッケージＩＣのリ
ードとパターン間の電圧を検出し、抵抗値等の測定を行
なう。
【００１２】これ等の操作部２４、Ｘ−Ｙ−Ｚ制御部２
６、測定部２８はＣＰＵを備えたコントローラ３０によ
ってそれぞれ制御する。コントローラ３０は例えば図３
に示すようなマイクロコンピュータであり、ＣＰＵ（中
央処理装置）３２、ＲＯＭ（読み出し専用メモリ）３
４、ＲＡＭ（読み出し書き込み可能メモリ）３６、入出
力ポート３８、バスライン４０等から構成されている。
ＣＰＵ３２はマイクロコンピュータの中心となる頭脳部
に相当し、プログラムの命令に従って全体に対する制御
を実行すると共に、算術、論理演算を行ない、その結果
も一時的に記憶する。又、周辺装置に対しても適宜制御
を行なっている。ＲＯＭ３４にはインサーキットテスタ
全体を制御するための制御プログラム等が格納されてい
る。又、ＲＡＭ３６は外部から入力したデータ、実装部
品のリードの半田付け不良検出処理プログラム、各プロ
ーブを用いて測定したデータ、それ等のデータからＣＰ
Ｕ３２で演算したデータ等の各種データを記憶する。入
出力ポート３８には操作部２４、Ｘ−Ｙ−Ｚ制御部２
６、測定部２８等が接続する。バスライン４０はそれ等
を接続するためのアドレスバスライン、データバスライ
ン、制御バスライン等を含み、周辺装置とも適宜結合し
ている。
６、測定部２８はＣＰＵを備えたコントローラ３０によ
ってそれぞれ制御する。コントローラ３０は例えば図３
に示すようなマイクロコンピュータであり、ＣＰＵ（中
央処理装置）３２、ＲＯＭ（読み出し専用メモリ）３
４、ＲＡＭ（読み出し書き込み可能メモリ）３６、入出
力ポート３８、バスライン４０等から構成されている。
ＣＰＵ３２はマイクロコンピュータの中心となる頭脳部
に相当し、プログラムの命令に従って全体に対する制御
を実行すると共に、算術、論理演算を行ない、その結果
も一時的に記憶する。又、周辺装置に対しても適宜制御
を行なっている。ＲＯＭ３４にはインサーキットテスタ
全体を制御するための制御プログラム等が格納されてい
る。又、ＲＡＭ３６は外部から入力したデータ、実装部
品のリードの半田付け不良検出処理プログラム、各プロ
ーブを用いて測定したデータ、それ等のデータからＣＰ
Ｕ３２で演算したデータ等の各種データを記憶する。入
出力ポート３８には操作部２４、Ｘ−Ｙ−Ｚ制御部２
６、測定部２８等が接続する。バスライン４０はそれ等
を接続するためのアドレスバスライン、データバスライ
ン、制御バスライン等を含み、周辺装置とも適宜結合し
ている。
【００１３】図４、５はＰ１〜Ｐ９の各ステップからな
る実装部品のリードの半田付け不良検出処理プログラム
による動作を示すフローチャートである。プリント基板
５２に表面実装半田付けしたフラットパッケージＩＣ４
４に対し、各リード４６の半田付け状態を検査する場
合、２組のＸ−Ｙユニットをそれぞれ制御し、それ等に
備えられている第１、第２プローブ４２、４８を移動し
て、例えばリード群の端にあるリード４６から設定した
順番に従って各リード４６を順に検査する。その際、検
査の対象となるリード４６毎に、先ずＰ１で両プローブ
４２、４８を高く上げ、それ等の先端が移動中に基板５
２に実装した各電子部品の本体等に当たらないようにす
る。又、リード４６の測定した回数を示すカウンタＫを
０に戻す。次に、Ｐ２で第１プローブ４２をリード４６
の肩部の測定点に当たるＸ−Ｙ座標データに従って移動
し、第２プローブ４８をパターン５０の測定点に当たる
Ｘ−Ｙ座標データに従って移動した後、両プローブ４
２、４８をそれぞれＺ軸方向に移動して下ろし、各先端
を対応する測定点にそれぞれ接触する。次に、Ｐ３でリ
ード４６とパターン５０に定電流を流し、リード４６と
パターン５０の間の電圧を検出して抵抗値を測定する。
次にＰ４へ行く。
る実装部品のリードの半田付け不良検出処理プログラム
による動作を示すフローチャートである。プリント基板
５２に表面実装半田付けしたフラットパッケージＩＣ４
４に対し、各リード４６の半田付け状態を検査する場
合、２組のＸ−Ｙユニットをそれぞれ制御し、それ等に
備えられている第１、第２プローブ４２、４８を移動し
て、例えばリード群の端にあるリード４６から設定した
順番に従って各リード４６を順に検査する。その際、検
査の対象となるリード４６毎に、先ずＰ１で両プローブ
４２、４８を高く上げ、それ等の先端が移動中に基板５
２に実装した各電子部品の本体等に当たらないようにす
る。又、リード４６の測定した回数を示すカウンタＫを
０に戻す。次に、Ｐ２で第１プローブ４２をリード４６
の肩部の測定点に当たるＸ−Ｙ座標データに従って移動
し、第２プローブ４８をパターン５０の測定点に当たる
Ｘ−Ｙ座標データに従って移動した後、両プローブ４
２、４８をそれぞれＺ軸方向に移動して下ろし、各先端
を対応する測定点にそれぞれ接触する。次に、Ｐ３でリ
ード４６とパターン５０に定電流を流し、リード４６と
パターン５０の間の電圧を検出して抵抗値を測定する。
次にＰ４へ行く。
【００１４】Ｐ４では測定値Ｘｉを平均値Ｘ0 と標準偏
差σを求める数１、数２にそれぞれ代入する。なお、Ｎ
は設定した測定回数であり、先にキーボードを操作して
設定しておく。次に、Ｐ５でカウンタＫに１を加算す
る。次に、Ｐ６でカウンタＫがＮか判定する。ＮＯの場
合、Ｐ７へ行く。Ｐ７では第１、第２プローブ４２、４
８の少なくとも一方を上げた後、そのプローブ４２又は
４８、或いは４２、４８を下ろす。例えば、図１に示す
ように第１プローブ４２をフラットパッケージＩＣ４４
のリード４６の肩部に接触させたまま、第２プローブ４
８をパターン５０に対して矢印方向に上げ、下げする
（第１方法）。なお、５４はフラットパッケージＩＣ４
４の本体である。次にＰ３へ戻る。
差σを求める数１、数２にそれぞれ代入する。なお、Ｎ
は設定した測定回数であり、先にキーボードを操作して
設定しておく。次に、Ｐ５でカウンタＫに１を加算す
る。次に、Ｐ６でカウンタＫがＮか判定する。ＮＯの場
合、Ｐ７へ行く。Ｐ７では第１、第２プローブ４２、４
８の少なくとも一方を上げた後、そのプローブ４２又は
４８、或いは４２、４８を下ろす。例えば、図１に示す
ように第１プローブ４２をフラットパッケージＩＣ４４
のリード４６の肩部に接触させたまま、第２プローブ４
８をパターン５０に対して矢印方向に上げ、下げする
（第１方法）。なお、５４はフラットパッケージＩＣ４
４の本体である。次にＰ３へ戻る。
【数１】
【数２】
【００１５】このようにして、Ｐ６でＹＥＳと判定され
るまで、即ち設定した回数Ｎの測定が終了するまでＰ３
〜Ｐ７のステップを繰り返す。このため、測定の都度、
測定前に第２プローブ４８がパターン５４に当たって衝
撃が加わり、リード４６の先端部（半田付け箇所又は半
田付けされるべき箇所）に振動が伝わる。その際、半田
付けが良好な場合にはリード４６がパターン５０に良く
固着されているので、第２プローブ４８を繰り返してパ
ターン５０に当てても、リード４６とパターン５０との
導通状態は影響を受け難い。しかし、未半田付けのよう
に半田付けが不良の場合には繰り返して当てると、リー
ド４６はパターン５０と単に接触している等の不安定な
状態にあるので、導通状態が影響を受け易い。Ｐ６でＹ
ＥＳの場合、Ｐ８へ行く。
るまで、即ち設定した回数Ｎの測定が終了するまでＰ３
〜Ｐ７のステップを繰り返す。このため、測定の都度、
測定前に第２プローブ４８がパターン５４に当たって衝
撃が加わり、リード４６の先端部（半田付け箇所又は半
田付けされるべき箇所）に振動が伝わる。その際、半田
付けが良好な場合にはリード４６がパターン５０に良く
固着されているので、第２プローブ４８を繰り返してパ
ターン５０に当てても、リード４６とパターン５０との
導通状態は影響を受け難い。しかし、未半田付けのよう
に半田付けが不良の場合には繰り返して当てると、リー
ド４６はパターン５０と単に接触している等の不安定な
状態にあるので、導通状態が影響を受け易い。Ｐ６でＹ
ＥＳの場合、Ｐ８へ行く。
【００１６】Ｐ８では平均値Ｘ0 と標準偏差σを算出す
る。すると、例えば表１に示すように半田付けが不良の
場合には良好の場合と比べ、１０回分の各測定値Ｘi が
大きく、当然平均値Ｘ0 も大きくなる。しかも、標準偏
差σが大きいので、ばらつきも大きくなる。なお、表１
における第２方法は図６に示すように第２プローブ４８
をパターン５６に接触させたまま、第１プローブ４２を
リード５８に対して矢印方向に上げ、下げして得た値で
あり、第３方法は図７に示すように両プローブ４２、４
８を同時にリード６０とパターン６２に対して上げ、下
げして得た値である。次にＰ９へ行く。
る。すると、例えば表１に示すように半田付けが不良の
場合には良好の場合と比べ、１０回分の各測定値Ｘi が
大きく、当然平均値Ｘ0 も大きくなる。しかも、標準偏
差σが大きいので、ばらつきも大きくなる。なお、表１
における第２方法は図６に示すように第２プローブ４８
をパターン５６に接触させたまま、第１プローブ４２を
リード５８に対して矢印方向に上げ、下げして得た値で
あり、第３方法は図７に示すように両プローブ４２、４
８を同時にリード６０とパターン６２に対して上げ、下
げして得た値である。次にＰ９へ行く。
【表１】
【００１７】Ｐ９では複数個の同一種類の良品の半田付
け良好のリードをそれぞれ適宜サンプルとして得たいず
れかの方法による平均値Ｘ0 を考慮し、又は異なる方法
による平均値Ｘ0 を同時に考慮して、それ等の平均値Ｘ
0 に基づいて基準値Ｓ1 を決定し、その基準値Ｓ1 と測
定したリード４６の平均値Ｘ0 とを比較し、リード４６
の半田付け状態の良否を判定する。その際、表１に示し
た半田付け良好の３本のリードをサンプルに採用する
と、各リードにそれぞれ対応する各方法による平均値Ｘ
0が０．１４２、０．１５４、０．１４３であるから、
基準値Ｓ1 を例えばその最大値より少し大きく０．２と
決定すれば、測定したリード４６の平均値Ｘ0が０．２
未満の場合に半田付け良好とし、０．２以上の場合を不
良と判定できる。すると、表１に示した半田付け不良の
３本のリードはそれ等のリードに対応する各方法による
平均値Ｘ0が０．２５０、０．２９３、０．３９５であ
るから、いずれも当然不良と判定されることになる。
け良好のリードをそれぞれ適宜サンプルとして得たいず
れかの方法による平均値Ｘ0 を考慮し、又は異なる方法
による平均値Ｘ0 を同時に考慮して、それ等の平均値Ｘ
0 に基づいて基準値Ｓ1 を決定し、その基準値Ｓ1 と測
定したリード４６の平均値Ｘ0 とを比較し、リード４６
の半田付け状態の良否を判定する。その際、表１に示し
た半田付け良好の３本のリードをサンプルに採用する
と、各リードにそれぞれ対応する各方法による平均値Ｘ
0が０．１４２、０．１５４、０．１４３であるから、
基準値Ｓ1 を例えばその最大値より少し大きく０．２と
決定すれば、測定したリード４６の平均値Ｘ0が０．２
未満の場合に半田付け良好とし、０．２以上の場合を不
良と判定できる。すると、表１に示した半田付け不良の
３本のリードはそれ等のリードに対応する各方法による
平均値Ｘ0が０．２５０、０．２９３、０．３９５であ
るから、いずれも当然不良と判定されることになる。
【００１８】しかし、未半田付けのような不良の場合の
平均値Ｘ0 が半田付け良好の場合の平均値Ｘ0 と比べて
大きくても、その差が僅かなものがある。そのような場
合には半田付け良好のリードサンプルの平均値Ｘ0 から
基準値Ｓ1 を定めても、測定したリード４６の半田付け
状態の良否を判定し難いので、半田付け良好のリードサ
ンプルの標準偏差σから基準値Ｓ2 を決定し、その基準
値Ｓ2 と測定したリード４６の標準偏差σとを比較し、
リード４６の半田付け状態の良否を判定する。何故な
ら、表１から明らかなように未半田付けのような不良の
場合の標準偏差σは半田付け良好の場合の標準偏差σと
比べ、通常値の桁数が１つ異なる程大きく相違するから
である。
平均値Ｘ0 が半田付け良好の場合の平均値Ｘ0 と比べて
大きくても、その差が僅かなものがある。そのような場
合には半田付け良好のリードサンプルの平均値Ｘ0 から
基準値Ｓ1 を定めても、測定したリード４６の半田付け
状態の良否を判定し難いので、半田付け良好のリードサ
ンプルの標準偏差σから基準値Ｓ2 を決定し、その基準
値Ｓ2 と測定したリード４６の標準偏差σとを比較し、
リード４６の半田付け状態の良否を判定する。何故な
ら、表１から明らかなように未半田付けのような不良の
場合の標準偏差σは半田付け良好の場合の標準偏差σと
比べ、通常値の桁数が１つ異なる程大きく相違するから
である。
【００１９】そこで、表１より半田付け良好の３本のリ
ードサンプルに対する各方法による標準偏差σが０．０
０２６４、０．００２０６、０．００７４２であるか
ら、基準値Ｓ2 を例えばその最大値より少し大きく０．
０１と決定すれば、測定したリード４６の標準偏差σが
０．０１未満の場合に半田付けを良好とし、０．０１以
上の場合を不良と判定できる。このようにして、１つの
リード４６に対する半田付けの良否の判定が終了した
ら、次の設定順位にあるリード４６の検査に移り、同様
の判定を繰り返して行なって行く。
ードサンプルに対する各方法による標準偏差σが０．０
０２６４、０．００２０６、０．００７４２であるか
ら、基準値Ｓ2 を例えばその最大値より少し大きく０．
０１と決定すれば、測定したリード４６の標準偏差σが
０．０１未満の場合に半田付けを良好とし、０．０１以
上の場合を不良と判定できる。このようにして、１つの
リード４６に対する半田付けの良否の判定が終了した
ら、次の設定順位にあるリード４６の検査に移り、同様
の判定を繰り返して行なって行く。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、請求項１
では同一のリードとパターン間の抵抗値の測定を測定の
都度、測定前にプローブの少なくとも一方をリード又は
パターンに当てながら、複数回繰り返して行なうため、
測定毎にリードの半田付け箇所又は半田付けされるべき
箇所に直接衝撃を加え、振動を伝えて、半田付けが良好
な場合と未半田付けのような不良の場合とでリードとパ
ターンとの導通状態に異なる影響を与えることができ
る。それ故、通常半田付けが良好の場合には各測定値が
小さく、そのばらつきも小さくなるのに対し、未半田付
けのように半田付けが不良の場合には、各測定値が大き
く、そのばらつきも大きくなって、半田付けが不良の場
合の方が半田付けが良好の場合より平均値が大きくなる
ので、測定したリードの平均値を算出することにより、
未半田付けのような半田付け不良状態を良好に検出でき
る。
では同一のリードとパターン間の抵抗値の測定を測定の
都度、測定前にプローブの少なくとも一方をリード又は
パターンに当てながら、複数回繰り返して行なうため、
測定毎にリードの半田付け箇所又は半田付けされるべき
箇所に直接衝撃を加え、振動を伝えて、半田付けが良好
な場合と未半田付けのような不良の場合とでリードとパ
ターンとの導通状態に異なる影響を与えることができ
る。それ故、通常半田付けが良好の場合には各測定値が
小さく、そのばらつきも小さくなるのに対し、未半田付
けのように半田付けが不良の場合には、各測定値が大き
く、そのばらつきも大きくなって、半田付けが不良の場
合の方が半田付けが良好の場合より平均値が大きくなる
ので、測定したリードの平均値を算出することにより、
未半田付けのような半田付け不良状態を良好に検出でき
る。
【００２１】請求項２では、標準偏差は未半田付けのよ
うな不良の場合の方が半田付け良好の場合より、通常値
の桁数が１つ異なる程大きく相違するので、例え平均値
が未半田付けのような不良の場合の方が半田付け良好の
場合より大きくても、その差が僅かなものでは、特に測
定したリードの標準偏差を算出することにより、未半田
付けのような半田付け不良状態を一層良好に検出でき
る。
うな不良の場合の方が半田付け良好の場合より、通常値
の桁数が１つ異なる程大きく相違するので、例え平均値
が未半田付けのような不良の場合の方が半田付け良好の
場合より大きくても、その差が僅かなものでは、特に測
定したリードの標準偏差を算出することにより、未半田
付けのような半田付け不良状態を一層良好に検出でき
る。
【図１】本発明を適用した２組のＸ−Ｙユニットを有す
るインサーキットテスタによる半田付け状態検査直前の
フラットパッケージＩＣのリードとパターンに対する２
プローブの配置状態を示す側面図である。
るインサーキットテスタによる半田付け状態検査直前の
フラットパッケージＩＣのリードとパターンに対する２
プローブの配置状態を示す側面図である。
【図２】同インサーキットテスタの構成を示すブロック
図である。
図である。
【図３】同インサーキットテスタに備えるコントローラ
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図４】同コントローラのメモリに格納する実装部品の
リードの半田付け不良検出処理プログラムの前段部分に
よる動作を示すフローチャートである。
リードの半田付け不良検出処理プログラムの前段部分に
よる動作を示すフローチャートである。
【図５】同実装部品のリードの半田付け不良検出処理プ
ログラムの後段部分による動作を示すフローチャートで
ある。
ログラムの後段部分による動作を示すフローチャートで
ある。
【図６】同インサーキットテスタによる半田付け状態検
査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパターンに
対する２プローブの他の配置状態を示す側面図である。
査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパターンに
対する２プローブの他の配置状態を示す側面図である。
【図７】同インサーキットテスタによる半田付け状態検
査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパターンに
対する２プローブの別の配置状態を示す側面図である。
査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパターンに
対する２プローブの別の配置状態を示す側面図である。
【図８】従来のインサーキットテスタによる半田付け状
態検査時のフラットパッケージＩＣのリードとパターン
に対する２プローブの配置状態を示す側面図である。
態検査時のフラットパッケージＩＣのリードとパターン
に対する２プローブの配置状態を示す側面図である。
【図９】従来のインサーキットテスタによる半田付け状
態検査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパター
ンに対する２プローブの配置状態を示す側面図である。
態検査直前のフラットパッケージＩＣのリードとパター
ンに対する２プローブの配置状態を示す側面図である。
２２…インサーキットテスタ ２４…操作部 ２６…Ｘ
−Ｙ−Ｚ制御部 ２８…測定部 ３０…コントローラ
３２…ＣＰＵ ４２、４８…プローブ ４４…ＩＣ ４
６、５８、６０…リード ５０、５６、６２…パターン
５２…被検査基板
−Ｙ−Ｚ制御部 ２８…測定部 ３０…コントローラ
３２…ＣＰＵ ４２、４８…プローブ ４４…ＩＣ ４
６、５８、６０…リード ５０、５６、６２…パターン
５２…被検査基板
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ軸方向に可動するアーム上に、Ｙ軸方
向に可動するＺ軸ユニットを備え、そのＺ軸ユニットで
プローブをＺ軸方向に可動可能に支持するＸ−Ｙユニッ
トを２組設置してなるインサーキットテスタを用い、そ
れ等のプローブをプリント基板に実装した電子部品のリ
ードとパターンにそれぞれ接触し、そのリードとパター
ン間の抵抗値を測定し、その測定値に基づいてリードの
半田付け状態の良否を判定する実装部品のリードの半田
付け不良検出方法において、上記同一のリードとパター
ン間の抵抗値の測定を測定の都度、測定後にプローブの
少なくとも一方をリード又はパターンから離し、複数回
繰り返して行ない、それ等の測定値と測定回数から平均
値を算出し、その平均値に基づいてリードの半田付け状
態の良否を判定することを特徴とする実装部品のリード
の半田付け不良検出方法。 - 【請求項２】 Ｘ軸方向に可動するアーム上に、Ｙ軸方
向に可動するＺ軸ユニットを備え、そのＺ軸ユニットで
プローブをＺ軸方向に可動可能に支持するＸ−Ｙユニッ
トを２組設置してなるインサーキットテスタを用い、そ
れ等のプローブをプリント基板に実装した電子部品のリ
ードとパターンにそれぞれ接触し、そのリードとパター
ン間の抵抗値を測定し、その測定値に基づいてリードの
半田付け状態の良否を判定する実装部品のリードの半田
付け不良検出方法において、上記同一のリードとパター
ン間の抵抗値の測定を測定の都度、測定後にプローブの
少なくとも一方をリード又はパターンから離し、複数回
繰り返して行ない、それ等の測定値と測定回数から平均
値を算出し、更にそれ等の測定値と測定回数と平均値か
ら標準偏差を算出し、その標準偏差に基づいてリードの
半田付け状態の良否を判定することを特徴とする実装部
品のリードの半田付け不良検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32110393A JP3276755B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 実装部品のリードの半田付け不良検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32110393A JP3276755B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 実装部品のリードの半田付け不良検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146322A true JPH07146322A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3276755B2 JP3276755B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=18128859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32110393A Expired - Fee Related JP3276755B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 実装部品のリードの半田付け不良検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276755B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014098345A1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | (주)온테스트 | 전자기기의 접촉부 균열 검출 장치 및 방법 |
| JP2014115252A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Hioki Ee Corp | 検査装置および検査方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3473485B2 (ja) | 1999-04-08 | 2003-12-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP32110393A patent/JP3276755B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014115252A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Hioki Ee Corp | 検査装置および検査方法 |
| WO2014098345A1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | (주)온테스트 | 전자기기의 접촉부 균열 검출 장치 및 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3276755B2 (ja) | 2002-04-22 |
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