JPH07120845B2 - セラミック配線基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板及びその製造方法Info
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- JPH07120845B2 JPH07120845B2 JP4076288A JP4076288A JPH07120845B2 JP H07120845 B2 JPH07120845 B2 JP H07120845B2 JP 4076288 A JP4076288 A JP 4076288A JP 4076288 A JP4076288 A JP 4076288A JP H07120845 B2 JPH07120845 B2 JP H07120845B2
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- layer
- plating
- wiring board
- plating layer
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、パッド、バンプ付セラミック配線基板ある
いは、耐半田性を必要とするメタライズ層を有するセラ
ミック配線基板及びその製造方法に関する。
いは、耐半田性を必要とするメタライズ層を有するセラ
ミック配線基板及びその製造方法に関する。
（従来技術） 従来、バンプ付セラミック配線基板や耐半田性を必要と
するメタライズ層を有するセラミック配線基板は、メタ
ライズ層からなるパッド及び接続用のバンプに、Niメッ
キ１〜２μｍ施した後、熱処理を行ってからAuメッキを
１〜２μｍ施していた。
するメタライズ層を有するセラミック配線基板は、メタ
ライズ層からなるパッド及び接続用のバンプに、Niメッ
キ１〜２μｍ施した後、熱処理を行ってからAuメッキを
１〜２μｍ施していた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来の基板において、セラミック基
板のパッド、バンプにNiメッキ１〜２μｍを施し、熱処
理後Auメッキ１〜２μｍを施したものは、マザーボード
となるセラミック基板との接続工程において、半田付け
による熱によってAuメッキ層のAuが半田中に拡散してし
まう。すると、下層のNiメッキ半田に接触することにな
るが、Niメッキ層の薄く欠陥の多い部分、即ち下層のメ
タライズ層が露出している部分で、半田漏れの悪いメタ
ライズと半田が接触することとなり、半田が十分に付着
しなくなる恐れがある。そこで、半田と接着の悪いメタ
ライズとの接触を避けるためNiメッキ層を厚くすると、
膨張や剥離が生じやすくなる。一方、Auメッキ層を厚く
することは、著しいコスト上昇を招くものである。そこ
で、この発明は、上記従来の基板のもつ欠点を改善する
ものであり、メッキ層の膨張や剥離を防止し、コストの
上昇を抑えつつ、半田付け時に半田が十分に付着できる
ようにすることにより良好な半田付けを可能とし、半田
による接合によって起こる製品歩留まりの低下を防止し
た、セラミック配線基板及びその製造方法を提供しよう
とするものである。
板のパッド、バンプにNiメッキ１〜２μｍを施し、熱処
理後Auメッキ１〜２μｍを施したものは、マザーボード
となるセラミック基板との接続工程において、半田付け
による熱によってAuメッキ層のAuが半田中に拡散してし
まう。すると、下層のNiメッキ半田に接触することにな
るが、Niメッキ層の薄く欠陥の多い部分、即ち下層のメ
タライズ層が露出している部分で、半田漏れの悪いメタ
ライズと半田が接触することとなり、半田が十分に付着
しなくなる恐れがある。そこで、半田と接着の悪いメタ
ライズとの接触を避けるためNiメッキ層を厚くすると、
膨張や剥離が生じやすくなる。一方、Auメッキ層を厚く
することは、著しいコスト上昇を招くものである。そこ
で、この発明は、上記従来の基板のもつ欠点を改善する
ものであり、メッキ層の膨張や剥離を防止し、コストの
上昇を抑えつつ、半田付け時に半田が十分に付着できる
ようにすることにより良好な半田付けを可能とし、半田
による接合によって起こる製品歩留まりの低下を防止し
た、セラミック配線基板及びその製造方法を提供しよう
とするものである。
（課題を解決するための手段） しかしてその解決手段は、基板上にメタライズ層を備
え、該メタライズ層上にNiメッキ層を備え、更に該Niメ
ッキ層上にAuメッキ層を備えるセラミック基板であっ
て、該Niメッキ層が上層および下層の２層からなり、該
上層と下層のNiメッキ層間にCuメッキ層を介在させたこ
とを特徴とするセラミック配線基板である。
え、該メタライズ層上にNiメッキ層を備え、更に該Niメ
ッキ層上にAuメッキ層を備えるセラミック基板であっ
て、該Niメッキ層が上層および下層の２層からなり、該
上層と下層のNiメッキ層間にCuメッキ層を介在させたこ
とを特徴とするセラミック配線基板である。
ここで、前記下層のNiメッキ層および前記Cuメッキ層
が、熱処理されたNiメッキ層および熱処理されたCuメッ
キ層であることを特徴とする場合には、熱処理によって
メタライズ層と下層Niメッキ層およびCuメッキ層との密
着性が向上し剥離等が生じ難くなるので好ましい。
が、熱処理されたNiメッキ層および熱処理されたCuメッ
キ層であることを特徴とする場合には、熱処理によって
メタライズ層と下層Niメッキ層およびCuメッキ層との密
着性が向上し剥離等が生じ難くなるので好ましい。
またかかる配線基板の製造方法は、セラミック基板上に
形成されたメタライズ層上に、Niメッキを施し、次いで
Cuメッキを施し、熱処理を行った上、Niメッキを施し、
更にAuメッキを施してなるセラミック配線基板の製造方
法である。
形成されたメタライズ層上に、Niメッキを施し、次いで
Cuメッキを施し、熱処理を行った上、Niメッキを施し、
更にAuメッキを施してなるセラミック配線基板の製造方
法である。
（作用） 上記構成によれば、単にNiメッキを厚く形成するのとは
異なり、Cuメッキ層が上層と下層のNiメッキ層の間に介
在して、薄く欠陥の多い部分がある下層のNiメッキ層を
一旦Cuメッキ層が覆う。そして更にAuメッキの下地とし
て適当なNiメッキ層（上層のNiメッキ層）がCuメッキを
覆う、しかる後にAuメッキ層を形成している。従って、
半田付け時に熱によりAuメッキ層のAuが半田中に拡散し
て上層のNiメッキ層が半田に接触しても、更にその下地
にはCuメッキ層がある。従って、半田濡れの悪い高融点
金属からなるメタライズ層と半田とが接触を避けること
ができ、半田は十分に付着する。
異なり、Cuメッキ層が上層と下層のNiメッキ層の間に介
在して、薄く欠陥の多い部分がある下層のNiメッキ層を
一旦Cuメッキ層が覆う。そして更にAuメッキの下地とし
て適当なNiメッキ層（上層のNiメッキ層）がCuメッキを
覆う、しかる後にAuメッキ層を形成している。従って、
半田付け時に熱によりAuメッキ層のAuが半田中に拡散し
て上層のNiメッキ層が半田に接触しても、更にその下地
にはCuメッキ層がある。従って、半田濡れの悪い高融点
金属からなるメタライズ層と半田とが接触を避けること
ができ、半田は十分に付着する。
また、さらに高融点金属からなるメタライズ層と熱処理
された下層Niメッキ層およびCuメッキ層とは、熱処理に
より密着性が向上しているので、単にNiメッキを厚くし
た場合のように剥離等が生じがたい。
された下層Niメッキ層およびCuメッキ層とは、熱処理に
より密着性が向上しているので、単にNiメッキを厚くし
た場合のように剥離等が生じがたい。
更に、本発明の製造方法によれば、熱処理により高融点
金属からなるバンプ等のメタライズ層と、下層Niメッキ
層と、さらにはCuメッキ層との密着性が向上するので、
剥離等が生じ難く、従って、歩留りが向上する。
金属からなるバンプ等のメタライズ層と、下層Niメッキ
層と、さらにはCuメッキ層との密着性が向上するので、
剥離等が生じ難く、従って、歩留りが向上する。
（実施例） この発明を図に示す実施例により更に説明する。第１図
は第１実施例にかかる断面図を示し、（１）は、この発
明の実施例であるバンプ付セラミック配線基板である。
このバンプ付セラミック基板（１）の端部において、セ
ラミック基板（２）上にタングステンやモリブデンなど
の高融点金属からなるメタライズ層（メタライズバン
プ）（４）が形成されている。このメタライズバンプ
（４）にNiメッキ（５）を１〜２μｍ施した後、Cuメッ
キ（６）を２〜15μｍ施し、これを500℃の水素−窒素
混合ガス雰囲気中で約10分間保存することにより熱処理
を行う。この熱処理は、高融点金属のバンプとNiメッキ
層およびCuメッキ層との密着性を向上させるものであ
る。さらに、熱処理後、表面パターンの形成等の工程を
経たのち、Niメッキ（７）とAuメッキ（８）を施し端子
（バンプ）（３）を完成した。このNiメッキ（７）とAu
メッキ（８）は各々厚さ１〜２μｍ（約1.5μｍ）であ
る。なお、これらメッキ層（７）と（８）の密着性を上
げるために、250℃の水素−窒素混合ガスからなる中性
あるいは還元性雰囲気下で５〜10分間保持した。
は第１実施例にかかる断面図を示し、（１）は、この発
明の実施例であるバンプ付セラミック配線基板である。
このバンプ付セラミック基板（１）の端部において、セ
ラミック基板（２）上にタングステンやモリブデンなど
の高融点金属からなるメタライズ層（メタライズバン
プ）（４）が形成されている。このメタライズバンプ
（４）にNiメッキ（５）を１〜２μｍ施した後、Cuメッ
キ（６）を２〜15μｍ施し、これを500℃の水素−窒素
混合ガス雰囲気中で約10分間保存することにより熱処理
を行う。この熱処理は、高融点金属のバンプとNiメッキ
層およびCuメッキ層との密着性を向上させるものであ
る。さらに、熱処理後、表面パターンの形成等の工程を
経たのち、Niメッキ（７）とAuメッキ（８）を施し端子
（バンプ）（３）を完成した。このNiメッキ（７）とAu
メッキ（８）は各々厚さ１〜２μｍ（約1.5μｍ）であ
る。なお、これらメッキ層（７）と（８）の密着性を上
げるために、250℃の水素−窒素混合ガスからなる中性
あるいは還元性雰囲気下で５〜10分間保持した。
第２図はリードレスチップキャリアのメタライズ層（メ
タライズパッド）（４）に対して同様にしてメッキ加工
し、端子（パッド）（３）を形成した場合の断面図であ
る。この発明の第１及び第２実施例と従来のものとを、
水溶性フラックスに５〜10秒間浸漬した後、230℃に加
熱した半田槽に一定時間浸漬放置した後引き上げて、半
田濡れ性の経時変化を調べた。なお半田に漏れている箇
所が全表面積の95％以下となった場合は不良と判断し、
その結果を以下に示す。
タライズパッド）（４）に対して同様にしてメッキ加工
し、端子（パッド）（３）を形成した場合の断面図であ
る。この発明の第１及び第２実施例と従来のものとを、
水溶性フラックスに５〜10秒間浸漬した後、230℃に加
熱した半田槽に一定時間浸漬放置した後引き上げて、半
田濡れ性の経時変化を調べた。なお半田に漏れている箇
所が全表面積の95％以下となった場合は不良と判断し、
その結果を以下に示す。
以上に示すようにこの発明の効果は十分に認められた。
（発明の効果） 以上のとおり、Cuメッキ層を上層および下層のNiメッキ
層同士の間に介在させることにより、半田による接続工
程時に生じやすい半田と高融点金属からなるメタライズ
層との接触による半田の不十分な付着を防止することが
でき、良好な半田付けを可能とする。また、本発明の構
成によれば、メタライズ層上のメッキ層の耐半田性を向
上させる、即ち、長時間の半田槽浸漬に耐えられる優れ
た効果を得られる。更に下層Niメッキ層とCuメッキ層に
熱処理を行えば、メタライズ層との密着性が得られ、膨
張や剥離を減少して、よりセラミック配線基板の歩留り
向上に有効である。
層同士の間に介在させることにより、半田による接続工
程時に生じやすい半田と高融点金属からなるメタライズ
層との接触による半田の不十分な付着を防止することが
でき、良好な半田付けを可能とする。また、本発明の構
成によれば、メタライズ層上のメッキ層の耐半田性を向
上させる、即ち、長時間の半田槽浸漬に耐えられる優れ
た効果を得られる。更に下層Niメッキ層とCuメッキ層に
熱処理を行えば、メタライズ層との密着性が得られ、膨
張や剥離を減少して、よりセラミック配線基板の歩留り
向上に有効である。
第１図は、この発明の第１実施例であるバンプ付セラミ
ック配線基板のバンプ部分の部分拡大断面図、第２図
は、この発明の第２実施例であるリードレスチップキャ
リアのパッド部分の部分拡大断面図である。 １……バンプ付きセラミック配線基板 ２……セラミック基板 ３……端子 ４……メタライズ層 ５……下層Niメッキ層 ６……Cuメッキ層 ７……上層Niメッキ層 ８……Auメッキ層
ック配線基板のバンプ部分の部分拡大断面図、第２図
は、この発明の第２実施例であるリードレスチップキャ
リアのパッド部分の部分拡大断面図である。 １……バンプ付きセラミック配線基板 ２……セラミック基板 ３……端子 ４……メタライズ層 ５……下層Niメッキ層 ６……Cuメッキ層 ７……上層Niメッキ層 ８……Auメッキ層
Claims (3)
- 【請求項１】基板上にメタライズ層を備え、該メタライ
ズ層上にNiメッキ層を備え、更に該Niメッキ層上にAuメ
ッキ層を備えるセラミック基板であって、該Niメッキ層
が上層および下層の２層からなり、該上層と下層のNiメ
ッキ層間にCuメッキ層を介在させたことを特徴とするセ
ラミック配線基板。 - 【請求項２】前記下層のNiメッキ層および前記Cuメッキ
層が、熱処理されたNiメッキ層および熱処理されたCuメ
ッキ層であることを特徴とする請求項１に記載のセラミ
ック配線基板。 - 【請求項３】セラミック基板上に形成されたメタライズ
層上に、Niメッキを施し、次いでCuメッキを施し、熱処
理を行った上、Niメッキを施し、更にAuメッキを施して
なるセラミック配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076288A JPH07120845B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076288A JPH07120845B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216594A JPH01216594A (ja) | 1989-08-30 |
| JPH07120845B2 true JPH07120845B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=12589636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076288A Expired - Fee Related JPH07120845B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120845B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2795475B2 (ja) * | 1989-08-03 | 1998-09-10 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2760360B2 (ja) * | 1990-03-17 | 1998-05-28 | 富士通株式会社 | はんだバンプとその製造方法 |
| WO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP5601993B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2014-10-08 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4076288A patent/JPH07120845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01216594A (ja) | 1989-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |