JP2002217217A - クランプ装置及びクランプ方法 - Google Patents

クランプ装置及びクランプ方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 対象物の主面に平行度を合わせてその対象物
を均等にクランプするクランプ装置を提供する。 【解決手段】 クランプ装置に、平行度の基準になる基
準面5を有し可動プレート2に固定された上部ブロック
6と、上部ブロック6に対向して設けられ対象物が載置
されるステージ7と、回動軸8を有する調整ブロック9
と、回動軸10を有する調整ブロック11とを備え、各
軸受により軸支された回動軸8,10が小さな角度だけ
振れるように動く。これにより、調整ブロック9は回動
軸8の回りを、調整ブロック11は回動軸10の回り
を、それぞれ回動する。したがって、ステージ7上の対
象物の主面が傾いている場合であっても、その主面の傾
きに合わせてステージ7が傾斜する。これにより、基準
面5に対して対象物の主面が平行度を合わせられた状態
で、対象物がクランプされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の組立に
使用されるクランプ装置であって、チップ状部品を樹脂
封止し、又はチップ状部品を基板にフリップチップ実装
する際に、対象物を均等にクランプするクランプ装置及
びクランプ方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば個片のプリント基板(個片
基板)に半導体チップをフリップチップボンディングす
る場合には、次のようにして基板をクランプしていた。
まず、複数のステージに個片基板をそれぞれ載置した後
に、半田バンプが電極上に形成された半導体チップを、
各個片基板に位置合わせして装着する。次に、それぞれ
個別の圧着治具によって、半導体チップを介して基板を
クランプする。これにより、個片基板に対して半導体チ
ップをそれぞれ熱圧着し、個片基板と半導体チップとの
電極同士を、バンプによって電気的に接続する。ここ
で、各圧着治具は、それぞれエアシリンダにより個別に
駆動されている。更に、組立の効率化を図るために、半
導体チップが装着される領域を多数個有する多数個取り
の基板(短冊状基板)が、使用されている。この場合に
は、短冊状基板の各領域に半導体チップをそれぞれ装着
し、1個の圧着治具により各半導体チップを短冊状基板
の各領域に熱圧着する。また、樹脂封止工程で基板をク
ランプする場合にも、個片基板及び短冊状基板自体をク
ランプしている。更に、半導体チップの背面を露出させ
て樹脂封止する場合には、半導体チップ自体をクランプ
することもある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のクランプによれば、半導体チップが個片基板に装着
される場合には、半導体チップに設けられたバンプの大
きさがばらつくことによって、半導体チップが傾いて装
着されることがある。この場合には、フリップチップボ
ンディングや樹脂封止を行う際に、半導体チップを均等
にクランプできない。したがって、バンプや半導体チッ
プに加えられる圧力に偏りが生じて、これらが破損する
おそれがある。また、短冊状基板を使用する場合には、
基板が大型化するので、基板内における板厚のばらつき
が大きくなる。これにより、短冊状基板に装着された各
半導体チップの主面が、基準面に対して一様に傾いてい
ることがある。この場合にも、フリップチップボンディ
ングや樹脂封止を行う際に、バンプや半導体チップに加
えられる圧力に偏りが生じて、これらが破損するおそれ
がある。更に、樹脂封止工程で基板をクランプする際
に、圧着治具と基板との間にすき間が生じることがあ
る。したがって、そのすき間に溶融樹脂が侵入して樹脂
漏れが発生し、歩留りを低下させるおそれがある。
【0004】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであり、チップ状部品を樹脂封止し、又はチ
ップ状部品を基板にフリップチップ実装する際に、対象
物を均等にクランプするクランプ装置及びクランプ方法
に関するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するために、本発明に係るクランプ装置は、対象物をク
ランプするクランプ装置であって、平行度の基準になる
基準面を有するとともに対象物をクランプする可動ブロ
ックと、可動ブロックに対向して設けられ対象物が載置
されるステージと、対象物の主面が基準面に対して平行
になるようにステージを傾斜させる傾斜機構とを備える
ことを特徴とする。
【0006】これによれば、ステージが傾斜することに
より、対象物の主面が可動ブロックの基準面に対して平
行な状態で、対象物がクランプされる。したがって、対
象物が均等にクランプされるとともに、対象物の主面と
可動ブロックの基準面との間にすき間が生じることが抑
制される。
【0007】また、本発明に係るクランプ装置は、上述
のクランプ装置において、傾斜装置は、少なくとも2個
の突き上げ機構を有するとともに、突き上げ機構が各々
昇降してステージを突き上げることによって該ステージ
を傾斜させることを特徴とする。
【0008】これによれば、少なくとも2個の突き上げ
機構により、ステージがそれぞれ突き上げられる。した
がって、ステージが確実に傾斜する。
【0009】また、本発明に係るクランプ装置は、上述
のクランプ装置において、傾斜機構は、ステージに対し
て重ねて設けられた第1の調整ブロックと、第1の調整
ブロックに設けられた第1の回動軸と、ステージと第1
の調整ブロックとの間に設けられた第2の調整ブロック
と、第2の調整ブロックに設けられ第1の回動軸にほぼ
直交する第2の回動軸とを備えるとともに、第1及び第
2の調整ブロックは、各々第1及び第2の回動軸を中心
にして回動自在に設けられていることを特徴とする。
【0010】これによれば、第1及び第2の調整ブロッ
クは、ステージに対して重ねて設けられ、各々第1及び
第2の回動軸を中心に回動自在に設けられている。ま
た、第1及び第2の回動軸は、ほぼ直交して設けられて
いる。したがって、それぞれ第1及び第2の回動軸を中
心にして第1及び第2の調整ブロックが回動することに
より、ステージが確実に傾斜される。
【0011】上述の技術的課題を解決するために、本発
明に係るクランプ方法は、ステージの上に載置された対
象物をクランプするクランプ方法であって、平行度の基
準になる基準面を有する可動ブロックにより対象物を押
圧する工程と、対象物の主面が基準面に対して平行にな
るようにステージを傾斜させる工程と、可動ブロックに
より対象物をクランプする工程とを備えたことを特徴と
する。
【0012】これによれば、ステージを傾斜させること
により、対象物の主面が可動ブロックの基準面に対して
平行な状態で、対象物をクランプする。したがって、対
象物を均等にクランプするとともに、対象物の主面と可
動ブロックの基準面との間にすき間が生じることを抑制
することができる。
【0013】また、本発明に係るクランプ方法は、上述
のクランプ方法において、傾斜させる工程では、少なく
とも2個所において下方からステージを各々突き上げる
ことを特徴とする。
【0014】これによれば、少なくとも2個の突き上げ
機構が、それぞれステージを突き上げる。したがって、
ステージを確実に傾斜させることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態を、図1を参照して説明する。図1
は、本実施形態に係るクランプ装置の構成を示す正面図
である。図1において、ベース1に対して可動プレート
2が、タイバー3とばね4とを介して昇降自在に取り付
けられている。可動プレート2には、平行度の基準にな
る基準面5を有する上部ブロック6が取り付けられてい
る。基準面5に対向して、ステージ7が設けられてい
る。ステージ7は、回動軸8を有する調整ブロック9に
取り付けられ、調整ブロック9は、回動軸10を有する
調整ブロック11に載置されている。回動軸8,調整ブ
ロック9,回動軸10,調整ブロック11は、併せて傾
斜機構12を構成する。調整ブロック11は、ばね13
を介してベース1に載置されている。ここで、回動軸8
は調整ブロック11に固定された軸受(図示なし)に軸
支され、回動軸10はベース1に固定された軸受(図示
なし)に軸支されている。各軸受は、それぞれ軸支する
回動軸8,10を、小さな角度だけ振らせることができ
る。これにより、調整ブロック9は回動軸8の回りを、
調整ブロック11は回動軸10の回りを、それぞれ回動
することができる。また、サーボモータやエアシリンダ
等の駆動機構14が、上部プレート15に取り付けられ
ている。ボールねじ16は、駆動機構14の回転運動を
可動プレート2のボールナット(図示なし)に伝達する
伝達機構である。駆動機構14とボールねじ16とは、
併せて昇降機構17を構成する。
【0016】図1のクランプ装置の動作を説明する。ま
ず、半導体チップが装着された基板を、ステージ7上に
載置する。ここで、対象物は、それぞれ本発明に係るク
ランプ装置が使用される樹脂封止装置では基板又は半導
体チップであり、フリップチップボンダでは基板上に載
置された半導体チップである。
【0017】次に、昇降機構17により可動プレート2
を下降させ、上部ブロック6によりステージ7上の対象
物(図示なし)をクランプする。ここで、対象物である
基板の主面(上面)が、材料のばらつき等で傾いている
場合がある。また、基板上に装着され対象物である半導
体チップの主面(上面)が、バンプサイズのばらつき等
で傾いている場合がある。これらの場合には、上部ブロ
ック6が対象物の主面を押圧すると、基準面5が対象物
の主面の全面に接触するまで、調整ブロック9は回動軸
8の回りを、調整ブロック11は回動軸10の回りを、
それぞれ回動する。これにより、対象物の主面の傾きに
合わせて、ステージ7を傾斜させる。したがって、基準
面5に対して対象物の主面が平行になるように、すなわ
ち、対象物の主面が平行度を合わせられた状態で、対象
物をクランプすることになる。
【0018】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、対象物の主面が傾いている場合であっても、傾斜機
構12により、対象物の主面の傾きに合わせてステージ
7を傾斜させる。これにより、基準面5に対して対象物
の主面が平行度を合わせられた状態で、対象物をクラン
プすることができる。したがって、フリップチップボン
ディングや樹脂封止を行う場合に、半導体チップ及び個
片基板を均等にクランプするので、バンプや半導体チッ
プに加えられる圧力を均一にして、これらの破損を防止
することができる。また、短冊状基板を使用する際に基
板内における板厚のばらつきが大きい場合であっても、
各半導体チップを均等にクランプする。したがって、フ
リップチップボンディングを行う場合に、バンプや半導
体チップに加えられる圧力を均一にして、これらの破損
を防止することができる。更に、樹脂封止工程で基板を
クランプする場合には、上部ブロック6と基板との間に
すき間が発生しないので、樹脂漏れを防止することがで
きる。
【0019】なお、可動プレート2,上部ブロック6,
上部プレート15,昇降機構17を上方に、傾斜機構1
2を下方にそれぞれ配置した。これに限らず、傾斜機構
12を上方に、可動プレート2,上部ブロック6,上部
プレート15,昇降機構17を下方にそれぞれ配置する
こともできる。
【0020】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態を、図2を参照して説明する。図2は、本実施
形態に係るクランプ装置の構成を示す正面図である。図
2において、圧電素子18は、回動軸8に関してほぼ線
対称の位置に、調整ブロック11の貫通穴においてベー
ス1に固定され、先端が調整ブロック9を突き上げるよ
うに設けられた1対の突き上げ機構である。圧電素子1
9は、調整ブロック11の回動軸(図示なし)8に関し
てほぼ線対称の位置で、ベース1に設けられた穴におい
てベース1に固定され、先端が調整ブロック11を突き
上げるように設けられた1対の突き上げ機構である。加
えて、例えばステージ7の下方、又は上部ブロック6の
上方において、圧電素子18,19に対応する位置に、
ロードセル等の圧力センサ(図示なし)を設けておく。
また、圧電素子18,19として、圧力センサを内蔵し
たタイプを使用してもよい。更に、各圧力センサが検出
した圧力に基づいて、圧電素子18,19の突き上げ量
を制御する制御部(図示なし)を設けておく。
【0021】図2のクランプ装置は、ステージ7上の対
象物の傾きに応じて、各圧力センサが圧力を検出する。
そして、各圧力センサにより検出された圧力が均一にな
るように、制御部が、各圧電素子18,19の突き上げ
量を制御する。したがって、対象物をいっそう均等にク
ランプするので、第1の実施形態と同様の効果を更に大
きく生ずることになる。
【0022】なお、本実施形態では、圧電素子18,1
9をそれぞれ1対、すなわち計4個使用した。これに限
らず、ステージ7の重量や、必要なクランプ圧に応じ
て、圧電素子18,19のうちの一方を1個にして、合
計3個の圧電素子を使用することもできる。また、圧電
素子18,19をそれぞれ1個にして、合計2個の圧電
素子を使用してもよい。
【0023】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態を、図3を参照して説明する。図3は、本実施
形態に係るクランプ装置の構成を示す正面図である。図
3において、球面軸受20は、ステージ7のほぼ中央部
の直下において、調整ブロック9,11の間に設けられ
た摩擦低減機構である。圧電素子21は、球面軸受20
を中心にしてほぼ正三角形の位置に、調整ブロック11
の貫通穴においてベース1に固定され、先端が調整ブロ
ック9を突き上げるように設けられた突き上げ機構であ
る。調整ブロック9,11,球面軸受20,圧電素子2
1は、併せて傾斜機構12を構成する。また、第2の実
施形態と同様に、圧力センサと制御部とを設けておく
(いずれも図示なし)。
【0024】図3のクランプ装置も、第2の実施形態と
同様にして動作する。すなわち、ステージ7上の対象物
の傾きに応じて、各圧力センサが圧力を検出する。そし
て、各圧力センサにより検出された圧力が均一になるよ
うに、制御部が、各圧電素子21の突き上げ量を制御す
る。したがって、対象物をいっそう均等にクランプする
ので、第1の実施形態と同様の効果を更に大きく生ずる
ことになる。
【0025】なお、本実施形態では、球面軸受20と、
3個の圧電素子21とを使用した。これに限らず、ステ
ージ7の重量や必要なクランプ圧が小さい場合には、小
さい突き上げ力で十分なので、球面軸受20を使用しな
い構成をとることもできる。また、ステージ7のサイ
ズ、重量や必要なクランプ圧が大きい場合には、球面軸
受20を使用せず、圧電素子21を例えば4個又は6個
設ける構成をとることもできる。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、ステージが傾斜するこ
とにより、対象物の主面が可動ブロックの基準面に対し
て平行な状態で、対象物がクランプされる。したがっ
て、対象物の主面に平行度を合わせてその対象物を均等
にクランプするクランプ装置及びクランプ方法を提供で
きるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るクランプ装置の
構成を示す正面図である。
【図2】本発明の第2の実施形態に係るクランプ装置の
構成を示す正面図である。
【図3】本発明の第3の実施形態に係るクランプ装置の
構成を示す正面図である。
【符号の説明】
1 ベース 2 可動プレート 3 タイバー 4,13 ばね 5 基準面 6 上部ブロック(可動ブロック) 7 ステージ 8 回動軸(第2の回動軸) 9 調整ブロック(第2の調整ブロック) 10 回動軸(第1の回動軸) 11 調整ブロック(第1の調整ブロック) 12 傾斜機構 14 駆動機構 15 上部プレート 16 ボールねじ 17 昇降機構 18,19,21 圧電素子(突き上げ機構) 20 球面軸受

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対象物をクランプするクランプ装置であ
    って、 平行度の基準になる基準面を有するとともに前記対象物
    をクランプする可動ブロックと、 前記可動ブロックに対向して設けられ前記対象物が載置
    されるステージと、 前記対象物の主面が前記基準面に対して平行になるよう
    に前記ステージを傾斜させる傾斜機構とを備えることを
    特徴とするクランプ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のクランプ装置において、
    前記傾斜装置は、少なくとも2個の突き上げ機構を有す
    るとともに、前記突き上げ機構が各々昇降して前記ステ
    ージを突き上げることによって該ステージを傾斜させる
    ことを特徴とするクランプ装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のクランプ装置において、
    前記傾斜機構は、 前記ステージに対して重ねて設けられた第1の調整ブロ
    ックと、 前記第1の調整ブロックに設けられた第1の回動軸と、 前記ステージと前記第1の調整ブロックとの間に設けら
    れた第2の調整ブロックと、 前記第2の調整ブロックに設けられ前記第1の回動軸に
    ほぼ直交する第2の回動軸とを備えるとともに、 前記第1及び第2の調整ブロックは、各々前記第1及び
    第2の回動軸を中心にして回動自在に設けられているこ
    とを特徴とするクランプ装置。
  4. 【請求項4】 ステージの上に載置された対象物をクラ
    ンプするクランプ方法であって、 平行度の基準になる基準面を有する可動ブロックにより
    前記対象物を押圧する工程と、 前記対象物の主面が前記基準面に対して平行になるよう
    に前記ステージを傾斜させる工程と、 前記可動ブロックにより前記対象物をクランプする工程
    とを備えたことを特徴とするクランプ方法。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のクランプ方法において、 前記傾斜させる工程では、少なくとも2個所において下
    方から前記ステージを各々突き上げることを特徴とする
    クランプ方法。
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