JPH0553024B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光学式記録担体、特に両面記録再生デ
イスクに関するものである。

従来の技術 最近、高密度性が注目され、各所で光学式記録
再生デイスクシステムの開発研究が活発である。
現在のところ記録材料としては、Teを主成分と
した材料系統と、Fe，Coを主成分とした光磁気
系統とに２分される。そのうちTe材料系統中に
はデイスク構造として中空構造を採用し、レーザ
ー光によつて穴をあけ、信号を記録するという方
法もある。

さてTe系記録材料、光磁気記録材料とも現在
はほぼ実用化段階にあると考えられるが、光学式
記録再生デイスクシステムを急激に普及させるた
めには、このとき大量に使用されると考えられる
デイスクが安価に供給されることがポイントであ
ると考えられる。そして、デイスクを安価にする
のは両面記録可能なデイスクとすることが最大の
ポイトと考えられる。

発明が解決しようとする問題点 従来の第４図の如き中空構造タイプであれば、
両面デイスクも片面デイスクとまつたく同様の工
程で製作される。ここで、１は基板、３は光記録
層、３は支持部、９は中空部である。しかし、か
かる中空構造は量産時には安定に作りにくいとい
う問題を有している。一方Te材料系統でもアモ
ルフアス相−結晶相の相転位を利用する方法で、
また、光磁気材料では第３図のように２枚のデイ
スクを溝部で対向させこの間に接着層を充填する
方法で両面記録可能なデイスクが作れる。第３図
において、１，１′は基板、２は接着層、３，
３′は光記録層、４，４′は光反射層又は遮光層、
７は溝部、１０は記録再生方向である。この方法
は構造が簡単でかつ安定であるが、接着剤の選定
がきわめて困難である。たとえば第３図で、光記
録層３′、光反射層又は遮光層４′がない、いわゆ
る片面デイスクの場合、記録再生方向１０から
uv光を照射し透過させることが可能であるから、
uv硬化形接着材を用いることができ、あまり大
きな問題はなかつたが、３′層、４′層が存在する
両面デイスクの場合、この技術は光が方向１０か
ら接着層２へはもはや到達しないので利用するこ
とはできない。従つて一般的には熱硬化性樹脂し
か使用できない。しかし、第３図に示すデイスク
構造で熱硬化性樹脂を用いた場合、種々の困難が
発生する。すなわち、まず第一に、熱硬化性樹脂
が硬化する場合、硬化歪力が強いため、光記録層
３，３′、光反射層又は遮光層４，４′はこの硬化
時の力を受け、基板１，１′から剥離してしまい、
急激に劣化が進む。又現在、100℃に安定にたえ
る熱硬化性樹脂は発売されておらず、大部分のも
のは80℃程度に軟化点が存在するものであり、こ
の程度の温度で硬化させないと基板及び光記録層
が劣化するという本質的な矛盾を含んでいる。

本発明はこのような問題点を解決し、Te系相
転位形記録材料または光磁気記録材料よりなる両
面デイスクを従来のごく安定したプロセスで製造
可能ならしめるデイスク構造を有する光学式記録
担体を提供することを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明は、凹凸レ
リーフ状構造でアドレス信号部、空溝部を有する
円盤基板上に50〜2000Å程度の膜厚を有する第１
の光記録材料層を形成し、この第１の光記録材料
層の上に光反射層又は遮光層を100〜500Å程度の
膜厚で形成し、さらにこの光反射層又は遮光層の
上に前記第１の光記録材料層と同一（必ずしも同
一である必要はない）条件で第２の光記録材料層
を形成しこの第２の光記録材料層の上に透明材か
らなる接着層をたらし、その上に平面円盤基板を
おいて接着したものであり、このような構造を有
するデイスクにより両面より記録再生を可能にし
たものである。

作 用 一般に、800Å程度の深さ、幅0.8μｍ程度の凹
凸パターン上に、5000Å程度の薄膜を付けてもほ
とんど寸法的な変化がなく、薄膜上に同一の凹凸
パターンが現われるという原理により、本発明で
は第２の光記録材料層にも円盤基板上に凹凸レリ
ーフ状のパターンと同一のパターンを形成でき、
両面から第１または第２の光記録材料層に記録再
生が可能となる。

実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づき説明す
る。第１図において、凹凸レリーフ状で深さ800
Å、幅0.8μｍ程度の凹凸パターン１７を有する基
板１６上に光記録層１５を付着させる。この膜厚
は光記録層として最適な厚さを選定すれば良い
（例えばTeO_xその場合は1200Å程度、Cd，Co，
Fe系光磁気では500Å程度）。次に、この光記録
層１５上に光反射層又は遮光層１４を形成する。
この薄膜は、光記録層が薄い場合又は記録材自身
の透過率が高い場合、裏面側に形成される後述の
光記録層１３にレーザー光が到達しないようにも
うけられるものである。したがつて材料としては
光記録層１５，１３に拡散しにくい材料が望まし
く、又熱伝導率の低い材料例えば、SiO，TiC等
が望ましい。しかし上記光反射層又は遮光層１４
は単一層でかならずしも構成する必要がない。こ
の場合の要部の拡大図を第２図に示す。この場合
層１４は金属反射層１４ａとこれを両側から覆う
透明誘電層１４ｂからなつている。この方式を採
用すれば透明誘電層１４ｂは金属反射層１４ａの
金属材料（Al，Ag，Au，Cu等）の拡散防止と
もなるし、又膜厚を適当に選定すると、光磁気の
場合エンハーンス層とすることも可能である。

さて、このような光反射層又は遮光層１４の上
に再び光記録層１５と同一の条件で光記録層１３
を形成する。このように形成された最後の光記録
層１３の断面を電顕等で観測しても結構良好な溝
部が光記録層膜内に存在することが見られる。
我々の測定では、光記録層膜1200Å光反射層
SiO、500Å、光記録層膜1200Åとし、基板上の
溝部深さ800Å、幅0.8μｍとした場合、光記録層
１３には段差700Å、幅0.9μｍ程度の溝部が形成
されていた。ここに従来通りアクリル系uv樹脂
を流して接着層１２を形成し、その上にバツクカ
バーとして厚さ1.1mmのアクリルよりなる平面基
板１１を接着した。この時、接着層１２の厚み
は、100μｍであり、平面基板１１と接着層１２
のトータル厚みは、1.1mm±0.04であつた。この
ようにして作成されたデイスクは平面基板１１の
方からの記録再生を容易に行なえるし、特性上は
基板１６を通した場合とほとんど同一のアドレス
信号、トラツキング信号は得られる。ただし平面
基板１１側から録再をおこなう場合はトラツキン
グの極性を逆にし、デイスクの回転を逆にする必
要がある。これは基板１６から見た場合はアドレ
スが記録されている溝部１７は凹部であるのに対
し、平面基板１１から見た場合は凸部であるの
で、トラツキング信号の極性は逆にする必要があ
るためである。そして回転方向も当然逆にしなけ
ればアドレスは読み取れない。また、スパイラル
向きも逆となるから記録再生用光学台も逆送りに
する必要がある。したがつて平面基板１１から記
録再生行なう場合、自動的に検出し、トラツキン
グ回転方向、送り方向を逆に切り返る方式を採用
すれば良い。

次に一具体例について説明する。

厚さ1.1mmのポリカーボネイト基板１６上に
TeO_x（ｘ＝1.1）記録膜1200Åを付け、次にSiO膜
を500Åを付け、再びこの上にTeO_x記録膜1200Å
を付け、uv硬化性樹脂を接着層１２として流し、
厚さ1.1mmの平面ポリカーボネイト基板１１を接
着した。この時接着層１２は100μｍ、平面基板
１１と接着層１２のトータル厚みは、1.2±0.04
mm以内であつた。この方式により基板１６を通し
て、又平面基板１１を通して、トラツキング及び
アドレスは良好に再生され、記録再生も良好な特
性を示した。

発明の効果 以上のように本発明によれば従来通りにuv樹
脂を用いても両面デイスクを容易に作成すること
が可能となり、しかも、平面基板には溝部が形成
されていないから、両面のトラツクの偏心量を合
わす必要もない。したがつて、デイスク工程とし
てはきわめて簡単に両面デイスクが製作可能とな
つた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる構造を有する光学式記
録担体の断面図、第２図は第１図の要部の拡大
図、第３図は従来の相転位型記録材の両面デイス
ク構造を示す断面図、第４図は従来の中空構造デ
イスクの断面図である。 １１……平面基板、１２……接着層、１３，１
５……光記録層、１４……光反射層又は遮光層、
１６……基板、１７……溝部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 空溝部とアドレス信号部を有する凹凸レリー
   フ状構造の円盤基板上に形成した50〜2000Åの厚
   みを有する第１の光記録材料層とこの第１の光記
   録材料層の上に形成された光反射層又は遮光層
   と、この光反射層又は遮光層の上にさらに形成し
   た50〜2000Åの厚みを有する第２の光記録材料層
   と、この第２の光記録材料層の上に透明材からな
   る接着層を介して接着した平面円盤基板とを有す
   る光学式記録担体。