JPH0712000B2 - シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法Info
- Publication number
- JPH0712000B2 JPH0712000B2 JP62275753A JP27575387A JPH0712000B2 JP H0712000 B2 JPH0712000 B2 JP H0712000B2 JP 62275753 A JP62275753 A JP 62275753A JP 27575387 A JP27575387 A JP 27575387A JP H0712000 B2 JPH0712000 B2 JP H0712000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- absorber
- duct
- cooling pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシンクロトロン放射光（以下「SOR光」と略
す。）発生装置（以下「SOR装置」と略す。）、及びそ
の製作方法に係り、特に荷電粒子の偏向部における荷電
粒子ビームダクト内にSOR光用のアブソーバを備えたSOR
装置、及びその製作方法に関する。
す。）発生装置（以下「SOR装置」と略す。）、及びそ
の製作方法に係り、特に荷電粒子の偏向部における荷電
粒子ビームダクト内にSOR光用のアブソーバを備えたSOR
装置、及びその製作方法に関する。
荷電粒子ビームの軌道を曲げてSOR光を取り出す偏向部
の荷電粒子ビームダクト内は、他の粒子と衝突して電子
のエネルギー損失を少なくするために真空にしておく必
要がある。
の荷電粒子ビームダクト内は、他の粒子と衝突して電子
のエネルギー損失を少なくするために真空にしておく必
要がある。
しかし、SOR光が荷電粒子ビームダクトの壁面に照射さ
れると多量のガスが発生するため、荷電粒子ビームダク
ト内を高真空に維持することができない。その対策とし
ては、SOR光が照射される荷電粒子ビームダクト内の壁
面にアブソーバを配置すること考えられている。即ち、
アブソーバは、SOR光照射に伴う光刺激反応によつて、
材料表面や内部から放出されるガス量が少ない材料であ
るため、これを用いてガスの発生を抑制しようとすもの
である。
れると多量のガスが発生するため、荷電粒子ビームダク
ト内を高真空に維持することができない。その対策とし
ては、SOR光が照射される荷電粒子ビームダクト内の壁
面にアブソーバを配置すること考えられている。即ち、
アブソーバは、SOR光照射に伴う光刺激反応によつて、
材料表面や内部から放出されるガス量が少ない材料であ
るため、これを用いてガスの発生を抑制しようとすもの
である。
このアブソーバを組み込むために、従来はアイ・イー・
イー・イー・；トランザクシヨン オンニユークリヤー
サイエンス ブイ オー エル，エヌ エス32,ナン
バー５ オクトーバー（1985年）第3354頁から第3358頁
（IEEE、Transactions on Nuclear Science Vol.NS-32,
No.5,October 1985 p3354〜p3358）において論じられて
いるように直線状、あるいはそれに近い形状のアブソー
バを、荷電粒子ビームダクトの外周側に設けたアブソー
バ専用の挿入ポートより組み込む構造にしていた。
イー・イー・；トランザクシヨン オンニユークリヤー
サイエンス ブイ オー エル，エヌ エス32,ナン
バー５ オクトーバー（1985年）第3354頁から第3358頁
（IEEE、Transactions on Nuclear Science Vol.NS-32,
No.5,October 1985 p3354〜p3358）において論じられて
いるように直線状、あるいはそれに近い形状のアブソー
バを、荷電粒子ビームダクトの外周側に設けたアブソー
バ専用の挿入ポートより組み込む構造にしていた。
上記文献に記載されているアブソーバの組み込み構造
は、比較的大型はシンクロトロン放射光発生装置に関す
るもので、荷電粒子の偏向部における荷電粒子ビームダ
クトの曲率半径も大きく、かつ、スペース的にも余裕が
ある装置について上記文献は論じている。
は、比較的大型はシンクロトロン放射光発生装置に関す
るもので、荷電粒子の偏向部における荷電粒子ビームダ
クトの曲率半径も大きく、かつ、スペース的にも余裕が
ある装置について上記文献は論じている。
上記従来技術は、大型のSOR装置についての技術であ
り、小型のSOR装置については配慮されていなかつた。
り、小型のSOR装置については配慮されていなかつた。
即ち、直線状、またはそれに近い形状のアブソーバの組
み込み構造を、偏向部曲率半径の小さい、換言すれば偏
向部の荷電粒子ビームダクトの曲率の大きい小型のSOR
装置に適用するには、直線状のアブソーバは曲率の大き
い偏向部の全周をカバーすることができず、SOR光が荷
電粒子ビームダクトの内壁に直接照射される個所がでて
くる。この欠点を解決するためには、アブソーバ挿入の
専用ポートを偏向部全周に相当数設ける必要があるが、
実際問題として偏向部にはSOR光引出し用ビームライン
を設ける必要があるため、スペース的に専用ポートを偏
向部全周に設けることは構造上きわめて困難である。
み込み構造を、偏向部曲率半径の小さい、換言すれば偏
向部の荷電粒子ビームダクトの曲率の大きい小型のSOR
装置に適用するには、直線状のアブソーバは曲率の大き
い偏向部の全周をカバーすることができず、SOR光が荷
電粒子ビームダクトの内壁に直接照射される個所がでて
くる。この欠点を解決するためには、アブソーバ挿入の
専用ポートを偏向部全周に相当数設ける必要があるが、
実際問題として偏向部にはSOR光引出し用ビームライン
を設ける必要があるため、スペース的に専用ポートを偏
向部全周に設けることは構造上きわめて困難である。
従つて、従来の直線状のアブソーバ組込み構造を、小型
のSOR装置に適用することは好ましくない。
のSOR装置に適用することは好ましくない。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、小型のSOR装置であつても簡単にアブソー
バを組み込むことができるSOR装置、及びその製作方法
を提供するにある。
るところは、小型のSOR装置であつても簡単にアブソー
バを組み込むことができるSOR装置、及びその製作方法
を提供するにある。
上記目的は、荷電粒子の偏向部にアブソーバとアブソー
バ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しくは半円形状の荷
電粒子ビームダクトの端部に接続される直線ダクトの少
なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用配管を外部に引
出すための配管引出し用ポートを設けたSOR装置、荷電
粒子の偏向部に配置されているほぼ扇形、もしくは半円
形状の荷電粒子ビームダクト内にアブソーバとアブソー
バ冷却用配管を組込むにあたり、円弧状の前記アブソー
バとアブソーバ冷却用配管の端部を前記荷電粒子ビーム
ダクトの端部口へ挿入し、その後、前記アブソーバとア
ブソーバ冷却用配管を前記荷電粒子ビームダクト内を移
動させながら所定の位置に組み込み、しかる後に前記荷
電粒子ビームダクト端部より外側に出ている前記アブソ
ーバ冷却用配管を折り曲げ、該折り曲げた部分のアブソ
ーバ冷却用配管に直接ダクトに設けられている配管引出
し用ポートを通しながら直線ダクトを組み込み、該直線
ダクトと前記荷電粒子ビームダクトを接続するSOR装置
の製作方法とすることにより達成される。
バ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しくは半円形状の荷
電粒子ビームダクトの端部に接続される直線ダクトの少
なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用配管を外部に引
出すための配管引出し用ポートを設けたSOR装置、荷電
粒子の偏向部に配置されているほぼ扇形、もしくは半円
形状の荷電粒子ビームダクト内にアブソーバとアブソー
バ冷却用配管を組込むにあたり、円弧状の前記アブソー
バとアブソーバ冷却用配管の端部を前記荷電粒子ビーム
ダクトの端部口へ挿入し、その後、前記アブソーバとア
ブソーバ冷却用配管を前記荷電粒子ビームダクト内を移
動させながら所定の位置に組み込み、しかる後に前記荷
電粒子ビームダクト端部より外側に出ている前記アブソ
ーバ冷却用配管を折り曲げ、該折り曲げた部分のアブソ
ーバ冷却用配管に直接ダクトに設けられている配管引出
し用ポートを通しながら直線ダクトを組み込み、該直線
ダクトと前記荷電粒子ビームダクトを接続するSOR装置
の製作方法とすることにより達成される。
本発明では直線ダクトに設けられている配管引出し用ポ
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のSOR装置であつても荷電粒子ビームダ
クト内にアブソーバを簡単に組み込むことができる。
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のSOR装置であつても荷電粒子ビームダ
クト内にアブソーバを簡単に組み込むことができる。
以下、図示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図、及び第２図に本発明のSOR装置の一実施例を示
す。該図の如く、SOR装置における荷電粒子の偏向部10
はＣ型に近い半円形状をしており、荷電粒子ビームは、
荷電粒子ビーム軌道６の軌道上を直線ダクト８から荷電
粒子ビームダクト５の一端から入射され他端から出る。
この偏向部10の荷電粒子ビームダクト５の外周部には偏
向電磁石９が設けられており、この偏向電磁石９が作る
磁場の力によつて荷電粒子ビームは軌道が曲げられ、曲
げられた際に照射されるSOR光４をSOR光取出しポート３
から取り出している。上記荷電粒子ビームダクト５の内
部には、上述した如く、アブソーバ１とアブソーバ冷却
用配管２が設置されており、このアブソーバ１によつて
SOR光の照射によるガスの発生を防いでいるが、アブソ
ーバ冷却用配管２は、直線ダクト８に荷電粒子ビームの
軌道に対して所定の角度をもつて傾斜し外側に突して設
けられている配管引出し用ポート７から外部に出され、
その先端は熱交換器に接続されている。そして、荷電粒
子ビームダクト５内を真空に維持するために、配管引出
し用ポート７の端部でアブソーバ冷却用配管２を溶接で
固定し真空シールしている。荷電粒子ビームダクト５内
には、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２を導くよ
うに溝が設けられ、これによつて、アブソーバ１とアブ
ソーバ冷却用配管２は振動するようなことはない。ま
た、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２は、第４図
に示すように一体となつている場合がほとんどであり、
このアブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２は鑞付け、
あるいは溶接によつて結合されるが、アブソーバ１を製
作する際はじめから冷却用配管を備えたアブソーバを作
つてもよい。SOR装置の偏向部10におけるアブソーバ１
とアブソーバ冷却用配管２の全体を第３図に示す。第３
図において、11はSOR光取出し口である。
す。該図の如く、SOR装置における荷電粒子の偏向部10
はＣ型に近い半円形状をしており、荷電粒子ビームは、
荷電粒子ビーム軌道６の軌道上を直線ダクト８から荷電
粒子ビームダクト５の一端から入射され他端から出る。
この偏向部10の荷電粒子ビームダクト５の外周部には偏
向電磁石９が設けられており、この偏向電磁石９が作る
磁場の力によつて荷電粒子ビームは軌道が曲げられ、曲
げられた際に照射されるSOR光４をSOR光取出しポート３
から取り出している。上記荷電粒子ビームダクト５の内
部には、上述した如く、アブソーバ１とアブソーバ冷却
用配管２が設置されており、このアブソーバ１によつて
SOR光の照射によるガスの発生を防いでいるが、アブソ
ーバ冷却用配管２は、直線ダクト８に荷電粒子ビームの
軌道に対して所定の角度をもつて傾斜し外側に突して設
けられている配管引出し用ポート７から外部に出され、
その先端は熱交換器に接続されている。そして、荷電粒
子ビームダクト５内を真空に維持するために、配管引出
し用ポート７の端部でアブソーバ冷却用配管２を溶接で
固定し真空シールしている。荷電粒子ビームダクト５内
には、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２を導くよ
うに溝が設けられ、これによつて、アブソーバ１とアブ
ソーバ冷却用配管２は振動するようなことはない。ま
た、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２は、第４図
に示すように一体となつている場合がほとんどであり、
このアブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２は鑞付け、
あるいは溶接によつて結合されるが、アブソーバ１を製
作する際はじめから冷却用配管を備えたアブソーバを作
つてもよい。SOR装置の偏向部10におけるアブソーバ１
とアブソーバ冷却用配管２の全体を第３図に示す。第３
図において、11はSOR光取出し口である。
尚、アブソーバ１は低光脱離係数材が好ましく、低光脱
離係数材とは、光が当たつた際に脱離するガス量が少な
いものをいい、本発明においては10-6molecules/photon
以下のものが好ましい。そして、この低光脱離係数材と
しては、高純度の銅，アルミニウムなどがあげられる。
離係数材とは、光が当たつた際に脱離するガス量が少な
いものをいい、本発明においては10-6molecules/photon
以下のものが好ましい。そして、この低光脱離係数材と
しては、高純度の銅，アルミニウムなどがあげられる。
このような本実施例の構成とすることにより、偏向部に
おける荷電粒子ビームダクトの曲率半径の大小にかかわ
らず、直線ダクトに設けられている配管引出し用ポート
を利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことができる
ので、小型のSOR装置であつても荷電粒子ビームダクト
内にアブソーバを簡単に組み込むことができるとう効果
がある。
おける荷電粒子ビームダクトの曲率半径の大小にかかわ
らず、直線ダクトに設けられている配管引出し用ポート
を利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことができる
ので、小型のSOR装置であつても荷電粒子ビームダクト
内にアブソーバを簡単に組み込むことができるとう効果
がある。
第５図に小型のシンクロトロン放射光発生装置を示す。
第５図において、電子入射系14に入射された荷電粒子13
は荷電粒子ビーム軌道６を動く。そして、荷電粒子ビー
ム軌道６を動く荷電粒子は制御系12,16、軌道調整磁石1
5によつてコントロールされ、偏向部10を通過する際にS
OR光を放射するものである。
第５図において、電子入射系14に入射された荷電粒子13
は荷電粒子ビーム軌道６を動く。そして、荷電粒子ビー
ム軌道６を動く荷電粒子は制御系12,16、軌道調整磁石1
5によつてコントロールされ、偏向部10を通過する際にS
OR光を放射するものである。
本発明の他の実施例を第６図，第７図に示す。第６図に
示す実施例は、配管引出し用ポート７を荷電粒子ビーム
ダクト５の両端の直線ダクト８に設けた例である。この
場合の配管引出し用ポート７も荷電粒子ビームの軌道に
対して所定の角度をもつて傾斜し外側に突出して設けら
れている。このような本実施例の構成とすることによ
り、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２を二つに分
割して、両端から挿入することが可能となり、上述した
実施例のように一方の端部から挿入した場合と同様の効
果がある。第７図も第６図と同じ実施例の１つである
が、本実施例の構成は、荷電粒子ビームダクト５の両端
の直線ダクト８に荷電粒子ビーム軌道６に対して所定の
角度をもつて傾斜し内側に突出して配管引出し用ポート
７を設けたもので、周辺機器の配置との関係でこのよう
な構造とすることも可能である。
示す実施例は、配管引出し用ポート７を荷電粒子ビーム
ダクト５の両端の直線ダクト８に設けた例である。この
場合の配管引出し用ポート７も荷電粒子ビームの軌道に
対して所定の角度をもつて傾斜し外側に突出して設けら
れている。このような本実施例の構成とすることによ
り、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２を二つに分
割して、両端から挿入することが可能となり、上述した
実施例のように一方の端部から挿入した場合と同様の効
果がある。第７図も第６図と同じ実施例の１つである
が、本実施例の構成は、荷電粒子ビームダクト５の両端
の直線ダクト８に荷電粒子ビーム軌道６に対して所定の
角度をもつて傾斜し内側に突出して配管引出し用ポート
７を設けたもので、周辺機器の配置との関係でこのよう
な構造とすることも可能である。
次に、第８図，第９図、及び第10図を用いて、アブソー
バ１を荷電粒子ビームダクト５に組み込む製作方法につ
いて説明する。まず、第８図に示すように円弧上のアブ
ソーバ１の両端部を荷電粒子ビームダクト５の両端口へ
挿入する。次に、アブソーバ１を周方向に荷電粒子ビー
ムダクト５内を移動させ、所定の位置に配置する。この
アブソーバ１を配置した状態を第９図に示す。そして、
第10図の如く、荷電粒子ビームダクト５の端部より突出
している部分のアブソーバ冷却用配管２を外側に折り曲
げ、この折り曲げられたアブソーバ冷却配管２部分に配
管引き出し用ポート７を通しながら直線ダクト８を組み
込み、これと荷電粒子ビームダクト５を接続する。これ
ら直線、荷電粒子ビームダクト8,5の接続、アブソーバ
冷却用配管２の配管引出し用ポート７への固定は、溶接
を施こして真空シールし、荷電粒子ビームダクト５内を
気密に保持している。
バ１を荷電粒子ビームダクト５に組み込む製作方法につ
いて説明する。まず、第８図に示すように円弧上のアブ
ソーバ１の両端部を荷電粒子ビームダクト５の両端口へ
挿入する。次に、アブソーバ１を周方向に荷電粒子ビー
ムダクト５内を移動させ、所定の位置に配置する。この
アブソーバ１を配置した状態を第９図に示す。そして、
第10図の如く、荷電粒子ビームダクト５の端部より突出
している部分のアブソーバ冷却用配管２を外側に折り曲
げ、この折り曲げられたアブソーバ冷却配管２部分に配
管引き出し用ポート７を通しながら直線ダクト８を組み
込み、これと荷電粒子ビームダクト５を接続する。これ
ら直線、荷電粒子ビームダクト8,5の接続、アブソーバ
冷却用配管２の配管引出し用ポート７への固定は、溶接
を施こして真空シールし、荷電粒子ビームダクト５内を
気密に保持している。
なお、荷電粒子ビームダクト５内を真空にするためには
真空ポンプが必要であるが、その配置場所は、偏向部10
の中に配置してもよいし、直線ダクト８に接続してもよ
い。
真空ポンプが必要であるが、その配置場所は、偏向部10
の中に配置してもよいし、直線ダクト８に接続してもよ
い。
以上説明した本発明のシンクロトロン放射光発生装置、
及びその製作方法によれば、荷電粒子の偏向部にアブソ
ーバとアブソーバ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しく
は半円形状の荷電粒子ビームダクトの端部に接続される
直線ダクトの少なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用
配管を外部に引出すための配管引出し用ポートを設けた
シンクロトロン放射光発生装置、荷電粒子の偏向部に配
置されているほぼ扇形、もしくは半円形状の荷電粒子ビ
ームダクト内にアブソーバとアブソーバ冷却用配管を組
込むにあたり、円弧状の前記アブソーバとアブソーバ冷
却用配管の端部を前記荷電粒子ビームダクトの端部口へ
挿入し、その後、前記アブソーバとアブソーバ冷却用配
管を前記荷電粒子ビームダクト内を移動させながら所定
の位置に組み込み、しかる後に前記荷電粒子ビームダク
ト端部より外側に出ている前記アブソーバ冷却用配管を
折り曲げ、該折り曲げた部分のアブソーバ冷却用配管に
直接ダクトに設けられている配管引出し用ポートを通し
ながら直線ダクトを組み込み、該直線ダクトと前記荷電
粒子ビームダクトを接続するシンクロトロン放射光発生
装置の製作方法としたものであるから、配管引出し用ポ
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のシンクロトロン放射光発生装置であつ
ても荷電粒子ビームダクト内にアブソーバを簡単に組み
込むことができ、此種装置には非常に有効である。
及びその製作方法によれば、荷電粒子の偏向部にアブソ
ーバとアブソーバ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しく
は半円形状の荷電粒子ビームダクトの端部に接続される
直線ダクトの少なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用
配管を外部に引出すための配管引出し用ポートを設けた
シンクロトロン放射光発生装置、荷電粒子の偏向部に配
置されているほぼ扇形、もしくは半円形状の荷電粒子ビ
ームダクト内にアブソーバとアブソーバ冷却用配管を組
込むにあたり、円弧状の前記アブソーバとアブソーバ冷
却用配管の端部を前記荷電粒子ビームダクトの端部口へ
挿入し、その後、前記アブソーバとアブソーバ冷却用配
管を前記荷電粒子ビームダクト内を移動させながら所定
の位置に組み込み、しかる後に前記荷電粒子ビームダク
ト端部より外側に出ている前記アブソーバ冷却用配管を
折り曲げ、該折り曲げた部分のアブソーバ冷却用配管に
直接ダクトに設けられている配管引出し用ポートを通し
ながら直線ダクトを組み込み、該直線ダクトと前記荷電
粒子ビームダクトを接続するシンクロトロン放射光発生
装置の製作方法としたものであるから、配管引出し用ポ
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のシンクロトロン放射光発生装置であつ
ても荷電粒子ビームダクト内にアブソーバを簡単に組み
込むことができ、此種装置には非常に有効である。
第１図は本発明のシンクロトロン放射光発生装置の一実
施例を示す平面図、第２図は第１図のX-X′断面図、第
３図はアブソーバとその冷却用配管の全体図、第４図は
第３図のY-Y′断面図、第５図は本発明の一実施例が採
用されるシンクロトロン放射光発生装置の概念図、第６
図、及び第７図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す平
面図、第８図，第９図及び第10図は本発明のアブソーバ
を組み込む製作方法の一実施例を表わす工程順を示す平
面図である。 １……アブソーバ、２……アブソーバ冷却用配管、３…
…シンクロトロン放射光取出しポート、４……シンクロ
トロン放射光、５……荷電粒子ビームダクト、６……荷
電粒子ビーム軌道、７……配管引出し用ポート、８……
直線ダクト、９……偏向電磁石、10……偏向部、11……
シンクロトロン放射光取出口。
施例を示す平面図、第２図は第１図のX-X′断面図、第
３図はアブソーバとその冷却用配管の全体図、第４図は
第３図のY-Y′断面図、第５図は本発明の一実施例が採
用されるシンクロトロン放射光発生装置の概念図、第６
図、及び第７図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す平
面図、第８図，第９図及び第10図は本発明のアブソーバ
を組み込む製作方法の一実施例を表わす工程順を示す平
面図である。 １……アブソーバ、２……アブソーバ冷却用配管、３…
…シンクロトロン放射光取出しポート、４……シンクロ
トロン放射光、５……荷電粒子ビームダクト、６……荷
電粒子ビーム軌道、７……配管引出し用ポート、８……
直線ダクト、９……偏向電磁石、10……偏向部、11……
シンクロトロン放射光取出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池口 隆 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 松本 学 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 黒石 一夫 茨城県日立市会瀬町２丁目９番１号 日立 サービスエンジニアリング株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】荷電粒子の偏向部にアブソーバとアブソー
バ冷却用配管を内部に有するほぼ扇形、もしくは半円形
状の荷電粒子ビームダクトと、該荷電粒子ビームダクト
を取り囲み、ダクト内の荷電粒子ビームの軌道を曲げる
ための磁場を形成する偏向電磁石と、前記荷電粒子ビー
ムダクトの端部に接続される直線ダクトとを備えたシン
クロトロン放射光発生装置において、前記直線ダクトは
少なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用配管を外部に
引出すための配管引出し用ポートを備えていることを特
徴とするシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項２】前記配管引出し用ポートを、前記荷電粒子
ビームダクトの両端部に接続されている直線ビームダク
トのそれぞれに設けたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項３】前記配管引出し用ポートは、前記荷電粒子
ビームの軌道に対して所定の角度をもつて傾斜し外側に
突出していることを特徴とする特許請求の範囲第１項、
又は第２項記載のシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項４】前記配管引出し用ポートは、前記荷電粒子
ビームの軌道に対して所定の角度をもつて傾斜し内側に
突出していることを特徴とする特許請求の範囲第１項、
又は第２項記載のシンクロトロン放射光発生装置。 - 【請求項５】荷電粒子の偏向部に配置されているほぼ扇
形、もしくは半円形状の荷電粒子ビームダクト内にアブ
ソーバとアブソーバ冷却用配管を組込む方法において、
円弧状の前記アブソーバとアブソーバ冷却用配管の端部
を前記荷電粒子ビームダクトの端部口へ挿入し、その
後、前記アブソーバとアブソーバ冷却用配管を前記荷電
粒子ビームダクト内を移動させながら所定の位置に組み
込み、しかる後に前記荷電粒子ビームダクト端部より外
側に出ている前記アブソーバ冷却用配管を折り曲げ、該
折り曲げた部分のアブソーバ冷却用配管に直線ダクトに
設けられている配管引出し用ポートを通しながら直線ダ
クトを組み込み、該直線ダクトと前記荷電粒子ビームダ
クトを接続することを特徴とするシンクロトロン放射光
発生装置の製作方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275753A JPH0712000B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
| US07/265,702 US4931744A (en) | 1987-11-02 | 1988-11-01 | Synchrotron radiation source and method of making the same |
| DE3885713T DE3885713T2 (de) | 1987-11-02 | 1988-11-02 | Synchrotronstrahlungsquelle und Methode für ihre Herstellung. |
| EP88118226A EP0315134B1 (en) | 1987-11-02 | 1988-11-02 | Synchrotron radiation source and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275753A JPH0712000B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120799A JPH01120799A (ja) | 1989-05-12 |
| JPH0712000B2 true JPH0712000B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=17559911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275753A Expired - Lifetime JPH0712000B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4931744A (ja) |
| EP (1) | EP0315134B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0712000B2 (ja) |
| DE (1) | DE3885713T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2223350B (en) * | 1988-08-26 | 1992-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Device for accelerating and storing charged particles |
| JPH0834130B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1996-03-29 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置 |
| WO2013121503A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3323088A (en) * | 1965-07-13 | 1967-05-30 | Glen R Lambertson | Charged particle extracting magnet for an accelerator |
| DE3703938A1 (de) * | 1986-02-12 | 1987-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Teilchenbeschleuniger |
| US4808941A (en) * | 1986-10-29 | 1989-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Synchrotron with radiation absorber |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62275753A patent/JPH0712000B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-01 US US07/265,702 patent/US4931744A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-02 DE DE3885713T patent/DE3885713T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-02 EP EP88118226A patent/EP0315134B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0315134B1 (en) | 1993-11-18 |
| US4931744A (en) | 1990-06-05 |
| JPH01120799A (ja) | 1989-05-12 |
| DE3885713T2 (de) | 1994-05-19 |
| EP0315134A3 (en) | 1990-01-24 |
| DE3885713D1 (de) | 1993-12-23 |
| EP0315134A2 (en) | 1989-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2572022C (en) | Forced convection target assembly | |
| JPS63124400A (ja) | シンクロトロン | |
| US20160343533A1 (en) | X-Ray Sources | |
| JPH0712000B2 (ja) | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 | |
| US6565633B1 (en) | Electron beam treatment apparatus of flue gas and boiler system with the same apparatus | |
| JPS61238325A (ja) | 電子照射による排気ガスの脱硫及び脱硝装置 | |
| JPS62128499A (ja) | 荷電ビ−ム装置 | |
| JP2515783B2 (ja) | シンクロトロン放射光発生装置 | |
| JP2511991B2 (ja) | シンクロトロン放射光発生装置 | |
| JPH06302400A (ja) | 電子蓄積リング用の放射光アブソーバ | |
| JPH0479199A (ja) | シンクロトン放射光用電子蓄積リング | |
| JP3125173B2 (ja) | 低エネルギー荷電粒子の選択分岐収集方法及び選択分岐収集装置 | |
| JPH09197098A (ja) | 放射光ビームラインの真空隔壁装置 | |
| JPH0676989A (ja) | 荷電粒子加速器のビームダクト | |
| JPH02299200A (ja) | シンクロトロン放射光発生装置 | |
| JP3271046B2 (ja) | 荷電粒子加速リングのアブソーバ | |
| JPS63119200A (ja) | 荷電粒子加速器用真空槽 | |
| JPH06333700A (ja) | 粒子加速器 | |
| JP2000323300A (ja) | アブソーバ配置構造 | |
| JPH08138900A (ja) | マイクロトロン | |
| JP2003151799A (ja) | フォトンストッパ | |
| JPS60202935A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH1048369A (ja) | 中性粒子入射装置 | |
| JP2000030900A (ja) | ビームラインポート | |
| JPS636796A (ja) | 真空ダクト |