KR101475962B1 - 웨이퍼의 에지 주변 내의 제외 영역을 보호하기 위해 프로세스 챔버에서 전극을 정렬하는 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

프로세스 챔버에서 위치 관계가 확립된다. 베이스는 웨이퍼를 지지하는 하부 전극 표면으로 구성되고, 상부 전극은 하부 표면을 가진다. 베이스 상에 탑재된 드라이브는 상부 전극에 접속된 링키지를 가진다. 하부 표면 상에 위치한 고정물은 하부 전극의 원하는 배향으로 이동한다. 상부 전극이 링키지에 의해 드라이브에 느슨하게 접속되면, 고정물은 원하는 배향을 상부 전극에 전달한다. 링키지는 타이트해져서 원하는 배향을 유지하고, 고정물은 제거되고 프로세스 제외 삽입부는 상부 전극에 탑재된다. 드라이브는 상부 전극 및 프로세스 제외 삽입부를 이동시켜 하부 전극 상의 웨이퍼와 상부 전극 사이로 비활성 프로세스 존을 한정함으로써, 중심 영역 주위의 웨이퍼 에지 주변의 에칭 중에 웨이퍼의 중심 영역을 보호한다.

프로세스 챔버, 상부 전극, 하부 전극, 비활성 프로세스 존, 베이스, 드라이브, 링키지, 에지 주변

Description

웨이퍼의 에지 주변 내의 제외 영역을 보호하기 위해 프로세스 챔버에서 전극을 정렬하는 방법 및 장치{METHODS OF AND APPARATUS FOR ALIGNING ELECTRODES IN A PROCESS CHAMBER TO PROTECT AN EXCLUSION AREA WITHIN AN EDGE ENVIRON OF A WAFER}

배경

1. 기술분야

본 발명은 일반적으로 반도체 제조에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 웨이퍼를 제조하는 프로세스 챔버에서 프로세스 제외 영역 및 프로세스 수행 영역을 한정하기 위해 프로세스 챔버에서 전극을 정렬하는 장치에 관한 것이다.

2. 관련 기술의 설명

진공 프로세싱 챔버는 기판으로부터 재료를 에칭하고 기판에 재료를 증착하기 위해 이용되어 왔다. 이 기판은 예를 들어 반도체 웨이퍼였다. 일반적으로, 정확한 프로세싱 (및 그게 따른 디바이스의 높은 수율) 은 웨이퍼의 중심 영역에서 발생하는 것으로 기대된다. 웨이퍼의 상단, 또는 상부 표면의 일부 상에서 웨이퍼를 정확하게 프로세싱하려고 시도하는데 있어 수많은 어려움이 경험되는데, 여기서 그 일부는 중심 영역을 둘러싸는 웨이퍼의 주변 에지와 중심 영역 사이에 있다. 이러한 어려움은 "에지 제외 영역"이 중심 영역과 그 중심 영역을 둘러싼 웨이퍼의 주변 에지 사이에서 한정되었을 정도로 충분히 크다. 그 에지 제외 영역에서 허용가능한 디바이스를 제공하려는 시도가 이루어지지 않았다.

추가적으로, 중심 영역의 원하는 프로세싱 중에, 원하지 않는 증착물, 재료, 또는 프로세스-부산물 (process-by-product) (통칭하여 "원하지 않는 재료") 이 웨이퍼의 상부 표면의 에지 제외 영역에, 그리고 웨이퍼의 주변 에지의 주변 에지 영역에, 그리고 웨이퍼의 반대 (하단) 표면의 하단 영역 상의 주변 에지 영역 아래에 축적 또는 발생한다. 이들 3 개의 영역은 디바이스를 형성하기 위해 프로세싱되지 않는다. 에지 제외 영역, 에지 영역, 및 하단 영역은 "에지 주변 (edge environ)"으로 통칭된다. 이들 원하지 않는 재료는 일반적으로 에지 주변에 축적될 수도 있다. 일반적으로, 웨이퍼의 상부 표면 상의 활성 디바이스 영역에 다시 재증착될 수도 있는 재료 미립자의 박리 (flaking) 를 피하기 위해, 에지 주변을 실질적으로 청결하게 유지하는 것이 바람직하기 때문에, 이 축적은 너무 광범위하여 중심 영역의 원하는 프로세싱이 인터럽트되어야 할 수도 있다. 이러한 박리는 임의의 수의 웨이퍼 핸들링 또는 이송 동작 중에 발생할 수 있고, 따라서, 에지 주변이 프로세싱된 웨이퍼로부터 집적 회로 디바이스 칩을 제작하는데 이용되는 수많은 프로세싱 동작 중에 주기적으로 세정 (예를 들어, 에칭) 또는 세정 (즉, 에칭) 을 위해 모니터링되어야 하는 것이 일반적으로 바람직하다. 에지 주변으로부터, 예를 들어, 전체 에지 주변으로부터 원하지 않는 재료를 제거하고, 예를 들어, 이러한 제거를 디바이스를 손상하지 않고 수행하는 시도에서 이러한 주기적 세정을 수행하기 위해, 중심 영역의 원하는 프로세싱은 인터럽트되었었다.

전술한 바를 고려하여, 이러한 필요한 장치가 사용 전에 정확히 정렬되어서, 사용시에 이 장치가 중심 영역으로부터 재료를 제거하지 않거나 그렇지 않으면 중심 영역을 손상하지 않고 전체 에지 주변으로부터 원하지 않는 재료의 정확한 (예를 들어, 균일한) 제거를 야기하는 것을 보장할 필요가 있다.

개요

대략적으로 말하면, 본 발명의 실시형태는 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 프로세스 챔버에서 개별적인 프로세스 제외 영역 및 프로세스 수행 영역을 한정하도록 구성된 반도체 제조 장치를 제공하는 관련 출원의 실시형태의 상황에서 이들 요구를 충족한다. 관련 출원의 장치는, 에칭과 같은 프로세스가 웨이퍼의 중심 영역으로부터 제외되고 에칭과 같은 프로세스가 에지 주변에서만 웨이퍼에 대해 수행되게 하도록 구성될 수도 있다. 본 발명의 실시형태는 이러한 필요한 장치의 전극이 이용하기 전에 정확하게 정렬되어, 이러한 필요한 장치의 이용이 중심 영역으로부터 재료를 제거하거나 그렇지 않으면 중심 영역을 손상시키지 않고 전체 에지 주변으로부터 원하지 않는 재료의 정확한 (예를 들어, 균일한) 제거를 야기하는 것을 보장함으로써 이들 요구를 충족한다.

본 발명의 실시형태는 웨이퍼 프로세스 챔버에서 이격된 제 1 및 제 2 기준 표면을 정렬하기 위한 장치를 제공할 수도 있다. 고정물 (fixture) 은 상부 고정물 기준 표면 및 상부 고정물 기준 표면에 평행한 하부 고정물 기준 표면으로 구성될 수도 있다. 하부 고정물 기준 표면은 제 1 이격된 기준 표면 상에 지지되어 제 1 이격된 기준 표면에 평행하게 상부 고정물 기준 표면 및 하부 고정물 기준 표면을 배향시키도록 구성될 수도 있다. 상부 고정물 기준 표면은 제 2 이격된 기준 표면을 지지하여 제 1 이격된 기준 표면에 평행하고 상부 고정물 기준 표면에 평행하게 제 2 이격된 기준 표면을 배향시키도록 구성될 수도 있다.

본 발명의 실시형태는 또한 웨이퍼 프로세스 챔버에서 하부 전극의 원하는 기존 배향에 대해 상부 전극을 배향시키기 위한 장치를 제공할 수도 있다. 고정물은 상부 네스트 및 하부 네스트로 구성될 수도 있으며, 상부 네스트는 상부 고정물 기준 표면 및 상부 벽으로 구성된다. 하부 네스트는 하부 고정물 기준 표면 및 하부 벽으로 구성될 수도 있다. 하부 고정물 기준 표면은 상부 고정물 기준 표면에 평행할 수도 있다. 상부 벽은 하부 벽과 동축이고 하부 벽에 평행할 수도 있다. 상부 네스트 및 하부 네스트 각각은 개개의 상부 전극 기준 표면 및 하부 전극 기준 표면의 적어도 일부를 수용하도록 구성될 수도 있다. 네스트는 하부 전극 기준 표면에 평행하게 상부 고정물 기준 표면 및 하부 고정물 기준 표면을 정렬하고 하부 전극에 대해 상부 전극을 중심에 둠으로써 하부 전극의 원하는 기존 배향에 대해 상부 전극을 배향시킨다.

본 발명의 실시형태는 웨이퍼의 에지 주변 내의 제외 영역을 보호하기 위해 프로세스 챔버에서 위치 관계를 확립하기 위한 장치를 제공할 수도 있다. 장치는 에지 주변 상에서 프로세싱될 웨이퍼를 지지하기 위한 제 1 전극 기준 표면으로 구성된 하부 전극을 포함할 수도 있다. 베이스는 프레임으로 구성될 수도 있으며, 여기서 베이스는 웨이퍼의 제외 영역 말고 에지 주변을 프로세싱하기 위한 원하는 배향으로 제 1 전극 기준 표면을 갖는 하부 전극을 탑재하도록 구성된다. 프로세스 제외 삽입부는 제외 영역을 프로세싱으로부터 보호하기 위해 평행한 제 1 삽입부 표면과 제 2 삽입부 표면으로 구성될 수도 있다. 상부 전극은 제 2 전극 기준 표면에 대향하는 제 1 삽입부 표면 및 제 2 전극 기준 표면에 평행한 제 1 삽입부 표면을 갖는 삽입부를 제거가능하게 탑재하기 위한 제 2 전극 기준 표면으로 구성될 수도 있다. 정렬 고정물은 프로세스 제외 삽입부 대신에 상부 전극 및 하부 전극과 사용하기 위해 구성될 수도 있다. 정렬 고정물은 상부 고정물 기준 표면 및 상부 고정물 기준 표면에 평행한 하부 고정물 기준 표면으로 구성될 수도 있다. 정렬 고정물은 하부 고정물 기준 표면이 제 1 전극 기준 표면과 짝을 이뤄 원하는 배향으로 상부 고정물 기준 표면 및 하부 고정물 기준 표면을 갖는 하부 전극 상에 정렬 고정물을 지지하도록 구성될 수도 있다. 정렬 고정물은 상부 고정물 기준 표면이 제 2 전극 기준 표면과 짝을 이뤄 상부 제 1 전극 기준 표면에 평행한 원하는 배향으로 상부 전극 기준 표면을 갖는 정렬 고정물 상에 상부 전극을 제거가능하게 지지하도록 구성될 수도 있다. 어댑터는 프레임과 상부 전극 사이에 있을 수도 있으며, 어댑터는 느슨한 구성 (loose configuration) 과 타이트한 구성 (tight configuration) 사이에서 조정가능할 수도 있다. 느슨한 구성에서 어댑터는 어댑터와 프레임 사이로 가변 정렬 공간을 한정하여 상부 전극이 원하는 배향으로 고정물 상에 지지되도록 한다. 타이트한 구성에서, 어댑터는 원하는 배향으로 상부 전극을 갖는 프레임에 상부 전극을 고정하여, 상부 전극이 제외 영역을 프로세싱으로부터 보호하기 위해 원하는 배향에 유지되는 동안에 상부 전극 상의 삽입부의 탑재 및 고정물의 제거를 허용한다.

본 발명의 실시형태는 프로세스 챔버에서 원하는 기존 배향을 갖는 하부 전 극에 대해 상부 전극을 배향시켜 웨이퍼를 프로세싱하기 위해 프로세스 챔버에서 활성 프로세스 존 및 비활성 프로세스 존을 한정하는 방법을 제공할 수도 있다. 이 방법은 기준 표면을 갖는 각 전극을 구성하는 것을 포함하는 동작을 포함할 수도 있다. 하부 전극 기준 표면은 원하는 기존 배향에 있을 수도 있다. 상부 전극 기준 표면은 하부 전극 기준 표면에 평행하게 배향될 수 있다. 다른 동작은 하부 전극 기준 표면에 평행하게 배향된 상부 전극 기준 표면을 일시적으로 홀드할 수도 있다. 또 다른 동작은 상부 전극을 드라이브에 고정하여 하부 전극 기준 표면에 평행한 상부 전극 기준 표면을 탑재한다.

그러나, 당업자에게는, 본 발명의 실시형태가 이들 상세한 세부사항의 전체 또는 일부 없이도 실시될 수도 있다는 것이 명백하다. 다른 예에서, 공지의 프로세스 동작은 본 발명을 불명확하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않았다.

도면의 간단한 설명

본 발명의 실시형태는 첨부 도면과 함께 다음의 상세한 설명을 참조하여 손쉽게 이해되며, 상기 첨부 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.

도 1 은, 상부 또는 상단 전극과, 하단 또는 하부 전극이나 척과 같은 베이스 사이에서 복수의 위치 관계가 확립될 수도 있는 본 발명의 실시형태의 프로세스 챔버의 개략 정면도이다.

도 2a 는 하부 전극의 제 1 기준 표면과 상단 전극의 제 2 기준 표면 사이의 위치 관계 중 하나의 위치 관계가 도시된 도 1 의 확대 부분의 도면이다.

도 2b 는 도 2a 의 라인 2B-2B 에 따라 취해진 단면도로서, 하부 전극과 상단 전극 사이에 한정된 에칭 영역의 도넛형 구성을 도시한다.

도 2c 는 도 2b 의 라인 2C-2C 에 따라 취해진 단면도로서, 중앙 영역에 제 2 기준 표면을 갖는 프로세스 제외 삽입부로 구성된 상부 전극의 확대도를 도시하며, 제 2 기준 표면은 제 1 기준 표면과 제 2 위치 관계에 있고, 도넛형 에칭 영역의 일 실시형태의 일반적으로 C-형상의 단면 구성을 나타낸다.

도 3 은 하부 전극에 의해 지지되는 웨이퍼를 도시한 단면도로서, 웨이퍼의 에지 주변의 에칭을 가능하게 하도록 링을 한정하는 상단 및 하단 에지를 나타낸다.

도 4 는 도 1 의 라인 4-4 에서 취해진 평면도로서, 기준 표면을 위치 관계로 이동시키기 위해 조정가능한 링키지 (linkage) 의 섹션을 통해 동작하는 드라이브의 섹션의 웨이퍼 축 주위의 간격을 나타낸다.

도 5a 는 도 4 의 라인 5A-5A 에서 취해진 확대된 단면도로서, 원하는 기존 배향에 있는 제 1 기준 표면에 대해 제 2 기준 표면을 배향시키는 것을 용이하게 하기 위한 느슨한 구성에서의 링키지의 일 섹션을 나타낸다.

도 5b 는 도 5a 에 도시된 링키지의 부분을 도시한 확대된 단면도로서, 제 1 기준 표면에 대해 배향된 제 2 기준 표면을 홀드하기 위한 타이트한 구성에서의 링키지를 나타낸다.

도 6 은 도 4 의 라인 6-6 에서 취해진 단면도로서, 드라이브의 섹션 중 하나의 구성을 나타낸다.

도 7a 는 도 2a 와 유사한 단면도 (프로세스 제외 삽입부 및 링이 제거됨) 로서, 제 1 및 제 2 기준 표면을 배향시키고 하부 전극과 상부 전극 사이의 원하는 위치 관계를 확립시키기 위해 도 1 내지 도 3 에서 도시된 전극과 이용하기 위한 고정물을 나타낸다.

도 7b 는 도 7b 와 유사한 단면도로서, 제 1 기준 표면에 대해 제 2 전극 기준 표면을 배향시키기 위해 고정물 상에 놓인 상부 전극을 도시한다.

도 8 은 웨이퍼 프로세스 챔버에서 활성 및 비활성 프로세스 존을 한정하기 위해 이 웨이퍼 프로세스 챔버에서 하부 전극의 원하는 배향에 대해 상부 전극을 배향시키는 본 발명의 일 실시형태의 방법의 동작을 도시한 흐름도이다.

본 발명의 실시형태의 다른 양태 및 이점은, 본 발명의 실시형태의 원리를 예시적으로 설명하며 첨부 도면과 함께 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 명백해진다.

상세한 설명

다음의 설명에서, 수많은 상세한 세부사항이 본 발명의 실시형태의 완전한 이해를 제공하기 위해 개시된다. 그러나, 당업자에게는, 본 발명이 이들 상세한 세부사항의 전체 또는 일부 없이도 실시될 수도 있다는 것이 명백하다. 다른 예에서, 공지의 프로세스 동작은 본 발명을 불명확하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않았다.

후술하는 본 발명의 실시형태는 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 프로세스 챔버에서 개별적인 프로세스 제외 영역 및 프로세스 수행 영역을 한정하도록 구성된 반도체 제조 장치의 상술한 요구를 충족한다. 프로세스 제외를 위해, 이러한 장치는 프로세스 (예를 들어, 에칭) 가 웨이퍼의 중심 영역으로부터 제외되도록 구성될 수도 있다. 프로세스 수행을 위해, 예시적인 에칭 프로세스는 에지 주변에서만 웨이퍼에 대해 수행되게 할 수도 있다. 본 발명의 실시형태는 이러한 장치의 전극이 이용 전에 정확하게 정렬되는 것을 보장함으로써 이들 요구를 충족한다. 이러한 방식으로, 이러한 장치는 웨이퍼의 중심 영역으로부터 에칭을 제외하도록 셋업되며, 이 셋업은 예시적인 에칭 프로세스가 웨이퍼의 에지 주변에서만 수행되게 할 수도 있다. 본 발명의 실시형태는, 셋업으로서 이러한 장치의 에칭 챔버를 한정하는 표면의 정확한 정렬로, 사용중 에칭 챔버가 중심 영역으로부터 재료를 제거하거나 또는 그렇지 않으면 중심 영역을 손상하지 않고 전체 에지 주변으로부터 원하지 않는 재료를 정확하게 (예를 들어, 균일하게) 제거하도록 이들 요구를 충족한다.

도 1 은 복수의 위치 관계가 확립될 수도 있는 프로세스 챔버 (50) 를 도시한다. 일반적으로, 위치 관계는 챔버 (50) 에서의 상단 또는 상부 전극 (53) 과 베이스 (52) 사이에서 확립될 수도 있다. 더 상세하게는, 베이스 (52) 는 웨이퍼로부터 원하지 않는 재료를 제거하는데 적절한 에칭 또는 다른 원하는 프로세스에 의한 바와 같이, 프로세싱될 웨이퍼 (58) 를 지지하기 위한 제 1 전극 기준 표면 (56) 을 갖는 하부 또는 하단 전극 (또는 척)(54) 으로 구성될 수도 있다. 상부 전극 (53) 은 제 2 전극 기준 표면 (60) 으로 그리고 제 3 기준 표면 (61) 으로 구성될 수도 있다. 상부 전극 (53) 은 지지된 웨이퍼를 프로세싱하기 위 해 전력을 제공하도록 구성된다.

도 2a 는 도 1 의 확대된 부분을 도시하며, 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이, 또는 이에 대한 위치 관계 중 첫번째를 도시한다. 이 관계를 확립하기 위해, 도 1 은 베이스 (52) 상에 탑재된 웨지 어셈블리 (64) 와 같은 일 실시형태의 선형 모터로 구성되며 베이스 (52) 상에 탑재된 드라이브 (62) 를 도시한다. 도 1 은 또한 드라이브 (62) 와 상부 전극 (53) 사이에 접속된 링키지 (66) 를 도시한다. 링키지 (66) 는 개개의 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이의 원하는 배향의 확립, 예를 들어, 개개의 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 의 평행 관계 (parallelism) 를 허용하도록 조정가능할 수도 있다. 링키지 (66) 의 타이트화는 또한 드라이브 (62) 가 상부 전극 (53) 을 이동시키는 동안에 원하는 배향을 유지하여, 웨이퍼를 프로세싱하기 위한 위치 관계를 확립할 수도 있다. 도 2a 및 도 2c 의 확대도는 상부 전극 (53) 을 이동시키는 것이 개개의 제 1 기준 표면 (56) 및 제 2 기준 표면 (60) 이 서로에 대해 상대적으로 이동하는 것을 야기할 수도 있다는 것을 나타낸다. 이 이동은 제 1 위치 관계 (도 2a) 로부터 도 2c 에 도시된 제 2 위치 관계로의 이동일 수도 있고, 다시 반대의 경우일 수도 있다.

도 2a 는 중앙 영역 (68) 을 갖는 상부 전극 (53) 을 도시한다. 중앙 영역 (68) 은 브래킷 (68E) 의 일부에 의해 도시된 바와 같이 방사상으로 연장된다. 도 2b 의 단면도는 중앙 영역 (68) 이 원형이고 웨이퍼 (58) 가 축 X 에 중심을 갖는 것을 도시한다. 중앙 영역 (68) 은 전력을 공급받지 않고, 프로세스 제외 삽입부 (69) 로부터 구성될 수도 있다. 도 3 은 삽입부 (69) 가 상부 전극 (53) 의 제 3 기준 표면 (61) 상에 탑재 (즉, 고정) 된 내부 (또는 상부) 기준 표면 (69I) 으로 구성될 수도 있다. 삽입부의 상부 기준 표면 (69I) 은 삽입부 (69) 를 통해 연장되는 홀로서 구성될 수도 있으며 축 X 와 동축인 리세스 (69R) 로 구성된다. 삽입부 (69) 는 축 X 와 동축인 돌출부 (projection; 53P) 에 의해 상부 전극 (53) 의 중심에 있다. 돌출부 (53P) 는 삽입부 (69) 의 리세스 (69R) 로 연장된다. 리세스 (69R) 및 돌출부 (53P) 는 축 X 와 동축인 개개의 쌍을 이루는 원통형 벽 (53W 및 69W) 을 가진다.

내부 기준 표면 (69I) 에 대향하는 삽입부 (69) 의 외부 (또는 하부) 표면에 의해, 상부 전극 (53) 이 제 2 기준 표면 (60) 으로 구성되어, 제 2 기준 표면 (60) 은 삽입부 (69) 의 외부 기준 표면으로 지칭될 수도 있다. 개개의 내부 기준 표면 (69I) 과 제 2 기준 표면 (60) 은 평행하다. 따라서, 삽입부 (69) 의 내부 기준 표면 (69I) 이 제 3 기준 표면 (61) 상에 탑재 (및 고정) 되고, 그리고 내부 기준 표면 (69I) 과 외부 기준 표면 (60) 이 평행하면, 제 1 기준 표면 (56) 에 평행한 제 3 기준 표면 (61) 의 배향은 하부 기준 표면 (56) 에 평행한 제 2 (외부) 기준 표면 (60) 을 제공한다. 삽입부 (69) 는 예를 들어 세라믹과 같은 유전체로부터 제작될 수도 있다. 68X 로 식별되는 중앙 영역 (68) 의 일부는 삽입부 (69) 보다 더욱 외향으로 방사상으로 연장되고, 후술된다.

도 2a 는 웨이퍼의 중심 영역 (70) 에 대향하는 제 2 기준 표면 (60) 으로 구성되는 삽입부 (69) 를 나타낸다. 도 2a 에 도시된 제 1 위치 관계에서, 웨 이퍼 (58) 가 하부 전극 (54) 에 의해 지지되고 축 X 의 중심에 있는 경우, 공간 (72) 은 제 1 기준 표면 (56) 으로부터 제 2 기준 표면 (60) 을 분리한다. 공간 (72) 은 삽입부 (69) 와 웨이퍼 (58) 에 걸쳐 (또는 그 사이에) 방사상으로 연장되게 구성되고, 축 X 의 수직 또는 축 방향 (화살표 74) 으로 연장되고, 이 축 연장은 2 가지 면에서 충분하다 (크다). 하나는, 공간 (72) 은 하부 전극 상에 웨이퍼를 로딩하고 하부 전극으로부터 웨이퍼를 제거하기 위해 하부 전극 (54) 상의 웨이퍼 (58) 로의 액세스를 허용하도록 구성된다. 둘은, 공간 (72) 은 또한 하부 전극 (54) 상에 있는 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 과 상부 전극 (53) 사이에 표준 사이즈 (normal-size) 프로세스 또는 에칭 존 (76) 을 제공하도록 구성된다. 이 공간 (72) 으로, 상부 전극 (53) 이 전력을 공급받는다면, 플라즈마가 표준 사이즈 존 (76) 에서 라이트-업할 수 있다. (제 1 위치 관계로부터 발생되는) 웨이퍼와 상부 전극 (53) 사이의 표준 사이즈 프로세스 존 (76) 에 있어, 이러한 플라즈마가 중심 영역 (70) 에 액세스한다는 것을 인식할 수도 있다. 그 다음에, 공간 (72)(및 표준 사이즈 존 (76)) 이 프로세스 챔버 캐비티 (77) 의 일부일 수도 있다는 것을 이해할 수도 있다.

도 2a 에서, 브래킷 (70E) 은 축 X 로 연장되는 중심 영역 (70) 의 좌측 및 중심 범위를 한정한다. 도 2b 에서, 브래킷 (70E) 은 중심 영역 (70) 의 전체 범위를 도시한다. 도 2a 는, 원하는 프로세스가 웨이퍼의 에지 주변 (80) 으로부터만 원하지 않는 재료 (78) 를 제거하기 위한 것이고, 디바이스가 웨이퍼 상에 있을 수도 있는 경우에 중심 영역 (70) 으로부터 원하지 않는 재료 (78) 또는 임의 의 다른 재료를 제거하기 위한 것이 아닌 때에, (예를 들어, 플라즈마에 의해) 디바이스가 손상되지 않아야 하기 때문에 표준 사이즈 프로세스 존 (76) 에서의 플라즈마가 허용가능하지 않다는 것을 도시한다.

본 발명의 실시형태는 디바이스의 이러한 손상을 피하는 것을 증진시키고, 플라즈마를 프로세싱되기 쉬운 에지 주변 (80) 에 대한 작용으로 제한하는 것을 증진시킨다. 도 2c 는 제 2 위치 관계를 나타내고, 웨이퍼가 하부 전극 (54) 에 의해 지지되는 경우에 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 에 매우 근접한 제 2 기준 표면 (60) 을 도시한다. 브래킷 (70E) 은 웨이퍼 (58) 의 축 X 로부터 연장되는 중심 영역 (70) 의 방사 범위의 일부를 표시한다. 제 1 기준 표면 (56) 에 매우 근접한 제 2 기준 표면 (60) 은 웨이퍼의 상부 표면 (82) 을 거의 터치한다. 예를 들어, 표면 (60) 은 이하에서 한정되는 공간 (84) 에 의해 표면 (82) 으로부터 분리될 수도 있다. 도 2c 는 제 2 위치 관계에서, 설명된 공간 (72, 도 2a 참조) 이 더 이상 존재하지 않는다는 것을 나타낸다. 그 결과, 상부 전극 (53) 의 일부가 전력을 공급받는 경우, 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 에 대한 플라즈마 액세스가 허용되지 않고, 하부 전극 (54) 상의 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 과 상부 전극 (53) 의 중앙 영역 (68) 사이에 표준 사이즈 프로세스 (에칭) 존 (76) 이 없다. 따라서, 플라즈마는 중앙 영역 (68) 과 중심 영역 (70) 사이에서 라이트-업되지 않을 수도 있다. 공간 (72) 대신에 그리고 챔버 캐비티 (77) 의 표준 사이즈 존 (76) 대신에, 도 2c 는, 매우 근접한 표면 (56 및 60) 에 있어, 공간 (84) 은 축상으로 얇고, 챔버 캐비티 (77) 를 상부 전극 (53) 의 중앙 영역 (68) 과 웨이퍼의 중심 영역 (70) 사이의 불활성 에칭 존 (86) 으로 구성되는 것으로 한정하는 것을 도시한다. 얇은 공간 (84) 에 의해 한정된 존 (86) 은 중심 영역 (70) 과 중앙 영역 (68) 이 너무 가까워서 플라즈마가 이 얇은 공간 (84) 에서 라이트-업할 수 없기 때문에 "불활성" 에칭 존으로 지칭된다. 따라서, 챔버 (77) 의 다른 부분에서 수행되도록 허용되는 프로세스 동작이 있는 경우, 공간 (84) 에서는 어떠한 에칭도 발생하지 않고, 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 상에 있을 수도 있는 것과 같은 이러한 디바이스가 손상되지 않는다. 중앙 영역 (68) 및 중심 영역 (70) 의 이 간격은 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 의 근접성에 기인하고, 예를 들어, 약 0.010 인치 내지 약 0.020 인치의 전극 (53) 의 이동 방향 (즉, X 축의 방향) 의 치수, 그리고 약 플러스 또는 마이너스 0.002 인치의 치수 허용 오차를 갖는 불활성 에칭 존 (86) 을 구성할 수도 있다.

본 발명의 실시형태는 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 정렬하여 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이의 원하는 배향, 예를 들어, 개개의 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 의 평행 관계를 한정함으로써, 디바이스에 대한 이러한 손상을 피하는 것을 증진시킨다. (그 원하는 배향을 위한) 하부 전극 (54) 에 대한 상부 전극 (53) 의 이러한 정렬은 느슨해진 링키지 (66) 로 본 발명의 실시형태에 의해 확립된다. 이 정렬이 일시적으로 유지되면, 링키지 (66) 는 타이트하게 될 수도 있고 본 발명의 실시형태가 제거될 수도 있다. 상부 전극 (53) 상에 탑재된 삽입부 (69) 에 있어, 타이트해진 링키지 (66) 는 원하는 배향, 예를 들어, 개개의 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이의 평행 관계를 유지한다. 이러한 방식으로, 드라이브 (62) 가 (예를 들어, 개개의 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 이 제 1 위치 관계 (도 2a) 로부터 도 2c 에 도시된 제 2 위치 관계로 서로에 대해 상대적으로 이동하고, 그리고 다시 반대로 이동하게 하기 위해) 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 이동시키는 경우에 원하는 배향이 유지된다. 원하는 배향을 유지함으로써, 불활성 에칭 존 (86) 을 한정하는 축상으로 얇은 공간 (84) 은 균일하게 유지된다. 이와 관련하여, "균일하게" (및 "균일한 간격") 는 중심 영역 (70) 및 중앙 영역 (68) 이 둘 다 가깝고 평행한 것으로 한정되며, 축 X 를 중심으로 이로부터 다양한 거리에서 측정된 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이에 동일한 거리가 존재한다. 균일한 간격의 결과로서, 플라즈마는 얇은 공간 (84) 에서 라이트-업하지 않고, 중심 영역 (70) 상의 디바이스는 손상되지 않는다.

하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 정렬하는 본 발명의 실시형태는 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이의 원하는 배향을 한정할 뿐만 아니라, 프로세싱, 예를 들어, 에칭되기 쉬운 에지 주변 (80) 의 프로세싱의 균일성을 증진시킨다. 도 2b 는 웨이퍼의 주변 에지 (90) 를 포함하는 에지 주변 (80) 을 도시한다. 에지 (90) 는 웨이퍼의 축 X 로부터 방사상으로 이격되고, 따라서, 예를 들어, 300 mm 웨이퍼 (58) 에 대해서는 축 x 로부터의 방사상 공간은 150 mm이다. 웨이퍼의 상부 표면 (82, 도 2c 참조) 은 에지 (90) 로부터 방사상으로 내향으로 연장되고, 중심 영역 (70) 을 포함한다. 웨이퍼의 하단 표면 (92) 은 에지 (90) 아래에 있고 상부 표면 (82) 에 대향한다. 도 2b 는 상부 표면 (82) 의 외부 환상 부분을 따라 에지 (90) 로부터 방사상으로 내향으로 연장되는 에지 주변 (80) 을 도시한다. 외부 환상 부분은 축 X 에 대해 방사상으로 연장된다. 이 방사상 내향 부분의 양은 후술되고, 중심 영역 (70) 과 에지 (90) 사이에서 한정된 상술한 에지 제외 영역을 포함할 수도 있다. 에지 제외 영역이 상부 표면 (82) 의 일부라는 것을 표시하기 위해, 에지 제외 영역은 도 2b 에서 82EEA 로 식별되고, 따라서 또한 에지 주변 (80) 의 일부이다. 상술한 바와 같이, 에지 제외 영역 (82EEA) 은 중심 영역 (70) 을 둘러싸고, 중심 영역 (70) 의 프로세싱에서, 그 에지 제외 영역 (82EEA) 에 대한 허용가능한 디바이스를 제공하려는 시도가 이루어지지 않는다.

설명의 명료함을 위해, 도 2c 에서 곡선 (96) 은 (후술하는 바와 같이, 거기서 80-C 로 식별되는) 에지 주변 (80) 의 범위를 표시한다. 곡선 (96) 은 웨이퍼의 외부 말단의 환상 표면 부분으로 에지 주변을 식별한다. 웨이퍼 축 X 는 환상 부분의 중심에 있다. 도 2c 는 원하지 않는 재료 (78) 의 축적을 갖는 환상 에지 주변 (80)(즉, 에지 (90), 및 표면 (82 및 92) 의 부분) 을 도시한다. 도 2b 는 에지 (90) 상의 재료 및 에지 제외 영역 (82EEA) 에 대응하는 상부 표면 (82) 의 부분 상의 재료의 일부를 도시한다. 따라서, 환상 에지 주변 (80)(표면 (82 및 92) 의 부분 또는 영역, 및 에지 (90) 를 포함하는 환상 부분) 은 디바이스를 형성하도록 프로세싱되지 않고, 재료 (78) 를 제거하도록 에칭된다. 또한, 에지 주변 (80) 으로부터 원하지 않는 재료 (78) 의 균일한 제거를 가져, 재료 (78) 의 완벽한 제거, 즉, 에지 주변 (80) 으로부터의 완벽한 제거는 웨이퍼의 외 부 환상 부분 주위 전체에서 발생하는 것이 바람직하다. 이 제거는 웨이퍼 축 X 주위 전체에서 균일한 제거이다.

도 1 은 상부 전극 (53) 의 하부 섹션을 둘러싸고 하부 전극 (54) 을 둘러싼 챔버 캐비티 (77) 를 한정하는 프로세스 챔버 (50) 를 도시한다. 도 2c 는 또한, 제 2 위치 관계가 확립되면, 프로세스 챔버 (50) 의 챔버 캐비티 (77) 가 상부 전극 (53) 과 하부 전극 (54) 사이에서 한정된 도넛형 또는 환상의 에칭 영역 (100) 으로 구성될 수도 있는 것을 도시한다. 에칭 영역 (100) 은 선점선 라인 102L 내부에 도시된 구성가능한 활성 에칭 또는 활성 에치 존 (102) 을 한정한다. 영역 (100) 의 예시적인 단면은 도 2c 의 라인 102L 에 의해 한정되게 도시된다. 도 2c 에 도시된 환상 에칭 영역 (100) 은 예시적인 일반적으로 C-형상의 단면을 갖는 일 실시형태의 활성 에칭 존 (102) 으로 구성되는 것으로 도시된다. 이 C-형상은 환상 에지 주변 (80) 주위로 연장되거나, 이를 에워싸고, 일 단부 C1 으로부터 대향 단부 C2 로 연장된다. 참조를 위해, 도 2a 에서, 활성 에칭 존 (102) 을 식별하는 라인 102L 의 단부 C1 이 도시된다. 도 2b 의 단면에서, 단부 C1 및 라인 102L 은 원형이고 축 X 을 중심으로 연장되고, 도넛형 영역 (100) 의 외부의 방사상 위치를 표시하는 것으로 도시된다.

활성 에칭 존 (102) 은 또한 에지 주변 (80) 에 인접하게 도시된다 (80-C 참조). 도 2a 에서, 섹션 라인 2B-2B 는 또한 라인 102L 을 가로지른다. 라인 102L 은 또한 환상 에칭 영역 (100) 의 방사량 (또는 방사 범위) 을 표시하도록 에지 (90) 의 외향으로 방사상으로 연장되게 도 2b 에 도시된다. 영역 (100) 의 예시적인 일반적으로 C-형상의 단면은 플라즈마 라이트-업 영역이다. 도 2c 에서, 이 예시적인 단면을 갖는 영역 (100) 은 웨이퍼 상부 표면 (82) 의 상단 방사상-연장 길이 L1 에 인접하게 도시된다. 이 예시적인 C-형상의 단면에 대해, L1 은 원하지 않는 재료 (78) 를 제거하는 것이 바람직한 상부 표면 (82) 의 방사상-연장 부분을 식별한다. 영역 (100) 은 또한 웨이퍼 (58) 의 에지 (90) 에 인접하게 도시된다. 이 예시적인 C-형상의 단면에 대해, 에지 (90) 는 또한 원하지 않는 재료 (78) 를 제거하는 것이 바람직한 웨이퍼 표면의 일부이다. 영역 (100) 은 주변 에지 (90) 주위에서 상부 표면 (82) 의 (즉, 에지 제외 영역 (82EEA) 의) 길이 L1 을 따라 C1 으로부터 웨이퍼의 하단 표면 (92) 으로 연장된다. 영역 (100) 은 하단 표면 (92) 의 하단 길이 L2 를 따라 C2 로 연장된다. 이 예시적인 C-형상의 단면에 대해, L2 는 원하지 않는 재료 (78) 를 제거하는 것이 바람직한 웨이퍼 (58) 의 하부 표면 (92) 의 방사상-연장 부분을 식별한다. 이 실시예에서, 따라서, 웨이퍼 (58) 의 에지 주변 (80) 은 길이 L1 과 L2 및 에지 (90) 를 포함하고, 설명의 용이함을 위해 도 2c 에서 80-C 로 식별된다. 따라서, 활성 에칭 존 (102) 은 에지 주변 (80-C) 을 둘러싼다.

검토하면, 하부 전극 (54) 과 상부 전극 (53) 의 이들 결합된 구성은 하부 전극 (54) 과 상단 전극 (53) 사이의 환상 프로세스 챔버 영역으로서 환상 에칭 영역 (100) 을 한정한다. 영역 (100) 은 챔버 캐비티 (77) 의 일부인 활성 에치 또는 활성 에칭 존 (102) 을 한정한다. 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 정렬하고 프로세싱, 예를 들어, 에칭되기 쉬운 에지 주변 (80) 의 프로세 싱의 균일성을 증진시키는 본 발명의 실시형태는 하부 전극 (54) 에 대한 상부 전극 (53) 의 정렬이 환상 에칭 영역 (100) 및 활성 에칭 존 (102) 이 비활성 에칭 존 (86) 주위에서 (그리고 이로부터 분리되어) 균일하게 연장되게 하도록 구성된다. 더 상세하게는, 도 2c 에서 보는 바와 같이, 상기 한정된 균일한 간격은 플라즈마가 얇은 공간 (84) 에서 라이트-업하지 않고 중심 영역 (70) 상의 디바이스가 손상되지 않도록 축 X 로부터 다양한 방사 거리에서 측정되는 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이에 동일한 거리 86D 를 제공한다. 동일한 거리 86D 를 제공하는 그 균일한 간격은 또한 활성 에칭 존 (102) 을 균일하게 한정하고, 축 X 를 중심으로 하는 에지 주변 (80-C) 전체의 프로세싱의 균일성을 증진시킨다.

비활성 존 (86) 에 대해 축 X 로부터 예시적인 방사 거리에서 거리 (84) 를 동일하게 하면, 도 2c 는 상부 전극 (53) 의 구성가능한 부분 또는 링 (110) 과 하부 전극 (54) 의 구성가능한 부분 또는 링 (120) 사이의 거리 102D1 를 나타낸다. 하부 전극 (54) 과 상부 전극 (53) 을 일렬 정렬하는 본 발명의 실시형태에 의해, 거리 102D1 은 활성 에칭 존 (102) 내에서 축 X 주위의 다양한 곳에서 측정되는 경우에 동일하다. 또한, 거리 102D2 는 활성 에칭 존 (102) 내에서 축 X 주위의 다양한 곳에서 측정되는 경우에 동일하고, 거리 102D3 은 활성 에칭 존 (102) 내에서 축 X 주위의 다양한 곳에서 측정되는 경우에 동일하다. 그 결과, 하부 전극 (54) 과 상부 전극 (53) 을 일렬 정렬하는 본 발명의 실시형태는 에지 주변 (80-C) 상의 플라즈마의 작용이 축 X 주위에서 모두 균일하게 한다.

활성 에칭 존 (102) 의 일 예시적인 구성은 에칭 한정 링 (110 및 120) 과 관련하여 도 2c 에 도시되고, 상술한 거리 102D1-102D3 는 이들 링 (110 및 120) 에 관련되어 도시된다. 도 2c 는 상술한 예시적인 비활성 에칭 존 (86) 과 예시적인 환상 에칭 영역 (100) 의 단부 C1 사이의 보더 (border; B) 를 나타낸다. 또한, 도 2b 는 보더 B 의 방사상 위치를 표시하고, 활성 에칭 존 (102) 을 식별하는 라인 102L 의 단부 C1 에 인접하고 원형인 것으로 보더를 도시한다. 보더 B 는 웨이퍼 규격에 따라 축 X 에 대해 방사상으로 위치될 수도 있고, 일반적으로 상단 전극 (53) 의 삽입부 (69) 의 외부로부터 외측에 있다. 동일하게 되는 거리 102D1-102D3 는 축 X 주위의 다양한 곳 중 임의의 곳에서 측정될 수도 있다.

링 (110) 각각의 구성은 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 사이의 링키지 (66) 에 의해 제공된 상술한 원하는 배향에 관련될 수도 있다. 이러한 원하는 배향의 예는 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 이 평행한 것이었다. 링 (110) 인 상단 에칭 한정 링에 대해 설명한 바와 같이, 링 (120) 의 각각의 구성은 또한 상술한 예시적인 원하는 배향, 예를 들어, 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 이 평행한 것에 관련될 수도 있다. 도 2c 는 하단 환상 리세스 (122) 로 구성된 척 (54) 의 링 (120) 인 하단 에칭 한정 링의 일 실시형태를 도시한다. 하단 환상 리세스 (122) 는 축 X 로부터 방사상으로 위치하여 길이 L2 를 제공하는 벽 (124) 으로 구성된다. 하단 환상 리세스 (122) 는 공간 102D3 만큼 웨이퍼의 표면 (92) 으로부터 분리된 벽 (126) 으로 또한 구성되고, 그 분리는 영역 (100) 이 하부 에지 제외 영역 (92EEA) 로 지칭되지만 도시 되지 않음) 에 걸쳐 연장되게 하도록 축 방향 (74, 도 2a 참조) 으로 이루어진다. 본 발명의 실시형태로부터 기인하는 원하는 평행 배향에서, 그리고 제 2 위치 관계 (도 2c) 에서의 하부 전극 (54) 에 있어, 하단 환상 리세스 (122) 는 챔버 캐비티 (77) 의 하부 캐비티 섹션 (128) 을 한정한다. 하부 캐비티 섹션 (128) 은 웨이퍼 (58) 의 하부 에지 주변 영역 (80-C) 의 하부 표면 (92) 아래에 있다. 챔버 캐비티 (77) 의 하부 캐비티 섹션 (128) 은 하부 에지 주변 (80-C) 에 대해 배향되어, 하부 에지 주변 (80-C) 의 에칭을 허용하도록, 활성 에칭 존 (102) 과 환상 에칭 영역 (100) 의 하부 부분을 한정한다. 하부 캐비티 섹션 (128) 에서 플라즈마에 의해 에칭되는 하부 에지 주변 (80-C) 의 일부는 도 2c 에 도시된 길이 L2 를 따라 플라즈마에 노출된 하단 웨이퍼 표면 (92) 에 대응한다. 웨이퍼의 하부 표면 (92) 의 어떠한 에칭도 없다면, 하부 L2 의 값은 0 이고, 하단 에칭 한정 링 (120) 은 하부 캐비티 섹션 (128) 을 가지지 않는다. 이러한 경우에, 활성 에칭 존 (102) 은 예시적으로 거꾸로인 L 형상이다. 반대로, 웨이퍼의 상부 표면 (82) 의 어떠한 에칭도 없다면, 상부 L1 의 값은 0 이고, 상단 에칭 한정 링 (110) 은 상부 캐비티 섹션 (129) 을 가지지 않는다. 이 경우에, 활성 에칭 존 (102) 은 예시적인 L 형상이다.

링 (110 및 120) 의 선택된 구성울 이용하면, 베이스 (52) 및 상부 전극 (53) 은 선택된 상단 에칭 한정 링 (110) 이 상부 전극 (53) 상에 탑재되고 선택된 하단 링 (120) 이 하부 전극 (54) 상에 탑재되도록 구성될 수도 있다. 예시적인 C-형상의 활성 에칭 존 (102) 의 예에서, 이 구성은 웨이퍼의 상단 에지 제외 영역 (82EEA) 의 에칭량을 한정하며, 그 에칭량은 축 X 주위로 연장되고 길이 L1 과 일치한다. 이 예시적인 구성은 또한 웨이퍼의 하단 에지 제외 영역 (92EEA) 의 에칭량을 한정하며, 그 에칭량은 축 X 주위로 연장되고 길이 L2 와 일치한다. 이 예시적인 구성은 또한 웨이퍼의 제외 영역 (82EEA) 의 에지 (90) 의 에칭을 한정하며, 이 에칭은 축 X 주위로 연장된다.

일반적으로 상기에서도 설명한 바와 같이, 도 2c 는, 본 발명의 실시형태에 의해, 그리고 축 X 로부터 예시적인 거리에서 거리 102D1 이 동일하면, 벽 (126) 과 하부 에지 주변 (80EEA)(예를 들어, 표면 (92)) 사이의 거리 102D3 는 활성 에칭 존 (102) 내에서 축 X 주위의 다양한 곳에서 측정되는 경우에 동일하다는 것을 나타낸다. 도 2c 는 또한, 축 X 로부터 예시적인 거리에서 거리 102D1-102D3 이 동일하면, 하부 전극 (54) 의 구성가능한 링 (120) 의 표면 (126) 과 구성가능한 링 (110) 의 부분 (68X) 사이의 거리가 활성 에칭 존 (102) 내에서 축 X 주위의 다양한 곳에서 측정되는 경우에 동일하다는 것을 나타낸다. 그 결과, 본 실시형태의 이용으로부터 야기되는 정렬에 의해, 활성 에칭 존 (102) 에서 에지 주변 (80-C) 에 대한 플라즈마의 작용은 축 X 주위 전체에서 균일하다.

드라이브 (62) 를 더 상세히 참조하면, 도 2b 는 웨이퍼 (58) 주위의 환상 경로에서 연장되는 환상 에칭 영역 (100) 을 나타낸다. 에칭 한정 링 (110 및 120) 은 또한 웨이퍼 (58) 주위의 환상 경로에서 연장된다. 비활성 에칭 존 (86) 은 또한 중앙 영역 (68) 에 의해 한정된 제 2 기준 표면 (60) 과 중심 영역 (70) 사이에서 축상으로 그리고 웨이퍼 (58) 에 걸쳐 방사상으로 연장된다. 축 X 주위의 에지 주변 (80) 의 균일한 에칭을 보장하기 위해, 표면 (56) 과 표면 (60) 사이의 위치 관계는 평행할 수 있으며, 평행하게 유지된다. 이는 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 관계가 제 1 및 제 2 위치 관계의 각각에서 그리고 제 1 및 제 2 위치 관계로 (링키지 (66) 및 드라이브 (62) 를 통한) 상부 전극 (53) 의 이동 중에 유지된다는 것을 의미한다. 따라서, 이 평행 관계는 이들 관계 사이의 이동 중에 유지된다. 이 평행 관계는 설명된 원하지 않는 재료 (78) 의 균일한 제거를 위해 (1) 웨이퍼 (58) 의 상부 표면 (82) 이 상부 전극 (53) 의 중앙 영역 (68) 에 균일하게 근접하고, (2) 에지 주변 (80) 이 발생될 원하지 않는 재료 (78) 의 균일한 에칭을 위해 축상으로 환상 에칭 영역 (100) 의 중심에 있는 것을 제공한다.

프로세스 챔버 (50) 의 이용 전에, 본 발명의 실시형태와 관련하여, 링키지 (66) 는 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 및 중심형 위치 관계, 즉, 확립된 배향을 유지하도록 조정된다. 도 4 의 평면도를 참조하면, 링키지 (66) 는 예시적인 120 도 인터벌로 축 X 를 중심으로 이격된 예시적인 3 개 섹션 (180) 에서 구성된 것으로 도시된다. 다음은 하나의 섹션 (180) 을 설명하고, 섹션 (180) 모두에 적용가능하다. 링키지 섹션 (180) 은 상부 전극 (53) 에 고정된 제 1 암 (182) 과 협동한다. 암 (182) 은 상부 전극 (53) 으로부터 링키지 섹션 (180) 으로 수평하게 연장되게 도 4 및 도 5a 에 도시된다. 후술하는 바와 같이 링키지 섹션 (180) 이 느슨해지면, 암 (182) 은 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 이 평행하고 중심에 있는 경우에 상부 전극 (53) 이 위치하는 방법에 따라 느 슨해진 링키지 섹션 (180) 을 배향한다. 따라서, 각 암 (182) 및 느슨해진 섹션 (180) 은 축 X 에 대해 상이하게 배향될 수도 있다. 이 암 및 섹션 (180) 배향을 고려하여, 배향된 암 (182) 과 통상적인 링키지 섹션 (180) 의 수직 섹션을 도시한 도 5a 를 참조한다. 도 5a 는 섹션 (180) 의 느슨한 또는 느슨해진 구성을 도시한다. 도 5b 는 타이트한 또는 타이트해진 구성의 섹션 (180) 을 도시한다.

여전히 도 5a 를 참조하면, 배향된 암 (182) 은 수평으로 연장되며, 조정자 블록 (184) 에 고정되게 도시된다. 블록 (184) 은 회전용 조정자 스크루 (190) 를 수용하는 보어 (186) 로 구성된다. 적절한 회전은 스크루 (190) 를 예를 들어 상하로 이동시킨다. 스크루 (190) 는 로크 부재 또는 플레이트 (194) 에 고정된다. 도 5a 에 도시된 섹션 (180) 의 느슨해진 구성을 참조하면, 예시적인 스크루 상향 이동은 로크 부재 (194) 를 상향으로 이동시켜, 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대한 상부 전극 (53) 의 배향을 위해 링키지 섹션 (180) 을 컨디셔닝한다. 이러한 배향이 수행되기 전에, 블록 (184) 에 대한 로크 부재 (194) 의 상향 이동은 드라이버 (62) 와 로크 부재 (194) 사이에 정렬 공간 (195V) 을 제공한다. 일반적인 의미에서, 정렬 공간 (195V) 은 후술하는 바와 같이 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 과의 정렬된 평행 관계를 취하도록 하게 한다. 상세하게는, 정렬 공간 (195V) 은 스크루 (190) 의 회전량에 의해 결정되는 초기값을 가진다. 공간 (195V) 의 초기값은 로크 부재 (194) 가 드라이브 (62) 를 터치하지 않고 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 과의 그 정렬된 평행 관계를 취하도 록 하게 하기에 충분하다. 따라서, 공간 (195V) 의 값은 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 (예를 들어, 수직으로) 배향됨에 따라 초기값으로부터 변경될 수도 있다. 배향이 행해지는 경우, 다양한 섹션 (180) 의 각 공간 (195V) 은 배향된 상부 전극 (53) 에 의해 결정되는 것과 같은 일정한 양의 값을 가진다.

또한, 로크 부재 (194) 는 (로크 스크루 (196) 와 같은) 파스너와 로크 부재 (194) 사이에 정렬 공간 (195H) 을 한정하는 슬롯 (195S) 으로 구성된다. 스크루 (196) 는 도 5a 에서 보는 바와 같이 고정된 수평 위치에서 드라이브 (62) 에서의 나사 구멍 (threaded bore; 198) 에서 고정된다. 슬롯 (195S) 은 정렬 공간 (195H) 이 로크 스크루 (196) 주위로 연장되어, 로크 스크루 (196) 로부터 로크 부재 (194) 를 분리하도록 구성된다. 일반적으로, 후술하는 바와 같이, 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 에 대해 정렬된 중심 관계를 취하도록 하므로, 슬롯 (195H) 은 로크 부재 (194) 가 파스너 (196) 에 대해 상부 전극 (53) 에 의해 이동될 수 있기에 충분한 공간 (195H) 의 초기값 (도 5a) 을 한정하도록 구성된다. 예를 들어, 이러한 이동은 도 5b (수평 및 좌측) 에 도시되는 바와 같이 이루어질 수도 있는데, 이는 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 의 중심인 축 X 에 대해 정렬되게 하고 이를 중심으로 하게 한다. 공간 (195H) 의 초기값은 슬롯 (195S) 의 벽이 스크루 (196) 를 터치하지 않고 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 과의 정렬된 중심 관계를 취하도록 하게 하기에 충분하다. 따라서, 공간 (195H) 의 값은 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 배향 (예를 들어, 좌측으로 수평하게 이동) 됨에 따라 초기값으로부터 변경될 수도 있다. 그 배향이 행해지는 경우, 다양한 섹션 (180) 의 각 공간 (195H) 은 도 5b 에 도시된 일정한 양의 값을 가진다. 따라서, 정렬 공간 (195H) 의 초기값은 상부 전극 (53) 이 스크루 (196) 를 터치하는 슬롯 (195S) 없이 축 X (및 하부 전극 (54)) 에 대해 중심이 되게 하는데 필요한 예상 수평 이동의 방향 (좌측 또는 우측) 및 양에 의해 결정될 수도 있다.

검토하면, 이 배향 전에, 각 섹션 (180) 은 로크 부재 (194) 가 드라이브 (62) 를 터치하지 않으면서, 그리고 스크루 (196) 를 터치하는 슬롯 (195S) 의 벽 없이 배향을 허용하는 정렬 공간 (195H 및 195V) 으로 구성된다. 각 섹션 (180) 에 있어, 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대한 상부 전극 (53) 의 배향은 정렬 공간 (195V 및 195H) 의 초기값이 변경되게 할 수도 있다. 도 5b 는, 그 배향 다음에, 스크루 (190) 의 회전에 의해, 로크 부재 (194) 가 암 (182) 에서 멀어지게 이동하고 드라이브 (62) 를 터치할 때까지 로크 부재 (194) 가 (배향에 의해 변경되는 바와 같이) 변경된 상향 포지션으로부터 하향으로 이동할 수도 있다는 것을 나타낸다. 로크 부재 (194) 가 단지 드라이브 (62) 를 터치하는데 요구되는 것보다 많이 스크루 (190) 를 회전시키지 않도록 주의를 기울여서, 상부 전극 (53) 의 배향이 이러한 로크 부재 (194) 에 의해 변경되지 않게 한다. 로크 부재 (194) 가 이동하여 드라이브 (62) 를 터치함에 따라, 정렬 공간 (195H) 을 한정하는 슬롯 (195S) 은 로크 스크루 (196) 로부터 이격되어 유지된다. 로크 부재 (194) 는 드라이브 (62) 로 연장되는 나사 구멍 (198) 으로 로크 스크루 (196) 를 돌림으로써 드라이브 (62) 에 로크된다. 로크 스크루 (196) 는 슬롯 (195S) 을 통해 연장되고, 스크루 (196) 의 헤드는 로크 부재 (194) 를 가압하여, 드라이브 (62) 에 대고 로크 부재 (194) 를 죈다. 드라이브 (62) 에 대고 홀드되는 로크 부재 (194) 는 하부 전극 (54) 에 대한 상부 전극 (53) 의 중심형 및 정렬된 포지션 (배향) 에 기초한 포지션에 홀드된다. 따라서, 일단 로크 부재 (194) 가 드라이브 (62) 에 고정되면, 배향된 암 (182) 은 로크 부재 (194) 에 대해 이동하지 않고, 상부 전극 (53) 은 하부 전극 (54) 에 대해 배향된 드라이브 (62) 에 의해 홀드된다. (0 값의 공간 (195V) 으로, 예를 들어, 로크 스크루 (196) 가 슬롯 (195S) 을 통해 연장되어 드라이브 (62) 에 대해 타이트하게 로크 부재 (194) 를 홀드하는 것에 의한) 드라이브 (62) 로의 로크 부재 (194) 의 이러한 로킹은 링키지 (66) 의 링키지 섹션 (180) 의 타이트해진 (또는 타이트한) 구성으로 지칭된다.

설명한 바와 같이, 각 링키지 섹션 (180) 은 동일할 수도 있다. 따라서, 하나의 링키지 섹션 (180) 에 대해 설명한 것과 동일한 구조가 다른 예시적인 2 개의 이격된 위치에서 섹션 (180) 에 대해 제공된다. 스크루 (190) 의 동일한 타입의 회전, 및 드라이브 (62) 에 대한 로크 부재 (194) 의 동일한 로킹은 각 섹션 (180) 에서 발생된다. 다양한 섹션 (180) 의 공동 작용에 의해, 상부 전극 (53) 의 배향은 개개의 타이트해진 구성으로의 링키지 섹션 (180) 의 타이트화에 의해 변경되지 않는다. 이러한 방식으로, 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 및 중심형 위치 관계에 변경이 없다. 많은 섹션 (180) 은 드라이브 (62) 에 상부 전극 (53) 을 고정하고 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 및 중심형 위치 관계를 유지하도록 협력한다.

드라이브 (62) 에 고정된 링키지 섹션 (180) 으로, 드라이브 (62) 가 동작할 수도 있다. 드라이브 (62) 의 일 실시형태는 웨지 어셈블리 (64) 일 수도 있다. 도 6 을 참조하면, 웨지 어셈블리 (64) 의 3 개의 웨지 섹션 중 대표적인 하나의 웨지 섹션 (200) 이 도시된다. 섹션 (200) 은 도 4 에 도시된 것과 같이 축 X 주위에 위치한다. 각 웨지 섹션 (200) 은 동일할 수도 있다. 따라서, 하나의 웨지 섹션 (200) 에 대해 설명된 것과 동일한 구조가 다른 2 개의 이격된 위치에서 제공된다. 하나의 예시적인 섹션 (200) 은 볼트 (196, 도 5b 참조) 에 의해 로크 부재 (194) 에 고정될 수도 있는 제 1 웨지 부재 (202) 로 구성된다. 제 1 슬라이드 (203) 는 수평 이동에 대해 웨지 부재 (202) 를 홀드하여, 제 1 웨지 부재 (202) 가 로크 부재 (294) 를 상하로 이동시켜 이에 대응하여 암 (182) 및 상부 전극 (53) 을 이동시키게 허용한다. 이 상하 이동은 베이스 (52) 상에 탑재된 제 2 슬라이드 (206) 에 접속된 제 2 웨지 부재 (204) 의 작용 하에 이루어진다. 모터 (208) 는, 제 1 웨지 부재 (202) 의 제 1 경사면 (210) 이, 예를 들어, 제 2 웨지 부재 (204) 의 제 2 경사면 (212) 에 의해 죄어지도록, 슬라이드 (206) 상에서 수평으로 제 2 웨지 부재 (204) 를 이동시키도록 작동될 수도 있다. 반대로, 모터 (208) 의 역작동은 경사면 (212) 이 제 1 웨지 부재 (202) 가 아래로 이동하게 한다.

표시된 바와 같이, 웨지 섹션 (200) 에 대해 설명된 것과 동일한 구조는 3 개의 이격된 위치 각각에 있다. 또한, 각 웨지 섹션 (200) 의 모터 (208) 는, 동일한 유체 압력이 각 모터에 적용되고 동일한 상향 또는 하향 모션이 도 4 에 도시된 각 웨지 섹션 (200) 에 의해 동일한 시간에 적용되도록, 예를 들어, 공통 매니폴드 (214) 로부터의 유압유에 의해 작동될 수도 있다. 이러한 방식으로, 상부 전극 (53) 은 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 및 중심형 위치 관계의 변경이 없도록 상하로 이동되고, 상부 전극 (53) 은 표면 (56 및 60) 의 이 확립된 평행 및 중심형 위치 관계를 유지하면서 이동한다.

제 2 웨지 부재 (204) 를 좌측으로 이동시키는 모터 (208) 에 의해, 제 1 웨지 부재 (202) 가 위로 이동하고, 제 1 기준 표면 (56) 으로부터 멀리 상향으로 상부 전극 (53) 및 제 2 기준 표면 (60) 을 제 1 위치 관계 (도 2a) 로 이동시키는 것이 도 1 및 도 6 에서 이해될 수도 있다. 반대로, 도 1 및 도 6 에서, 제 2 웨지 부재 (204) 를 우측으로 이동시키는 모터 (208) 에 의해, 제 1 웨지 부재 (202) 가 아래로 이동하여, 제 1 기준 표면 (56) 을 향하여 하향으로 상부 전극 및 제 2 기준 표면 (60) 을 제 2 위치 관계 (도 2c) 로 이동시키는 것이 허용된다.

이러한 방식으로, 제 1 웨지 부재 (202) 및 제 2 웨지 부재 (204) 의 환상 형상에 의해, 드라이브 (62) 는 예시적인 웨지 어셈블리 (64) 를 통해 링키지 (66) 를 통해 상부 전극 (53) 으로 구동력을 적용하도록 구성된다. 이 구동력은, (상부 웨이퍼 표면 (82) 이 또한 기준 표면 (60) 에 대해 평행하고 중심에 있게 하는) 표면 (56 및 60) 이 평행하고 중심에 있는 원하는 배향으로 상부 전극 (53) 을 이동시키기 위해 링키지 (66) 를 구동하는 이동 제 1 웨지 부재 (202) 에 의해 유 지되도록 각 링키지 섹션 (180) 을 통해 동등하게 작용한다. 검토하면, 이러한 하나의 이동은 상부 전극이 제 2 기준 표면 (60) 을 제 2 위치 관계 (도 2c) 로 이동시키는 것일 수도 있는데, 여기서 제 2 위치 관계는 제 2 기준 표면 (60) 이 제 1 기준 표면 (56) 과 근접하는 것이고, 따라서 웨이퍼 (58) 의 상부 표면 (82) 이 또한 제 2 기준 표면 (60) 에 근접하는 것이어서, 프로세스 챔버 (50) 에 비활성 에칭 존 (86) 을 정의한다. 제 1 기준 표면 (56) 과 제 2 기준 표면 (60) 의 이러한 근접은, 예를 들어, 약 0.010 인치 내지 약 0.020 인치의 X 축의 방향에서 예시적인 치수를 갖는 비활성 에칭 존 (86) 을 구성한다. 설명된 다중 링키지 섹션 (180) 및 웨지 섹션 (200) 에 있어, 이동 방향에서의 이러한 치수는 약 플러스 또는 마이너스 0.002 인치의 치수 허용 오차 내에서 제공될 수도 있다. 이동 방향에서의 공간 (84) 의 이 치수는, 예를 들어, 축 X 주위의 에지 주변 (80) 의 균일한 에칭을 보장하도록 평행하고 중심에 있게 유지되는 표면 (56) 과 표면 (60) 사이의 위치 관계로 인해, 상부 전극 (53) 및 하부 전극 (54) 의 상대적인 이동 중에 반복가능하다. 공간 (84) 및 영역 (100) 의 각 경우에, 축 X 주위 전체에서 상술한 균일성이 있다.

상술한 구조 및 동작을 고려한다면, 본 발명의 실시형태의 세부사항은 손쉽게 이해될 수도 있다. 먼저 도 3 을 참조하면, 상부 전극 (53) 은, 내부 기준 표면 (69I) 이 제 3 기준 표면 (61) 에 대향하여 있고 돌출부 (53P) 가 리세스 (69R) 에 있도록 부착된 삽입부 (69) 를 갖는 것으로 도시된다. 링 (110) 은 숄더 (132) 에 의해 상부 전극 (53) 상에 홀드되게 도시된다. 도 3 의 이 구성 에서, 장치 (100) 는 에지 주변 (80) 을 에칭하기 위해 정렬되며 중심에 있었다. 도 3 과 비교하여, 도 7a 의 참조는 장치 (100) 의 도 3 의 구조의 일부가 제거되었고 도 7a 에 도시되지 않았음을 나타낸다. 예를 들어, 도 3 에 도시된 링 (110) 및 삽입부 (69) 는 상부 전극 (53) 으로부터 제거되었다. 이는 표면 (61) 에 대해 타이트한 표면 (69I) 을 갖는 상단 전극 (53) 에 삽입부 (69) 를 제거가능하게 고정하는 파스너 (도시되지 않음) 를 제거함으로써 행해진다. 이러한 파스너의 제거는 숄더 (132) 가 상단 전극 (53) 상에 링 (110) 을 더이상 홀드하지 않도록 삽입부 (69) 를 릴리스한다. 또한, 도 3 에 도시된 웨이퍼 (58) 는 하부 전극 (54) 의 하부 기준 표면 (56) 상에 있지 않고, 링 (120) 은 하부 전극 (54) 으로부터 링 (120) 을 리프팅함으로써 하부 전극 (54) 으로부터 제거되었다. 또한, 상술한 바와 같이, 링키지 (66) 는 상부 전극 (53) 에 대한 느슨한 구성, 즉, 느슨하지만 베이스 (52) 또는 드라이브 (62) 에 타이트하게 접속되지는 않는 구성으로 조정된다.

삽입부 (69), 링 (110 및 120) 및 웨이퍼 (58) 의 부재에 의해, 그리고 느슨한 구성의 링키지 (66) 로, 정렬 공간 (195V 및 195H, 도 5a 참조) 은 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 에 대해 정렬된 평행 및 중심 관계를 취하도록 하게 한다. 따라서, 장치 (100) 는 본 발명의 실시형태에 따라 정렬, 및 센터링, 또는 배향, 동작을 준비하는 상태에 있다. 도 7a 에서, 상부 전극 (53) 은 축 X 로부터 멀리 방사상으로 연장되는 제 3 기준 표면 (61) 으로 구성되게 도시된다. 제 3 기준 표면 (61) 은 하부 전극 (54) 의 제 1 기준 표면 (56) 에 대해 정렬되게 된다. 삽입부 (69) 의 표면 (69I) 및 제 2 기준 표면 (60) 이 평행하기 때문에, 제 3 기준 표면 (61) 에 대향하여 표면 (69I) 을 위치시키기 위한 상부 전극 (53) 과 삽입부 (69) 의 리어셈블리 시에, 삽입부 (69) 의 제 2 기준 표면 (60) 은 또한 제 1 기준 표면 (56) 에 평행하다. 또한, 상부 전극 (53) 의 돌출부 (53P) 가 하부 전극 (54) 에 대해 중심에 있으면, 리세스 (69R) 에서의 돌출부 (53P) 와 삽입부 (69) 의 리어셈블리 시에, 삽입부 (69) 는 또한 하부 전극 (54) 에 대해 중심에 있다.

도 7a 에서, 하부 전극 (54) 은 수직 벽 (242) 을 갖는 숄더 (240) 로 방사상으로 연장되는 제 1 기준 표면 (56) 으로 구성되게 도시된다. 숄더 (240) 는 (평면도에서) 원형 단면으로 구성될 수도 있다. 상부 전극 (53) 은 하부 전극 (54) 으로부터 이격되게 도시되어, 이들 전극은 이격된 기준 표면 (즉, 기준 표면 (56 및 61)) 과 이격된 전극으로 지칭될 수도 있다. 고정물 (244) 은 상부 고정물 기준 표면 (246) 및 상부 고정물 기준 표면 (246) 에 평행하게 하부 고정물 기준 표면 (248) 으로 구성되게 도시된다. 하부 고정물 기준 표면 (248) 은 (이격된) 제 1 기준 표면 (56) 상에서 지지되어 제 1 기준 표면 (56) 에 평행하게 상부 고정물 기준 표면 (246) 및 하부 고정물 기준 표면 (248) 을 배향시키도록 구성된다. 상부 고정물 기준 표면 (246) 은 (이격된) 제 3 기준 표면 (61) 을 지지하여 (이격된) 제 1 기준 표면 (56) 에 평행하고 상부 고정물 기준 표면 (246) 에 평행하게 이격된 제 3 기준 표면 (61) 을 배향하도록 구성된다.

도 7a 는 또한 축 X 와 동축이고 축 X 로부터 이격된 주변부 (250) 로 구성 된 (이격된) 제 1 기준 표면 (56) 을 도시한다. 주변부 (250) 는 수직 벽 (242) 에 의해 정의될 수도 있고, 도 2b 와 유사한 평면도에서 이 둘은 축 X 와 중심이 같으며 원형 단면으로 구성된다. 고정물 (244) 은 또한 다음과 같이 축 X 에 대해 또한 구성되게 도시된다. 하부 고정물 기준 표면 (248) 은 환상 내부 벽 (254) 을 가진 환상 림 (rim; 252) 으로 구성된다. 림 (252) 및 벽 (254) 은 벽 (242) 에 평행하게 연장되어, 제 1 기준 표면 (56) 을 오버행한다. 환상 내부 벽 (254) 은, 하부 고정물 기준 표면 (248) 이 (이격된) 제 1 기준 표면 (56) 상에 지지되면, 내부 벽 (254) 이 축 X 와 동축으로 축 X 에 평행하게 연장되고, 벽 (252) 및 주변부 (250) 를 둘러싸도록 축 X 에 대해 구성된다. 내부 벽 (254) 은 축 X 에 대해 (이격된) 제 1 기준 표면 (56) 의 중심에 고정물 (244) 을 두기 위해 벽 (242) 및 주변부 (250) 를 타이트하게 수용하도록 축 X 로부터 이격되게 구성된다.

고정물 (244) 이 (이격된) 제 1 기준 표면 (56) 의 중심에 있고, 돌출부 (53P) 가 상부 전극 축 Y 와 동축으로 구성된다는 것을 주목하며, 상부 고정물 기준 표면 (246) 이 축 X 에 대해 동축으로 고정물 (244) 로 연장되는 리세스 (또는 개구)(244R) 로 구성되면, 도 7b 는 고정물 (244) 이 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 중심에 두도록 구성된다는 것을 나타낸다. 리세스 (244R) 는 고정물 (244) 의 내부 벽 (254) 과 동축인 센터링 표면 (244C) 으로 구성된다.

정렬 및 센터링을 위해 상부 전극 (53) 과 고정물 (244) 을 일치시키도록, 상부 전극 (53) 은 (도 7a 의 아래에 도시된) 하부 전극 (54) 쪽으로 (예를 들어, 손으로) 이동된다. 상부 전극 (53) 은 고정물 (244, 도 7b 참조) 상에 서서히 위치한다. 상부 전극 (53) 이 낮아짐에 따라, 상부 전극 (53) 은 (축 X 에 수직하게) 측대측으로 가이드되어 (공간 (195H 및 195V) 에 의해 허용되는 바와 같은) 리세스 (244R) 로 돌출부 (53P) 를 삽입한다. 설명의 명확화를 위해, 표면 (244C) 은 돌출부 (53P) 의 벽 (53W) 으로부터 약간 이격되게 도 7b 에 도시된다. 센터링 표면 (244C) 및 리세스 (244R) 는 축 X (즉, 축 X 와 동축인 축 Y) 에 대해 돌출부 (53P) 를 중심에 두기 위해 돌출부 (53P) 및 벽 (53W) 을 알맞게 수용하도록 구성된다. 그 결과, 돌출부 (53P) 는 축 X 에 대해 상부 전극 (53) 을 중심에 둔다. 이 낮추기에 의해, 각 섹션 (180) 의 정렬 공간 (195H 및 195V) (도 5a 및 도 5b) 의 초기값은 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 배향되게 됨에 따라 변경될 수도 있다. 배향을 완료하기 위해, 상부 전극 (53) 은 제 3 기준 표면 (61) 이 상부 고정물 기준 표면 (246) 에 놓이도록 고정물 (244) 상에 완전히 위치된다. 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대한 상부 전극 (53) 의 배향의 완료 시에, 초기값과 비교할 때 각 섹션 (180) 의 정렬 공간 (195H 및 195V) 의 상이한 값이 존재할 수도 있고, 모드 고정물 (244) 의 작용에 의해, 예를 들어, 제 3 기준 표면 (61) 이 하부 전극 (또는 제 1) 기준 표면 (56) 에 평행하게 됨에 따라, 그리고 돌출부 (53P) 가 축 X 에 대해 중심에 있음에 따라, 이들 상이한 값이 발생된다.

상술한 바와 같은 삽입구 (69) 의 이용에 의해, 웨이퍼 프로세스 챔버 (50) 는 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (브래킷 (70E)) 의 프로세싱을 제외하도록 구성된다 는 것을 이해할 수도 있다. 중심 영역 (70E) 은 일반적으로 상부 고정물 기준 표면 (246) 의 면적에 대응하는 면적을 가진다. 삽입부 (69) 및 웨이퍼 (58) 의 각각은 축 X 의 방향으로 두께를 가진다. 이를 고려한다면, 고정물 (244) 은 하부 고정물 기준 표면 (248) 및 상부 고정물 기준 표면 (246) 이 정렬 거리 (270, 도 7a 참조) 만큼 이격되도록 구성된다는 것을 이해할 수도 있다. 정렬 거리 (270) 는 도 7a 에 일정 비율로 도시되지 않지만, 프로세스 챔버 (50) 의 비활성 존 (86) 을 한정하는 거리 (84, 도 2c 참조) 의 두께 및 삽입부 (69) 의 두께 및 웨이퍼 (58) 의 두께의 합계와 동일한 값을 갖게 구성된다. 이러한 비활성 에칭 존 (86) 은 웨이퍼의 중심 영역 (70) 의 프로세싱을 제외한다. 이러한 정렬 거리 (270) 는, 상부 전극 (53) 이 설명된 정렬 및 센터링 중에 (도 7b 에 도시된 것과 같이) 고정물 (244) 상에 놓이면, 제 1 기준 표면 (50) 과 제 3 기준 표면 (61) 이 플라즈마 챔버 (50) 의 동작에서 이격되어 에지 주변 (80) 을 에칭하고 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 을 에칭하지 않으므로, 고정물이 제 1 기준 표면 (56) 으로부터 제 3 기준 표면 (61) 을 이격시키도록 제공된다. 따라서, 정렬 및 센터링은 웨이퍼 (58) 의 프로세싱에서 이용되는 것과 같이 상부 및 하부 전극 (53 및 54) 의 동일한 간격으로 발생한다. 이는 축 X 주위의 공간 (84 및 102D1-102D3) 의 비균일성의 가능성을 감소시키고, 상술한 원하는 균일성을 증대시킨다. 예를 들어, 축 X 주위의 균일한 공간은 비활성 에칭 존 (86) 을 비활성으로 유지하여, 플라즈마로부터 웨이퍼 디바이스를 보호한다. 또한, 하부 전극 (54) 에 대한 상부 전극 (53) 의 설명된 센터링은 환상 에칭 존 (100) 의 방사 범 위가 축 X 주위 전체에서 균일할 것을 보장한다. 따라서, 원하지 않는 재료 (78) 의 동등 에칭은 도넛형 에칭 영역 (100) 에서의 허가된 에칭 동작에 의해 축 X 주위 전체의 에지 주변 (80) 에 대해 발생한다.

다음의 동작은 이러한 확립된 배향을 유지하도록 수행될 수도 있는데, 여기서 상부 기준 표면 (61) 은 하부 전극 기준 표면 (56) 에 평행하고 상부 전극 (53) 은 하부 전극 (54) 에 대해 중심에 있다 (즉, 축 X 에 대해 중심에 있고 정렬된다). 상부 전극 (53) 은 고정물 (244) 상에 놓이는 것으로 (즉, 제 3 기준 표면 (61) 이 상부 고정물 기준 표면 (246) 상에 놓이고 돌출부 (53P) 가 리세스 (244R) 에 알맞게 수용되게) 상술되었다. 링키지 (66) 의 각 섹션 (180) 은 배향 중에 이동되었을 수도 있고, 각 섹션 (180) 의 개개의 정렬 공간 (195H 및 195V) 은 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 에 대해 중심에 있고 평행하게 배향되게 하도록 필요한 때 변경되었을 수도 있다는 것을 상기한다. 상부 전극 (53) 이 이렇게 놓이면, 공간 (195H 및 195V) 의 변경된 값으로, 링키지 (66) 는 이후 각 섹션 (180) 이 타이트해진 구성으로 구성되도록 상술한 바와 같이 조정된다. 이 타이트해진 구성은 상부 전극 (53) 을 드라이브 (62) 에 고정하여, 확립된 배향 (상부 기준 표면 (61) 이 하부 전극 기준 표면 (56) 에 평행하고 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 에 대해 중심에 있음) 을 유지한다. 그 다음에, 드라이브 (62) 가 작동되어, 예를 들어, 고정물 (244) 에서 도 7a 에 도시된 포지션으로 다시 상부 전극 (53) 을 리프팅할 수도 있다. 그 다음에 고정물 (244) 은 하부 전극 (54) 으로부터 제거될 수도 있고, 그 다음에 장치 (100) 는 도 3 에 대해 상술하고 도 3 에 도시된 예시적인 구성 또는 관련 출원에 도시된 다른 구성으로 복귀할 수도 있다. 도 3 에 도시된 바와 같이, 링 (110) 은 전극 (53) 에 반하여 홀드되고 이에 대향하여 탑재된다. 삽입부 (69) 는 (돌출부 (53P) 및 리세스 (69R) 에 의해) 중심에 있는 상부 전극 (53) 상에 탑재되어 이에 고정된다. 센터링은 축 X 에 대햐 이루어진다. 삽입부 (69) 를 상부 전극 (53) 에 고정시킬 때, 링 (110) 은 상부 전극 (53) 상의 숄더 (132 및 130) 에 의해 홀드된다. 또한, 현재 평행한 하부 전극 기준 표면 (56) 과 제 3 기준 표면 (61) 에 의해, 삽입부 표면 (69I) 은 표면 (61) 에 평행하여, 평행하고 중심에 있는 표면 (56 및 60) 을 발생시킨다. 링 (120) 및 웨이퍼는 전극 (54) 상에 위치되고, 정렬되고 중심에 있는 장치 (100) 는 웨이퍼 (58) 의 에지 주변 (80) 으로부터 재료 (78) 를 제거하는데 이용할 준비가 되어 있다.

검토하면, 본 발명의 실시형태는 웨이퍼 프로세스 챔버 (50) 에서의 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 상부 전극 (53) 을 배향하기 위해 장치 (100) 의 관점에서 설명되었다. 전극 (53 및 54) 은 개개의 기준 표면 (56 및 60) 으로 구성되고, 전극 (53) 은 또한 제 3 기준 표면 (61) 으로 구성된다. 도 7a 를 참조하면, 고정물 (244) 은 상부 네스트 (280) 및 하부 네스트 (282) 로 구성되는 것으로 설명될 수도 있다. 상부 네스트 (280) 는 상부 고정물 기준 표면 (246) 및 센터링 표면 (또는 상부 벽)(244C) 으로부터 구성된다. 하부 네스트 (282) 는 환상 림 (252) 의 내부 (또는 하부) 환상 벽 (254) 및 하부 고정물 기준 표면 (248) 으로부터 구성된다. 하부 고정물 기준 표면 (248) 은 상부 고정물 기준 표면 (246) 에 평행하다. 상부 벽 (244C) 은 하부 벽 (254) 에 평행하고 하부 벽 (254) 과 동축이다. 상부 네스트 (280) 및 하부 네스트 (282) 의 각각은 개개의 상부 전극 기준 표면 (61) 및 하부 전극 기준 표면 (56) 의 적어도 일부를 수용하도록 구성된다. 표면 (61) 의 일부는 돌출부 (53P) 이다. 표면 (56) 의 적어도 일부는 환상 림 (252) 의 직경 방향으로 대향하는 부분 사이의 전체 표면 (56) 이다. 네스트 (280 및 282) 는 하부 전극 기준 표면 (60) 에 평행하게 상부 고정물 기준 표면 (246) 및 하부 고정물 기준 표면 (248) 을 정렬시키고 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 중심에 둠으로써 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 상부 전극 (53) 을 배향시킨다.

본 발명의 실시형태는 에지 주변 (80) 을 에칭하는데 바람직한 기존 배향에서 하부 전극 기준 표면 (56) 을 갖는 하부 전극 (54) 을 지지하기 위해 하단 섹션 (290, 도 1 참조) 을 가지는 베이스 (52) 로 구성되는 장치 (100) 를 포함할 수도 있다. 베이스 (52) 는 드라이브 (62) 를 지지하는 프레임 (292) 으로 또한 구성된다. 링키지 (66) 는 링키지 (66) 가 상술한 바와 같이 조정가능하다는 점에서 어댑터로 지칭될 수도 있다. 링키지 (66) 를 통해, 어댑터는 프레임 (292) 과 상부 전극 (53) 사이에 있다. 어댑터 (링키지 (66)) 는 상술한 느슨한 구성과 타이트한 구성 사이에서 조정가능해서, 느슨한 구성에서 어댑터는 (드라이브 (62) 를 지지하는) 프레임 (292) 과 어댑터 (66) 사이에서 가변 정렬 공간 (195H 및 195V) 을 한정하게 한다. 정렬 표면 (195H 및 195V) 의 초기값은 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 에 대한 정렬된 평행 및 중심 관계를 취하도록 하 는 배향 중에 변경될 수도 있다. 배향됨에 따라, 정렬 공간 (195H 및 195V) 은 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 네스트 (280 및 282) 에 의해 배향된 상부 전극 (53) 에 의해 결정되는 것과 같이 값을 변경하였다. 따라서, 상부 전극 (53) 의 상부 고정물 기준 표면 (61) 은 하부 전극 기준 표면 (56) 과 정렬된 평행 및 중심 관계에 있어, 삽입부 (제 2) 기준 표면 (60) 이 상부 전극 (53) 과 삽입부 (69) 의 어셈블리 시에 동일한 정렬된 평행 및 중심 관계에 있게 된다.

추가 검토하면, 타이트한 구성에서, 일단 상부 전극 (53) 이 중심형 배향에 있으면, 어댑터 (66) 는 (드라이브 (62) 를 통해) 프레임 (292) 에 고정되어 섹션 (180) 의 각각의 가변 정렬 공간 (195V) 을 제거하고 정렬 공간 (195H) 의 각각을 타이트하게 홀드하여서, 상부 전극 (53) 은 (드라이브 (62) 를 통해) 프레임 (292) 에 탑재되는데, 상부 전극 (53) 은 웨이퍼 프로세스 챔버 (50) 에서 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 정렬된 평행 및 중심형 배향으로 유지된다.

하부 전극 (54) 에 대한 상부 전극 (53) 의 센터링은 하부 전극 (54) 의 중심축 X 에 대한 것이라는 것을 이해할 수도 있다. 어댑터 (66) 는 섹션 (180) 의 형태로 된 복수의 커넥터로 구성된다. 섹션 (180) 은 축 X 주위에 균일하게 이격된다. 커넥터 (섹션 (180)) 의 각각은 (a) 프레임 (292) 의 일부에 대한 (즉, 개개의 섹션 (180) 에 인접한) 느슨한 구성과 (b) 프레임 (292) 의 개개의 부분에 대한 (도 5b 에 도시된) 타이트한 구성 사이에서 조정가능하도록 구성된다. 이와 같이, 타이트한 구성을 통해, 각 커넥터 섹션 (180) 은 프레임 (292) 의 개개의 부분에 고정되고, 커넥터는 프레임 (292) 에 상부 전극 (53) 을 공동 탑재하 는데, 상부 전극 (53) 은 웨이퍼 프로세스 챔버 (50) 에서 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대해 정렬된 평행 및 중심형 배향으로 유지된다.

축 X 의 주위의 커넥터 (섹션 (180)) 의 균일한 간격에 있어, (예를 들어, 프레임 (292) 의 부분 중 하나와 개개의 커넥터 또는 섹션 (180) 중 하나 사이의) 정렬 공간 (195H 및 195V) 은 프레임 (292) 의 다른 부분과 개개의 커넥터 (180) 중 다른 커넥터 사이의 정렬 공간 (195H 및 195V) 의 값과 상이한 값을 가질 수도 있다. 커넥터 (180) 의 각각은 양을 달리함으로써 축 X 의 방향에서 조정가능하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 상부 전극 (53) 의 배향 시에, 프레임 (292) 의 부분 중 하나와 개개의 커넥터 (180) 중 하나 사이의 정렬 공간 (195V) 이 프레임 (292) 의 다른 부분과 개개의 커넥터 (180) 중 다른 커넥터 사이의 정렬 공간 (195V) 과 상이한 값을 가지더라도, 상부 전극 (53) 은 개개의 커넥터 (180) 에 대응하는 프레임 (292) 의 각 부분에 고정될 수도 있다. 다양한 정렬 공간 (195H) 에 동일하게 적용된다. 타이트해진 구성에서 섹션 (180) 의 로크 부재 (194) 의 고정은 프레임 (292) 의 부분에 상부 전극 (53) 을 탑재하는데, 상부 전극 (53) 은 웨이퍼 프로세스 챔버 (50) 에서 하부 전극 (53) 의 원하는 기존 배향에 대해 정렬된 평행 및 중심형 배향으로 유지된다.

상술한 바와 같이, 어댑터 (섹션 (180)) 는 볼트 (196) 에 의해 프레임 (292) 의 부분에, 수직 및 수평 둘다로 타이트하게 선택가능하게 고정 (및 터치) 하도록 구성된 로크 부재 (194) 를 포함한다. 다른 방법으로는, 로크 부재 (194) 는 프레임 (292) 의 부분으로부터 정렬 공간 (195V) 만큼 분리될 수도 있고, 볼트 (196) 로부터 슬롯 (195S) 의 정렬 공간 (195H) 만큼 분리될 수도 있다. 어댑터 (링키지 (66)) 는 정렬 공간 (195V) 의 값 (예를 들어, 초기값) 을 정의하기 위해 (예를 들어, 플레이트 (194) 에 접속되고 상부 전극 (53) 의 암 (182) 상에 탑재된 스크루 (190) 형태의) 조정 메커니즘을 포함한다. 조정 메커니즘은 또한 정렬 공간 (195H) 의 초기값을 정의하기 위한 슬롯 (195S) 을 포함한다. 이러한 방식으로, 네스트 (280 및 282) 에 의한 배향 중에, 상부 전극 (53) 이 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 따라 정렬 공간 (195H 및 195V) 의 초기값을 수정하는 것이 가능하게 된다. (스크루 (190) 를 포함하는) 조정 메커니즘은 이격된 로크 부재 (194) 를 프레임 (292) 의 부분과 접촉하여 수직으로 이동시키도록 또한 구성되고, 슬롯 (195S) 은 로크 스크루 (196) 의 헤드가 드라이브 (62) 에 대고 로크 부재 (194) 를 죄게 하여 로크 부재 (194) 를 프레임의 부분에 고정시킴으로써 네스트 (280 및 282) 에 의해 배향된 것과 같이 프레임 (292) 에 고정되게 상부 전극 (53) 을 홀드하도록 구성된다.

본 발명의 실시형태는 또한 설명된 바와 같이 프레임 (292) 에 고정된 드라이브 (62) 로 구성되고 어댑터 (66) 를 이동시켜 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 이동시키도록 구성된 장치 (100) 를 포함할 수도 있다. 각 섹션 (180) 에 대해, 플레이트 (194) 는 타이트한 구성을 정의하기 위해 스크루 (196) 에 의해 프레임 (292) 의 개개의 부분에 선택가능하게 고정되거나, 느슨한 구성을 정의하기 위해 프레임 (292) 의 개개의 부분으로부터 가변 정렬 공간 (195H 및 195V) 만큼 분리되게 구성된다. 하나의 섹션 (180) 의 이들 2 개의 정렬 공간 (195H 및 195V) 은 한 쌍의 공간 (195H 및 195V) 으로 지칭될 수도 있다. 이러한 쌍의 공간에 대해, (개개의 플레이트 (194) 에 접속되고 상부 전극 (53) 상에 탑재된 섹션 (180) 의 형태의) 조정 메커니즘은 가변 정렬 공간 (195V) 의 초기값을 정의하며, 여기서 공간 (195V) 은 느슨한 구성에서 프레임 (292) 의 부분과 각 플레이트 (194) 사이에 있다. 또한 개개의 플레이트 (194) 에 접속되고 상부 전극 (53) 상에 탑재된 섹션 (180) 의 형태로 된 이러한 조정 메커니즘은 또한 가변 정렬 공간 (195H) 의 초기값을 정의하고, 여기서 공간 (195H) 은 느슨한 구성에서 프레임 (292) 의 개개의 부분에 부착되는 스크루 (196) 와 슬롯 (195S) 사이에 있다. 가변 정렬 공간 (195H 및 195V) 의 초기값은 하부 전극 (54) 의 원하는 기존 배향에 대한 상부 전극 (53) 의 정렬된 평행 및 중심 관계에 따라 (에 의해 요구되는 바와 같이) 가변 정렬 공간 (195H 및 195V) 의 초기값을 달리함으로써 하부 전극 (54) 과의 정렬된 평행 및 중심 관계를 취하도록 하게 하기에 충분하다.

또한, 장치 (100) 는 웨이퍼 (58) 의 에지 주변 (80) 내의 제외 영역을 보호하기 위해 프로세스 챔버 (50) 에서의 위치 관계를 확립하는 것으로 설명될 수도 있다. 본 발명의 실시형태는 하부 전극 (54) 으로 구성된 장치 (100) 를 포함할 수도 있다. 하부 전극 (54) 은 에지 주변 (80) 상에서 프로세싱될 웨이퍼 (58) 를 지지하기 위해 제 1 전극 기준 표면 (56) 으로 구성될 수도 있다. 베이스 (52) 는 프레임 (292) 으로 구성되며, 이 베이스는 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 을 프로세싱하지 않고 에지 주변 (80) 을 프로세싱하기 위해 원하는 배향으로 제 1 전극 기준 표면 (56) 을 갖는 하부 전극 (54) 을 탑재하도록 구성된다. 프로세스 제외 삽입부 (69) 는 프로세싱으로부터 제외 영역 (중심 영역 (70)) 을 보호하기 위해 개개의 평행한 제 1 및 제 2 삽입부 표면 (69I 및 60) 으로 구성된다. 상부 전극 (53) 은 삽입부 (69) 를 제거가능하게 탑재하기 위한 제 3 전극 기준 표면 (61) 으로 구성되는데, 제 1 삽입부 표면 (69I) 은 제 3 전극 기준 표면 (61) 에 대향하여 탑재되고, 제 1 삽입부 표면 (69I) 은 전극 기준 표면 (61) 에 평행하다. 정렬 고정물 (244) 은 삽입부 (69) 대신에 상부 전극 (53) 및 하부 전극 (54) 과 사용하도록 구성된다. 고정물 (244) 은 상부 고정물 기준 표면 (246) 및 이 상부 고정물 기준 표면에 평행한 하부 고정물 기준 표면 (248) 으로 구성된다. 고정물 (244) 은 하부 고정물 기준 표면 (248) 이 제 1 전극 기준 표면 (56) 과 짝을 이뤄, 상부 고정물 기준 표면 (246) 및 하부 고정물 기준 표면 (248) 이 제 1 전극 기준 표면 (56) 에 평행한 원하는 배향인 채로 하부 전극 (54) 상에 고정물 (244) 을 지지하도록 구성된다. 고정물 (244) 은 상부 고정물 기준 표면 (246) 이 제 3 전극 기준 표면 (61) 과 짝을 이뤄, 상부 (제 3 전극) 기준 표면 (61) 이 상부 고정물 기준 표면 (246) 에 평행한 원하는 배향인 채로 고정물 (244) 상에 상부 전극 (53) 을 제거가능하게 지지하도록 구성된다.

프레임 (292) 과 상부 전극 (53) 사이의 링키지 (66) 의 형태로 된 어댑터는 상술한 느슨한 구성과 타이트한 구성 사이에서 조정가능하다. 느슨한 구성에서, 어댑터 (66) 는 어댑터 (66) 와 프레임 (292) 사이로 가변 정렬 공간 (195H 및 195V) 을 한정한다. 가변 정렬 공간 (195H 및 195V) 의 초기값은 고정물 (244) 상에 지지된 상부 전극 (53) 이 원하는 배향에 있게 한다. 타이트한 구성에서, 어댑터 (66) 는 프레임 (292) 에 픽스된 상부 전극 (53) 을 고정하는데, 상부 전극이 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 을 프로세싱으로부터 보호하고 에지 주변 (80) 으로부터 원하지 않는 재료 (78) 를 제거하기 위해 원하는 배향으로 유지되는 동안에 상부 전극 (53) 은 상부 전극 (53) 상의 삽입부 (69) 및 링 (110) 의 탑재 및 고정물 (244) 의 제거를 허용하기 위해 원하는 배향에 있다.

웨이퍼 (58) 는 축 X 의 방향으로 도 2c 에서 보는 바와 같이 웨이퍼 두께로 구성된다. 삽입부 (69) 는 또한 삽입부 두께 (즉, 정렬 두께 (270)) 로 구성되어서, 상부 전극 (53) 과 동일한 수직 포지션에 있는 하부 전극 (54) 위의 상부 전극 (53) 이 고정물 (244) 상에 놓이면, 삽입부 (69) 는 웨이퍼 (58) 와 삽입부 (69) 사이로 (즉, 표면 (82) 과 표면 (60) 사이로) 비활성 프로세스 존 (86) 을 한정한다. 비활성 프로세스 존 (86) 은 공간 (84) 의 두께를 가진다. 드라이브 (62) 는 프레임 (292) 에 고정되고, 어댑터 (66) 를 이동시켜 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 이동시키도록 구성된다. 고정물 (244) 은, 하부 고정물 기준 표면 (248) 및 상부 고정물 기준 표면 (246) 이 비활성 존 (84) 의 두께와 삽입부 두께와 웨이퍼 두께의 합계와 동일한 값을 갖는 정렬 두께 (270) 만큼 이격되어, 하부 전극 (54) 에 대해 제 1 위치에 있는 상부 전극 (53)(즉, 고정물 (244) 상에 놓인 전극 (53)) 에 상부 전극 (53) 의 원하는 배향이 제공되도록 구성된다. 제 1 위치는 상부 전극 (54) 의 위치에 대응하는데, 여기서 삽입부 (69) 는 두께 (84, 도 2c 참조) 를 갖는 비활성 프로세스 존 (86) 을 한정하기 위해 탑재된다.

하부 전극 기준 표면 (56) 이 전극 축 X 로도 지칭될 수도 있는 축 x 와 동축으로 구성된다는 것을 이해할 수도 있다. 하부 전극 기준 표면 (56) 및 고정물 (244) 은 벽 (254) 및 숄더 (240) 에 대해 설명한 바와 같이, 축 x 에 대해 고정물 (244) 을 중심에 두도록 구성된다. 고정물 (244) 및 전극 기준 표면 (61) 은 돌출부 (53P) 및 센터링 표면 (244C) 에 대해 설명한 바와 같이 축 X 에 대해 상부 전극 (53) 을 중심에 두도록 구성된다.

본 발명의 실시형태는 도 8 에 도시된 흐름도 (300) 에 의해 정의된 바와 같이, 하부 전극 (54) 에 대해 상부 전극 (53) 을 배향시키는 방법을 포함할 수도 있다는 것을 이해할 수도 있다. 하부 전극 (54) 은, 프로세스 챔버 (50) 에서, 예를 들어, 베이스 (52) 상에서 원하는 기존 배향을 가진다. 이 배향은 웨이퍼 (58) 를 프로세싱하기 위해 프로세스 챔버 (50) 에서 비활성 프로세스 존 (86) 및 활성 프로세스 (또는 에칭) 존 (102) 을 한정하기 위한 것이다. 이 방법은 시작부터 기준 표면을 갖는 전극 (53 및 54) 각각을 구성하는 동작 302 로 이동할 수도 있다. 하부 전극 기준 표면 (56) 은 원하는 기존 배향에 있을 수도 있고, 상부 전극 기준 표면 (61) 은 하부 전극 기준 표면 (56) 에 평행하게 배향된다. 이 방법은 하부 전극 기준 표면 (56) 에 평행하게 배향된 상부 전극 기준 표면 (61) 을 일시적으로 홀드하는 동작 304 로 이동할 수도 있다. 이러한 홀드는 상술한 바와 같이 고정물 (244) 에 의해 이루어질 수도 있다. 이 방법은 상부 전극 (53) 을 드라이브 (예를 들어, 62) 에 고정하여 하부 전극 기준 표면 (56) 에 평행하게 상부 전극 기준 표면 (61) 을 탑재 및 픽스하는 동작 306 으로 이동할 수 도 있다. 이러한 고정은, 예를 들어, 플레이트 (194) 의 볼트 (196) 및 어댑터 (66) 에 의해 이루어질 수도 있고, 이 방법이 행해질 수도 있다.

이 방법의 다른 양태는 고정물 두께만큼 하부 전극 기준 표면 (56) 으로부터 상부 전극 기준 표면 (61) 을 이격하는데 효과적인 홀드 동작 304 를 포함할 수도 있다. 고정물 두께는 상부 전극 기준 표면 (61) 에 고정된 프로세스 제외 삽입부 (69) 의 두께와 비활성 프로세스 존 (86) 의 두께 (84) 와 웨이퍼의 두께의 합계와 동일할 수도 있다. 이 홀드 동작 304 는 고정물 (244) 을 참조하여 이해될 수도 있다. 고정물은 하부 고정물 기준 표면 (248) 및 상부 고정물 기준 표면 (246) 이 웨이퍼의 중심 영역 (70) 의 프로세싱을 제외하는 프로세스 챔버 (50) 의 비활성 부분을 한정하는 (즉, 비활성 에칭 존 (86) 을 한정하는) 거리 (84, 도 2c 참조) 와 삽입부 (69) 와 웨이퍼 (58) 의 두께의 합계와 동일한 값을 갖는 정렬 거리 (270) 만큼 이격되도록 구성된다. 이러한 정렬 거리 (270) 는, 고정물 (244) 이 설명된 정렬 및 센터링 중에 도 7b 에 도시된 바와 같이 표면 (56) 상에 놓이는 경우에, 제 1 기준 표면 (56) 과 제 3 기준 표면 (61) 이 에지 주변 (80) 으로부터 재료 (78) 의 제거를 위해 플라즈마 챔버 (50) 의 동작에서 이격되는 것과 같은 양만큼 고정물 (244) 이 제 1 기준 표면 (56) 으로부터 제 3 기준 표면 (61) 을 이격하도록 제공된다. 그 결과는 도 2c 의 장치가 축 X 주위 전체에서 에지 주변 (80) 을 균일하게 에칭하고, 축 X 주위의 아무데도 웨이퍼 (58) 의 중심 영역 (70) 을 에칭하지 않을 수도 있다는 것이다. 따라서, 고정물 (244) 에 의한 정렬 및 센터링은 웨이퍼 (58) 의 프로세싱에서 이용되는 것과 같은 상부 및 하 부 전극 (53 및 54) 의 동일한 간격으로 발생하며, 상술한 이득을 가진다.

이 방법은 하부 전극 (54) 으로부터의 고정물 (244) 의 제거 이후에 상부 전극 (53) 에 프로세스 제외 삽입부 (69) 를 부착하는 동작을 더 포함할 수도 있다는 것을 이해할 수도 있다. 또한, 동작은 하부 전극 기준 표면 (56) 상에 웨이퍼 (58) 를 탑재할 수도 있다. 드라이브 (62) 는 상부 전극 (53) 을 하부 전극 (54) 쪽으로 이동시켜, 비활성 프로세스 존 (86) 의 두께 (84) 만큼 웨이퍼 (58) 의 표면 (82) 으로부터 프로세스 제외 삽입부 (69)(표면 (60)) 를 이격하도록 동작할 수도 있다. 상술한 바와 같이, 고정물 (244) 의 이용에 의해, 비활성 프로세스 존 (86) 의 두께는 웨이퍼 (58) 에 걸쳐 웨이퍼 (58) 와 프로세스 제외 삽입부 (69) 사이에, 그리고 축 X 주위 전체에서 균일할 수도 있다.

이 방법의 실시형태는 하부 전극 기준 표면 (56) 상에 정렬 고정물 (244) 을 위치시키는 동작을 포함하는 홀드 동작 304 를 포함할 수도 있다. 상부 전극 (53) 은 상부 전극 (53) 이 (링키지 (66) 가 느슨한 구성에 있는 경우에서와 같이) 드라이브 (62) 및 프레임 (292) 에 대해 자유롭게 이동할 수 있게 하면서 정렬 고정물 (244) 상으로 이동할 수도 있다. 다양한 정렬 공간 (195H 및 195V) 은 상부 전극 (53) 의 이러한 자유 이동을 허용한다. 따라서, 상부 전극 기준 표면 (61) 이 드라이브 (62) 또는 프레임의 간섭 없이 축 X 에 대해 중심에 있고 하부 전극 기준 표면 (56) 에 평행하게 배향되도록, 상부 전극 (53) 이 배향되게 될 수도 있다.

상기 설명을 고려하여, 원하는 배향으로 위치되었던 하부 전극 (54) 과 상부 전극 (53) 을 신속하게 배향시키기 위한 장치 및 방법이 제공된다. 이 배향은 중심 영역 (70) 을 손상하지 않고 에지 주변 (80) 으로부터만 원하지 않는 재료 (78) 를 제거하는 방식으로 에지 주변 (80) 으로부터 균일하게 원하지 않는 재료의 제거를 허용한다. 설명된 배향은 상기 요구를 충족하여 사용 전에 에칭 장치가 정확하게 정렬되는 것을 보장함으로써, 사용 중에 (예를 들어, 링 (110 및 120) 을 갖는) 이 장치가 중앙 영역 (68) 으로부터 재료를 제거하거나 그렇지 않으면 중앙 영역 (68) 을 손상하지 않고, 전체 에지 주변 (80) 으로부터 원하지 않는 재료 (78) 의 정확한 (예를 들어, 균일한) 제거를 야기한다.

본 발명의 실시형태는 또한 전체 에지 주변 (80) (즉, 중심 영역 (70) 을 둘러싼 상부 웨이퍼 표면 (82) 의 환상 에지 영역 주위, 및 웨이퍼의 에지 (90) 주위, 및 웨이퍼 (58) 의 에지 (90) 근처의 하단 표면 (92) 을 따라 에지 영역 아래) 으로부터 원하지 않는 재료 (78) 의 균일한 제거를 위해 구성됨으로써 상술한 요구를 충족한다. 이러한 균일한 제거는 중심 영역 (70) 으로부터 재료를 제거하거나 그렇지 않으면 중심 영역 (70) 을 손상시키지 않고 이루어진다. 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 및 중심형 위치 관계에 변경이 없도록 하는 링키지 섹션 (180) 의 동작, 및 표면 (56 및 60) 의 확립된 평행 및 중심형 위치 관계를 유지하면서 베이스 (52) 에 상단 전극 (53) 을 고정하도록 협동하는 많은 섹션 (180) 의 동작은 이들 요구를 충족시키는데 기여한다. 예를 들어, 이는 축 X 주위 전체에서 균일하게 표면 (56 및 60) 의 근접성을 확립 및 유지하는 것에 의한 것이어서, 상단 전극 (53) 의 중앙 영역 (68) 과 웨이퍼의 중심 영역 (70) 사이의 축 X 주위에서 균일한 비활성 에칭 존 (86) 으로 구성되는 것으로 챔버 캐비티 (77) 를 한정하는 축상으로 얇은 공간 (84) 이 있게 된다.

전술한 발명이 이해의 명확화를 목적으로 어느 정도 상세하게 설명되었지만, 첨부된 청구범위의 범위 내에서 일정 변경 및 수정이 실시될 수도 있다는 것이 명백하다. 따라서, 본 실시형태는 제한적이 아니라 예시적인 것으로 고려되어야 하고, 본 발명은 본 명세서에서 주어진 세부사항에 제한되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위의 균등물 및 범위 내에서 수정될 수도 있다.

Claims (20)

1. 웨이퍼 프로세스 챔버에서 제 1 전극 기준 표면 및 제 2 전극 기준 표면을 정렬하는 장치로서,

   상부 고정물 기준 표면 및 상기 상부 고정물 기준 표면에 평행한 하부 고정물 기준 표면으로 구성된 고정물을 포함하고,

   상기 하부 고정물 기준 표면은 상기 제 1 전극 기준 표면 상에 지지되어 상기 제 1 전극 기준 표면에 평행하게 상기 상부 고정물 기준 표면 및 상기 하부 고정물 기준 표면을 배향시키도록 구성되고, 상기 상부 고정물 기준 표면은 상기 제 2 전극 기준 표면을 지지하여 상기 제 1 전극 기준 표면에 평행하며 상기 상부 고정물 기준 표면에 평행하게 상기 제 2 전극 기준 표면을 배향시키도록 구성되고,

   상기 제1 전극 기준 표면은 하부 전극의 표면이고, 상기 하부 전극은, 상기 고정물이 상기 하부 전극 위에서 구성되는 경우, 상기 하부 고정물 기준 표면과 접촉하는, 정렬 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 전극 기준 표면은 상기 하부 전극의 세로 축과 동축이고 상기 세로 축으로부터 이격된 주변부로 구성되며,

   상기 고정물은 상기 세로 축을 중심으로 또한 구성되고;

   상기 하부 고정물 기준 표면은 내부 벽을 갖는 림 (rim) 으로 구성되고, 상기 내부 벽은, 상기 하부 고정물 기준 표면이 상기 제 1 전극 기준 표면 상에 지지된 채로, 상기 내부 벽이 상기 세로 축과 동축으로 상기 세로 축에 평행하게 연장되도록 구성되며, 상기 내부 벽은 상기 세로 축에 대해 그리고 상기 제 1 전극 기준 표면의 중심에 상기 고정물을 두기 위해서 상기 주변부를 타이트하게 수용하도록 상기 세로 축으로부터 이격되게 구성되는, 정렬 장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 제 2 전극 기준 표면은 상부 전극 축과 동축인 돌출부 (projection) 로 구성되고,

   상기 상부 고정물 기준 표면은 상기 세로 축에 대해 동축으로 상기 고정물로 연장되는 개구로 구성되고, 상기 개구는 상기 내부 벽과 동축인 센터링 표면을 가지고, 상기 세로 축에 대해 상기 상부 전극 축 및 상기 돌출부를 중심에 두기 위해 상기 돌출부를 수용하도록 구성되는, 정렬 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 웨이퍼 프로세스 챔버는 웨이퍼의 중심의 프로세싱을 제외하기 위해 삽입부로 구성되고, 상기 중심은 상기 상부 고정물 기준 표면의 면적에 대응하는 면적을 가지며, 상기 삽입부 및 상기 웨이퍼 각각은 두께를 가지고;

   상기 고정물은 상기 하부 고정물 기준 표면 및 상기 상부 고정물 기준 표면이 상기 웨이퍼의 중심의 프로세싱을 제외하는 상기 웨이퍼 프로세스 챔버의 비활성 부분을 한정하는 거리와 상기 삽입부와 상기 웨이퍼의 두께의 합계와 동일한 값을 갖는 정렬 거리만큼 이격되도록 구성되는, 정렬 장치.
5. 웨이퍼 프로세스 챔버에서 하부 전극의 원하는 기존 배향에 대해 상부 전극을 배향시키는 장치로서, 각 전극은 기준 표면으로 구성되며,

   상기 배향 장치는,

   상부 네스트 및 하부 네스트로 구성되는 고정물을 포함하고,

   상기 상부 네스트는 상부 고정물 기준 표면 및 상부 벽으로 구성되고, 상기 하부 네스트는 하부 고정물 기준 표면 및 하부 벽으로 구성되고, 상기 하부 고정물 기준 표면은 상기 상부 고정물 기준 표면에 평행하고, 상기 상부 벽은 상기 하부 벽에 평행하고 상기 하부 벽과 동축이고, 상기 상부 네스트 및 상기 하부 네스트 각각은 개개의 상부 전극 기준 표면 및 하부 전극 기준 표면의 적어도 일부분을 수용하도록 구성되고, 상기 상부 네스트와 상기 하부 네스트는, 상기 하부 전극 기준 표면에 평행하게 상기 하부 고정물 기준 표면 및 상기 상부 고정물 기준 표면을 정렬시키고 상기 하부 전극에 대해 상기 상부 전극을 중심에 둠으로써 상기 하부 전극의 원하는 기존 배향에 대해 상기 상부 전극을 배향시키는, 배향 장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 원하는 기존 배향으로 상기 하부 전극 기준 표면을 갖는 상기 하부 전극을 지지하기 위해 하단 섹션으로 구성되며, 프레임으로 또한 구성되는 베이스; 및

   상기 프레임과 상기 상부 전극 사이에 있고, 느슨한 구성과 타이트한 구성 사이에서 조정가능한 어댑터로서, 상기 느슨한 구성에서, 상기 어댑터는 상기 어댑터와 상기 프레임 사이로 가변 정렬 공간을 한정하여 상기 상부 전극이 상기 원하는 기존 배향에서 상기 하부 전극에 대해 정렬된 평행 및 중심 관계로 배향되게 하며, 상기 가변 정렬 공간은 배향된 관계에서 상기 상부 전극에 의해 결정되는 값을 갖는, 상기 어댑터를 더 포함하는, 배향 장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 타이트한 구성에서, 상기 어댑터는 상기 프레임에 고정되어, 상기 상부 전극이 상기 배향된 관계에서 유지된 채로 상기 프레임에 픽스되게 상기 상부 전극을 탑재하는, 배향 장치.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 하부 전극에 대해 상기 상부 전극을 중심에 두는 것은, 상기 하부 전극의 중심 축에 대한 것이고,

   상기 어댑터는 복수의 커넥터로 구성되고, 상기 커넥터는 상기 중심 축 주위에 균일하게 이격되며, 상기 커넥터 각각은 상기 프레임의 일부분에 대한 상기 느슨한 구성과 상기 프레임의 개개의 부분에 대한 상기 타이트한 구성 사이에서 조정가능하도록 구성되는, 배향 장치.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 타이트한 구성에서, 각 커넥터는 상기 프레임의 개개의 부분에 고정되고, 상기 커넥터는, 상기 상부 전극이 상기 웨이퍼 프로세스 챔버에서 상기 하부 전극의 원하는 기존 배향에 대해 상기 배향된 관계에서 유지된 채로 상기 프레임에 픽스되게 상기 상부 전극을 공동 탑재하는, 배향 장치.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 중심 축 주위의 상기 커넥터의 균일한 이격은 개개의 상기 커넥터 중 하나의 커넥터와 상기 프레임의 부분 중 하나의 부분 사이의 상기 가변 정렬 공간이 개개의 상기 커넥터 중 다른 커넥터와 상기 프레임의 다른 부분 사이의 다른 정렬 공간과 상이한 값을 가지게 하는, 배향 장치.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 커넥터 각각은, 상기 개개의 커넥터 중 하나의 커넥터와 상기 프레임의 부분 중 하나의 부분 사이의 상기 가변 정렬 공간이 상기 개개의 커넥터 중 다른 커넥터와 상기 프레임의 다른 부분 사이의 상기 가변 정렬 공간과 상이한 값을 가지더라도, 상기 프레임에 픽스되게 상기 상부 전극을 탑재하기 위해 양을 달리함으로써 조정가능하도록 구성되고, 상기 프레임에 픽스되게 상기 상부 전극을 탑재하는 것은 상기 상부 전극이 상기 웨이퍼 프로세스 챔버에서 상기 하부 전극의 원하는 기존 배향에 대해 상기 배향된 관계에서 유지된 채로 이루어지는, 배향 장치.
12. 제 6 항에 있어서,

    상기 어댑터는 선택가능하게 상기 프레임에 픽스되거나 상기 가변 정렬 공간 중 하나의 가변 정렬 공간에 의해 상기 프레임으로부터 분리되도록 구성된 플레이트를 포함하고;

    상기 어댑터는, 상기 하부 전극의 원하는 기존 배향에 따라 하나의 가변 정렬 공간의 초기값을 변경하기 위해 상기 상부 네스트와 상기 하부 네스트에 의해 배향되는 것과 같이 상기 상부 전극이 위치시키도록, 상기 상부 전극 상에 탑재되며 상기 플레이트에 접속되어 상기 플레이트를 이동시키고 상기 하나의 가변 정렬 공간의 초기값을 정의하는 조정 메커니즘을 더 포함하며;

    상기 조정 메커니즘은 이격된 상기 플레이트를 상기 프레임과 접촉하게 이동시켜 상기 플레이트가 상기 프레임에 픽스되게 함으로써 상기 상부 네스트와 상기 하부 네스트에 의해 배향되는 것과 같이 상기 상부 전극을 홀드하도록 또한 구성되는, 배향 장치.
13. 제 6 항에 있어서,

    상기 배향 장치는, 상기 프레임에 고정되고 상기 어댑터를 이동시켜 상기 하부 전극에 대해 상기 상부 전극을 이동시키도록 구성된 드라이브를 더 포함하고;

    상기 어댑터는, 상기 드라이브에 선택가능하게 고정되어 상기 타이트한 구성을 정의하거나 상기 드라이브에 대해 가변 정렬 공간의 쌍에 의해 느슨하게 이격되어 상기 느슨한 구성을 정의하도록 구성된 플레이트를 더 포함하고;

    상기 어댑터는, 상기 상부 전극 상에 탑재되고 상기 플레이트에 접속되어 상기 어댑터의 상기 느슨한 구성에서 상기 가변 정렬 공간의 쌍의 초기값을 정의하는 조정 메커니즘을 더 포함하며;

    상기 조정 메커니즘은, 상기 가변 정렬 공간의 초기값이 상기 하부 전극의 원하는 기존 배향에 따라 상기 초기값을 달리함으로써 상기 하부 전극에 대한 상기 정렬된 평행 및 중심 관계를 상기 상부 전극이 취하도록 하기에 충분하도록 구성되는, 배향 장치.
14. 웨이퍼의 에지 주변 (edge environ) 내의 제외 영역을 보호하기 위해 프로세스 챔버에서 위치 관계를 확립하는 장치로서,

    상기 에지 주변 상에서 프로세싱될 웨이퍼를 지지하기 위해 제 1 전극 기준 표면으로 구성된 하부 전극;

    프레임으로 구성되며, 상기 웨이퍼의 상기 제외 영역은 프로세싱하지 않고 상기 에지 주변을 프로세싱하기 위해 원하는 배향으로 상기 제 1 전극 기준 표면을 갖는 상기 하부 전극을 탑재하도록 구성된 베이스;

    상기 제외 영역을 프로세싱으로부터 보호하기 위해 평행한 제 1 삽입부 표면 및 제 2 삽입부 표면으로 구성된 프로세스 제외 삽입부;

    제 2 전극 기준 표면으로 구성되며, 상기 제 1 삽입부 표면이 상기 제 2 전극 기준 표면에 대향하고 상기 제 2 삽입부 표면이 상기 제 2 전극 기준 표면에 평행하게 상기 프로세스 제외 삽입부를 제거가능하게 탑재하는 상부 전극;

    상기 프로세스 제외 삽입부 대신에 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극과 함께 사용하도록 구성되고, 상부 고정물 기준 표면 및 상기 상부 고정물 기준 표면에 평행한 하부 고정물 기준 표면으로 구성된 정렬 고정물로서, 상기 하부 고정물 기준 표면이 상기 제 1 전극 기준 표면과 짝을 이뤄, 상기 하부 고정물 기준 표면 및 상기 상부 고정물 기준 표면이 상기 원하는 배향에 있는 채로 상기 하부 전극 상에 상기 정렬 고정물을 지지하도록 구성되며, 상기 상부 고정물 기준 표면이 상기 제 2 전극 기준 표면과 짝을 이뤄, 상기 상부 전극 기준 표면이 상기 원하는 배향에서 상기 제 1 전극 기준 표면에 평행한 채로 상기 정렬 고정물 상에 상기 상부 전극을 제거가능하게 지지하도록 구성되는, 상기 정렬 고정물; 및

    상기 프레임과 상기 상부 전극 사이에 있고, 느슨한 구성과 타이트한 구성 사이에서 조정가능한 어댑터로서, 상기 느슨한 구성에서, 상기 어댑터는 상기 어댑터와 상기 프레임 사이로 가변 정렬 공간을 한정하여 상기 정렬 고정물 상에 지지되는 상기 상부 전극이 상기 원하는 배향에 있게 하고, 상기 타이트한 구성에서, 상기 어댑터는 상기 상부 전극이 상기 원하는 배향에 있으면 상기 상부 전극을 상기 프레임에 고정하여, 상기 제외 영역을 프로세싱으로부터 보호하기 위해 상기 상부 전극이 상기 원하는 배향으로 유지되는 동안에 상기 상부 전극 상의 상기 프로세스 제외 삽입부의 탑재 및 상기 정렬 고정물의 제거를 허용하는, 상기 어댑터를 포함하는, 위치 관계 확립 장치.
15. 제 14 항에 있어서,

    상기 웨이퍼는 웨이퍼 두께로 구성되고,

    상기 프로세스 제외 삽입부는 상기 웨이퍼와 상기 프로세스 제외 삽입부 사이로 비활성 프로세스 존을 한정하기 위한 삽입부 두께로 구성되며, 상기 비활성 프로세스 존은 비활성 존 두께를 가지고;

    상기 위치 관계 확립 장치는, 상기 프레임에 고정되어, 상기 어댑터를 이동시켜 상기 하부 전극에 대해 상기 상부 전극을 이동시키도록 구성된 드라이브를 더 포함하고;

    상기 정렬 고정물은, 상기 하부 고정물 기준 표면 및 상기 상부 고정물 기준 표면이 상기 비활성 프로세스 존의 두께와 상기 삽입부 두께와 상기 웨이퍼 두께의 합계와 동일한 값을 갖는 정렬 거리만큼 이격되어, 상기 상부 전극이 상기 하부 전극에 대해 제 1 위치에 있으면 상기 상부 전극의 상기 원하는 배향이 제공되도록 구성되고, 상기 제 1 위치는 상기 비활성 프로세스 존의 두께를 갖는 상기 비활성 프로세스 존을 한정하기 위해 상기 프로세스 제외 삽입부가 탑재된 상기 상부 전극의 위치에 대응하는, 위치 관계 확립 장치.
16. 제 14 항에 있어서,

    상기 제 1 전극 기준 표면은 전극 축과 동축으로 구성되고;

    상기 제 1 전극 기준 표면 및 상기 정렬 고정물은 상기 전극 축에 대해 상기 정렬 고정물을 중심에 두도록 구성되며;

    상기 정렬 고정물 및 상기 제 2 전극 기준 표면은 상기 전극 축에 대해 상기 상부 전극을 중심에 두도록 구성되는, 위치 관계 확립 장치.
17. 웨이퍼를 프로세싱하기 위해 프로세스 챔버에서 활성 및 비활성 프로세스 존을 한정하도록, 상기 프로세스 챔버에서 원하는 기존 배향을 갖는 하부 전극에 대해 상부 전극을 배향시키는 방법으로서,

    기준 표면을 갖는 전극 각각을 구성하는 동작으로서, 하부 전극 기준 표면은 상기 원하는 기존 배향에 있고 상부 전극 기준 표면은 상기 하부 전극 기준 표면에 평행하게 배향되는, 상기 전극 각각을 구성하는 동작;

    상기 하부 전극 기준 표면과 상기 상부 전극 기준 표면 사이에 정렬 고정물을 위치시킴으로써, 상기 하부 전극 기준 표면에 평행하게 배향된 상기 상부 전극 기준 표면을 일시적으로 홀드하는 동작; 및

    상기 상부 전극을 드라이브에 고정하여 상기 하부 전극 기준 표면에 평행하게 상기 상부 전극 기준 표면을 탑재하는 동작을 포함하는, 배향 방법.
18. 제 17 항에 있어서,

    상기 홀드하는 동작은 고정물 두께만큼 상기 하부 전극 기준 표면으로부터 상기 상부 전극 기준 표면을 이격시키고, 상기 고정물 두께는 상기 웨이퍼를 프로세싱하기 위해 상기 상부 전극 기준 표면에 고정될 프로세스 제외 삽입부의 두께와 상기 비활성 프로세스 존의 두께와 상기 웨이퍼의 두께의 합계와 동일한, 배향 방법.
19. 제 18 항에 있어서,

    상기 프로세스 제외 삽입부를 상기 상부 전극에 부착하는 동작;

    상기 하부 전극 기준 표면 상에 상기 웨이퍼를 탑재하는 동작; 및

    상기 드라이브를 동작시켜 상기 하부 전극 쪽으로 상기 상부 전극을 이동시킴으로써, 상기 비활성 프로세스 존의 두께만큼 상기 웨이퍼로부터 상기 프로세스 제외 삽입부를 이격시키는 동작을 더 포함하며,

    상기 비활성 프로세스 존의 두께는 상기 웨이퍼와 상기 프로세스 제외 삽입부 사이에서 그리고 상기 웨이퍼에 걸쳐 균일한, 배향 방법.
20. 제 17 항에 있어서,

    상기 홀드하는 동작은,

    상기 하부 전극 기준 표면 상에 정렬 고정물을 위치시키는 동작; 및

    상기 상부 전극이 상기 드라이브에 대해 자유롭게 이동하게 하며, 상기 상부 전극 기준 표면이 상기 드라이브로부터의 간섭 없이 상기 하부 전극 기준 표면에 평행하게 배향되게 하면서, 상기 상부 전극을 상기 정렬 고정물 상으로 이동시키는 동작을 포함하는, 배향 방법.

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