JPH07115094A - 電気的接続接点及びその形成方法 - Google Patents
電気的接続接点及びその形成方法Info
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- JPH07115094A JPH07115094A JP5262151A JP26215193A JPH07115094A JP H07115094 A JPH07115094 A JP H07115094A JP 5262151 A JP5262151 A JP 5262151A JP 26215193 A JP26215193 A JP 26215193A JP H07115094 A JPH07115094 A JP H07115094A
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大面積のウエハー状半導体装置でも、その表
面に形成された金属バンプを容易に、かつ、高精度に高
さ制御できるバンプレベリング方法を提供することを目
的とする。 【構成】 この目的を達成するために本発明は、ウエハ
ー状半導体装置上の全ての金属バンプ２を一括で押圧し
てレベリングするのではなく、限られた範囲、つまり、
金属バンプ２のバンプ各１個毎、またはウエハー状半導
体装置でダイシング後に、一つまたは複数のチップとな
る各範囲内の金属バンプ毎を押圧してバンプ高さを制御
する。
面に形成された金属バンプを容易に、かつ、高精度に高
さ制御できるバンプレベリング方法を提供することを目
的とする。 【構成】 この目的を達成するために本発明は、ウエハ
ー状半導体装置上の全ての金属バンプ２を一括で押圧し
てレベリングするのではなく、限られた範囲、つまり、
金属バンプ２のバンプ各１個毎、またはウエハー状半導
体装置でダイシング後に、一つまたは複数のチップとな
る各範囲内の金属バンプ毎を押圧してバンプ高さを制御
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に使用す
る半導体装置の表面に形成された電気的接続接点及びそ
の形成方法に関するものである。
る半導体装置の表面に形成された電気的接続接点及びそ
の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置表面に突起状電極部
（以下金属バンプと称す）を形成し、その金属バンプを
介して回路基板と上記半導体装置とを機械的・電気的に
接合するフリップチップ実装方式は電卓・通信機器やコ
ンピュータ装置などに広く実用化されている。このなか
で、バンプ高さを高精度に制御するバンプレベリング方
法が重要な課題である。
（以下金属バンプと称す）を形成し、その金属バンプを
介して回路基板と上記半導体装置とを機械的・電気的に
接合するフリップチップ実装方式は電卓・通信機器やコ
ンピュータ装置などに広く実用化されている。このなか
で、バンプ高さを高精度に制御するバンプレベリング方
法が重要な課題である。
【０００３】以下に従来のバンプレベリング方法につい
て説明する。図８に示すように、（１）表面に金属バン
プ２を形成したウエハー状半導体装置１を平面で平滑な
ステージ６上に置き、（２）その上部から、ステージ６
と平行でウエハー状半導体装置１と同等かそれよりも大
きめの平面で平滑な押圧プレート７で金属バンプ２を押
圧し、ウエハー状半導体装置１上の全ての金属バンプ２
の高さを一括に制御、つまり、バンプレベリングする方
法を行なっていた。
て説明する。図８に示すように、（１）表面に金属バン
プ２を形成したウエハー状半導体装置１を平面で平滑な
ステージ６上に置き、（２）その上部から、ステージ６
と平行でウエハー状半導体装置１と同等かそれよりも大
きめの平面で平滑な押圧プレート７で金属バンプ２を押
圧し、ウエハー状半導体装置１上の全ての金属バンプ２
の高さを一括に制御、つまり、バンプレベリングする方
法を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の方法では、６インチ程度の大面積なウエハー状半
導体装置の場合、ステージ６や押圧プレート７も大面積
となり、これらの製作・維持管理は非常に困難である。
その結果、金属バンプ２の高精度なレベリングができな
いといった問題点を有していた。また、押圧力が非常に
大きくなり、その結果、高価な大出力のプレス機が必要
であるといった問題点を有していた。
従来の方法では、６インチ程度の大面積なウエハー状半
導体装置の場合、ステージ６や押圧プレート７も大面積
となり、これらの製作・維持管理は非常に困難である。
その結果、金属バンプ２の高精度なレベリングができな
いといった問題点を有していた。また、押圧力が非常に
大きくなり、その結果、高価な大出力のプレス機が必要
であるといった問題点を有していた。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解決するもの
で、大面積のウエハー状半導体装置でも、その表面に形
成された金属バンプを容易に、かつ、高精度に高さ制御
できるバンプレベリング方法を提供することを目的とす
る。
で、大面積のウエハー状半導体装置でも、その表面に形
成された金属バンプを容易に、かつ、高精度に高さ制御
できるバンプレベリング方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のバンプレベリング方法は、ウエハー状半導体
装置上の全ての金属バンプを一括で押圧してレベリング
するのではなく、限られた範囲、つまり、金属バンプ各
１個毎、またはウエハー状半導体装置でダイシング後
に、一つまたは複数のチップとなる各範囲内の金属バン
プ毎を押圧してバンプ高さを制御する方法である。
に本発明のバンプレベリング方法は、ウエハー状半導体
装置上の全ての金属バンプを一括で押圧してレベリング
するのではなく、限られた範囲、つまり、金属バンプ各
１個毎、またはウエハー状半導体装置でダイシング後
に、一つまたは複数のチップとなる各範囲内の金属バン
プ毎を押圧してバンプ高さを制御する方法である。
【０００７】
【作用】この方法において、容易にバンプ高さ精度が得
られるようになり、さらにレベリング装置として安価で
小規模の装置が使用できるようになった。
られるようになり、さらにレベリング装置として安価で
小規模の装置が使用できるようになった。
【０００８】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【０００９】図１に示すように、ウエハー状半導体装置
１上に形成されたＡｕなどで作られた各金属バンプ２の
１個毎に対して、上方からセラミックまたは金属製の押
圧ピン３を同一の圧力で押し当て、金属バンプ２を全て
均一の高さにレベリングする。このとき、押圧ピン３の
先端は平面かつウエハー状半導体装置１の面と平行で、
その平面形状は図２に示すように円・多角形など限定し
なくてもよい。更に、半導体装置１はウエハー状態だけ
でなく、一つまたは複数のチップ状にダイシングした後
でも、同様の効果が得られる。
１上に形成されたＡｕなどで作られた各金属バンプ２の
１個毎に対して、上方からセラミックまたは金属製の押
圧ピン３を同一の圧力で押し当て、金属バンプ２を全て
均一の高さにレベリングする。このとき、押圧ピン３の
先端は平面かつウエハー状半導体装置１の面と平行で、
その平面形状は図２に示すように円・多角形など限定し
なくてもよい。更に、半導体装置１はウエハー状態だけ
でなく、一つまたは複数のチップ状にダイシングした後
でも、同様の効果が得られる。
【００１０】このような本実施例によれば、ワイヤボン
ディング装置のような簡便な装置に前記押圧ピン３を装
填するだけで、容易に金属バンプの高精度なバンプレベ
リングが可能となる。また、押圧ピン３の先端形状を変
えることにより、バンプ形状を自由に形成できる。ま
た、バンプ先端の面形状を変えることにより、接着剤の
転写性が向上し、基板上の電極との接触も向上すること
ができる。また、ワイヤボンディング装置ステージを１
５０℃〜３００℃にすることにより、低加圧でＡｕバン
プをレベリングでき、ニソコンヘムクラック防止にな
る。
ディング装置のような簡便な装置に前記押圧ピン３を装
填するだけで、容易に金属バンプの高精度なバンプレベ
リングが可能となる。また、押圧ピン３の先端形状を変
えることにより、バンプ形状を自由に形成できる。ま
た、バンプ先端の面形状を変えることにより、接着剤の
転写性が向上し、基板上の電極との接触も向上すること
ができる。また、ワイヤボンディング装置ステージを１
５０℃〜３００℃にすることにより、低加圧でＡｕバン
プをレベリングでき、ニソコンヘムクラック防止にな
る。
【００１１】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図３に示すように、ウエハー状半導体装置
１上に形成されたＡｕなどで作られた金属バンプ２に対
し、ダイシング後に一つまたは複数のチップとなる範囲
４毎、図４のように上方からセラミックまたは金属製の
押圧ブロック５を各範囲毎に同一の圧力で押し当て、金
属バンプ２を全て均一の高さにレベリングする。このと
き、押圧ブロック５は平面かつステージ６の面と平行
で、その平面形状は円・多角形など限定しなくてもよ
い。更に、半導体装置１はウエハー状態だけでなく、一
つまたは複数のチップ状にダイシングした後でも、同様
の効果が得られる。
１上に形成されたＡｕなどで作られた金属バンプ２に対
し、ダイシング後に一つまたは複数のチップとなる範囲
４毎、図４のように上方からセラミックまたは金属製の
押圧ブロック５を各範囲毎に同一の圧力で押し当て、金
属バンプ２を全て均一の高さにレベリングする。このと
き、押圧ブロック５は平面かつステージ６の面と平行
で、その平面形状は円・多角形など限定しなくてもよ
い。更に、半導体装置１はウエハー状態だけでなく、一
つまたは複数のチップ状にダイシングした後でも、同様
の効果が得られる。
【００１３】このような本実施例によれば、小型プレス
機のような簡便な装置に前記押圧ブロック５を装填する
だけで、容易に金属バンプの高精度なバンプレベリング
が可能となる。
機のような簡便な装置に前記押圧ブロック５を装填する
だけで、容易に金属バンプの高精度なバンプレベリング
が可能となる。
【００１４】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
【００１５】図５が示すように、ウエハー状半導体装置
１上に形成されたＡｕなどで作られた各金属バンプ２の
１個毎に対して、上方からセラミックまたは金属製の押
圧ピン３でたたき、各バンプ２をレベリングする。この
とき、押圧ピン３の先端は平面かつ半導体装置１の面と
平行である。更に、押圧ピン３は各バンプに対して加圧
設定できる。
１上に形成されたＡｕなどで作られた各金属バンプ２の
１個毎に対して、上方からセラミックまたは金属製の押
圧ピン３でたたき、各バンプ２をレベリングする。この
とき、押圧ピン３の先端は平面かつ半導体装置１の面と
平行である。更に、押圧ピン３は各バンプに対して加圧
設定できる。
【００１６】このような本実施例によれば、各バンプに
対しての加圧を設定することにより、１ウエハー内、ま
たは１チップ内でも異なるバンプ高さでも自由に設定す
ることができ、図６に示すようなインナーリードボンデ
ィングの多段化、段差のある基板に対応することができ
る。
対しての加圧を設定することにより、１ウエハー内、ま
たは１チップ内でも異なるバンプ高さでも自由に設定す
ることができ、図６に示すようなインナーリードボンデ
ィングの多段化、段差のある基板に対応することができ
る。
【００１７】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】図７に示すように、ウエハー状半導体装置
１上に形成されたＡｕなどで作られた各金属バンプ２の
１個毎に対して、上方からストッパー７を有したセラミ
ックまたは金属製のピン３を押し当て、バンプ２を全て
均一の高さにレベリングする。このとき、ピン３の先端
８は平面かつウエハー状半導体装置１の面と平行で、そ
の平面形状は円・多角形などに限定しなくてもよい。更
に、半導体装置１はウエハー状態だけでなく、一つまた
は複数のチップ状にダイシングした状態でも同様の効果
が得られる。
１上に形成されたＡｕなどで作られた各金属バンプ２の
１個毎に対して、上方からストッパー７を有したセラミ
ックまたは金属製のピン３を押し当て、バンプ２を全て
均一の高さにレベリングする。このとき、ピン３の先端
８は平面かつウエハー状半導体装置１の面と平行で、そ
の平面形状は円・多角形などに限定しなくてもよい。更
に、半導体装置１はウエハー状態だけでなく、一つまた
は複数のチップ状にダイシングした状態でも同様の効果
が得られる。
【００１９】このような本実施例によれば、サーチレベ
ル４００μｍ、サーチスピード２０ｍｍ／ｓｅｃとし、
半導体装置１を２００℃に加熱してＩＣへの衝撃力を減
らして、ストッパー７付きのピン３でたたくことによ
り、高精度なバンプレベリングができる。
ル４００μｍ、サーチスピード２０ｍｍ／ｓｅｃとし、
半導体装置１を２００℃に加熱してＩＣへの衝撃力を減
らして、ストッパー７付きのピン３でたたくことによ
り、高精度なバンプレベリングができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の実施例の説明から明らかなように
本発明は、限られた範囲、つまり、金属バンプ１個毎、
またはウエハー状半導体装置でダイシング後に、一つま
たは複数のチップとなる範囲内毎の金属バンプを押圧治
具で押圧することにより、容易かつ、高精度のバンプ高
さ制御を実現できるものである。
本発明は、限られた範囲、つまり、金属バンプ１個毎、
またはウエハー状半導体装置でダイシング後に、一つま
たは複数のチップとなる範囲内毎の金属バンプを押圧治
具で押圧することにより、容易かつ、高精度のバンプ高
さ制御を実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における金属バンプ１個
毎に対するバンプレベリング状態を示す制御図
毎に対するバンプレベリング状態を示す制御図
【図２】（ａ）同実施例における押圧ピンの第１の先端
形状と、これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す
説明図 （ｂ）同実施例における押圧ピンの第２の先端形状と、
これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す説明図 （ｃ）同実施例における押圧ピンの第３の先端形状と、
これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す説明図 （ｄ）同実施例における押圧ピンの第４の先端形状と、
これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す説明図
形状と、これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す
説明図 （ｂ）同実施例における押圧ピンの第２の先端形状と、
これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す説明図 （ｃ）同実施例における押圧ピンの第３の先端形状と、
これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す説明図 （ｄ）同実施例における押圧ピンの第４の先端形状と、
これを用いて押圧したバンプ形状の関係を示す説明図
【図３】本発明の第２の実施例におけるウエハーを示す
斜視図
斜視図
【図４】同実施例における複数金属バンプに対するバン
プレベリング状態を示す側面図
プレベリング状態を示す側面図
【図５】本発明の第３の実施例におけるバンプ１個毎に
対してバンプ高さを変えてレベリングしたバンプを示す
側面図
対してバンプ高さを変えてレベリングしたバンプを示す
側面図
【図６】（ａ）同実施例における多段化されたインナー
リードの側面図 （ｂ）同実施例における段差のある基板へのフリップチ
ップ実装状態を示す側面図
リードの側面図 （ｂ）同実施例における段差のある基板へのフリップチ
ップ実装状態を示す側面図
【図７】本発明の第４の実施例におけるストッパーを有
するピンによる、バンプレベリングを示す説明図
するピンによる、バンプレベリングを示す説明図
【図８】従来の金属バンプのバンプレベリング状態を示
す説明図
す説明図
１ 半導体装置 ２ 金属バンプ ３ 押圧ピン ４ ダイシング後に一つまたは複数のチップとなる範
囲 ５ 押圧ブロック ６ ステージ ７ 押圧プレート ８ 押圧ピン先端
囲 ５ 押圧ブロック ６ ステージ ７ 押圧プレート ８ 押圧ピン先端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 喜文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体装置の電極パッド上に構成される
複数の突起状電極部の頂部の高さが異なるよう形成され
た電気的接続接点。 - 【請求項２】 所定範囲内の複数の突起状電極部毎に、
前記突起状電極部の頂部の高さが異なるよう形成された
請求項１記載の電気的接続接点。 - 【請求項３】 半導体装置の入出力電極パッド上に電気
的接続接点を形成する方法であって、金属ワイヤの先端
に形成したボールをキャピラリによって半導体装置の入
出力電極パッド上に固着して突起状接点の底部を形成す
る第１工程と、金属ワイヤを突起状接点の底部の上方で
ルーピングしてその端部を切断し、突起状接点の頂部を
形成する第２工程と、第２工程で形成した頂部を１個ず
つ押圧部により押圧して高さを異なるよう形成した第３
工程とからなる電気的接続接点形成方法。 - 【請求項４】 押圧部は、頂部を押圧する押圧面部と、
この押圧面部と所定高さを有した押圧ピン部とからなる
よう構成され、この押圧部により前記頂部の高さを制御
可能に頂部を押圧するよう設けられた請求項３記載の電
気的接続接点形成方法。 - 【請求項５】 所定範囲内の複数の突起状電極部毎に、
押圧部により押圧し、前記突起状電極部の頂部の高さを
制御した請求項３記載の電気的接続接点形成方法。 - 【請求項６】 ウエハー状半導体装置を、一つまたは複
数のチップ状にダイシング後、その個別になった半導体
装置毎に押圧部により押圧した請求項５記載の電気的接
続接点形成方法。 - 【請求項７】 ウエハー状半導体装置をダイシング後
に、一つまたは複数のチップとなる範囲毎の押圧部によ
り一括押圧してバンプ高さを制御する請求項５記載の電
気的接続接点形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26215193A JP3303474B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 電気的接続接点形成方法及び半導体装置の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26215193A JP3303474B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 電気的接続接点形成方法及び半導体装置の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115094A true JPH07115094A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3303474B2 JP3303474B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=17371771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26215193A Expired - Fee Related JP3303474B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 電気的接続接点形成方法及び半導体装置の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303474B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006258826A (ja) * | 2006-06-20 | 2006-09-28 | Advantest Corp | バンプ形成方法及びバンプ |
| JP2007048971A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008235931A (ja) * | 1998-03-12 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 電子部品用コンタクタの製造方法 |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP26215193A patent/JP3303474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235931A (ja) * | 1998-03-12 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 電子部品用コンタクタの製造方法 |
| JP2007048971A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006258826A (ja) * | 2006-06-20 | 2006-09-28 | Advantest Corp | バンプ形成方法及びバンプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3303474B2 (ja) | 2002-07-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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