JPH07118095B2 - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPH07118095B2 JPH07118095B2 JP60209922A JP20992285A JPH07118095B2 JP H07118095 B2 JPH07118095 B2 JP H07118095B2 JP 60209922 A JP60209922 A JP 60209922A JP 20992285 A JP20992285 A JP 20992285A JP H07118095 B2 JPH07118095 B2 JP H07118095B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hardness
- organic material
- layer
- material layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、相変化型および光磁気型等の一回書き込みお
よび書き換え可能な光デイスクに関する。それらの情報
記録用薄膜の、耐熱性や書き換え後の特性および寿命を
著しく向上させることを可能とする有機物保護膜の組み
合わせを有する光デイスクに関すものである。
よび書き換え可能な光デイスクに関する。それらの情報
記録用薄膜の、耐熱性や書き換え後の特性および寿命を
著しく向上させることを可能とする有機物保護膜の組み
合わせを有する光デイスクに関すものである。
光デイスクの基板や情報記録用薄膜の保護膜として有機
物樹脂を用いた例は実開昭56−111447の実施例および特
願昭58−150148の実施例中等に見られる。有機物樹脂を
用いた保護膜では分子構造や製法によつて硬度が異な
る。しかし、従来例では有機物樹脂の分子構造と製膜
法、または硬度は限定されていなかつた。本願発明者の
実験によれば、記録用薄膜の両側に同一の硬度のものを
使用した場合は、デイスク作製中に記録用薄膜にクラツ
クが生じたり作製したデイスクの耐熱性が十分でなく、
また、書き換え可能な光デイスクでは書き換えの後のSN
比が低下してしまうことが明らかとなつた。
物樹脂を用いた例は実開昭56−111447の実施例および特
願昭58−150148の実施例中等に見られる。有機物樹脂を
用いた保護膜では分子構造や製法によつて硬度が異な
る。しかし、従来例では有機物樹脂の分子構造と製膜
法、または硬度は限定されていなかつた。本願発明者の
実験によれば、記録用薄膜の両側に同一の硬度のものを
使用した場合は、デイスク作製中に記録用薄膜にクラツ
クが生じたり作製したデイスクの耐熱性が十分でなく、
また、書き換え可能な光デイスクでは書き換えの後のSN
比が低下してしまうことが明らかとなつた。
本発明の目的は、デイスク作製中に情報記録用薄膜に何
らの障害も発生することなく、また、作製したデイスク
自身の耐熱性および寿命を向上させた光デイスクを提供
することにある。
らの障害も発生することなく、また、作製したデイスク
自身の耐熱性および寿命を向上させた光デイスクを提供
することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の有機物層は、情
報記録用薄膜を形成する際に下地となる（基板側の）有
機物層の硬度と情報記録用薄膜の後で形成する有機物層
の硬度とが異なるようにする。基板側の有機物層の方が
硬いのがより好ましい。
報記録用薄膜を形成する際に下地となる（基板側の）有
機物層の硬度と情報記録用薄膜の後で形成する有機物層
の硬度とが異なるようにする。基板側の有機物層の方が
硬いのがより好ましい。
鉛筆硬度がおよそ6Bと低い有機物層の上に情報記録用薄
膜を作製すると、情報記録用薄膜の内部応力のために有
機物層に数μｍピツチのシワが発生する。また、2B程度
の有機物層の場合は、情報記録用薄膜の形成直後は何も
変化が現れないが、約100℃の耐熱試験に於て有機物層
に数μｍピツチのシワが現われる。Ｈ以上の硬度を持つ
有機物層の場合にはこれらの現象は全く現われない。一
方、情報記録用薄膜の上下に硬度は大きいが同一の有機
物層を設けると、書き換えの際の体積変化や内部応力の
変化のために、情報記録用薄膜が変形や剥離を起こし
て、書き換えの後のSN比は低下する。
膜を作製すると、情報記録用薄膜の内部応力のために有
機物層に数μｍピツチのシワが発生する。また、2B程度
の有機物層の場合は、情報記録用薄膜の形成直後は何も
変化が現れないが、約100℃の耐熱試験に於て有機物層
に数μｍピツチのシワが現われる。Ｈ以上の硬度を持つ
有機物層の場合にはこれらの現象は全く現われない。一
方、情報記録用薄膜の上下に硬度は大きいが同一の有機
物層を設けると、書き換えの際の体積変化や内部応力の
変化のために、情報記録用薄膜が変形や剥離を起こし
て、書き換えの後のSN比は低下する。
これらの実験結果を基に、本発明の光デイスクにおいて
は、基板側に設けた有機物層の硬度と、情報記録用薄膜
の基板と反対の側に設けた有機物層の硬度とが異なるも
のとした。
は、基板側に設けた有機物層の硬度と、情報記録用薄膜
の基板と反対の側に設けた有機物層の硬度とが異なるも
のとした。
また、本発明の有機物層のうちの少なくとも一方は有機
物より成る板でもよい。また、有機物層のうちの少なく
とも一方は２層以上より成つていると、より高性能を実
現することができる。２層以上の層のうち記録用薄膜に
最も近い層の硬度を大きくするのが好ましいが、逆に記
録用薄膜から遠い層の方が硬くでも使用可能である。こ
の場合、記録用薄膜に一番近い有機物層に関して、基板
側と基板と反対の側の有機物層の硬度が異なつている方
が好ましいことは既に述べたとおりである。
物より成る板でもよい。また、有機物層のうちの少なく
とも一方は２層以上より成つていると、より高性能を実
現することができる。２層以上の層のうち記録用薄膜に
最も近い層の硬度を大きくするのが好ましいが、逆に記
録用薄膜から遠い層の方が硬くでも使用可能である。こ
の場合、記録用薄膜に一番近い有機物層に関して、基板
側と基板と反対の側の有機物層の硬度が異なつている方
が好ましいことは既に述べたとおりである。
本発明における、基板側に設けた有機物層と、記録用薄
膜の基板と反対の側に設けた有機物層との硬度の差は鉛
筆硬度で１段階以上であることが好ましく、３段階以上
であることがより好ましい。
膜の基板と反対の側に設けた有機物層との硬度の差は鉛
筆硬度で１段階以上であることが好ましく、３段階以上
であることがより好ましい。
以下に本発明を実施例によつて詳細に説明する。
実施例１ 第１図に断面を示す如く、直径12cm、厚さ1.1mmのデイ
スク状化学強化ガラス板１の表面に鉛筆硬度Ｈの紫外線
硬化樹脂層２を、さらにその上に硬度6Hのニトロセルロ
ース層３を設け、トラツキング用の溝のあるレプリカを
形成した基板上にマグネトロンスパツタリングによつて
反射防止層兼保護層である厚さ約100nmのSi3N4層４を形
成した。次に真空蒸着によりSn20Te50Se30の組成の記録
膜５を約100nmの厚さで形成した。続いて再びマグネト
ロンスパツタリングによつてSi3N4層６を約100nmの厚さ
で形成した。
スク状化学強化ガラス板１の表面に鉛筆硬度Ｈの紫外線
硬化樹脂層２を、さらにその上に硬度6Hのニトロセルロ
ース層３を設け、トラツキング用の溝のあるレプリカを
形成した基板上にマグネトロンスパツタリングによつて
反射防止層兼保護層である厚さ約100nmのSi3N4層４を形
成した。次に真空蒸着によりSn20Te50Se30の組成の記録
膜５を約100nmの厚さで形成した。続いて再びマグネト
ロンスパツタリングによつてSi3N4層６を約100nmの厚さ
で形成した。
同様にして、もう一枚のガラス基板１′の表面に硬度Ｈ
の紫外線硬化樹脂層２′、硬度6Hのニトロセルロース層
３′、Si3N4層４′、Sn20Te50Se30の組成の記録膜５′
を形成し、さらにこの記録膜上にSi3N4層６′を形成し
た。このようにして得た２枚の基板Si3N4層側を内側に
して、硬度3Hの有機物接着剤層７によつて貼り合わせ
て、デイスクを作製した。
の紫外線硬化樹脂層２′、硬度6Hのニトロセルロース層
３′、Si3N4層４′、Sn20Te50Se30の組成の記録膜５′
を形成し、さらにこの記録膜上にSi3N4層６′を形成し
た。このようにして得た２枚の基板Si3N4層側を内側に
して、硬度3Hの有機物接着剤層７によつて貼り合わせ
て、デイスクを作製した。
上記のようにして作製したデイスクには、デイスクを回
転させ、半径方向に動かしながら両面から開口比が0.05
のレンズで集光したアルゴンイオンレーザ（波長488n
m）光を全面に照射し、Sn20Te50Se30の組成の記録膜5,
5′を十分結晶化させた。デイスクを1200rpmで回転さ
せ、半導体レーザ（波長830nm）の光を用いて記録・消
去・再生を行つた。作製直後のデイスクでは、約１×10
6のエラーレイトが得られた。
転させ、半径方向に動かしながら両面から開口比が0.05
のレンズで集光したアルゴンイオンレーザ（波長488n
m）光を全面に照射し、Sn20Te50Se30の組成の記録膜5,
5′を十分結晶化させた。デイスクを1200rpmで回転さ
せ、半導体レーザ（波長830nm）の光を用いて記録・消
去・再生を行つた。作製直後のデイスクでは、約１×10
6のエラーレイトが得られた。
記録・消去は１×106回以上繰り返しが可能であり、１
×106回の記録・消去繰り返し後にエラーレイトは２×1
0-6に増加したが、実用上問題はない。
×106回の記録・消去繰り返し後にエラーレイトは２×1
0-6に増加したが、実用上問題はない。
また、60℃、湿度95％、６ケ月の寿命試験、および、10
0℃、30分の耐熱試験の後エラーレイトは２×10-6に増
加したが、実用上問題はない。
0℃、30分の耐熱試験の後エラーレイトは２×10-6に増
加したが、実用上問題はない。
実施例２ 第２図に断面を示すように、直径12cm、厚さ1.1mmのデ
イスク状化学強化ガラス板８の表面に鉛筆硬度6Hの紫外
線硬化樹脂層９を設け、トラツキング用の溝のあるレプ
リカを形成した。この基板上に実施例１と同一の方法で
Si3N4層10、Sn20Te50Se30の組成の記録膜11、Si3N4層12
を順次形成し、この上に硬度3Hの紫外線硬化樹脂層13を
介してガラスの保護板14と貼り合わせて、デイスクを作
製した。
イスク状化学強化ガラス板８の表面に鉛筆硬度6Hの紫外
線硬化樹脂層９を設け、トラツキング用の溝のあるレプ
リカを形成した。この基板上に実施例１と同一の方法で
Si3N4層10、Sn20Te50Se30の組成の記録膜11、Si3N4層12
を順次形成し、この上に硬度3Hの紫外線硬化樹脂層13を
介してガラスの保護板14と貼り合わせて、デイスクを作
製した。
上記のようにして作製したデイスクを実施例１ど同様に
して記録・消去・再生を行つた。
して記録・消去・再生を行つた。
作製直後のデイスクでは、約１×106のエラーレイトが
得られた。記録・消去は１×106以上繰り返しが可能で
あり、１×106回の記録・消去繰り返しの後にエラーレ
イトは２×10-6に増加したが、実用上問題はない。ま
た、60℃、湿度95％、６ケ月の寿命試験、および、100
℃、30分の耐熱試験後のエラーレイトは２×10-6に増加
したが、実用上問題はない。
得られた。記録・消去は１×106以上繰り返しが可能で
あり、１×106回の記録・消去繰り返しの後にエラーレ
イトは２×10-6に増加したが、実用上問題はない。ま
た、60℃、湿度95％、６ケ月の寿命試験、および、100
℃、30分の耐熱試験後のエラーレイトは２×10-6に増加
したが、実用上問題はない。
基板側の紫外線硬化樹脂の硬度を3H、基板と反対側の紫
外線硬化樹脂層の硬度を6Hとしても使用可能である。
外線硬化樹脂層の硬度を6Hとしても使用可能である。
本発明によれば、デイスク作製中に情報記録用薄膜に何
らの障害を及ぼすことなく、作製したデイスク自身の耐
熱性、および寿命を向上させた光デイスクを形成するこ
とができる。
らの障害を及ぼすことなく、作製したデイスク自身の耐
熱性、および寿命を向上させた光デイスクを形成するこ
とができる。
第１図は本発明の実施例１における光デイスクの構造を
示す断面図である。第２図は本発明の実施例２における
光デイスクの構造を示す断面図である。 1,1′,8,…ガラス円板、2,2′,9,13,…紫外線硬化樹脂
層、3,3′…ニトロセルロース層、4,4′,6,6′,10,12…
Si3N4層、5,5′,11…Sn20Te50Se30記録膜、７…有機接
着剤層、14…ガラス保護板。
示す断面図である。第２図は本発明の実施例２における
光デイスクの構造を示す断面図である。 1,1′,8,…ガラス円板、2,2′,9,13,…紫外線硬化樹脂
層、3,3′…ニトロセルロース層、4,4′,6,6′,10,12…
Si3N4層、5,5′,11…Sn20Te50Se30記録膜、７…有機接
着剤層、14…ガラス保護板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀籠 信吉 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】有機物層を保護層として用いた光デイスク
において、情報記録用薄膜の基板側に設けた有機物層の
硬度と、情報記録用薄膜と反対の側に設けた有機物層の
硬度とが異なっており、その差が鉛筆硬度で１段階以上
であることを特徴とする光デイスク。 - 【請求項２】前記有機物層の硬度差が、鉛筆硬度で３段
階以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209922A JPH07118095B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209922A JPH07118095B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 光デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270084A JPS6270084A (ja) | 1987-03-31 |
| JPH07118095B2 true JPH07118095B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=16580886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209922A Expired - Fee Related JPH07118095B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118095B2 (ja) |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60209922A patent/JPH07118095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6270084A (ja) | 1987-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |