JPH07141622A

JPH07141622A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH07141622A
Application number: JP31439893A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Omori; 広之大森; Tetsuya Yamamoto; 哲也山元; Yasunari Sugiyama; 康成杉山; Mitsuharu Shoji; 光治庄子
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-11-18
Filing date: 1993-11-18
Publication date: 1995-06-02

Abstract

(57)【要約】【構成】薄膜コイル（図10の19）と、この薄膜コイル
による磁束を導いて閉磁路を形成するための磁性層部14
とを有し、この磁性層部が、絶縁膜４によって複数の磁
性膜３に分離されて積層構造をなし、前記絶縁膜の厚さ
が70〜200nm であり、かつ、前記磁性膜の厚さが３〜10
μｍである磁気ヘッド。【効果】各磁性膜及び絶縁膜の厚さを上記のようにす
ることにより、渦電流による効率低下が少なく、疑似信
号が実質的になくなって、高記録密度でかつ高周波域で
の優れた記録再生特性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドに関し、例
えば、ビデオテープレコーダや磁気ディスク装置に好適
な磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）
等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上させる
ために信号をデジタル化して記録するデジタル記録が進
められており、これに対応して記録の高密度化、記録周
波数の高周波化がなされている。

【０００３】ところで、磁気記録の高密度化、高周波化
が進むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドには、高
周波で出力が高く、ノイズの少ないことが要求される。
例えば、従来ＶＴＲ用磁気ヘッドとして多用されるフェ
ライト材に金属磁性膜を成膜し、巻き線を施した所謂複
合型メタル・イン・ギャップヘッドでは、インダクタン
スが大きく、インダクタンス当たりの出力低下のため、
高周波領域で出力が低く、高周波、高密度が必要とされ
るデジタル画像記録に充分対処することが難しい。

【０００４】このような状況から、磁気ヘッドを薄膜形
成工程で作製する所謂薄膜磁気ヘッドが、高周波対応の
磁気ヘッドとして検討されている。

【０００５】上記の磁気ヘッドをＶＴＲ等の磁気テープ
を用いた磁気記録用に使用するためには、磁気ヘッドの
ギャップ深さと磁性層の厚さとを充分厚くしなければな
らない。然し、磁性層を厚くすると、高周波領域では磁
性体に生じる渦電流によって磁気ヘッドの効率が低下す
る。このような渦電流による磁気ヘッド効率の低下を抑
えるには、磁性層を絶縁層で分断し、積層構造とするの
が有効的である。然し、このような磁気ヘッドでは、絶
縁層が磁気的なギャップとなって疑似信号が生じ、記録
再生特性上問題となり、実用に供し得ない。

【０００６】他方、フェライト等の酸化物磁性体に軟磁
性膜を成膜して作製される複合型磁気ヘッドにおいて
は、疑似信号を避けるために磁性膜を磁気ギャップ面と
平行でない面に成膜し、ギャップ面から再生される疑似
的な信号をアジマス損失効果で低減する方法が一般に採
られている。

【０００７】然し乍ら、これらの複合型磁気ヘッドにお
いて、磁性膜の渦電流による透磁率の低下を避けるため
に磁性膜を絶縁膜で分離した積層構造とした場合、絶縁
層によって磁束の流れが阻害されるために再生出力が却
って低下してしまう。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、高記録密度でかつ高周
波に対応でき、優れた記録再生特性を示す磁気ヘッドを
提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜コイル
と、この薄膜コイルによる磁束を導いて閉磁路を形成す
るための磁性層部とを有し、この磁性層部が、絶縁膜に
よって複数の磁性膜に分離されて積層構造をなし、前記
絶縁膜の厚さが70〜200nm であり、かつ、前記磁性膜の
厚さが３〜10μｍである磁気ヘッドに係る。

【００１０】本発明において、薄膜コイルが、薄膜コイ
ル支持体に設けられた凹部に形成されていることが望ま
しい。

【００１１】また、本発明において、一対の薄膜コイル
が対向し、これら薄膜コイルの一端同士が電気的に接続
していることが望ましい。

【００１２】また、本発明において、磁性層部が磁気ギ
ャップに対して斜めに配置されていることが望ましい。

【００１３】更に、本発明において、トラック幅が５〜
25μｍであることが望ましい。

【００１４】

【発明に至る経過】本発明者は、前述の目的を達成すべ
く鋭意研究を重ねた結果、非磁性のセラミック基板上に
斜めの溝を作製し、その上に磁性膜と絶縁膜の少なくと
も２種類の膜を積層し、薄膜によって巻き線（コイル）
を形成することによって記録再生特性に優れた磁気ヘッ
ドが得られることを見出すに至った。本発明は、かかる
知見によってなされたものである。

【００１５】

【発明の好ましい態様】磁気ヘッドに使用される基板と
しては、金属磁性膜と同程度の熱膨張係数であること
が、加熱プロセスを行う上で望ましく、ＴｉＯ₂とＣａ
Ｏとの混合焼結材、ＮｉＯとＭｎＯとの混合焼結材、Ｚ
ｒＯ₂とＮｉＯとＣａＯとの混合焼結材、Ｚｎフェライ
ト等が好ましく用いられる。また、これらの材料の加工
性や磁気記録媒体との摺動特性を改善するために各種添
加材物を添加して用いても良い。

【００１６】磁気ヘッドに使用される金属磁性膜は、飽
和磁束密度が高く軟磁気特性に優れた、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ、Ｎｉ−Ｆｅ等の結晶質合
金膜或いはＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ等の非
晶質合金膜、Ｆｅ−Ａｌ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｎｂ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｙ−Ｎ
等の微結晶質合金等が挙げられる。更に、軟磁気特性を
改善するために各種の添加元素を添加して用いても良
い。

【００１７】また、磁性薄膜と積層して用いられる絶縁
膜には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄
等の化学的に安定で絶縁特性のよいものが使用される。

【００１８】上記の強磁性金属膜及び絶縁膜は、スパッ
タリング等の所謂気相めっき技術によって製造される。
スパッタリングは、所望の組成比となるように調整され
た合金ターゲットを用いて行っても良いし、各原子のタ
ーゲットを個別に用意し、その面積や印加出力等を調整
して組成をコントロールするようにして行っても良い。
特に前者の方法を採用した場合、膜組成はターゲット組
成によって略一義的に決まるので、例えば大量生産する
上で好適である。

【００１９】膜中に窒素を添加する方法としては、雰囲
気中に窒素ガス又はアンモニアガスを導入してスパッタ
を行う方法等が考えられる。磁性膜を傾斜面に成膜した
磁気ヘッドにおいては、例えば図１に示すような磁気ヘ
ッドの摺動面形状とし、トラック幅（ＴＷ）を積層磁性
膜の総厚（ＦＴ）と同程度かそれ以下にするのが磁気ギ
ャップの飽和を抑えるために有効で、そのために、磁気
ギャップ近傍の磁性膜を規定のトラック幅になるように
機械加工やイオンエッチング等の方法で不必要な部分
（例えば符号１で示す切欠き部分）にて磁性膜の一部を
除去する必要がある。図１中、２は磁気ギャップ、３は
磁性膜、４は絶縁膜、14は積層磁性膜、16は融着用ガラ
ス、17はセラミックの基板である。

【００２０】本発明に基づく磁気ヘッドにおいては、コ
イル巻き線を薄膜形成工程で行い、磁路長を短くして磁
性膜の総厚をトラック幅と同程度にすることにより充分
な記録再生特性が得られる。磁気ヘッドのトラック幅が
５μｍ未満の場合は、積層磁性膜の総厚は５μｍから10
μｍ程度で良く、磁性膜を絶縁膜で分離する意味がなく
なる。他方、トラック幅が25μｍを越えると、磁性膜と
絶縁膜の積層数が多くなって製造工程が増加するだけで
効果の増大は顕著ではない。また、高密度記録を行う場
合、トラック幅を狭くする傾向にあるので、トラック幅
を25μｍ以下とするのが有効である。

【００２１】磁性膜を分離する絶縁膜の厚さを70nm未満
にした場合、充分な絶縁が得られず、磁性膜間の干渉が
起こり、高周波領域で磁気ヘッドの特性が劣化し、絶縁
膜の厚さが 200nm以上では、磁束が絶縁膜で遮られるた
めに、例えば図１のような構造の磁気ヘッドでは、磁気
ギャップに接していない磁性膜には磁束が流れ難く、磁
気ヘッドの効率の低下が生ずる。また、磁性膜の厚さは
渦電流による磁気的損失を避けるために10μｍ以下が望
ましく、製造工程の増加や磁気ヘッドの効率低下を避け
るために３μｍ以上とするのが望ましい。

【００２２】コイルを薄膜で形成し、トラック幅が５μ
ｍ以上25μｍ以下で磁性膜が磁気ギャップに対して斜め
に配置されている磁気ヘッドにおいて、磁性膜を酸化物
或いは窒化物等の絶縁体の膜によって分離することによ
り、高周波領域における記録再生特性に優れた磁気ヘッ
ドを得ることができる。また、薄膜コイルは巻数を増や
すことが可能で、16〜20ターンで大きな出力が得られ
る。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００２４】この例による磁気ヘッドは、磁気ギャップ
周辺が図１に示した構造を有し、図２〜図19に示す工程
を経て作製される。

【００２５】先ず、図２に示すように、セラミック基板
６の表面に傾斜膜を形成するための溝７を削設する。

【００２６】次いで、図３に示すように、図１の磁性膜
３及び絶縁膜４からなる積層磁性膜14を成膜する。この
工程で、必要あれば、積層磁性膜の付着性や磁気特性の
改善のために酸化物や金属等の下地膜（例えばアルミナ
の膜）を形成して良く、後に溝７に充填する充填材（ガ
ラス）との反応防止のための保護膜（例えばクロムの
膜）を形成しても良い。

【００２７】次に、図４に示すように、薄膜コイルを形
成するための溝９及び磁路を形成する上で不要な積層磁
性膜部分を除去する溝10を、溝７に直交する方向に削設
する。

【００２８】次に、図５に示すように、各溝にガラス11
を充填し、必要あれば不要なガラス部分を除去する。

【００２９】次に、図６に示すように、磁気ギャップ近
傍の積層磁性膜の一部を除去し、トラック幅を規定する
ための溝12を図２の溝７と平行に形成する。

【００３０】次に、図７に示すように、図６の溝12にガ
ラス16を充填してから表面を平坦に仕上げる。これ以降
は、フォトリソグラフィやイオンエッチング等の薄膜形
成の加工プロセスを主に施す。

【００３１】図８は、図７の工程で充填されたガラス16
の表面に、薄膜コイルを形成するための窪み13をイオン
エッチング等によって形成した状態を示し、同図（ａ）
は図２〜図７と同様の斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のVIII_b部（ヘッド半体一単位）の拡大図である。な
お、以降の図９〜図14の工程の説明は、図８（ｂ）に対
応する拡大図を用いて行う。

【００３２】図９は図８（ｂ）を更に拡大して示す図で
ある。図９（ａ）は拡大平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のIX_b−IX_b線拡大断面図、同図（ｃ）は同図
（ａ）のIX_c−IX_c線拡大断面図である。図中、14は磁
性膜３と絶縁膜４とからなる積層磁性膜、15Ａ、15Ｂ、
15Ｃはヘッド半体接着後にコイルの導通をとるための接
点部分である。接点部分15Ａ、15Ｂ、15Ｃは、コイルの
導通をとるために、少なくとも一部が窪み13の底面より
も浅い位置に配置する。図中、17は、図２〜図６の工程
で加工された基板である。

【００３３】次に、図10に示すように、コイルパターン
を形成する。図10（ａ）は図９（ａ）と同様の拡大平面
図、図10（ｂ）は同図（ａ）のＸ_b−Ｘ_b線拡大断面図
である。

【００３４】コイルパターン19は、全面に、クロム又は
チタンの下地層上に導体金属（銅）を成膜した後、イオ
ンエッチング等によって不要な部分を除去する方法によ
り、或いは、フォトレジストで導体金属を所定パターン
にマスクしておき、めっき等によって形成する。コイル
パターン19の形成時に、同時に先端のコイル導通部20及
び端子接続部21、22が形成される。図10中、仮想線で示
す60は、パターニング用のマスクである。

【００３５】次に、図11に示すように、コイル部分を保
護するための保護膜23を窪みの大部分の領域上に形成す
る。図11（ａ）は図９（ａ）と同様の拡大平面図、図11
（ｂ）は同図（ａ）のXI_b−XI_b線拡大断面図である。

【００３６】保護膜23は、絶縁性の酸化物（例えばアル
ミナレジスト）をスパッタリングによって成膜する、或
いはフォトレジストに加熱処理を施して改質して形成す
る。フォトレジストによって保護膜を形成する場合は、
必要な領域のみフォトレジストが残るようにすると、後
の平坦化の工程等に要する時間を短縮できて好都合であ
る。この工程で、端子接続部（図10の21、22）末端の端
子部21ａ、22ａを保護膜23から突出して露出させる。

【００３７】次に、図12に示すように、表面を研磨仕上
げして平坦化する。図12（ａ）は図９（ａ）と同様の拡
大平面図、図12（ｂ）は同図（ａ）の XII_b− XII_b線
拡大断面図である。

【００３８】上記平坦化により、コイルの導通部20及び
端子接続部21、22の接点部分（図９（ａ）の15Ｂ、15
Ｃ）上の導通部21ｂ、21ｃが露出する。

【００３９】次に、図13に示すように、磁気ギャップを
形成するための金属膜を成膜し、これをパターニングし
て図12のコイル導通部20及び端子接続部21ｂ、22ｂの上
並びに図９の窪み13の周囲の領域に金属膜24、25、26、
27を形成する。図13（ａ）は図９（ａ）と同様の拡大平
面図、図13（ｂ）は同図（ａ）のXIII_b−XIII_b線拡大
断面図である。

【００４０】かくして、一対のヘッド半体のうちの一方
のヘッド半体28Ａが完成する。金属膜24、25、26、27は
互いに分離し、コイルパターンへの通電時に短絡するこ
とがない。次の工程で一対のヘッド半体を接続する際、
この接続を、加熱によってコイルパターンが断線等のダ
メージを受けない温度で行う必要がある。従って、金属
膜の材料としては、錫や鉛等の低融点金属若しくはその
合金又は金等の拡散し易い金属若しくはその合金が好ま
しい。更に、金属膜の密着性改善のため、下地層として
クロム、チタン等の金属層を形成して良い。

【００４１】次に、図14に示すように、図13の一方のヘ
ッド半体28Ａと、同様の手順で作製された他方のヘッド
半体48Ａとを矢印のように貼り合わせ、磁気ヘッドとす
る。図14（ａ）は図９（ａ）と同様の拡大平面図、図14
（ｂ）は同図（ａ）の XIV_b− XIV_b線拡大断面図であ
る。なお、ヘッド半体48Ａを構成する各部分には、ヘッ
ド半体28Ａに対応する各部分の符号に「20」をプラスし
た符号付して表してある。

【００４２】ヘッド半体48Ａの端子接続部41、42は、末
端側が、ヘッド半体28Ａの端子接続部21、22とは逆の方
向に向けられ（図において互いに対称）ている。

【００４３】かくして、端子21ａから入力された電流
は、端子接続部21、コイルパターン19、コイル導通部2
0、金属膜24、44、コイル導通部40、コイルパターン3
9、接続部44ｂ、24ｂ、端子接続部22を順次経由し、端
子22ａへと流れる。またはこの逆方向へ流れる。なお、
端子接続部41、42、接続部21ｂ、41ｂ、及び金属膜25、
27は、電気導通上では不要であるが、一対のヘッド半体
同士を貼り合わせる際、がたつかないようにするために
設けられたものである。

【００４４】図９〜図14は、一単位のヘッド半体につい
て説明するためのものであるが、実際には、図２〜図８
に示したと同様に、多数のヘッド半体が集合して一体に
なった板状体について処理される。従って、以降の図15
〜図18は、上記のような板状体で示すこととする。

【００４５】図15は、図14に示したヘッド半体28Ａの集
合体としての板状体28Ｂの斜視図である。板状体28Ｂに
は、図16に示すように、端子露出のための溝29を削設す
る。図15、図16に示した板状体28Ｂは、ヘッド半体28Ａ
が２列に作られているので、切断して１列のヘッド半体
からなる板状体28とする。

【００４６】同様にして、ヘッド半体48Ａの集合体とし
ての板状体に溝49を削設してこれを２つに分断し、１列
のヘッド半体48Ａからなる板状体48とし、図17に示すよ
うに、一対の板状体28、48を重ね合わせて貼着する。図
14はその工程をヘッド半体一単位で示したものである。
図17の工程において、パターン同士が互いに向合うよう
に対向させ、積層磁性膜が所定のトラック幅で合うよう
に加圧しながら加熱して貼着する。

【００４７】次に、図18に示すように、上記のようにし
て貼り合わされてなるヘッド集合体としてのブロック58
から、仮想線で示す位置にて切断し、仕上げを施して図
19に示す完成品としての磁気ヘッド59とする。この切断
に際し、磁気テープ等の磁気記録媒体に対する接触面形
状、端子取り出しを考慮して切断するのが好ましい。図
19中、60は磁気記録媒体に対する当り面である。磁気ヘ
ッド59には、溝29、49に端子21ａ、22ａが露出する。図
19は、ＶＴＲ用の磁気ヘッド１個の完成図を示すもので
ある。

【００４８】この例による磁気ヘッド59の仕様は、次の
通りである。基板17はＮｉＯ−ＭｎＯの複合焼結体、磁
性膜３はＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ合金のスパッタ膜、絶
縁膜４はＡｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂、積層磁性膜14の総厚
は20μｍ、トラック幅ＴＷは13μｍ、最短磁路長は 350
μｍ、コイルパターン19、39の合計巻き数は18である。

【００４９】磁気ヘッド59について、８mmＶＴＲ用の塗
布型磁気テープを用い、相対速度10ｍ／sec 、記録周波
数 10MHzの条件で再生出力電圧を測定した。

【００５０】図20は、磁性膜を分離する絶縁膜の厚さを
変化させたときの再生出力の変化を示す。なお、この測
定には、磁性膜と絶縁膜との密着を良好にするため、両
膜間に厚さ10nmのチタンの膜を介在させ、磁性膜は４層
とした。図20は、絶縁膜がＡｌ₂Ｏ₃からなる場合とＳ
ｉＯ₂からなる場合とについて示しており、比較のため
に絶縁膜を設けなかった場合の結果を併記してある。

【００５１】絶縁膜材料がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂いずれ
の場合も、各絶縁膜の厚さが70〜200nm で再生出力が高
く、各絶縁膜の厚さを70〜200nm とすると良好な結果が
得られることが理解できる。

【００５２】図21は、各絶縁膜の厚さを一定の 100nmと
し、磁性膜の層数を変化させたときの再生出力の変化を
示す。各磁性膜の厚さが３〜10μｍで再生出力が高く、
各磁性膜の厚さを３〜10μｍとすると良好な結果が得ら
れることが理解できる。

【００５３】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形を前記実施例に加え
ることができる。

【００５４】例えば、磁気ヘッドを構成する各部分の材
料、形状は、前記以外の適宜の材料、形状とすることが
できる。また、本発明は、ＶＴＲ用磁気ヘッド以外に
も、オーディオ用その他の磁気ヘッドに適用可能であ
る。

【００５５】

【発明の作用効果】本発明に基づく磁気ヘッドは、磁性
層部を、厚さ70〜200nm の絶縁膜によって複数の厚さ３
〜10μｍの磁性膜に分離された積層構造としているの
で、渦電流による効率低下が少なく、疑似信号が実質的
になくなって、高記録密度でかつ高周波域での優れた記
録再生特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例による磁気ヘッドの拡大部分平面図であ
る。

【図２】同積層磁性膜形成用溝を設けた基板の斜視図で
ある。

【図３】同積層磁性膜を形成した基板の斜視図である。

【図４】同薄膜コイル形成用溝を設けた基板の斜視図で
ある。

【図５】同各溝がガラスを充填した基板の斜視図であ
る。

【図６】同トラック幅規定用溝を設けた基板の斜視図で
ある。

【図７】同トラック幅規定用溝にガラスを充填した基板
の斜視図である。

【図８】同コイルパターン形成用の窪みを設けた基板を
示し、同図（ａ）は基板斜視図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のVIII_b部分の拡大図である。

【図９】同図８（ｂ）の磁気ヘッド半体を示し、図９
（ａ）は拡大平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のIX_b−
IX_b線拡大断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のIX_c−IX
_c線拡大断面図である。

【図10】同コイルパターンを形成した磁気ヘッド半体を
示し、同図（ａ）は拡大平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＸ_b−Ｘ_b線拡大断面図である。

【図11】同コイルパターン上に保護膜を成膜した磁気ヘ
ッド半体を示し、同図（ａ）は拡大平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のXI_b−XI_b線拡大断面図である。

【図12】同保護膜を平坦化して接続部を露出させた磁気
ヘッド半体を示し、同図（ａ）は拡大平面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）の XII_b− XII_b線拡大断面図であ
る。

【図13】同所定パターンの金属膜を設けた磁気ヘッド半
体を示し、同図（ａ）は拡大平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のXIII_b−XIII_b線拡大断面図である。

【図14】同所定パターンの金属膜を設けた一対の磁気ヘ
ッド半体を互いに貼着する要領を示し、同図（ａ）は拡
大平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の XIV_b− XIV_b線
拡大断面図である。

【図15】同図13の磁気ヘッド半体の集合体としての板状
体の斜視図である。

【図16】同端子露出用溝を設けた板状体の斜視図であ
る。

【図17】同一対の板状体を貼着する要領を示す斜視図で
ある。

【図18】同図17の工程によって作製された磁気ヘッド集
合体の斜視図である。

【図19】同磁気ヘッドの拡大斜視図である。

【図20】同絶縁膜の厚さと再生出力電圧との関係を示す
グラフである。

【図21】同磁性膜の厚さと再生出力電圧との関係を示す
グラフである。

【符号の説明】

２・・・磁気ギャップ３・・・磁性膜４・・・絶縁膜 13・・・窪み 14・・・積層磁性膜 19、39・・・コイルパターン 20、40・・・コイル導通部 21、22、41、42・・・端子接続部 21ａ、22ａ・・・端子 24、25、26、27、44、45、46、47・・・金属膜 28、48、28Ｂ、48Ｂ・・・磁気ヘッド半体の集合体 28Ａ、48Ａ・・・磁気ヘッド半体 58・・・磁気ヘッド集合体 59・・・磁気ヘッドＴＷ・・・トラック幅ＦＴ・・・積層磁性膜の総厚

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者庄子光治東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜コイルと、この薄膜コイルによる磁
束を導いて閉磁路を形成するための磁性層部とを有し、この磁性層部が、絶縁膜によって複数の磁性膜に分離さ
れて積層構造をなし、前記絶縁膜の厚さが70〜200nm であり、かつ、前記磁性
膜の厚さが３〜10μｍである磁気ヘッド。
【請求項２】薄膜コイルが、薄膜コイル支持体に設け
られた凹部に形成されている、請求項１に記載された磁
気ヘッド。
【請求項３】一対の薄膜コイルが対向し、これら薄膜
コイルの一端同士が電気的に接続している、請求項１又
は２に記載された磁気ヘッド。
【請求項４】磁性層部が磁気ギャップに対して斜めに
配置されている、請求項１、２又は３に記載された磁気
ヘッド。
【請求項５】トラック幅が５〜25μｍである、請求項
１〜４のいずれか１項に記載された磁気ヘッド。