JPH01216594A - セラミック配線基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板及びその製造方法Info
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- JPH01216594A JPH01216594A JP4076288A JP4076288A JPH01216594A JP H01216594 A JPH01216594 A JP H01216594A JP 4076288 A JP4076288 A JP 4076288A JP 4076288 A JP4076288 A JP 4076288A JP H01216594 A JPH01216594 A JP H01216594A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、パッド、バンプ付セラミック配線基板ある
いは、耐半田性を必要とするセラミック配線基板の製造
方法に関する。
いは、耐半田性を必要とするセラミック配線基板の製造
方法に関する。
（従来の技術）
従来、バンプ付セラミック配線基板や耐半田性を必要と
するセラミック配線基板は、メタライズパッド及び接続
用のパン１面に、Ｎｉメッキ１〜２μｍ施した後、熱処
理を行ってからＡｕメッキを１〜２μｍ施しているもの
である。
するセラミック配線基板は、メタライズパッド及び接続
用のパン１面に、Ｎｉメッキ１〜２μｍ施した後、熱処
理を行ってからＡｕメッキを１〜２μｍ施しているもの
である。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来ものにおいて、セラミック基板
のパッド、バンプにＮ１メッキ１〜２μｍを施し、熱処
理後Ａｕメッキ１〜２μｍを施したものは、マザーボー
ドとなるセラミック基板との接続工程のおいて、半田付
けによる熱によってＡｕメッキが半田中に拡散してしま
い、Ｎ１メッキの薄く欠陥の多い部分で、半田濡れの悪
いメタライズと半田が接触することとなり、半田が十分
に付着しなくなる恐れがある。また、半田と接着の悪い
メタライズとの接触を避けるためＮ′ｉメッキ層を厚く
すると、膨張や剥離が生じやすくなる上、Ａｕメッキ層
を厚くすることは、著しいコスト上昇を招くものである
。そこで、この発明は、上記従来のもののもつ欠点を改
善するものであり、コストの上昇を抑えつつ、半田によ
る接合によって起こる製品歩留まりの低下を防止しよう
とするものである。
のパッド、バンプにＮ１メッキ１〜２μｍを施し、熱処
理後Ａｕメッキ１〜２μｍを施したものは、マザーボー
ドとなるセラミック基板との接続工程のおいて、半田付
けによる熱によってＡｕメッキが半田中に拡散してしま
い、Ｎ１メッキの薄く欠陥の多い部分で、半田濡れの悪
いメタライズと半田が接触することとなり、半田が十分
に付着しなくなる恐れがある。また、半田と接着の悪い
メタライズとの接触を避けるためＮ′ｉメッキ層を厚く
すると、膨張や剥離が生じやすくなる上、Ａｕメッキ層
を厚くすることは、著しいコスト上昇を招くものである
。そこで、この発明は、上記従来のもののもつ欠点を改
善するものであり、コストの上昇を抑えつつ、半田によ
る接合によって起こる製品歩留まりの低下を防止しよう
とするものである。
（課題を解決するための手段）
そのために、タングステンやモリブデンからなるセラミ
ック基板上のパッド、バンプ等のメタライズ面に、Ｎｉ
メッキを１〜２μｍ施した後、Ｃｕメッキを２〜１５μ
ｍ施すと共に熱処理を行い、Ｎｉメッキ１〜２μｍとＡ
ｕメッキ１〜２μｍを施してなるものである。
ック基板上のパッド、バンプ等のメタライズ面に、Ｎｉ
メッキを１〜２μｍ施した後、Ｃｕメッキを２〜１５μ
ｍ施すと共に熱処理を行い、Ｎｉメッキ１〜２μｍとＡ
ｕメッキ１〜２μｍを施してなるものである。
（作用）
上記構成を具えるので、Ｃｕメッキ層がＮｉメッキ層の
間に介在して半田によるセラミック基板との接続工程に
おいても、熱によりＡｕメッキが半田中に拡散して、半
田濡れの悪いメタライズ層を形成することを防止し、こ
のような接触を避けることができる。
間に介在して半田によるセラミック基板との接続工程に
おいても、熱によりＡｕメッキが半田中に拡散して、半
田濡れの悪いメタライズ層を形成することを防止し、こ
のような接触を避けることができる。
（実施例）
この発明を図に示す実施例により更に説明する。第１図
は第１実施例を示し、（１）は、この発明の実施例であ
るバンプ付セラミック配線基板であり、このバンプ付セ
ラミック基板（１）の端部において、セラミック基板（
２）上にタングステンやモリブデンなどの高融点金属か
らなる外部端子部（４）が突設されている。この外部端
子部（０にＮｉメッキ（５）を１〜２μｍ施した後、Ｃ
ｕメッキ（６）を２〜１５μｍ施し、これを５００℃の
水素−窒素混合ガス雰囲気中で約１０分間保持すること
により熱処理を行う、この熱処理により２．高融点金属
のバンプとＣｕ、Ａｕメッキ層との密″着性を向上させ
るものである。さらに、熱処理後表面パターンの形成等
の工程を経たのち、Ｎｉメッキ（７）とＡｕメッキ（８
）を施す、このＮｉメッキ（７）とＡｕメッキ（８）は
各々厚さ１〜２μｍ（約１．５μｍ）とするものであり
、これらメッキ層（４）〜（８）までの密着性を上げる
ために、２５０℃の水素−窒素混合ガスからなる中性あ
るいは還元性雰囲気下で５〜１０分間保持してなるもの
である。第２図は、リードレスチップキャリアの外部端
子部（３）の対して同様にして加工したものの場合であ
る。この発明の実施例と従来のものとを、水溶性フラッ
クスに５〜１０秒間浸漬し、半田デイプを行った後、２
３０℃に加熱した半田槽に一定時間放置し、半田濡れ性
の経時変化を調べた、なお半田の濡れている箇所が全表
面積の９５％以上となった場合は不良と判定し、その結
果を以下に示す。
は第１実施例を示し、（１）は、この発明の実施例であ
るバンプ付セラミック配線基板であり、このバンプ付セ
ラミック基板（１）の端部において、セラミック基板（
２）上にタングステンやモリブデンなどの高融点金属か
らなる外部端子部（４）が突設されている。この外部端
子部（０にＮｉメッキ（５）を１〜２μｍ施した後、Ｃ
ｕメッキ（６）を２〜１５μｍ施し、これを５００℃の
水素−窒素混合ガス雰囲気中で約１０分間保持すること
により熱処理を行う、この熱処理により２．高融点金属
のバンプとＣｕ、Ａｕメッキ層との密″着性を向上させ
るものである。さらに、熱処理後表面パターンの形成等
の工程を経たのち、Ｎｉメッキ（７）とＡｕメッキ（８
）を施す、このＮｉメッキ（７）とＡｕメッキ（８）は
各々厚さ１〜２μｍ（約１．５μｍ）とするものであり
、これらメッキ層（４）〜（８）までの密着性を上げる
ために、２５０℃の水素−窒素混合ガスからなる中性あ
るいは還元性雰囲気下で５〜１０分間保持してなるもの
である。第２図は、リードレスチップキャリアの外部端
子部（３）の対して同様にして加工したものの場合であ
る。この発明の実施例と従来のものとを、水溶性フラッ
クスに５〜１０秒間浸漬し、半田デイプを行った後、２
３０℃に加熱した半田槽に一定時間放置し、半田濡れ性
の経時変化を調べた、なお半田の濡れている箇所が全表
面積の９５％以上となった場合は不良と判定し、その結
果を以下に示す。
以上に示すようにこの発明の効果は十分に認められた。
（発−の効果）
以上のとおり、Ｃｕメッキ層をＮｉメッキ層同士の間に
介在させることにより、半田による接続工程時に生じや
すい半田による被覆を防止することができ、耐久性を向
上させる優れた効果をもつものである。
介在させることにより、半田による接続工程時に生じや
すい半田による被覆を防止することができ、耐久性を向
上させる優れた効果をもつものである。
第１図は、この発明の第１実施例であるバンプ付セラミ
ック配線基板の部分拡大断面図、第２図は、この発明の
第２実施例であるリードレスチップキャリアの外部端子
部の部分拡大断面図である１・・・バンプ付セラミック
配線基板 ２・・・セラミック基板 ３．４・・・外部端子部５．
７・・・Ｎｉメッキ ６・・・Ｃｕメッキ８・・・Ａｕ
メッキ
ック配線基板の部分拡大断面図、第２図は、この発明の
第２実施例であるリードレスチップキャリアの外部端子
部の部分拡大断面図である１・・・バンプ付セラミック
配線基板 ２・・・セラミック基板 ３．４・・・外部端子部５．
７・・・Ｎｉメッキ ６・・・Ｃｕメッキ８・・・Ａｕ
メッキ
Claims (1)
- セラミック基板のメタライズ上に、Ｎｉ−Ｃｕメッキを
施し、熱処理を行った上、Ｎｉ−Ａｕメッキを施してな
るセラミック配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076288A JPH07120845B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076288A JPH07120845B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216594A true JPH01216594A (ja) | 1989-08-30 |
| JPH07120845B2 JPH07120845B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=12589636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076288A Expired - Fee Related JPH07120845B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120845B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364985A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| JPH03268385A (ja) * | 1990-03-17 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | はんだバンプとその製造方法 |
| WO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP2012114352A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Kyocera Corp | 配線基板 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4076288A patent/JPH07120845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364985A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| JPH03268385A (ja) * | 1990-03-17 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | はんだバンプとその製造方法 |
| WO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JPWO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2006-12-21 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP4619292B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-01-26 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP2012114352A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Kyocera Corp | 配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120845B2 (ja) | 1995-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |