JPH07130953A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH07130953A JPH07130953A JP29916393A JP29916393A JPH07130953A JP H07130953 A JPH07130953 A JP H07130953A JP 29916393 A JP29916393 A JP 29916393A JP 29916393 A JP29916393 A JP 29916393A JP H07130953 A JPH07130953 A JP H07130953A
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- JP
- Japan
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- conductor
- semiconductor substrate
- capacitor element
- capacitor
- integrated circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板を介したコンデンサ素子間におけ
る電気的干渉を抑止できる半導体集積回路を提供する。 【構成】 導体１，３と絶縁層５で構成されるコンデン
サ素子と、半導体基板７との間に、コンデンサ素子およ
び半導体基板から絶縁された導体１１を形成し、これを
接地電位に接続する。導体３と導体１１との間、および
導体１１と半導体基板７との間にそれぞれ容量成分２２
および２３が浮遊コンデンサとして発生するが、コンデ
ンサ素子と半導体基板７との間に設けられた導体１１が
接地電位に接続されており、コンデンサ素子の端子２，
４に印加された信号から容量成分２２を介して漏れた信
号は、導体１１により接地電位に短絡される。
る電気的干渉を抑止できる半導体集積回路を提供する。 【構成】 導体１，３と絶縁層５で構成されるコンデン
サ素子と、半導体基板７との間に、コンデンサ素子およ
び半導体基板から絶縁された導体１１を形成し、これを
接地電位に接続する。導体３と導体１１との間、および
導体１１と半導体基板７との間にそれぞれ容量成分２２
および２３が浮遊コンデンサとして発生するが、コンデ
ンサ素子と半導体基板７との間に設けられた導体１１が
接地電位に接続されており、コンデンサ素子の端子２，
４に印加された信号から容量成分２２を介して漏れた信
号は、導体１１により接地電位に短絡される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関
し、特に半導体基板上に形成されたコンデンサ素子を複
数有する半導体集積回路に関するものである。
し、特に半導体基板上に形成されたコンデンサ素子を複
数有する半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路において半導体基
板上にコンデンサ素子を形成する場合、図６に示すよう
な構成となっていた。図６は、従来のコンデンサ素子の
断面図であり、同図において、６１はコンデンサ素子と
して第１の電極を構成する導体、６２は導体６１に接続
された端子、６３はコンデンサ素子として第２の電極を
構成する導体、６４は導体６３に接続された端子、６５
は導体６１と導体６３との間に形成され両者を絶縁分離
する絶縁層、６７は半導体基板、６６は半導体基板６７
と導体６３とを絶縁する絶縁層、６８は半導体基板６７
に接続された端子である。
板上にコンデンサ素子を形成する場合、図６に示すよう
な構成となっていた。図６は、従来のコンデンサ素子の
断面図であり、同図において、６１はコンデンサ素子と
して第１の電極を構成する導体、６２は導体６１に接続
された端子、６３はコンデンサ素子として第２の電極を
構成する導体、６４は導体６３に接続された端子、６５
は導体６１と導体６３との間に形成され両者を絶縁分離
する絶縁層、６７は半導体基板、６６は半導体基板６７
と導体６３とを絶縁する絶縁層、６８は半導体基板６７
に接続された端子である。
【０００３】図６の構成によれば、導体６１および６３
によりコンデンサ素子が形成されており、それぞれの導
体に接続されている端子６２および６４に他の回路素子
が接続される。
によりコンデンサ素子が形成されており、それぞれの導
体に接続されている端子６２および６４に他の回路素子
が接続される。
【０００４】ここで、このコンデンサ素子は半導体基板
６７上に形成されているため、この等価回路は図７のよ
うになる。図７は、従来のコンデンサ素子の等価回路図
であり、同図において、７１は導体６１および６３によ
り形成される所望のコンデンサ素子の容量成分、７２は
導体６３と半導体基板６７との間に浮遊コンデンサとし
て発生する容量成分、７３は半導体基板６７の持つ抵抗
成分である。
６７上に形成されているため、この等価回路は図７のよ
うになる。図７は、従来のコンデンサ素子の等価回路図
であり、同図において、７１は導体６１および６３によ
り形成される所望のコンデンサ素子の容量成分、７２は
導体６３と半導体基板６７との間に浮遊コンデンサとし
て発生する容量成分、７３は半導体基板６７の持つ抵抗
成分である。
【０００５】このように、半導体基板６７上にコンデン
サ素子を形成する場合、導体６３を半導体基板６７と絶
縁するために半導体基板６７との間に絶縁層６６を設け
る必要があり、この絶縁層６６をはさんで対向する導体
６３と半導体基板６７との間に、所望のコンデンサ素子
の容量成分７１の１０〜２０％程度の容量を持つ浮遊コ
ンデンサとして不要な容量成分７２が発生する。
サ素子を形成する場合、導体６３を半導体基板６７と絶
縁するために半導体基板６７との間に絶縁層６６を設け
る必要があり、この絶縁層６６をはさんで対向する導体
６３と半導体基板６７との間に、所望のコンデンサ素子
の容量成分７１の１０〜２０％程度の容量を持つ浮遊コ
ンデンサとして不要な容量成分７２が発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、このような従
来の半導体集積回路では、コンデンサ素子を構成する導
体と半導体基板との間に容量成分が発生するため、複数
のコンデンサ素子を半導体基板上に形成した場合、各コ
ンデンサ素子の導体と半導体基板との間に発生する容量
成分が、半導体基板の持つ抵抗成分により電気的に接続
され、相互に影響を与えるという問題点があった。
来の半導体集積回路では、コンデンサ素子を構成する導
体と半導体基板との間に容量成分が発生するため、複数
のコンデンサ素子を半導体基板上に形成した場合、各コ
ンデンサ素子の導体と半導体基板との間に発生する容量
成分が、半導体基板の持つ抵抗成分により電気的に接続
され、相互に影響を与えるという問題点があった。
【０００７】図８は、同一半導体基板上に２つのコンデ
ンサ素子を形成した場合の概念図であり、同図におい
て、８１Ａは導体６１Ａおよび６３Ａで構成されるコン
デンサ素子、７２Ａは導体６３Ａと半導体基板６７との
間に浮遊コンデンサとして発生する容量成分、８１Ｂは
導体６１Ｂおよび６３Ｂで構成されるコンデンサ素子、
７２Ｂは導体６３Ａと半導体基板６７との間に浮遊コン
デンサとして発生する容量成分、８２は半導体基板６７
による容量成分７２Ａおよび７２Ｂの間の抵抗成分であ
る。
ンサ素子を形成した場合の概念図であり、同図におい
て、８１Ａは導体６１Ａおよび６３Ａで構成されるコン
デンサ素子、７２Ａは導体６３Ａと半導体基板６７との
間に浮遊コンデンサとして発生する容量成分、８１Ｂは
導体６１Ｂおよび６３Ｂで構成されるコンデンサ素子、
７２Ｂは導体６３Ａと半導体基板６７との間に浮遊コン
デンサとして発生する容量成分、８２は半導体基板６７
による容量成分７２Ａおよび７２Ｂの間の抵抗成分であ
る。
【０００８】このように、同一の半導体基板６７上に２
つのコンデンサ素子８１Ａ，８１Ｂを構成した場合、そ
れぞれに発生する容量成分７２Ａ，７２Ｂが、半導体基
板６７の抵抗成分８２により電気的に接続されることな
る。
つのコンデンサ素子８１Ａ，８１Ｂを構成した場合、そ
れぞれに発生する容量成分７２Ａ，７２Ｂが、半導体基
板６７の抵抗成分８２により電気的に接続されることな
る。
【０００９】ここで、同一半導体基板上で図９（ａ）の
ような、バッファ９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂとコ
ンデンサ素子８１Ａ，８１Ｂを用いて独立した２つの信
号回路を構成した場合、実際には前述の容量成分７２
Ａ，７２Ｂおよび抵抗成分８２により、図９（ｂ）に示
すような等価回路が構成されることになる。
ような、バッファ９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂとコ
ンデンサ素子８１Ａ，８１Ｂを用いて独立した２つの信
号回路を構成した場合、実際には前述の容量成分７２
Ａ，７２Ｂおよび抵抗成分８２により、図９（ｂ）に示
すような等価回路が構成されることになる。
【００１０】図１０は、図９（ｂ）に示す等価回路の入
出力特性を示す信号波形図であり、端子９１Ａから正弦
波を入力し、端子９１Ｂは無信号とした場合、端子９１
Ａに入力された正弦波が、コンデンサ素子８１Ａを経た
後、容量成分７２Ａ、抵抗成分８２および容量成分７２
Ｂを介してバッファ９３Ｂに入力され、本来信号が出力
されることのない端子９４Ｂに現れていることがわか
る。
出力特性を示す信号波形図であり、端子９１Ａから正弦
波を入力し、端子９１Ｂは無信号とした場合、端子９１
Ａに入力された正弦波が、コンデンサ素子８１Ａを経た
後、容量成分７２Ａ、抵抗成分８２および容量成分７２
Ｂを介してバッファ９３Ｂに入力され、本来信号が出力
されることのない端子９４Ｂに現れていることがわか
る。
【００１１】従って、従来のような構成のコンデンサ素
子を複数有する半導体集積回路では、独立した信号回路
を構成した場合であっても、一方の回路に入力された信
号が他方に漏出することになり、互いの信号波形が歪ん
でしまうという問題点があった。
子を複数有する半導体集積回路では、独立した信号回路
を構成した場合であっても、一方の回路に入力された信
号が他方に漏出することになり、互いの信号波形が歪ん
でしまうという問題点があった。
【００１２】本発明はこのような課題を解決するための
ものであり、半導体基板を介したコンデンサ素子間にお
ける電気的干渉を抑止できる半導体集積回路を提供する
ことを目的としている。
ものであり、半導体基板を介したコンデンサ素子間にお
ける電気的干渉を抑止できる半導体集積回路を提供する
ことを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による半導体集積回路は、各コンデン
サ素子と半導体基板との間に、絶縁層で絶縁されかつ電
源また接地電位に接続された導体を備えるものである。
るために、本発明による半導体集積回路は、各コンデン
サ素子と半導体基板との間に、絶縁層で絶縁されかつ電
源また接地電位に接続された導体を備えるものである。
【００１４】
【作用】従って、電源または接地電位に接続された導体
により、各コンデンサ素子を構成する導体と半導体基板
とが電気的に分離される。
により、各コンデンサ素子を構成する導体と半導体基板
とが電気的に分離される。
【００１５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例である半導体集積回路にお
けるコンデンサ素子の断面図である。同図において、１
はコンデンサ素子として第１の電極を構成する導体、２
は導体１に接続された端子、３はコンデンサ素子として
第２の電極を構成する導体、４は導体３に接続された端
子、５は導体１と導体３との間に形成され両者を絶縁分
離する絶縁層、６は絶縁層、７は半導体基板、８は半導
体基板７に接続された端子である。
る。図１は本発明の一実施例である半導体集積回路にお
けるコンデンサ素子の断面図である。同図において、１
はコンデンサ素子として第１の電極を構成する導体、２
は導体１に接続された端子、３はコンデンサ素子として
第２の電極を構成する導体、４は導体３に接続された端
子、５は導体１と導体３との間に形成され両者を絶縁分
離する絶縁層、６は絶縁層、７は半導体基板、８は半導
体基板７に接続された端子である。
【００１６】１１はコンデンサ素子と半導体基板７とを
電気的に分離する導体、１２は導体１１に接続された接
地電位の端子、１３は導体３と導体１１とを絶縁する絶
縁層であり、導体１１は、絶縁層６および１３により、
コンデンサ素子を構成する導体３および半導体基板７と
絶縁されている。
電気的に分離する導体、１２は導体１１に接続された接
地電位の端子、１３は導体３と導体１１とを絶縁する絶
縁層であり、導体１１は、絶縁層６および１３により、
コンデンサ素子を構成する導体３および半導体基板７と
絶縁されている。
【００１７】また図２は、図１に示すコンデンサ素子の
等価回路図であり、同図において、２１は導体１および
３により構成される所望のコンデンサ素子の容量成分、
２２は導体３と導体１１との間の容量成分、２３は導体
１１と半導体基板７との間の容量成分、２４は半導体基
板７内の抵抗成分である。
等価回路図であり、同図において、２１は導体１および
３により構成される所望のコンデンサ素子の容量成分、
２２は導体３と導体１１との間の容量成分、２３は導体
１１と半導体基板７との間の容量成分、２４は半導体基
板７内の抵抗成分である。
【００１８】図１の構成によれば、図２に示す等価回路
のように、導体３と導体１１との間、および導体１１と
半導体基板７との間にそれぞれ容量成分２２および２３
が浮遊コンデンサとして発生するが、コンデンサ素子と
半導体基板７との間に設けられた導体１１が接地電位に
接続されていることにより、コンデンサ素子の端子２，
４に印加された信号から容量成分２２を介して漏れた信
号が、導体１１により接地電位に短絡されることにな
る。
のように、導体３と導体１１との間、および導体１１と
半導体基板７との間にそれぞれ容量成分２２および２３
が浮遊コンデンサとして発生するが、コンデンサ素子と
半導体基板７との間に設けられた導体１１が接地電位に
接続されていることにより、コンデンサ素子の端子２，
４に印加された信号から容量成分２２を介して漏れた信
号が、導体１１により接地電位に短絡されることにな
る。
【００１９】従って、図２の等価回路は、実質的には図
３のように表すことができ、コンデンサ素子の端子２，
４に印加された信号から容量成分２２を介して漏れた信
号は、半導体基板７側の容量成分２３および抵抗成分２
４へ漏出することはない。
３のように表すことができ、コンデンサ素子の端子２，
４に印加された信号から容量成分２２を介して漏れた信
号は、半導体基板７側の容量成分２３および抵抗成分２
４へ漏出することはない。
【００２０】また図４は、前述の図９（ａ）の信号回路
において、本発明による半導体集積回路を用いた場合の
等価回路であり、コンデンサ素子４３Ａ，４３Ｂと半導
体基板７（図示せず）とが、接地電位に接続された導体
１１（図示せず）により電気的に分離されるため、端子
４１Ａから入力された信号は、コンデンサ素子４３Ａを
経た後容量成分２２Ａへ漏出するが、この容量成分２２
Ａを経た後接地電位に短絡されることになり、隣接する
別系統の容量成分２２Ｂを介してバッファ４４Ｂに印加
されることはない。
において、本発明による半導体集積回路を用いた場合の
等価回路であり、コンデンサ素子４３Ａ，４３Ｂと半導
体基板７（図示せず）とが、接地電位に接続された導体
１１（図示せず）により電気的に分離されるため、端子
４１Ａから入力された信号は、コンデンサ素子４３Ａを
経た後容量成分２２Ａへ漏出するが、この容量成分２２
Ａを経た後接地電位に短絡されることになり、隣接する
別系統の容量成分２２Ｂを介してバッファ４４Ｂに印加
されることはない。
【００２１】さらに、図５は、図４に示す等価回路の入
出力特性を示す信号波形図であり、端子４１Ａから正弦
波を入力し、端子４１Ｂは無信号とした場合、端子４１
Ａに入力された正弦波は、コンデンサ素子４３Ａと半導
体基板７との間に設けられ接地電位に接続された導体１
１により遮断されるため、隣接する別系統のバッファ４
４Ｂを介して端子４５Ｂに現れていない。
出力特性を示す信号波形図であり、端子４１Ａから正弦
波を入力し、端子４１Ｂは無信号とした場合、端子４１
Ａに入力された正弦波は、コンデンサ素子４３Ａと半導
体基板７との間に設けられ接地電位に接続された導体１
１により遮断されるため、隣接する別系統のバッファ４
４Ｂを介して端子４５Ｂに現れていない。
【００２２】なお、以上の説明において、コンデンサ素
子と半導体基板との間に設けた導体を接地電位に接続し
た場合について説明したが、接地電位ではなく電源電位
に接続した場合でも、前述と同様の効果を得ることがで
きる。
子と半導体基板との間に設けた導体を接地電位に接続し
た場合について説明したが、接地電位ではなく電源電位
に接続した場合でも、前述と同様の効果を得ることがで
きる。
【００２３】また、以上の説明において、バッファ間を
コンデンサ素子で接続した信号回路を用いて動作を説明
したが、コンデンサ素子を用いる回路、例えばＲＣアク
ティブフィルタやスイッチドキャパシタフィルタなどコ
ンデンサ素子を用いるフィルタ回路などにおいても、コ
ンデンサ素子と、他の回路素子、例えばコンデンサ素
子、抵抗素子またはトランジスタなどの回路素子との間
で、電気的干渉のない高い性能の半導体集積回路を実現
することができる。
コンデンサ素子で接続した信号回路を用いて動作を説明
したが、コンデンサ素子を用いる回路、例えばＲＣアク
ティブフィルタやスイッチドキャパシタフィルタなどコ
ンデンサ素子を用いるフィルタ回路などにおいても、コ
ンデンサ素子と、他の回路素子、例えばコンデンサ素
子、抵抗素子またはトランジスタなどの回路素子との間
で、電気的干渉のない高い性能の半導体集積回路を実現
することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、コンデ
ンサ素子と半導体基板との間に、電源または接地電位に
接続された導体を設けて、両者を電気的に分離するよう
にしたものである。従って、コンデンサ素子を複数有す
る半導体集積回路において、半導体基板を介したコンデ
ンサ素子間における電気的干渉を完全に抑止できるとい
う格別な効果を奏するものである。
ンサ素子と半導体基板との間に、電源または接地電位に
接続された導体を設けて、両者を電気的に分離するよう
にしたものである。従って、コンデンサ素子を複数有す
る半導体集積回路において、半導体基板を介したコンデ
ンサ素子間における電気的干渉を完全に抑止できるとい
う格別な効果を奏するものである。
【図１】本発明の一実施例による半導体集積回路におけ
るコンデンサ素子の断面図である。
るコンデンサ素子の断面図である。
【図２】図１に示した実施例の等価回路図である。
【図３】図２に示した回路の実質的な等価回路図であ
る。
る。
【図４】本発明によるコンデンサ素子を用いた一般的な
信号回路の等価回路である。
信号回路の等価回路である。
【図５】図４の回路の入出力特性を示す信号波形図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体集積回路におけるコンデンサ素子
の断面図である。
の断面図である。
【図７】図６に示した実施例の等価回路図である。
【図８】複数のコンデンサ素子を有する従来の半導体集
積回路の概念図である。
積回路の概念図である。
【図９】コンデンサ素子を用いた一般的な信号回路図、
および従来の半導体集積回路による等価回路図である。
および従来の半導体集積回路による等価回路図である。
【図１０】図９の回路の入出力特性を示す信号波形図で
ある。
ある。
１，３ 導体 ５，６ 絶縁層 ７ 半導体基板 １１ 導体 １３ 絶縁層 ２１ 容量成分（コンデンサ素子） ２２，２３ 容量成分（浮遊コンデンサ） ２４ 抵抗成分（半導体基板） ２２Ａ，２２Ｂ 容量成分（浮遊コンデンサ） ４１Ａ，４１Ｂ，４５Ａ，４５Ｂ 端子 ４２Ａ，４２Ｂ，４４Ａ，４４Ｂ バッファ ４３Ａ，４３Ｂ コンデンサ素子
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されるとともに、絶
縁層により分離された２つの導体からなるコンデンサ素
子を複数有する半導体集積回路において、 前記各コンデンサ素子と前記半導体基板との間に、絶縁
層で絶縁されかつ電源また接地電位に接続された導体を
備えることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29916393A JPH07130953A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29916393A JPH07130953A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130953A true JPH07130953A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17868950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29916393A Pending JPH07130953A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130953A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0903783A1 (fr) * | 1997-09-22 | 1999-03-24 | STMicroelectronics SA | Réalisation d'un condensateur intermétallique |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP29916393A patent/JPH07130953A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0903783A1 (fr) * | 1997-09-22 | 1999-03-24 | STMicroelectronics SA | Réalisation d'un condensateur intermétallique |
| FR2768852A1 (fr) * | 1997-09-22 | 1999-03-26 | Sgs Thomson Microelectronics | Realisation d'un condensateur intermetallique |
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