JP3172888B2 - 超電導ウィグラ装置 - Google Patents
超電導ウィグラ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子蓄積リングに使用
され、電子ビームの軌道にうねりを生じさせてシンクロ
トロン放射を発生させるための超電導ウィグラ装置に関
する。
され、電子ビームの軌道にうねりを生じさせてシンクロ
トロン放射を発生させるための超電導ウィグラ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の超電導ウィグラ装置は、図６に示
すように、例えば、液体ヘリウムからなる冷却剤１０を
収納する冷却容器１１を有する。ビームダクト１２は、
互いに実質的に平行な第１及び第２の平板１２１及び１
２２を有する角筒からなり、一端に電子ビームを受ける
入口１２ａを有し、他端に出口１２ｂを有し、入口１２
ａ及び出口１２ｂを冷却容器１１外に位置させて、前記
角筒が冷却容器１１を貫通するように、冷却容器１１に
取り付けられている。冷却容器１１は、熱シールド板１
３及び真空容器１４で囲まれている。
すように、例えば、液体ヘリウムからなる冷却剤１０を
収納する冷却容器１１を有する。ビームダクト１２は、
互いに実質的に平行な第１及び第２の平板１２１及び１
２２を有する角筒からなり、一端に電子ビームを受ける
入口１２ａを有し、他端に出口１２ｂを有し、入口１２
ａ及び出口１２ｂを冷却容器１１外に位置させて、前記
角筒が冷却容器１１を貫通するように、冷却容器１１に
取り付けられている。冷却容器１１は、熱シールド板１
３及び真空容器１４で囲まれている。
【０００３】第１及び第２の主電磁石１５１及び１５２
は、冷却容器１１内に、互いに対向する位置にそれぞれ
配置され、第１及び第２の平板１２１及び１２２間に、
第１及び第２の平板１２１及び１２２に実質的に垂直な
主磁束Ｂｍを発生する。詳しくは、第１の主電磁石１５
１は、第１の主ヨーク１６１と、第１の主ヨーク１６１
の周囲に巻回された第１の主コイル１７１を有する。第
２の主電磁石１５２は、第２の主ヨーク１６２と、第２
の主ヨーク１６２の周囲に巻回された第２の主コイル１
７２を有する。
は、冷却容器１１内に、互いに対向する位置にそれぞれ
配置され、第１及び第２の平板１２１及び１２２間に、
第１及び第２の平板１２１及び１２２に実質的に垂直な
主磁束Ｂｍを発生する。詳しくは、第１の主電磁石１５
１は、第１の主ヨーク１６１と、第１の主ヨーク１６１
の周囲に巻回された第１の主コイル１７１を有する。第
２の主電磁石１５２は、第２の主ヨーク１６２と、第２
の主ヨーク１６２の周囲に巻回された第２の主コイル１
７２を有する。
【０００４】第１及び第２の入口側補助電磁石１８１及
び１８２は、冷却容器１１内に、第１及び第２の主電磁
石１５１及び１５２よりも入口１２ａ側に、互いに対向
する位置にそれぞれ配置され、第１及び第２の平板１２
１及び１２２間に、主磁束Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍと
逆方向の入口側補助磁束Ｂｉを発生する。第１の入口側
補助電磁石１８１は、第１の入口側補助ヨーク１９１
と、第１の入口側補助ヨーク１９１の周囲に巻回された
第１の入口側補助コイル２０１を有する。第２の入口側
補助電磁石１８２は、第２の入口側補助ヨーク１９２
と、第２の入口側補助ヨーク１９２の周囲に巻回された
第２の入口側補助コイル２０２を有する。
び１８２は、冷却容器１１内に、第１及び第２の主電磁
石１５１及び１５２よりも入口１２ａ側に、互いに対向
する位置にそれぞれ配置され、第１及び第２の平板１２
１及び１２２間に、主磁束Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍと
逆方向の入口側補助磁束Ｂｉを発生する。第１の入口側
補助電磁石１８１は、第１の入口側補助ヨーク１９１
と、第１の入口側補助ヨーク１９１の周囲に巻回された
第１の入口側補助コイル２０１を有する。第２の入口側
補助電磁石１８２は、第２の入口側補助ヨーク１９２
と、第２の入口側補助ヨーク１９２の周囲に巻回された
第２の入口側補助コイル２０２を有する。
【０００５】第１及び第２の出口側補助電磁石２１１及
び２１２は、冷却容器１１内に、第１及び第２の主電磁
石１５１及び１５２よりも出口１２ｂ側に、互いに対向
する位置にそれぞれ配置され、第１及び第２の平板１２
１及び１２２間に、主磁束Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍと
逆方向の出口側補助磁束Ｂｏを発生する。第１の出口側
補助電磁石２１１は、第１の出口側補助ヨーク２２１
と、第１の出口側補助ヨーク２２１の周囲に巻回された
第１の出口側補助コイル２３１を有する。第２の出口側
補助電磁石２１２は、第２の出口側補助ヨーク２２２
と、第２の出口側補助ヨーク２２２の周囲に巻回された
第２の出口側補助コイル２３２を有する。
び２１２は、冷却容器１１内に、第１及び第２の主電磁
石１５１及び１５２よりも出口１２ｂ側に、互いに対向
する位置にそれぞれ配置され、第１及び第２の平板１２
１及び１２２間に、主磁束Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍと
逆方向の出口側補助磁束Ｂｏを発生する。第１の出口側
補助電磁石２１１は、第１の出口側補助ヨーク２２１
と、第１の出口側補助ヨーク２２１の周囲に巻回された
第１の出口側補助コイル２３１を有する。第２の出口側
補助電磁石２１２は、第２の出口側補助ヨーク２２２
と、第２の出口側補助ヨーク２２２の周囲に巻回された
第２の出口側補助コイル２３２を有する。
【０００６】第１のリターンヨーク２４１は、断面凹型
を有し、第１の入口側補助ヨーク１９１と第１の主ヨー
ク１６１と第１の出口側補助ヨーク２２１とに磁気的に
結合している。第２のリターンヨーク２４２は、断面凹
型を有し、第２の入口側補助ヨーク１９２と第２の主ヨ
ーク１６２と第２の出口側補助ヨーク２２２とに磁気的
に結合している。なお、２５は支持材である。
を有し、第１の入口側補助ヨーク１９１と第１の主ヨー
ク１６１と第１の出口側補助ヨーク２２１とに磁気的に
結合している。第２のリターンヨーク２４２は、断面凹
型を有し、第２の入口側補助ヨーク１９２と第２の主ヨ
ーク１６２と第２の出口側補助ヨーク２２２とに磁気的
に結合している。なお、２５は支持材である。
【０００７】本超電導ウィグラ装置は、入口１２ａから
ビームダクト１２に入った電子ビームを、第１及び第２
の平板１２１及び１２２間の第１及び第２の平板１２１
及び１２２に実質的に平行な面内で図７に矢印で示すよ
うに偏向させて（即ち、うねりを生じさせて）、シンク
ロトロン放射として放射光（Ｘ線）を発生させて、この
放射光を出口１２ｂから放射するものである。
ビームダクト１２に入った電子ビームを、第１及び第２
の平板１２１及び１２２間の第１及び第２の平板１２１
及び１２２に実質的に平行な面内で図７に矢印で示すよ
うに偏向させて（即ち、うねりを生じさせて）、シンク
ロトロン放射として放射光（Ｘ線）を発生させて、この
放射光を出口１２ｂから放射するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】放射光源として電子蓄
積リングに挿入される超電導ウィグラ装置は、電子蓄積
リングの有限長の直線部に設置される。その為、超電導
ウィグラ装置のビーム進行方向Ｄの長さ（ウィグラ長）
は種々の制約を受けるので、短縮化することが望まし
い。しかし、図６の超電導ウィグラ装置では、図８に示
したように、第１及び第２の入口側補助電磁石１８１か
ら入口１２ａ側に入口側漏洩磁束が発生し、第１及び第
２の出口側補助電磁石２１１から出口１２ｂ側に出口側
漏洩磁束が発生し、実効的ウィグラ長は、リターンヨー
ク２４１（或いは２４２）の入口１２ａ側端部から出口
１２ｂ側端部までの距離Ｌよりもかなり長くなる。
積リングに挿入される超電導ウィグラ装置は、電子蓄積
リングの有限長の直線部に設置される。その為、超電導
ウィグラ装置のビーム進行方向Ｄの長さ（ウィグラ長）
は種々の制約を受けるので、短縮化することが望まし
い。しかし、図６の超電導ウィグラ装置では、図８に示
したように、第１及び第２の入口側補助電磁石１８１か
ら入口１２ａ側に入口側漏洩磁束が発生し、第１及び第
２の出口側補助電磁石２１１から出口１２ｂ側に出口側
漏洩磁束が発生し、実効的ウィグラ長は、リターンヨー
ク２４１（或いは２４２）の入口１２ａ側端部から出口
１２ｂ側端部までの距離Ｌよりもかなり長くなる。
【０００９】本発明の課題は、漏洩磁束を低減させて、
ウィグラ長を短縮することができる、小型化に適した超
電導ウィグラ装置を提供することにある。
ウィグラ長を短縮することができる、小型化に適した超
電導ウィグラ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、冷却剤
を収納する容器と；互いに実質的に平行な第１及び第２
の平板を有する角筒からなり、一端に電子ビームを受け
る入口を有し、他端に出口を有し、前記入口及び前記出
口を前記容器外に位置させて、前記角筒が前記容器を貫
通するように、前記容器に取り付けられたビームダクト
と；前記容器内の前記第１及び前記第２の平板の外面上
に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、前記第１
及び前記第２の平板間に、前記第１及び前記第２の平板
に実質的に垂直な主磁束を発生する第１及び第２の主電
磁石と；前記容器内の前記第１及び前記第２の平板の前
記外面上に、前記第１及び前記第２の主電磁石よりも前
記入口側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、
前記第１及び前記第２の平板間に、前記主磁束に平行
で、前記主磁束と逆方向の入口側補助磁束を発生する第
１及び第２の入口側補助電磁石と；前記容器内の前記第
１及び前記第２の平板の前記外面上に、前記第１及び前
記第２の主電磁石よりも前記出口側に、互いに対向する
位置にそれぞれ配置され、前記第１及び前記第２の平板
間に、前記主磁束に平行で、前記主磁束と逆方向の出口
側補助磁束を発生する第１及び第２の出口側補助電磁石
と；を有し、前記入口から前記ビームダクトに入った電
子ビームを、前記第１及び前記第２の平板間の前記第１
及び前記第２の平板に実質的に平行な面内で偏向させ
て、放射光とし、この放射光を前記出口から放射する超
電導ウィグラ装置において、前記ビームダクト内の前記
第１及び前記第２の平板の内面上に、前記第１及び前記
第２の入口側補助電磁石に対向する位置に前記第１及び
前記第２の入口側補助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ
装着され、第１及び第２の入口側補助電磁石から前記入
口側に発生する入口側漏洩磁束を減衰させるための第１
及び第２の入口側磁性板と；前記ビームダクト内の前記
第１及び前記第２の平板の内面上に、前記第１及び前記
第２の出口側補助電磁石に対向する位置に前記第１及び
前記第２の出口側補助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ
装着され、前記第１及び前記第２の出口側補助電磁石か
ら前記出口側に発生する出口側漏洩磁束を減衰させるた
めの第１及び第２の出口側磁性板と；を有することを特
徴とする超電導ウィグラ装置が得られる。
を収納する容器と；互いに実質的に平行な第１及び第２
の平板を有する角筒からなり、一端に電子ビームを受け
る入口を有し、他端に出口を有し、前記入口及び前記出
口を前記容器外に位置させて、前記角筒が前記容器を貫
通するように、前記容器に取り付けられたビームダクト
と；前記容器内の前記第１及び前記第２の平板の外面上
に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、前記第１
及び前記第２の平板間に、前記第１及び前記第２の平板
に実質的に垂直な主磁束を発生する第１及び第２の主電
磁石と；前記容器内の前記第１及び前記第２の平板の前
記外面上に、前記第１及び前記第２の主電磁石よりも前
記入口側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、
前記第１及び前記第２の平板間に、前記主磁束に平行
で、前記主磁束と逆方向の入口側補助磁束を発生する第
１及び第２の入口側補助電磁石と；前記容器内の前記第
１及び前記第２の平板の前記外面上に、前記第１及び前
記第２の主電磁石よりも前記出口側に、互いに対向する
位置にそれぞれ配置され、前記第１及び前記第２の平板
間に、前記主磁束に平行で、前記主磁束と逆方向の出口
側補助磁束を発生する第１及び第２の出口側補助電磁石
と；を有し、前記入口から前記ビームダクトに入った電
子ビームを、前記第１及び前記第２の平板間の前記第１
及び前記第２の平板に実質的に平行な面内で偏向させ
て、放射光とし、この放射光を前記出口から放射する超
電導ウィグラ装置において、前記ビームダクト内の前記
第１及び前記第２の平板の内面上に、前記第１及び前記
第２の入口側補助電磁石に対向する位置に前記第１及び
前記第２の入口側補助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ
装着され、第１及び第２の入口側補助電磁石から前記入
口側に発生する入口側漏洩磁束を減衰させるための第１
及び第２の入口側磁性板と；前記ビームダクト内の前記
第１及び前記第２の平板の内面上に、前記第１及び前記
第２の出口側補助電磁石に対向する位置に前記第１及び
前記第２の出口側補助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ
装着され、前記第１及び前記第２の出口側補助電磁石か
ら前記出口側に発生する出口側漏洩磁束を減衰させるた
めの第１及び第２の出口側磁性板と；を有することを特
徴とする超電導ウィグラ装置が得られる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１２】図１を参照すると、本発明の一実施例によ
る超電導ウィグラ装置は、以下に述べることを除けば、
図６の超電導ウィグラ装置と同様である。冷却容器１１
やビームダクト１２や真空容器１４は、ＳＵＳ等の非磁
性材からなる。
る超電導ウィグラ装置は、以下に述べることを除けば、
図６の超電導ウィグラ装置と同様である。冷却容器１１
やビームダクト１２や真空容器１４は、ＳＵＳ等の非磁
性材からなる。
【００１３】第１及び第２の主電磁石１５１及び１５２
は、冷却容器１１内の第１及び第２の平板１２１及び１
２２の外面上に、互いに対向する位置にそれぞれ配置さ
れ、第１及び第２の平板１２１及び１２２間に、第１及
び第２の平板１２１及び１２２に実質的に垂直な主磁束
Ｂｍを発生する。第１及び第２の入口側補助電磁石１８
１及び１８２は、冷却容器１１内の第１及び第２の平板
１２１及び１２２の前記外面上に、第１及び第２の主電
磁石１５１及び１５２よりも入口１２ａ側に、互いに対
向する位置にそれぞれ配置され、第１及び第２の平板１
２１及び１２２間に、主磁束Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍ
と逆方向の入口側補助磁束Ｂｉを発生する。第１及び第
２の出口側補助電磁石２１１及び２１２は、冷却容器１
１内の第１及び第２の平板１２１及び１２２の前記外面
上に、第１及び第２の主電磁石１５１及び１５２よりも
出口１２ｂ側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置さ
れ、第１及び第２の平板１２１及び１２２間に、主磁束
Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍと逆方向の出口側補助磁束Ｂ
ｏを発生する。
は、冷却容器１１内の第１及び第２の平板１２１及び１
２２の外面上に、互いに対向する位置にそれぞれ配置さ
れ、第１及び第２の平板１２１及び１２２間に、第１及
び第２の平板１２１及び１２２に実質的に垂直な主磁束
Ｂｍを発生する。第１及び第２の入口側補助電磁石１８
１及び１８２は、冷却容器１１内の第１及び第２の平板
１２１及び１２２の前記外面上に、第１及び第２の主電
磁石１５１及び１５２よりも入口１２ａ側に、互いに対
向する位置にそれぞれ配置され、第１及び第２の平板１
２１及び１２２間に、主磁束Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍ
と逆方向の入口側補助磁束Ｂｉを発生する。第１及び第
２の出口側補助電磁石２１１及び２１２は、冷却容器１
１内の第１及び第２の平板１２１及び１２２の前記外面
上に、第１及び第２の主電磁石１５１及び１５２よりも
出口１２ｂ側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置さ
れ、第１及び第２の平板１２１及び１２２間に、主磁束
Ｂｍに平行で、主磁束Ｂｍと逆方向の出口側補助磁束Ｂ
ｏを発生する。
【００１４】第１及び第２の主ヨーク１６１及び１６２
や第１及び第２の入口側補助ヨーク１９１及び１９２や
第１及び第２の出口側補助ヨーク２２１及び２２２や第
１及び第２のリターンヨーク２４１及び２４２は、もち
ろん磁性材からなる。
や第１及び第２の入口側補助ヨーク１９１及び１９２や
第１及び第２の出口側補助ヨーク２２１及び２２２や第
１及び第２のリターンヨーク２４１及び２４２は、もち
ろん磁性材からなる。
【００１５】第１及び第２の入口側磁性板３０１及び３
０２は、ビームダクト１２内の第１及び第２の平板１２
１及び１２２の内面上に、第１及び第２の入口側補助電
磁石１８１及び１８２に対向する位置に第１及び第２の
入口側補助電磁石１８１及び１８２の磁気的吸引力でそ
れぞれ装着され、第１及び第２の入口側補助電磁石１８
１及び１８２から入口１２ａ側に発生する入口側漏洩磁
束（図８）を減衰させる。詳しくは、第１の入口側磁性
板３０１は、ビームダクト１２内の第１の平板１２１の
内面上に、第１の入口側補助電磁石１８１における、第
１のリターンヨーク２４１の入口側端部から第１の入口
側補助ヨーク１９１までの部分に対向する位置に、装着
される。同様に、第２の入口側磁性板３０２は、ビーム
ダクト１２内の第２の平板１２２の内面上に、第２の入
口側補助電磁石１８２における、第２のリターンヨーク
２４２の入口側端部から第２の入口側補助ヨーク１９２
までの部分に対向する位置に、装着される。
０２は、ビームダクト１２内の第１及び第２の平板１２
１及び１２２の内面上に、第１及び第２の入口側補助電
磁石１８１及び１８２に対向する位置に第１及び第２の
入口側補助電磁石１８１及び１８２の磁気的吸引力でそ
れぞれ装着され、第１及び第２の入口側補助電磁石１８
１及び１８２から入口１２ａ側に発生する入口側漏洩磁
束（図８）を減衰させる。詳しくは、第１の入口側磁性
板３０１は、ビームダクト１２内の第１の平板１２１の
内面上に、第１の入口側補助電磁石１８１における、第
１のリターンヨーク２４１の入口側端部から第１の入口
側補助ヨーク１９１までの部分に対向する位置に、装着
される。同様に、第２の入口側磁性板３０２は、ビーム
ダクト１２内の第２の平板１２２の内面上に、第２の入
口側補助電磁石１８２における、第２のリターンヨーク
２４２の入口側端部から第２の入口側補助ヨーク１９２
までの部分に対向する位置に、装着される。
【００１６】第１及び第２の出口側磁性板３１１及び３
１２は、ビームダクト１２内の第１及び第２の平板１２
１及び１２２の内面上に、第１及び第２の出口側補助電
磁石２１１及び２１２に対向する位置に第１及び第２の
出口側補助電磁石２１１及び２１２の磁気的吸引力でそ
れぞれ装着され、第１及び第２の出口側補助電磁石２１
１及び２１２から出口１２ｂ側に発生する出口側漏洩磁
束（図８）を減衰させる。詳しくは、第１の出口側磁性
板３１１は、ビームダクト１２内の第１の平板１２１の
内面上に、第１の出口側補助電磁石２１１における、第
１のリターンヨーク２４１の出口側端部から第１の出口
側補助ヨーク２２１までの部分に対向する位置に、装着
される。同様に、第２の出口側磁性板３１２は、ビーム
ダクト１２内の第２の平板１２２の内面上に、第２の出
口側補助電磁石２１２における、第２のリターンヨーク
２４２の出口側端部から第２の出口側補助ヨーク２２２
までの部分に対向する位置に、装着される。
１２は、ビームダクト１２内の第１及び第２の平板１２
１及び１２２の内面上に、第１及び第２の出口側補助電
磁石２１１及び２１２に対向する位置に第１及び第２の
出口側補助電磁石２１１及び２１２の磁気的吸引力でそ
れぞれ装着され、第１及び第２の出口側補助電磁石２１
１及び２１２から出口１２ｂ側に発生する出口側漏洩磁
束（図８）を減衰させる。詳しくは、第１の出口側磁性
板３１１は、ビームダクト１２内の第１の平板１２１の
内面上に、第１の出口側補助電磁石２１１における、第
１のリターンヨーク２４１の出口側端部から第１の出口
側補助ヨーク２２１までの部分に対向する位置に、装着
される。同様に、第２の出口側磁性板３１２は、ビーム
ダクト１２内の第２の平板１２２の内面上に、第２の出
口側補助電磁石２１２における、第２のリターンヨーク
２４２の出口側端部から第２の出口側補助ヨーク２２２
までの部分に対向する位置に、装着される。
【００１７】図２は、図１の本発明の実施例による超電
導ウィグラ装置の出口側漏洩磁束Ｂｏの磁束密度Ｂを示
し、図３は、図６の従来の超電導ウィグラ装置の出口側
漏洩磁束Ｂｏの磁束密度Ｂを示している。図２及び図３
において、Ｘは第１及び第２の主ヨーク１６１及び１６
２の中心軸を通る線からの距離である。また、図２及び
図３は、磁性板３１１や３１２が装着されているか否か
が相違するだけで、ヨークの形状、コイルの形状や配
置、コイルへの電流値等は同じ場合の例である。
導ウィグラ装置の出口側漏洩磁束Ｂｏの磁束密度Ｂを示
し、図３は、図６の従来の超電導ウィグラ装置の出口側
漏洩磁束Ｂｏの磁束密度Ｂを示している。図２及び図３
において、Ｘは第１及び第２の主ヨーク１６１及び１６
２の中心軸を通る線からの距離である。また、図２及び
図３は、磁性板３１１や３１２が装着されているか否か
が相違するだけで、ヨークの形状、コイルの形状や配
置、コイルへの電流値等は同じ場合の例である。
【００１８】図２及び図３の比較から明らかなように、
図１の本発明の実施例による超電導ウィグラ装置は図６
の従来の超電導ウィグラ装置よりも短い距離で漏洩磁束
がゼロに近づく。
図１の本発明の実施例による超電導ウィグラ装置は図６
の従来の超電導ウィグラ装置よりも短い距離で漏洩磁束
がゼロに近づく。
【００１９】図４は、図１の本発明の実施例による超電
導ウィグラ装置の出口側漏洩磁束Ｂｏを示し、図５は、
図６の従来の超電導ウィグラ装置の出口側漏洩磁束Ｂｏ
を示している。なお、図４は、出口側磁性板３１１や３
１２が、平板１２１や１２２を介さずに、直接、出口側
補助電磁石２１１や２１２に装着された例である。ま
た、図４及び図５は、磁性板３１１や３１２が装着され
ているか否かが相違するだけで、ヨークの形状、コイル
の形状や配置、コイルへの電流値等は同じ場合の例であ
る。
導ウィグラ装置の出口側漏洩磁束Ｂｏを示し、図５は、
図６の従来の超電導ウィグラ装置の出口側漏洩磁束Ｂｏ
を示している。なお、図４は、出口側磁性板３１１や３
１２が、平板１２１や１２２を介さずに、直接、出口側
補助電磁石２１１や２１２に装着された例である。ま
た、図４及び図５は、磁性板３１１や３１２が装着され
ているか否かが相違するだけで、ヨークの形状、コイル
の形状や配置、コイルへの電流値等は同じ場合の例であ
る。
【００２０】図４及び図５の比較から明らかなように、
図６の従来の超電導ウィグラ装置の方が、図１の本発明
の実施例による超電導ウィグラ装置よりも、図５に図示
のＡやＢの部分において磁束が遠くまで届いてしまって
いるが、本発明に従って、磁性板３１１や３１２を出口
側補助電磁石２１１や２１２に装着することにより、漏
洩磁束を減少させることができる。
図６の従来の超電導ウィグラ装置の方が、図１の本発明
の実施例による超電導ウィグラ装置よりも、図５に図示
のＡやＢの部分において磁束が遠くまで届いてしまって
いるが、本発明に従って、磁性板３１１や３１２を出口
側補助電磁石２１１や２１２に装着することにより、漏
洩磁束を減少させることができる。
【００２１】図１において、磁性板３０１、３０２、３
１１、及び３１２は冷却容器１１内に装着されずに、ビ
ームダクト１２の内部に装着されているので、室温部に
て磁性板３０１、３０２、３１１、及び３１２の装脱着
が可能である。従って、電磁石１５１、１５２、１８
１、１８２、２１１、及び２１２を励磁した後に、これ
ら電磁石を消磁、昇温することなく、磁性板３０１、３
０２、３１１、及び３１２を室温部にて自由に脱着でき
る。この際、種々の厚みを持つ磁性板を用意し、厚みの
異なる磁性板に取り替えることにより室温部にて漏洩磁
束を調整できる。
１１、及び３１２は冷却容器１１内に装着されずに、ビ
ームダクト１２の内部に装着されているので、室温部に
て磁性板３０１、３０２、３１１、及び３１２の装脱着
が可能である。従って、電磁石１５１、１５２、１８
１、１８２、２１１、及び２１２を励磁した後に、これ
ら電磁石を消磁、昇温することなく、磁性板３０１、３
０２、３１１、及び３１２を室温部にて自由に脱着でき
る。この際、種々の厚みを持つ磁性板を用意し、厚みの
異なる磁性板に取り替えることにより室温部にて漏洩磁
束を調整できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
漏洩磁束を低減させて、ウィグラ長を短縮することがで
きる、小型化に適した超電導ウィグラ装置を得ることが
できる。また、漏洩磁束を減衰させるための磁性板は、
冷却容器内部に装着せずに室温部にて装脱着できるの
で、漏洩磁束の低減を容易に行うことができる。
漏洩磁束を低減させて、ウィグラ長を短縮することがで
きる、小型化に適した超電導ウィグラ装置を得ることが
できる。また、漏洩磁束を減衰させるための磁性板は、
冷却容器内部に装着せずに室温部にて装脱着できるの
で、漏洩磁束の低減を容易に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例による超電導ウィグラ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の超電導ウィグラ装置の漏洩磁束の磁束密
度を示した図である。
度を示した図である。
【図３】従来の超電導ウィグラ装置の漏洩磁束の磁束密
度を示した図である。
度を示した図である。
【図４】図１の超電導ウィグラ装置の漏洩磁束を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】従来の超電導ウィグラ装置の漏洩磁束を説明す
るための図である。
るための図である。
【図６】従来の超電導ウィグラ装置の断面図である。
【図７】図６の超電導ウィグラ装置の動作を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図８】図６の超電導ウィグラ装置の漏洩磁束を説明す
るための図である。
るための図である。
１０ 冷却剤 １１ 冷却容器 １２ ビームダクト １２１及び１２２ 第１及び第２の平板 １２ａ 入口 １２ｂ 出口 １５１及び１５２ 第１及び第２の電磁石 １８１及び１８２ 第１及び第２の入口側電磁石 ２１１及び２１２ 第１及び第２の出口側電磁石 ３０１及び３０２ 第１及び第２の入口側磁性板 ３１１及び３１２ 第１及び第２の出口側磁性板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−226899（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−299391（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−6799（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−190100（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−243899（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−182788（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−242196（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 13/04 ZAA G21K 1/093 ZAA H01F 6/00 ZAA H05H 7/04 ZAA
Claims (1)
- 【請求項１】 冷却剤を収納する容器と；互いに実質的
に平行な第１及び第２の平板を有する角筒からなり、一
端に電子ビームを受ける入口を有し、他端に出口を有
し、前記入口及び前記出口を前記容器外に位置させて、
前記角筒が前記容器を貫通するように、前記容器に取り
付けられたビームダクトと；前記容器内の前記第１及び
前記第２の平板の外面上に、互いに対向する位置にそれ
ぞれ配置され、前記第１及び前記第２の平板間に、前記
第１及び前記第２の平板に実質的に垂直な主磁束を発生
する第１及び第２の主電磁石と；前記容器内の前記第１
及び前記第２の平板の前記外面上に、前記第１及び前記
第２の主電磁石よりも前記入口側に、互いに対向する位
置にそれぞれ配置され、前記第１及び前記第２の平板間
に、前記主磁束に平行で、前記主磁束と逆方向の入口側
補助磁束を発生する第１及び第２の入口側補助電磁石
と；前記容器内の前記第１及び前記第２の平板の前記外
面上に、前記第１及び前記第２の主電磁石よりも前記出
口側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、前記
第１及び前記第２の平板間に、前記主磁束に平行で、前
記主磁束と逆方向の出口側補助磁束を発生する第１及び
第２の出口側補助電磁石と；を有し、前記入口から前記
ビームダクトに入った電子ビームを、前記第１及び前記
第２の平板間の前記第１及び前記第２の平板に実質的に
平行な面内で偏向させて、放射光とし、この放射光を前
記出口から放射する超電導ウィグラ装置において、 前記ビームダクト内の前記第１及び前記第２の平板の内
面上に、前記第１及び前記第２の入口側補助電磁石に対
向する位置に前記第１及び前記第２の入口側補助電磁石
の磁気的吸引力でそれぞれ装着され、前記第１及び前記
第２の入口側補助電磁石から前記入口側に発生する入口
側漏洩磁束を減衰させるための第１及び第２の入口側磁
性板と；前記ビームダクト内の前記第１及び前記第２の
平板の内面上に、前記第１及び前記第２の出口側補助電
磁石に対向する位置に前記第１及び前記第２の出口側補
助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ装着され、前記第１
及び前記第２の出口側補助電磁石から前記出口側に発生
する出口側漏洩磁束を減衰させるための第１及び第２の
出口側磁性板と；を有することを特徴とする超電導ウィ
グラ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11276892A JP3172888B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 超電導ウィグラ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11276892A JP3172888B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 超電導ウィグラ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315100A JPH05315100A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3172888B2 true JP3172888B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=14595032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11276892A Expired - Fee Related JP3172888B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 超電導ウィグラ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172888B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7356934B2 (ja) * | 2020-03-02 | 2023-10-05 | 株式会社日立製作所 | 超電導磁石装置および偏向電磁石装置 |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP11276892A patent/JP3172888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05315100A (ja) | 1993-11-26 |
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