KR20110053658A - 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법 - Google Patents

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KR20110053658A
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이승섭
임순규
박인경
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법에 관한 것으로, 기판의 검사대상 회로패턴에 접촉하여 전압을 입력하기 위한 핀 프로브, 상기 검사대상 회로패턴과 전기적으로 연결될 연결 회로패턴에 비접촉 대향하는 막 전극을 구비하며, 상기 연결 회로패턴으로부터 상기 막 전극에 작용하는 정전 인력에 의한 전극 간 변위 변화에 의해 발생되는 정전용량 및 정전용량 변화를 감지하기 위한 커패시터 센서, 및 상기 커패시터 센서와 연결되며, 상기 커패시터 센서로부터 입력되는 막 전극의 변위에 의한 정전용량을 측정하기 위한 정전용량 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하고, 연결 회로패턴에 커패시터 센서가 비접촉식으로 설치되어 접촉 압력에 의한 오측정의 경우를 줄이고, 측정 시간을 절감하는 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법을 제공한다.
회로패턴 결함, 비접촉식, 커패시터 센서, 막 전극

Description

기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법{INSPECTION APPARATUS AND METHOD FOR CIRCUIT PATTERN OF SUBSTRATE}
본 발명은 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법에 관한 것이다.
최근, 전자산업의 발달에 따라 전자부품의 고기능화에 대한 요구가 급증하고 있고, 그에 따라 기판 제조시 전기적 특성의 검사법 역시 고정밀도, 고속화, 저비용화가 요구되고 있다. 한편, 고신뢰성의 고속 측정에 대한 요구는 높으나, 이에 대한 측정방법에 대한 효과적인 방법의 부재로 현재는 접촉식 프로브 방식으로 진행하고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 접촉식 핀 프로브 방식의 회로패턴 결함 검사장치의 단면도이다. 이하, 도 1을 참조하여 종래의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법을 설명하면 다음과 같다.
종래의 회로패턴 결함 검사장치는 두 개의 핀 프로브(11, 12; Pin Probe), 전압원(13) 및 전류계(14)를 포함한다.
제1 핀 프로브(11)는 기판(15)의 검사대상 회로패턴(16)에 접촉하여 설치되며, 전압원(13)에서 전달받은 전압을 검사대상 회로패턴(16)에 입력한다. 따라서, 제1 핀 프로브(11)의 원추부는 검사대상 회로패턴(16)과 연결되고, 원추부의 반대측에는 전압원(13)과 도선이 연결된다.
제2 핀 프로브(12)는 검사대상 회로패턴(16)과 전기적 연결 여부를 검사하고자 하는 연결 회로패턴(17)에 접촉하여 설치된다. 따라서, 제2 핀 프로브(12)의 원추부는 연결 회로패턴(17)과 연결되고, 원추부의 반대측에는 제1 핀 프로브(11)의 도선과 연결된다.
전류계(14)는 폐회로에 흐르는 전류를 측정하는 부재로서, 제1 핀 프로브(11) 및 제2 핀 프로브(12)와 연결되는 도선에 직렬로 설치된다.
종래의 회로패턴 결함 검사방법은 다음과 같다.
검사대상 회로패턴(16)과 연결 회로패턴(17)이 정상적으로 연결된 경우, 전압원(13)에 의해 차례대로 제1 핀 프로브(11), 검사대상 회로패턴(16), 연결 회로패턴(17), 제2 핀 프로브(12)에 전류가 흐르게 된다. 상기의 전류를 전류계(14)로 측정하고, 옴의 법칙인
Figure 112009070156114-PAT00001
공식에 넣어 전체 저항값을 측정할 수 있다. 이론적으로는 검사대상 회로패턴(16)과 연결 회로패턴(17)이 정상적으로 연결된 경우 저항값이 0이 나와야 하나, 도선 및 핀 프로브(11, 12) 자체의 저항이 존재하므로 저항값이 0이 되지는 않고, 상대적으로 작은 저항값이 도출된다.
반대로, 검사대상 회로패턴(16)과 연결 회로패턴(17)이 정상적으로 연결되지 않은 경우, 폐회로에 전류가 흐르지 않게 되고, 저항값은 무한대가 된다.
따라서 상기의 저항값을 비교하여 회로패턴의 결함 여부를 검사할 수 있다.
그러나 상기와 같이, 검사대상 회로패턴(16)과 연결 회로패턴(17)에 모두 접촉식 핀 프로브(11, 12)를 사용하는 경우, 회로패턴이 정상적으로 연결되지 않는 경우에도, 상기 핀 프로브(11, 12)의 접촉 압력에 의하여 회로패턴이 정상적으로 연결된 것처럼 측정될 수 있다. 즉, 오측정이 생기는 경우가 많아지는 문제점이 있다.
또한, 모든 단위 회로패턴에 핀 프로브(11, 12)를 접촉하여 측정 시간이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 연결 회로패턴에 비접촉식으로 커패시터 센서를 설치하여 오측정의 경우를 감소시키는 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 연결 회로패턴에 비접촉식으로 커패시터 센서를 설치하여 측정시간이 절감되는 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치는, 기판의 검사대상 회로패턴에 접촉하여 전압을 입력하기 위한 핀 프로브, 상기 검사대상 회로패턴과 전기적으로 연결될 회로패턴에 비접촉 대향하는 막 전극을 구비하며, 상기 연결 회로패턴으로부터 상기 막 전극에 작용하는 정전 인력에 의한 전극 간 변위 변화에 의해 발생되는 정전용량 및 정전용량 변화를 감지하기 위한 커패시터 센서, 및 상기 커패시터 센서와 연결되며, 상기 커패시터 센서로부터 입력되는 막 전극의 변위에 의한 정전용량을 측정하기 위한 정전용량 측정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴이 전기적으로 연결된 경우에 상기 연결 회로패턴을 향하여 정전 인력에 의한 변위 처짐이 발생하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴이 전기적으로 연결된 경우에 상기 연결 회로패턴을 향하여 정전 인력에 의한 변위 처짐이 발생하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판은 인쇄회로기판 또는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 연결 회로패턴과 크기가 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사방법은, (A) 기판의 검사대상 회로패턴에 접촉하여 전압을 입력하기 위한 핀 브로브를 준비하는 단계, (B) 커패시터 센서에 구비된 막 전극이 상기 검사대상 회로패턴과 전기적으로 연결될 회로패턴에 비접촉 대향되도록 상기 기판에 상기 커패시터 센서를 위치시키는 단계, 및 (C) 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴에 상기 핀 프로브를 통해서 전압을 입력하고, 상기 커패시터 센서로부터 감지되는 막 전극의 변위에 의한 정전용량을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, (D) 상기 측정된 정전용량의 차이로부터 기판의 회로패턴 결함 여부를 판별하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커패시터 센서의 커패시터는 각각 상기 막 전극과 상기 연결 회로패턴으로 구성된 2개의 도체판, 및 상기 막 전극과 상기 연결 회로패턴 간 공기층으로 구성된 유전체를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (C) 단계에서, 상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴이 전기적으로 연결된 경우에 상기 연결 회로패턴을 향하여 정전 인력에 의한 변위 처짐이 발생하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판은 인쇄회로기판 또는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴은 비아를 통해 연결될 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 연결 회로패턴과 크기가 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법은 연결 회로패턴에 비접촉식으로 커패시터 센서를 설치하고 회로패턴의 결함 여부를 측정하여, 핀 프로브의 접촉 압력에 의한 오측정의 경우(전극 들뜸 방지 현상)가 감소하는 장 점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 연결 회로패턴에 커패시터 센서가 비접촉식으로 설치되어, 단위 연결 회로패턴에 핀 프로브를 접촉시킬 필요가 없기 때문에, 측정 시간이 절감되는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 핀 프로브를 검사대상 회로패턴에만 사용하여, 소모품 비용을 절감하는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 커패시터 센서의 막 전극과 연결 회로패턴의 크기를 동일하게 형성하여, 막 전극과 연결 회로패턴 간 전위차를 최대한 크게 할 수 있고, 그로 인해 쿨롱힘이 커져 막 전극의 변위 처짐이 현저해지는바, 높은 신호 레벨의 정확한 측정이 가능한 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 반복 검사시 모든 회로패턴에 대하여 동일한 조건으로 할 수 있어, 반복 재현성 및 측정 신뢰도를 향상시키는 장점이 있다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연과되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
기판의 회로패턴 결함 검사장치의 구조
도 2는 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100)의 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100)에 대해 설명하기로 한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100)는 전압을 입력하는 핀 프로브(101), 막 전극(103)을 구비하는 커패시터 센서(102), 정전용량을 측정하는 측정부(104)로 구성된다.
핀 프로브(101)는 기판(105)의 검사대상 회로패턴(106)에 접촉하여, 외부로부터 받은 전압을 검사대상 회로패턴(106)에 입력하여 전위차를 발생시키는 역할을 한다.
핀 프로브(101)는 초소형의 핀형 구조를 가지며, 외부로부터 받은 전압을 기판(105)의 검사대상 회로패턴(106)에 입력할 수 있도록 도전체로 구성된다. 또한, 핀 프로브(101)의 자체에 의한 전기저항을 최소화하기 위해 전기저항이 낮고 표면강도는 높은 금속, 예를 들어, 금 또는 로듐과 같은 고가의 귀금속으로 표면을 도 금한다.
핀 프로브(101)의 형상은 원기둥으로서, 특히, 기판(105)의 검사대상 회로패턴(106)과 접촉하는 부분은 미세회로패턴에 대응하여 원추 형상으로 구성된다. 단, 핀 프로브(101)의 단면의 형상은 원에 한정되는 것은 아니며, 삼각형, 사각형 등 다각형으로 구성될 수도 있다.
핀 프로브(101)의 원추부는 기판(105)의 검사대상 회로패턴(106)상에 접촉되며, 원추부의 반대측에는 도선이 연결되어 외부의 전압원(108)과 연결된다.
커패시터 센서(102)는 막 전극(103)을 구비하며, 막 전극(103)에 작용하는 정전 인력에 의한 변위 처짐 여부를 감지하기 위한 것으로, 특히, 연결 회로패턴(107)에 비접촉 대향하여 설치된다.
또한, 커패시터 센서(102)의 커패시터는 막 전극(103)으로 이루어진 제1 금속판, 검사대상 회로패턴(106)과의 전기적 연결 여부를 검사하고자 하는 연결 회로패턴(107)으로 이루어진 제2 금속판, 및 막 전극(103)과 연결 회로패턴(107) 간 공기층(110)으로 이루어진 유전체로 구성된다.
막 전극(103)은 금속으로 이루어지는 얇은 막이거나 다른 기판상에 금속 피막이 도포된 막을 포함하는 것으로서, 연결 회로패턴(107)에 비접촉 대향하여 형성된다. 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 정상적으로 연결된 경우, 막 전극(103)은 정전인력의 작용에 의해 연결 회로패턴(107)을 향하여 당겨져 휘게 된다. 즉, 막 전극(103)의 변위 처짐 현상이 발생한다.
한편, 커패시터 센서(102)가 연결 회로패턴(107)에 비접촉 방식으로 설치되어 연결 회로패턴(107)에 접촉 압력을 가하지 않으므로, 종래의 접촉식에 의한 전극 들뜸 방지 현상이 발생되지 않고, 전극 들뜸 방지 현상에 의한 오측정의 가능성이 낮아지며, 단위 회로패턴에 접촉할 필요가 없어 미세회로패턴에도 정확한 측정이 가능하다.
측정부(104)는 막 전극(103)의 변위 처짐 여부를 커패시터 센서(102)로부터 입력받아서, 막 전극(103)의 변위에 의한 정전 용량의 변화를 측정하는 부분으로서, 커패시터 센서(102)와 연결된다. 구체적인 정전 용량 측정 방식은 이하 기판의 회로패턴 결함 검사방법에서 자세히 기술하겠다.
기판(105)은 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100)의 구성요소는 아니나 검사물에 해당하는 것으로, 검사대상 회로패턴(106), 연결 회로패턴(107), 및 절연층으로 구성되어 있으며, 인쇄회로기판뿐만 아니라 반도체 웨이퍼를 포함한다.
상기와 같이, 핀 프로브(101), 커패시터 센서(102), 측정부(104)로서, 도 2에 도시한 기판의 회로패턴 결함 검사장치가 구성된다.
기판의 회로패턴 결함 검사방법
도 3은 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 연결될 때, 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100)의 단면도이고, 도 4는 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 연결되지 않을 때, 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100)의 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사방법에 대해 설명하기로 한다.
먼저, 기판(105)의 검사대상 회로패턴(106)에 접촉하여 전압을 입력하기 위한 핀 프로브(101)를 준비한다. 이때, 핀 프로브(101)의 원추부는 검사대상 회로패턴(106)에 접촉시키고, 원추부의 반대측은 전압원(108) 또는 도선과 연결한다.
다음, 커패시터 센서(102)에 구비된 막 전극(103)이 연결 회로패턴(107)에 비접촉 대향되도록 커패시터 센서(102)를 설치한다.
다음, 핀 프로브(101)를 통하여 검사대상 회로패턴(106)에 전압을 입력한다.
이때, 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 정상적으로 연결된 경우, 핀 프로브(101)에 의해 입력된 전압이 연결 회로패턴(107)까지 전달되고, 이로 인해 연결 회로패턴(107)과 막 전극(103) 간 전위차가 발생하며, 상기의 전위차에 의해 연결 회로패턴(107)과 막 전극(103) 간 쿨롱힘(coulomb force)이 발생하여 막 전극(103)은 연결 회로패턴(107)의 방향으로 휘게 된다. 즉, 전위차에 의하여 막 전극(103)의 변위 처짐 현상이 발생하게 된다.
반면, 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 연결되지 않는 경우, 막 전극(103)과 연결 회로패턴(107) 간 전위차가 없기 때문에, 막 전극(103)은 연결 회로패턴(107)을 향하여 휘지않고, 본래의 형상을 유지한다. 즉, 막 전극(103)의 변위 처짐 현상이 발생하지 않는다.
이때, 연결 회로패턴(107)과 막 전극(103) 간 전위차에 의한 쿨롱힘을 크게 하기 위하여, 막 전극(103)의 크기는 연결 회로패턴(107)의 크기와 동일한 것이 바람직하다.
다음, 커패시터 센서(102)로부터 감지되는 막 전극(103)의 변위에 의한 정전 용량을 측정한다.
구체적으로, 도 3과 같이, 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 정상적으로 연결된 경우, 전위차로 인한 쿨롱힘에 의하여 막 전극(103)은 연결 회로패턴(107)을 향하여 휘게 되고(즉, 변위 처짐 현상이 발생), 이로 인해 연결 회로패턴(107)과 막 전극(103)간 거리는 가까워진다. 여기서, 커패시터의 정전용량
Figure 112009070156114-PAT00002
이고, 커패시터의 제1 금속판인 막 전극(103)과 제2 금속판인 연결 회로패턴(107)간 거리(d)가 가까워지므로, 정전용량 C1의 값은 커진다.
반대로, 도 4와 같이, 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 연결되지 않는 경우, 연결 회로패턴(107)과 막 전극(103) 간 거리(d)의 변화가 없으므로, 정전용량 C2의 값은 변화없이 유지되고, 상대적으로 C1보다는 작은 값을 갖는다.
다음, 측정된 정전용량 차이로부터 기판의 회로패턴 결함 여부를 판별한다. 측정된 정전용량 C값이 C1과 같은 경우에는 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 정상적으로 연결된 것이며, 정전용량 C값이 C2와 같은 경우에는 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 연결되지 않은 것으로 판단할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100) 및 검사방법은 검사대상 회로패턴(106)과 연결 회로패턴(107)이 비아(109)를 통하여 연결된 경우 더욱 효과가 향상된다.
구체적으로 살펴보면, 일반적으로 검사대상 회로패턴(106)에 해당하는 기판(105)의 상부에 형성되는 회로패턴은 하부에 형성되는 회로패턴에 비하여 갯수가 적기 때문에, 즉, 회로패턴의 밀도가 작기 때문에 핀 프로브(101)의 접촉에 의한 문제점이 발생할 가능성이 작고, 연결 회로패턴(107)에 해당하는 하부에 형성되는 회로패턴은 밀도가 높아 핀 프로브(101)의 접촉에 의한 문제점이 발생할 가능성이 크다. 따라서 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치(100) 및 검사방법을 이용할 경우, 상부에는 핀 프로브(101)의 접촉식으로, 하부에는 커패시터 센서(102)의 비접촉식으로 이용하기 때문에, 전극 들뜸 방지 현상 또는 오측정과 같은 접촉식에 의한 문제를 줄일 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발 명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 핀 프로브를 이용한 회로패턴 결함 검사장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 회로패턴 결함 검사장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른, 검사대상 회로패턴과 연결 회로패턴이 정상적으로 연결될 때의 기판의 회로패턴 결함 검사장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른, 검사대상 회로패턴과 연결 회로패턴이 연결되지 않을 때의 기판의 회로패턴 결함 검사장치의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : 핀 프로브 102 : 커패시터 센서
103 : 막 전극 104 : 측정부
105 : 기판 106 : 검사대상 회로패턴
107 : 연결 회로패턴 108 : 전압원
109 : 비아 110 : 공기층

Claims (12)

  1. 기판의 검사대상 회로패턴에 접촉하여 전압을 입력하기 위한 핀 프로브;
    상기 검사대상 회로패턴과 전기적으로 연결될 연결 회로패턴에 비접촉 대향하는 막 전극을 구비하며, 상기 연결 회로패턴으로부터 상기 막 전극에 작용하는 정전 인력에 의한 전극 간 변위 변화에 의해 발생되는 정전용량 및 정전용량 변화를 감지하기 위한 커패시터 센서; 및
    상기 커패시터 센서와 연결되며, 상기 커패시터 센서로부터 입력되는 막 전극의 변위에 의한 정전용량을 측정하기 위한 정전용량 측정부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 핀 프로브를 통하여 상기 검사대상 회로패턴에 전압을 인가하는 전압원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴이 전기적으로 연결된 경우에 상기 연결 회로패턴을 향하여 정전 인력에 의한 변위 처짐이 발생하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 인쇄회로기판 또는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 연결 회로패턴과 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사장치.
  6. (A) 기판의 검사대상 회로패턴에 접촉하여 전압을 입력하기 위한 핀 브로브를 준비하는 단계;
    (B) 커패시터 센서에 구비된 막 전극이 상기 검사대상 회로패턴과 전기적으로 연결될 연결 회로패턴에 비접촉 대향되도록 상기 기판에 상기 커패시터 센서를 위치시키는 단계; 및
    (C) 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴에 상기 핀 프로브를 통해서 전압을 입력하고, 상기 커패시터 센서로부터 감지되는 막 전극의 변위에 의한 정전용량을 측정하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    (D) 상기 측정된 정전용량의 차이로부터 상기 기판의 회로패턴 결함 여부를 판별하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 커패시터 센서의 커패시터는 각각 상기 막 전극과 상기 연결 회로패턴으로 구성된 2개의 도체판, 및 상기 막 전극과 상기 연결 회로패턴 간 공기층으로 구성된 유전체를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 (C) 단계에서, 상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴이 전기적으로 연결된 경우에 상기 연결 회로패턴을 향하여 정전 인력에 의한 변위 처짐이 발생하는 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판은 인쇄회로기판 또는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
  11. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판의 상기 검사대상 회로패턴과 상기 연결 회로패턴은 비아를 통해 연결될 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
  12. 청구상 6에 있어서,
    상기 커패시터 센서의 상기 막 전극은 상기 연결 회로패턴과 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 기판의 회로패턴 결함 검사방법.
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