JPH07120507A - 過電圧検出回路 - Google Patents

過電圧検出回路

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Publication number
JPH07120507A
JPH07120507A JP26221293A JP26221293A JPH07120507A JP H07120507 A JPH07120507 A JP H07120507A JP 26221293 A JP26221293 A JP 26221293A JP 26221293 A JP26221293 A JP 26221293A JP H07120507 A JPH07120507 A JP H07120507A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
detection
emitter
terminal
base
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP26221293A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihide Morishita
俊秀 森下
Yoshihisa Hasegawa
良久 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH07120507A publication Critical patent/JPH07120507A/ja
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  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】過電圧検出後の検出端子の電流を制限する機能
を内部に備え、かつ検出点のヒステリシスを防ぐ。 【構成】定電流源I1 はNPNトランジスタQ1 のベー
スに接続されると共にNPNトランジスタQ2 のコレク
タに接続される。トランジスタQ1 のコレクタと検出端
子11との間には直列接続された複数のツェナダイオード
ZD1 〜ZDm が設けられている。トランジスタQ1 の
エミッタはトランジスタQ2 のベースに接続されると共
に抵抗R1 の一端に接続されている。抵抗R1 の他端は
トランジスタQ2 のエミッタ及び抵抗R2 の一端及びN
PNトランジスタQ3 のベースに接続されている。トラ
ンジスタQ3 のコレクタは動作制御端子12に接続され、
エミッタは上記抵抗R2 の他端と共に接地されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は特に過電圧検出後の検
出端子に流れる電流に制約がある場合に適用される過電
圧検出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の過電圧検出回路の構成を示
す回路図である。直列接続された複数のツェナダイオー
ドZD1 〜ZDn の直列接続端のカソード側が検出端子
41に接続されている。直列接続端のアノード側は検出用
のNPNトランジスタQ11のベースに接続されると共に
抵抗R11を介して接地されている。トランジスタQ11の
エミッタは接地され、コレクタは他回路への動作制御端
子42となる。
【0003】図5は図4の構成の検出端子41における端
子電圧と端子電流の関係を示す特性図である。上記図4
の構成では、ツェナダイオードZD1 〜ZDn の電圧値
とトランジスタQ11の順方向電圧VF で検出電圧が決定
される。しかしながら、この決定された以上の電圧が入
力されると検出端子41の電流を制御するものがなく過大
な電流が流れてしまい素子破壊に至る。
【0004】解決策としては、検出端子41とツェナダイ
オードの間に外付けの抵抗を設けて過電流を抑える。し
かし、部品点数が増えることや外付けの煩わしさから、
内部で過電流を制御できるような構成が好ましい。
【0005】また、内部で電流制御する機能回路が含ま
れている構成もあるが、検出後に切り換えて電流制御す
る構成上、検出点の過電圧が解除されていてもその時点
でまだ過電圧検出の信号が出力されているような、検出
点のヒステリシスを有する問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来では
過電圧検出後の検出端子の電流を制限する機能を外付け
素子で補うことは煩わしい。また、電流制御機能を付加
すると検出点のヒステリシスを有するという欠点があ
る。
【0007】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、過電圧検出後の検出端
子の電流を制限する機能を内部に備え、かつ検出点のヒ
ステリシスを防ぐ過電圧検出回路を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の過電圧検出回
路は、定電流源と、前記定電流源にベースが接続された
第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのコレ
クタと検出端子との間に接続される定電圧素子と、前記
第1のトランジスタのエミッタにベースが、前記定電流
源にコレクタが接続された第2のトランジスタと、前記
第2のトランジスタのベース,エミッタ間に接続された
第1の抵抗素子と、前記第2のトランジスタのエミッタ
にベースが接続され、コレクタが動作制御端子に接続さ
れる第3トランジスタと、前記第3のトランジスタのベ
ースと接地のエミッタとの間に接続された第2の抵抗素
子とを具備したことを特徴とする。
【0009】
【作用】この発明では、第1の抵抗素子により過電圧検
出後の電流を制限する。また、過電圧検出後は第1のト
ランジスタのコレクタ,エミッタ間電圧に依存させるこ
とで検出点のヒステリシスを防ぐ。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図1はこの発明の一実施例による過電圧検
出回路の構成を示す回路図である。定電流源I1 はNP
NトランジスタQ1 のベースに接続されると共にNPN
トランジスタQ2 のコレクタに接続されている。トラン
ジスタQ1 のコレクタと検出端子11との間には直列接続
された複数のツェナダイオードZD1 〜ZDm が設けら
れている。すなわち、直列接続端のカソード側が検出端
子11に接続され、直列接続端のアノード側は上記トラン
ジスタQ1 のコレクタに接続される。
【0011】トランジスタQ1 のエミッタはトランジス
タQ2 のベースに接続されると共に抵抗R1 の一端に接
続されている。抵抗R1 の他端はトランジスタQ2 のエ
ミッタ及び抵抗R2 の一端及びNPNトランジスタQ3
のベースに接続されている。トランジスタQ3 のコレク
タは動作制御端子12に接続され、エミッタは上記抵抗R
2 の他端と共に接地されている。
【0012】図2は図1の構成の検出端子11における端
子電圧と端子電流の関係を示す特性図である。電流源I
1 によってトランジスタQ1 がオンできる程度の所定の
ベース電流が流される。端子11で過電圧が検出される
と、ツェナダイオードZD1 〜ZDm を介して電流がト
ランジスタQ1 のコレクタ,エミッタ間を流れる。この
ときのトランジスタQ1 のエミッタ電流は電流源I1 に
よるベース電流に依存し、制限される。
【0013】すなわち、図2のように端子電圧はトラン
ジスタQ1 のコレクタ,エミッタ間電圧の上昇と共に大
きくなるが、端子電流は制限される。図の特性によれば
例えば12μAでリミットされる。そして、抵抗R1 で
決まるトランジスタQ2 のベース,エミッタ間電圧でト
ランジスタQ2 がオンし、トランジスタQ3 のベースに
電流が供給され抵抗R2 で決まるトランジスタQ3 のベ
ース,エミッタ間電圧でトランジスタQ3 がオンしコレ
クタ電流が流れ、動作制御端子12に信号が現れる。
【0014】図3は過電圧検出特性を示している。端子
11が検出する電圧にはヒステリシスがない。すなわち、
検出端子11がつながる回路の出力電圧が例えば17.7
Vに至った場合、検出端子11ではこの17.7Vの時点
で過電圧検出を行い、その後、出力電圧が17.7Vよ
り下がる時点でトランジスタQ3 がオフし過電圧検出が
解除となる。
【0015】つまり、検出後は検出端子11の過電圧をト
ランジスタQ1 のコレクタ,エミッタ間電圧で受けるの
で、検出後、電流制御する回路に切り換える回路を有す
る構成と違って検出及び解除のヒステリシスがない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
過電圧検出後の電流を制限すると共に、過電圧検出、解
除のヒステリシスが防止される。従来ではツェナダイオ
ードの電流能力が信頼性に大きく依存したが、この発明
の構成では検出後の検出端子の過電圧をトランジスタ
(Q1 )のコレクタ,エミッタ間電圧で受けることか
ら、信頼性が向上する過電圧検出回路が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による構成の回路図。
【図2】図1の構成の端子電圧と端子電流の関係を示す
特性図。
【図3】図1の構成の回路の過電圧検出特性図。
【図4】従来の過電圧検出回路の構成を示す回路図。
【図5】図4の構成の端子電圧と端子電流の関係を示す
特性図。
【符号の説明】
Q1 ,Q2 ,Q3 …NPNトランジスタ、ZD1 〜ZD
m …ツェナダイオード、R1 ,R2 …抵抗、11…検出端
子、12…動作制御端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H02H 3/20 A

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 定電流源と、 前記定電流源にベースが接続された第1のトランジスタ
    と、 前記第1のトランジスタのコレクタと検出端子との間に
    接続される定電圧素子と、 前記第1のトランジスタのエミッタにベースが、前記定
    電流源にコレクタが接続された第2のトランジスタと、 前記第2のトランジスタのベース,エミッタ間に接続さ
    れた第1の抵抗素子と、 前記第2のトランジスタのエミッタにベースが接続さ
    れ、コレクタが動作制御端子に接続される第3トランジ
    スタと、 前記第3のトランジスタのベースと接地のエミッタとの
    間に接続された第2の抵抗素子とを具備したことを特徴
    とする過電圧検出回路。
JP26221293A 1993-10-20 1993-10-20 過電圧検出回路 Withdrawn JPH07120507A (ja)

Priority Applications (1)

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JP26221293A JPH07120507A (ja) 1993-10-20 1993-10-20 過電圧検出回路

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JP26221293A JPH07120507A (ja) 1993-10-20 1993-10-20 過電圧検出回路

Publications (1)

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JPH07120507A true JPH07120507A (ja) 1995-05-12

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ID=17372641

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JP26221293A Withdrawn JPH07120507A (ja) 1993-10-20 1993-10-20 過電圧検出回路

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763857B1 (ko) * 2005-12-30 2007-10-05 한국 고덴시 주식회사 고전압 검출회로
CN103620760A (zh) * 2011-07-01 2014-03-05 罗姆股份有限公司 过电压保护电路、电源装置、液晶显示装置、电子设备、电视机

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763857B1 (ko) * 2005-12-30 2007-10-05 한국 고덴시 주식회사 고전압 검출회로
CN103620760A (zh) * 2011-07-01 2014-03-05 罗姆股份有限公司 过电压保护电路、电源装置、液晶显示装置、电子设备、电视机

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Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20001226