JPH07140165A - 加速度検出素子の製造方法 - Google Patents
加速度検出素子の製造方法Info
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- JPH07140165A JPH07140165A JP5283635A JP28363593A JPH07140165A JP H07140165 A JPH07140165 A JP H07140165A JP 5283635 A JP5283635 A JP 5283635A JP 28363593 A JP28363593 A JP 28363593A JP H07140165 A JPH07140165 A JP H07140165A
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Abstract
準とする対称位置ごとに素子電極層を形成することがで
きる加速度検出素子の製造方法を提供する。 【構成】 本発明にかかる加速度検出素子の製造方法
は、圧電セラミックスからなるブロック体1を対面接合
したうえで切り出されたセラミックス接合板3の両側表
面に対する電極形成処理を行った後、セラミックス接合
板3の一方側表面上に形成された全面電極層8のうち、
セラミックス接合板3における対面接合部3aの両側に
わたる所定幅部分9を除去して互いに分離された2つの
素子電極層5を形成することを特徴としている。
Description
衝撃から乗員を保護するためのエアバッグシステムに組
み込んで使用される圧電型加速度センサにかかり、詳し
くは、この圧電型加速度センサを構成する加速度検出素
子の製造方法に関する。
ては、図2で示すような加速度検出素子、すなわち、信
号処理回路(図示していない)が組み付けられる回路基
板10上に位置決めして隣接配置された一対の圧電素子
11と、これら圧電素子11上に共通して載置されたウ
ェイト12とからなる加速度検出素子を備えたものが用
いられている。そして、これら圧電素子11は圧電セラ
ミックスを用いて作製され、かつ、互いの側面同士が接
着剤(図示していない)を用いて対面接合されることに
よって一体化されたものであり、圧電素子11の各々に
対しては加速度作用方向に沿った分極処理が施されてい
る。なお、これら圧電素子11における分極方向Aは回
路基板10の表面と平行な向きに設定されており、この
分極方向Aは加速度に対する検出感度が最も高くなる主
軸感度方向と合致している。
2は全く分極処理が施されていない圧電セラミックスを
用いて作製されたものであり、各圧電素子11の下側表
面上に所定間隔だけ離間した状態で形成された素子電極
13の各々は回路基板10上の電極ランド14に対し
て、また、これら圧電素子11の上側表面を全面的に覆
って形成された共通電極15に対してはウェイト12の
下側表面がそれぞれ接着剤(図示していない)を介した
うえで接合されている。すなわち、この検出素子は、加
速度が加わることによって質量の大きなウェイト12に
慣性力が発生し、かつ、このウェイト12によって圧電
素子11のそれぞれにせん断応力が加えられる結果、加
速度に比例した電荷及び電圧が発生するという圧電セラ
ミックスのせん断方式を検出原理として構成されたもの
である。
するにあたっては、図4及び図5で示すような手順に従
った方法が採用されている。
に、予め分極処理が施された圧電セラミックスからなる
一対のブロック体1を用意し、これらの一面同士を接着
剤によって対面接合した後、この一体化されたブロック
接合体2に対し、図4(a)中の仮想線Bで示すような
所定幅ごとの切断加工を行うことによって所定厚みを有
するセラミックス接合板3を切り出す。なお、このセラ
ミックス接合板3は、図2で示した加速度検出素子にお
ける一対の圧電素子11と対応するものである。
ックス接合板3の一方側表面における対面接合部3aの
両側にわたる所定幅部分を覆うマスキング層4をレジス
ト材料などの印刷によって形成する。その後、このセラ
ミックス接合板3の両側表面に対する蒸着やスパッタリ
ングなどの電極形成処理を行うことにより、セラミック
ス接合板3の一方側表面上にはマスキング層4を介して
互いに分離された一対の素子電極層5を、また、その他
方側表面上には全面にわたる共通電極層6をそれぞれ形
成する。
極層5同士の間に形成されていた所定幅のマスキング層
4を除去する。そして、図5で示すように、分極処理が
施されていない圧電セラミックスからなるウェイトブロ
ック体7を、セラミックス接合板3の共通電極層6上に
接着剤を用いたうえで接合する。その後、これら互いに
接合されて一体となったセラミックス接合板3及びウェ
イトブロック体7に対し、図5中の仮想線Cに沿うよう
な所定幅ごとの切断加工を行うと、図2で説明した構造
を有する加速度検出素子が製作されたことになる。な
お、図5において、図2と同一である部品、部分につい
ては同一符号を付している。さらに、このようにして製
作された加速度検出素子は、その長手方向に沿う両側の
端部11aが図5中の仮想線Dに沿うようにして切り落
とされることによって大きさが調整されたうえで完成す
る。
方法においては、ブロック接合体2から切り出されたセ
ラミックス接合板3の一方側表面上に所定幅のマスキン
グ層4を形成し、かつ、このマスキング層4を介して互
いに分離された一対の素子電極層5を形成した後、マス
キング層4を除去することが行われている。そして、こ
のような手順に従った際には、セラミックス接合板3に
おける対面接合部3aを基準とする振り分け状として形
成されるべきマスキング層4の形成精度が必ずしも良好
ではないため、このマスキング層4を介して形成された
素子電極層5それぞれの対面接合部3aに対する形成位
置が均等とはならず、各素子電極層5が対面接合部3a
を基準としたうえでの対称位置ごとには形成されていな
いことが起こる。
と、素子電極層5及び共通電極層6が形成されたセラミ
ックス接合板3から切り出された加速度検出素子の長手
方向に沿う両側の端部11aを切り落とした際における
素子電極13、すなわち、各圧電素子11の下側表面上
に形成された素子電極13それぞれの大きさが異なるこ
とになり、占有面積の相違する素子電極13を有する加
速度検出素子として完成してしまう。すなわち、このよ
うになるのは、加速度検出素子の両側における端部11
aを切り落とすに際し、マスキング層4と接していたた
めに微妙な凹凸状態となった素子電極層5の内側端面を
基準とすることができず、圧電素子11同士間に残る対
面接合部3aを基準としたうえでの切り落としを行わざ
るを得ないからである。
る占有面積を有している場合には、加速度検出素子の有
する特性がばらつくことになり、品質管理上の不都合が
生じることになってしまう。また、このようになった加
速度検出素子を回路基板10上に搭載した場合には、こ
の回路基板10を厚み方向に押し曲げる力が加わった際
にもセンサ出力が送出されてしまうことになり、エアバ
ッグシステムの誤動作というような重大問題を引き起こ
す恐れも生じていた。
されたものであって、セラミックス接合板における対面
接合部を基準として対称となる位置ごとに素子電極層を
形成することができる加速度検出素子の製造方法を提供
するものである。
出素子の製造方法は、圧電セラミックスからなるブロッ
ク体を対面接合したうえで切り出されたセラミックス接
合板の両側表面に対する電極形成処理を行った後、セラ
ミックス接合板の一方側表面上に形成された全面電極層
のうち、セラミックス接合板の対面接合部の両側にわた
る所定幅部分のみを除去して互いに分離された2つの素
子電極層を形成することを特徴としている。
去する際には、セラミックス接合板の対面接合部を基準
とした位置決めを行ったうえでの正確な加工を実施する
ことが可能となる。そこで、対面接合部を基準とした除
去加工によって分離させられた素子電極層それぞれの形
成位置は対面接合部に対して均等となり、各素子電極層
は対面接合部を基準とした対称位置ごとに形成されてい
ることになる。
する。
製造方法における前段工程の手順を示す説明図であり、
この図1において図4と互いに同一もしくは相当する部
品、部分には同一符号を付している。なお、本実施例方
法における後段工程の手順については従来例方法と異な
らないので図5に基づいて説明することとし、また、本
実施例方法を採用して製造された加速度検出素子の構造
は図2で示した従来例と同一であるから説明を省略す
る。
(a)で示すように、予め所要の分極処理が施された圧
電セラミックスからなる一対のブロック体1を用意し、
かつ、これらの一面同士を接着剤によって対面接合した
後、この一体化されたブロック接合体2に対し、図1
(a)中の仮想線Bで示すような所定幅ごとの切断加工
を行うことによって所定厚みを有するセラミックス接合
板3を切り出す。そして、セラミックス接合板3の両側
表面に対する蒸着やスパッタリングなどの電極形成処理
を行うことにより、図1(b)で示すように、このセラ
ミックス接合板3の両側表面上に所定厚みとされた全面
電極層8をそれぞれ形成する。なお、このセラミックス
接合板3の一方側表面上に形成された全面電極層8は後
段工程において一対の素子電極層5となり、また、その
他方側表面上に形成された全面電極層8はそのままの状
態で共通電極層6となるものである。
面上に形成された全面電極層8のうち、セラミックス接
合板3における対面接合部3aの両側にわたった所定幅
部分9、すなわち、図1(b)中の仮想線で示すような
所定幅部分9を素子電極層5の形成に際して削り取るべ
き部分として設定する。その後、ダイサ(図示していな
い)といわれる溝加工用具を用いたうえでの溝加工を行
うことにより、全面電極層8のうちの所定幅部分9を削
り取って除去すると、図1(c)で示すように、この除
去された所定幅部分9を介しては互いに分離された一対
の素子電極層5が形成されたことになる。
9の除去加工に際しては、セラミックス接合板3の対面
接合部3aを基準とした位置決めを行ったうえでの正確
な加工を実施することが可能となるから、この際の除去
加工によって分離させられた素子電極層5それぞれの形
成位置は対面接合部3aに対して均等となり、これら素
子電極層5は対面接合部3aを基準とした対称位置ごと
に形成されていることになる。なお、この所定幅部分9
を除去するための方法がダイサを用いたうえでの削り取
り加工に限定されることはなく、エッチングなどの手法
を採用して行われるものであってもよいことは勿論であ
る。
接合板3の共通電極層6が形成された他方側表面上に
は、分極処理が施されていない圧電セラミックスからな
るウェイトブロック体7を接着剤によって接合する。そ
の後、これら互いに接合されたうえで一体となったセラ
ミックス接合板3及びウェイトブロック体7に対し、図
5中の仮想線Cに沿うような所定幅ごとの切断加工を行
うと、図2で説明した構造を有する加速度検出素子が製
作されたことになる。引き続き、このようにして製作さ
れた加速度検出素子は、その長手方向に沿う両側の端部
11aが図5中の仮想線Dに沿うようにして切り落とさ
れることによって大きさが調整されたうえで完成する。
ス接合板3及びウェイトブロック体7から仮想線Cに沿
って切り出された加速度検出素子の長手方向に沿う両側
の端部11aを仮想線Dに沿って切り落とす手順を採用
するとしているが、この仮想線Dに沿っての端部11a
切り落とし作業をセラミックス接合板3及びウェイトブ
ロック体7からなるブロック状態下で行うことも可能で
あり、このような手順を採用する方が効率的である。ま
た、本実施例方法では、セラミックス接合板3の一方側
表面上に素子電極層5を形成したうえで共通電極層6上
にウェイトブロック体7を接合するとしているが、この
手順に限られることはなく、ウェイトブロック体7を接
合したうえで素子電極層5を形成してもよいことは勿論
である。
落としは、圧電素子11同士間に残る対面接合部3aを
基準としてではなく、所定幅部分9を除去することによ
って分離させられた素子電極層5のうちのいずれか一方
の内側端面を基準としたうえで行われる。すなわち、従
来例のようなマスキング層4と接していた素子電極層5
の場合とは異なり、全面電極8のうちの所定幅部分9を
削り取り除去することによって新たに形成された素子電
極層5の内側端面は凹凸状態を有さずに直線状態となる
から、端部11aの切り落としを行うに際しての基準と
なり得るのである。そこで、このような切り落とし作業
を行った場合には、前段工程におけるダイサを用いたう
えでの所定幅部分9の除去によって分離させられた素子
電極層5それぞれの形成位置がセラミックス接合板3の
対面接合部3aに対して均等となっていなくても完成し
た加速度検出素子における素子電極13、すなわち、各
圧電素子11の下側表面上に形成された素子電極13そ
れぞれの大きさは一致することになり、各素子電極13
の占有面積は等しいものとなる。
例方法によって製造される加速度検出素子が、図2で示
した通り、一対の圧電素子11上にウェイト12が共通
して載置された構造を有するとしている。しかしなが
ら、本実施例方法に従って製造される加速度検出素子の
構造が図2に限定されることはなく、例えば、図3で示
すような変形構造を有する加速度検出素子を本実施例方
法に従って製造することも可能である。すなわち、この
加速度検出素子は、ウェイト12を具備しておらず、図
2の場合よりも高背化されて大質量化された一対の圧電
素子11のみが回路基板10上に隣接配置して取り付け
られたものであり、各圧電素子11自体が大きな質量を
有していることによりウェイト12に代わる機能を果た
すよう構成されたものである。
によれば、加速度作用時における圧電素子11それぞれ
の自重によって慣性力が発生し、各圧電素子11自体に
せん断応力が生じることになる結果、加速度に比例した
電荷及び電圧が発生することによって加速度が検出され
るのである。なお、この加速度検出素子を製造するに際
しては、ブロック接合体2からセラミックス接合板3を
切り出す図1(a)の工程において、このセラミックス
接合板3が大質量物として十分な厚みを有するものとな
るように切り出せばよいだけであり、このセラミックス
接合板3の両側表面上に全面電極層8を形成した後の工
程は、ウェイト12に関わる内容を除いて上記製造方法
と同様である。
速度検出素子の製造方法によれば、セラミックス接合板
の一方側表面上に形成された全面電極層のうち、セラミ
ックス接合板の対面接合部の両側にわたる所定幅部分の
みを除去して互いに分離された2つの素子電極層を形成
するのであるが、この全面電極層の所定幅部分を除去す
る際には、セラミックス接合板の対面接合部を基準とし
た位置決めを行ったうえでの正確な加工を実施すること
が可能となる。そこで、対面接合部を基準とした除去加
工によって分離させられた素子電極層それぞれの形成位
置は対面接合部に対して均等となり、これら素子電極層
は対面接合部を基準とした対称位置ごとに形成されてい
ることになる。
素子の下側表面上に形成された素子電極それぞれの形成
位置が対称となる結果、加速度検出素子の特性ばらつき
も生じないことになる。また、この加速度検出素子が搭
載された回路基板を厚み方向に沿って押し曲げる力が加
わってもセンサ出力が送出されることは起こらなくなる
結果、エアバッグシステムの誤動作というような重大問
題を引き起こす恐れは全くないという効果も得られるこ
とになる。
明図である。
速度検出素子の構造を示す説明図である。
子の変形構造を示す説明図である。
説明図である。
順を示す説明図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 圧電セラミックスからなるブロック体
(1)を対面接合したうえで切り出されたセラミックス
接合板(3)の両側表面に対する電極形成処理を行った
後、 セラミックス接合板(3)の一方側表面上に形成された
全面電極層(8)のうち、セラミックス接合板(3)に
おける対面接合部(3a)の両側にわたる所定幅部分
(9)を除去して互いに分離された2つの素子電極層
(5)を形成することを特徴とする加速度検出素子の製
造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05283635A JP3094757B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 加速度検出素子の製造方法 |
SG1996000942A SG66216A1 (en) | 1993-11-09 | 1994-11-07 | Acceleration sensor |
DE69405962T DE69405962T2 (de) | 1993-11-09 | 1994-11-07 | Beschleunigungsmessaufnehmer |
EP94117543A EP0653641B1 (en) | 1993-11-09 | 1994-11-07 | Acceleration sensor |
US08/925,896 US6094984A (en) | 1993-11-09 | 1997-09-08 | Acceleration sensor with a circuit board separated from a base plate by a space |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05283635A JP3094757B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 加速度検出素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07140165A true JPH07140165A (ja) | 1995-06-02 |
JP3094757B2 JP3094757B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=17668076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05283635A Expired - Lifetime JP3094757B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-12 | 加速度検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3094757B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6098460A (en) * | 1995-10-09 | 2000-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and shock detecting device using the same |
JP2022074049A (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-17 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | 加速度変換器 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP05283635A patent/JP3094757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6098460A (en) * | 1995-10-09 | 2000-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and shock detecting device using the same |
US6615465B2 (en) | 1995-10-09 | 2003-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing an acceleration sensor |
JP2022074049A (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-17 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | 加速度変換器 |
US11747361B2 (en) | 2020-11-02 | 2023-09-05 | Kistler Holding Ag | Acceleration transducer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3094757B2 (ja) | 2000-10-03 |
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