JPH01120799A - シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法Info
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- JPH01120799A JPH01120799A JP62275753A JP27575387A JPH01120799A JP H01120799 A JPH01120799 A JP H01120799A JP 62275753 A JP62275753 A JP 62275753A JP 27575387 A JP27575387 A JP 27575387A JP H01120799 A JPH01120799 A JP H01120799A
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光（以下ｒｓＯＲ光」と略
す。）発生装置（以下ｒｓＯＲ装置」と略す。）、及び
その製作方法に係り、特に荷電粒子の偏向部における荷
電粒子ビームダクト内にＳＯＲ光用のアブソーバを備え
たＳＯＲ装置、及びその製作方法に関する。
す。）発生装置（以下ｒｓＯＲ装置」と略す。）、及び
その製作方法に係り、特に荷電粒子の偏向部における荷
電粒子ビームダクト内にＳＯＲ光用のアブソーバを備え
たＳＯＲ装置、及びその製作方法に関する。
荷電粒子ビームの軌道を曲げてＳＯＲ光を取り出す偏向
部の荷電粒子ビームダクト内は、他の粒子と衝突して電
子のエネルギー損失を少なくするために真空にしておく
必要がある。
部の荷電粒子ビームダクト内は、他の粒子と衝突して電
子のエネルギー損失を少なくするために真空にしておく
必要がある。
しかし、ＳＯＲ光が荷電粒子ビームダクトの壁面に照射
されると多量のガスが発生するため、荷電粒子ビームダ
クト内を高真空に維持することができない。その対策と
しては、ＳＯＲ光が照射される荷電粒子ビームダクト内
の壁面にアブソーバを配置することが考えられている。
されると多量のガスが発生するため、荷電粒子ビームダ
クト内を高真空に維持することができない。その対策と
しては、ＳＯＲ光が照射される荷電粒子ビームダクト内
の壁面にアブソーバを配置することが考えられている。
即ち、アブソーバは、ＳＯＲ光照射に伴う光刺激反応に
よって、材料表面や内部から放出されるガス量が少ない
材料であるため、これを用いてガスの発生を抑制しよう
とするものである。
よって、材料表面や内部から放出されるガス量が少ない
材料であるため、これを用いてガスの発生を抑制しよう
とするものである。
このアブソーバを組み込むために、従来はアイ・イー・
イー・イー・；トランザクション オンニュークリヤー
サイエンス ブイ オー エル、エヌ ニス３２．ナ
ンバー５ オクト−バー（１９８５年）第３３５４頁か
ら第３３５８頁（ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｓ ｏｎ Ｎｕｃｌｅａｒ ５ｃｉｅｎｃｅ Ｖｏ Ｑ
。
イー・イー・；トランザクション オンニュークリヤー
サイエンス ブイ オー エル、エヌ ニス３２．ナ
ンバー５ オクト−バー（１９８５年）第３３５４頁か
ら第３３５８頁（ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｓ ｏｎ Ｎｕｃｌｅａｒ ５ｃｉｅｎｃｅ Ｖｏ Ｑ
。
Ｎ５−３２． Ｎａ３，０ｃｔｏｂｅｒ １９８５
ｐ ３３５４〜ｐ３３５８）において論じられているよ
うに直線状、あるいはそれに近い形状のアブソーバを、
荷電粒子ビームダクトの外周側に設けたアブソーバ専用
の挿入ポートより組み込む構造にしていた。
ｐ ３３５４〜ｐ３３５８）において論じられているよ
うに直線状、あるいはそれに近い形状のアブソーバを、
荷電粒子ビームダクトの外周側に設けたアブソーバ専用
の挿入ポートより組み込む構造にしていた。
上記文献に記載されているアブソーバの組み込み構造は
、比較的大型なシンクロトロン放射光発生装置に関する
もので、荷電粒子の偏向部における荷電粒子ビームダク
トの曲率半径も大きく、かつ、スペース的にも余裕があ
る装置について上記文献は論じている。
、比較的大型なシンクロトロン放射光発生装置に関する
もので、荷電粒子の偏向部における荷電粒子ビームダク
トの曲率半径も大きく、かつ、スペース的にも余裕があ
る装置について上記文献は論じている。
上記従来技術は、大型のＳＯＲ装置についての技術であ
り、小型のＳＯＲ装置については配慮されていなかった
。
り、小型のＳＯＲ装置については配慮されていなかった
。
即ち、直線状、またはそれに近い形状のアブソーバの組
み込み構造を、偏向部曲率半径の小さい。
み込み構造を、偏向部曲率半径の小さい。
換言すれば偏向部の荷に粒子ビームダクトの曲率の大き
い小型のＳＯＲ装置に適用するには、直線状のアブソー
バは曲率の大きい偏向部の全周をカバーすることができ
ず、ＳＯＲ光が荷電粒子ビームダクトの内壁に直接照射
される個所がでてくる。
い小型のＳＯＲ装置に適用するには、直線状のアブソー
バは曲率の大きい偏向部の全周をカバーすることができ
ず、ＳＯＲ光が荷電粒子ビームダクトの内壁に直接照射
される個所がでてくる。
この欠点を解決するためには、アブソーバ挿入の専用ポ
ートを偏向部全周に相当数設ける必要があるが、実際問
題として偏向部にはＳＯＲ光引出し用ビームラインを設
ける必要があるため、スペース的に専用ポートを偏向部
全周に設けることは構造上きわめて困難である。
ートを偏向部全周に相当数設ける必要があるが、実際問
題として偏向部にはＳＯＲ光引出し用ビームラインを設
ける必要があるため、スペース的に専用ポートを偏向部
全周に設けることは構造上きわめて困難である。
従って、従来の直線状のアブソーバ組込み構造を、小型
のＳＯＲ装置に適用することは好ましくない。
のＳＯＲ装置に適用することは好ましくない。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、小型のＳＯＲ装置であっても簡単にアブソ
ーバを組み込むことができるＳＯＲ装置、及びその製作
方法を提供するにある。
るところは、小型のＳＯＲ装置であっても簡単にアブソ
ーバを組み込むことができるＳＯＲ装置、及びその製作
方法を提供するにある。
上記目的は、荷電粒子の偏向部にアブソーバと７ブソー
バ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しくは半円形状の荷
電粒子ビームダクトの端部に接続される直線ダクトの少
なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用配管を外部に引
出すための配管引出し用ポートを設けたＳＯＲ装置、荷
電粒子の偏向部に配置されているほぼ扇形、もしくは半
円′形状の荷電粒子ビームダクト内にアブソーバとアブ
ソーバ冷却用配管を組込むにあたり１円弧状の前記アブ
ソーバとアブソーバ冷却用配管の端部を前記荷電粒子ビ
ームダクトの端部口へ挿入し、その後、前記アブソーバ
とアブソーバ冷却用配管を前記荷電粒子ビームダクト内
を移動させながら所定の位置に組み込み、しかる後に前
記荷電粒子ビームダクト端部より外側に出ている前記ア
ブソーバ冷却用配管を折り曲げ、該折り曲げた部分のア
ブソーバ冷却用配管に直接ダクトに設けられている配管
引出し用ポートを通しながら直線ダクトを組み込み、該
直線ダクトと前記荷電粒子ビームダクトを接続するＳＯ
Ｒ装置の製作方法とすることにより達成される。
バ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しくは半円形状の荷
電粒子ビームダクトの端部に接続される直線ダクトの少
なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用配管を外部に引
出すための配管引出し用ポートを設けたＳＯＲ装置、荷
電粒子の偏向部に配置されているほぼ扇形、もしくは半
円′形状の荷電粒子ビームダクト内にアブソーバとアブ
ソーバ冷却用配管を組込むにあたり１円弧状の前記アブ
ソーバとアブソーバ冷却用配管の端部を前記荷電粒子ビ
ームダクトの端部口へ挿入し、その後、前記アブソーバ
とアブソーバ冷却用配管を前記荷電粒子ビームダクト内
を移動させながら所定の位置に組み込み、しかる後に前
記荷電粒子ビームダクト端部より外側に出ている前記ア
ブソーバ冷却用配管を折り曲げ、該折り曲げた部分のア
ブソーバ冷却用配管に直接ダクトに設けられている配管
引出し用ポートを通しながら直線ダクトを組み込み、該
直線ダクトと前記荷電粒子ビームダクトを接続するＳＯ
Ｒ装置の製作方法とすることにより達成される。
本発明では直線ダクトに設けられている配管引出し用ポ
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のＳＯＲ装置であっても荷電粒子ビーム
ダクト内にアブソーバを簡単に組み込むことができる。
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のＳＯＲ装置であっても荷電粒子ビーム
ダクト内にアブソーバを簡単に組み込むことができる。
以下、図示した実施例に基づいて本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図、及び第２図に本発明のＳＯＲ装置の一実施例を
示す。該図の如く、ＳＯＲ装置における荷電粒子の偏向
部１ｏはＣ型に近い半円形状をしており、荷電粒子ビー
ムは、荷電粒子ビーム軌道６の軌道上を直線ダクト８か
ら荷電粒子ビームダクト５の一端から入射され他端がら
出る。この偏向部１０の荷電粒子ビームダクト５の外周
部には偏向電磁石９が設けら九でおり、この偏向電磁石
９が作る磁場の力によって荷電粒子ビームは軌道１が曲
げられ、曲げられた際に照射されるＳＯＲ光４をＳＯＲ
光取出しポート３がら取り出している。
示す。該図の如く、ＳＯＲ装置における荷電粒子の偏向
部１ｏはＣ型に近い半円形状をしており、荷電粒子ビー
ムは、荷電粒子ビーム軌道６の軌道上を直線ダクト８か
ら荷電粒子ビームダクト５の一端から入射され他端がら
出る。この偏向部１０の荷電粒子ビームダクト５の外周
部には偏向電磁石９が設けら九でおり、この偏向電磁石
９が作る磁場の力によって荷電粒子ビームは軌道１が曲
げられ、曲げられた際に照射されるＳＯＲ光４をＳＯＲ
光取出しポート３がら取り出している。
上記荷電粒子ビームダクト５の内部には、上述した如く
、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２が設置されて
おり、このアブソーバ１によってＳＯＲ光の照射による
ガスの発生を防いでいるが、アブソーバ冷却用配管２は
、直線ダクト８に荷電粒子ビームの軌道に対して所定の
角度をもって傾斜し外側に突出して設けら九でいる配管
引出し用ポート７から外部に出され、その先端は熱交換
器に接続されている。そして、荷電粒子ビームダクト５
内を真空に維持するために、配管引出し用ポート７の端
部でアブソーバ冷却用配管２を溶接で固定し真空シール
している。荷電粒子ビームダクト５内には、アブソーバ
１とアブソーバ冷却用配管２を導くように溝が設けられ
、これによって。
、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２が設置されて
おり、このアブソーバ１によってＳＯＲ光の照射による
ガスの発生を防いでいるが、アブソーバ冷却用配管２は
、直線ダクト８に荷電粒子ビームの軌道に対して所定の
角度をもって傾斜し外側に突出して設けら九でいる配管
引出し用ポート７から外部に出され、その先端は熱交換
器に接続されている。そして、荷電粒子ビームダクト５
内を真空に維持するために、配管引出し用ポート７の端
部でアブソーバ冷却用配管２を溶接で固定し真空シール
している。荷電粒子ビームダクト５内には、アブソーバ
１とアブソーバ冷却用配管２を導くように溝が設けられ
、これによって。
アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２は振動するよう
なことは゛ない。また、アブソーバ１とアブソーバ冷却
用配管２は、第４図に示すように一体となっている場合
がほとんどであり、このアブソーバ１とアブソーバ冷却
用配管２は鑞付け、あるいは溶接によって結合されるが
、アブソーバ１を製作する際はじめから冷却用配管を備
えたアブソーバを作ってもよい。ＳＯＲ装置の偏向部１
０におけるアブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２の全
体を第３図に示す。第３図において、１１はＳＯＲ先取
出し口である。
なことは゛ない。また、アブソーバ１とアブソーバ冷却
用配管２は、第４図に示すように一体となっている場合
がほとんどであり、このアブソーバ１とアブソーバ冷却
用配管２は鑞付け、あるいは溶接によって結合されるが
、アブソーバ１を製作する際はじめから冷却用配管を備
えたアブソーバを作ってもよい。ＳＯＲ装置の偏向部１
０におけるアブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２の全
体を第３図に示す。第３図において、１１はＳＯＲ先取
出し口である。
尚、アブソーバ１は低光脱離係数材が好ましく。
低光脱離係数材とは、光が当たった際に脱はするガス量
が少ないものをいい、本発明においては１０−６ｍｏｌ
ｅｃｕｌｅｓ／ ｐｈｏｔｏｎ以下のものが好ましい。
が少ないものをいい、本発明においては１０−６ｍｏｌ
ｅｃｕｌｅｓ／ ｐｈｏｔｏｎ以下のものが好ましい。
そして、この低光脱離係数材としては、高純度の銅、ア
ルミニウムなどがあげられる。
ルミニウムなどがあげられる。
このような本実施例の構成とすることにより、偏向部に
おける荷電粒子ビー゛ムダクトの曲率半径の大小にかか
わらず、直線ダク１−に設けられている配管引出し用ポ
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のＳＯＲ装置であっても荷電粒子ビーム
ダクト内にアブソーバを簡単に組み込むことができると
いう効果がある。
おける荷電粒子ビー゛ムダクトの曲率半径の大小にかか
わらず、直線ダク１−に設けられている配管引出し用ポ
ートを利用してアブソーバ冷却用配管を引出すことがで
きるので、小型のＳＯＲ装置であっても荷電粒子ビーム
ダクト内にアブソーバを簡単に組み込むことができると
いう効果がある。
第５図に小型のシンクロトロン放射光発生装置を示す。
第５図において、電子入射系１４に入射された荷電粒子
１３は荷電粒子ビーム軌道６を動く。そして、荷電粒子
ビーム軌道６を動く荷電粒子は制御系１２．１６、軌道
調整磁石１５によってコントロールされ、偏向部１ｏを
通過する際にＳＯＲ光を放射するものである。
１３は荷電粒子ビーム軌道６を動く。そして、荷電粒子
ビーム軌道６を動く荷電粒子は制御系１２．１６、軌道
調整磁石１５によってコントロールされ、偏向部１ｏを
通過する際にＳＯＲ光を放射するものである。
本発明の他の実施例を第６図、第７図に示す。
第６図に示す実施例は、配管引出し用ポート７を荷電粒
子ビームダクト５の両端の直線ダクト８に設けた例であ
る。この場合の配管引出し用ポート７も荷電粒子ビーム
の軌道に対して所定の角度をもって傾斜し外側に突出し
て設けられている。このような本実施例の構成とするこ
とにより、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２を二
つに分割して５両端から挿入することが可能となり、上
述した実施例のように一方の端部から挿入した場合と同
様の効果がある。第７図も第６図と同じ実施例の１つで
あるが１本実施例の構成は、荷電粒子ビームダクト５の
両端の直線ダクト８に荷電粒子ビーム軌道６に対して所
定の角度をもって傾斜し内側に突出して配管引出し用ポ
ート７を設けたもので１周辺機器の配置との関係でこの
ような構造とすることも可能である。
子ビームダクト５の両端の直線ダクト８に設けた例であ
る。この場合の配管引出し用ポート７も荷電粒子ビーム
の軌道に対して所定の角度をもって傾斜し外側に突出し
て設けられている。このような本実施例の構成とするこ
とにより、アブソーバ１とアブソーバ冷却用配管２を二
つに分割して５両端から挿入することが可能となり、上
述した実施例のように一方の端部から挿入した場合と同
様の効果がある。第７図も第６図と同じ実施例の１つで
あるが１本実施例の構成は、荷電粒子ビームダクト５の
両端の直線ダクト８に荷電粒子ビーム軌道６に対して所
定の角度をもって傾斜し内側に突出して配管引出し用ポ
ート７を設けたもので１周辺機器の配置との関係でこの
ような構造とすることも可能である。
次に、第８図、第９図、及び第１０図を用いて、アブソ
ーバ１を荷電粒子ビームダクト５に組み込む製作方法に
ついて説明する。まず、第８図に示すように円弧上のア
ブソーバ１の両端部を荷電粒子ビームダクト５の両端口
へ挿入する。次に、アブソーバ１を周方向に荷電粒子ビ
ームダクト５内を移動させ、所定の位置に配置する。こ
のアブソーバ１を配置した状態を第９図に示す。そして
、第１０図の如く、荷電粒子ビームダクト５の端部より
突出している部分のアブソーバ冷却用配管２を外側に折
り曲げ、この折り曲げられたアブソーバ冷却用配管２部
分に配管引き出し用ポート７を通しながら直線ダクト８
を組み込み、これと荷電粒子ビームダクト５を接続する
。これら直線、荷電粒子ビームダクト８，５の接続、ア
ブソーバ冷却用配管２の配管引出し用ポート７への固定
は、溶接を施こして真空シールし、荷電粒子ビームダク
ト５内を気密に保持している。
ーバ１を荷電粒子ビームダクト５に組み込む製作方法に
ついて説明する。まず、第８図に示すように円弧上のア
ブソーバ１の両端部を荷電粒子ビームダクト５の両端口
へ挿入する。次に、アブソーバ１を周方向に荷電粒子ビ
ームダクト５内を移動させ、所定の位置に配置する。こ
のアブソーバ１を配置した状態を第９図に示す。そして
、第１０図の如く、荷電粒子ビームダクト５の端部より
突出している部分のアブソーバ冷却用配管２を外側に折
り曲げ、この折り曲げられたアブソーバ冷却用配管２部
分に配管引き出し用ポート７を通しながら直線ダクト８
を組み込み、これと荷電粒子ビームダクト５を接続する
。これら直線、荷電粒子ビームダクト８，５の接続、ア
ブソーバ冷却用配管２の配管引出し用ポート７への固定
は、溶接を施こして真空シールし、荷電粒子ビームダク
ト５内を気密に保持している。
なお、荷電粒子ビームダクト５内を真空にするためには
真空ポンプが必要であるが、その配置場所は、偏向部１
ｏの中に配置してもよいし、直線ダクト８に接続しても
よい。
真空ポンプが必要であるが、その配置場所は、偏向部１
ｏの中に配置してもよいし、直線ダクト８に接続しても
よい。
以上説明した本発明のシンクロトロン放射光発生装置、
及びその製作方法によれば、荷電粒子の偏向部にアブソ
ーバとアブソーバ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しく
は半円形状の荷電粒子ビームダクトの端部に接続される
直線ダクトの少なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用
配管を外部に引出すための配管引出し用ポートを設けた
シンクロトロン放射光発生装置、荷電粒子の偏向部に配
置されているほぼ扇形、もしくは半円形状の荷電粒子ビ
ームダクト内にアブソーバとアブソーバ冷却用配管を組
込むにあたり、円弧状の前記アブソーバとアブソーバ冷
却用配管の端部を前記荷電粒子ビームダクトの端部口へ
挿入し、その後、前記アブソーバとアブソーバ冷却用配
管を前記荷電粒子ビームダクト内を移動させながら所定
の位置に組み込み、しかる後に前記荷電粒子ビームダク
ト端部より外側に出ている前記アブソーバ冷却用配管を
折り曲げ、該折り曲げた部分のアブソーバ冷却用配管に
直線ダクトに設けられている配管引出し用ポートを通し
ながら直線ダクトを組み込み。
及びその製作方法によれば、荷電粒子の偏向部にアブソ
ーバとアブソーバ冷却用配管を有するほぼ扇形、若しく
は半円形状の荷電粒子ビームダクトの端部に接続される
直線ダクトの少なくとも一方に、前記アブソーバ冷却用
配管を外部に引出すための配管引出し用ポートを設けた
シンクロトロン放射光発生装置、荷電粒子の偏向部に配
置されているほぼ扇形、もしくは半円形状の荷電粒子ビ
ームダクト内にアブソーバとアブソーバ冷却用配管を組
込むにあたり、円弧状の前記アブソーバとアブソーバ冷
却用配管の端部を前記荷電粒子ビームダクトの端部口へ
挿入し、その後、前記アブソーバとアブソーバ冷却用配
管を前記荷電粒子ビームダクト内を移動させながら所定
の位置に組み込み、しかる後に前記荷電粒子ビームダク
ト端部より外側に出ている前記アブソーバ冷却用配管を
折り曲げ、該折り曲げた部分のアブソーバ冷却用配管に
直線ダクトに設けられている配管引出し用ポートを通し
ながら直線ダクトを組み込み。
この直線ダクトと荷電粒子ビームダク１〜を接続するシ
ンクロトロン放射光発生装置の製作方法としたものであ
るから、配管引出し用ポートを利用してアブソーバ冷却
用配管を引出すことができるので、小型のシンクロトロ
ン放射光発生装置であっても荷電粒子ビームダクト内に
アブソーバを簡単に組み込むことができ、此種装置には
非常に有効である。
ンクロトロン放射光発生装置の製作方法としたものであ
るから、配管引出し用ポートを利用してアブソーバ冷却
用配管を引出すことができるので、小型のシンクロトロ
ン放射光発生装置であっても荷電粒子ビームダクト内に
アブソーバを簡単に組み込むことができ、此種装置には
非常に有効である。
第１図は本発明のシンクロトロン放射光発生装置の一実
施例を示す平面図、第２図は第１図のＸ−ｘ′断面図、
第３図はアブソーバとその冷却用配管の全体図、第４図
は第３図のＹ−Ｙ’断面図、第５図は本発明の一実施例
が採用されるシンクロトロン放射光発生装置の概念図、
第６図、及び第７図はそれぞれ本発明の他の実施例を示
す平面図、第８図、第９図及び第１０図は本発明のアブ
ソーバを組み込む製作方法の一実施例を表わす工程順を
示す平面図である。 １・・・アブソーバ、２・・・アブソーバ冷却用配管、
３・・・シンクロトロン放射光取出しポート、４・・・
シンクロトロン放射光、５・・・荷電粒子ビームダクト
、６・・・荷電粒子ビーム軌道、７・・・配管引出し用
ポート、８・・・直線ダクト、９・・・偏向電磁石、１
０・・・偏向部、１１・・・シンクロトロン放射光取出
口。 史、コ′ 第１図 第３０ ■ Ｙ′ 第４図 ＩＩ・・５θＲＬ１ｔｉ”ｒ口 ／６ 雇逮宥ＪイＩｐ本 第６図 １７・・・７ランプ
施例を示す平面図、第２図は第１図のＸ−ｘ′断面図、
第３図はアブソーバとその冷却用配管の全体図、第４図
は第３図のＹ−Ｙ’断面図、第５図は本発明の一実施例
が採用されるシンクロトロン放射光発生装置の概念図、
第６図、及び第７図はそれぞれ本発明の他の実施例を示
す平面図、第８図、第９図及び第１０図は本発明のアブ
ソーバを組み込む製作方法の一実施例を表わす工程順を
示す平面図である。 １・・・アブソーバ、２・・・アブソーバ冷却用配管、
３・・・シンクロトロン放射光取出しポート、４・・・
シンクロトロン放射光、５・・・荷電粒子ビームダクト
、６・・・荷電粒子ビーム軌道、７・・・配管引出し用
ポート、８・・・直線ダクト、９・・・偏向電磁石、１
０・・・偏向部、１１・・・シンクロトロン放射光取出
口。 史、コ′ 第１図 第３０ ■ Ｙ′ 第４図 ＩＩ・・５θＲＬ１ｔｉ”ｒ口 ／６ 雇逮宥ＪイＩｐ本 第６図 １７・・・７ランプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、荷電粒子の偏向部にアブソーバとアブソーバ冷却用
配管を内部に有するほぼ扇形、もしくは半円形状の荷電
粒子ビームダクトと、該荷電粒子ビームダクトを取り囲
み、ダクト内の荷電粒子ビームの軌道を曲げるための磁
場を形成する偏向電磁石と、前記荷電粒子ビームダクト
の端部に接続される直線ダクトとを備えたシンクロトロ
ン放射光発生装置において、前記直線ダクトは少なくと
も一方に、前記アブソーバ冷却用配管を外部に引出すた
めの配管引出し用ポートを備えていることを特徴とする
シンクロトロン放射光発生装置。 ２、前記配管引出し用ポートを、前記荷電粒子ビームダ
クトの両端部に接続されている直線ビームダクトのそれ
ぞれに設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のシンクロトロン放射光発生装置。 ３、前記配管引出し用ポートは、前記荷電粒子ビームの
軌道に対して所定の角度をもつて傾斜し外側に突出して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、又は第２
項記載のシンクロトロン放射光発生装置。 ４、前記配管引出し用ポートは、前記荷電粒子ビームの
軌道に対して所定の角度をもつて傾斜し内側に突出して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、又は第２
項記載のシンクロトロン放射光発生装置。 ５、荷電粒子の偏向部に配置されているほぼ扇形、もし
くは半円形状の荷電粒子ビームダクト内にアブソーバと
アブソーバ冷却用配管を組込む方法において、円弧状の
前記アブソーバとアブソーバ冷却用配管の端部を前記荷
電粒子ビームダクトの端部口へ挿入し、その後、前記ア
ブソーバとアブソーバ冷却用配管を前記荷電粒子ビーム
ダクト内を移動させながら所定の位置に組み込み、しか
る後に前記荷電粒子ビームダクト端部より外側に出てい
る前記アブソーバ冷却用配管を折り曲げ、該折り曲げた
部分のアブソーバ冷却用配管に直線ダクトに設けられて
いる配管引出し用ポートを通しながら直線ダクトを組み
込み、該直線ダクトと前記荷電粒子ビームダクトを接続
することを特徴とするシンクロトロン放射光発生装置の
製作方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275753A JPH0712000B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
| US07/265,702 US4931744A (en) | 1987-11-02 | 1988-11-01 | Synchrotron radiation source and method of making the same |
| EP88118226A EP0315134B1 (en) | 1987-11-02 | 1988-11-02 | Synchrotron radiation source and method of making the same |
| DE3885713T DE3885713T2 (de) | 1987-11-02 | 1988-11-02 | Synchrotronstrahlungsquelle und Methode für ihre Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275753A JPH0712000B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120799A true JPH01120799A (ja) | 1989-05-12 |
| JPH0712000B2 JPH0712000B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=17559911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275753A Expired - Lifetime JPH0712000B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4931744A (ja) |
| EP (1) | EP0315134B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0712000B2 (ja) |
| DE (1) | DE3885713T2 (ja) |
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| JPH0834130B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1996-03-29 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置 |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
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- 1987-11-02 JP JP62275753A patent/JPH0712000B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-01 US US07/265,702 patent/US4931744A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-02 EP EP88118226A patent/EP0315134B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4931744A (en) | 1990-06-05 |
| DE3885713T2 (de) | 1994-05-19 |
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| EP0315134A3 (en) | 1990-01-24 |
| DE3885713D1 (de) | 1993-12-23 |
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| EP0315134A2 (en) | 1989-05-10 |
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