JPH0713186B2 - 電子部品封止用樹脂組成物 - Google Patents
電子部品封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH0713186B2 JPH0713186B2 JP61011996A JP1199686A JPH0713186B2 JP H0713186 B2 JPH0713186 B2 JP H0713186B2 JP 61011996 A JP61011996 A JP 61011996A JP 1199686 A JP1199686 A JP 1199686A JP H0713186 B2 JPH0713186 B2 JP H0713186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- resin
- polyphenylene sulfide
- parts
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品の封止に適したポリフエニレンサル
フアイド樹脂組成物に関するものであり、更に詳しく
は、低粘度で、かつ高純度のポリフエニレンサルフアイ
ド樹脂、シリカ、約400℃以下の温度で異方性メルト相
を形成しうる芳香族ポリエステルから成る電子部品封止
用ポリフエニレンサルフアイド樹脂組成物に関する。
フアイド樹脂組成物に関するものであり、更に詳しく
は、低粘度で、かつ高純度のポリフエニレンサルフアイ
ド樹脂、シリカ、約400℃以下の温度で異方性メルト相
を形成しうる芳香族ポリエステルから成る電子部品封止
用ポリフエニレンサルフアイド樹脂組成物に関する。
電子部品、たとえばIC、トランジスター、ダイオード、
コンデンサー、レジスター等ではそれらの保護、電気絶
縁性の保持、外部雰囲気による特性劣化の防止などの目
的で電子部品を合成樹脂で封止することが広く行われて
いる。その際の合成樹脂としてはエポキシ樹脂やシリコ
ーン樹脂などの熱硬化性樹脂が使用されているが、これ
らの熱硬化性樹脂は成形時間が長くなること、ポストキ
ユアーが必要であること、バリが出やすいこと、スプル
ー、ランナーなどのスクラツプの再利用ができないこ
と、材料自体の取扱いが容易でないこと等の欠点を有す
る。
コンデンサー、レジスター等ではそれらの保護、電気絶
縁性の保持、外部雰囲気による特性劣化の防止などの目
的で電子部品を合成樹脂で封止することが広く行われて
いる。その際の合成樹脂としてはエポキシ樹脂やシリコ
ーン樹脂などの熱硬化性樹脂が使用されているが、これ
らの熱硬化性樹脂は成形時間が長くなること、ポストキ
ユアーが必要であること、バリが出やすいこと、スプル
ー、ランナーなどのスクラツプの再利用ができないこ
と、材料自体の取扱いが容易でないこと等の欠点を有す
る。
そこで、これらの熱硬化性樹脂の有する欠点をなくする
目的から、熱硬化性樹脂であるポリフエニレンサルフア
イド樹脂で封止することが提案されている。
目的から、熱硬化性樹脂であるポリフエニレンサルフア
イド樹脂で封止することが提案されている。
ポリフエニレンサルフアイド樹脂での封止における問題
点は、ポリフエニレンサルフアイド樹脂がもろく、靭性
に不足することである。特に低分子量の該樹脂を用いる
場合、より問題となる。熱硬化性樹脂封止材料の中で代
表的なエポキシ樹脂の場合では、充填材としてシリカを
大量に配合するだけで十分な強度をえることが出来る
が、ポリフエニレンサルフアイド樹脂ではシリカを配合
しただけでは殆ど強度改善効果がえられず、封止材料と
して強度不足であるのが実情である。
点は、ポリフエニレンサルフアイド樹脂がもろく、靭性
に不足することである。特に低分子量の該樹脂を用いる
場合、より問題となる。熱硬化性樹脂封止材料の中で代
表的なエポキシ樹脂の場合では、充填材としてシリカを
大量に配合するだけで十分な強度をえることが出来る
が、ポリフエニレンサルフアイド樹脂ではシリカを配合
しただけでは殆ど強度改善効果がえられず、封止材料と
して強度不足であるのが実情である。
以上のシリカ配合ポリフエニレンサルフアイド樹脂封止
材料の強度不足を解消するためガラス繊維等の繊維状強
化材を併用することが提案されているが、ガラス繊維で
は一般にアルカリ金属が少なからず含まれるため配合物
の電気的特性の低下を起こすことが問題であり、かつ配
合物の溶融粘度を高めることが問題であり、更に繊維状
強化材はIC等の金線を使用する電子部品の封止において
金線を破損しやすいといつた問題点がある。
材料の強度不足を解消するためガラス繊維等の繊維状強
化材を併用することが提案されているが、ガラス繊維で
は一般にアルカリ金属が少なからず含まれるため配合物
の電気的特性の低下を起こすことが問題であり、かつ配
合物の溶融粘度を高めることが問題であり、更に繊維状
強化材はIC等の金線を使用する電子部品の封止において
金線を破損しやすいといつた問題点がある。
本発明者らは、繊維状強化材を用いずに強度の高められ
た電子部品封止用ポリフエニレンサルフアイド樹脂組成
物を得るべく鋭意検討した結果、低分子量で、かつ水溶
性電解質の減じられたシリカ配合ポリフエニレンサルフ
アイド樹脂に対し、約400℃以下の温度で異方性メルト
相を形成しうる芳香族ポリエステルを添加することによ
り耐湿性、強度、成形性の改善されたポリフエニレンサ
ルフアイド樹脂組成物がえられることを見出し、本発明
に至つたものである。
た電子部品封止用ポリフエニレンサルフアイド樹脂組成
物を得るべく鋭意検討した結果、低分子量で、かつ水溶
性電解質の減じられたシリカ配合ポリフエニレンサルフ
アイド樹脂に対し、約400℃以下の温度で異方性メルト
相を形成しうる芳香族ポリエステルを添加することによ
り耐湿性、強度、成形性の改善されたポリフエニレンサ
ルフアイド樹脂組成物がえられることを見出し、本発明
に至つたものである。
即ち、本発明は、ASTM法Ｄ−1238−74（316℃、5kg荷
重）で測定されたメルトフロー値が1000以上であるポリ
フエニレンサルフアイド樹脂100重量部に対し、約400℃
以下の温度で異方性メルト相を形成しうる芳香族ポリエ
ステル0.1〜100重量部およびシリカより成る電子部品封
止用ポリフエニレンサルフアイド樹脂組成物を提供す
る。
重）で測定されたメルトフロー値が1000以上であるポリ
フエニレンサルフアイド樹脂100重量部に対し、約400℃
以下の温度で異方性メルト相を形成しうる芳香族ポリエ
ステル0.1〜100重量部およびシリカより成る電子部品封
止用ポリフエニレンサルフアイド樹脂組成物を提供す
る。
本発明のポリフエニレンサルフアイド樹脂は、 の繰り返し単位を有するものであり、その共重合物とし
て、例えば および／又は で示される単位（ここでＸ、ＹはＳ、Ｏ、SO、SO2、C
O、Ｃ（CH3）２から任意に選択される）が含まれていて
もよい。更に、該樹脂のメルトフロー値はASTM D1238
−74（316℃、5kg荷重）で測定して1000以上であり、10
00未満では本組成物の溶融粘度が高くなり、電子部品封
止に制限が生じるため好ましくない。該メルトフロー値
は、より好ましくは3000以上である。他方、ポリフエニ
レンサルフアイド樹脂中に含まれる水溶性電解質は組成
物の耐湿性の観点から100ppm以下が好ましい。
て、例えば および／又は で示される単位（ここでＸ、ＹはＳ、Ｏ、SO、SO2、C
O、Ｃ（CH3）２から任意に選択される）が含まれていて
もよい。更に、該樹脂のメルトフロー値はASTM D1238
−74（316℃、5kg荷重）で測定して1000以上であり、10
00未満では本組成物の溶融粘度が高くなり、電子部品封
止に制限が生じるため好ましくない。該メルトフロー値
は、より好ましくは3000以上である。他方、ポリフエニ
レンサルフアイド樹脂中に含まれる水溶性電解質は組成
物の耐湿性の観点から100ppm以下が好ましい。
本発明に用いられるシリカは、100メツシユ以上の粒径
を有し、不定形あるいは球状又はその混合物が好まし
く、その使用量は少な過ぎると電子部品封止物の寸法安
定性が悪くなり、又、多過ぎると成形時の流動性が悪く
なり好ましくないことからポリフエニレンサルフアイド
樹脂100重量部に対し、100〜900重量部が好ましい。
を有し、不定形あるいは球状又はその混合物が好まし
く、その使用量は少な過ぎると電子部品封止物の寸法安
定性が悪くなり、又、多過ぎると成形時の流動性が悪く
なり好ましくないことからポリフエニレンサルフアイド
樹脂100重量部に対し、100〜900重量部が好ましい。
本発明における、約400℃以下の温度で異方性メルト相
を形成しうる芳香族ポリエステルとしては、例えば下記
の繰り返し部分ＩおよびIIから構成されるものが挙げら
れる。
を形成しうる芳香族ポリエステルとしては、例えば下記
の繰り返し部分ＩおよびIIから構成されるものが挙げら
れる。
から選択される１種以上の構成成分。（但し、Ｒはメチ
ル、クロロ、ブロモまたはその混合物であつて芳香族環
上に存在する水素と置換されている基である。） 該芳香族ポリエステルの異方性メルト相形成温度は約40
0℃以下で、260〜350℃が好ましく、特に280〜330℃が
好ましい。電子部品封止成形において該芳香族ポリエス
テルは溶融することが必要であるため、該異方性メルト
相形成温度が約400℃を越えると封止成形樹脂温度が高
くなりすぎて好ましくない。
ル、クロロ、ブロモまたはその混合物であつて芳香族環
上に存在する水素と置換されている基である。） 該芳香族ポリエステルの異方性メルト相形成温度は約40
0℃以下で、260〜350℃が好ましく、特に280〜330℃が
好ましい。電子部品封止成形において該芳香族ポリエス
テルは溶融することが必要であるため、該異方性メルト
相形成温度が約400℃を越えると封止成形樹脂温度が高
くなりすぎて好ましくない。
本発明で用いられる芳香族ポリエステルは、完全芳香族
であるものが好ましく、メルト加工をうけることができ
ることに加えて溶融物中で光学的な異方性を示すもので
ある。このようなポリエステルを開示している最近の刊
行物には、（ａ）ベルギー特許第828935号および同第82
8936号、（ｂ）オランダ特許第7505551号、（ｃ）西独
特許第2520819号、同第2520820号および同第2722120
号、（ｄ）米国特許第3991013号、同第3991014号、同第
4057597号、同第4066620号、同第4075262号、同第41183
72号、同第4156070号、同第4159365号、同第4163933
号、および同第4181792号、および（ｅ）米国特許出願
第2002404号がある。
であるものが好ましく、メルト加工をうけることができ
ることに加えて溶融物中で光学的な異方性を示すもので
ある。このようなポリエステルを開示している最近の刊
行物には、（ａ）ベルギー特許第828935号および同第82
8936号、（ｂ）オランダ特許第7505551号、（ｃ）西独
特許第2520819号、同第2520820号および同第2722120
号、（ｄ）米国特許第3991013号、同第3991014号、同第
4057597号、同第4066620号、同第4075262号、同第41183
72号、同第4156070号、同第4159365号、同第4163933
号、および同第4181792号、および（ｅ）米国特許出願
第2002404号がある。
又、好ましい芳香族ポリエステルは米国特許第4067852
号、同第4083329号、同第4130545号、同第4161470号お
よび同第4184996号、ならびに米国特許出願継続番号第1
0392号（1979年２月８日出願）、同第10393号（1979年
２月８日出願）、同第17007号（1979年３月２日出
願）、同第21050号（1979年３月16日出願）、同第32086
号（1979年４月23日出願）、および同第54049号（1979
年７月２日出願）に記載されている。
号、同第4083329号、同第4130545号、同第4161470号お
よび同第4184996号、ならびに米国特許出願継続番号第1
0392号（1979年２月８日出願）、同第10393号（1979年
２月８日出願）、同第17007号（1979年３月２日出
願）、同第21050号（1979年３月16日出願）、同第32086
号（1979年４月23日出願）、および同第54049号（1979
年７月２日出願）に記載されている。
本発明での芳香族ポリエステルは、縮合の際に必要な繰
り返し部分を形成する官能基含有の有機モノマー化合物
類を反応させる種々のエステル形成技術によつて製造す
ることができる。たとえば該有機モノマー化合物の官能
基は、カルボン酸基、ヒドロキシ基、エステル基、アシ
ルオキシ基、酸ハロゲン化物でありうる。この有機モノ
マー化合物類は熱交換液体の不存在下に溶融加酸分解法
により反応させてもよい。従つて、これらをまず加熱し
て反応試剤のメルト溶液を作り、固体ポリマー粒子をそ
こに懸濁させながら反応をつづけてもよい。縮合の最終
段階の間に生成する揮発物（たとえば酢酸または水）の
除去を促進するために真空を用いることもできる。
り返し部分を形成する官能基含有の有機モノマー化合物
類を反応させる種々のエステル形成技術によつて製造す
ることができる。たとえば該有機モノマー化合物の官能
基は、カルボン酸基、ヒドロキシ基、エステル基、アシ
ルオキシ基、酸ハロゲン化物でありうる。この有機モノ
マー化合物類は熱交換液体の不存在下に溶融加酸分解法
により反応させてもよい。従つて、これらをまず加熱し
て反応試剤のメルト溶液を作り、固体ポリマー粒子をそ
こに懸濁させながら反応をつづけてもよい。縮合の最終
段階の間に生成する揮発物（たとえば酢酸または水）の
除去を促進するために真空を用いることもできる。
Melt Prosessable Thermotrepic Wholly Aromatic Poly
sterと題する米国特許第4083829号には、本発明で使用
に適する芳香族ポリエステルを製造するために使用しう
るスラリー重合法が記載されている。このような方法に
よれば、固体生成物は熱交換媒質中に懸濁する。この特
許の開示を引用によつてここにあらかじめくみ入れた。
sterと題する米国特許第4083829号には、本発明で使用
に適する芳香族ポリエステルを製造するために使用しう
るスラリー重合法が記載されている。このような方法に
よれば、固体生成物は熱交換媒質中に懸濁する。この特
許の開示を引用によつてここにあらかじめくみ入れた。
溶融加酸分解法または米国特許第4083829号のスラリー
法のいずれかを採用するときは、芳香族ポリエステルを
誘導する有機モノマー試剤はかかるモノマーの通常のヒ
ドロキシ基をエステル化した変性形態でまず提供するこ
とができる（すなわちそれらは低級アシルエステルとし
て提出される）。低級アシル基は好ましくは約２〜４個
の炭素原子をもつものである。好ましくは、有機モノマ
ー試剤のアセテートエステルが提供される。
法のいずれかを採用するときは、芳香族ポリエステルを
誘導する有機モノマー試剤はかかるモノマーの通常のヒ
ドロキシ基をエステル化した変性形態でまず提供するこ
とができる（すなわちそれらは低級アシルエステルとし
て提出される）。低級アシル基は好ましくは約２〜４個
の炭素原子をもつものである。好ましくは、有機モノマ
ー試剤のアセテートエステルが提供される。
溶融加酸分解法または米国特許第4083829号のスラリー
法のいずれかに任意に使用しうる代表的な触媒にはジア
ルキルすず酸化物（たとえばジブチルすず酸化物）、ジ
アリールすず酸化物、二酸化チタン、三酸化アンチモ
ン、アルコキシチタンシリケート、チタンアルコキサイ
ド、カルボン酸のアルカリおよびアルカリ土類金属塩
（たとえば酢酸亜鉛）、気体の酸触媒たとえばルイス酸
（たとえばBF3）、ハロゲン化水素（たとえばHCI）な
ど、がある。使用する触媒の量は代表的には、全モノマ
ー重量を基準にして約0.001〜１重量％であり、最も一
般的には約0.01〜0.2重量％である。
法のいずれかに任意に使用しうる代表的な触媒にはジア
ルキルすず酸化物（たとえばジブチルすず酸化物）、ジ
アリールすず酸化物、二酸化チタン、三酸化アンチモ
ン、アルコキシチタンシリケート、チタンアルコキサイ
ド、カルボン酸のアルカリおよびアルカリ土類金属塩
（たとえば酢酸亜鉛）、気体の酸触媒たとえばルイス酸
（たとえばBF3）、ハロゲン化水素（たとえばHCI）な
ど、がある。使用する触媒の量は代表的には、全モノマ
ー重量を基準にして約0.001〜１重量％であり、最も一
般的には約0.01〜0.2重量％である。
本発明の電子部品封止用ポリフエニレンサルフアイド樹
脂組成物において、組成物全重量を基準にして0.1〜20
重量％、好ましくは0.5〜15重量％のエポキシ化合物の
添加は、電子部品封止成形物の強度向上にとくに好まし
い。エポキシ化合物としては、エポキシ基を分子中に１
個あるいは２個以上有する化合物であればよく、具体的
にはビスフエノールＡ、レゾルシノール、ハイドロキノ
ン、ピロカテコール、ビスフエノールＦ、サリゲニン、
1,3,5−トリヒドロキシベンゼン、ビスフエノールＳ、
トリヒドロキシ−ジフエニルジメチルメタン、4,4′−
ジヒドロキシビフエニル、1,5−ジヒドロキシナフタレ
ン、カシユーフエノール、ジヒドロキシ−ジフエニルス
ルホン、2,2,5,5−テトラキス（４−ヒドロキシフエニ
ル）ヘキサンなどのビスフエノールのグリシジルエーテ
ル、ビスフエノールの代わりにハロゲン化ビスフエノー
ルブタンジオールのジグリシジルエーテルなどのグリシ
ジルエーテル系、フタル酸グリシジルエステル等のグリ
シジルエーテル系、Ｎ−グリシジルアニリン等のグリシ
ジルアミン系等々のグリシジルエポキシ樹脂、ノポラツ
クエポキシ樹脂、エポキシ化ポリオレフイン、エポキシ
化大豆油等の線状系及びビニルシクロヘキセンジオキサ
イド、ジシクロペンタジエンジオキサイド等の環状系の
非グリシジルエポキシ樹脂が例示される。
脂組成物において、組成物全重量を基準にして0.1〜20
重量％、好ましくは0.5〜15重量％のエポキシ化合物の
添加は、電子部品封止成形物の強度向上にとくに好まし
い。エポキシ化合物としては、エポキシ基を分子中に１
個あるいは２個以上有する化合物であればよく、具体的
にはビスフエノールＡ、レゾルシノール、ハイドロキノ
ン、ピロカテコール、ビスフエノールＦ、サリゲニン、
1,3,5−トリヒドロキシベンゼン、ビスフエノールＳ、
トリヒドロキシ−ジフエニルジメチルメタン、4,4′−
ジヒドロキシビフエニル、1,5−ジヒドロキシナフタレ
ン、カシユーフエノール、ジヒドロキシ−ジフエニルス
ルホン、2,2,5,5−テトラキス（４−ヒドロキシフエニ
ル）ヘキサンなどのビスフエノールのグリシジルエーテ
ル、ビスフエノールの代わりにハロゲン化ビスフエノー
ルブタンジオールのジグリシジルエーテルなどのグリシ
ジルエーテル系、フタル酸グリシジルエステル等のグリ
シジルエーテル系、Ｎ−グリシジルアニリン等のグリシ
ジルアミン系等々のグリシジルエポキシ樹脂、ノポラツ
クエポキシ樹脂、エポキシ化ポリオレフイン、エポキシ
化大豆油等の線状系及びビニルシクロヘキセンジオキサ
イド、ジシクロペンタジエンジオキサイド等の環状系の
非グリシジルエポキシ樹脂が例示される。
本発明において特に好ましいエポキシ樹脂はノボラツク
エポキシ樹脂である。ノボラツクエポキシ樹脂は、エポ
キシ基を２個以上含有するものでありノボラツク型フエ
ノール樹脂にエピクロルヒドリンを反応させて得られ
る。ノボラツク型フエノール樹脂はフエノール類とホル
ムアルデヒドとの縮合反応により得られる。この原料の
フエノール類としては特に制限はないがフエノール、ｏ
−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ビス
フエノールＡ、イゾルシノール、ｐ−ターシヤリーブチ
ルフエノール、ビスフエノールＦ、ビスフエノールＳお
よびこれらの混合物が特に好適に用いられる。
エポキシ樹脂である。ノボラツクエポキシ樹脂は、エポ
キシ基を２個以上含有するものでありノボラツク型フエ
ノール樹脂にエピクロルヒドリンを反応させて得られ
る。ノボラツク型フエノール樹脂はフエノール類とホル
ムアルデヒドとの縮合反応により得られる。この原料の
フエノール類としては特に制限はないがフエノール、ｏ
−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ビス
フエノールＡ、イゾルシノール、ｐ−ターシヤリーブチ
ルフエノール、ビスフエノールＦ、ビスフエノールＳお
よびこれらの混合物が特に好適に用いられる。
更に、ポリ−ｐ−ビニルフエノールのエポキシ化物およ
びこれらのエポキシ樹脂のハロゲン化物もノボラツク型
エポキシ樹脂と同様用いることができる。これらエポキ
シ樹脂は単独及び／又は、２種以上の混合物として使用
してもよい。
びこれらのエポキシ樹脂のハロゲン化物もノボラツク型
エポキシ樹脂と同様用いることができる。これらエポキ
シ樹脂は単独及び／又は、２種以上の混合物として使用
してもよい。
本発明組成物に有機シランを添加することは電子部品封
止成形物の耐湿性向上に好ましく、その添加量は組成物
全重量に対し0.1〜３重量％である。有機シランとして
は、ビニルシラン、メタクリロキシシラン、エポキシシ
ラン、アミノシラン、メルカプトシラン等の各種タイプ
が含まれ、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルト
リス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（3,4−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミ
ノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン、Ｎ−フエニル−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどが例示
されるが、これらに限定されるものではない。
止成形物の耐湿性向上に好ましく、その添加量は組成物
全重量に対し0.1〜３重量％である。有機シランとして
は、ビニルシラン、メタクリロキシシラン、エポキシシ
ラン、アミノシラン、メルカプトシラン等の各種タイプ
が含まれ、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルト
リス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（3,4−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミ
ノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン、Ｎ−フエニル−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどが例示
されるが、これらに限定されるものではない。
本組成物に対し目的を逸脱しない範囲で他のポリマーを
併用できる。かかるポリマーとしては、たとえば、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、スチレンブタジエンゴム、
水素化スチレンブタジエンゴム、オレフインゴム、エチ
レンプロピレンゴム、ポリフエニレンオキサイド、ポリ
カーボネート、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンフタレー
ト、ポリブチレンフタレート等がある。
併用できる。かかるポリマーとしては、たとえば、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、スチレンブタジエンゴム、
水素化スチレンブタジエンゴム、オレフインゴム、エチ
レンプロピレンゴム、ポリフエニレンオキサイド、ポリ
カーボネート、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンフタレー
ト、ポリブチレンフタレート等がある。
本組成物は充填剤としてシリカを配合するが、本発明の
目的を損わない範囲で他の充填剤や補強材を配合しても
よく、かかる充填材や補強材として例えばタルク、クレ
ー、マイカ、ガラスビーズ、ベントナイト、炭酸カルシ
ウム、酸化カルシウム、アルミナ、ムライト、硫酸カル
シウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、
酸化鉄、水酸化鉄、ハイドロタルサイトおよび無機繊維
等が挙げられる。
目的を損わない範囲で他の充填剤や補強材を配合しても
よく、かかる充填材や補強材として例えばタルク、クレ
ー、マイカ、ガラスビーズ、ベントナイト、炭酸カルシ
ウム、酸化カルシウム、アルミナ、ムライト、硫酸カル
シウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、
酸化鉄、水酸化鉄、ハイドロタルサイトおよび無機繊維
等が挙げられる。
本発明の組成物は、電子部品封止用成形機中で配合する
芳香族ポリエステルの異方性メルト相成形温度以上の温
度で封止成形することが封止成形物の強度改善に好まし
い。好適な成形機中の樹脂温度は280〜360℃である。
芳香族ポリエステルの異方性メルト相成形温度以上の温
度で封止成形することが封止成形物の強度改善に好まし
い。好適な成形機中の樹脂温度は280〜360℃である。
本発明の組成物はIC、トランジスター、ダイオード、コ
ンデンサー、レジスター等の電子部品の封止に用いられ
るものである。
ンデンサー、レジスター等の電子部品の封止に用いられ
るものである。
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は耐湿性、強度に優
れ、成形性の改善されたものであり、電子部品を封止し
た際に有効なものである。
れ、成形性の改善されたものであり、電子部品を封止し
た際に有効なものである。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１ ASTM法Ｄ−1238−74（316℃、5kg荷重）で測定されたメ
ルトフロー値が5500であるポリフエニレンサルフアイド
（フイリツプスペトローリアム社製、ライトン Ｖ−
１）を10倍量のＮ−メチルピロリドンに260℃で溶解し
たのち、冷却してえられるポリフエニレンサルフアイド
沈殿物を水洗、乾燥することにより水溶性電解質含有量
を65ppmとした。該ポリフエニレンサルフアイド、溶融
シリカ、４−オキシベンゾイル単位50モル％、2,6−ジ
オキシナフタレン単位25モル％およびテレフタル単位25
モル％からなる、350℃以下の温度で異方性メルト相を
形成する芳香族ポリエステルを第１表の始く配合し、40
mm押出機で340℃にて溶融混練しペレツト化したのち、3
50℃で射出成形し、物性測定用試片を作成した。それを
用いて物性試験を行つた。その結果を第１表に示す。
ルトフロー値が5500であるポリフエニレンサルフアイド
（フイリツプスペトローリアム社製、ライトン Ｖ−
１）を10倍量のＮ−メチルピロリドンに260℃で溶解し
たのち、冷却してえられるポリフエニレンサルフアイド
沈殿物を水洗、乾燥することにより水溶性電解質含有量
を65ppmとした。該ポリフエニレンサルフアイド、溶融
シリカ、４−オキシベンゾイル単位50モル％、2,6−ジ
オキシナフタレン単位25モル％およびテレフタル単位25
モル％からなる、350℃以下の温度で異方性メルト相を
形成する芳香族ポリエステルを第１表の始く配合し、40
mm押出機で340℃にて溶融混練しペレツト化したのち、3
50℃で射出成形し、物性測定用試片を作成した。それを
用いて物性試験を行つた。その結果を第１表に示す。
尚、上記実施例No.2〜４のペレツトを射出成形機に入
れ、リードフレームをそれぞれで封止して各トランジス
ターを得た。
れ、リードフレームをそれぞれで封止して各トランジス
ターを得た。
実施例２ 実施例１で用いたポリフエニレンサルフアイド100重量
部に対し溶融シリカ180重量部、４−オキシベンゾイル
単位40モル％、テレフタロイル基20モル％、1,2−エチ
レンジオキシ−4,4′−ジベンゾイル単位20モル％およ
びメチル置換−1,4−ジオキシフエニレン単位20モル％
からなる、350℃以下の温度で異方性メルト相を形成す
る芳香族ポリエステル20重量部、β−（3,4−エポキシ
シクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１重量部を
実施例１と同様にしてペレツト化し、物性測定用試変を
作成した。曲げ強度880kg/cm2、ノツチ付アイゾツト衝
撃強度8.6kg・cm/cm、121℃、２気圧、100時間のプレツ
シヤークツカー試験後の体積固有抵抗率は1.2×1015Ωc
mであつた。このものを用いて容易に封止したトランジ
スターが得られた。
部に対し溶融シリカ180重量部、４−オキシベンゾイル
単位40モル％、テレフタロイル基20モル％、1,2−エチ
レンジオキシ−4,4′−ジベンゾイル単位20モル％およ
びメチル置換−1,4−ジオキシフエニレン単位20モル％
からなる、350℃以下の温度で異方性メルト相を形成す
る芳香族ポリエステル20重量部、β−（3,4−エポキシ
シクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１重量部を
実施例１と同様にしてペレツト化し、物性測定用試変を
作成した。曲げ強度880kg/cm2、ノツチ付アイゾツト衝
撃強度8.6kg・cm/cm、121℃、２気圧、100時間のプレツ
シヤークツカー試験後の体積固有抵抗率は1.2×1015Ωc
mであつた。このものを用いて容易に封止したトランジ
スターが得られた。
比較例１ 実施例２において、芳香族ポリエステル20重量部の代わ
りにガラス繊維（旭硝子製、CS03MA497）20重量部を用
いるだけで、その他は同様にした場合の物性結果は、曲
げ強度860kg/cm2、ノツチ付アイゾツト衝撃強度8.5kg・
cm/cm、121℃、２気圧、100時間のプレツシヤークツカ
ー試験後の体積固有抵抗率は３×1012Ωcmであつた。
りにガラス繊維（旭硝子製、CS03MA497）20重量部を用
いるだけで、その他は同様にした場合の物性結果は、曲
げ強度860kg/cm2、ノツチ付アイゾツト衝撃強度8.5kg・
cm/cm、121℃、２気圧、100時間のプレツシヤークツカ
ー試験後の体積固有抵抗率は３×1012Ωcmであつた。
実施例３ 実施例１の実験例No.3において、ノボラツク型エポキシ
樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、エピクロンＮ−
695）２重量部を追加配合するだけでその他は同様にし
た場合の物性結果は、曲げ強度720kg/cm2、ノツチ付ア
イゾツト衝撃強度4.5kg・cm/cmであつた。このものも容
易に封止したトランジスターを得ることができた。
樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、エピクロンＮ−
695）２重量部を追加配合するだけでその他は同様にし
た場合の物性結果は、曲げ強度720kg/cm2、ノツチ付ア
イゾツト衝撃強度4.5kg・cm/cmであつた。このものも容
易に封止したトランジスターを得ることができた。
実施例４ 実施例２において芳香族ポリエステルとしてビスフエノ
ールＥ 単位40モル％、イソフタル酸単位40モル％、２−オキシ
−６−カルボキシナフタレン単位20モル％からなる350
℃以下の温度で異方性メルト相を形成するポリエステル
を用いた。物性測定結果は、曲げ強度870kg/cm2、ノツ
チ付アイゾツト衝撃強度9.2kg・cm/cm、２気圧、100時
間のプレツシヤークツカー試験後の体積固有抵抗率は9.
5×1014Ωcmであつた、このものを用いて容易に封止し
たICが得られた。
ールＥ 単位40モル％、イソフタル酸単位40モル％、２−オキシ
−６−カルボキシナフタレン単位20モル％からなる350
℃以下の温度で異方性メルト相を形成するポリエステル
を用いた。物性測定結果は、曲げ強度870kg/cm2、ノツ
チ付アイゾツト衝撃強度9.2kg・cm/cm、２気圧、100時
間のプレツシヤークツカー試験後の体積固有抵抗率は9.
5×1014Ωcmであつた、このものを用いて容易に封止し
たICが得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 //(Ｃ０８Ｌ 81/02 67:00）
Claims (1)
- 【請求項１】ASTM法Ｄ−1238−74（316℃、5kg荷重）で
測定されたメルトフロー値が1000以上であるポリフエニ
レンサルフアイド樹脂100重量部に対し、約400℃以下の
温度で異方性メルト相を形成しうる芳香族ポリエステル
0.1〜100重量部およびシリカより成る電子部品封止用樹
脂組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5951085 | 1985-03-26 | ||
| JP60-59510 | 1985-03-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62549A JPS62549A (ja) | 1987-01-06 |
| JPH0713186B2 true JPH0713186B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13115322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011996A Expired - Lifetime JPH0713186B2 (ja) | 1985-03-26 | 1986-01-24 | 電子部品封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713186B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0699631B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1994-12-07 | ポリプラスチックス株式会社 | 熱可塑性樹脂封止剤 |
| JPS63227041A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Matsushita Electronics Corp | 固体装置 |
| JPH0689224B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-11-09 | ポリプラスチックス株式会社 | 低応力封止材 |
| JPH01246677A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Meidensha Corp | 線分長簡易計算方式 |
| JPH01251184A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Meidensha Corp | 線分方向簡易計算方式 |
| JP2700127B2 (ja) * | 1988-05-18 | 1998-01-19 | 東レ株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物 |
| KR900003290A (ko) * | 1988-08-04 | 1990-03-26 | 고니시 히꼬이찌 | 전자부품봉지용(封止用) 수지 조성물과 전자 부품 |
| JP2780271B2 (ja) * | 1988-08-04 | 1998-07-30 | 東レ株式会社 | 電子部品封止用組成物および樹脂封止電子部品 |
| DE3915067A1 (de) * | 1989-05-09 | 1990-11-15 | Bayer Ag | Leichtfliessende polyarylensulfid-formmassen |
| US5160786A (en) * | 1989-12-27 | 1992-11-03 | Polyplastics Co. Ltd. | Resin material for inserting lead frame and molded component thereof |
| EP2752455A1 (en) * | 2011-08-30 | 2014-07-09 | Toyobo Co., Ltd. | Resin composition for sealing electrical and electronic parts, method for producing sealed electrical and electronic parts, and sealed electrical and electronic parts |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61011996A patent/JPH0713186B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62549A (ja) | 1987-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7119141B2 (en) | Polyester molding composition | |
| JPH0713186B2 (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物 | |
| EP0747422B1 (en) | Use of inorganic oxides or hydroxides in liquid crystalline polyester resins | |
| EP1478695B1 (en) | Silicone resin composition, curable resin composition, and cured resin | |
| JPH0556382B2 (ja) | ||
| JP2005008884A (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物、これを使用する二次元加工法とそれで得られる造形品 | |
| JP5483124B2 (ja) | ポリエステル薄肉の電子および電気部品 | |
| CA1266343A (en) | Organosilicon/oxirane additives for filled condensation polymer composites | |
| US6627690B1 (en) | Flame-retardant polyester resin composition, molded article thereof, and method of molding the same | |
| EP0449135B1 (en) | Flame retardant resin composition | |
| US4786663A (en) | Flame retardant resin compositions | |
| JP2000256545A (ja) | 難燃性ポリエステル樹脂組成物、その成形品およびその製造方法 | |
| US4707512A (en) | Polyester resin composition | |
| JPH0481451A (ja) | 液晶ポリエステル樹脂組成物 | |
| JPH11140287A (ja) | 難燃性ポリエステル樹脂組成物及び成形体 | |
| JPH0335058A (ja) | ポリ（アリーレンスルフィド）組成物 | |
| JPS6248968B2 (ja) | ||
| CA1286440C (en) | Flame-retardant resin composition | |
| JP2009173857A5 (ja) | ||
| JP2001106771A (ja) | エポキシ樹脂成形材料 | |
| JPS6142530A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS61233051A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JP2001158792A (ja) | エポキシ化合物 | |
| JP3206100B2 (ja) | 自動車ラジエタータンクトップおよびベース | |
| JPH07188555A (ja) | 樹脂組成物および成形体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |