JP4422038B2 - 測定方法および測定装置 - Google Patents

Description

本発明は、測定対象体の電気的パラメータを測定する測定方法および測定装置に関するものである。

この種の測定方法として、出願人は、特開２００３−１４８０７号公報において、回路基板に形成されている測定対象体としての導体パターンについての電気的パラメータ（対電極間静電容量）を測定する測定方法（静電容量測定方法）を開示している。この静電容量測定方法では、まず、導体パターン上に規定された測定ポイントからプローブを若干離間させ、この状態でのプローブについての浮遊容量を測定する。次いで、測定ポイントにプローブを接触させ、この状態で測定ポイントにおける対電極間静電容量を測定する。最後に、測定した対電極間静電容量から浮遊容量を差し引き、この差分容量を浮遊容量の影響を排除した測定ポイントにおける正規の対電極間静電容量として算出している。

ところで、上記の静電容量測定方法では、測定ポイントにおける正規の静電容量（対電極間静電容量）を算出するに際して、導体パターンに規定された測定ポイントからプローブを若干離間させた状態でプローブの浮遊容量を測定する必要がある。このため、従来では、回路基板が載置される載置台の表面から所定距離（回路基板の厚みと導体パターンの厚みとの合計値を超える距離）だけ上方の所定位置にプローブを移動させることにより、導体パターンの表面からプローブを若干離間させている。この場合、プローブの浮遊容量をより正確に測定するために、導体パターンの表面とプローブとの間の距離ができる限り短くなるように上記の所定距離を規定している。しかしながら、回路基板に反りが発生する場合があり、この反りが小さいときには、上記の所定位置に移動されたプローブと導体パターンとが非接触の状態を維持できるものの、この反りが大きいときには、プローブが導体パターンに接触することがあり、プローブの浮遊容量を正確に測定できない結果、正規の静電容量を正確に算出するのが困難となるという課題が生じる。

この場合、出願人が特開２００２−１４１３４号公報において開示している方法、すなわち、プローブが導体パターンに接触しているときの静電容量と、接触していないときの静電容量とが互いに相違するという現象を利用してプローブと導体パターンとの接触状態を判別する方法を採用することにより、プローブが導体パターンの表面に接触していない状態のときにのみプローブの浮遊容量を測定することで、上記の課題を解決することが可能となる。
特開２００３−１４８０７号公報（第３頁） 特開２００２−１４１３４号公報（第３−４頁）

しかしながら、上記の静電容量に基づくプローブと導体パターンとの接触状態の判別方法では、例えば、プローブと接触する導体パターンの面積が小さいときには、プローブが導体パターンに接触しているときの静電容量と、接触していないときの静電容量との差が非常に小さいため、プローブが導体パターンに接触している否かを正確に判別できないことがあり、これを改善するのが好ましい。

本発明は、かかる解決すべき課題に鑑みてなされたものであり、プローブと導体パターンとの接触を正確に判別して測定対象体の電気的パラメータを正確に測定し得る測定方法および測定装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の測定方法は、測定対象体の各端部近傍に規定された所定位置に配置した状態の一対のプローブ間の電気的パラメータを測定し、次いで、前記測定対象体の前記各端部と当該各端部に電気的に接続された導体とのいずれかの部位に前記一対のプローブをそれぞれ接触させて当該一対のプローブ間の電気的パラメータを測定し、前記各電気的パラメータに基づいて前記測定対象体の電気的パラメータを算出する測定方法であって、前記一対のプローブを前記所定位置に配置した状態において、当該一対のプローブ間のインピーダンスおよびアドミタンスのいずれか一方を前記電気的パラメータとして測定し、当該いずれか一方の実部と予め設定された基準値とに基づいて前記いずれかの部位と前記所定位置に位置する当該一対のプローブとの接触状態を判別する。

また、請求項２記載の測定装置は、一対のプローブと、前記一対のプローブを移動させる移動機構と、前記一対のプローブ間の電気的パラメータを測定する測定部と、前記移動機構を作動させて測定対象体の各端部近傍に規定された所定位置に前記一対のプローブをそれぞれ配置させると共に前記測定部を作動させて当該一対のプローブ間の電気的パラメータを測定させる第１の測定処理、並びに前記移動機構を作動させて前記一対のプローブを前記測定対象体の前記各端部および当該各端部に電気的に接続された導体のいずれかの部位にそれぞれ接触させると共に前記測定部を作動させて当該一対のプローブ間の電気的パラメータを測定させて前記各電気的パラメータに基づいて前記測定対象体の電気的パラメータを算出する第２の測定処理を実行する制御部とを備え、前記制御部は、前記一対のプローブを前記所定位置に配置させた状態において、前記測定部を作動させて当該一対のプローブ間のインピーダンスおよびアドミタンスのいずれか一方を前記電気的パラメータとして測定させると共に、当該いずれか一方の実部と予め設定された基準値とに基づいて前記いずれかの部位と前記所定位置に移動させた当該一対のプローブとの接触状態を判別する。

請求項１，２記載の測定方法および測定装置によれば、一対のプローブを所定位置に配置させた状態において、その一対のプローブ間のインピーダンスおよびアドミタンスのいずれか一方を電気的パラメータとして測定させると共に、そのいずれか一方の実部と基準値とに基づいていずれかの部位と所定位置に移動させた一対のプローブとの接触状態を判別することにより、各プローブを接触させる例えば各導体パターンの面積が小さいときであっても、各導体パターンと各プローブとの接触状態を正確に判別して測定対象体の電気的パラメータを正確に測定することができる。したがって、所定位置にそれぞれ移動された各プローブの少なくとも一方が各導体パターンと接触している状態において、各プローブと各導体パターンとが非接触と誤って判別して各プローブ間の電気的パラメータを測定することによる不都合を確実に回避することができる。具体的には、不正確な電気的パラメータ（例えば静電容量）を算出して、その結果として測定対象体に対する検査を正常に実行できないという不具合や、逆に、所定位置にそれぞれ移動された各プローブと各導体パターンとが非接触である状態において、各プローブの少なくとも一方が各導体パターンと接触していると誤って判別して各プローブ間の電気的パラメータ（例えば浮遊容量）を測定しないことに起因して、測定対象体に対する検査が実行されないという不具合を確実に回避することができる。したがって、この測定方法および測定装置を例えば回路基板検査装置適用した場合、この回路基板検査装置によれば、回路基板に対する正確な検査を確実に実行することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係る測定方法および測定装置の最良の形態について説明する。一例として、この測定装置を回路基板検査装置に適用した例を挙げて説明する。この場合、この回路基板検査装置は、この測定方法を利用して、回路基板に実装されている各電子部品の電気的パラメータ（本例では一例として静電容量）を測定し、測定した静電容量に基づいて各電子部品を検査することにより、各電子部品が実装されている回路基板を検査する。

最初に、回路基板検査装置１の構成について説明する。

回路基板検査装置１は、図１に示すように、検査用のプローブ３，４、プローブ移動機構（以下、「移動機構」ともいう）５ａ，５ｂ、測定部６、制御部７、ＲＡＭ８およびＲＯＭ９を備えて構成されている。プローブ３，４は、接触型プローブであって、プローブ固定具３ａ，４ａを介して移動機構５ａ，５ｂにそれぞれ取り付けられると共に測定部６にそれぞれ接続されている。移動機構５ａ，５ｂは、制御部７の制御下でプローブ３，４を上下左右に移動させることにより、回路基板２の表面、および回路基板２の上方領域における任意の位置にプローブ３，４を移動可能に構成されている。例えば、移動機構５ａ，５ｂは、回路基板２の表面に形成された各導体パターンＰ１，Ｐ２（本発明における導体）上に予め規定されている各測定ポイントにプローブ３，４を移動させて、プローブ３，４の先端部を各測定ポイントにそれぞれ接触させる。この場合、各導体パターンＰ１，Ｐ２は検査対象体（本発明における測定対象体）としての電子部品１０の各リード１０ａ，１０ｂ（本発明における各端部）が取り付け可能なランドパターンにそれぞれ形成され、電子部品１０は、各リード１０ａ，１０ｂが各導体パターンＰ１，Ｐ２に半田付けされて電気的に接続された状態で回路基板２に実装されている。なお、図示はしないが、回路基板２には、複数の電子部品１０が同様にして実装されている。

測定部６は、制御部７の制御に従って一対のプローブ３，４および各導体パターンＰ１，Ｐ２を介して電子部品１０に測定用交流電圧を印加する。また、測定部６は、測定用交流電圧の印加時において電子部品１０に流れる電流を測定すると共に、その電流と測定用交流電圧との間の位相差も測定する。また、測定部６は、測定用交流電圧と、測定した電流および位相差とに基づいて、一対のプローブ３，４間のインピーダンスＺを測定して制御部７に出力する。

制御部７は、移動機構５ａ，５ｂおよび測定部６の動作を制御する。また、制御部７は、入力したインピーダンスＺに基づいて、一対のプローブ３，４間の浮遊容量を測定する浮遊容量測定処理（本発明における第１の測定処理）と、電子部品１０の静電容量を測定する静電容量測定処理（本発明における第２の測定処理）と、測定した静電容量に基づいて電子部品１０を検査する検査処理とを実行する。ＲＡＭ８は、測定部６によって測定されたインピーダンスＺを一時的に記憶すると共に、上記各処理において制御部７によってワーキングメモリとして使用される。また、ＲＡＭ８は、プローブ３，４を接触させるべき導体パターンＰ１，Ｐ２の位置（測定ポイントの位置）を特定可能な位置データ、および良品の基板から吸収した各電子部品１０についての検査用の基準データなどを記憶する。ＲＯＭ９は、制御部７の動作プログラムを記憶する。

次に、回路基板検査装置１による回路基板２の検査動作について、図面を参照して説明する。

まず、図１に示すように、電子部品１０の実装面をプローブ３，４側に向けて回路基板２を配置する。本例では、一例として、各プローブ３，４の下方に、実装面を上に向けた状態で回路基板２を水平に配置する。

次いで、制御部７が、図４に示す浮遊容量測定処理を開始する。この処理では、制御部７は、移動機構５ａ，５ｂを制御することにより、電子部品１０に対して予め規定された浮遊容量測定位置Ｗ１，Ｗ２（図２，３参照。以下、位置Ｗ１，Ｗ２ともいう）に各プローブ３，４を移動して配置させる（ステップ５０）。この場合、各位置Ｗ１，Ｗ２は、本発明における所定位置であって、回路基板２に反りが生じていないときには、図２に示すように、各位置Ｗ１，Ｗ２に位置している各プローブ３，４が導体パターンＰ１，Ｐ２の表面に規定されている測定ポイントから垂直方向にわずかな距離Ｌだけそれぞれ離れ、かつ、回路基板２に許容範囲を超える反りが生じているときには、図３に実線で示すように、各プローブ３，４のうちの少なくとも一方が導体パターンＰ１，Ｐ２の測定ポイントに接触するように予め規定されている。なお、同図では、一例として各プローブ３，４が共に導体パターンＰ１，Ｐ２に接触している状態を図示し、反りが生じていない状態を破線で図示している。また、この位置Ｗ１，Ｗ２は、回路基板２を垂直に配置して検査する際には、回路基板２に反りが生じていない状態において、導体パターンＰ１の測定ポイントから水平方向に距離Ｌだけ離れた位置に規定される。

次いで、制御部７は、各位置Ｗ１，Ｗ２に配置した状態の一対のプローブ３，４間のインピーダンスＺを測定部６に測定させると共に測定されたインピーダンスＺをＲＡＭ８に記憶させる（ステップ５１）。続いて、制御部７は、このインピーダンスＺの実部Ｒｏの値に基づいて、各プローブ３，４の少なくとも一方が、対応する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触しているか否か、すなわち回路基板２に反りが発生しているか否かを判別する（ステップ５２）。具体的には、制御部７は、インピーダンスＺの実部Ｒｏの値が、予め設定されている基準値Ｒｒｅｆを下回っているときには、各プローブ３，４のうちの少なくとも一方が、対応する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触している（回路基板２に反りが発生している）と判別し、基準値Ｒｒｅｆを上回ったときには、各プローブ３，４の双方が、対応する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触していない（回路基板２に反りが発生していない）と判別する。

次に、インピーダンスＺの実部Ｒｏと基準値Ｒｒｅｆとに基づいて、各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２との間の接触状態を判別し得る原理について説明する。まず、図５に示すように、一対のプローブ３，４間の絶縁抵抗をＲａｂとし、プローブ３と導体パターンＰ１との間の抵抗をＲａとし、プローブ４と導体パターンＰ２との間の抵抗をＲｂとし、電子部品１０の抵抗をＲｚとしたときに、測定部６側から見た一対のプローブ３，４間のインピーダンスＺの実部Ｒｏは、下記の式（１）で表される。
Ｒｏ＝Ｒａｂ×Ｒｓ／（Ｒａｂ＋Ｒｓ） ・・・・（１）
ただし、Ｒｓ＝Ｒａ＋Ｒｂ＋Ｒｚ

この場合、プローブ３と導体パターンＰ１との間の抵抗Ｒａは、プローブ３と導体パターンＰ１とが非接触のときには例えば数１００ｋΩ〜数ＭΩ程度になり、一方、プローブ３と導体パターンＰ１とが接触しているときにはほぼゼロΩになるというように、非接触時と接触時とでその値が導体パターンＰ１の面積の大小を問わず大きく変化する。同様にして、プローブ４と導体パターンＰ２との間の抵抗Ｒｂも同じように変化する。また、絶縁抵抗Ｒａｂは数百ＭΩであり、電子部品１０の抵抗値は絶縁抵抗Ｒａｂの抵抗値よりも十分に小さい数ｋΩ程度である。このため、例えば、各プローブ３，４の一方が、対応する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触しているときのインピーダンスＺの実部Ｒｏの値をＲｏ１とし、各プローブ３，４の双方が、対応する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触していないときのインピーダンスＺの実部Ｒｏの値をＲｏ２としたときに、各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２とが非接触のときと接触しているときとで抵抗Ｒａ，Ｒｂの値が上記したように大きく変化することから、各値Ｒｏ１と値Ｒｏ２とは大きく相違する。

したがって、Ｒｏ２＞Ｒｒｅｆ＞Ｒｏ１となるように基準値Ｒｒｅｆを予め設定しておくことにより、プローブ３，４に接触する導体パターンの面積によってはプローブ３，４が導体パターンに接触している否かを正確に判別するのが困難な従来技術とは異なり、導体パターンの面積の大小を問わず、実部Ｒｏが基準値Ｒｒｅｆを上回ったときには、各プローブ３，４の双方が導体パターンＰ１，Ｐ２に接触していないと確実に判別でき、実部Ｒｏが基準値Ｒｒｅｆを下回ったときには、各プローブ３，４のうちの少なくとも一方が、対向する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触していると確実に判別することができる。本例では、一例として各値Ｒｏ１，Ｒｏ２の中間値を基準値Ｒｒｅｆとして設定することにより、各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２との接触状態が制御部７によって確実かつ正確に判別される。

このステップ５２における判別の結果、各プローブ３，４のうちの少なくとも一方が、対向する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触している、つまり回路基板２が反っていると判別したときには、制御部７は、その旨を示す情報を電子部品１０の識別情報に対応させてＲＡＭ８に記憶させる（ステップ５３）。一方、各プローブ３，４の双方ともに、対向する導体パターンＰ１，Ｐ２に接触していない、つまり回路基板２が反っていないと判別したときには、制御部７は、インピーダンスＺに基づいて、プローブ３，４間の浮遊容量Ｃｓを算出し、算出した浮遊容量Ｃｓを電子部品１０の識別情報に対応させてＲＡＭ８に記憶させる（ステップ５４）。以上により、浮遊容量測定処理が完了する

続いて、制御部７は、浮遊容量Ｃｓを算出した電子部品１０に対して、図６に示す静電容量測定処理を開始する。この処理では、制御部７は、移動機構５ａ，５ｂを制御することにより、各プローブ３，４を各位置Ｗ１，Ｗ２からさらに導体パターンＰ１，Ｐ２側（本例では下方）に移動させると共に、電子部品１０に対して予め規定された静電容量測定位置Ｘ１，Ｘ２（本発明における測定対象体の各端部と導体とのいずれかの部位に相当する。図７参照。以下、位置Ｘ１，Ｘ２ともいう）に各プローブ３，４が達したときに移動を停止させる（ステップ６０）。この場合、各位置Ｘ１，Ｘ２は、図７に示すように、回路基板２に反りが生じていないときに、各位置Ｘ１，Ｘ２に位置している各プローブ３，４（各プローブ３，４の先端）が導体パターンＰ１，Ｐ２の表面に規定されている各測定ポイントに確実に接触するように予め規定されている。したがって、ステップ６０の終了時において、各プローブ３，４は、対応する導体パターンＰ１，Ｐ２の各測定ポイントにそれぞれ確実に接触している。

次いで、制御部７は、測定部６に対して一対のプローブ３，４間のインピーダンスＺを測定させると共に、測定されたインピーダンスＺに基づいて、一対のプローブ３，４間の静電容量Ｃを算出する（ステップ６１）。次いで、制御部７は、上記の浮遊容量測定処理において算出した浮遊容量ＣｓをＲＡＭ８から読み出すと共に、ステップ６１で算出した静電容量Ｃから浮遊容量Ｃｓを減算し、この減算して求めた静電容量を電子部品１０についての正規の静電容量ＣｆとしてＲＡＭ８に記憶させて（ステップ６２）、この静電容量測定処理を終了する。

制御部７は、残りの電子部品１０に対して上記した浮遊容量測定処理と静電容量測定処理とを実行して、すべての電子部品１０毎に、回路基板２の反りの有無についての情報をＲＡＭ８に記憶させると共に、回路基板２に反りが生じていないときには静電容量ＣｆもＲＡＭ８に記憶させる。

最後に、制御部７は、ＲＡＭ８に保存した正規の静電容量Ｃｆと、ＲＡＭ８に保存されている良品の回路基板から吸収した検査用の基準データ（基準静電容量）とを比較して、測定した正規の静電容量Ｃｆに基づいて電子部品１０に対する検査処理を実行する。具体的には、制御部７は、正規の静電容量Ｃｆが基準静電容量に対して所定の許容範囲内のときには、電子部品１０が正常と検査し、許容範囲を外れているときには、電子部品１０が不良と検査する。以上により、回路基板２の検査処理を実行する。

このように、この回路基板検査装置１によれば、制御部７が、一対のプローブ３，４を位置Ｗ１，Ｗ２にそれぞれ移動させた状態において、測定部６を作動させて各プローブ３，４間のインピーダンスＺを測定させると共に、各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２とが非接触のときと接触しているときとで値が大きく変化する各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２との間の各抵抗Ｒａ，Ｒｂをそれぞれパラメータの一部に含むインピーダンスＺの実部Ｒｏと予め設定された基準値Ｒｒｅｆとに基づいて各導体パターンＰ１，Ｐ２と各プローブ３，４との接触状態を判別することにより、各導体パターンＰ１，Ｐ２の面積が小さいときであっても、各導体パターンＰ１，Ｐ２と各プローブ３，４との接触状態を正確に判別して電子部品１０の電気的パラメータ（この例では静電容量）を正確に測定することができる。したがって、浮遊容量測定処理において、位置Ｗ１，Ｗ２にそれぞれ移動された各プローブ３，４の少なくとも一方が各導体パターンＰ１，Ｐ２と接触している状態において、各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２とが非接触と誤って判別して各プローブ３，４間の浮遊容量Ｃｓを測定することによる不都合を確実に回避することができる。具体的には、静電容量測定処理において不正確な静電容量Ｃｆを算出して、その結果として電子部品１０に対する検査を正常に実行できないという不具合や、逆に、浮遊容量測定処理において、位置Ｗ１，Ｗ２にそれぞれ移動された各プローブ３，４と各導体パターンＰ１，Ｐ２とが非接触である状態において、各プローブ３，４の少なくとも一方が各導体パターンＰ１，Ｐ２と接触していると誤って判別して各プローブ３，４間の浮遊容量Ｃｓを測定しないことに起因して、電子部品１０に対する検査が実行されないという不具合を確実に回避することができる。したがって、この回路基板検査装置１によれば、回路基板２に対する正確な検査を確実に実行することができる。

なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、電子部品１０の静電容量を測定すると共に、この静電容量に基づいて電子部品１０の検査を実行する構成について説明したが、各プローブ３，４を各位置Ｗ１，Ｗ２に移動させた状態で測定した各プローブ３，４間のインピーダンスＺの実部から各プローブ３，４間の抵抗を求め、次いで、各プローブ３，４を各位置Ｘ１，Ｘ２に移動させた状態で測定した各プローブ３，４間のインピーダンスＺの実部から各プローブ３，４間の抵抗を求め、続いて、求めた両抵抗に基づいて電子部品１０の正規の抵抗を算出し、この算出した正規の抵抗に基づいて電子部品１０の検査を実行することもできる。また、上記の構成では、測定部６がインピーダンスＺを各プローブ３，４間の電気的パラメータとして測定しているが、インピーダンスＺに代えてアドミタンスを測定することもできる。また、各プローブ３，４を、各リード１０ａ，１０ｂに電気的に接続された対応する各導体パターンＰ１，Ｐ２にそれぞれ接触させているが、この各リード１０ａ，１０ｂに接触させることもできる。また、回路基板２に実装されている電子部品１０を検査対象体（測定対象体）としているが、回路基板２に形成されている導体パターンを検査対象体（測定対象体）とすることもできる。また、回路基板検査装置を例に挙げて説明したが、例えば静電容量測定装置や抵抗測定装置などの種々の電気的パラメータを測定する装置にも本発明を適用できるのは勿論である。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。 各位置Ｗ１，Ｗ２に各プローブ３，４が位置している状態における電子部品１０近傍の回路基板２等の部分拡大図である（回路基板２に反りが生じていない状態）。 各位置Ｗ１，Ｗ２に各プローブ３，４が位置している状態における電子部品１０近傍の回路基板２等の部分拡大図である（回路基板２に反りが生じている状態）。 浮遊容量測定処理のフローチャートである。 インピーダンスＺの実部Ｒｏに含まれる各パラメータを説明するための説明図である。 静電容量測定処理のフローチャートである。 各位置Ｘ１，Ｘ２に各プローブ３，４が位置している状態における電子部品１０近傍の回路基板２等の部分拡大図である。

符号の説明

１ 回路基板検査装置
３，４ プローブ
５ａ，５ｂ 移動機構
６ 測定部
７ 制御部
１０ 電子部品
Ｐ１，Ｐ２ 導体パターン
Ｗ１，Ｗ２ 浮遊容量測定位置
Ｘ１，Ｘ２ 静電容量測定位置

Claims (2)

1. 測定対象体の各端部近傍に規定された所定位置に配置した状態の一対のプローブ間の電気的パラメータを測定し、次いで、前記測定対象体の前記各端部と当該各端部に電気的に接続された導体とのいずれかの部位に前記一対のプローブをそれぞれ接触させて当該一対のプローブ間の電気的パラメータを測定し、前記各電気的パラメータに基づいて前記測定対象体の電気的パラメータを算出する測定方法であって、
   前記一対のプローブを前記所定位置に配置した状態において、当該一対のプローブ間のインピーダンスおよびアドミタンスのいずれか一方を前記電気的パラメータとして測定し、当該いずれか一方の実部と予め設定された基準値とに基づいて前記いずれかの部位と前記所定位置に位置する当該一対のプローブとの接触状態を判別する測定方法。
2. 一対のプローブと、前記一対のプローブを移動させる移動機構と、前記一対のプローブ間の電気的パラメータを測定する測定部と、前記移動機構を作動させて測定対象体の各端部近傍に規定された所定位置に前記一対のプローブをそれぞれ配置させると共に前記測定部を作動させて当該一対のプローブ間の電気的パラメータを測定させる第１の測定処理、並びに前記移動機構を作動させて前記一対のプローブを前記測定対象体の前記各端部および当該各端部に電気的に接続された導体のいずれかの部位にそれぞれ接触させると共に前記測定部を作動させて当該一対のプローブ間の電気的パラメータを測定させて前記各電気的パラメータに基づいて前記測定対象体の電気的パラメータを算出する第２の測定処理を実行する制御部とを備え、
   前記制御部は、前記一対のプローブを前記所定位置に配置させた状態において、前記測定部を作動させて当該一対のプローブ間のインピーダンスおよびアドミタンスのいずれか一方を前記電気的パラメータとして測定させると共に、当該いずれか一方の実部と予め設定された基準値とに基づいて前記いずれかの部位と前記所定位置に移動させた当該一対のプローブとの接触状態を判別する測定装置。

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